JP2022124047A - 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理の基板毎の均一性を向上させることができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】基板２００を処理する処理領域を有する処理容器と、第１ガスを基板に供給する第１孔４１０ａが処理領域の全域にわたって設けられた第１ノズル４１０と、第１ガスと反応する第２ガスを基板２００に供給する第２孔４２０ａが処理領域の全域にわたって設けられた第２ノズル４２０と、第１ガスの吸着を阻害する吸着阻害ガスを基板２００に供給する第３孔４４０ａが処理領域の一部に対応するように設けられた第３ノズル４４０と、第１ガス、第２ガス、吸着阻害ガスを、それぞれ、第１ノズル４１０と第２ノズル４２０および第３ノズル４４０を介して基板２００に供給することが可能なガス供給システムと、を有する。
【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関する。

３次元構造を持つＮＡＮＤ型フラッシュメモリやＤＲＡＭのワードラインとして例えば低抵抗な金属膜が用いられることがある。また、この金属膜と絶縁膜との間にバリア膜を形成することがある（例えば特許文献１及び特許文献２参照）。

特開２０１１－２５２２２１号公報 特開２０１７－０６９４０７号公報

しかし、基板上に膜を形成する場合に、基板の配置位置によって、生成される反応副生成物の量が異なってしまい、基板上に形成される膜の膜厚が異なってしまうことがある。

本開示は、基板処理の基板毎の均一性を向上させることが可能な技術を提供することを目的とする。

本開示の一態様によれば、
基板を処理する処理領域を有する処理容器と、
第１ガスを前記基板に供給する第１孔が前記処理領域の全域にわたって設けられた第１ノズルと、
前記第１ガスと反応する第２ガスを前記基板に供給する第２孔が前記処理領域の全域にわたって設けられた第２ノズルと、
前記第１ガスの吸着を阻害する吸着阻害ガスを前記基板に供給する第３孔が前記処理領域の一部に対応するように設けられた第３ノズルと、
前記第１ガス、前記第２ガス、前記吸着阻害ガスを、それぞれ、前記第１ノズルと前記第２ノズルおよび前記第３ノズルを介して前記基板に供給することが可能なガス供給システムと、
を有する技術が提供される。

本開示によれば、基板処理の基板毎の均一性を向上させることができる。

本開示の一実施形態における基板処理装置の縦型処理炉の概略を示す縦断面図である。 図１におけるＡ－Ａ線概略横断面図である。 本開示の一実施形態における基板の処理領域に対する第３ノズルの孔の配置位置を説明するための図である。 本開示の一実施形態における基板処理装置のコントローラの概略構成図であり、コントローラの制御系をブロック図で示す図である。 本開示の一実施形態における基板処理シーケンスを示す図である。 基板上に、四塩化チタン（ＴｉＣｌ₄）ガスとアンモニア（ＮＨ₃）ガスを供給してＴｉＮ膜を形成する際に、塩化水素（ＨＣｌ）ガスを添加した場合の、ＴｉＣｌ₄ガスとＨＣｌガスの流量比と、ＮＨ₃ガスとＨＣｌガスの流量比と、ＴｉＮ膜の成膜レートと、の関係を比較して示した図である。 図７（Ａ）～図７（Ｃ）は、本開示の一実施形態における第３ノズルの変形例を示した図である。 図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、本開示の一実施形態における第３ノズルの変形例を示した図である。 本開示の一実施形態における基板処理シーケンスの変形例を示した図である。 本開示の一実施形態における基板処理シーケンスの変形例を示した図である。 本開示の一実施形態における基板処理シーケンスの変形例を示した図である。

以下、図１～６を参照しながら説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。

（１）基板処理装置の構成
基板処理装置１０は、加熱手段（加熱機構、加熱系）としてのヒータ２０７が設けられた処理炉２０２を備える。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。

ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に処理容器を構成するアウタチューブ２０３が配設されている。アウタチューブ２０３は、例えば石英（ＳｉＯ₂）、炭化シリコン（ＳｉＣ）などの耐熱性材料で構成され、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウタチューブ２０３の下方には、アウタチューブ２０３と同心円状に、マニホールド（インレットフランジ）２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス（ＳＵＳ）などの金属で構成され、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９の上端部と、アウタチューブ２０３との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベースに支持されることにより、アウタチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となる。

アウタチューブ２０３の内側には、処理容器を構成するインナチューブ２０４が配設されている。インナチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ₂）、炭化シリコン（ＳｉＣ）などの耐熱性材料で構成され、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。主に、アウタチューブ２０３と、インナチューブ２０４と、マニホールド２０９とにより処理容器が構成されている。処理容器の筒中空部（インナチューブ２０４の内側）には処理室２０１が形成されている。

処理室２０１は、基板としてのウエハ２００を、基板保持具としてのボート２１７によって水平姿勢で鉛直方向に多段に配列した状態で収容可能に構成されている。処理容器内である処理室２０１は、ウエハ２００を複数枚処理可能な処理領域を構成する。

処理室２０１内には、第１ノズルとしてのノズル４１０、第２ノズルとしてのノズル４２０、第４ノズルとしてのノズル４３０、第３ノズルとしてのノズル４４０がマニホールド２０９の側壁及びインナチューブ２０４を貫通するように設けられている。ノズル４１０，４２０，４３０，４４０は、Ｌ字型に構成されており、インナチューブ２０４の内壁に沿って設けられている。ノズル４１０，４２０，４３０，４４０には、ガス供給管３１０，３２０，３３０，３４０が、それぞれ接続されている。

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に鉛直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ２１９は、例えばＳＵＳ等の金属で構成され、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９における処理室２０１の反対側には、ウエハ２００を収容するボート２１７を回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されている。回転機構２６７は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、アウタチューブ２０３の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって鉛直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ１１５は、シールキャップ２１９を昇降させることで、ボート２１７を処理室２０１内外に搬入及び搬出することが可能なように構成されている。ボートエレベータ１１５は、ボート２１７及びボート２１７に収容されたウエハ２００を、処理室２０１内外に搬送する搬送装置（搬送系）として構成されている。

ボート２１７は、複数枚、例えば２５～２００枚のウエハ２００を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で鉛直方向に間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート２１７は、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料で構成される。ボート２１７の下部には、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料で構成される断熱板２１８が水平姿勢で多段（図示せず）に支持されている。この構成により、ヒータ２０７からの熱がシールキャップ２１９側に伝わりにくくなっている。ただし、本実施形態は上述の形態に限定されない。例えば、ボート２１７の下部に断熱板２１８を設けずに、石英やＳｉＣ等の耐熱性材料で構成される筒状の部材として構成された断熱筒を設けてもよい。

図２に示すように、インナチューブ２０４内には温度検出器としての温度センサ２６３が設置されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０７への通電量を調整することで、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ２６３は、ノズル４１０，４２０，４３０，４４０と同様にＬ字型に構成されており、インナチューブ２０４の内壁に沿って設けられている。

ガス供給管３１０，３２０，３３０，３４０には上流側から順に流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）３１２，３２２，３３２，３４２がそれぞれ設けられている。また、ガス供給管３１０，３２０，３３０，３４０には、開閉弁であるバルブ３１４，３２４，３３４，３４４がそれぞれ設けられている。ガス供給管３１０，３２０，３３０，３４０のバルブ３１４，３２４，３３４，３４４の下流側には、不活性ガスを供給するガス供給管５１０，５２０，５３０，５４０がそれぞれ接続されている。ガス供給管５１０，５２０，５３０，５４０には、上流側から順に、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ５１２，５２２，５３２，５４２及び開閉弁であるバルブ５１４，５２４，５３４，５４４がそれぞれ設けられている。

