JPH02235092A - 容量性負荷駆動回路，それを用いる液晶表示装置用ドライバ，該ドライバを用いる液晶表示装置，及び容量性負荷駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、特に低消費電力で応答が速く、容量性負荷の
漏れ抵抗（リーク抵抗）に対し安定な容量性負荷駆動回
路，それを用いる液晶表示装置用ドライバ，該ドライバ
を用いる液晶表示装置，及び容量性負荷駆動方法に関す
るものである。

〔従来の技術〕

従来において、ＴＰＴ　（薄膜トランジスタ）液晶パネ
ルの列信号電極の様な容量性負荷を駆動する回路として
は、特開昭６０−５９３８９号公報の第２図に記載され
ている回路が知られている。

この回路は、ドレイン端子を電源に接続したＭＯＳＦＥ
Ｔのソース端子に抵抗と容量性負荷とを並列に接続し、
そのゲート端子に入力信号を入力するものであった． また、前記公報の第３図及び第４図には、低消費電力化
した回路が記載されている． この回路は、ドレイン端子を電源に接続したＭＯＳＦＥ
Ｔのソース端子に電気的スイッチと容量性負荷とを並列
に接続し、そのゲート端子に入力信号を入力するもので
あった． 〔発明が解決しようとする課題〕 前記公報の第２図に記載されている回路では、常時、抵
抗を介してバイアス電流が流れているため、容量性負荷
の漏れ抵抗に対して安定である（即ち、漏れ抵抗によっ
て流れる漏れ電流を補償することができる）が、消費電
力が大きくなると言う問題があった。

また、前記公報の第３図及び第４図に記載されている回
路では、消費電力は小さくなるが、容量性負荷の漏れ抵
抗に対する安定性に問題があった。

本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解決し、
低消費電力で、且つ容量性負荷の漏れ抵抗に対して安定
な容量性負荷駆動回路及び容量性負荷駆動方法を提供す
ることにある． また、本発明の他の目的は、前記容量性負荷駆動回路を
用いた液晶表示装置用ドライバ　３ｇドライバを用いる
液晶表示装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記した第１の目的を達成するために、本発明では、例
えば、トランジスタのソース端子に第１の電流源を接続
し、該トランジスタのドレイン端子に電圧源を接続して
成り、該トランジスタのゲート端子に入力信号を入力し
、該トランンスタのソース端子より出力される出力信号
によって容量性負荷を駆動するソースホロワ回路を構成
する容量性負荷駆動回路において、前記トランジスタの
ソース端子に前記第１の電流源と並列に接続される第２
の電流源と、該第２の電流源による電流を流したり止め
たりするスイッチ手段と、前記入力信号の立下り（また
は立上り）時の一定期間のみ、前記第２の電流源による
電流を流すよう前記スイッチ手段の動作を制御する制御
手段と、を設けるユうにした。

〔作用〕

本発明では、前記制御手段によって、前記入力信号の立
下り（または立上り）時の一定期間のみ、前記第２の電
流源による電流を流すよう前記スイッチ手段の動作を制
御しているので、前記容量性負荷の持つ容！（即ち、負
荷容量）を放電するときのみ、前記第１及び第２の電流
源を介して大きなバイアス電流が流れる。それ以外の期
間９、前記負荷容量を充電するとき、及び入力信号に変
化が無いときは、例えば、前記第２の電流源による電流
を止め、前記第１の電流源のみを介して小さなバイアス
電流を流すようにする。

その結果、前記負荷容量を充電するとき、及び信号電圧
に変化が無いときは大きなバイアス電流が流れず、負荷
容量を放電するときのみ大きなバイアス電流が流れるた
め、低消費電力で応答が速い． また、入力信号に変化が無いときでも小さなバイアス電
流がながれるため、容量性負荷の持つ漏れ抵抗（リーク
抵抗）によって流れる漏れ電流（リーク電流）を補償す
ることができ、漏れ抵抗に対して安定性が保たれる。

〔実施例〕

第１図は本発明の第１の実施例としての容量性負荷駆動
回路を示す構成図であり、該駆動回路は、ＴＰＴ　（薄
膜トランジスタ）液晶パネル用水平ドライバの出力段回
路として用いられるものである。

第１図において、１，２．３はＮ　Ｍ　Ｏ　Ｓ−　Ｆ　
Ｅ　Ｔ、４，５は電圧源、６，９はデータセレクタ、１
０は制御回路、を各々示している。また、８はＴＰＴ液
晶パネル（図示せず）の或る列信号電極のパネル内や接
続部における容量性負荷の容量（以下、負荷容量と言う
）を、７は同じく容量性負荷のリーク分を等価的に表わ
した漏れ抵抗（リーク抵抗）を各々示している。

