JP3161426U - プラズマ処理システム - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ発生用の電極のクリーニングに要する時間を短縮するとともに、人手による手間を減らすことができ、且つ粉塵環境での作業による人体への悪影響を防止できるプラズマ処理システムを提供する。【解決手段】基板１，２，３を載置した搬送トレイ３１，３２，３３を主加熱部１５により加熱し、基板１，２，３にプラズマ処理をする処理室１１と、搬送トレイ３１，３２，３３を順次処理室１１に搬送させる搬送制御手段、主加熱部１５に処理室１１内を冷却させる冷却制御手段、及び主加熱部１５に処理室１１内を加熱させる加熱制御手段を有する制御装置１００とを備え、８０℃〜３５０℃のクリーニング温度において、基板が載置されていない状態で搬送トレイ３１，３２，３３を処理室１１内に順次搬送させ、クリーニング終了後、主加熱部１５に処理室１１内を稼働温度まで加熱させる。【選択図】図１

Description

本考案は、プラズマ処理システムに関し、特にプラズマ処理装置のクリーニング作業に関する。

プラズマ処理装置の１つとしてプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）装置が知られている。プラズマＣＶＤ装置において、基板が搬送トレイ上に載置され、成膜室へ搬送される。成膜室内では、基板を所定の成膜温度に加熱して、上部に配置された電極と搬送トレイとの間でプラズマが発生し、基板上に所望の膜が形成される。この成膜の際に、成膜室内の電極表面に反応生成物が積層され、ある許容量を越えると反応生成物が電極から剥離する。この剥離した反応生成物はパーティクルとして基板上に落ち、その後の処理に不都合を与える。そこで、一定間隔で稼働（成膜処理）を停止し、反応生成物を除去するクリーニング作業が実施される（例えば、特許文献１参照。）。

クリーニング作業では、成膜室を成膜温度に対応する稼働温度からヒートダウンして、電極表面に堆積した反応生成物の膜と電極表面との熱膨張差を利用して積極的に堆積膜を剥離し、剥離したパーティクルを人間が掃除機等を用いて除去している。

しかしながら、人手による作業が入るので、クリーニング時には成膜室内を稼働温度から人が触れられる程度の温度まで冷却するための時間が必要であり、更にクリーニング後には稼働（成膜処理）を再開するために稼働温度まで加熱するための時間が必要なため、クリーニングに要する時間が甚大である。更に、人手による手間がかかり、粉塵環境での作業により人体に悪影響を及ぼす可能性もある。

特開２００１−３３５９３９号公報

本考案は、このような事情に鑑みてなされたものであって、プラズマ処理をする処理室のクリーニングに要する時間を短縮するとともに、人手による手間を減らすことができ、且つ粉塵環境での作業による人体への悪影響を防止できるプラズマ処理システムを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本考案の態様は、上部に配置された電極と搬送トレイとの間でプラズマが発生し、基板上に所望の膜が形成プラズマ処理装置において（イ）基板を載置した搬送トレイを加熱する主加熱部を有し、この主加熱部により基板を処理温度まで加熱し、基板にプラズマ処理をする処理室と、（ロ）複数の搬送トレイを順次処理室に搬送し、順次処理室から搬出させる搬送制御手段、プラズマ処理を停止した後、主加熱部の電源を制御して処理室内の温度を８０℃〜３５０℃のクリーニング温度まで冷却させる冷却制御手段、及び主加熱部に処理室内を処理温度に対応する稼働温度まで加熱させる加熱制御手段を有する制御装置とを備え、クリーニング温度において、搬送制御手段が、基板が載置されていない状態で複数の搬送トレイを処理室内に順次搬送し、処理室内にて温度低下により剥離したパーティクルを搬送トレイの上に落下，堆積させ、順次搬送トレイを処理室から搬出させ、別の場所，例えば基板移載ステーション部において搬送トレイ上に堆積したパーティクルを除去する工程を繰り返す。これにより処理室を大気開放することなく、処理室内部をクリーニングすることができる。加熱制御手段が、クリーニングを終了した後、主加熱部に処理室内をクリーニング温度から稼働温度まで加熱させるプラズマ処理システムであることを要旨とする。

