JP2022531992A - スプリットゲート型メモリセルを形成する方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2I
Description
本出願は、2019年7月2日に出願された中国特許出願第201910588914.7号及び2020年5月6日に出願された米国特許出願第16/868,143号に対する利益を主張する。
本発明は、不揮発性メモリアレイに関する。
半導体基板の上面に第1の絶縁層を形成するステップと、
前記第1の絶縁層に第1の導電層を形成するステップと、
前記第1の絶縁層に第2の絶縁層を形成するステップと、
前記第1の導電層の一部へ下方に延在し、前記第1の導電層の一部を露出する前記第2の絶縁層にトレンチを形成するステップと、
前記露出部分は凹状上面を有するように、前記第1の導電層の前記露出部分をエッチング又は酸化するステップと、
前記トレンチの側壁に沿って、かつ前記凹状上面のそれぞれの部分の上方に第1及び第2の絶縁スペーサを形成するステップであって、前記第1及び第2の絶縁スペーサは、互いに対向する内面と、互いに外を向く外面とを有する、形成するステップと、
前記第1の絶縁スペーサ及び第2の絶縁スペーサとの下及び間の基板の一部内にソース領域を形成するステップと、
前記第2の絶縁層を除去するステップと、
前記第1の絶縁スペーサの下の前記第1の導電層の第1のブロック、及び前記第2の絶縁スペーサの下の前記第1の導電層の第2のブロックを形成するために前記第1の導電層の一部分を除去するステップと、
前記第1の導電層の前記第1及び第2のブロックの側面に第3の絶縁層を形成するステップと、
前記第1の絶縁スペーサの前記外面に沿って第1の導電スペーサ、及び前記第2の絶縁スペーサの前記外面に沿って第2の導電スペーサを形成するステップと、
前記基板内に、かつ前記第1の導電スペーサに隣接して第1のドレイン領域、及び前記基板内に、かつ前記第2の導電スペーサに隣接して第2のドレイン領域を形成するステップと、を含む。
Claims (11)
- メモリデバイスを形成する方法であって、
半導体基板の上面に第1の絶縁層を形成するステップと、
前記第1の絶縁層に第1の導電層を形成するステップと、
前記第1の導電層に第2の絶縁層を形成するステップと、
前記第1の導電層の一部へ下方に延在し、前記1の導電層の一部を露出する前記第2の絶縁層にトレンチを形成するステップと、
前記露出部分は凹状上面を有するように、前記第1の導電層の前記露出部分をエッチング又は酸化するステップと、
前記トレンチの側壁に沿って、かつ前記凹状上面のそれぞれの部分の上方に第1及び第2の絶縁スペーサを形成するステップであって、前記第1及び第2の絶縁スペーサは、互いに対向する内面と、互いに外を向く外面とを有する、形成するステップと、
前記第1及び第2の絶縁スペーサの下及び間の前記基板の一部内にソース領域を形成するステップと、
前記第2の絶縁層を除去するステップと、
前記第1の絶縁スペーサの下の前記第1の導電層の第1のブロック、及び前記第2の絶縁スペーサの下の前記第1の導電層の第2のブロックを形成するために前記第1の導電層の一部分を除去するステップと、
前記第1の導電層の前記第1及び第2のブロックの側面に第3の絶縁層を形成するステップと、
前記第1の絶縁スペーサの前記外面に沿って第1の導電スペーサ、及び前記第2の絶縁スペーサの前記外面に沿って第2の導電スペーサを形成するステップと、
前記基板内に、かつ前記第1の導電スペーサに隣接して第1のドレイン領域、及び前記基板内に、かつ前記第2の導電スペーサに隣接して第2のドレイン領域を形成するステップと、を含む、方法。 - 前記第3の絶縁層を前記形成するステップの前に、前記第1の絶縁層の第1の部分は前記第1の導電層の前記第1のブロックの下に残り、前記第1の絶縁層の第2の部分は前記第1の導電層の前記第2のブロックの下に残るように、前記第1の絶縁層の一部分を除去するステップを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第3の絶縁層を前記形成するステップは、前記基板の上面の一部分に直接前記第3の絶縁層を形成するステップを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記第1及び第2の導電スペーサは、前記第3の絶縁層によって前記基板から絶縁され、前記第3の絶縁層によって前記第1の導電層の前記第1及び第2のブロックから絶縁される、請求項3に記載の方法。
- 前記第1及び第2の導電スペーサを前記形成するステップは、
前記基板の上方に第2の導電層を形成するステップと、
前記第2の導電層の一部分を除去するために前記第2の導電層のエッチングを実行するステップであって、前記第1及び第2の導電スペーサは前記第2の導電層の残りのスペーサである、実行するステップと、を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第2の導電層を前記形成するステップは、前記基板の論理区域の上方に前記第2の導電層を形成するステップを更に含み、前記方法は、
前記基板の前記論理区域の上方に前記第2の導電層のブロックを形成するために前記第2の導電層の一部分を選択的に除去するステップと、
前記基板内に、かつ前記第2の導電層の前記ブロックの第1の側に隣接して、第2のソース領域を形成するステップと、
前記基板内に、かつ前記第1の側の反対側の前記第2の導電層の前記ブロックの第2の側に隣接して、第3のドレイン領域を形成するステップと、を更に含む、請求項5に記載の方法。 - 前記第2の導電層の一部分を前記選択的に除去するステップは、前記第2の導電層の前記エッチングを使用して実行される、請求項6に記載の方法。
- 前記ソース領域を前記形成するステップは、
前記トレンチ内に、前記第1の導電層を通って、前記第1の絶縁層を通って、及び前記基板内に粒子を注入する埋め込みを実行するステップを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記ソース領域を前記形成するステップの前に、前記第1及び第2の絶縁スペーサの下及び間に配設された前記第1の導電層の一部分を除去するステップを更に含み、
前記ソース領域を前記形成するステップは、前記トレンチ内に、前記第1の絶縁層を通って、及び前記基板内に粒子を注入する埋め込みを実行するステップを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1及び第2の導電スペーサを前記形成するステップの前に、前記トレンチ内に、かつ前記第1及び第2の絶縁スペーサの前記内面の間に絶縁材料を形成するステップを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の導電層の前記露出部分を前記エッチング又は酸化するステップは、前記トレンチの中心にある前記第1の導電層の一部分が完全に除去されるように実行される、請求項1に記載の方法。
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