JP2022187924A - 基板搬送方法 - Google Patents

Abstract

【課題】パーティクルを抑制する基板搬送方法を提供する。【解決手段】基板を保持するホルダをチャンバーに搬送する際、前記チャンバー内に設けられたサセプタのサセプタ温度を待機温度に制御し、前記基板に処理を施す際、前記サセプタ温度を前記待機温度よりも高温のプロセス温度に制御する基板処理装置への搬送方法であって、前記ホルダを前記チャンバーに搬送する前に、前記チャンバー内の内部部材の温度を前記待機温度よりも下げる工程と、前記内部部材の温度を前記待機温度に戻した後、前記ホルダを前記チャンバーに搬送する工程と、を有する、基板搬送方法。【選択図】図６

Description

本発明は、基板搬送方法に関する。

特許文献１には、真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置された第１電極板と、前記第１電極板を加熱する第１加熱部とを有する第１電極部と、前記第１電極板に対向して設けられ、被処理基板を載置する基板ホルダを兼ねた第２電極板と、前記第２電極板を加熱する第２加熱部とを備えた第２電極部と、前記真空チャンバー内に原料ガスを供給する、ガス供給部と、前記第１電極板と前記第２電極板との間に高周波電界を印加することで、プラズマ放電を発生させ、前記被処理基板表面に薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置が開示されている。

特開２０１５－２２０２８８号公報

ところで、基板をプロセスチャンバーに搬送する際、プロセスチャンバー内の内部部材の表面温度が低下し、内部部材の熱収縮によって内部部材の表面に付着した副生成物が剥離することで、パーティクルが発生するおそれがある。

上記課題に対して、一側面では、パーティクルを抑制する基板搬送方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、一の態様によれば、基板を保持するホルダをチャンバーに搬送する際、前記チャンバー内に設けられたサセプタのサセプタ温度を待機温度に制御し、前記基板に処理を施す際、前記サセプタ温度を前記待機温度よりも高温のプロセス温度に制御する基板処理装置への搬送方法であって、前記ホルダを前記チャンバーに搬送する前に、前記チャンバー内の内部部材の温度を前記待機温度よりも下げる工程と、前記内部部材の温度を前記待機温度に戻した後、前記ホルダを前記チャンバーに搬送する工程と、を有する、基板搬送方法が提供される。

一の側面によれば、パーティクルを抑制する基板搬送方法を提供することができる。

本実施形態に係る基板処理システムの構成図の一例。 本実施形態に係るプロセスモジュール及びトランスファーモジュールの断面模式図の一例。 第１実施形態に係る基板搬送方法を説明するフローチャートの一例。 第１実施形態に係る基板搬送方法におけるプロセスチャンバー温度の一例。 第２実施形態に係る基板搬送方法を説明するフローチャートの一例。 第２実施形態に係る基板搬送方法におけるプロセスチャンバー温度の一例。 熱の移動を説明するプロセスモジュールの断面模式図の一例。

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

＜基板処理システム＞
本実施形態に係る基板処理システムについて、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理システムの構成図の一例である。

基板処理システムは、プロセスモジュール（基板処理装置）１００と、トランスファーモジュール２００と、ロードロックモジュール３００と、ローダーモジュール４００と、ロードポート５００と、制御部７００と、を備える。

プロセスモジュール１００は、エピタキシャル成長装置であって、所定温度に加熱された状態で処理容器（プロセスチャンバー）１１０（後述する図２参照）内にプロセスガスを供給し、ホルダＨ（後述する図２参照）に保持されたウエハ（図示せず）にＳｉＣ膜の成膜処理を施す。

ここで、ホルダＨは、例えば直径３５０ｍｍの円板状に形成され、直径１５０ｍｍのウエハを３枚載置可能に構成されている。また、ホルダＨは、例えばグラファイトで形成され、表面にＳｉＣがコーティングされている。

トランスファーモジュール２００は、真空に保持され、ゲートバルブを介して、プロセスモジュール１００、ロードロックモジュール３００と接続される。トランスファーモジュール２００には、ホルダＨを搬送するための搬送装置２１０（後述する図２参照）が設けられている。

ロードロックモジュール３００は、トランスファーモジュール２００に気密に接続され、内部の雰囲気を真空雰囲気と大気雰囲気との間において切り替える。本実施形態では、ロードロックモジュール３００は２つ設けられているが、これに限られない。