本考案によれば、プラズマ処理をする処理室のクリーニングに要する時間を短縮するとともに、人手による手間を減らすことができ、且つ粉塵環境での作業による人体への悪影響を防止できるプラズマ処理システムを提供することができる。

本考案の実施の形態に係る通常の稼働時のプラズマ処理システムの模式図である。 本考案の実施の形態に係る制御装置のブロック図である。 本考案の実施の形態に係るクリーニングモード時のプラズマ処理システムの模式図である。 本考案の実施の形態に係るプラズマ処理システムの動作方法を説明するためのフローチャートである。 本考案のその他の実施の形態に係るプラズマ処理システムの模式図である。

次に、図面を参照して、本考案の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。又、以下に示す実施の形態は、本考案の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本考案の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本考案の技術的思想は、実用新案登録請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。

（プラズマ処理システム）
本考案の実施の形態に係るプラズマ処理システムは、図１に示すように、プラズマ処理装置１０、プラズマ処理装置１０を制御する制御装置１００、及びプラズマ処理装置１０を制御するのに必要なデータやプログラムを記憶した記憶装置１０１を備える。プラズマ処理装置１０は、基板１，２，３，…を載置した搬送トレイ３１，３２，３３，…を加熱する主加熱部１５を有し、この主加熱部１５により基板１，２，３，…を処理温度まで加熱し、基板１，２，３，…にプラズマ処理をする処理室１１と、処理室１１の入口側に連結され、複数の搬送トレイ３１，３２，３３，…を順次搬入し、基板１，２，３，…を加熱する予備加熱部１６を有するロードロック室１２と、処理室１１の出口側に連結され、複数の搬送トレイ３１，３２，３３，…を処理室１１から順次搬出させるアンロードロック室１３を備える。

ロードロック室１２の入口側はゲートバルブ２３で大気と遮断され、出口側はゲートバルブ２１で処理室１１と仕切られている。一方、アンロードロック室１３の入口側はゲートバルブ２２で処理室１１と仕切られ、出口側はゲートバルブ２４で大気と遮断されている。図示を省略するが、ロードロック室１２及びアンロードロック室１３には、ロードロック室１２及びアンロードロック室１３内を真空排気するための真空ポンプがそれぞれ接続されている。真空ポンプとしては、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ又はメカニカルポンプ等が使用可能である。ロードロック室１２内には、搬送トレイ３１，３２，３３，…を処理室１１に移動する前に処理温度若しくは処理温度に近い温度に予備加熱する予備加熱部１６が配置されている。予備加熱部１６としては、ランプヒータ等が使用可能である。

本考案の実施の形態に係るプラズマ処理装置１０としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂膜）、燐ガラス（ＰＳＧ）膜、硼素ガラス（ＢＳＧ）膜、硼素燐ガラス（ＢＰＳＧ）膜、シリコン窒化膜（Ｓｉ₃Ｎ₄膜）又はポリシリコン膜等を成膜するプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）装置等が使用可能である。

基板１，２，３，…は、半導体装置や太陽電池等を製造する場合にはシリコン（Ｓｉ）等の半導体基板等である。又、液晶表示装置を製造する場合にはガラス基板等が、光記録媒体を製造する場合にはポリカーボネイト等の樹脂基板等が、基板１，２，３，…として用いられても良い。勿論これらのガラス基板や樹脂基板の上には工程の進行に応じて種々の薄膜が形成されうる。

