JP2022131579A - 分析装置および分析方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】レーザの焦点調整のばらつきを抑制し、かつ、焦点調整を自動化することができる分析装置および分析方法を提供する。【解決手段】本実施形態による分析装置は、分析対象である分析試料および焦点を調整するために用いられる第１調整試料を搭載可能なステージを備える。レーザ生成部は、分析試料または第１調整試料に照射して該試料を気化するためのレーザ光を生成する。検出部は、レーザ光の照射によって気化された分析試料または第１調整試料の元素の信号強度を検出する。コントローラは、第１調整試料の信号強度に基づいて第１調整試料の表面位置に対するレーザ光の焦点位置を判断し、分析試料の表面にレーザ光の焦点位置を適合させるように制御する。【選択図】図１

Description

本実施形態は、分析装置および分析方法に関する。
ＬＡ－ＩＣＰ－ＭＳ（Laser Ablation-Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometer） 装置は、レーザアブレーション装置においてレーザ光の照射により試料を気化させ、この気化された試料をＩＣＰ－ＭＳ装置に導入し、試料に含まれるメタル元素の定量分析を行う。
一方、メモリセルを三次元配置した立体型メモリセルアレイは、複数の異種材料を積層した積層構造を有する。このような積層構造には、高アスペクト比を有するメモリホールが形成される。メモリの性能を向上させるためには、メモリホールを介してメタル元素を積層構造に成膜したりあるいは残留メタル元素を除去したりする必要がある。このとき、積層構造に含有されるメタル元素の濃度管理が重要であり、定量分析するためにＬＡ－ＩＣＰ－ＭＳ装置が用いられる場合がある。
このような積層構造の深さ方向における高精度な定量分析を実行するためには、アブレーションの深さ方向の制御が重要となる。アブレーションの深さは、レーザの焦点位置に強く依存するため、アブレーション前またはアブレーション中のレーザの焦点調整が重要となる。しかし、レーザの焦点調整の作業は、オペレータによる手作業によって行われており、測定ごとに焦点調整のばらつきがあった。この場合、積層構造の深さ方向の形状を正確に把握できず、積層構造に含有するメタル元素の正確なプロファイルを得ることが困難であった。
特開平９－１３３６１７号公報 特開平１１－２０１９４４号公報 特開平１１－０５１０９４号公報 特開２００４－３４７４７３号公報
レーザの焦点調整のばらつきを抑制し、かつ、焦点調整を自動化することができる分析装置および分析方法を提供する。
本実施形態による分析装置は、分析対象である分析試料および焦点を調整するために用いられる第１調整試料を搭載可能なステージを備える。レーザ生成部は、分析試料または第１調整試料に照射して該試料を気化するためのレーザ光を生成する。検出部は、レーザ光の照射によって気化された分析試料または第１調整試料の元素の信号強度を検出する。コントローラは、第１調整試料の信号強度に基づいて第１調整試料の表面位置に対するレーザ光の焦点位置を判断し、分析試料の表面にレーザ光の焦点位置を適合させるように制御する。
本実施形態によるＬＡ－ＩＣＰ－ＭＳ装置の構成例を示す図。 試料部の構成例を示す断面図。 レーザ生成部の出力とアブレーションレートとの関係を示すグラフ。 １回目の走査の様子を示す概念図。 ２回目の走査の様子を示す概念図。 アブレーションレートとＩＣＰ－ＭＳ測定によって得られる信号強度との関係を示すグラフ。 ＩＣＰ－ＭＳ測定によって得られる信号強度とレーザ光の焦点位置との関係を示すグラフ。 本実施形態によるレーザアブレーションを示すフロー図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料を用いたレーザ光の焦点位置の調整手法を示す概念図。 調整試料の本体と金属薄膜の信号強度を示すグラフ。 調整試料の本体と金属薄膜の信号強度を示すグラフ。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本実施形態によるＬＡ－ＩＣＰ－ＭＳ装置の構成例を示す図である。図２は、試料部９の構成例を示す断面図である。
分析装置としてのＬＡ－ＩＣＰ－ＭＳ装置１は、ＬＡ（Laser Ablation）部２と、ＩＣＰ－ＭＳ（Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometer）部３とを備えている。ＬＡ部２は、試料部９にレーザ光Ｌを照射してレーザアブレーションを行う。ＩＣＰ－ＭＳ部３は、ＬＡ部２で気化された試料をプラズマでイオン化して試料に含まれる元素の定量分析を行う。尚、図１において、レーザ光Ｌは破線矢印で示し、データや制御信号の流れは実線矢印で示している。
ＬＡ部２は、試料室４と、レーザ生成部５と、膜厚測定装置６と、コントローラ７と、ミラー１０，１１，１４，１８と、波長変換素子１２，１３と、レンズ１７とを備えている。試料室４ 内には分析対象の試料部９を搭載可能なステージ８が備えられている。
試料部９は、図２に示すように、分析試料９ａと、調整試料９ｂ＿１～９ｂ＿３と、支持部材９ｃとを備えている。分析試料９ａは、質量分析の対象となる試料であり、例えば、シリコンを主成分とする。調整試料９ｂ＿１～９ｂ＿３は、レーザ光Ｌの焦点位置を調整するために用いられる試料である。調整試料９ｂ＿１～９ｂ＿３は、分析試料９ａの主成分と同じ材料からなり、例えば、シリコン単結晶で構成されている。例えば、調整試料９ｂ＿１～９ｂ＿３は、所定の大きさに成形された本体（例えば、シリコン単結晶）９１と、その表面を被覆する金属薄膜（例えば、ニッケル）９２とを備えている。金属薄膜は、焦点位置Ｈｆの調整に用いられるシリコン単結晶に比較して無視できるほど薄く、プラズマ温度等のＩＣＰ－ＭＳ装置１のコンディションの異常を検出するために用いられる。金属薄膜には、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）等のイオン化ポテンシャルの低い金属材料が用いられる。