尚、リーク抵抗７はこの図では電圧源ＶＣＣと出力端と
の間に挿入されているが、必ずしもＶＣＣとの間とは限
らない。例えば、出力端と電圧源■■との間にある場合
はソースホロワのバイアス電流が増えるだけで、出力電
圧は変化しないため問題はない。しかし、ＶＣＣとの間
にある場合は、ソースホロワを構成するＮＭＯＳＦＥＴ
ＩをＯＦＦ状態にさせ、出力電圧そのものが変化する恐
れがある。そこで、第１図の回路では、ＶＣＣとの間に
リーク抵抗７がある場合を想定している。

第２図は第１図の各部信号波形を示す波形回である。

第２図において、ｖ＋，ｖ−はそれぞれ正極性，負極性
の映像信号であり、ある一定電圧■。に対して上下対称
で、かつｖ＋＞ｖ−となっている。

ＡＬはデータセレクタ９の制御信号であり、データセレ
クタ９はＡＬの論理レベルがハイ（゛Ｈｉｇｈ”）レベ
ルのときｖ＋ｔ−、口−（“Ｌｏｗ″゛）レベルのとき
Ｖ−をそれぞれ選択する。■、はデータセレクタ９の出
力電圧（以下、信号電圧と言う）で、信号の極性が１水
平走査周期毎に反転している。ＯＥはデータセレクタ６
の制御信号であり、データセレクタ６はＯＥの論理レベ
ルが”Ｈｉｇｈ″”レベルのとき電圧源４を、“Ｌｏｗ
’”のときＶＢＢをそれぞれ選択する。１２．１３はそ
れぞれＮＭＯＳＦＥＴ２．３を流れる電流である。ｖ０
は負荷容量８を駆動する出力電圧である。

以下、第２図を用いて第１図の実施例を説明する。

まず最初に、通常、ＴＰＴ液晶パネルの駆動は、１行単
位で画素の書込みを行う線順次方式を採る。

一方、映像信号は、■画素分ずつ時系列的に入力される
ため、水平ドライバとしては、それらの時系列的に入力
される映像信号を一旦サンプル・ホールドして１行分ず
つまとめて出力する機能が要求される。従って、水平ド
ライバの出力段回路に入力される映像信号ｖ＋，ｖ−は
、既に、その前段の回路においてサンプル・ホールドさ
れているので、１水平走査期間内は同一信号電圧となっ
ている。

また、ＴＰＴ液晶パネルは、交流信号で駆動する必要が
あり、ｌ画素に着目すれば、１フィールド毎に極性の異
なる信号で駆動しなければならない．しかし、１フィー
ルド毎に、全画素を同一極性の信号で駆動すると面フリ
゜ツカを生じる恐れがあり、面フリッカを防止するため
に１行毎に駆動する信号の極性を変えるライン毎極性反
転駆動という方式を採ることがある。この場合、ＴＰＴ
液晶パネルの列信号電極に加える信号は、１水平走査周
期毎に極性を反転する必要があり、制御回路ｌＯで発生
した制御信号ＡＬによりデータセレクタ９でＶ＋と■−
を切り換えて、信号電圧Ｖ．としてＮＭＯＳＦＥＴＩの
ゲート端子に入力している。

ＮＭＯＳＦＥＴ３と電圧源５、及びＮＭＯＳＦＥＴ２と
電圧源４は、それぞれ第１，第２の電流源を構成し、さ
らにＮＭＯＳＦＥＴＩと合わせてソースホロワを構成し
ている。このうち、ＮＭＯＳＦＥ７２と電圧源４から成
る第２の電流源は、データセレクタ６により、電流を流
したり止めたりすることが可能となっている。尚、デー
タセレクタ６は制御回路１０で発生した制御信号ＯＥに
よって制御されている。

ライン毎極性反転駆動の場合は、ｌ水平走査周期毎の信
号電圧Ｖ．の変化量が大きいため、短時間で負荷容量８
の放電を完了するには、第１．第２の電流源を両方動作
させ、大きな放電電流（バイアス電流）を流す必要があ
る．このときのバイアス電流の大きさ（Ｉｇ＋Ｉｓ）は
、負荷容１Ｂの大きさをＣ、信号電圧Ｖｉの変化量をＡ
Ｖ、大きなバイアス電流を流す時間をｔ，とすると、１
，＋Ｉ，＞７ｊｖ−Ｃ／ｔ＋ を満足しなければならない。

一方、負荷容Ｉ８を充電するときは、ＮＭＯ　ＳＦＥＴ
を使用したソースホロワ構成であるため、ＮＭＯＳＦＥ
ＴＩから、最大でその飽和電流までの大きな電流が供給
され、充電は急速に完了する．従って、上記第１．第２
の電流源によりバイアス電流を流す必要はない。