処理室１１は、基板１，２，３，…を順次連続的にプラズマ処理可能な真空チャンバ等であり、処理室１１の内部にプラズマ発生用の電極１４が配置されている。主加熱部１５が基板１，２，３，…を処理温度まで加熱することにより、処理室１１内の温度は、処理温度に対応する稼働温度に保持される。厳密には、処理室１１内の電極１４の温度と、処理室１１のチャンバー内壁の温度とは温度分布（温度差）が存在してもよく、電極１４の温度と処理室１１のチャンバー内壁の温度とがほぼ等しくてもよい。本明細書では、「処理室１１内の温度」とは、電極１４の温度を意味するものとする。即ち、「処理室１１の稼働温度」とは、プラズマ放電の直前の主加熱部１５の加熱による電極１４の温度を意味するものとする。主加熱部１５の加熱により、電極１４の温度は、処理温度に対応して稼働温度（例えば５８０℃程度）に達する。

主加熱部１５としては、ランプヒータ等が使用可能である。主加熱部１５の加熱方式にもよるが、稼働温度と処理温度とはほぼ等しくてもよく、処理温度よりも稼働温度の方が低温でも構わない。図示を省略するが、電極１４には、整合器を介してＲＦ電源が接続されている。又、図示を省略するが、処理室１１には、処理室１１内に成膜ガスやパージガス等の種々のガスを供給するガス供給部、及び処理室１１内の温度を検出する温度センサ等の成膜プロセスに必要な部材が備えられている。処理室１１においては、主加熱部１５により基板１，２，３，…を加熱して処理温度（例えば６３０℃程度）を保持し、ＲＦ電源による高周波電圧を電極１４に印加すると、グロー放電により電極１４と搬送トレイ３１，３２，３３，…の間にプラズマが発生する。電極１４の冷却方式にも依存するが、プラズマ放電中は、電極１４の温度は、プラズマ放電のエネルギーにより、放電直前の稼働温度より高温に達する場合がある。プラズマ反応により成膜ガス分子は分解され、基板１，２，３，…上に所望の膜が形成される。

搬送トレイ３１，３２，３３，…としては、カーボン等の熱伝導性の良好な材料が使用可能である。搬送トレイ３１，３２，３３，…の表面は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）等の被膜でコーティングされていても良い。図１では便宜上、搬送トレイ３１，３２，３３に１つの基板１，２，３がそれぞれ載置される場合が図示されているが、搬送トレイ３１，３２，３３，…の基板載置面のサイズは特に限定されず、載置する基板数も特に限定されない。基板載置面のサイズが１．５ｍ×１．５ｍ程度の場合、基板１，２，３，…として直径１５０ｍｍ程度のウェハが２５個程度、同時にそれぞれの搬送トレイ３１，３２，３３，…に載置可能となる。搬送トレイ３１，３２，３３，…は搬送装置（搬送ローラー）４１，４２，４３，４４，４５，４６によりロードロック室１２、処理室１１、アンロードロック室１３の順に搬送される。アンロードロック室１３から搬出された搬送トレイ３１，３２，３３，…は、図示を省略したトレイリターン機構により、ロードロック室１２側へ戻され、新たな基板が載置され、再度ロードロック室１２へ搬入されるように、ロードロック室１２、処理室１１、アンロードロック室１３内を循環させても良い。

制御装置１００は、例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）であり、成膜時及びクリーニング時等のプラズマ処理装置１０の動作を制御する。

制御装置１００は、図２に示すように、開始判定手段１０２、冷却制御手段１０３、搬送制御手段１０４、終了判定手段１０５、加熱制御手段１０６及び温度判定手段１０７をモジュールとして論理的に備える。

開始判定手段１０２は、成膜処理時において所定時間の経過、所定の処理量、又は基板１，２，３，…上のパーティクルの状態等に基づいてクリーニングモードを開始する必要があるか否かを判断し、クリーニングモードを開始すると判定された場合は、次回の成膜処理を停止する。