２つのロードロックモジュール３００には、大気雰囲気においてホルダＨを搬送するための共通のローダーモジュール４００が接続されている。ローダーモジュール４００には、キャリア６００を載置するためのロードポート５００が設けられている。ローダーモジュール４００には、ロードロックモジュール３００とロードポート５００のキャリア６００との間において、ホルダＨを搬送する搬送装置（図示せず）が設けられている。キャリア６００には、ウエハを載置したホルダＨが収容されている。また、キャリア６００には、後述するダミーホルダ（冷却部材）が収容されていてもよい。

かかる構成の基板処理システムは、たとえばコンピュータで構成される制御部７００を有する。制御部７００は、基板処理システムの全体を制御する。制御部７００は、メモリ及びＣＰＵを有し、メモリにはプロセスモジュール１００にて処理を行うために使用されるプログラム及びレシピが記憶されている。プログラムには、処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムが含まれる。レシピには、プロセスモジュール１００が加熱される温度等のプロセス条件や処理手順、ホルダＨの搬送経路が設定されている。

ＣＰＵは、メモリに記憶されたプログラム及びレシピに従い、キャリア６００から取り出したホルダＨをローダーモジュール４００の搬送装置、トランスファーモジュール２００の搬送装置を用いて所定の経路でプロセスモジュール１００に搬送する。そして、ＣＰＵは、レシピに設定されたプロセス条件に基づきプロセスモジュール１００にて所定の処理を実行する。プログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）などの記憶部に格納されて制御部７００にインストールされてもよいし、通信機能を使用してダウンロードしてもよい。

キャリア６００から搬出された未処理のウエハを載置したホルダＨは、ローダーモジュール４００の搬送装置によりロードロックモジュール３００へ搬送される。次に、ホルダＨは、トランスファーモジュール２００の搬送装置によりプロセスモジュール１００に搬送される。プロセスモジュール１００にてホルダＨに載置されたウエハに成膜処理が施される。その後、プロセスモジュール１００にて成膜処理が施されたウエハを載置したホルダＨは、トランスファーモジュール２００の搬送装置によりロードロックモジュール３００へ搬送される。次に、ホルダＨは、ローダーモジュール４００の搬送装置によりキャリア６００に搬送される。

次に、プロセスモジュール１００について、図２を用いて更に説明する。図２は、本実施形態に係るプロセスモジュール１００及びトランスファーモジュール２００の断面模式図の一例である。

図２に示すプロセスモジュール１００は、ホットウォール方式のエピタキシャル成長装置である。プロセスモジュール１００は、処理容器１１０と、ホルダ載置台１２０と、加熱体１３０と、断熱材１４０と、保持部材１５０と、プロセスガス供給口１６０と、を有する。

処理容器１１０は、ホルダＨを搬送する搬送路１１１と、ガスを排気する排気路１１２と、を有する。排気路１１２は、圧力調整部（図示せず）を介して、真空ポンプ（図示せず）と接続され、処理容器１１０内のガスが排気される。これにより、処理容器１１０内は所定の真空雰囲気（例えば０．１Ｔｏｒｒ）となっている。

処理容器１１０内には、ホルダＨを載置するホルダ載置台１２０が設けられている。また、ホルダ載置台１２０は、回転可能に構成されている。

また、処理容器１１０内には、加熱体（サセプタ）１３０が設けられている。加熱体１３０は、ホルダ載置台１２０の上方及び下方に配置され、処理容器１１０内全体を加熱する。加熱体１３０は、例えば誘導コイル１７０による誘導加熱により加熱される。

また、処理容器１１０内には、断熱材１４０が設けられている。断熱材１４０は、加熱体１３０と処理容器１１０とを断熱する。また、断熱材１４０は、搬送路１１１と処理容器１１０とを断熱する。また、断熱材１４０は、排気路１１２と処理容器１１０とを断熱する。処理容器１１０内には、断熱材１４０を保持する保持部材１５０が設けられている。

プロセスガス供給口１６０は、搬送路１１１から処理容器１１０内にサイドフローでプロセスガスを供給する。

トランスファーモジュール２００は、ホルダＨを搬送する搬送装置２１０を備える。また、トランスファーモジュール２００とプロセスモジュール１００との間には、ゲートバルブ２２０が設けられている。