ガス供給管３１０，３２０，３３０，３４０の先端部にはノズル４１０，４２０，４３０，４４０がそれぞれ連結接続されている。ノズル４１０，４２０，４３０，４４０は、Ｌ字型のノズルとして構成されており、その水平部はマニホールド２０９の側壁及びインナチューブ２０４を貫通するように設けられている。ノズル４１０，４２０，４３０，４４０の垂直部は、インナチューブ２０４の径方向外向きに突出し、かつ鉛直方向に延在するように形成されているチャンネル形状（溝形状）の予備室２０１ａの内部に設けられており、予備室２０１ａ内にてインナチューブ２０４の内壁に沿って上方（ウエハ２００の配列方向上方）に向かって設けられている。

ガス供給管３１０からは、処理ガスとして、ハロゲンを含む第１ガスが、ＭＦＣ３１２、バルブ３１４、ノズル４１０を介して処理室２０１内に供給される。

ガス供給管３２０からは、処理ガスとして、還元ガスとしての第２ガスが、ＭＦＣ３２２、バルブ３２４、ノズル４２０を介して処理室２０１内に供給される。本開示では、第２ガスを、第１ガスを還元し、第１ガスと反応させる反応ガスとして用いる。

ガス供給管３３０からは、処理ガスとして、還元ガスとして第２ガスとは異なる第３ガスが、ＭＦＣ３３２、バルブ３３４、ノズル４３０を介して処理室２０１内に供給される。

ガス供給管３４０からは、第１ガスに含まれるハロゲンと同種のハロゲンを含み、第１ガスの吸着を阻害する吸着阻害ガスが、ＭＦＣ３４２、バルブ３４４、ノズル４４０を介して処理室２０１内に供給される。ここで、吸着阻害ガスとして、第１ガスと第２ガスとが反応することにより生じる反応副生成物と同じ成分のガスを用いるのが好ましい。

ガス供給管５１０，５２０，５３０，５４０からは、不活性ガスとして、例えば窒素（Ｎ₂）ガスが、それぞれＭＦＣ５１２，５２２，５３２，５４２、バルブ５１４，５２４，５３４，５４４、ノズル４１０，４２０，４３０，４４０を介して処理室２０１内に供給される。以下、不活性ガスとしてＮ₂ガスを用いる例について説明するが、不活性ガスとしては、Ｎ₂ガス以外に、例えば、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガス等の希ガスを用いてもよい。

ノズル４１０，４２０，４３０，４４０は、処理室２０１の下部領域から処理室２０１の上部領域まで延在するように設けられている。

ノズル４１０，４２０，４３０には、ウエハ２００と対向する位置に第１孔としてのガス供給孔４１０ａ、第２孔としてのガス供給孔４２０ａ、ガス供給孔４３０ａがそれぞれ複数設けられている。ガス供給孔４１０ａ，４２０ａ，４３０ａは、インナチューブ２０４の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれ同一の開口面積を有し、さらに同一の開口ピッチで設けられている。ただし、ガス供給孔４１０ａ，４２０ａ，４３０ａは上述の形態に限定されない。例えば、インナチューブ２０４の下部から上部に向かって開口面積を徐々に大きくしてもよい。これにより、ガス供給孔４１０ａ，４２０ａ，４３０ａから供給されるガスの流量をより均一化することが可能となる。

つまり、ノズル４１０，４２０，４３０のガス供給孔４１０ａ，４２０ａ，４３０ａは、ボート２１７の下部から上部までの高さの位置に複数設けられている。言い換えれば、ノズル４１０，４２０，４３０には、それぞれ第１ガス、第２ガス、第３ガスをウエハ２００に供給するガス供給孔４１０ａ，４２０ａ，４３０ａがウエハ２００を処理する処理領域の全域にわたって複数設けられている。そのため、ノズル４１０，４２０，４３０のガス供給孔４１０ａ，４２０ａ，４３０ａからそれぞれ処理室２０１内に供給された第１ガス、第２ガス、第３ガスは、ボート２１７の下部から上部までに収容されたウエハ２００の全域に供給される。ノズル４１０，４２０，４３０は、処理室２０１の下部領域から上部領域までの処理領域に延在するように設けられていればよいが、ボート２１７の天井付近まで延在するように設けられていることが好ましい。

ノズル４４０には、図３に示すように、ウエハ２００を処理する処理領域の一部の領域である処理領域の下部領域であって、処理領域の下端側のウエハ２００のそれぞれに対応する位置に、第３孔としてのガス供給孔４４０ａが複数設けられている。さらに、ノズル４４０には、処理領域の一部の領域である処理領域の上部領域であって、処理領域の上端側のウエハ２００のそれぞれに対応する位置に、第４孔としてのガス供給孔４４０ｂが複数設けられている。つまり、ガス供給孔４４０ａは、処理領域のノズル４４０の下端側に配置され、ガス供給孔４４０ｂは、処理領域のノズル４４０の上端側に配置される。

すなわち、ガス供給孔４４０ａ，４４０ｂは、それぞれノズル４４０の、処理領域の一部に対応する位置に複数設けられ、ガス供給孔４４０ａ，４４０ｂから処理室２０１内に供給された吸着阻害ガスは、ボート２１７に収容されたウエハ２００の一部に供給される。

ここで、製品基板（製品ウエハ、単にウエハとも呼ぶ）上に処理ガスを用いて成膜する場合、処理領域における上端側と下端側では、処理領域の中央と比較して製品基板の数が少ないため、反応副生成物の量が少なくなる。このため、処理領域の上端側と下端側の製品基板上に形成される膜の膜厚が、処理領域の中央の製品基板上に形成される膜厚と比較して厚くなり、基板毎の均一性が悪化することがある。また、ボート２１７の上端側と下端側にダミーウエハを設けた場合には、ダミーウエハは、製品基板と比較して表面積が小さいために、処理領域の上端側と下端側において反応副生成物の量が少なくなり、処理領域の上端側と下端側の製品基板上に形成される膜の膜厚が、処理領域の中央の製品基板上に形成される膜の膜厚と比較して厚くなり、基板毎の均一性が悪化することがある。なお、この様な現象は、製品基板の表面積が、大表面積の場合に、顕著に表れる。

本開示によれば、この反応副生成物の量が、処理領域の他の領域と比較して少ない領域であって、処理領域の上端側と下端側に、第１ガスと第２ガスとが反応して生成される反応副生成物と同一成分を有するガスを吸着阻害ガスとして供給する。これにより、処理領域の全域における反応副生成物の量を同等にすることができる。よって、処理領域の上端側と下端側のウエハ２００上に形成される膜の膜厚を低減することができ、ウエハ２００に形成される膜厚の基板毎の均一性を向上させることができ、膜特性を均一化させることができる。

ガス供給孔４４０ａ，４４０ｂは、それぞれ同一の開口面積を有し、さらに同一の開口ピッチで設けられている。また、ガス供給孔４４０ａの開口率は、ガス供給孔４４０ｂの開口率よりも大きく構成される。ここで、開口率とは、ガス供給孔４４０ａ，４４０ｂのそれぞれの数、それぞれの大きさ、それぞれの孔の数と大きさの積により決定される。すなわち、ガス供給孔４４０ａの数と大きさのいずれか又は両方は、ガス供給孔４４０ｂの数と大きさのいずれか又は両方よりも大きく構成される。処理領域の下端側には、ダミーウエハが設けられることがある。ダミーウエハの表面積は、製品基板であるウエハ２００よりも表面積が小さいため、反応副生成物の量が、処理領域の上端側と比較して少なくなり、処理領域の下端側に配置されるウエハ上に形成される膜の膜厚が、処理領域の上端側に配置されるウエハ上に形成される膜の膜厚よりも厚くなる傾向がある。このため、処理領域の下端側に配置されるガス供給孔４４０ａの開口率を、処理領域の上端側に配置されるガス供給孔４４０ｂの開口率よりも大きくして、処理領域の下端側に供給される吸着阻害ガスの量を、処理領域の上端側に供給される吸着阻害ガスの量と比較して多くする。

