JP2022163762A - 電力変換装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】組み立て性がよく、小型化が可能な電力変換装置を得ることを目的とする。【解決手段】電力変換装置１は、半導体スイッチング素子２、半導体スイッチング素子２が固定された筐体７、半導体スイッチング素子２を駆動する駆動回路が実装され、固定面７ｆｍに対して間隔をあけて対向配置された回路基板３、回路基板３の固定面７ｆｍに対する対向面に配置された挿入ガイド５、およびパルストランス４の高さＨに対応した長さＬを有し、一端がリード端子２ｔに接合され、他端が挿入ガイド５に向かって延びる長尺状の端子延伸部材８を備え、パルストランス４は、半導体スイッチング素子２の主面２ｆに対向するように、対向面に配置されている。【選択図】図１

Description

本願は、電力変換装置に関するものである。
電気自動車、ハイブリッド自動車のように、駆動源にモータが用いられる電動車両には、複数の電力変換装置が搭載されている。電力変換装置としては、交流電源からの交流電力を直流に変換して駆動用のバッテリに充電する充電器、バッテリからの直流電力をモータ駆動用の交流電力に変換するインバータがある。また、駆動用バッテリの高電圧を補助機器用のバッテリに合わせて、低電圧（例えば１２Ｖ）に変換するＤＣ／ＤＣコンバータ等が挙げられる。
近年、電力変換装置の低コスト化、軽量化、電動車両における実装スペースの縮小のため、インバータとＤＣ／ＤＣコンバータを一体ユニット化することが求められている。そこで、ＤＣ／ＤＣコンバータの構成の簡素化と小型化のため、半導体スイッチング素子をオン／オフ駆動する手段として、パルストランスと駆動ＩＣを含む駆動回路を用いる技術がある（例えば、特許文献１参照。）。
この技術に、半導体スイッチング素子を筐体に固定し、筐体を放熱板として利用する技術（例えば、特許文献２参照。）を適用しようとする。この場合、半導体スイッチング素子と駆動回路の電気接続を容易にするために、駆動回路が実装された回路基板には、半導体スイッチング素子のリード端子を誘導するための挿入ガイドを設けることが望ましい。
特開２０２０－１４３３９号公報（段落００１４～００５０、図１～図７） 国際公開第２０１８／０５５６６８号（段落００１２～００１８、図１～図３）
しかしながら、こうした電力変換装置では、半導体スイッチング素子と回路基板との間に、挿入ガイドの高さに相当する間隔を設ける必要があるため、半導体スイッチング素子と回路基板との間に不要なスペースが生じる。そこで、小型化の観点から、半導体スイッチング素子と回路基板のスペースに駆動回路を配置し、不要なスペースを有効活用する方法が考えられる。しかしながら、挿入ガイドよりも高さのあるパルストランスは、半導体スイッチング素子のリード端子の制約からスペース内に収納することができず、回路基板における挿入ガイドと反対側の面に実装する必要があり、余計に嵩高くなってしまう。
本願は、上記のような課題を解決するための技術を開示するものであり、組み立て性がよく、小型化が可能な電力変換装置を得ることを目的とする。
本願に開示される電力変換装置は、それぞれ板状をなし、対をなして電力変換のためのブリッジを形成する半導体スイッチング素子、前記半導体スイッチング素子の主面の一方が固定面に固定された筐体、前記半導体スイッチング素子を駆動する駆動回路が実装され、前記固定面に対して間隔をあけて対向配置された回路基板、前記回路基板の前記固定面に対する対向面に配置された挿入ガイド、および前記駆動回路を形成するパルストランスの高さに対応した長さを有し、一端が前記半導体スイッチング素子の一側部から突き出たリード端子に接合され、他端が前記挿入ガイドに向かって延びる長尺状の端子延伸部材を備え、前記パルストランスは、前記半導体スイッチング素子の主面の他方に対向するように、前記対向面に配置されていることを特徴とする。
本願に開示される電力変換装置によれば、半導体スイッチング素子と回路基板との間にパルストランスを配置することができるので、組み立て性がよく、小型化が可能な電力変換装置を得ることができる。