トランスファーモジュール２００は、圧力調整部（図示せず）を介して、真空ポンプ（図示せず）と接続され、トランスファーモジュール２００内のガスが排気される。また、トランスファーモジュール２００は、調圧弁２３０を介してＡｒガスが供給される。これにより、トランスファーモジュール２００内は所定の真空雰囲気（例えば０．２Ｔｏｒｒ）となっている。なお、トランスファーモジュール２００内の圧力は、プロセスモジュール１００内の圧力よりも高くなっている。これにより、ゲートバルブ２２０を開放した際、プロセスモジュール１００内のガスがトランスファーモジュール２００へと流入することを防止する。

ここで、プロセスモジュール１００において、処理容器１１０内にプロセスガスを供給してホルダＨに載置されたウエハに成膜処理を施した際、処理容器１１０内の内部部材（ホルダ載置台１２０、加熱体１３０、断熱材１４０、保持部材１５０）の表面に結晶粒状または膜状の副生成物が付着する。なお、図２において、内部部材の表面に副生成物が付着する領域の一例を破線で図示する。

また、トランスファーモジュール２００からプロセスモジュール１００にホルダＨを搬送する際、処理容器１１０内へ処理容器１１０内温度よりも低温のホルダＨが搬送される。このため、処理容器１１０内の内部部材の表面温度が低下し、内部部材の熱収縮によって内部部材の表面に付着した副生成物が剥離することで、パーティクルが発生するおそれがある。

＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る基板搬送方法について、図３及び図４を用いて説明する。図３は、第１実施形態に係る基板搬送方法を説明するフローチャートの一例である。

なお、図３に示すフローの開始前において、制御部７００は、処理容器１１０内の加熱体１３０の温度（サセプタ温度）を待機温度（例えば９００℃）に制御する。なお、待機温度は、搬送装置２１０が処理容器１１０内にホルダＨまたはダミーホルダを搬送可能な温度である。

ステップＳ１０１において、制御部７００は、搬送装置２１０を制御して、処理容器１１０にダミーホルダ（冷却部材）を搬入し、搬出する。ここで、ダミーホルダは、ホルダＨと同様の形状を有しており、ホルダＨと同様に、トランスファーモジュール２００の搬送装置２１０、ローダーモジュール４００の搬送装置で搬送することができるように構成されている。また、ダミーホルダは、ウエハを載置していない空のホルダであってもよい。また、ダミーホルダは、ホルダＨよりも熱容量の大きい部材であってもよい。例えば、ダミーホルダは、ホルダＨと比較して、板厚が厚く形成されていてもよい。

ステップＳ１０２において、制御部７００は、搬送装置２１０を制御して、処理容器１１０にウエハを載置したホルダＨを搬入し、ホルダ載置台１２０に載置する。

ステップＳ１０３において、制御部７００は、ウエハに処理を施す。ここでは、制御部７００は、加熱体１３０の温度（サセプタ温度）をプロセス温度（例えば１６５０℃）に制御し、ホルダ載置台１２０を回転させ、プロセスガス供給口１６０からプロセスガスを供給することにより、ウエハにＳｉＣ膜を成膜する。また、処理の副生成物が処理容器１１０内に付着する。成膜処理が終了すると、処理容器１１０内の加熱体１３０の温度（サセプタ温度）を待機温度（例えば９００℃）に戻す。

ステップＳ１０４において、制御部７００は、搬送装置２１０を制御して、処理容器１１０からホルダＨを搬出する。

そして、次のホルダＨに対して、同様にステップＳ１０１～Ｓ１０４を繰り返す。

図４は、第１実施形態に係る基板搬送方法における内部部材温度の一例である。横軸は時間を示し、縦軸は処理容器１１０内の内部部材の温度の一例を示す。

ダミーホルダを処理容器１１０内に搬入する（ステップＳ１０１参照）ことにより、処理容器１１０内の内部部材の温度が待機温度よりも低下する。これにより、内部部材を予め熱収縮させることで、ホルダＨの搬送中に落下するおそれのあるパーティクルを落とすことができる。そして、ダミーホルダを処理容器１１０内に搬出することにより、処理容器１１０内の内部部材の温度が待機温度に戻る。

その後、ウエハを載置したホルダＨを処理容器１１０内に搬送する（ステップＳ１０２参照）。ここで、処理容器１１０内の内部部材の温度が待機温度よりも低下し、内部部材が熱収縮するが、ダミーホルダを搬送してパーティクルを予め落とすことにより、ウエハの表面にパーティクルが落下することを抑制することができる。