調整試料９ｂ＿１～９ｂ＿３は、ほぼ同一の大きさを有し、互いに表面位置（Ｚ方向の位置）が異なるように支持部材９ｃに搭載されている。支持部材９ｃは、数～数十平方センチメートルの平面領域における深さ加工精度が０．１μｍ以下とすることが可能な材料（例えば、金属材料）で構成されている。支持部材９ｃには、分析試料９ａ、調整試料９ｂ＿１～９ｂ＿３を搭載し固定する凹部が設けられている。例えば、分析試料９ａおよび調整試料９ｂ＿１は、支持部材９ｃの凹部に搭載されることによって、上面の高さがほぼ面一となる。調整試料９ｂ＿２は、支持部材９ｃの凹部に搭載されることによって、調整試料９ｂ＿１の上面よりも所定の深さ（厚み）の分だけ低くなっている。調整試料９ｂ＿３は、支持部材９ｃの凹部に搭載されることによって、調整試料９ｂ＿２の上面よりも所定の深さ（厚み）の分だけ低くなっている。所定の深さ（厚み）は、レーザ光Ｌの所定回数の照射によってアブレートされる分析試料９ａの深さ（厚み）にほぼ等しくなるように設定される。ステージ８は、支持部材９ｃを搭載し固定可能に構成されている。試料部９に設けられる調整試料９ｂ＿１～９ｂ＿３は、３つに限定せず、２つ以下または４つ以上であってもよい。尚、分析試料９ａおよび調整試料９ｂ＿１～９ｂ＿３を用いたレーザ光Ｌの焦点調整手法は後で説明する。
レーザ生成部としてのレーザ生成部５は、分析試料９ａ、調整試料９ｂ＿１～９ｂ＿３のいずれか（以下、試料９ａ等ともいう）に照射して試料９ａ等を気化するためのレーザ光を生成する。レーザ生成部５は、例えば、波長１０６４ｎｍのレーザ光を生成するＮｄ－ＹＡＧレーザを光源として搭載してもよい。ＬＡ部２において、レーザ生成部５から所定の波長（例えば、波長１０６４ｎｍ）で生成されたレーザ光は、ミラー１０，１１で反射され、波長変換素子１２へ入射する。
波長変換素子１２は、レーザ光の波長を５３２ｎｍ（２次高調波）に変換する。その後、波長変換素子１３は、レーザ光の波長を５３２ｎｍから２６６ｎｍ（３次高調波）に変換する。レーザ光を短波長とすることにより、レーザ光のエネルギを高め、より多くの物質に対してアブレーションを行うことが可能となる。
このように、レーザ光の波長は、波長変換素子１２で半減され、さらに波長変換素子１３で半減された後、ミラー１４、レンズ１７、ミラー１８を介して試料室４内の試料９ａ等へ照射される。レーザ光は、試料９ａ等に照射されて試料９ａ等をアブレーション（即ち、気化）する。
試料室４には、導入管１９および導出管２０が配管接続されている。導入管１９は、アルゴンガス等のキャリアガスを試料室４内に導入する。導出管２０の一端は、試料室４に接続され、他端はＩＣＰ－ＭＳ部３に接続されている。導出管２０は、レーザ光によって気化された試料９ａ等をキャリアガスとともに試料室４から導出し、ＩＣＰ－ＭＳ部３へ搬送する。即ち、レーザ光の照射によって気化された試料９ａ等は、導入管１９によって試料室４内へ導入されたキャリアガスとともに、導出管２０を介してＩＣＰ－ＭＳ部３へ搬送される。
検出部および演算部としてのＩＣＰ－ＭＳ部３は、プラズマトーチ２１と、質量分析部２４とを備え、試料９ａ等に含まれる分析対象の材料（元素）の含有量を特定するために、試料室４からのガスを定量分析する。プラズマトーチ２１は、導出管２０からキャリアガスとともに導入された試料部９をプラズマでイオン化する。質量分析部２４は、イオン化されたガスから試料９ａ等の物質のイオンのみを取り出して、気化された試料９ａ等の元素の信号強度（スペクトル）を検出するように構成されている。質量分析部２４は、試料９ａ等の物質のイオンを検出する検出部、並びに、イオンの検出結果に基づく定量分析を行う。また、質量分析部２４は、定量分析によって得られた結果データに基づいて演算を実行する演算部２５を含む。演算部２５には、例えば、コンピュータ等を用いればよい。また、本実施形態においてＩＣＰ－ＭＳ部３が用いられているが、ＩＣＰ－ＭＳ部３に代えて、ＩＣＰ－ＯＥＳ（ＩＣＰ－Optical Emission Spectrometer）を用いてもよい。この場合、ＩＣＰ－ＯＥＳ部は、気化された試料９ａ等から得られる光波長（スペクトル）に基づいて対象元素の含有量を特定する。対象元素は、例えば、シリコン、メタル等の元素である。
膜厚測定装置６は、レーザ光Ｌの照射位置における試料９ａ等の厚みを測定する。膜厚測定装置６は、ステージ８に埋め込まれており、ステージ８に対向する試料９ａ等の面に向かって設けられている。即ち、膜厚測定装置６は、試料９ａ等の裏面から試料９ａ等の膜厚を測定する。膜厚測定装置６は、例えば、超音波式測定器、分光干渉式測定器または電磁誘導式測定器のいずれでもよい。膜厚測定装置６は、試料９ａ等の膜厚を非破壊で測定可能な装置であれば、特に限定しない。また、本実施形態において、膜厚測定装置６は、試料９ａ等の裏面から膜厚を測定している。しかし、後述する変形例のように、膜厚測定装置６は、レーザ光Ｌと干渉しない限りにおいて、試料９ａ等の表面から試料９ａ等の膜厚を測定してもよい。
コントローラ７は、膜厚測定装置６からの試料９ａ等の厚みの測定値または定量分析の結果に基づいて、レーザ生成部５からのレーザ光Ｌの照射条件を制御する。照射条件は、例えば、レーザ光Ｌの強度、照射時間、照射回数（パルス数）、照射面積、レーザ光Ｌの焦点位置等である。例えば、レーザ光Ｌによる試料９ａ等の気化速度（以下、アブレーションレートともいう）を略一定にする場合、コントローラ７は、試料９ａ等の厚みの変化が略一定となるようにレーザ光Ｌの照射条件を制御する。例えば、アブレーションレートが低すぎる場合には、コントローラ７は、レーザ光Ｌの強度、照射時間、照射回数（パルス数）、照射面積を増大させる。アブレーションレートが高すぎる場合には、コントローラ７は、レーザ光Ｌの強度、照射時間、照射回数（パルス数）、照射面積を低下させる。