図１Ａと図１Ｂは、実施の形態１にかかる電力変換装置の構成を説明するための平面図と断面図である。 図２Ａ、および図２Ｂと図２Ｃは、それぞれ実施の形態１にかかる電力変換装置を構成する半導体スイッチング素子、および形状の異なる２種類の端子延伸部材の斜視図である。 実施の形態１にかかる電力変換装置を構成する回路基板部分の断面図である。 実施の形態１の変形例にかかる電力変換装置の構成を説明するための断面図である。 図５Ａと図５Ｂは、実施の形態２にかかる電力変換装置の構成を説明するための平面図と断面図である。
実施の形態１．
図１～図３は、実施の形態１にかかる電力変換装置の構成について説明するためのものであり、図１は電力変換装置を回路基板側から見たときの平面図（図１Ａ）と、図１ＡのＡ－Ａ線における断面図（図１Ｂ）である。また、図２は電力変換装置を構成する半導体スイッチング素子の斜視図（図２Ａ）、および端子延伸部材の斜視図（図２Ｂ）と変形例の端子延伸部材の斜視図（図２Ｃ）、図３は図１ＡのＢ－Ｂ線に対応する回路基板部分の断面図である。そして、図４は変形例にかかる電力変換装置の断面図で図１ＡのＡ－Ａ線に対応する。
なお、本願の特徴的な部分を明確にするために、半導体スイッチング素子、回路基板、挿入ガイド、駆動回路（パルストランス周辺）等、配置に関連する部品以外の描画を省略している。実際の電力変換装置は、周囲が筐体で覆われている。また、図１Ａと実施の形態２で用いる図５Ａにおいては、回路基板と配線パターン、挿入ガイド、およびパルストランスの本体部分を透過させ、破線、あるいは点線で描画している。
本実施の形態１にかかる電力変換装置１は、入力された直流電力を所望の電圧の直流電圧に変換するＤＣ／ＤＣコンバータである。そして、図１Ａに示すように、フルブリッジ型ＤＣ／ＤＣコンバータの１次側の構成部品として、第１のスイッチング素子２１～第４のスイッチング素子２４（第１～第４を区別しない場合、「半導体スイッチング素子２」と称する。）を有している。そして、図１Ｂに示すように、各半導体スイッチング素子２は、冷却板を兼ねた筐体７の固定面７ｆｍに固定され、固定面７ｆｍに対して間隔をあけて、回路基板３が配置されている。
回路基板３の筐体７への対向面（実装面３ｆｍ）には、第１のパルストランス４１と第２のパルストランス４２（第１と第２を区別しない場合、「パルストランス４」と称する。）が実装されており、図示しない駆動用ＩＣ等の駆動回路が形成されている。そして、第１のスイッチング素子２１～第４のスイッチング素子２４のそれぞれと回路基板３とは、第１の端子延伸部材８１～第４の端子延伸部材８４（第１～第４を区別しない場合、「端子延伸部材８」と称する。）を介して電気接続されている。
第１のスイッチング素子２１は左側アームのハイサイド素子、第２のスイッチング素子２２は左側アームのローサイド素子、第３のスイッチング素子２３は右側アームのハイサイド素子、第４のスイッチング素子２４は右側アームのローサイド素子である。各半導体スイッチング素子２として、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）を用いている。
ただし、ＭＯＳＦＥＴに代えて、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）を用いてもよい。また、一般的なＳｉ（シリコン）と比べて、高電圧動作、高速駆動、高温動作が可能であるＧａＮ（窒化ガリウム）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ダイアモンド等のいわゆるワイドバンドギャップ半導体材料を用いた素子でもよい。
図２Ａに示すように、各半導体スイッチング素子２の側部２ｓから主面２ｆと平行な方向に突き出たリード端子２ｔは、主面２ｆに対して垂直方向にフォーミング加工して切断されている。そして、それぞれ絶縁部材６を介し、固定孔２ｈに固定用部材７ｓ（ネジ）を通して筐体７に固定され、側部２ｓ（リード端子２ｔ側）が図１Ａにおける縦方向の外側を向くように２行２列に配置されている。
端子延伸部材８は図２Ｂに示すように、リード端子２ｔと接合するための接合端８ｅｊから回路基板３に挿入するための挿入端８ｅｐに向かって長さＬの長尺状をなし、中間部分に、曲げ加工によって厚み方向に湾曲する変形部８ｂが形成されている。そして、半田、あるいは溶接加工により、半導体スイッチング素子２が筐体７に固定された際に、挿入端８ｅｐが回路基板３に向かって延びるように、リード端子２ｔのフォーミング加工された面２ｔｆに対して接合端８ｅｊが接合されている。なお、長さＬは、後述するようにパルストランス４を収容するスペースを確保するため、パルストランス４の高さＨに応じて設定する。