つまり、反応副生成物の量が、処理領域における中央付近と比較して少ない、処理領域における下端側のウエハ２００と上端側のウエハ２００にのみ吸着阻害ガスを供給するように、処理領域における下端側のウエハ２００に対応する位置と、処理領域における上端側のウエハ２００に対応する位置に、それぞれガス供給孔４４０ａとガス供給孔４４０ｂを設ける。そして、処理領域における下端側に、上端側のガス供給孔４４０ｂに比べて開口率の大きいガス供給孔４４０ａを配置することにより、特に反応副生成物の量の少ない領域に対して、吸着阻害ガスが多く供給されることとなり、ウエハ２００の処理均一性を向上させることができる。よって、処理領域の密のウエハ２００上に形成される膜の膜厚を低減することができ、ウエハ２００に形成される膜厚の基板毎の均一性を向上させることができ、膜特性を均一化させることができる。

主に、ガス供給管３１０，３２０，３３０、ＭＦＣ３１２，３２２，３３２、バルブ３１４，３２４，３３４、ノズル４１０，４２０，４３０により処理ガス供給系が構成されるが、ノズル４１０，４２０，４３０のみを処理ガス供給系と考えてもよい。処理ガス供給系は単にガス供給系と称してもよい。ガス供給管３１０から第１ガスを流す場合、主に、ガス供給管３１０、ＭＦＣ３１２、バルブ３１４により第１ガス供給系が構成されるが、ノズル４１０を第１ガス供給系に含めて考えてもよい。また、ガス供給管３２０から第２ガスを流す場合、主に、ガス供給管３２０、ＭＦＣ３２２、バルブ３２４により第２ガス供給系が構成されるが、ノズル４２０を第２ガス供給系に含めて考えてもよい。また、第２ガス供給系を反応ガス供給系又は還元ガス供給系と称することもできる。また、ガス供給管３３０から第３ガスを流す場合、主に、ガス供給管３３０、ＭＦＣ３３２、バルブ３３４により第３ガス供給系が構成されるが、ノズル４３０を第３ガス供給系に含めて考えてもよい。また、第３ガス供給系を還元ガス供給系と称することもできる。また、ガス供給管３４０から吸着阻害ガスを流す場合、主に、ガス供給管３４０、ＭＦＣ３４２、バルブ３４４により吸着阻害ガス供給系が構成されるが、ノズル４４０を吸着阻害ガス供給系に含めて考えてもよい。また、主に、ガス供給管５１０，５２０，５３０，５４０、ＭＦＣ５１２，５２２，５３２，５４２、バルブ５１４，５２４，５３４，５４４により不活性ガス供給系が構成される。

第１ガス供給系、第２ガス供給系、第３ガス供給系及び吸着阻害ガス供給系により、第１ガス、第２ガス、第３ガス及び吸着阻害ガスを、それぞれ、ノズル４１０、ノズル４２０、ノズル４３０及びノズル４４０を介してウエハ２００に供給することが可能なガス供給システムが構成される。

本実施形態におけるガス供給の方法は、インナチューブ２０４の内壁と、複数枚のウエハ２００の端部とで定義される円環状の縦長の空間内の予備室２０１ａ内に配置したノズル４１０，４２０，４３０，４４０を経由してガスを搬送している。そして、ノズル４１０，４２０，４３０，４４０のウエハ２００と対向する位置に設けられた複数のガス供給孔４１０ａ，４２０ａ，４３０ａ，４４０ａ，４４０ｂからインナチューブ２０４内にガスを噴出させている。より詳細には、ノズル４１０のガス供給孔４１０ａ、ノズル４２０のガス供給孔４２０ａ、ノズル４３０のガス供給孔４３０ａ、ノズル４４０のガス供給孔４４０ａ，４４０ｂにより、ウエハ２００の表面と平行方向に向かって処理ガス等を噴出させている。

排気孔（排気口）２０４ａは、インナチューブ２０４の側壁であってノズル４１０，４２０，４３０，４４０に対向した位置に形成された貫通孔であり、例えば、鉛直方向に細長く開設されたスリット状の貫通孔である。ノズル４１０，４２０，４３０，４４０のガス供給孔４１０ａ，４２０ａ，４３０ａ，４４０ａ，４４０ｂから処理室２０１内に供給され、ウエハ２００の表面上を流れたガスは、排気孔２０４ａを介してインナチューブ２０４とアウタチューブ２０３との間に形成された隙間で構成された排気路２０６内に流れる。そして、排気路２０６内へと流れたガスは、排気管２３１内に流れ、処理炉２０２外へと排出される。

排気孔２０４ａは、複数のウエハ２００と対向する位置に設けられており、ガス供給孔４１０ａ，４２０ａ，４３０ａ，４４０ａ，４４０ｂから処理室２０１内のウエハ２００の近傍に供給されたガスは、水平方向に向かって流れた後、排気孔２０４ａを介して排気路２０６内へと流れる。排気孔２０４ａはスリット状の貫通孔として構成される場合に限らず、複数個の孔により構成されていてもよい。

マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には、上流側から順に、処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５、ＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４３、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されている。ＡＰＣバルブ２４３は、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室２０１内の真空排気及び真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁開度を調節することで、処理室２０１内の圧力を調整することができる。主に、排気孔２０４ａ、排気路２０６、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４３及び圧力センサ２４５により、排気系が構成される。真空ポンプ２４６を排気系に含めて考えてもよい。

図４に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バスを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。

記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラム、後述する半導体装置の製造方法の手順や条件などが記載されたプロセスレシピなどが、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する半導体装置の製造方法における各工程（各ステップ）をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピ、制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、プロセスレシピ及び制御プログラムの組み合わせを含む場合がある。ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述のＭＦＣ３１２，３２２，３３２，３４２，５１２，５２２，５３２，５４２、バルブ３１４，３２４，３３４，３４４，５１４，５２４，５３４，５４４、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４３、真空ポンプ２４６、ヒータ２０７、温度センサ２６３、回転機構２６７、ボートエレベータ１１５等に接続されている。

ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからレシピ等を読み出すように構成されている。ＣＰＵ１２１ａは、読み出したレシピの内容に沿うように、ＭＦＣ３１２，３２２，３３２，３４２，５１２，５２２，５３２，５４２による各種ガスの流量調整動作、バルブ３１４，３２４，３３４，３４４，５１４，５２４，５３４，５４４の開閉動作、ＡＰＣバルブ２４３の開閉動作及びＡＰＣバルブ２４３による圧力センサ２４５に基づく圧力調整動作、温度センサ２６３に基づくヒータ２０７の温度調整動作、真空ポンプ２４６の起動及び停止、回転機構２６７によるボート２１７の回転及び回転速度調節動作、ボートエレベータ１１５によるボート２１７の昇降動作、ボート２１７へのウエハ２００の収容動作等を制御することが可能なように構成されている。すなわち、ＣＰＵ１２１ａは、本開示の一態様におけるガス供給システムを制御可能に構成されている。

コントローラ１２１は、外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）１２３に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置１２１ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置１２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。