一方、アブレーションレートは、試料部９の気化される表面位置（高さ：Ｚ方向の位置）に対するレーザ光Ｌの焦点位置（高さ：Ｚ方向の位置）にも依存する。レーザ光Ｌの焦点位置が試料９ａ等の表面位置にほぼ一致している場合には、アブレーションレートは大きくなり、かつ、安定する。しかし、レーザ光Ｌの焦点位置が試料９ａ等の表面位置から大きくずれている場合には、アブレーションレートは小さくなり、不安定になる。従って、コントローラ７は、アブレーションレートを安定化させるために、アブレーションを所定回数実行するごとに、アブレートされた試料９ａ等の深さに基づいて、試料部９の表面に対するレーザ光Ｌの焦点位置を調整する。試料９ａ等の表面に対するレーザ光Ｌの焦点位置を制御するために、コントローラ７は、レーザ生成部５を制御してレーザ光Ｌの焦点のＺ方向の位置（高さ）を制御してもよく、あるいは、ステージ８のＺ方向の位置（高さ）を制御してもよい。尚、Ｚ方向は、試料９ａ等に対してレーザ光Ｌを照射する方向である。
コントローラ７は、例えば、パーソナルコンピュータで構成してもよく、あるいは、ＣＰＵ等の半導体チップで構成してもよい。コントローラ７は、ＬＡ部２に含まれていてもよいが、ＬＡ部２とは別体に設けられていてもよい。さらに、コントローラ７は、ＩＣＰ－ＭＳ部３に設けられていてもよい。
レーザ光Ｌにより試料９ａを走査するための焦点Ｆの調整を、オペレータによる手作業で行う場合、オペレータのスキルに応じて、レーザ光Ｌの焦点Ｆの位置がばらつくおそれがある。また、分析の過程で、試料９ａの表面がアブレーションによって削られると、レーザ光Ｌの焦点Ｆの位置が、試料９ａの表面からずれる場合がある。例えば、図３Ａは、レーザ生成部５の出力Ｗ５とアブレーションレートＲａｂとの関係を示すグラフである。縦軸は、アブレーションレートＲａｂを示し、横軸は、レーザ生成部５の出力Ｗ５を示す。アブレーションレートＲａｂは、レーザ光Ｌを所定回数照射したときにアブレートされる材料（例えば、シリコン単結晶）の深さ（厚み）である。また、ラインＬ１、Ｌ２は、それぞれレーザ光Ｌによる１回目の走査と２回目の走査に対応している。ＬＡ－ＩＣＰ－ＭＳ装置１およびその他の条件は同じである。
ラインＬ１、Ｌ２に示すように、同一の出力Ｗ５に対して、アブレーションレートＲａｂは異なっている。このラインＬ１、Ｌ２におけるアブレーションレートＲａｂの差は、１回目の走査における試料９ａの表面位置と２回目の走査における試料９ａの表面位置が若干ずれるために生じる。例えば、図３Ｂは、１回目の走査の様子を示す概念図である。図３Ｃは、２回目の走査の様子を示す概念図である。図３Ｂに示すように、１回目の走査によって試料９ａの表面をレーザ光Ｌで複数回照射する場合、それにより、試料９ａの表面が削られる。その結果、図３Ｃに示すように、２回目の走査では、１回目の走査と比べて、試料９ａの表面とレーザ光Ｌの焦点Ｆとの相対位置が異なっている。これにより、アブレーションレートＲａｂが相違してしまう。
図４は、アブレーションレートＲａｂとＩＣＰ－ＭＳ測定によって得られる信号強度Ｉｓとの関係を示すグラフである。縦軸は、例えば、ＩＣＰ－ＭＳ測定で検出されたシリコンの信号強度Ｉｓを示す。横軸は、シリコンのアブレーションレートＲａｂを示す。このグラフから、アブレーションレートＲａｂと信号強度Ｉｓとは、相関関係にあり、ほぼ比例している。即ち、アブレーションレートＲａｂは、信号強度Ｉｓを用いて判断可能であることが分かる。
図５は、ＩＣＰ－ＭＳ測定によって得られる信号強度Ｉｓとレーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆとの関係を示すグラフである。縦軸は、例えば、ＩＣＰ－ＭＳ測定で検出されたシリコンの信号強度Ｉｓを示す。横軸は、試料９ａ等のシリコンの表面位置に対するレーザ光Ｌの焦点の相対位置Ｈｆを示す。以下、試料９ａ等の表面位置に対するレーザ光Ｌの焦点の相対位置は、単に、焦点位置Ｈｆとも呼ぶ。信号強度Ｉｓ（即ち、アブレーションレートＲａｂ）は、焦点位置Ｈｆに依存して変動し、或る焦点位置Ｈｆの範囲においてピーク領域Ｐ１を有する。信号強度Ｉｓのピーク領域Ｐ１は、焦点位置Ｈｆが試料９ａ等の表面位置とほぼ一致（適合）した状態を示している。ピーク領域Ｐ１は、信号強度Ｉｓの最大値（ピーク点）を含む或る範囲の信号強度Ｉｓを示す。ここで、適合とは、レーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆと試料９ａ等の表面位置とが完全一致することだけでなく、試料９ａ等の表面位置が焦点位置Ｈｆの或る範囲に含まれることを意味する。
信号強度Ｉｓのピーク領域Ｐ１から外れた領域において、信号強度Ｉｓは比較的大きな傾きで変動する。即ち、焦点位置Ｈｆのばらつきによって、信号強度Ｉｓの変動は比較的大きい。一方、信号強度Ｉｓの傾きは、ピーク領域Ｐ１の前後において変局しており、ピーク領域Ｐ１内において、信号強度Ｉｓは、それ以外の領域と比較して安定している。従って、ピーク領域Ｐ１内では、焦点位置Ｈｆのばらつきによって、信号強度Ｉｓの変動は比較的小さい。よって、信号強度Ｉｓがピーク領域Ｐ１内に入るように焦点位置Ｈｆを調整することによって、焦点位置Ｈｆのばらつきによる信号強度Ｉｓの変動を比較的小さく抑えることができる。
このような信号強度Ｉｓと焦点位置Ｈｆとの関係を利用して、本実施形態によるＩＣＰ－ＭＳ装置１は、以下のように焦点位置Ｈｆを分析試料９ａに適合させレーザアブレーションを実行する。
図６は、本実施形態によるレーザアブレーションを示すフロー図である。以下、試料９ａ等の主成分がシリコンであり、調整試料９ｂ＿１の金属薄膜がニッケルであるとして説明を進める。
まず、分析試料９ａおよび調整試料９ｂ＿１～９ｂ＿３を有する試料部９をステージ８上に設置する（Ｓ１０）。
次に、レーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆを変更しながら、調整試料９ｂ＿１（ｋ＝１）のアブレーションおよび信号強度の測定を実行する（Ｓ２０）。図７Ａ～図７Ｆは、調整試料９ｂ＿１を用いたレーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆの調整手法を示す概念図である。図７Ａ～図７Ｆに示すように、レーザ光Ｌの焦点Ｆと調整試料９ｂ＿１の表面とのＺ方向における相対位置を変更しながら、調整試料９ｂ＿１のアブレーションを実行する。