これにより、筐体７に半導体スイッチング素子２が固定されると、各端子延伸部材８の挿入端８ｅｐが、筐体７から長さＬ＋α（接合端８ｅｊの位置による）の一定高さまで突き出し、図１Ａにおける縦方向の２か所に分かれてそれぞれ横方向に並ぶことになる。一方、回路基板３の実装面３ｆｍには、部品組み立て時において、各端子延伸部材８と回路基板３との電気接続を容易にするために、挿入ガイド５が設けられている。挿入ガイド５は、縦方向の上下に分かれてそれぞれ横方向に並ぶ挿入端８ｅｐに対応し、縦方向の上下に分かれて２つ配置されている。
これにより、各端子延伸部材８を挿入ガイド５に沿って挿入することで、回路基板３の図示しない電気接続用の孔と各半導体スイッチング素子２とが電気的に接続され、かつ、筐体７と回路基板３との位置関係も固定される。このとき、回路基板３の端子延伸部材８で挟まれた領域、つまり筐体７の固定面７ｆｍへの対向面（実装面３ｆｍ）における中央部分の領域において、半導体スイッチング素子２と回路基板３の間に長さＬに対応したスペースが形成される。
端子延伸部材８によってスペースが確保できるので、第１のパルストランス４１と第２のパルストランス４２は、回路基板３の実装面３ｆｍ上の挿入ガイド５に挟まれた領域に、図１Ａにおける横方向に並んで実装されている。第１のパルストランス４１は、第２のパルストランス４２に向かって突き出た入力端子４１ｉが、回路基板３の中央部分から右側に向かって延びる配線パターン３２ａ、３２ｂ（まとめて配線パターン３２）に接続されることで、駆動用ＩＣ等の駆動回路と電気的に接続される。そして、外側に向かって突き出た出力端子４１ｘｂ、４１ｘｃが、配線パターン３４ａと３４ｂ、配線パターン３４ｃと３４ｄ（まとめて配線パターン３４）に接続されることで、第１のスイッチング素子２１と第２のスイッチング素子２２に電気的に接続される。
同様に、第２のパルストランス４２は、第１のパルストランス４１に向かって突き出た入力端子４２ｉが、回路基板３の同様に中央部分から右側に向かって延びる配線パターン３３ａ、３３ｂ（まとめて配線パターン３３）に接続されることで、駆動用ＩＣ等の駆動回路と電気的に接続される。そして、外側に向かって延びる出力端子４２ｘｂ、４２ｘｃが、配線パターン３５ａと３５ｂ、配線パターン３５ｃと３５ｄ（まとめて配線パターン３５）に接続されることで、第３のスイッチング素子２３と第４のスイッチング素子２４に電気的に接続される。
つまり、端子延伸部材８を設けることで、回路基板３の筐体７から離れる側（図１Ｂにおける上側）に配置する必要があったパルストランス４を、回路基板３と筐体７の間（実装面３ｆｍ上）に設けることができるようになった。これにより、組み立て性を損なうことなく、空隙率を削減し、高さ（厚み）低減による小型化、低コスト化（筐体体積低減に伴う材料費削減）が可能になる。
さらに、端子延伸部材８には、厚み方向に湾曲する変形部８ｂを設けたため、筐体７と回路基板３との間の変位による応力を吸収し、装置の耐振性を確保できる。これにより、例えば、インバータとの一体ユニット化の際、インバータのレイアウト制約によって要求される耐振性要求も満たすことが可能になる。
なお、変形部８ｂは図２Ｂに示した湾曲形状に限ることはない。例えば、図２Ｃに示す変形例にかかる端子延伸部材８のように、屈曲状態でもよく、少なくとも厚み方向で曲がる曲げ加工が行われていれば、筐体７と回路基板３との間の変位による応力を吸収し、装置の耐振性を確保できる。
なお、標準品では実現できないが、リード端子２ｔの長さをパルストランスの高さＨに対応させて長くした特別仕様の、いわゆるカスタム品の半導体スイッチング素子２を用いれば、端子延伸部材８を省略することも可能である。その際も、上述した変形部８ｂに対応する厚み方向に曲がる曲げ加工が行われていれば、筐体７と回路基板３との間の変位による応力を吸収し、装置の耐振性を確保できる。
また、各パルストランス４の入力端子４１ｉと入力端子４２ｉ（まとめて入力端子４ｉと称する。）は、それぞれ内側に向かって突き出ているため、出力端子４１ｘｂ、４１ｘｃ、４２ｘｂ、４２ｘｃ（まとめて出力端子４ｘと称する。）よりも半導体スイッチング素子２の固定用部材７ｓ（ネジ）に近い位置に配置されている。装置の絶縁性能を確保するためには、絶縁破壊が発生しないように部品間に絶縁距離を設ける必要がある。つまり、一端部が筐体７に食い込み、他端部が半導体スイッチング素子２の主面２ｆから回路基板に向かって突き出るねじの頭は筐体７と同じ電位となるため、ねじ頭との絶縁が問題となる。