なお、処理容器１１０内に搬送する冷却部材は、ダミーホルダであるものとして説明したが、これに限られるものではない。冷却部材は、ホルダＨよりも熱容量を大きくしてもよい。これにより、ダミーホルダを搬入した際の温度低下をウエハを載置したホルダＨを搬入した際の温度低下よりも大きくすることができる。これにより、ダミーホルダを搬入した際のパーティクルの落下を促進し、ウエハを載置したホルダＨを搬入した際のパーティクルの落下を抑制することができる。

＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る基板搬送方法について、図５及び図６を用いて説明する。図５は、第２実施形態に係る基板搬送方法を説明するフローチャートの一例である。

ステップＳ２０１において、制御部７００は、加熱体１３０の温度（サセプタ温度）を待機温度（例えば９００℃）に制御する。なお、待機温度は、搬送装置２１０が処理容器１１０内にホルダＨを搬送可能な温度である。

ステップＳ２０２において、制御部７００は、搬送装置２１０を制御して、処理容器１１０にウエハを載置したホルダＨを搬入し、ホルダ載置台１２０に載置する。

ステップＳ２０３において、制御部７００は、加熱体１３０の温度（サセプタ温度）をプロセス温度（例えば１６５０℃）に制御する。

ステップＳ２０４において、制御部７００は、ウエハに処理を施す。ここでは、制御部７００は、加熱体１３０の温度をプロセス温度（例えば１６５０℃）に制御し、ホルダ載置台１２０を回転させ、プロセスガス供給口１６０からプロセスガスを供給することにより、ウエハにＳｉＣ膜を成膜する。また、処理の副生成物が処理容器１１０内に付着する。

ステップＳ２０５において、制御部７００は、加熱体１３０の温度（サセプタ温度）を対策温度（例えば７５０℃）に制御する。ここで、対策温度とは、待機温度よりも低い温度であり、ホルダＨを処理容器１１０内に搬送した際の内部部材の温度低下よりも低い温度に設定される。

ステップＳ２０６において、制御部７００は、搬送装置２１０を制御して、処理容器１１０からホルダＨを搬出する。

ステップＳ２０７において、制御部７００は、加熱体１３０の温度（サセプタ温度）を待機温度に制御する。

なお、処理容器１１０からホルダＨを搬出した後、加熱体１３０の温度を待機温度に制御するものとして説明したが、これに限られるものではない。加熱体１３０の温度を待機温度に制御した後、処理容器１１０からホルダＨを搬出する構成であってもよい。

そして、次のホルダＨに対して、同様にステップＳ２０１～Ｓ２０７を繰り返す。

図６は、第２実施形態に係る基板搬送方法におけるプロセスチャンバー温度の一例である。横軸は時間を示し、縦軸は処理容器１１０内の内部部材の温度（プロセスチャンバー温度）の一例を示す。ここでは、Ｌｏｔ１のホルダＨ及びＬｏｔ２のホルダＨに対して、連続して処理を実行する場合を例に説明する。

プロセスチャンバー温度は、待機温度（９００℃）となっている（ステップＳ２０１参照）。

Ｌｏｔ１のホルダＨは、ロードロックモジュール（ＬＬＭ）３００からトランスファーモジュール（ＴＭ）２００に搬送され、トランスファーモジュール（ＴＭ）２００からプロセスモジュール（ＰＭ）１００に搬送される（ステップＳ２０２参照）。ここで、プロセスモジュール（ＰＭ）１００に待機温度よりも低温のホルダＨを搬送することにより、プロセスチャンバー温度は待機温度（９００℃）から低下（例えば８５０℃）する。

そして、プロセスチャンバー温度はプロセス温度（１６５０℃）まで昇温され（ステップＳ２０３参照）、ウエハに処理を施される（ステップＳ２０４参照）。この際、処理の副生成物が処理容器１１０内に付着する。

そして、成膜処理が終了すると、プロセスチャンバー温度を対策温度（７５０℃）まで低下させる（ステップＳ２０５参照）。これにより、内部部材を熱収縮させ、パーティクルを落とすことができる。

そして、プロセスチャンバー温度は待機温度（９００℃）まで昇温される（ステップＳ２０６参照）。そして、Ｌｏｔ１のホルダＨは、プロセスモジュール（ＰＭ）１００からトランスファーモジュール（ＴＭ）２００に搬送され、トランスファーモジュール（ＴＭ）２００からロードロックモジュール（ＬＬＭ）３００に搬送される（ステップＳ２０７参照）。