例えば、図７Ａに示す焦点Ｆの位置において、コントローラ７は、レーザ光Ｌを調整試料９ｂ＿１の表面で走査させる。これとともに、ＩＣＰ－ＭＳ部３が、調整試料９ｂ＿１からアブレートされた元素の信号強度を測定する。調整試料９ｂ＿１の金属薄膜（例えば、ニッケル）は、上述の通り、非常に薄い。従って、装置１のコンディションが正常であれば、焦点Ｆの位置が調整試料９ｂ＿１の表面位置から或る程度ずれていても短時間でアブレートされる。一方、金属薄膜の下の試料材料（例えば、シリコン）は、焦点Ｆが調整試料９ｂ＿１の表面位置からずれると、信号強度（アブレーションレート）に影響する。図７Ａに示すように、焦点Ｆが調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１から大きくずれている場合、調整試料９ｂ＿１のシリコンの信号強度は非常に低くなる。図５の信号強度Ｉｓのピーク領域Ｐ１の最大値に対するニッケルおよびシリコンの信号強度の比率（以下、信号強度比率ともいう）は、それぞれ約１および約０となる。即ち、この場合、ニッケルのアブレーションレートは最大値にほぼ等しい一方、シリコンのアブレーションレートはほぼ０である。
次に、ステージ８の高さ（Ｚ方向の位置）を変更し、調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１に対するレーザ光Ｌの焦点の相対位置を変更する。図７Ｂに示す焦点Ｆの位置において、コントローラ７は、レーザ光Ｌを調整試料９ｂ＿１の表面で走査させる。このとき、コントローラ７は、レーザ光Ｌを図７Ａの走査位置からＸまたはＹ方向にずらし、まだレーザ光Ｌを走査させていない調整試料９ｂ＿１の表面領域を走査させる。これにより、装置１は、焦点Ｆの相対位置を変更しつつ図７Ａのときと同じコンディションのもと、調整試料９ｂ＿１のニッケルおよびシリコンを再度アブレートする。図７Ｂに示すように、焦点Ｆが調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１に近づいているものの、依然としてずれている。この場合、調整試料９ｂ＿１のシリコンの信号強度は或る程度大きくなるものの、依然として低い。ニッケルおよびシリコンの信号強度比率は、それぞれ約１および約０．４となる。
次に、ステージ８の高さ（Ｚ方向の位置）を変更し、調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１に対するレーザ光Ｌの焦点の相対位置をさらに変更する。図７Ｃに示す焦点Ｆの位置において、コントローラ７は、レーザ光Ｌを調整試料９ｂ＿１の表面で走査させる。このとき、コントローラ７は、レーザ光Ｌを図７Ａおよび図７Ｂの走査位置からＸまたはＹ方向にずらし、まだレーザ光Ｌを走査させていない調整試料９ｂ＿１の表面領域を走査させる。これにより、装置１は、焦点Ｆの相対位置を変更しつつ図７Ａおよび図７Ｂのときと同じコンディションのもと、調整試料９ｂ＿１のニッケルおよびシリコンを再度アブレートする。図７Ｃに示すように、焦点Ｆが調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１に入ると、調整試料９ｂ＿１のシリコンの信号強度は大きくなる。ニッケルおよびシリコンの信号強度比率は、それぞれ約１および約０．８となる。
次に、ステージ８の高さ（Ｚ方向の位置）を変更し、調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１に対するレーザ光Ｌの焦点の相対位置をさらに変更する。図７Ｄに示す焦点Ｆの位置において、コントローラ７は、レーザ光Ｌを調整試料９ｂ＿１の表面で走査させる。このとき、コントローラ７は、レーザ光Ｌを図７Ａ～図７Ｃの走査位置からＸまたはＹ方向にずらし、まだレーザ光Ｌを走査させていない調整試料９ｂ＿１の表面領域を走査させる。これにより、装置１は、焦点Ｆの相対位置を変更しつつ図７Ａ～図７Ｃのときと同じコンディションのもと、調整試料９ｂ＿１のニッケルおよびシリコンを再度アブレートする。図７Ｄに示すように、焦点Ｆの中心が調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１にほぼ一致すると、調整試料９ｂ＿１のシリコンの信号強度は、ほぼ最大値になる。ニッケルおよびシリコンの信号強度比率は、それぞれ約１および約１となる。即ち、この場合、ニッケルおよびシリコンのアブレーションレートはともにほぼ最大値となる。
次に、ステージ８の高さ（Ｚ方向の位置）を変更し、調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１に対するレーザ光Ｌの焦点の相対位置をさらに変更する。図７Ｅに示す焦点Ｆの位置において、コントローラ７は、レーザ光Ｌを調整試料９ｂ＿１の表面で走査させる。このとき、コントローラ７は、レーザ光Ｌを図７Ａ～図７Ｄの走査位置からＸまたはＹ方向にずらし、まだレーザ光Ｌを走査させていない調整試料９ｂ＿１の表面領域を走査させる。これにより、装置１は、焦点Ｆの相対位置を変更しつつ図７Ａ～図７Ｄのときと同じコンディションのもと、調整試料９ｂ＿１のニッケルおよびシリコンを再度アブレートする。図７Ｅに示すように、調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１は焦点Ｆの範囲にまだ入っているものの、焦点Ｆの中心が調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１からずれていくと、調整試料９ｂ＿１のシリコンの信号強度は最大値からまた低下していく。ニッケルおよびシリコンの信号強度比率は、それぞれ約１および約０．８となる。