しかし、高電圧系である半導体スイッチング素子２と接続される出力端子４ｘよりも、低電圧系の駆動回路と接続される入力端子４ｉの方が、筐体７に対して必要な絶縁距離が短くて済む。そのため、入力端子４ｉ側を内側に配置することで、固定用部材７ｓ（ねじ頭）に対する絶縁部材を余計に追加することなく、高さ方向をさらに低くすることが可能となり、更なる小型化・低コスト化を図ることができる。
回路基板３は、図３に示すように、４層（層３ｓ１～層３ｓ４）構成の多層基板である。なお、図では位置関係の説明に特化し、縦横の寸法関係については適宜変更して描画している。ここで、回路基板３上における高電圧系の配線パターン３５ａ～３５ｄと低電圧系の配線パターン３２、３３の位置関係について説明する。図における左右方向において、第２のパルストランス４２の出力端子４２ｘｂ、４２ｘｃの間に低電圧系の配線パターン３２ａ、３２ｂ、３３ａ、３３ｂが収まるように配置した。そして、高電圧系の配線パターン３５に対して低電圧系の配線パターン３２、３３を、厚み方向に投影した際に（層間で）重ならない、つまり実装面３ｆｍへの投影像が互いに離れるように配置している。
また、高電圧系の配線パターン３５ａと３５ｂ同士、３５ｃと３５ｄ同士と、低電圧系の配線パターン３２ａ、３２ｂ、３３ａ、３３ｂ同士を、それぞれ層間で重なるように配置している。また、第１のパルストランス４１の出力端子４１ｘｂ、４１ｘｃと接続される高電圧系の配線パターン３４ａ～３４ｄについては、低電圧系の配線パターンが形成されていないことを除いて、図３と同様の配置となっている。これにより、半導体スイッチング素子２（ゲートＧ、ソースＳ）と駆動回路で形成される電流ループの面積が小さくなり、ノイズ耐性向上と、配線パターンの面積削減による更なる小型化が可能になる。
変形例．
本変形例では、半導体スイッチング素子の駆動に起因するノイズ対策について説明する。本変形例にかかる電力変換装置１は、図４に示すように、回路基板３に対し、実装面３ｆｍの反対側の面側に間隔をあけて金属製の平坦な遮蔽板９を設けるようにした。
電力変換装置では、半導体スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦ動作により電位変動が生じてノイズ発生し、高密度実装するほど、ノイズ発生源である半導体スイッチング素子周辺部から周辺回路へのノイズ伝搬が大きくなり、誤動作する問題が顕在化する。その問題を解決する手段として、ノイズ源である半導体スイッチング素子周辺部にアルミ、鉄等の金属製の遮蔽板を配置する手段が取られる。
しかし、従来のように、回路基板の筐体から離れる側にパルストランスが配置された場合には、各パルストランスの高さＨに合わせて、かつ、各パルストランスの形状に沿って遮蔽板を加工する必要があった。しかし、本願のように、端子延伸部材８によって空間を確保し、実装面３ｆｍ側にパルストランス４を実装することで、遮蔽板９を各パルストランス４の高さＨ、あるいは形状に合わせることなく、余計な加工が不要となるため、小型化、低コスト化を図ることができる。
実施の形態２．
上記実施の形態１では、個別の半導体スイッチング素子を筐体に固定する例を示したがこれに限ることはない。本実施の形態２では４つの半導体スイッチング素子を一体成型したモジュールを用いた例について説明する。図５は、実施の形態２にかかる電力変換装置の構成について説明するためのものであり、電力変換装置を回路基板側から見たときの平面図（図５Ａ）と図５ＡのＣ－Ｃ線における断面図（図５Ｂ）である。なお、半導体スイッチング素子の一体化、および一体化に伴う端子の位置変化等を除けば、実施の形態１と同様であり、実施の形態１で用いた図２Ａ、図２Ｂ、図３を援用し、同様部分の説明は省略する。
実施の形態２にかかる電力変換装置１は、図５Ａ、図５Ｂに示すように、実施の形態１で説明した第１のスイッチング素子２１～第４のスイッチング素子２４と第１の端子延伸部材８１～第４の端子延伸部材８４を一体成形したモジュール２０に置き換えている。ここで、第１のスイッチング素子２１のドレインＤと第３のスイッチング素子２３のドレインＤ、および第２のスイッチング素子２２のソースＳと第４のスイッチング素子２４のソースＳは、それぞれモジュール２０内部で配線されている。同様に、第１のスイッチング素子２１のソースＳと第２のスイッチング素子２２のドレインＤ、および第３のスイッチング素子２３のソースＳと第４のスイッチング素子２４のドレインＤも、それぞれモジュール２０内部で配線されている。