（２）基板処理工程
半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、ウエハ２００に対して膜を形成する工程の一例について、図５を用いて説明する。本工程は、上述した基板処理装置１０の処理炉２０２を用いて実行される。以下の説明において、基板処理装置１０を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御され、ガス供給システムはコントローラ１２１により制御可能に構成される。

本実施形態による基板処理工程（半導体装置の製造工程）では、
（ａ）ウエハ２００に対して、第１ガスを供給する工程と、
（ｂ）ウエハ２００に対して、第２ガスを供給する工程と、
（ｃ）ウエハ２００に対して、吸着阻害ガスを供給する工程と、
（ｄ）ウエハ２００に対して、第３ガスを供給する工程と、
（ｅ）（ａ）と（ｄ）とを一部並行して行った後、（ｃ）を行い、その後、（ｂ）を行う工程と、を行う。

本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのもの」を意味する場合や、「ウエハとその表面に形成された所定の層や膜等との積層体」を意味する場合がある。本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのものの表面」を意味する場合や、「ウエハ上に形成された所定の層や膜等の表面」を意味する場合がある。本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。

（ウエハ搬入）
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図１に示されているように、複数枚のウエハ２００を支持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内に搬入（ボートロード）され、処理容器内に収容される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０を介してアウタチューブ２０３の下端開口を閉塞した状態となる。

（圧力調整および温度調整）
処理室２０１内、すなわち、ウエハ２００が存在する空間が所望の圧力（真空度）となるように真空ポンプ２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力情報に基づき、ＡＰＣバルブ２４３がフィードバック制御される（圧力調整）。真空ポンプ２４６は、少なくともウエハ２００に対する処理が完了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０７によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０７への通電量がフィードバック制御される（温度調整）。ヒータ２０７による処理室２０１内の加熱は、少なくともウエハ２００に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。

（第１ガス供給、第１ステップ）
バルブ３１４を開き、ガス供給管３１０内に第１ガスを流す。第１ガスは、ＭＦＣ３１２により流量調整され、ノズル４１０のガス供給孔４１０ａから処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。このとき同時にバルブ５１４を開き、ガス供給管５１０内にＮ₂ガス等の不活性ガスを流してもよい。また、ノズル４２０，４３０，４４０内への第１ガスの侵入を防止するために、バルブ５２４，５３４，５４４を開き、ガス供給管５２０，５３０，５４０内に不活性ガスを流してもよい。

このときＡＰＣバルブ２４３を調整して、処理室２０１内の圧力を、例えば１～３９９０Ｐａの範囲内の圧力とする。ＭＦＣ３１２で制御する第１ガスの供給流量は、例えば０．０１～７．０ｓｌｍの範囲内の流量とする。以下において、ヒータ２０７の温度は、ウエハ２００の温度が、例えば３００～６５０℃の範囲内の温度となるような温度に設定して行う。なお、本開示における「１～３９９０Ｐａ」のような数値範囲の表記は、下限値および上限値がその範囲に含まれることを意味する。よって、例えば、「１～３９９０Ｐａ」とは「１Ｐａ以上３９９０Ｐａ以下」を意味する。他の数値範囲についても同様である。

このとき、処理領域の全域のウエハ２００に対して第１ガスが供給されることとなる。第１ガスとしては、ハロゲンを含むガスであり、例えば金属元素であるチタン（Ｔｉ）とハロゲンである塩素（Ｃｌ）を含むガスであるＴｉＣｌ₄ガスを用いることができる。第１ガスとして、ＴｉＣｌ₄ガスを用いた場合、ＴｉＣｌ₄ガスの供給により、ウエハ２００（表面の下地膜）上に、ＴｉＣｌ₄が吸着し、Ｔｉ含有層が形成される。

（第１ガスと第３ガスの供給、第２ステップ）
第１ガスの供給開始から所定時間経過後に、バルブ３３４を開き、ガス供給管３３０内に還元ガスである第３ガスを流す。第３ガスは、ＭＦＣ３３２により流量調整され、ノズル４３０のガス供給孔４３０ａから処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。このとき、同時にバルブ５３４を開き、ガス供給管５３０内にＮ₂ガス等の不活性ガスを流してもよい。また、ノズル４２０，４４０内への第１ガス、第３ガスの侵入を防止するために、バルブ５２４，５４４を開き、ガス供給管５２０，５４０内に不活性ガスを流してもよい。

このときＭＦＣ３３２で制御する第３ガスの供給流量は、例えば０．１～５．０ｓｌｍの範囲内の流量とする。

このとき、処理領域の全域のウエハ２００に対して第１ガスと第３ガスが供給されることとなる。すなわち第１ガスと第３ガスとは同時に供給されるタイミングを有する。ここで、第３ガスとしては、還元ガスであり、水素（Ｈ）を含有する水素含有ガスである例えばモノシラン（ＳｉＨ₄）ガスを用いることができる。

（第１ガス供給、第３ステップ）
第３ガスの供給を開始してから所定時間経過後にバルブ３３４を閉じて、第３ガスの処理室２０１内への供給を停止する。このとき、ノズル４３０内への第１ガスの侵入を防止するために、バルブ５３４を開き、ガス供給管５３０内に、不活性ガスを流してもよい。また、ノズル４２０，４４０内への第１ガスの侵入を防止するために、バルブ５２４，５４４を開き、ガス供給管５２０，５４０内に不活性ガスを流してもよい。このとき、処理領域の全域のウエハ２００に対して第１ガスが供給されることとなる。

（パージ、第４ステップ）
第３ガスの供給を停止してから所定時間経過後にバルブ３１４を閉じ、第１ガスの供給を停止する。このとき、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４３は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、ウエハ２００上から残留ガスを除去して、処理室２０１内に残留する未反応の第１ガスや第３ガスや反応副生成物を処理室２０１内から排除する。このとき、バルブ５１４，５２４，５３４，５４４を開き、パージガスとしての不活性ガスを処理室２０１内へ供給する。不活性ガスはパージガスとして作用し、ウエハ２００上から残留ガスを除去して、処理室２０１内に残留する未反応の第１ガスや第３ガスや反応副生成物を処理室２０１内から排除する効果を高めることができる。ＭＦＣ５１２，５２２，５３２，５４２で制御する不活性ガスの供給流量は、それぞれ例えば０．１～３０ｓｌｍとする。

（吸着阻害ガス供給、第５ステップ）
パージを開始してから所定時間経過後にバルブ５１４，５２４，５３４，５４４を閉じて、不活性ガスの処理室２０１内への供給を停止する。このときバルブ３４４を開き、ガス供給管３４０内に、吸着阻害ガスを流す。吸着阻害ガスは、ＭＦＣ３４２により流量調整され、ノズル４４０のガス供給孔４４０ａ，４４０ｂから処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。

このときＭＦＣ３４２で制御する吸着ガスの供給流量は、例えば０．０１～１．０ｓｌｍの範囲内の流量とする。

このとき、処理領域の一部のウエハ２００であって、処理領域の上端側と下端側のウエハ２００に対して、吸着阻害ガスが供給されることとなる。ここで、吸着阻害ガスとしては、第１ガスに含まれるハロゲンと同種のハロゲンを含み、例えば第１ガスであるＴｉＣｌ₄ガスと、第２ガスであるＮＨ₃ガスとが反応することにより生じる反応副生成物である塩化水素（ＨＣｌ）ガスや塩化アンモニウム（ＮＨ₄Ｃｌ）ガス等を用いることができる。吸着阻害ガスとして、例えばＨＣｌガスを用いた場合、ＨＣｌガスの供給により、処理領域の上端側と下端側のウエハ２００（表面の下地膜）上に、ＴｉＣｌ₄ガスの吸着を阻害するＨＣｌが吸着される。