冷却制御手段１０３は、クリーニングモードにおいて、主加熱部１５の電源をオフにするか、又は主加熱部１５の電源を制御し、電極１４表面に付着した反応生成物の剥離が生じるクリーニング温度（例えば３００℃程度）まで温度を低下させる。クリーニング温度は、８０℃〜３５０℃の高温であることが望ましく、より望ましくは１００℃〜３５０℃の間、更に好ましくは２００℃〜３３０℃の間、例えば３００℃程度に設定して、このクリーニング温度を維持するようにすれば良い。クリーニング温度は一定である必要はなく、３００℃から８０℃まで徐々に低下させてその間にクリーニングを継続させても良い。しかし、クリーニング温度を８０℃以下に下げてしまうと、クリーニング終了後の昇温に時間がかかるので望ましくない。

搬送制御手段１０４は、ゲートバルブ２１，２２，２３，２４及び搬送装置４１，４２，４３，４４，４５，４６等を制御することにより、図３に示すように、基板１，２，３，…を載置していない搬送トレイ３１，３２，３３，…を、ロードロック室１２を介して処理室１１内に連続的に搬送する。搬送トレイ３１，３２，３３，…の搬送速度、搬送間隔等は適宜調整可能である。

終了判定手段１０５は、所定時間の経過、又は所定の搬送トレイ３１，３２，３３，…の搬送数、搬送トレイ３１，３２，３３，…上のパーティクル１７の状態等に基づいて、クリーニングモードを終了する時期か否かを判定して、クリーニングモードを終了する時期と判定された場合にはクリーニングモードを終了する。

加熱制御手段１０６は、クリーニングモードが終了した後、主加熱部１５を制御し、処理室１１内を稼働温度（例えば５８０℃程度）に達するまで加熱させる。

温度判定手段１０７は、クリーニングモードが終了した後、図示を省略した温度センサの検出した温度等に基づいて、主加熱部１５による加熱により、処理室１１内が成膜処理に必要な稼働温度（例えば５８０℃程度）に達したか判定する。

図１に示した記憶装置１０１としては、例えば半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク等が採用可能である。半導体メモリは、ＲＯＭ及びＲＡＭから構成される。ＲＯＭは、制御装置１００において実行されるプログラムを格納しているプログラム記憶装置等として機能させることが可能である（プログラムの詳細は後述する。）。ＲＡＭは、制御装置１００におけるプログラム実行処理中に利用されるデータ等を一時的に格納したり、作業領域として利用される一時的なデータメモリ等として機能させることも可能である。

（自動的なクリーニング方法）
次に、本考案の実施の形態に係るプラズマ処理システムの自動的なクリーニング方法を、図４のフローチャートを参照しながら説明する。

（イ）クリーニングモードに入る前に、ステップＳ１において、図１に示すように処理室１１において処理温度（例えば５５０℃程度）で成膜処理が行われているとする。プラズマ放電の開始の直前には、主加熱部１５の加熱により、電極１４の温度は、処理温度に対応して稼働温度（例えば５８０℃程度）に達しているものとする。この成膜の際に、電極１４表面に反応生成物１７が付着し、積層されていく。ステップＳ２において、開始判定手段１０２が、所定時間の経過、所定の処理量、又は基板１，２，３，…上のパーティクルの状態等に基づいてクリーニングモードの開始が必要か否かを判断する。クリーニングモードの開始が必要と判断された場合には、成膜処理を停止する。そして、ステップＳ３に進み、クリーニングモードに入る。