次に、ステージ８の高さ（Ｚ方向の位置）を変更し、調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１に対するレーザ光Ｌの焦点の相対位置をさらに変更する。図７Ｆに示す焦点Ｆの位置において、コントローラ７は、レーザ光Ｌを調整試料９ｂ＿１の表面で走査させる。このとき、コントローラ７は、レーザ光Ｌを図７Ａ～図７Ｅの走査位置からＸまたはＹ方向にずらし、まだレーザ光Ｌを走査させていない調整試料９ｂ＿１の表面領域を走査させる。これにより、装置１は、焦点Ｆの相対位置を変更しつつ図７Ａ～図７Ｅのときと同じコンディションのもと、調整試料９ｂ＿１のニッケルおよびシリコンを再度アブレートする。図７Ｆに示すように、焦点Ｆが調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１から大きくずれると、調整試料９ｂ＿１のシリコンの信号強度はさらに低下する。ニッケルおよびシリコンの信号強度比率は、それぞれ約１および約０．６となる。
ここで、シリコンの信号強度比率の閾値を０．８とする。即ち、シリコンの信号強度の閾値を信号強度の最大値×０．８とする。この場合、シリコンの信号強度比率が０．８以上であるときに、演算部２５は、調整試料９ｂ＿１の表面Ｈ９ｂ＿１がピーク領域Ｐ１に入っており、焦点Ｆが調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１に適合している（ほぼ一致している）と判断する。換言すると、シリコンの信号強度が信号強度の最大値×０．８以上であるときに、演算部２５は、調整試料９ｂ＿１の表面Ｈ９ｂ＿１がピーク領域Ｐ１に入っており、焦点Ｆが調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１に適合している（ほぼ一致している）と判断する。調整試料９ｂ＿１の表面Ｈ９ｂ＿１がピーク領域Ｐ１に入っているとき、図５において、焦点位置Ｈｆは、ピーク領域Ｐ１の範囲内にある。例えば、図７Ｃ、図７Ｄおよび図７Ｅの状態のときに、演算部２５は、焦点Ｆが調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１に適合していると判断し、図７Ａおよび図７Ｆの状態のときに、焦点Ｆは調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１に適合していないと判断する。これにより、信号強度Ｉｓが閾値以上である焦点位置Ｈｆの範囲が判明する。
次に、コントローラ７は、分析試料９ａの表面が焦点位置Ｈｆの範囲に入るように、ステージ８のＺ方向の高さを調節する（Ｓ３０）。即ち、コントローラ７は、焦点位置Ｈｆが図５のピーク領域Ｐ１内に入るように、ステージ８のＺ方向の高さを調節する。このとき、分析試料９ａの表面が調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１とほぼ同じ高さ位置である場合、コントローラ７は、ステージ８の高さを変更することなく、Ｘ－Ｙ面内でレーザ生成部５を分析試料９ａへ平行移動させて、そのままの高さで分析試料９ａのアブレーションを実行してよい。分析試料９ａの表面が調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１から所定値だけ異なる高さ位置にある場合、コントローラ７は、Ｘ－Ｙ面内でレーザ生成部５を分析試料９ａへ平行移動させ、ステージ８の高さを所定値だけ自動で変更して調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿１を焦点Ｆに適合させる。その後、装置１は、分析試料９ａのアブレーションを実行する。これにより、装置１は、レーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆを分析試料９ａの表面に自動で適合させた（ほぼ一致させた）状態で分析試料９ａをアブレートすることができる。装置１は、分析試料９ａをアブレートし、分析試料９ａに含まれる元素の信号強度を測定する。そして、ＩＣＰ－ＭＳ部３が分析試料９ａの元素の信号強度に基づいて分析試料９ａを分析する。
次に、装置１は、分析試料９ａのアブレーションおよび信号強度の測定を所定回数繰り返す（Ｓ４０）。アブレーションを繰り返すと、分析試料９ａの表面が削られ、分析試料９ａの表面の高さが少しずつ低くなる。このとき、アブレーションレート（例えば、レーザ光Ｌの１回の走査でアブレートされる分析試料９ａの厚み）は、図４に示すように、ピーク領域Ｐ１の信号強度Ｉｓに対応するＲ１となる。アブレーションレートＲ１は、ピーク領域Ｐ１の信号強度Ｉｓに対応するので、比較的安定している。従って、焦点位置Ｈｆは変更しないが、アブレーションは、レーザ光Ｌの焦点Ｆが分析試料９ａの表面に適合した状態で実行され得る。また、アブレートされる分析試料９ａの深さは、アブレーションの回数に依存し、予測可能である。
しかし、アブレーションの回数を所定回数よりもさらに増大させると、分析試料９ａの表面位置がさらに深くなり（Ｚ方向にさらに低下し）、レーザ光Ｌの焦点Ｆの位置が分析試料９ａの表面から次第にずれてくる。この場合、上述の通り、アブレーションレートが変化しやすくなり、不安定となる。
そこで、本実施形態では、アブレーションを所定回数繰り返した後、次の調整試料９ｂ＿２（ｋ＝２）を用いて、レーザ光Ｌの焦点Ｆの位置が分析試料９ａの表面に適合しているか否かを判断する（Ｓ５０のＹＥＳ、Ｓ６０）。より詳細には、ステージ８の高さおよびレーザ光Ｌの焦点Ｆの高さを変更することなく、レーザ光Ｌで調整試料９ｂ＿２をアブレートし、シリコンの信号強度を測定する。このとき、ステップＳ２０と同様に、演算部２５は、シリコンの信号強度比率を演算する。尚、アブレーションを所定回数実行してアブレートされる分析試料９ａの厚み（深さ）は、上述の通り予測可能である。従って、調整試料９ｂ＿２の表面位置Ｈ９ｂ＿２は、アブレーションを所定回数繰り返した後の分析試料９ａの表面位置にほぼ一致させるように配置される。即ち、第１調整試料９ｂ＿１（即ち、分析試料９ａ）と第２調整試料９ｂ＿２との表面の高さの差は、レーザ光Ｌを分析試料９ａに所定回数照射したときに気化される分析試料９ａの厚み（Ｈ９ｂ＿１とＨ９ｂ＿２との差）にほぼ等しい。