そして、モジュール２０としてのソースＳとゲートＧの端子２８は、実施の形態１で説明したリード端子２ｔに対応するフォーミングと、端子延伸部材８の長さＬに対応する長さを有している。そして、モジュール２０が筐体７に固定された際に、挿入端８ｅｐに相当する挿入端が、筐体７から長さＬ＋αの一定高さまで突き出し、図５Ａにおける縦方向の２か所に分かれてそれぞれ横方向に並ぶことになる。挿入ガイド５も、実施の形態１と同様に、縦方向の上下に分かれてそれぞれ横方向に並ぶ挿入端に対応し、縦方向の上下に分かれて２つ配置されており、組み立て時に挿入ガイド５に挿入端を挿入することで、モジュール２０と回路基板３との電気接続が形成される。
一方、第１のスイッチング素子２１のドレインＤと第３のスイッチング素子２３のドレインＤは、ＤＣ／ＤＣコンバータ入力側と接続される端子（Ｐ、Ｎ）としてモジュール２０外部に出力されている。同様に、第２のスイッチング素子２２のソースＳと第４のスイッチング素子２４のソースＳも、端子（Ｐ、Ｎ）としてモジュール２０外部に出力されている。
さらに、第１のスイッチング素子２１のソースＳと第２のスイッチング素子２２のドレインＤ間をつなぐ配線は、ＤＣ／ＤＣコンバータ出力側と接続される端子（Ｔｒ１、Ｔｒ２）としてモジュール２０外部に出力されている。同様に、第３のスイッチング素子２３のソースＳと第４のスイッチング素子２４のドレインＤ間をつなぐ配線も、端子（Ｔｒ１、Ｔｒ２）としてモジュール２０外部に出力されている。
その他の構成要素は、実施の形態１と同様である。本実施の形態２においても、モジュール化した際に、端子２８を端子延伸部材８と同様の機能を有するように形成することで、回路基板３の実装面３ｆｍ上にパルストランス４を設けることができるようになった。これにより、組み立て性を損なうことなく、空隙率を削減し、高さ（厚み）低減による小型化、低コスト化（筐体体積低減に伴う材料費削減）が可能になる。
なお、実施の形態１では、第１のスイッチング素子２１～第４のスイッチング素子２４のドレインＤ～ソースＳ間を接続する配線は、回路基板３側で施す必要があった。しかし、実施の形態２では、モジュール２０側で施すことが可能になるため、回路基板３の投影面積を削減することができ、装置の更なる小型化を図ることができる。
なお、本願は、例示的な実施の形態が記載されているが、実施の形態に記載された様々な特徴、態様、および機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。したがって、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合、または省略する場合が含まれるものとする。
例えば、実施の形態１、および実施の形態２では、フルブリッジ型ＤＣ／ＤＣコンバータの場合について説明したがこれに限ることはない。第１のスイッチング素子２１、第２のスイッチング素子２２（対をなす半導体スイッチング素子２）、および第１のパルストランス４１で構成されたハーフブリッジ型ＤＣ／ＤＣコンバータであっても同様の効果が得られる。
さらには、ＤＣ／ＤＣコンバータの場合について説明したが、これに限ることはない。パルストランス４を有する駆動回路が形成された回路基板３、回路基板３に対向する筐体７の面に主面２ｆが固定された半導体スイッチング素子２、および挿入ガイド５を用いた電力変換装置であれば、ＤＣ／ＤＣコンバータ以外の電力変換装置であってもよい。