（ロ）ステップＳ３において、クリーニングモードでは、搬送制御手段１０４が、ゲートバルブ２１，２２，２３，２４を開けさせ、ロードロック室１２、処理室１１及びアンロードロック室１３を大気に開放する。冷却制御手段１０３が、主加熱部１５の電源をオフにするか、又は主加熱部１５の電源を制御し、電極１４表面に付着した反応生成物の剥離が生じるクリーニング温度（例えば３００℃程度）まで、稼働温度から電極１４の温度温度を低下させる。その間、搬送制御手段１０４が搬送装置４１，４２，４３，４４，４５，４６等を制御することにより、図３に示すように、基板１，２，３，…を載置していない搬送トレイ３１，３２，３３，…を、ロードロック室１２を介して処理室１１内に連続的に搬送する。搬送トレイ３１，３２，３３，…の搬送速度、搬送間隔は適宜調整可能である。処理室１１内の電極１４の温度が稼働温度（例えば５８０℃程度）から例えば３００℃程度まで下がると、温度低下により処理室１１内の電極１４の表面や内壁面に付着していた反応生成物１７が剥離し、パーティクルとして搬送トレイ３１，３２，３３，…上に落下する。パーティクル１７が堆積した搬送トレイ３１，３２，３３，…は、アンロードロック室１３を介して外部に順次搬出され、基板移載ステーション部等の別の場所において、クリーニング装置や人手により搬送トレイ３１，３２，３３，…上に堆積したパーティクルを除去する工程を繰り返す。これにより処理室を大気開放することなく、処理室１１内部をクリーニングすることができる。その後、搬送トレイ３１，３２，３３，…を、図示を省略したトレイリターン機構を介してロードロック室１２側に戻し、再びロードロック室１２、処理室１１、アンロードロック室１３内を循環させても良い。

（ハ）ステップＳ４において、終了判定手段１０５が、所定時間の経過、又は所定の搬送トレイ３１，３２，３３，…の搬送数、搬送トレイ３１，３２，３３，…上のパーティクル１７の状態等に基づいて、クリーニングの終了時期を判断する。クリーニングの終了時期と判断した場合には、クリーニングモードを終了する。ステップＳ５において、加熱制御手段１０６が、主加熱部１５を制御して、処理室１１内を稼働温度（例えば５８０℃程度）に達するまで加熱する。ステップＳ６において、温度判定手段１０７が、処理室１１内が、成膜処理に必要な稼働温度（例えば５８０℃程度）に達したか判定する。稼働温度（例えば５８０℃程度）に達したら、ステップＳ７に進み、成膜処理を再開する。

本考案の実施の形態によれば、８０℃以上のクリーニング温度において搬送トレイ３１，３２，３３，…を自動的に搬送し、パーティクル１７を搬送トレイ３１，３２，３３，…上に落下させて処理室１１外へ搬出するので、処理室１１内の温度を人が触れる温度まで低減する必要がなくなり、かつクリーニング温度から稼働温度まで昇温すれば良いので昇温時間も短縮できる。よって、クリーニング時間を短縮し、稼働の停止時間を約半分程度に短縮することができる。

更に、クリーニングモードにおいて搬送トレイ３１，３２，３３，…を自動的に搬送し、パーティクル１７を搬送トレイ３１，３２，３３，…上に落下させて処理室１１外へ搬出するので、チャンバ内の人手による作業が必要なくなり、手間を小さくできる。更に、粉塵環境での作業による人体への悪影響を防止することができる。

更に、一定のヒートマスを有する、冷えた搬送トレイ３１，３２，３３，…を処理室１１内へ順次連続的に搬送することで、処理室１１内の冷却効果があり、ヒートダウンに要する時間をより短縮することができる。

なお、図４に示した一連の手順は、図４と等価なアルゴリズムのプログラムにより、図１に示した制御装置１００を制御して自動的に実行できる。このプログラムは、例えば記憶装置１０１等の記憶装置に記憶させればよい。又、このプログラムは、コンピュータ読取り可能な記録媒体に保存し、この記録媒体を記憶装置１０１等に読み込ませることにより、本考案の実施の形態の一連の手順を実行することができる。ここで、「コンピュータ読取り可能な記録媒体」とは、例えばコンピュータのメモリ、磁気ディスク、光ディスク等のプログラムを記録することができるような媒体等を意味する。具体的には、メモリカード、ＣＤ−ＲＯＭ，ＭＯディスク等が「コンピュータ読取り可能な記録媒体」に含まれる。

（その他の実施の形態）
上記のように、本考案は上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本考案を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、本考案の実施形態及び運用技術が明らかとなろう。