また、出力電圧ｖ０が駆動すべき電圧値に達した後は、
負荷容量８により電圧値が保持されるため、大きなバイ
アス電流は必要ないが、例えば、正電位側にリークする
リーク抵抗（即ち、出力端とＶＣＣとの間にあるリーク
抵抗）７によって負荷容量８が緩やかに充電されるため
、リーク抵抗７による漏れ電流分（リーク電流分）を放
電しなければ、ＮＭＯＳＦＥＴＩがＯＦＦ状態となり、
出力電圧ｖ０が変動（即ち、増加）してしまう．そこで
、リーク電流の最大値と思われるわずかなバイアス電流
Ｉ，を上記第１の電流源を通して流しておく必要がある
。尚、第１の電流源を通して流すバイアス電流■，がリ
ーク電流よりも大きくても、大きい分だけＮＭＯＳＦＥ
ＴＩから供給されるため、多少消費電力が大きくなるが
、出力電圧ｖ０は変化しない。

従って、第２図に示すように、信号電圧Ｖｉが正極性か
ら負極性に変化するときに、制御信号ＯＥに一定幅のパ
ルスを立てて、上記第１．第２の電流源により大きなバ
イアス電流を流し、他の期間は、上記第２の電流源によ
る小さな電流Ｉ，だけを流して、容量負荷８のリーク抵
抗７に対する安定性と、高速応答及び低消費電力とを両
立させている。

尚、上記駆動方法において、信号電圧Ｖｉが立上るとき
、つまり負荷容量８が充電されるときには先にも述べた
ようにＮＭＯＳＦＥＴＩがら大きな充電電流が負荷容量
８に流れ込む。従って、例えば、負荷容量８とソースホ
ロワとの間に、インダクタンスが存在するような場合に
は、回路が振動的になり、オーバーシュートやリンギン
グを生じて出力電圧ｖ０が安定するまでに時間がかかっ
たりする可能性がある。そこで、第２図中に破線で示し
たように、負荷を充電する信号立上り時にもわずかな期
間、制御信号ＯＢを“Ｈｉｇｈ”レベルにして大きなバ
イアス電流を流せば、多少消費電力は増えるが、出力電
圧ｖ０を速やかに安定させる効果がある。

第３図は第１図の制御回路の一構成例を示すブロック図
であり、第４図は第３図の各部信号波形を示す波形図で
ある。

第３図において、３００は位相比較器、３１０はロー・
パス・フィルタ（ＬＰＦ）　、３　２　０は！圧制御発
振器（ＶＣＯ）、３３０は分周器、３４０はＴフリップ
・フロップ、３５０はカウンタである。又、Ｈ　ｓｙｎ
ｃは水平同期信号、ＤＣＫは電圧制御発振器３２０の出
力信号、ＨＳは分周器３３０の出力信号で、ＡＬ，ＯＥ
は第１図で用いた制御信号である。

以下、第３図の動作を第４図を用いて説明する。

位相比較器３００とロー・パス・フィルタ３ｌＯ．電圧
制御発振器３２０，分周器３３０はＰＬＬ　（　Ｐ　ｈ
ａｓｅ　　Ｌ　ｏｃｋｅｄ　　Ｌ　ｏｏｐ）回路を構成
し、ＴＰＴ液晶パネル（図示せず）に表示する映像信号
の水平同期信号Ｈ　ｓｙｎｃに対して、周波数，位相共
に揃った信号ＨＳと、ＨＳに対して分周器３３０の分周
比倍の周波数を持ったクロックＤＣＫと、を発生する。

このＨＳをＴフリップ・フロップ３４０に入力すれば、
ＨＳの立上りエッジ毎に論理が反転する信号、つまり１
水平走査周期毎に論理が反転する信号ＡＬができる． 又、カウンタ３５０にはＡＬ，ＤＣＫの２つの信号が入
力されており、ＡＬが“Ｈｉｇｈ″レベルのときリセッ
ト状態で、ＡＬが″Ｌｏｗ″レベルに変わるとクロック
ＤＣＫでカウントを開始し、出力信号であるＯＥを“Ｈ
ｉｇｈ”レベルにする。そして、一定数をカウントした
後、ＯＥを“Ｌｏｗレベルにしてカウントを停止する。

これらの動作により、第４図の信号波形が得られる。

第５図は本発明の第２の実施例としての容量性負荷駆動
回路を示す構成図であり、第６図は第５図の各部信号波
形を示す波形図である。

第５図において、６２はデータセレクタ、ＯＥ１．ＯＥ
２はデータセレクタ６２の選択を制御する制御信号であ
る。

本実施例における基本的な機能は、前述した第１の実施
例と同一である。主な差異は、第１の実施例において用
いられていた小さなバイアス電流を流す第２の電流源が
、本実施例にはなく、第１の電流源で、その両方の機能
を担っている点である。