以上のように、本願の電力変換装置１によれば、それぞれ板状をなし、対をなして電力変換のためのブリッジを形成する半導体スイッチング素子２、半導体スイッチング素子２の主面２ｆの一方が固定面７ｆｍに固定された筐体７、半導体スイッチング素子２を駆動する駆動回路が実装され、固定面７ｆｍに対して間隔をあけて対向配置された回路基板３、回路基板３の固定面７ｆｍに対する対向面（実装面３ｆｍ）に配置された挿入ガイド５、および駆動回路を形成するパルストランス４の高さＨに対応した長さＬを有し、一端である接合端８ｅｊが半導体スイッチング素子２の一側部２ｓから突き出たリード端子２ｔに接合され、他端である挿入端８ｅｐが挿入ガイド５に向かって延びる長尺状の端子延伸部材８を備え、パルストランス４は、半導体スイッチング素子２の主面２ｆの他方に対向するように、対向面（実装面３ｆｍ）に配置されている。これにより、筐体７に固定された半導体スイッチング素子２に対して、回路基板３を容易に組み付けることができる。その際、パルストランス４は端子延伸部材８の長さＬに応じて形成された隙間により、固定面７ｆｍに対向する実装面３ｆｍに実装できるので無駄な空間が生じない。つまり、組み立て性がよく、小型化が可能な電力変換装置を得ることができる。
その際、端子延伸部材８には、挿入ガイド５に向かって延びる中間部分に、厚み方向に変形する変形部８ｂが形成されているので、振動を吸収し、耐振性能が向上する。
以上のように、本願の電力変換装置１によれば、それぞれ板状をなし、対をなして電力変換のためのブリッジを形成する半導体スイッチング素子２、半導体スイッチング素子２の主面２ｆの一方が固定面７ｆｍに固定された筐体７、半導体スイッチング素子２を駆動する駆動回路が実装され、固定面７ｆｍに対して間隔をあけて対向配置された回路基板３、および回路基板３の固定面７ｆｍに対する対向面（実装面３ｆｍ）に配置された挿入ガイド５を備え、半導体スイッチング素子２の一側部２ｓから突き出たリード端子２ｔは、駆動回路を形成するパルストランス４の高さＨに対応した長さ（長さＬに相当）を有して挿入ガイド５に向かって延び、パルストランス４は、半導体スイッチング素子２の主面２ｆの他方に対向するように、対向面（実装面３ｆｍ）に配置されている。これにより、筐体７に固定された半導体スイッチング素子２に対して、回路基板３を容易に組み付けることができる。その際、パルストランス４はリード端子２ｔの長さに応じて形成された隙間により、固定面７ｆｍに対向する実装面３ｆｍに実装できるので無駄な空間が生じない。つまり、組み立て性がよく、小型化が可能な電力変換装置を得ることができる。
その際、リード端子２ｔには、挿入ガイド５に向かって延びる中間部分に、厚み方向に変形する変形部が形成されているので、振動を吸収し、耐振性能が向上する。
とくに、半導体スイッチング素子２は、リード端子２ｔが形成された一側部２ｓの反対側の側部を互いに対向させて一列に並んで配置され、パルストランス４は、駆動回路に電気的に接続される入力端子４ｉが設けられた面と、半導体スイッチング素子２に電気的に接続される出力端子４ｘが設けられた面が、半導体スイッチング素子２の並びと直交する方向においてそれぞれ反対側を向くように回路基板３に配置されているように構成すれば、パルストランス４の端子と半導体スイッチング素子２のリード端子２ｔ（および端子延伸部材８）との干渉を避けて、容易に配線できる。
さらに、固定面７ｆｍには、２対の半導体スイッチング素子２が二列に並んで配置され、２対に対応し、回路基板３には、パルストランス４として２つのパルストランス４１、４２を、（実装面３ｆｍに平行な方向における）一列の並びと直交する方向に並んで配置すれば、二行二列の配置でも、パルストランス４の端子と半導体スイッチング素子２のリード端子２ｔ（および端子延伸部材８）との干渉を避けて、容易に配線できる。
またさらに、一端部が筐体７に食い込み、他端部（ねじ頭）が主面２ｆの他方から回路基板３に向かって突出して、半導体スイッチング素子２を固定面７ｆｍに固定する固定用部材７ｓを備え、２つのパルストランス４１、４２は、入力端子４ｉが設けられた面が互いに対向するように配置されているようにすれば、入力端子４ｉは出力端子４ｘと比べて低電圧系であるので、出力端子４ｘよりもねじ頭に近い入力端子４ｉに対して、余計な絶縁部材を追加する必要がなくなる。
回路基板は、厚み方向に複数の層が積層された多層基板であり、入力端子４ｉに電気的に接続された配線パターン３２、３３は、厚み方向に沿った投影像が、出力端子４ｘに電気的に接続された配線パターン３５（あるいは３４）に対して離れるように配置されているので、ノイズ耐性向上と面積削減が可能となる。
対向面（実装面３ｆｍ）の裏側に配置された遮蔽板９を備えることで、例えばパルストランス４の形状に応じた成型を必要とせず、余分なスペースを設けることなく平坦な遮蔽板９を設置できる。
複数の半導体スイッチング素子２（場合によっては、端子延伸部材８とともに）が、モジュール２０として一体化しているので、配線工程の削減と、小型化が可能となる。