調整試料９ｂ＿２をアブレートした結果、シリコンの信号強度比率が閾値（例えば、０．８）以上である場合、即ち、シリコンの信号強度が信号強度の最大値×０．８以上である場合、演算部２５は、レーザ光Ｌの焦点Ｆが調整試料９ｂ＿２、即ち、分析試料９ａの表面位置に依然として適合していると判断する（Ｓ５０のＹＥＳ）。この場合、ステージ８に対するレーザ光Ｌの焦点Ｆの高さ位置は変更せずに、装置１は、分析試料９ａのアブレーションおよび信号強度の測定を継続する（Ｓ４０）。
シリコンの信号強度比率が閾値（例えば、０．８）より小さい場合、即ち、シリコンの信号強度が信号強度の最大値×０．８未満である場合、演算部２５は、レーザ光Ｌの焦点Ｆが調整試料９ｂ＿１の表面位置Ｈ９ｂ＿２、即ち、分析試料９ａの表面位置に適合していないと判断する（Ｓ５０のＹＥＳ、Ｓ６０のＮＯ）。この場合、装置１は、調整試料９ｂ＿２（ｋ＝２）を用いて、レーザ光Ｌの焦点Ｆと調整試料９ｂ＿２の表面とのＺ方向における相対位置を変更しながら、アブレーションおよび信号強度の測定を実行する（Ｓ２０）。
図８Ａ～図８Ｆは、調整試料９ｂ＿２を用いたレーザ光Ｌの焦点位置Ｆの調整手法を示す概念図である。調整試料９ｂ＿２を用いたアブレーションおよび信号強度の測定は、ステップＳ２０と調整試料が異なるだけで、その手法は同様である。従って、ここでは、調整試料９ｂ＿２を用いたアブレーションおよび信号強度の測定の詳細な説明を省略する。
例えば、シリコンの信号強度比率の閾値を０．８とする。この場合、シリコンの信号強度比率が０．８以上であるときに、演算部２５は、調整試料９ｂ＿２の表面Ｈ９ｂ＿２がピーク領域Ｐ１に入っており、焦点Ｆが調整試料９ｂ＿２の表面位置Ｈ９ｂ＿２に適合していると判断する。換言すると、シリコンの信号強度が信号強度の最大値×０．８以上であるときに、演算部２５は、焦点Ｆが調整試料９ｂ＿２の表面位置Ｈ９ｂ＿２に適合していると判断する。例えば、図８Ｃ、図８Ｄおよび図８Ｅの状態のときに、演算部２５は、焦点Ｆが調整試料９ｂ＿２の表面位置Ｈ９ｂ＿２に適合していると判断し、図８Ａおよび図８Ｆの状態のときに、焦点Ｆは調整試料９ｂ＿２の表面位置Ｈ９ｂ＿２に適合していないと判断する。これにより、信号強度Ｉｓが閾値以上である焦点位置Ｈｆの範囲が判明する。なお、閾値は０．８に限られず、例えば０．７や０．９であってもよい。また、演算部２５は、例えば、シリコンの信号強度比率が閾値を超えた後、再び閾値未満になったときに、焦点Ｆが調整試料９ｂ＿２の表面位置Ｈ９ｂ＿２に適合していると判断してもよい。
次に、コントローラ７は、ステップＳ３０～Ｓ５０を再度実行する。このとき、ステップＳ３０において、分析試料９ａの表面が焦点位置Ｈｆに入るようにステージ８の高さを調節し、ステップＳ４０において、アブレーションを所定回数繰り返す。その後、ステップＳ５０において、調整試料９ｂ＿３（ｋ＝３）を用いて、レーザ光Ｌの焦点Ｆの位置が分析試料９ａの表面位置に適合しているか否かを判断する（Ｓ６０）。ステップＳ６０において、レーザ光Ｌの焦点Ｆが分析試料９ａの表面位置に適合していると判断されると（、Ｓ５０のＹＥＳ、Ｓ６０のＹＥＳ）、ステージ８に対するレーザ光Ｌの焦点Ｆの高さ位置は変更せずに、装置１は、分析試料９ａのアブレーションおよび信号強度の測定を継続する。
ステップＳ５０において、レーザ光Ｌの焦点Ｆが分析試料９ａの表面位置に適合していないと判断されると（Ｓ５０のＹＥＳ、Ｓ６０のＮＯ）、装置１は、調整試料９ｂ＿３（ｋ＝３）を用いて、レーザ光Ｌの焦点Ｆと調整試料９ｂ＿３の表面とのＺ方向における相対位置を変更しながら、アブレーションおよび信号強度の測定を実行する（Ｓ２０）。
図９Ａ～図９Ｆは、調整試料９ｂ＿３を用いたレーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆの調整手法を示す概念図である。調整試料９ｂ＿３を用いたアブレーションおよび信号強度の測定は、ステップＳ２０と調整試料が異なるだけで、その手法は同様である。従って、ここでは、調整試料９ｂ＿３を用いたアブレーションおよび信号強度の測定の詳細な説明を省略する。
例えば、シリコンの信号強度比率の閾値を０．８とする。この場合、シリコンの信号強度比率が０．８以上であるときに、演算部２５は、調整試料９ｂ＿３の表面Ｈ９ｂ＿３がピーク領域Ｐ１に入っており、焦点Ｆが調整試料９ｂ＿３の表面位置Ｈ９ｂ＿３に適合している（ほぼ一致している）と判断する。換言すると、シリコンの信号強度が信号強度の最大値×０．８以上であるときに、演算部２５は、焦点Ｆが調整試料９ｂ＿３の表面位置Ｈ９ｂ＿３に適合していると判断する。この場合、例えば、図９Ｃ、図９Ｄおよび図９Ｅの状態のときに、演算部２５は、焦点Ｆが調整試料９ｂ＿３の表面位置Ｈ９ｂ＿３に適合していると判断し、図９Ａおよび図９Ｆの状態のときに、焦点Ｆは調整試料９ｂ＿３の表面位置Ｈ９ｂ＿３に適合していないと判断する。これにより、信号強度Ｉｓが閾値以上である焦点位置Ｈｆの範囲が判明する。
次に、コントローラ７は、ステップＳ３０～Ｓ５０を再度実行する。このとき、ステップＳ３０において、分析試料９ａの表面が焦点位置Ｈｆに入るようにステージ８の高さを調節し、ステップＳ４０において、アブレーションを所定回数繰り返す。
本実施形態では、調整試料９ｂ＿４以降の調整資料が設けられていないので、ステップＳ５０においてＮＯとなり、処理は終了する。
尚、試料部９に搭載される調整試料の個数は任意でよい。装置１は、調整試料９ｂ＿ｋを用いて焦点Ｆの位置を調整した後、分析試料９ａのアブレーションを所定回数実行するごとに、ｋをインクリメントして調整試料９ｂ＿ｋを用いて焦点Ｆが分析試料９ａの表面位置に適合しているか否かを判断する。
調整試料９ｂ＿ｋが無くなった場合（Ｓ５０のＮＯ）には、アブレーションおよび信号強度の測定を終了する。
一般化すると、試料部９は、上面の高さが第（ｋ-１）調整試料（ｋは２以上の整数）よりも低い第ｋ調整試料を搭載する。第（ｋ-１）調整試料を用いてレーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆを調整した後、分析試料９ａにレーザ光Ｌを所定回数照射する。その後、コントローラ７は、第ｋ調整試料の信号強度と該信号強度の最大値との比率が閾値（例えば、０．８）以上、あるいは、第ｋ調整試料の信号強度が閾値（例えば、信号強度の最大値×０．８）以上であるか否かに基づいて、分析試料９ａの表面位置とレーザ光Ｌの焦点位置とが適合しているか否かを判断する。