制御回路ｌＯからは、データセレクタ６２を制御する２
つの制御信号ＯＥＩ，ＯＥ２が出力され、データセレク
タ６２は、ＯＥＩ，ＯＥ２の論理レベルの組合せによっ
て、ＮＭＯＳＦＥＴ２のゲート端子に印加する電圧を電
圧Ｂ４　１，　　５　１，　Ｖａｓから選択し、バイア
ス電流Ｉを調整している。即ち、ＯＥＩ，ＯＥ２が共に
゛Ｉ　ｔ，　ｏ，　Ｉ１レベルのとき、データセレクタ
６２は電圧源■。を選択し、ＮＭＯ　Ｓ　Ｆ　Ｅ　Ｔ　
２　ニは電流が流れず、ＯＥＩが゛’ＨｉｇｈＩ１レベ
ル，ＯＥ２が“Ｌｏｗ”レベルのとキ、データセレクタ
６２は電圧源５１を選択し、ＮＭＯＳＦＥＴ２には小さ
なバイアス電流が流れ、さらにＯＥＩが“Ｌｏｗ”レベ
ル，ＯＥ２が゜ｌ　Ｈ　ｉｇｈ　ＩＴレベルのとき、デ
ータセレクタ６２は電圧源４１を選択し、ＮＭＯＳＦＥ
Ｔ２には大きなバイアス電流が流れる。

本実施例では、第１の実施例とは異なり、信号電圧Ｖｉ
の立上り時には、全くバイアス電流を流さず、低消費電
力化を図っている。しかしながら、バイアス電流が全く
流れない期間は必ずしも必要ではない。尚、その他の動
作及び効果等は第１の実施例と同じである。

第７図は本発明の第３の実施例としての容量性負荷駆動
回路を示す構成図であり、第８図は第７図の各部信号波
形を示す波形図である。

本実施例も、基本的には第１図の実施例と同じであるが
、ソースホロワを構成するＮＭＯＳＦＥＴｌのドレイン
端子と電圧源ＶＣＣとの間にアナログスイッチ１４０を
設けたこと、及び大きなバイアス電流を流す第１の電流
源を構成するＮＭＯ　ＳＦＥＴ２のソース端子に電圧源
２００を接続したことが異なる。

以下、本実施例の動作について説明する。

信号電圧Ｖ，が立上るとき、及び負荷容量８が出力電圧
ｖ０を保持するときの動作は、前述した第１の実施例と
全く同じである。しかし、信号電圧Ｖｉが立下るときの
動作が第１の実施例と異なる。

即ち、まず、信号電圧ｖ１が立下り、負荷容量８を放電
するときには、ＮＭＯＳＦＥＴＩをアナログスイッチ１
４０を使ってＯＦＦ状態にすると共に、ＮＭＯＳＦＥＴ
２をデータセレクタ６でＯＮ状態にして、負荷容量８を
充分放電させ、出力電圧Ｖ．をＮＭＯＳＦＥＴ２のソー
ス端子の電位と同一にする．尚、ＮＭＯＳＦＥＴ２のソ
ース端子の電位は電圧源２００の電圧をＶ２。。とする
と、ｖ　ｚｏｏ±Ｖｌｍとなる。その後、ＮＭＯＳＦＥ
Ｔ２をデータセレクタ６でＯＦＦ状態に、又、ＮＭＯＳ
ＦＥＴＩをアナログスイッチ１４０を使ってＯＮ状態と
し、ＮＭＯＳＦＥＴｌを通って流れる充電電流で再び負
荷容量８を充電する。

ここで、第１の実施例の動作と比較してみると、第１の
実施例では、まず、信号電圧Ｖ，が立下るとき、ＮＭＯ
ＳＦＥＴ２はデータセレクタ６によりＯＮ状態となると
共に、ＮＭＯＳＦＥＴＩがＯＦＦ状態となってＮＭＯＳ
ＦＥＴ２を介して大きなバイアス電流にて負荷容量８の
放電が行われる。

そして、出力電圧ｖ０が十分下がると、ＮＭＯ　ＳＦＥ
Ｔ２がＯＮ状態のままＮＭＯＳＦＥＴＩがＯＮ状態とな
ってソースホロワとして動作するため、ＮＭＯＳＦＥＴ
Ｉ，ＮＭＯＳＦＥＴ２を介して大きなバイアス電流が流
れ、ＮＭＯＳＦＥＴ２がデータセレクタ６によりＯＦＦ
状態となるまで流れ続ける． この様なＮＭＯＳＦＥＴＩがＯＮ状態となってからＮＭ
ＯＳＦＥＴ２がＯＦＦ状態となるまで流れ続ける大きな
バイアス電流は非常に無駄な電流であり、この様な無駄
な電流は可能な限り流さないようにする必要がある。そ
のためには、ＮＭＯＳＦＥＴＩがＯＮ状態となってから
ＮＭＯ　Ｓ　Ｆ　ＥＴ２がＯＦＦ状態となるまでの時間
が短くなるようにＮＭＯＳＦＥＴ２を介して流れる大き
なバイアス電流の量をなるべく小さめに調整すれば良い
。

しかしながら、この大きなバイアス電流の量は、電圧源
４の電圧値で調整を行うため、例えば、第１図の様な容
量性負荷駆動回路を複数個並べて水平ドライバとして用
いる場合、そのバイアス電流の量は各回路間でばらつき
を生じてしまう。そのため、そのばらつき分を見込んで
そのバイアス電流の量は大きめに設定する必要があった
。