このように、吸着阻害ガスとして、第１ガスに含まれるハロゲンと同種のハロゲンを含むガスを用い、好ましくは第１ガスと第２ガスとが反応することにより生成される反応副生成物と同じ成分のガスを用いることにより、吸着阻害ガスが膜中に残留することを抑制することができる。

つまり、吸着阻害ガスは、膜中には残留し難いが、条件やガスの種類によっては、膜中に残留し、膜の電気特性等の特性に影響を与える場合がある。第１ガスと第２ガスとが反応することにより生成される反応副生成物と同じ成分のガスであれば、デバイスを構成する他の膜に対しても影響を与える可能性を低減することができる。例えばＴｉＮ膜を形成する際に、吸着阻害ガスとしてフッ化水素（ＨＦ）ガスを供給した場合に、フッ素（Ｆ）が残留し、ＴｉＮ膜のＦバリアとしての機能が低下する可能性がある。また、ＴｉＮ膜の下地が酸化アルミニウム（ＡｌＯ）膜であった場合に、ＡｌＯ膜にフッ素が拡散して、ＡｌＯ膜の絶縁性が低下する可能性がある。上述したように、吸着阻害ガスとして、第１ガスと第２ガスとが反応することにより生成される反応副生成物と同じ成分のガスであれば、このような課題は生じにくくなる。

なお、ノズル４１０，４２０，４３０内への吸着阻害ガスの侵入を防止するために、バルブ５１４，５２４，５３４を開き、ガス供給管５１０，５２０，５３０内に不活性ガスを流してもよい。

（パージ、第６ステップ）
吸着阻害ガスの供給を開始してから所定時間経過後にバルブ３４４を閉じ、吸着阻害ガスの供給を停止する。このとき、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４３は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、ウエハ２００上から残留ガスを除去して、処理室２０１内に残留する吸着阻害ガスや反応副生成物を処理室２０１内から排除する。このとき、バルブ５１４，５２４，５３４，５４４を開き、パージガスとしての不活性ガスを処理室２０１内へ供給する。不活性ガスはパージガスとして作用し、ウエハ２００上から残留ガスを除去して、処理室２０１内に残留する吸着阻害ガスや反応副生成物を処理室２０１内から排除する効果を高めることができる。ＭＦＣ５１２，５２２，５３２，５４２で制御する不活性ガスの供給流量は、それぞれ例えば０．１～３０ｓｌｍとする。

（第２ガス供給、第７ステップ）
パージを開始してから所定時間経過後にバルブ５１４，５２４，５３４，５４４を閉じて、不活性ガスの処理室２０１内への供給を停止する。このときバルブ３２４を開き、ガス供給管３２０内に、第２ガスを流す。第２ガスは、ＭＦＣ３２２により流量調整され、ノズル４２０のガス供給孔４２０ａから処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。このときウエハ２００に対して、第２ガスが供給される。なお、このとき同時にバルブ５２４を開き、ガス供給管５２０内に不活性ガスを流してもよい。また、ノズル４１０，４３０，４４０内への第２ガスの侵入を防止するために、バルブ５１４，５３４，５４４を開き、ガス供給管５１０，５３０，５４０内に不活性ガスを流してもよい。

このときＡＰＣバルブ２４３を調整して、処理室２０１内の圧力を、例えば１～３９９０Ｐａの範囲内の圧力とする。ＭＦＣ３２２で制御する第２ガスの供給流量は、例えば０．１～１５０ｓｌｍの範囲内の流量とする。

このとき、処理領域の全域のウエハ２００に対して第２ガスが供給されることとなる。ここで、第２ガスとしては、還元ガスであり、窒素（Ｎ）と水素（Ｈ）を含むガスである例えばアンモニア（ＮＨ₃）ガスを用いることができる。第２ガスとして、ＮＨ₃ガスを用いた場合、ＮＨ₃ガスは、ウエハ２００上に形成されたＴｉ含有層の少なくとも一部と置換反応する。置換反応の際には、Ｔｉ含有層に含まれるＴｉとＮＨ₃ガスに含まれるＮとが結合して、ウエハ２００上にＴｉＮ層が形成される。具体的には、ウエハ２００上に吸着したＴｉＣｌ_xとＮＨ₃が反応することにより、ウエハ２００上にＴｉＮ膜が形成される。また、置換反応の際には、ＨＣｌ、ＮＨ₄Ｃｌ、Ｈ₂等の反応副生成物が生じる。

上述した第５ステップにより、処理領域の上端側と下端側のウエハ２００上には吸着阻害ガスが吸着されているため、第２ガスは第１ガスと反応しない。具体的には、第１ガスとしてＴｉＣｌ₄ガスを供給した後に、処理領域の上端側と下端側のウエハ２００に対して吸着阻害ガスとしてＨＣｌを供給し、処理領域の上端側と下端側のウエハ２００上にＨＣｌを吸着させることにより、その後に供給される第２ガスであるＮＨ₃ガスが、ＴｉＣｌ₄ガスと反応せず、次のサイクルにおけるＴｉＣｌ₄ガスの吸着も阻害される。このため、処理領域の上端側と下端側のウエハ２００上には、ＴｉＮ層は形成されない。よって、吸着阻害ガスが供給される処理領域の上端側と下端側では、ウエハ２００の成膜レートを低下させることができる。なお、ＮＨ₃ガスは、一部、吸着阻害ガスとしてのＨＣｌと反応して、ＮＨ₄Ｃｌが生成されるが、ＮＨ₄Ｃｌは、ウエハ２００上に吸着せずに脱離するため、膜中には残留しない。そのため、膜の電気的特性には影響が少ない。

（パージ、第８ステップ）
第２ガスの供給を開始してから所定時間経過後にバルブ３２４を閉じて、第２ガスの供給を停止する。このとき、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４３は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、ウエハ２００上から残留ガスを除去して、処理室２０１内に残留する未反応もしくは膜の形成に寄与した後の第２ガスや反応副生成物を処理室２０１内から排除する。このとき、バルブ５１４，５２４，５３４，５３４を開き、パージガスとしての不活性ガスを処理室２０１内へ供給する。不活性ガスはパージガスとして作用し、ウエハ２００上から残留ガスを除去して、処理室２０１内に残留する未反応の第２ガスや上述の反応副生成物を処理室２０１内から排除する効果を高めることができる。ＭＦＣ５１２，５２２，５３２，５４２で制御する不活性ガスの供給流量は、それぞれ例えば０．１～３０ｓｌｍとする。

すなわち、処理室２０１内に残留する未反応もしくは膜の形成に寄与した後の第２ガスや上述の反応副生成物を処理室２０１内から排除する。不活性ガスはパージガスとして作用する。

（所定回数実施）
上述した第１ステップ～第８ステップを順に行うサイクルを所定回数（Ｎ回）、１回以上実行することにより、ウエハ２００上に、所定の厚さの膜を形成する。すなわち、第１ガス供給と第３ガス供給とを一部並行して行った後、吸着阻害ガス供給を行い、その後、第２ガス供給を行うことにより、ウエハ２００上に、所定の厚さの膜を形成する。ここでは、例えばＴｉＮ膜が形成される。

（アフターパージおよび大気圧復帰）
ガス供給管５１０，５２０，５３０，５４０のそれぞれから不活性ガスを処理室２０１内へ供給し、排気管２３１から排気する。不活性ガスはパージガスとして作用し、これにより処理室２０１内が不活性ガスでパージされ、処理室２０１内に残留するガスや反応副生成物が処理室２０１内から除去される（アフターパージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。