例えば、クリーニングモードでは、複数の搬送トレイ３１，３２，３３，…を連続的に処理室１１内に搬送するのではなく、１つの搬送トレイ（例えば搬送トレイ３１）を処理室１１内に所定時間留め、パーティクル１７をすべてその１つの搬送トレイ３１上に落下させてから搬出しても良い。例えば、終了判定手段１０５は、所定時間が経過したときにクリーニングモードを終了する時期と判定する。クリーニングモードを終了する時期と判定された場合に、搬送制御手段１０４は、搬送トレイ３１を処理室１１から搬出させる。１つの搬送トレイ３１を用いる場合では、複数の搬送トレイ３１，３２，３３，…を処理室１１内に連続的に搬送する場合と比較して、チャンバ内のその他の部分を汚しにくい。

なお、図１及び図３において３つの搬送トレイ３１，３２，３３を示したが、成膜処理時及びクリーニング時に処理室１１内に搬送される搬送トレイの数は特に限定されない。

又、クリーニングモードでは、成膜処理時に使用する搬送トレイ３１，３２，３３，…とは異なる搬送トレイを使用しても良い。

又、上記の実施形態では、太陽電池の反射防止膜の形成、薄膜太陽電池の薄膜形成、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）薄膜形成、半導体薄膜形成等の基板１，２，３，…の表面にプラズマＣＶＤにより成膜を行うプラズマ処理システムについて例示したが、本考案のプラズマ処理システムは、プラズマＣＶＤ等を行うプラズマ成膜装置に限定されるものではない。例えば、基板１，２，３，…の表面に選択的な溝を形成したり、基板１，２，３，…の表面から薄膜を除去したりするプラズマエッチング等においても、電極１４の表面には、中間生物や反応生成物が堆積し、堆積物は、やがて剥離するので、本考案のプラズマ処理システムは適用可能である。

又、上記の実施の形態では、ロードロック室１２及びアンロードロック室１３を別々に設けたが、ロードロック室１２及びアンロードロック室１３の機能を兼ねるロードロック・アンロードロック室を設けても良い。本考案のその他の実施の形態に係るプラズマ処理システムは、図５に示すように、処理室１１と、処理室１１に連結したロードロック・アンロードロック室５０と、ロードロック・アンロードロック室５０に連結した基板移載ステーション６０を備える。基板移載ステーション６０では、基板着脱ユニット６５により基板１，２，３，…が搬送トレイ３１，３２，３３，…に載置される。基板１，２，３，…が載置された搬送トレイ３１，３２，３３，…は、搬送装置４３，４４，５１，５２，５３，５４，６１，６２，６３，６４により、基板移載ステーション６０、ロードロック・アンロードロック室５０及び処理室１１内を循環的に搬送される。処理室１１において処理済みの基板１，２，３，…は、基板移載ステーション６０において基板着脱ユニット６５により搬送トレイ３１，３２，３３，…から取り外される。このようにロードロック・アンロードロック室５０を設けた場合でも、図１に示したロードロック室１２及びアンロードロック室１３を別々に設けた場合と同様に自動的なクリーニングを行うことができる。

基板１，２，３，…を載置した搬送トレイ３１，３２，３３，…を加熱する主加熱部１５を有し、この主加熱部１５により基板１，２，３，…を処理温度まで加熱し、基板１，２，３，…にプラズマ処理をする処理室１１と、処理室１１の入口側に連結され、複数の搬送トレイ３１，３２，３３，…を順次搬入し、基板１，２，３，…を加熱する予備加熱部１６を有するロードロック室１２と、処理室１１の出口側に連結され、複数の搬送トレイ３１，３２，３３，…を処理室１１から順次搬出させるアンロードロック室１３を備える。

このように、本考案はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本考案の技術的範囲は上記の説明から妥当な実用新案登録請求の範囲に係る考案特定事項によってのみ定められるものである。