従って、第１の実施例の場合、ＮＭＯＳＦＥＴ１がＯＮ
状態となってからＮＭＯＳＦＥＴ２がＯＦＦ状態となる
までの時間が長くなり、しかも、無駄に流れるバイアス
電流の量も大きいため、従来に比べ低消費電力ではある
ものの充分ではなかった。

そこで、本実施例では、前述したように、アナログスイ
ッチ１４０によってＮＭＯＳＦＥＴＩをＯＦＦ状態ニＩ
，　７’．：　マま、ＮＭＯＳＦＥＴ２を介して大きな
バイアス電流にて、出力電圧ｖ０が一定の電圧値ｖ２。

。＋Ｖｌｍとなるまで、負荷容量８を充分放電させて上
記ばらつき分を吸収した後、データセレクタ６によって
ＮＭＯＳＦＥＴ２をＯＦＦ状態にして、アナログスイッ
チ１４０によってＮＭＯＳＦＥＴＩをＯＮ状態にして、
負荷容ｉＥ８に必要な電荷をＮＭＯＳＦＥＴＩがら供給
するようにした。

但し、出力電圧ｖ０が確定するまでに、負荷容量８を放
電する時間とその後再び充電する時間との両方の和で与
えられる時間が必要であるため、ＮＭＯＳＦＥＴ２を流
れる電流は充分大きくしておく必要がある。

また、電圧源２００の電圧■２。。は、負荷容量８から
引抜く電荷量を必要最小限に留めて消費電力を下げるた
めに挿入しているもので、消費電力を気にしなければ、
■２。。＝０，つまり、電圧源ＶｌｌｌとＮＭＯＳＦＥ
Ｔ２のソース端子を直結しても動作上問題ない。

第９図は本発明の第４の実施例としての容量性負荷駆動
回路を示す構成図であり、第１０図は第９図の各部信号
波形を示す波形図である。

第９図において、１００は差動増幅器、１１０はＰＭＯ
ＳＦＥＴ，１２０はＮＭＯＳＦＥＴである。

以下、本実施例の動作について説明する。

前述した第１，第２，第３の実施例では、各々、信号電
圧Ｖｉの変化（立上りｏｒ立下り）の周期性に着目し、
信号電圧Ｖ．の立下り時にのみ大きなバイアス電流を流
すようにしたものであるが、一般には、信号電圧の立上
り，立下りが予測できない場合がある。又、前述した第
１，第２，第３の実施例では、同じ立下りの場合でも信
号電圧Ｖｉの変化量によって必要な放電電荷量は異なる
のに、信号電圧ｖｉの最大変化量に対応した一定電荷量
（バイアス電流の量×制御信号ＯＥが“Ｈｉｇｈ”レベ
ルの時間）を常に負荷容量８から放電させていたため、
電力の無駄があった。

そこで、本実施例では、入出力間の電圧差を自動的検知
して、信号電圧Ｖ、が出力電圧ｖ０よりも小さくなった
ときにのみ、ＮＭＯＳＦＥＴ２をＯＮ状態に、ＮＭＯ　
Ｓ　Ｆ　ＥＴ　１をＯＦＦ状態にさせて、消費電力を必
要最小限の電力にしたものである。

差動増幅器１００は充分なゲインがあるものとすれば、
信号電圧Ｖｉ　と出力電圧ｖ０がわずかに異なっても、
差動アンプ１００の出力Ｖｅｉｌとして、入出力間電圧
差（ｖｉ　Ｖｏ）がゲイン倍されて現われる。

ここで、信号電圧Ｖｌの無変化状態から信号電圧ｖｉが
立上った場合は、まず、Ｖ，，．が大きくなり、ＮＭＯ
ＳＦＥＴＩを通して負荷容量８を急速に充電し、入出力
間電圧差（ＶｔＶｏ）が充分小さ《なると、ＮＭ’ＯＳ
ＦＥＴ１と小さなバイアス電流を流す第２の電流源（Ｎ
ＭＯＳＦＥ７３と電圧源５とで構成される）とでソース
ホロワとして働き、定常状態となる。定常状態では、リ
ーク抵抗７を通して流入するリーク電流を補償するわず
かな電流を流して出力電圧ｖ０を安定に保てば良い． 一方、逆に、信号電圧Ｖｉの無変化状態から信号電圧ｖ
１が立下がワた場合は、差動増幅器１００の出力Ｖ，，
．が小さくなり、ＮＭＯＳＦＥＴ１２０４−ＯＦＦ状態
にさせる，ＮＭＯＳＦＥＴ１２０がＯＦＦ状態になれば
、ＮＭＯＳＦＥＴ２のゲート端子はＶＣＣまで上昇し、
ＮＭＯＳＦＥＴ２がＯＮ状態となり、急速に負荷容Ｉ８
を放電する。このとき、ＮＭＯＳＦＥＴＩはＯＦＦ状態
となっている。