（ウエハ搬出）
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、アウタチューブ２０３の下端が開口される。そして、処理済ウエハ２００がボート２１７に支持された状態でアウタチューブ２０３の下端からアウタチューブ２０３の外部に搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済のウエハ２００は、ボート２１７より取り出される（ウエハディスチャージ）。

すなわち、上述したような基板処理装置１０を用いて、複数枚のウエハ２００を一括処理するバッチ処理を行う場合に、処理領域の一部に吸着阻害ガスを供給することにより、バッチ処理で処理される複数枚のウエハ２００のウエハ２００毎の処理均一性を向上させることができる。

（３）本開示の一態様による効果
本開示の一態様によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を得ることができる。
（ａ）基板処理の基板毎の処理均一性を向上させることができる。
（ｂ）基板処理の基板面内の処理均一性を向上させることができる。
（ｃ）基板上に形成される膜の特性（電気的特性）を均一化させることができる。

ここで、例として、（ａ）の効果が得られるメカニズムを図６を用いて説明する。図６は、第１ガスとして例えば、四塩化チタン（ＴｉＣｌ₄）ガスを用い、第２ガスとして、例えば、アンモニア（ＮＨ₃）ガスを供給して、金属窒化膜（例えば、ＴｉＮ膜）を形成する際に生成される反応副生成物である塩化水素（ＨＣｌ）ガスを、ＴｉＣｌ₄ガスとＮＨ₃ガスにそれぞれ添加してウエハ２００上にＴｉＮ膜を形成した場合の、ＴｉＣｌ₄ガスとＨＣｌガスの流量比と、ＮＨ₃ガスとＨＣｌガスの流量比と、ＴｉＮ膜の成膜レートと、の関係を比較して示した図である。

図６に示すように、ＴｉＣｌ₄ガスとＮＨ₃ガスに対するＨＣｌガスの流量をそれぞれ多くすることにより、ＴｉＮ膜の成膜レートが低下することが確認されている。すなわち、ＴｉＣｌ₄ガスとＮＨ₃ガスの反応副生成物であるＨＣｌの生成量が少ない処理領域にＨＣｌを供給することにより、成膜レートを低下させることができ、処理領域の上端と下端で膜厚が厚くなっていた現象を改善でき、基板毎の膜厚均一性を向上させることとなる。

（４）他の実施形態
以上、本開示の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

（変形例１）
図７（Ａ）は、上述したノズル４４０の変形例を示す。本変形例では、ノズル４４０の代わりにノズル４５０を用いる。ノズル４５０は、第１ガスを供給するノズル４１０と、第２ガスを供給するノズル４２０と、第３ガスを供給するノズル４３０よりも短い長さに構成される。ノズル４５０には、処理領域の一部のウエハ２００であって、処理領域の下端側のウエハ２００に対応する位置に、吸着阻害ガスを供給するガス供給孔４５０ａが設けられる。この場合であっても、処理領域の一部のウエハ２００であって、反応副生成物の量の少ない処理領域の下端側のウエハ２００に対してのみ吸着阻害ガスが供給されることとなり、ウエハ２００毎の処理均一性を向上させることができる。よって、処理領域の下端側のウエハ２００上に形成される膜の膜厚を低減することができ、ウエハ２００に形成される膜厚の基板毎の均一性を向上させることができ、膜特性を均一化させることができる。

（変形例２）
図７（Ｂ）は、上述したノズル４４０の他の変形例を示す。本変形例では、ノズル４４０の代わりにノズル４６０を用いる。ノズル４６０は、ノズル４１０，４２０，４３０と略同じ長さに構成され、処理領域の一部のウエハ２００であって、処理領域の上端側のウエハ２００に対応する位置に、吸着阻害ガスを供給するガス供給孔４６０ａが設けられる。この場合であっても、処理領域の一部のウエハ２００であって、反応副生成物の量の少ない処理領域の上端側のウエハ２００に対してのみ吸着阻害ガスが供給されることとなり、ウエハ２００毎の処理均一性を向上させることができる。よって、処理領域の上端側のウエハ２００上に形成される膜の膜厚を低減することができ、ウエハ２００に形成される膜厚の基板毎の均一性を向上させることができ、膜特性を均一化させることができる。

（変形例３）
図７（Ｃ）は、上述したノズル４４０のさらに他の変形例を示す。本変形例では、ノズル４４０の代わりにノズル４７０を用いる。ノズル４７０は、処理領域の一部のウエハ２００であって、処理領域の中間領域のウエハ２００に対応する位置に、吸着阻害ガスを供給するガス供給孔４７０ａが設けられる。処理領域の中間領域において反応副生成物の量が少なく、処理領域の中間領域に配置されるウエハ２００上に形成される膜の膜厚が、上端側、下端側と比較して厚くなる場合には、処理領域の一部のウエハ２００であって、反応副生成物の量が少なく、ウエハ２００上に形成される膜の膜厚が、上端側、下端側と比較して厚く形成される中間領域のウエハ２００に対して、吸着阻害ガスが供給されることとなり、ウエハ２００毎の処理均一性を向上させることができる。よって、処理領域の中間領域のウエハ２００上に形成される膜の膜厚を低減することができ、ウエハ２００に形成される膜厚の基板毎の均一性を向上させることができ、膜特性を均一化させることができる。

（変形例４）
図８（Ａ）は、上述したノズル４４０のさらに他の変形例を示す。本変形例では、ノズル４４０の代わりにノズル４８０を用いる。ボート２１７には、処理領域の上端側と下端側にそれぞれダミーウエハ２００ｂが設けられ、下端側のダミーウエハ２００ｂと上端側のダミーウエハ２００ｂの間に大表面積ウエハであるウエハ２００ａを設ける。そして、ノズル４８０には、下端側のダミーウエハ２００ｂと上端側のダミーウエハ２００ｂが設けられた位置に対応する位置に、それぞれ吸着阻害ガスを供給するガス供給孔４８０ａ，４８０ｂが設けられる。処理領域の一部であり、反応副生成物の量が少ないダミーウエハ２００ｂに対応する位置に、ガス供給孔４８０ａ，４８０ｂが設けられることにより、反応副生成物の量の少ないダミーウエハ２００ｂに対して、吸着阻害ガスが供給されることとなり、ウエハ２００ａの処理均一性を向上させることができる。よって、処理領域のダミーウエハ２００ｂ付近のウエハ２００ａ上に形成される膜の膜厚を低減することができ、ウエハ２００ａに形成される膜厚の基板毎の均一性を向上させることができ、膜特性を均一化させることができる。

（変形例５）
図８（Ｂ）は、上述したノズル４４０のさらに他の変形例を示す。本変形例では、ノズル４４０の代わりにノズル４９０を用いる。ボート２１７には、処理領域においてダミーウエハ２００ｂが密（又はダミーウエハの枚数が比較的多い）に配置された領域と、ダミーウエハ２００ｂが疎（又はダミーウエハの枚数が比較的少ない）に配置された領域を有する。そして、ノズル４９０の、ダミーウエハ２００ｂが密に設けられた位置に対応する位置と、ダミーウエハ２００ｂが疎に設けられた位置に対応する位置に、それぞれ吸着阻害ガスを供給するガス供給孔４９０ａ，４９０ｂを設ける。