１，２，３…基板
１０…プラズマ処理装置
１１…処理室
１２…ロードロック室
１３…アンロードロック室
１４…電極
１５…主加熱部
１６…予備加熱部
１７…反応生成物（パーティクル）
２１，２２，２３，２４…ゲートバルブ
３１，３２，３３…搬送トレイ
４１，４２，４３，４４，４５，４６，５１，５２，５３，５４，６１，６２，６３，６４…搬送装置
５０…ロードロック・アンロードロック室
６０…基板移載ステーション
６５…基板着脱ユニット
１００…制御装置
１０１…記憶装置
１０２…開始判定手段
１０３…冷却制御手段
１０４…搬送制御手段
１０５…終了判定手段
１０６…加熱制御手段
１０７…温度判定手段

Claims (7)

1. 基板を載置した搬送トレイを加熱する主加熱部を有し、該主加熱部により前記基板を処理温度まで加熱し、前記基板にプラズマ処理をする処理室と、
   複数の搬送トレイを順次前記処理室に搬送し、順次前記処理室から搬出させる搬送制御手段、前記プラズマ処理を停止した後、前記主加熱部の電源を制御して前記処理室内の温度を８０℃〜３５０℃のクリーニング温度まで冷却させる冷却制御手段、及び前記主加熱部に前記処理室内を前記処理温度に対応する稼働温度まで加熱させる加熱制御手段を有する制御装置とを備え、
   前記クリーニング温度において、前記搬送制御手段が、前記基板が載置されていない状態で前記複数の搬送トレイを前記処理室内に順次搬送し、前記処理室内において落下したパーティクルを堆積させた前記複数の搬送トレイを順次前記処理室から搬出させ、チャンバ外部でパーティクルを順次除去するクリーニング作業を実施した後、前記主加熱部に前記処理室内を前記クリーニング温度から前記稼働温度まで加熱させることを特徴とするプラズマ処理システム。
2. 前記処理室の入口側に連結され、前記複数の搬送トレイを順次搬入し、前記基板を加熱する予備加熱部を有するロードロック室と、
   前記処理室の出口側に連結され、前記複数の搬送トレイを前記処理室から順次搬出するアンロードロック室
   とを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
3. 前記処理室に連結され、前記複数の搬送トレイを順次搬入・搬出し、前記基板を加熱する予備加熱部を有するロードロック・アンロードロック室を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理システム。
4. 基板を載置した搬送トレイを加熱する主加熱部を有し、該主加熱部により前記基板を処理温度まで加熱し、前記基板にプラズマ処理をする処理室と、
   搬送トレイを前記処理室に搬送し、前記処理室から搬出させる搬送制御手段、前記プラズマ処理を停止した後、前記主加熱部の電源を制御して前記処理室内の温度を８０℃〜３５０℃のクリーニング温度まで冷却させる冷却制御手段、及び前記主加熱部に前記処理室内を前記処理温度に対応する稼働温度まで加熱させる加熱制御手段を有する制御装置とを備え、
   前記クリーニング温度において、前記搬送制御手段が、前記基板が載置されていない状態で前記搬送トレイを前記処理室内に搬送し、前記処理室内において落下したパーティクルを堆積させた前記の搬送トレイを前記処理室から搬出させ、チャンバ外部でパーティクルを除去するクリーニング作業を実施した後、前記主加熱部に前記処理室内を前記クリーニング温度から前記稼働温度まで加熱させることを特徴とするプラズマ処理システム。
5. 前記処理室の入口側に連結し、前記搬送トレイを搬入し、前記基板を加熱する予備加熱部を有するロードロック室と、
   前記処理室の出口側に連結され、前記搬送トレイを前記処理室から搬出するアンロードロック室
   とを更に備えることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理システム。
6. 前記処理室に連結され、前記複数の搬送トレイを順次搬入・搬出し、前記基板を加熱する予備加熱部を有するロードロック・アンロードロック室を更に備えることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理システム。
7. 前記クリーニング温度が１００℃〜３５０℃の間の温度であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のプラズマ処理システム。

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