負荷容量８の放電が進み、入出力間電圧差（Ｖｔ−ｖ０
）の絶対値が充分小さくなると、ｖ０，は再び上昇し、
ＮＭＯＳＦＥＴ１２０をＯＮ状態とし、ＮＭＯＳＦＥＴ
２をＯＦＦ状態にする。ここで、ＶＯ＃　　ＶｌｌがＮ
ＭＯＳＦＥＴ１２０の闇値電圧ＶＬｋを越えてＮＭＯＳ
ＦＥＴ１２０がＯＮ状態へ移った瞬間において、信号電
圧Ｖｉと出力電圧ｖ０との間にはまだわずかな電圧差Ａ
ｖ（即ち、■．−ｖ０）があるが、ＮＭＯＳＦＥＴＩ，
２は共にＯＦＦ状態にあるため、その後の放電は専ら、
小さなバイアス電流を流す第２の電流源（ＮＭＯＳＦＥ
Ｔ３と電圧源５で構成される）により行われる。第２の
電流源による放電で出力電圧ｖ０が十分小さ《なると、
ＮＭＯＳＦＥＴＩがＯＮ状態へ移行し、ＮＭＯＳＦＥＴ
Ｉは第２の電流源と合わせてソースホロワとして働くよ
うになり、定常状態へ移る． 尚、差動増幅器１００のゲインが充分大きければ、上記
ＡＶは比較的小さいので、残りの放電を第２の電流源で
行っても時間は長くはかからない。

以上の過程により、信号電圧Ｖ、が変化したとき、ＮＭ
ＯＳＦＥＴＩ又はＮＭＯＳＦＥＴ２のどちらか一方のみ
がＯＮ状態となり、必要最小限の充放電を行うため、電
流の無駄がなく、高速応答が可能である．又、定常状態
では小さなバイアス電流が流れているため、リーク抵抗
７に対して安定である。

第１１図は本発明の第５の実施例としての液晶カラーテ
レビジョンを示す構成図である。

第１１図において、５００はアンテナ、５１０はテレビ
ジョン受信機、５２０はＴＰＴ液晶パネル用水平ドライ
バ、５３０はＴＰＴ液晶パネル用垂直ドライバ、５４０
は水平ドライバ５２０．垂直ドライバ５３０を駆動する
のに必要な制御信号を供給する制御回路、５５０はＴＰ
Ｔ液晶パネル、５６０は極性反転回路である。又、水平
ドライバ５２０は、シフトレジスタ５２１．レベノψシ
フタ５２２，サンプル・ホールド回路５２３．出力段回
路５２４で構成されている． 本実施例において、水平ドライバ５２０の出力段回路５
２４は、前述した第１，第２．第３または第４の実施例
である容量性負荷駆動回路を用いている。

以下、本実施例の動作について説明する．アンテナ５０
０から人力されたテレビジョン電波信号はテレビジョン
受信機５１０で復調され、その結果、赤，緑．青の原色
信号Ｒ，Ｇ，Ｂと同期信号Ｓ　ｙｎｃとが得られる。

同期信号Ｓ　ｙｎｃは制御回路５４０に入力され、そこ
で、水平ドライバ５２０．垂直ドライバ５３０を駆動す
るのに必要な制御信号が同期信号Ｓ　ｙｎｃをもとにし
て作られる。制御回路５４０の構成は、大略、第３図に
示した回路構成と同じであり、同期信号Ｓ　ｙｎｃに含
まれる水平同期信号Ｈｓｙｎｃを入力とするＰＬＬ回路
を構成し、そのＰＬＬ回路の出力によりカウンタ等を動
作させ、さらに同期信号Ｓ　ｙｎｃに含まれる垂直同期
信号Ｖｓｙｎｃで全体にリセットをかけるようにしてい
る。

一方、原色信号Ｒ，Ｇ，Ｂは、極性反転回路５６０にお
いて、ＴＦＴ液晶バネル５５０の交流駆動に必要な正極
性の原色信号Ｒ＋，Ｇ＋，Ｂ十及び負極性の原色信号Ｒ
−，Ｇ−，Ｂ−に変換されたのち、水平ドライバ５２０
に入力される。

水平ドライバ５２０は、制御回路５４０から制御信号と
してシフトレジスタ５２１のスタートパルスとシフトク
ロックを受取り、ＴＦＴ液晶パネル５５０の各列信号電
極毎に必要なサンプリングパルスを発生している。シフ
トレジスタ５２１で発生したサンプリングパルスはレベ
ルシフタ５２１で必要な電圧に変換された後、サンプル
・ホールド回路５２３へ入力される。サンプル・ホール
ド回路５２３では、このサンプリングパルスによって正
極性，負極性の原色信号Ｒ±，Ｇ±，Ｂ±をサンプリン
グし、その後、その電圧値をホールドする。そして、す
べての列信号電橿にわたって正極性，負極性の原色信号
Ｒ±，Ｇ±，Ｂ士のサンプリングが終了した後、一行分
まとめて、サンプル・ホールドした信号を前述した正極
性，負極性の映像信号ｖ＋，ｖ−とじて出力段回路５２
４に入力する。その後は、前述した容量性負荷駆動回路
の動作に従って、出力段回路５２４からＴＦＴ液品パネ
ル５５０の各列信号電極に出力する。