１：電力変換装置、 ２：半導体スイッチング素子、 ２ｆ：主面、 ２ｓ：側部、 ２ｔ：リード端子、 ２０：モジュール、 ３：回路基板、 ３２～３５：配線パターン、 ４：パルストランス、 ４ｉ：入力端子、 ４ｘ：出力端子、 ５：挿入ガイド、 ６：絶縁部材、 ７：筐体、 ７ｆｍ：固定面、 ７ｓ：固定用部材、 ８：端子延伸部材、 ８ｅｊ：接合端、 ８ｅｐ：挿入端、 ９：遮蔽板、 Ｈ：高さ、 Ｌ：長さ。

Claims (10)

  1. それぞれ板状をなし、対をなして電力変換のためのブリッジを形成する半導体スイッチング素子、
    前記半導体スイッチング素子の主面の一方が固定面に固定された筐体、
    前記半導体スイッチング素子を駆動する駆動回路が実装され、前記固定面に対して間隔をあけて対向配置された回路基板、
    前記回路基板の前記固定面に対する対向面に配置された挿入ガイド、および
    前記駆動回路を形成するパルストランスの高さに対応した長さを有し、一端が前記半導体スイッチング素子の一側部から突き出たリード端子に接合され、他端が前記挿入ガイドに向かって延びる長尺状の端子延伸部材を備え、
    前記パルストランスは、前記半導体スイッチング素子の主面の他方に対向するように、前記対向面に配置されていることを特徴とする電力変換装置。
  2. 前記端子延伸部材には、前記挿入ガイドに向かって延びる中間部分に、厚み方向に変形する変形部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
  3. それぞれ板状をなし、対をなして電力変換のためのブリッジを形成する半導体スイッチング素子、
    前記半導体スイッチング素子の主面の一方が固定面に固定された筐体、
    前記半導体スイッチング素子を駆動する駆動回路が実装され、前記固定面に対して間隔をあけて対向配置された回路基板、および
    前記回路基板の前記固定面に対する対向面に配置された挿入ガイドを備え、
    前記半導体スイッチング素子の一側部から突き出たリード端子は、前記駆動回路を形成するパルストランスの高さに対応した長さを有して前記挿入ガイドに向かって延び、
    前記パルストランスは、前記半導体スイッチング素子の主面の他方に対向するように、前記対向面に配置されていることを特徴とする電力変換装置。
  4. 前記リード端子には、前記挿入ガイドに向かって延びる中間部分に、厚み方向に変形する変形部が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電力変換装置。
  5. 前記半導体スイッチング素子は、前記一側部の反対側の側部を互いに対向させて一列に並んで配置され、
    前記パルストランスは、前記駆動回路に電気的に接続される入力端子が設けられた面と、前記半導体スイッチング素子に電気的に接続される出力端子が設けられた面が、前記一列の並びと直交する方向においてそれぞれ反対側を向くように前記回路基板に配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電力変換装置。
  6. 前記固定面には、２対の前記半導体スイッチング素子が二列に並んで配置され、
    前記２対に対応し、前記回路基板には、前記パルストランスとして２つのパルストランスが、前記一列の並びと直交する方向に並んで配置されていることを特徴とする請求項５に記載の電力変換装置。
  7. 一端部が前記筐体に食い込み、他端部が前記主面の他方から前記回路基板に向かって突出して、前記半導体スイッチング素子を前記固定面に固定する固定用部材を備え、
    前記２つのパルストランスは、前記入力端子が設けられた面が互いに対向するように配置されていることを特徴とする請求項６に記載の電力変換装置。
  8. 前記回路基板は、厚み方向に複数の層が積層された多層基板であり、
    前記入力端子に電気的に接続された配線パターンは、前記厚み方向に沿った投影像が、前記出力端子に電気的に接続された配線パターンに対して離れるように配置されていることを特徴とする請求項５から７のいずれか１項に記載の電力変換装置。
  9. 前記対向面の裏側に配置された遮蔽板を備えたことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の電力変換装置。
