JP2022174190A5 - - Google Patents
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- 第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数）のデータラインを有する表示デバイスを駆動する表示ドライバであって、
映像信号に基づく輝度レベルを画素毎に表す第１～第Ｎの画素データ片を受け、前記第１～第Ｎの画素データ片をクロック信号のエッジのタイミングで出力するデータ取込部と、
前記データ取込部から出力された前記第１～第Ｎの画素データ片を第１～第Ｎの階調電圧に変換する階調電圧生成部と、
前記第１～第Ｎの階調電圧を増幅して得た第１～第Ｎの駆動電圧を前記第１～第Ｎのデータラインに供給する第１～第Ｎのアンプと、
前記第１～第Ｎのアンプ各々の動作電流の電流値を設定するバイアス電圧を生成して前記第１～第Ｎのアンプに供給するバイアス電圧生成部と、を含み、
前記バイアス電圧生成部は、
前記動作電流の電流値を第１の電流値に設定する前記バイアス電圧の電圧値として第１の電圧値を表す第１の情報と、前記動作電流の電流値を前記第１の電流値よりも低い第２の電流値に設定する前記バイアス電圧の電圧値として第２の電圧値を表す第２の情報と、を記憶するレジスタを含み、
前記クロック信号の前記エッジの時点から第１の期間の経過時点までの間は、前記第１の情報で表される前記第１の電圧値を有する前記バイアス電圧を生成し、前記第１の期間の経過時点で前記バイアス電圧の電圧値を前記第２の情報で表される前記第２の電圧値に切り替えることを特徴とする表示ドライバ。 - 前記第１の期間は、前記階調電圧における最低輝度を表す電圧値から最高輝度を表す電圧値への遷移に応答して前記アンプから出力される前記駆動電圧の電圧値が前記最低輝度に対応した電圧値から前記最高輝度に対応した電圧値に遷移するまでに掛かる時間に対応した期間長を有することを特徴とする請求項１に記載の表示ドライバ。
- 前記レジスタには、前記第１の期間を表す情報が記憶されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示ドライバ。
- 前記バイアス電圧生成部は、
基準電流を生成する電流源と、
前記基準電流に基づいて基準バイアス電圧を生成し、前記基準バイアス電圧に前記第１の情報に基づく調整を施すことにより前記第１の電圧値を得ると共に、前記基準バイアス電圧に前記第２の情報に基づく調整を施すことにより前記第２の電圧値を得る電圧調整部と、を含むことを特徴とする請求項１～３のいずれか１に記載の表示ドライバ。 - 前記アンプは、
入力される前記階調電圧と出力される出力電圧との電圧比で第１の動作電流を２分割した第１の電流及び第２の電流を生成する差動段と、
前記第１の電流及び前記第２の電流の差に対応した第２の動作電流を、駆動ノードに供給又は前記駆動ノードから引き抜くことにより前記駆動ノードに出力駆動電圧を生成するカレントミラー段と、
前記出力駆動電圧に対応した出力電流を、出力ノードに供給又は前記出力ノードから引き抜くことにより前記出力ノードに前記出力電圧を生成する出力段と、
前記バイアス電圧に応じて前記第１及び第２の動作電流の電流値を調整するバイアス調整部と、を含むことを特徴とする請求項１～４のいずれか１に記載の表示ドライバ。 - 前記表示デバイスにおいて前記第１～第Ｎのデータラインに交叉して配置されている第１～第Ｍの水平走査ライン（Ｍは２以上の整数）に順に水平走査パルスを印加して、前記第１～第Ｍの水平走査ラインの各々を順に駆動する走査ドライバを含み、
前記第１～第Ｍの水平走査ラインのうちで前記第１～第Ｎのアンプから遠い位置に配置されている前記水平走査ラインの駆動時に前記バイアス電圧生成部が用いる前記第１の期間の長さが、前記第１～第Ｎのアンプから近い位置に配置されている前記水平走査ラインの駆動時に前記バイアス電圧生成部が用いる前記第１の期間の長さよりも長いことを特徴とする請求項１～４のいずれか１に記載の表示ドライバ。 - 前記第１～第Ｎの駆動電圧のうちで電圧値の遷移幅が最も大きい駆動電圧の電圧値が所定の参照電圧値を超えた時点を前記第１の期間の経過時点として設定する切換判定部を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示ドライバ。
- 前記第１～第Ｎの駆動電圧のうちで電圧値の遷移幅が最も大きい駆動電圧の電圧値と、前記遷移幅が最も大きい駆動電圧に対応した前記階調電圧との電圧値が等しくなった時点を前記第１の期間の経過時点として設定する切換判定部を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示ドライバ。
- 前記第１～第Ｎのアンプは、夫々が複数の前記アンプからなる第１～第Ｋ（Ｋは２以上の整数）のアンプ群に群分けされており、
前記バイアス電圧生成は、前記第１～第Ｋのアンプ群に夫々対応して設けられている第１～第Ｋのサブバイアス回路を含み、
前記第１～第Ｋのサブバイアス回路の各々は、前記第１の情報及び前記第２の情報を示すバイアス電圧制御信号を個別に受け、前記バイアス電圧制御信号によって示される前記第１の情報又は前記第２の情報に基づいて生成した前記バイアス電圧を、前記第１～第Ｋのアンプ群のうちの対応するアンプ群に供給することを特徴とする請求項１～８のいずれか１に記載の表示ドライバ。 - 前記第１～第Ｋのサブバイアス回路の各々は、所定の一定電流を有する基準電流を受け、前記基準電流に基づき、前記バイアス電圧制御信号の前記第１の情報又は前記第２の情報に応じた電圧値を有する前記バイアス電圧を生成することを特徴とする請求項９に記載の表示ドライバ。
- 第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数）のデータラインを有する表示デバイスを駆動する表示ドライバを含む半導体装置であって、
映像信号に基づく輝度レベルを画素毎に表す第１～第Ｎの画素データ片を受け、前記第１～第Ｎの画素データ片をクロック信号のエッジのタイミングで出力するデータ取込部と、
前記データ取込部から出力された前記第１～第Ｎの画素データ片を第１～第Ｎの階調電圧に変換する階調電圧生成部と、
前記第１～第Ｎの階調電圧を増幅して得た第１～第Ｎの駆動電圧を前記第１～第Ｎのデータラインに供給する第１～第Ｎのアンプと、
前記第１～第Ｎのアンプ各々の動作電流の電流値を設定するバイアス電圧を生成して前記第１～第Ｎのアンプに供給するバイアス電圧生成部と、を含み、
前記バイアス電圧生成部は、
前記動作電流の電流値を第１の電流値に設定する前記バイアス電圧の電圧値として第１の電圧値を表す第１の情報と、前記動作電流の電流値を前記第１の電流値よりも低い第２の電流値に設定する前記バイアス電圧の電圧値として第２の電圧値を表す第２の情報と、を記憶するレジスタを含み、
前記クロック信号の前記エッジの時点から第１の期間の経過時点までの間は、前記第１の情報で表される前記第１の電圧値を有する前記バイアス電圧を生成し、前記第１の期間の経過時点で前記バイアス電圧の電圧値を前記第２の情報で表される前記第２の電圧値に切り替えることを特徴とする半導体装置。
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