また、垂直ドライバ５３０は図示せざるシフトレジスタ
とレベルシックで構成され、制御回路５４０から制御信
号としてスタートパルスとクロックを受け取り、水平ド
ライバ５２０の出力に同期して上から順に各行信号電極
を選択して行く。行信号電極が選択されると、その行の
各画素に列信号電極上の映像信号が書き込まれるので、
以上の過程を繰り返すことによりテレビジョン画像表示
が可能となる。

以上、第１．第２，第３または第４の実施例である容量
性負荷駆動回路を出力段回路として用いるＴＰＴ液晶パ
ネル用水平ドライバを、液晶表示装置の一種である液晶
カラーテレビジョンに使用した例について説明したが、
該水平ドライバは、液晶ディスプレイ装置などの他の液
晶表示装置において使用しても良い。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の容量性負荷駆動回路によ
れば、容量性負荷の持つ容量（即ち、負荷容量）を充電
するとき、及び信号電圧に変化が無いときは主として大
きなバイアス電流が流れず、負荷容量を放電するときの
み主として大きなバイアス電流が流れるため、低消費電
力で応答が速い。

また、信号電圧に変化が無いときでも小さなバイアス電
流がながれるため、容量性負荷の持つ漏れ抵抗（リーク
抵抗）によって流れる漏れ電流（リーク電流）を補償す
ることができ、漏れ抵抗に対して安定性がある。