次に、Ｌｏｔ２のホルダＨは、ロードロックモジュール（ＬＬＭ）３００からトランスファーモジュール（ＴＭ）２００に搬送され、トランスファーモジュール（ＴＭ）２００からプロセスモジュール（ＰＭ）１００に搬送される（ステップＳ２０２参照）。ここで、プロセスモジュール（ＰＭ）１００に待機温度よりも低温のホルダＨを搬送することにより、プロセスチャンバー温度は待機温度（９００℃）から低下（例えば８５０℃）する。

ここで、処理容器１１０内の内部部材の温度が待機温度よりも低下し、内部部材が熱収縮するが、Ｌｏｔ１のホルダＨの処理において、プロセスチャンバー温度を対策温度まで低下させパーティクルを予め落とすことにより、Ｌｏｔ２のホルダＨに載置されたウエハの表面にパーティクルが落下することを抑制することができる。

なお、対策温度は、ホルダＨを処理容器１１０内に搬入した際における低下した内部部材の温度（図６の例では、８５０℃）よりも、低い温度（図６の例では、７５０℃）にすることが好ましい。これにより、ホルダ搬入時のパーティクルの落下を好適に抑制することができる。なお、対策温度は、ホルダＨを処理容器１１０内に搬入した際における低下した内部部材の温度（図６の例では、８５０℃）以上、待機温度（図６の例では、９００℃）以下であってもよい。この場合でも、パーティクルの一部を予め落下させることができるので、ホルダ搬入時のパーティクルの落下を低減することができる。

次に、ホルダＨまたはダミーホルダを処理容器１１０内に搬送した際の内部部材の温度低下について、図７を用いて説明する。図７は、熱の移動を説明するプロセスモジュール１００の断面模式図の一例である。

図７（ａ）は、平衡状態（定常状態）における熱の移動を示すプロセスモジュール１００の断面模式図の一例である。

破線で示す搬送路１１１の上面の内部部材（断熱材１４０、保持部材１５０）には、下側の加熱体１３０からの輻射熱が熱流入する。また、搬送路１１１の下面の内部部材（断熱材１４０、保持部材１５０）には、上側の加熱体１３０からの輻射熱が熱流入する。また、搬送路１１１の上面の内部部材には、搬送路１１１の下面の内部部材からの輻射熱が熱流入する。一方、搬送路１１１の上面の内部部材から搬送路１１１の下面の内部部材に輻射熱として熱流出する。また、搬送路１１１の上面の内部部材から処理容器１１０に熱流出する。また、搬送路１１１の下面の内部部材から処理容器１１０に熱流出する。

これにより、破線で示す搬送路１１１の上面の内部部材の温度は、平衡状態（定常状態）を保つ。

図７（ｂ）は、ホルダＨ搬入時における熱の移動を示すプロセスモジュール１００の断面模式図の一例である。

ここで、破線で示す搬送路１１１の上面の内部部材において、下側の加熱体１３０からの輻射熱は、搬送中のホルダＨによって遮蔽される。また、搬送路１１１の下面の内部部材においても、上側の加熱体１３０からの輻射熱が搬送中のホルダＨによって遮蔽される。また、搬送路１１１の上面の内部部材から低温のホルダＨに輻射熱として熱流出する。また、搬送路１１１の下面の内部部材から低温のホルダＨに輻射熱として熱流出する。また、搬送路１１１の上面の内部部材から処理容器１１０に熱流出する。また、搬送路１１１の下面の内部部材から処理容器１１０に熱流出する。

これにより、ホルダＨの通過時において、破線で示す搬送路１１１の上面の内部部材の温度は、熱流入成分がなくなり、熱流出成分が増えることで、内部部材の表面の温度が低下する。また、ホルダＨの搬送経路上の内部部材及び内部部材の表面に付着した副生成物の膜が熱収縮することにより、パーティクルが落下する。

これに対し、第１実施形態及び第２実施形態に係る基板搬送方法によれば、ＳｉＣ膜を成膜するウエハを載置したホルダＨを搬送する前に、処理容器１１０内の温度を待機温度よりも下げる温度低下処理を行う。なお、図３及び図４に示す第１実施形態に係る基板搬送方法では、温度低下処理として、ダミーホルダを処理容器１１０内に搬送する。また、図５及び図６に示す第２実施形態に係る基板搬送方法では、温度低下処理として、加熱体１３０を加熱する誘導コイルを制御して対策温度まで低下させる。これにより、内部部材を予め熱収縮させることで、ホルダＨの搬送中に落下するおそれのあるパーティクルを予め落とすことができる。その後、ウエハを載置したホルダＨを搬送することにより、ウエハの表面にパーティクルが落下することを抑制することができる。