尚、第（ｋ-１）調整試料９ｂ＿（ｋ-１）と第ｋ調整試料９ｂ＿ｋとの表面の高さの差は、第（ｋ-１）調整試料９ｂ＿（ｋ-１）の表面にレーザ光Ｌの焦点位置を適合させた後に、レーザ光Ｌを分析試料９ａに所定回数照射したときに気化される該分析試料９ａの厚み（Ｈ９ｂ＿（ｋ-１）とＨ９ｂ＿ｋとの差）にほぼ等しく設定される。
第ｋ調整試料の信号強度と該信号強度の最大値との比率が閾値以上、あるいは、第ｋ調整試料の信号強度が閾値以上である場合、コントローラ７は、分析試料９ａの表面位置とレーザ光Ｌの焦点位置とが適合していると判断し、そのまま分析試料９ａのアブレーションを継続する。一方、該比率が閾値未満、あるいは、第ｋ調整試料の信号強度が閾値未満である場合、コントローラ７は、分析試料９ａの表面位置とレーザ光Ｌの焦点位置とが適合していないと判断する。この場合、第ｋ調整試料を用いて、ステップＳ２０以降を再度実行する。これにより、分析試料９ａの表面位置とレーザ光Ｌの焦点位置とが再調整されて、分析試料９ａの表面位置とレーザ光Ｌの焦点位置とを適合した状態で分析試料９ａのアブレーションを実行することができる。
以上のように本実施形態によるＩＣＰ－ＭＳ装置１は、分析試料９ａだけでなく、調整試料９ｂ＿１～９ｂ＿３をステージ８上に搭載し、調整試料９ｂ＿１の信号強度に基づいてレーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆを判断する。調整試料９ｂ＿１のＺ方向の表面位置は、分析試料９ａのそれと同じかあるいは所定値の差とする。これにより、ＩＣＰ－ＭＳ装置１は、分析試料９ａの表面にレーザ光Ｌの焦点位置を正確にかつ自動で適合させて、分析試料９ａのアブレーションおよび信号強度の測定を実行することができる。つまり、装置１は、信号強度の最大値（ピーク領域Ｐ１）を用いて分析試料９ａをアブレートすることができる。その結果、分析試料９ａの表面に対するレーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆのばらつきが抑制され得る。
また、本実施形態によれば、レーザ光Ｌを分析試料９ａに所定回数照射するごとに、コントローラ７は、調整試料９ｂ＿２等を用いて、分析試料９ａの表面位置とレーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆとが適合しているか否かを判断する。分析試料９ａの表面位置とレーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆとが適合していない場合には、コントローラ７は、調整試料９ｂ＿２の信号強度を用いてレーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆを再度判断し、分析試料９ａの表面に焦点位置Ｈｆを適合させる。これにより、分析試料９ａの表面位置がアブレーションによってＺ方向に低下しても、分析試料９ａの表面にレーザ光Ｌの焦点位置を周期的に適合させることができる。従って、分析試料９ａの表面位置がＺ方向に変化しても、分析試料９ａのアブレーションレートを安定化することができる。
次に、装置１のコンディションとレーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆとの相違について説明する。
図１０Ａおよび図１０Ｂは、調整試料９ｂ＿ｋの本体９１と金属薄膜９２の信号強度を示すグラフである。縦軸は、信号強度を示し、横軸は、レーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆを調整してからのアブレーション回数ｔを示している。アブレーション回数ｔは、アブレーション時間、あるいは、レーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆの判断回数であってもよい。
図１０Ａでは、本体９１としてのシリコンの信号強度Ｉｓがアブレーション回数によって低下している。一方、金属薄膜９２としてのニッケルの信号強度Ｉｓがアブレーション回数によって変化していない。
これは、アブレーションによって本体９１が削られ、レーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆが本体９１の表面位置から次第にずれていることを意味する。即ち、レーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆが本体９１の表面位置からずれ、本体９１の信号強度（アブレーションレート）が低下している。一方、金属薄膜（例えば、ニッケル）９２は、上述の通り、非常に薄くかつアブレートされやすい。従って、レーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆが金属薄膜９２の表面位置から或る程度ずれていてもすぐにアブレートされ、ほぼ等しい信号強度（アブレーションレート）が得られる。
このように、本体９１の信号強度が変化し、金属薄膜９２の信号強度が変化しない場合、レーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆが本体９１の表面位置から次第にずれていると判断できる。
これに対し、図１０Ｂでは、本体９１としてのシリコンおよび金属薄膜９２としてのニッケルの信号強度Ｉｓがともにアブレーション回数によって低下している。これは、レーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆが本体９１の表面位置からずれているだけでなく、レーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆ以外の装置１のコンディションが変化していることを示す。例えば、試料室４内のキャリアガス流量の変化、ＩＣＰ－ＭＳ部３のプラズマ温度変化、レンズ系の汚れ、または、検出器劣化等が考えられる。このように、レーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆのずれと、焦点位置Ｈｆ以外の装置１のコンディションの変化とを区別することができる。