つまり、ガス供給孔４９０ａは、ノズル４９０の、ダミーウエハ２００ｂが密に設けられた位置に対応する位置に設けられ、ガス供給孔４９０ｂは、ダミーウエハ２００ｂが疎に設けられた位置に対応する位置に設けられる。ガス供給孔４９０ａの開口率は、ガス供給孔４９０ｂの開口率よりも大きく構成される。このように処理領域の一部であり、反応副生成物の量が少ないダミーウエハ２００ｂの疎密に合わせて、開口率の異なるガス供給孔４９０ａ，４９０ｂを配置する。これにより、反応副生成物の量の少ない領域に対して、吸着阻害ガスが多く供給されることとなり、ウエハ２００ａの処理均一性を向上させることができる。よって、処理領域のダミーウエハ２００ｂ付近のウエハ２００ａ上に形成される膜の膜厚を低減することができ、ウエハ２００に形成される膜厚の基板毎の均一性を向上させることができ、膜特性を均一化させることができる。なお、開口率の異なるガス供給孔４９０ａ，４９０ｂの配置位置に合わせて、ダミーウエハ２００ｂの疎密を調整してもよい。

なお、ダミーウエハは、非製品ウエハやベアウエハ等を含み、ダミーウエハが設けられる位置は、上述の変形例４、５に限定されない。すなわち、吸着阻害ガスを供給するノズルの、ダミーウエハ２００ｂが配置された位置に対応する位置に、吸着阻害ガスを供給するガス供給孔を設ける。例えば、ダミーウエハ２００ｂを処理領域の下側に纏めて配置するような場合には、吸着阻害ガスを供給するガス供給孔を、ノズルの、処理領域の下側であって、ダミーウエハ２００ｂに対応する位置に設ける。また、ダミーウエハ２００ｂが処理領域において分散配置されている場合には、吸着阻害ガスを供給するガス供給孔を、ノズルの、処理領域のダミーウエハ２００ｂに対応する位置に分散して設ける。処理領域の一部であり、反応副生成物の量が少ないダミーウエハ２００ｂに対応する位置に、ガス供給孔を設けることにより、反応副生成物の量の少ないダミーウエハ２００ｂに対して、吸着阻害ガスが供給されることとなり、大表面積ウエハであるウエハ２００ａの処理均一性を向上させることができる。よって、処理領域のダミーウエハ２００ｂ付近のウエハ２００ａ上に形成される膜の膜厚を低減することができ、ウエハ２００ａに形成される膜厚の基板毎の均一性を向上させることができ、膜特性を均一化させることができる。

なお、ダミーウエハ２００ｂを用いる場合に限らず、吸着阻害ガスを供給するガス供給孔を、ノズルの、処理領域に設けられた製品基板であるウエハ２００の密度が高い位置に対応する位置に設けてもよい。また、製品基板であるウエハ２００の疎密に合わせて、吸着阻害ガスを供給するガス供給孔を配置してもよい。また、吸着阻害ガスを供給するガス供給孔が配置された位置に対応する位置に、ウエハ２００を密に設けるようにしてもよい。処理領域の一部であり、反応副生成物の量が少ないウエハ２００に対応する位置に、吸着阻害ガスを供給するガス供給孔を設けることにより、反応副生成物の量の少ないウエハ２００に対して、吸着阻害ガスが供給されることとなり、ウエハ２００の処理均一性を向上させることができる。

（変形例６）
図９は、上述した図５に示す基板処理シーケンスの変形例を示す。本変形例では、吸着阻害ガスを、上述した第３ステップの第１ガス供給時に供給する。すなわち、上述した第１ステップと第２ステップを行った後、第３ステップとしての第１ガス供給と第５ステップとしての吸着阻害ガス供給とを同時に行い、その後、上述した第４ステップと、第７ステップと、第８ステップと、をこの順に行うサイクルを所定回数（Ｎ回）、１回以上実行する。すなわち、第１ガスの供給と第３ガスの供給とを一部並行して行った後、第１ガスの供給と吸着阻害ガスの供給とを並行して行い、その後、第２ガスの供給を行う。このように、例えば、第１ガスとしてＴｉＣｌ₄ガス供給の終盤に、吸着阻害ガスとしてＨＣｌガス供給を並行して行い、ＴｉＣｌ₄ガスの供給中に、処理領域の上端側と下端側のウエハ２００に対して吸着阻害ガスとしてＨＣｌガスを供給する。これにより、処理領域の上端側と下端側のウエハ２００上にＨＣｌが吸着されて、第２ガスとしてのＮＨ₃がＴｉＣｌ₄と反応せず、次のサイクルにおける第１ガスとしてのＴｉＣｌ₄ガス供給によるＴｉＣｌ₄の吸着が阻害され、ＴｉＮ層が形成されない。このため、吸着阻害ガスが供給される処理領域の上端側と下端側で、ウエハ２００の成膜レートを低下させることができる。なお、ＮＨ₃ガスは、吸着阻害ガスとしてのＨＣｌと反応して、ＮＨ₄Ｃｌが生成されるが、ＮＨ₄Ｃｌは、ウエハ２００上に吸着せずに脱離するため、膜中には残留しない。そのため、膜の電気的特性には影響が少ない。また、ＴｉＣｌ₄ガス供給の終盤に、ＨＣｌガス供給を並行して行うことにより、ＨＣｌが、Ｔｉ含有層に含有されてしまうことを抑制することができる。よって、上述した図５に示す基板処理シーケンスと同様の効果が得られる。

（変形例７）
図１０は、上述した図５に示す基板処理シーケンスの他の変形例を示す。本変形例では、吸着阻害ガスを、上述した第２ガスの供給後に供給する。すなわち、上述した第１ステップ～第４ステップを行った後、第７ステップと、第８ステップを行い、その後、上述した第５ステップと、第６ステップと、をこの順に行うサイクルを所定回数（Ｎ回）、１回以上実行する。すなわち、第１ガスの供給と第３ガスの供給とを一部並行して行った後、第２ガスの供給を行い、その後、吸着阻害ガスの供給を行う。このように、例えば、第２ガスとしてＮＨ₃ガス供給を行った後に、処理領域の上端側と下端側のウエハ２００に対して吸着阻害ガスとしてＨＣｌガスを供給する。これにより、処理領域の上端側と下端側のウエハ２００上にＨＣｌが吸着されて、次のサイクルにおける第１ガスとしてのＴｉＣｌ₄ガス供給によるＴｉＣｌ₄の吸着が阻害される。よって、次の第２ガスとしてのＮＨ₃が、ＴｉＣｌ₄と反応せず、ＴｉＮ層が形成されない。このため、吸着阻害ガスが供給される処理領域の上端側と下端側では、ウエハ２００の成膜レートを低下させることができる。この場合、ＨＣｌの一部は、例えば第３ガスとしてのＳｉＨ₄ガスと反応して、ＮＨ₃ガス供給までの間に脱離し、ＨＣｌの大部分は、ＮＨ₃ガス供給時に、ＮＨ₃と反応して、ＮＨ₄Ｃｌが生成され、ＮＨ₄Ｃｌは、ウエハ２００上に吸着せずに脱離する。そのため、膜の電気的特性には影響が少ない。よって、上述した図５に示す基板処理シーケンスと同様の効果が得られる。

