JP2022534945A - ローカルワードラインドライバデバイス、メモリデバイス、およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
101 トランジスタ構造
110 基板
112 nウェル
114 pウェル
140 ディープトレンチ分離(DTI)構造
150 ソース/ドレイン領域
155 ソース/ドレイン電極
163 ゲート誘電体層
165 ゲート電極
180 pウェルタップ
190 フィールド領域、誘電体層
190a 第1のフィールド領域
190b 第2のフィールド領域
200 トランジスタ構造
300 LWLDデバイス
301 トランジスタ構造
340 DTI構造
380 pウェルタップ
390a 第1のフィールド領域
390b 第2のフィールド領域
400 LWLDデバイス
401 トランジスタ構造
440 DTI構造
480 pウェルタップ
490a 第1のフィールド領域
490b 第2のフィールド領域
600 第1のウェハ
601 トランジスタ構造
610 第1の基板
610a 薄い第1の基板
612 nウェル
614 pウェル
670 分離構造
680 第1の誘電体層
685 導電性相互接続
700 第2のウェハ
706 第2の基板
708 第2の誘電体層
810 第3の誘電体層
910 背面ディープトレンチ
930 背面DTI(BDTI)構造
940 ディープトレンチ分離(DTI)構造
Claims (20)
- 基板と、
前記基板上に形成されるトランジスタ構造のアレイであって、前記トランジスタ構造が行と列で構成され、前記基板が、
各々が前記トランジスタ構造の隣接する行の間にある複数の第1のフィールド領域、および
各々が前記トランジスタ構造の隣接する列の間にある複数の第2のフィールド領域を含む、トランジスタ構造のアレイと、
前記基板の、前記複数の第1のフィールド領域または前記複数の第2のフィールド領域のうちの少なくとも1つのフィールド領域に形成される、ディープトレンチ分離構造と
を含む、ローカルワードラインドライバデバイス。 - 前記アレイ中の前記トランジスタ構造がN型トランジスタを含み、
pウェルタップが、前記基板の、前記複数の第1のフィールド領域または前記複数の第2のフィールド領域のうちの1つまたは複数の残りのフィールド領域上に形成される、請求項1に記載のデバイス。 - 前記ディープトレンチ分離構造が、約0.5ミクロン未満の1つの寸法を有する、請求項1に記載のデバイス。
- 前記ディープトレンチ分離構造が、シリコン酸化物、シリコン窒化物、またはシリコン酸窒化物を含む材料から作られる、請求項1に記載のデバイス。
- 前記ディープトレンチ分離構造が前記基板の厚さすべてを通過する、請求項1に記載のデバイス。
- 前記トランジスタ構造のアレイの反対の側の前記基板上に形成される誘電体層をさらに含む、請求項1に記載のデバイス。
- 前記ディープトレンチ分離構造が、前記基板の、前記複数の第1のフィールド領域または前記複数の第2のフィールド領域の各々に形成される、請求項1に記載のデバイス。
- 前記アレイ中のトランジスタ構造の列が、1つのディープトレンチ分離構造と1つのpウェルタップによって挟まれる、請求項2に記載のデバイス。
- 前記ディープトレンチ分離構造が、前記複数の第2のフィールド領域の各々に形成され、
前記pウェルタップが、前記基板の前記複数の第1のフィールド領域の各々に形成される、請求項2に記載のデバイス。 - 前記ディープトレンチ分離構造が、前記複数の第1のフィールド領域の各々に形成され、
前記pウェルタップと前記ディープトレンチ分離構造が、前記基板の前記複数の第2のフィールド領域に交互に形成される、請求項2に記載のデバイス。 - 基板と、
前記基板上に形成されるトランジスタ構造のアレイであって、前記トランジスタ構造が行と列で構成され、前記基板が、
各々が前記トランジスタ構造の隣接する行の間にある複数の第1のフィールド領域、および
各々が前記トランジスタ構造の隣接する列の間にある複数の第2のフィールド領域
を含む、トランジスタ構造のアレイと、
前記基板の、前記複数の第1のフィールド領域または前記複数の第2のフィールド領域のうちの少なくとも1つのフィールド領域に形成される、ディープトレンチ分離構造と
を含むローカルワードラインドライバデバイスを備える、メモリデバイス。 - 第1の基板、行と列で構成され前記第1の基板上に形成されたトランジスタ構造のアレイ、前記第1の基板中で隣接するトランジスタ構造間に形成された分離構造、およびトランジスタ構造のアレイ上に形成された第1の誘電体層を含む、第1のウェハを提供するステップと、
第2の基板および前記第2の基板上に形成された第2の誘電体層を含む第2のウェハを提供するステップと、
前記第2のウェハの前記第2の誘電体層を前記第1のウェハの前記第1の誘電体層と結合するステップと、
薄い第1の基板を実現するために前記第1の基板を薄くするステップと、
前記薄い第1の基板を通して背面ディープトレンチを形成するステップであって、前記背面ディープトレンチが、前記第1のウェハの前記分離構造に接続される、ステップと、
前記背面ディープトレンチ中に誘電体材料を形成することによって、対応する分離構造上に背面ディープトレンチ分離構造を形成するステップと
を含む、メモリデバイスを形成するための方法。 - 前記第1の基板が、
各々がトランジスタ構造の隣接する行の間にある複数の第1のフィールド領域、および
各々がトランジスタ構造の隣接する列の間にある複数の第2のフィールド領域
を含む、請求項12に記載の方法。 - 前記アレイ中の前記トランジスタ構造がN型トランジスタを含み、
前記第2のウェハの前記第2の誘電体層を前記第1のウェハの前記第1の誘電体層と結合するステップの前に、前記第1のウェハ中にその後形成される背面ディープトレンチ分離構造がない、1つまたは複数のフィールド領域中にpウェルタップを形成するステップ
をさらに含む、請求項13に記載の方法。 - 前記薄い第1の基板上に第3の誘電体層を形成するステップをさらに含み、
前記背面ディープトレンチを形成するステップが、
前記第3の誘電体層および前記薄い第1の基板を通して前記背面ディープトレンチを形成するステップ
をさらに含む、請求項12に記載の方法。 - 前記第2のウェハがメモリアレイを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記背面ディープトレンチ分離構造と前記分離構造が異なる材料から作られる、請求項12に記載の方法。
- 前記背面ディープトレンチ分離構造が、シリコン酸化物またはシリコン酸窒化物を含む材料から作られる、請求項12に記載の方法。
- 前記背面ディープトレンチ分離構造が、化学的気相堆積(CVD)、物理的気相堆積(PVD)、および原子層堆積(ALD)を含む堆積プロセスによって形成される、請求項12に記載の方法。
- 前記背面ディープトレンチが、対応する分離構造の表面を少なくとも部分的に露出させる、請求項12に記載の方法。
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