JP2008199721A - 電源モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上記目的を達成するため本発明は、第1の放熱板8と、この第1の放熱板8に接合されたトランス9および半導体素子10、11と、トランス9に熱的に接合された第2の放熱板17とを備え、トランス9は、コア部12と、このコア部12を軸に磁界を発生させるコイル部13とを有し、第1の放熱板8は、コア部12と面接合されるとともに、第2の放熱板17は、コイル部13と熱的に面接合されているものとした。これにより本発明は、半導体素子10、11とトランス9とを一体化したモジュールにおいて、半導体素子10、11からコイル部13への熱伝導を抑制し、コイル部13の温度上昇を低減することができる。
【選択図】図1
Description
はじめに、本実施の形態における構造を説明する。
8 第1の放熱板
9 トランス
10 FET(半導体素子)
11 ダイオード(半導体素子)
12、12A、12B コア部
13 コイル部
14、14A、14B 中脚
15、15A、15B 背脚
16 ボビン
17 第2の放熱板
18 第1の接着層
19 リードフレーム
20 第2の接着層
21 第3の接着層
22 シャーシ
23 メイン基板
24 貫通孔
25 切欠き部
Claims (5)
- 第1の放熱板と、
この第1の放熱板に接合されたトランスおよび半導体素子と、
前記トランスに熱的に接合された第2の放熱板とを備え、
前記トランスは、
コア部と、
このコア部を軸に磁界を発生させるコイル部とを有し、
前記第1の放熱板は、前記コア部と面接合されるとともに、
前記第2の放熱板は、前記コイル部と熱的に面接合されている電源モジュール。 - 前記コア部は、
中脚と、
この中脚の両端に、それぞれこの中脚と略垂直方向に形成された背脚とを有し、
前記コイル部は、
前記中脚の外周であって前記背脚間に配置され、
前記第1の放熱板は、
前記背脚の一方と面接合されるとともに、
前記第2の放熱板は、
前記背脚の他方と前記コイル部との間で、このコイル部と熱的に面接合されている請求項1に記載の電源モジュール。 - 前記半導体素子と前記第1の放熱板の間には第1の接着層が形成され、
前記コア部と前記第1の放熱板の間には第3の接着層が形成され、
この第3の接着層は、前記第1の接着層よりも弾性率が小さいものとした請求項1または2に記載の電源モジュール。 - 前記半導体素子と前記第1の放熱板の間には第1の接着層が形成され、
前記コア部と前記コイル部の間には第2の接着層が形成され、
前記第1の接着層は、前記第2の接着層よりも熱伝導率が高いものとした請求項1から3のいずれか一つに記載の電源モジュール。 - 前記第1の放熱板と、この第1の放熱板と面接合される背脚との間の熱伝導率よりも、
前記第2の放熱板と、この第2の放熱板と対面する背脚との間の熱伝導率の方が低いものとした請求項2から4のいずれか一つに記載の電源モジュール。
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