勿論、レーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆがニッケルをアブレートできないほどずれた場合には、ニッケルのアブレーションレートも維持できず低下する。しかし、レーザ光Ｌの焦点位置Ｈｆの調整後、分析試料９ａのアブレーションによって、焦点位置Ｈｆがニッケルをアブレートできないほど分析試料９ａが削られることは稀と考えられる。
このように、調整試料９ｂ＿ｋが本体９１の表面に金属薄膜９２を有することによって、ＩＣＰ－ＭＳ装置１が正常に動作しているか否かの判断も行うことができる。
本実施形態による分析方法の少なくとも一部は、ハードウェアで構成してもよいし、ソフトウェアで構成してもよい。ソフトウェアで構成する場合には、分析方法の少なくとも一部の機能を実現するプログラムをフレキシブルディスクやＣＤ－ＲＯＭ等の記録媒体に収納し、コンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。また、分析方法の少なくとも一部の機能を実現するプログラムを、インターネット等の通信回線（無線通信も含む）を介して頒布してもよい。さらに、同プログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布してもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
１ ＬＡ－ＩＣＰ－ＭＳ装置、２ ＬＡ部、３ ＩＣＰ－ＭＳ、４ 試料室、５ レーザ生成部、６ 膜厚測定装置、７ コントローラ、８ ステージ、９ 試料部、１０，１１，１４，１８ ミラー、１２，１３ 波長変換素子、１７ レンズ、１９ 導入管、２０ 導出管、２５ 演算部、９ａ 分析試料、９ｂ＿１～９ｂ＿３ 調整試料、

Claims (7)

  1. 分析対象である分析試料および焦点を調整するために用いられる第１調整試料を搭載可能なステージと、
    前記分析試料または前記第１調整試料に照射して該試料を気化するためのレーザ光を生成するレーザ生成部と、
    前記レーザ光の照射によって気化された前記分析試料または前記第１調整試料の元素の信号強度を検出する検出部と、
    前記第１調整試料の前記信号強度に基づいて前記第１調整試料の表面位置に対する前記レーザ光の焦点位置を判断し、前記分析試料の表面に前記レーザ光の焦点位置を適合させるように制御するコントローラとを備える分析装置。
  2. 前記第１調整試料の前記信号強度と該信号強度の最大値との第１比率が閾値以上、あるいは、前記第１調整試料の前記信号強度が閾値以上である場合、前記コントローラは、前記第１調整試料の表面位置と前記レーザ光の焦点位置とが適合していると判断する、請求項１に記載の分析装置。
  3. 前記ステージは、焦点を調整するために用いられ上面の高さが前記第１調整試料よりも低い第２調整試料を搭載し、
    前記分析試料に前記レーザ光を所定回数照射した後に、前記コントローラは、前記第２調整試料の前記信号強度と該信号強度の最大値との第２比率が閾値以上、あるいは、前記第２調整試料の前記信号強度が閾値以上であるか否かに基づいて、前記分析試料の表面位置と前記レーザ光の焦点位置とが適合しているか否かを判断する、請求項２に記載の分析装置。
  4. 前記第２比率が閾値以上、あるいは、前記第２調整試料の前記信号強度が閾値以上である場合、前記コントローラは、前記分析試料の表面位置と前記レーザ光の焦点位置とが適合していると判断し、
    前記第２比率が閾値未満、あるいは、前記第２調整試料の前記信号強度が閾値未満である場合、前記コントローラは、前記分析試料の表面位置と前記レーザ光の焦点位置とが適合していないと判断する、請求項３に記載の分析装置。
  5. 前記ステージは、焦点を調整するために用いられ上面の高さが第（ｋ-１）調整試料（ｋは３以上の整数）よりも低い第ｋ調整試料を搭載し、
    前記分析試料に前記レーザ光を所定回数照射した後に、前記コントローラは、前記第ｋ調整試料の前記信号強度と該信号強度の最大値との第ｋ比率が閾値以上、あるいは、前記第ｋ調整試料の前記信号強度が閾値以上であるか否かに基づいて、前記分析試料の表面位置と前記レーザ光の焦点位置とが適合しているか否かを判断する、請求項２に記載の分析装置。
  6. 前記第ｋ比率が閾値以上、あるいは、前記第ｋ調整試料の前記信号強度が閾値以上である場合、前記コントローラは、前記分析試料の表面位置と前記レーザ光の焦点位置とが適合していると判断し、
    前記第ｋ比率が閾値未満、あるいは、前記第ｋ調整試料の前記信号強度が閾値未満である場合、前記コントローラは、前記分析試料の表面位置と前記レーザ光の焦点位置とが適合していないと判断する、請求項５に記載の分析装置。
  7. 試料を搭載可能なステージと、前記試料にレーザ光を照射するレーザ生成部と、前記レーザ光の照射によって気化された前記試料の元素の信号強度を検出する検出部と、前記レーザ生成部を制御するコントローラとを備えた分析装置を用いた分析方法であって、
    分析対象である分析試料および焦点を調整するために用いられる第１調整試料を前記ステージ上に搭載し、
    前記第１調整試料にレーザ光を照射し、
    前記レーザ光の照射によって気化された前記第１調整試料の元素の信号強度を検出し、
    前記第１調整試料の前記信号強度に基づいて前記第１調整試料の表面位置に対する前記レーザ光の焦点位置を判断し、
    前記分析試料の表面に前記レーザ光の焦点位置を適合させるように前記レーザ生成部を制御し、
    前記分析試料にレーザ光を照射して前記分析試料の元素の信号強度を検出し、
    前記分析試料の元素の信号強度に基づいて前記分析試料を分析することを具備する分析方法。
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