また、本発明においては、上記容量性負荷駆動回路を用
いた液晶表示装置用ドライバや該ドライバを用いた液晶
表示装置を実現することもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例としての容量性負荷駆動
回路を示す構成図、第２図は第１図の各部信号波形を示
す波形図、第３図は第１図の制御回路の一構成例を示す
ブロック図、第４図は第３図の各部信号波形を示す波形
図、第５図は本発明の第２の実施例としての容量性負荷
駆動回路を示す構成図、第６図は第５図の各部信号波形
を示す波形図、第７図は本発明の第３の実施例としての
容量性負荷駆動回路を示す構成図、第８図は第７図の各
部信号波形を示す波形図、第９図は本発明の第４の実施
例としての容量性負荷駆動回路を示す構成図、第１０図
は第９図の各部信号波形を示す波形図、第１１図は本発
明の第５の実施例とし・ての液晶カラーテレビジョンを
示す構成図、である。 符号の説明 １，２．３・・・ＮＭＯＳＦＥＴ，６．９・・・データ
セレクタ、７・・・リーク抵抗、８・・・負荷容量、４
．５・・・電圧源、１０・・・制御回路、１００・・・
差動増幅器、５１０・・・テレビジョン受信機、５２０
・・・ＴＦＴ液晶パネル用水平ドライバ、５３０・・・
ＴＦＴ液晶パネル用垂直ドライバ、５５０・・・ＴＰＴ
液晶パネル。 代理人　弁理士　並　木　昭　夫 璽　ｉｌｌ １ｇ２　　図 ＠６ 図 ｌＥ５ 図 ○Ｅ １Ｉ３ 第　４ ＠７　図 １８　図 図 図 冨９ 図 ＠１０’ｌＪ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、トランジスタのソース端子に第１の電流源を接続し
   、該トランジスタのドレイン端子に電圧源を接続して成
   り、該トランジスタのゲート端子に入力信号を入力し、
   該トランジスタのソース端子より出力される出力信号に
   よって容量性負荷を駆動するソースホロワ回路を構成す
   る容量性負荷駆動回路において、 前記トランジスタのソース端子に前記第１の電流源と並
   列に接続される第２の電流源と、該第２の電流源による
   電流を流したり止めたりするスイッチ手段と、前記入力
   信号の立下り（または立上り）時の一定期間のみ、前記
   第２の電流源による電流を流すよう前記スイッチ手段の
   動作を制御する制御手段と、を設けたことを特徴とする
   容量性負荷駆動回路。 ２、請求項１に記載の容量性負荷駆動回路において、前
   記制御手段は、前記入力信号の立下り（または立上り）
   時の一定期間（以下、第１の期間と言う。）のみならず
   、前記入力信号の立上り（または立下り）時の、前記第
   １の期間よりも短い一定期間にも、前記第２の電流源に
   よる電流を流すよう前記スイッチ手段の動作を制御する
   こと特徴とする容量性負荷駆動回路。 ３、トランジスタのソース端子に電流源を接続し、該ト
   ランジスタのドレイン端子に電圧源を接続して成り、該
   トランジスタのゲート端子に入力信号を入力し、該トラ
   ンジスタのソース端子より出力される出力信号によって
   容量性負荷を駆動するソースホロワ回路を構成する容量
   性負荷駆動回路において、 前記電流源により流れる電流の電流値を複数の値の間で
   切り換える切換手段と、前記入力信号の立下り（または
   立上り）時の一定期間のみ、前記電流の電流値が前記複
   数の値の中で最も大きな値となるよう前記切換手段の切
   換動作を制御する制御手段と、を設けたことを特徴とす
   る容量性負荷駆動回路。 ４、請求項３に記載の容量性負荷駆動回路において、前
   記制御手段は、前記入力信号の立下り（または立上り）
   時の一定期間（以下、第１の期間と言う。）のみならず
   、前記入力信号の立上り（または立下り）時の、前記第
   １の期間よりも短い一定期間にも、前記電流源により流
   れる電流の電流値が前記複数の値の中で最も大きな値と
   なるよう前記切換手段の切換動作を制御すること特徴と
   する容量性負荷駆動回路。 ５、トランジスタのソース端子に電流源を接続し、該ト
   ランジスタのドレイン端子に第１の電圧源を接続して成
   り、該トランジスタのゲート端子に入力信号を入力し、
   該トランジスタのソース端子より出力される出力信号に
   よって容量性負荷を駆動するソースホロワ回路を構成す
   る容量性負荷駆動回路において、 前記トランジスタのドレイン端子を流れる電流を流した
   り止めたりする第１のスイッチ手段と、前記トランジス
   タのソース端子に接続される第２の電圧源と、該第２の
   電圧源と前記トランジスタのソース端子との間を接続し
   たり開放したりする第２のスイッチ手段と、前記入力信
   号の立下り（または立上り）時の一定期間のみ、前記ト
   ランジスタのドレイン端子を流れる電流を止めるよう前
   記第１のスイッチ手段の動作を制御し、且つ、前記第２
   の電圧源と前記トランジスタのソース端子との間を接続
   するよう前記第２のスイッチ手段の動作を制御し、それ
   以外の期間は前記トランジスタのドレイン端子を流れる
   電流を流すよう前記第１のスイッチ手段の動作を制御し
   、且つ、前記第２の電圧源と前記トランジスタのソース
   端子との間を開放するよう前記第２のスイッチ手段の動
   作を制御する制御手段と、を設けたことを特徴とする容
   量性負荷駆動回路。 ６、トランジスタのドレイン端子に第１の電圧源を接続
   し、該トランジスタのゲート端子に差動増幅器の出力端
   子を接続し、該トランジスタのソース端子に電流源と前
   記差動増幅器の負入力端子とを接続して成り、該差動増
   幅器の正入力端子に入力信号を入力し、前記トランジス
   タのソース端子より出力される出力信号によって容量性
   負荷を駆動するボルテージホロワ回路を構成する容量性
   負荷駆動回路において、 前記トランジスタのソース端子に前記第１の電流源と並
   列に接続される第２の電流源と、該第２の電流源による
   電流を流したり止めたりするスイッチ手段と、前記差動
   増幅器の出力端子より出力される出力電圧の電圧値が所
   定の電圧値よりも小さい時に、前記第２の電流源による
   電流を流すよう前記スイッチ手段の動作を制御する制御
   手段と、を設けたことを特徴とする容量性負荷駆動回路
   。 ７、請求項１、２、３、４、５または６に記載の容量性
   負荷駆動回路において、前記トランジスタは、Ｐチャン
   ネルもしくはＮチャンネルのＭＯＳＦＥＴ或いは接合型
   ＦＥＴ、またはＰＮＰもしくはＮＰＮのバイポーラトラ
   ンジスタから成ることを特徴とする容量性負荷駆動回路
   。 ８、請求項１、２、３、４、５、６または７に記載の容
   量性負荷駆動回路をそれぞれ出力段に用いたことを特徴
   とする液晶表示装置用ドライバ。 ９、液晶テレビジョンまたは液晶ディスプレイ装置から
   成る液晶表示装置において、請求項８に記載の液晶表示
   装置用ドライバを用いたことを特徴とする液晶表示装置
   。 １０、入力される信号電圧に応じて容量性負荷を駆動す
   る容量性負荷駆動方法において、前記信号電圧の無変化
   時には、前記容量性負荷が一定の電荷を保持するように
   該容量性負荷の持つ漏れ抵抗による漏れ電流をバイアス
   電流の比較的小さなソースホロワ回路で補償すると共に
   、前記信号電圧の立下り（または立上り）時には、前記
   容量性負荷の放電を放電手段により比較的大きな電流値
   を持つ電流にて行い、前記信号電圧の立上り（または立
   下り）時には、前記容量性負荷の充電を充電手段により
   比較的大きな電流値を持つ電流にて行い、且つ、前記信
   号電圧の立下り及び立上り時には、それぞれ、前記放電
   手段と充電手段とが同時に動作しないようにしたことを
   特徴とする容量性負荷駆動方法。