なお、参考例に係る基板搬送方法として、例えば待機温度を常温まで低下させた後にホルダＨを搬送することで、内部部材の熱収縮によるパーティクルの落下を抑制する基板搬送方法が想定される。しかしながら、参考例に係る基板搬送方法では、待機温度とプロセス温度の温度差が大きくなり、成膜処理前の昇温時間、成膜処理後の降温時間が長くなり、基板処理システムの生産性が低下する。

これに対し、第１実施形態及び第２実施形態に係る基板搬送方法によれば、待機温度を高くすることができるので、成膜処理前の昇温時間、成膜処理後の降温時間を短縮し、基板処理システムの生産性を向上させることができる。このため、待機温度は、９００℃以上が好ましい。

図７（ｃ）は、ホルダＨ搬入時における熱の移動を示すプロセスモジュール１００の断面模式図の一例である。

ここで、トランスファーモジュール２００内の圧力は、プロセスモジュール１００の圧力よりも高くなっている。ゲートバルブ２２０を開放し、ホルダＨを搬送する際、トランスファーモジュール２００からプロセスモジュール１００に向かって、Ａｒガスが流入する。このＡｒガスの対流熱伝導により、内部部材から低温のホルダＨへの熱流出が促進される。

ここで、制御部７００は、ウエハを載置したホルダＨを搬入する際、調圧弁２３０を制御してトランスファーモジュール２００へのＡｒガスの供給を停止するまたは減少させてもよい。これにより、トランスファーモジュール２００とプロセスモジュール１００との圧力差を低減して、トランスファーモジュール２００からプロセスモジュール１００に流れるＡｒガスの流量を低減し、対流熱伝導による熱流出を抑制することができる。これにより、パーティクルの落下を抑制することができる。

以上に説明したように、ホルダＨを搬送する前に、チャンバー内温度を低下させることにより、パーティクルの発生を抑制することができる。

今回開示された実施形態に係る基板処理システムは、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。

１００ プロセスモジュール（基板処理装置）
１１０ 処理容器（チャンバー）
１１１ 搬送路
１１２ 排気路
１２０ ホルダ載置台
１３０ 加熱体（サセプタ）
１４０ 断熱材
１５０ 保持部材
１６０ プロセスガス供給口
２００ トランスファーモジュール（搬送室）
２１０ 搬送装置
２２０ ゲートバルブ
２３０ 調圧弁（ガス供給部）
３００ ロードロックモジュール
７００ 制御部
Ｈ ホルダ

Claims (7)

1. 基板を保持するホルダをチャンバーに搬送する際、前記チャンバー内に設けられたサセプタのサセプタ温度を待機温度に制御し、
   前記基板に処理を施す際、前記サセプタ温度を前記待機温度よりも高温のプロセス温度に制御する基板処理装置への搬送方法であって、
   前記ホルダを前記チャンバーに搬送する前に、前記チャンバー内の内部部材の温度を前記待機温度よりも下げる工程と、
   前記内部部材の温度を前記待機温度に戻した後、前記ホルダを前記チャンバーに搬送する工程と、を有する、
   基板搬送方法。
2. 前記内部部材の温度を前記待機温度よりも下げる工程は、
   冷却部材を前記チャンバーに搬送する、
   請求項１に記載の基板搬送方法。
3. 前記内部部材の温度を前記待機温度よりも下げる工程は、
   前記サセプタ温度の設定値を変更する、
   請求項１に記載の基板搬送方法。
4. 前記チャンバーに隣接する搬送室と、
   前記搬送室にガスを供給するガス供給部と、を備え、
   前記搬送室から前記チャンバーに前記ホルダを搬送する際、前記ガス供給部の流量を減少または停止させる、
   請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板搬送方法。
5. 前記冷却部材は、基板が保持されていない状態の前記ホルダである、
   請求項２に記載の基板搬送方法。
6. 前記冷却部材の熱容量は、前記ホルダの熱容量よりも大きい、
   請求項２に記載の基板搬送方法。
7. 前記内部部材の温度を前記待機温度よりも下げる工程は、基板を保持した前記ホルダを前記チャンバー内に搬送する際の生じる温度低下よりも前記サセプタの設定温度を下げる、
   請求項１に記載の基板搬送方法。

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