  10. 複数の前記半導体スイッチング素子が、モジュールとして一体化していることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の電力変換装置。
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208686A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Fuji Electric Co Ltd パワ―モジュ―ルのパッケ―ジ構造
JP2004172422A (ja) * 2002-11-20 2004-06-17 Fujitsu Media Device Kk 立体構造基板及びその製造方法
JP2005123328A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Denso Corp 半導体装置
JP2008199721A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電源モジュール
JP2010080804A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd 電力変換装置
JP2013021799A (ja) * 2011-07-11 2013-01-31 Denso Corp スイッチング素子の駆動回路
JP2014039384A (ja) * 2012-08-14 2014-02-27 Hitachi Automotive Systems Ltd Ｄｃ−ｄｃコンバータ装置
JP2015043683A (ja) * 2013-07-24 2015-03-05 株式会社デンソー 電源装置
WO2018131385A1 (ja) * 2017-01-12 2018-07-19 株式会社村田製作所 Ｄｃ／ｄｃコンバータモジュール
JP2020047658A (ja) * 2018-09-14 2020-03-26 富士電機株式会社 半導体モジュール
WO2021044490A1 (ja) * 2019-09-02 2021-03-11 株式会社デンソー 電力変換器

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208686A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Fuji Electric Co Ltd パワ―モジュ―ルのパッケ―ジ構造
JP2004172422A (ja) * 2002-11-20 2004-06-17 Fujitsu Media Device Kk 立体構造基板及びその製造方法
JP2005123328A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Denso Corp 半導体装置
JP2008199721A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電源モジュール
JP2010080804A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd 電力変換装置
JP2013021799A (ja) * 2011-07-11 2013-01-31 Denso Corp スイッチング素子の駆動回路
JP2014039384A (ja) * 2012-08-14 2014-02-27 Hitachi Automotive Systems Ltd Ｄｃ−ｄｃコンバータ装置
JP2015043683A (ja) * 2013-07-24 2015-03-05 株式会社デンソー 電源装置
WO2018131385A1 (ja) * 2017-01-12 2018-07-19 株式会社村田製作所 Ｄｃ／ｄｃコンバータモジュール
JP2020047658A (ja) * 2018-09-14 2020-03-26 富士電機株式会社 半導体モジュール
WO2021044490A1 (ja) * 2019-09-02 2021-03-11 株式会社デンソー 電力変換器

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