（変形例８）
図１１は、上述した図５に示す基板処理シーケンスのさらに他の変形例を示す。本変形例では、吸着阻害ガスを、第１ガス供給の後に加えて、第２ガス供給の後にも供給する。すなわち、上述した第１ステップ～第８ステップを行った後に、第９ステップとして吸着阻害ガス供給と、第１０ステップとしてパージと、をこの順に行うサイクルを所定回数（Ｎ回）、１回以上実行する。すなわち、第１ガス供給と第３ガス供給とを一部並行して行った後、吸着阻害ガス供給を行い、その後、第２ガスの供給を行い、さらにその後、吸着阻害ガス供給を行う。このように、例えば、第１ガスとしてＴｉＣｌ₄ガス供給を行った後に、処理領域の上端側と下端側のウエハ２００に対して吸着阻害ガスとしてＨＣｌガスを供給し、さらに第２ガスとしてのＮＨ₃ガス供給を行った後に、処理領域の上端側と下端側のウエハ２００に対して吸着阻害ガスとしてＨＣｌガスを供給する。これにより、ＴｉＣｌ₄ガス供給後とＮＨ₃ガス供給後に、それぞれ処理領域の上端側と下端側のウエハ２００上にＨＣｌが吸着される。つまり、処理領域の上端側と下端側のウエハ２００上には、ＨＣｌが吸着されているため、ＮＨ₃がＴｉＣｌ₄と反応せず、ＴｉＣｌ₄ガス供給によるＴｉＣｌ₄の吸着が阻害されるため、ＴｉＮ層が形成されない。また、ＮＨ₃ガスを供給した後に、吸着阻害ガスとしてのＨＣｌを供給することにより、ＮＨ₃とＨＣｌが反応して、ＮＨ₄Ｃｌが生成され、ウエハ２００上に吸着せずに脱離するため、膜中にはＨＣｌやＮＨ₄Ｃｌが残留しない。このため、吸着阻害ガスが供給される処理領域の上端側と下端側では、ウエハ２００の成膜レートを低下させることができ、膜の電気的特性にも影響が少ない。この場合であっても、上述した図５に示す基板処理シーケンスと同様の効果が得られる。

なお、上記実施形態では、第１ガス供給と第２ガス供給と吸着阻害ガス供給との間で、パージを行う形態を示したが、これに限るものではなく、第１ガス供給と第２ガス供給と吸着阻害ガス供給との間でパージを行わなくても良い。

また、上記実施形態では、ウエハ２００に対して、ＴｉＮ膜を形成する場合を用いて説明したが、本開示はこれに限定されるものではなく、Ｔｉ、アルミニウム（Ａｌ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、シリコン（Ｓｉ）等の少なくとも１つ以上を含む膜等を形成する場合にも、好適に適用できる。

また、上記実施形態では、第１ガスとして金属元素とハロゲンを含むガスである例えばＴｉＣｌ₄ガスを用いる場合を用いて説明したが、本開示はこれに限定されるものではなく、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ₃）ガス、塩化ハフニウム（ＨｆＣｌ₄）ガス、塩化ジルコニウム（ＺｒＣｌ₄）ガス、五塩化モリブデン（ＭｏＣｌ₅）ガス、二塩化二酸化モリブデン（ＭｏＯ₂Ｃｌ₂）ガス、四塩化酸化モリブデン（ＭｏＯＣｌ₄）ガス、六フッ化タングステン（ＷＦ₆）ガス、六塩化タングステン（ＷＣｌ₆）ガス、Ｒｕとハロゲンを含むガス等を用いる場合にも、好適に適用できる。また、第１ガスとして、第１４族元素（例えば、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ））とハロゲンを含むガスである例えばヘキサクロロジシラン（Ｓｉ₂Ｃｌ₆、略称ＨＣＤＳ）ガス、塩化ゲルマニウム（Ｇｅ₂Ｃｌ₆）ガス等を用いる場合にも、好適に適用できる。

また、上記実施形態では、第２ガスとして、還元ガスであり反応ガスであるＮとＨを含むガスとして例えばＮＨ₃ガスを用いる場合を用いて説明したが、本開示はこれに限定されるものではなく、窒素（Ｎ₂）と水素（Ｈ₂）、ジアゼン（Ｎ₂Ｈ₂）、トリアゼン（Ｎ₃Ｈ₃）、ヒドラジン（Ｎ₂Ｈ₄）、その他アミン基を含むガスの少なくとも１つ以上を含むガス等を用いる場合にも、好適に適用できる。なお、吸着阻害ガスとしてＨＣｌガスを用いた場合に、ＨＣｌとＮＨ₃ガスが反応することにより、ＮＨ₃Ｃｌが生成されるため、第２ガスとしてＮＨ₃ガスを用いるのが好ましい。

また、上記実施形態では、第２ガスとして、窒素（Ｎ）と水素（Ｈ）を含むガスを用いる場合を用いて説明したが、本開示はこれに限定されるものでは無く、窒素を含まない還元ガスであっても良い。例えば、水素（Ｈ₂）ガス、重水素（Ｄ）ガス、ジシラン（Ｓｉ₂Ｈ₆）ガス、トリシラン（Ｓｉ₃Ｈ₈）ガス、モノゲルマン（ＧｅＨ₄）ガス、ジゲルマン（Ｇｅ₂Ｈ₆）ガス、トリゲルマン（Ｇｅ₃Ｈ₆）ガス、モノボラン（ＢＨ₃）ガス、ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）ガス、ホスフィン（ＰＨ₃）ガス等の少なくとも１つ以上を含むガスを用いる場合にも、好適に適用できる。この様な窒素を含まない還元ガスを用いることで、窒化物でない膜を形成することができる。

また、上記実施形態では、第３ガスとして、還元ガスであり水素含有ガスである例えばＳｉＨ₄ガスを用いる場合を用いて説明したが、本開示はこれに限定されるものではなく、水素（Ｈ₂）ガス、ジシラン（Ｓｉ₂Ｈ₆）ガス、トリシラン（Ｓｉ₃Ｈ₈）ガス、モノボラン（ＢＨ₃）ガス、ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）ガス、ホスフィン（ＰＨ₃）ガス等を用いる場合にも、好適に適用できる。

また、上記実施形態では、第１ガスと第２ガスと第３ガスと吸着阻害ガスを用いてウエハ２００上に膜を形成する工程について説明したが、本開示はこれに限定されるものでは無く、第１ガスと第２ガスと吸着阻害ガスを用いてウエハ２００上に膜を形成する工程であっても良い。即ち、第３ガスを用いずに行っても良い。このような成膜であっても、本開示に記載の効果の一部を得ることができる。

また、上記実施形態では、吸着阻害ガスとして、ハロゲンを含む例えばＨＣｌガスを用いる場合を用いて説明したが、本開示はこれに限定されるものではなく、第１ガスと同種のハロゲンを含むガスであればよく、例えば塩化アンモニウム（ＮＨ₄Ｃｌ）ガス、塩素（Ｃｌ₂）ガス、フッ化水素（ＨＦ）ガス、フッ素（Ｆ₂）ガス等を用いる場合にも、好適に適用できる。なお、吸着阻害ガスとして、第１ガスと第２ガスとが反応することにより生じる反応副生成物と同じ成分のガスを用いるのが好ましい。

また、上記実施形態では、金属と窒素を含む膜をウエハ２００上に形成する工程を説明したが、本開示はこれに限定されるものでは無い。各ガスを適宜選択することにより、金属膜、第１４族元素を主成分とする膜、酸化膜、酸窒化膜、炭化膜等を形成する場合にも、好適に適用できる。

また、上述の実施の形態では、一度に複数枚のウエハを処理するバッチ式の縦型装置である基板処理装置を用いて成膜する例について説明したが、本開示はこれに限定されず、一度に１枚または数枚のウエハを処理する枚葉式の基板処理装置を用いて成膜する場合にも、好適に適用できる。枚葉装置の処理領域は、枚葉装置の、ウエハとシャワーヘッド等のガス供給部との間であり、処理領域の一部に吸着阻害ガスを供給することにより、ウエハの面内均一性を向上させることができる。

これらの基板処理装置を用いる場合においても、上述の実施形態と同様なシーケンス、処理条件にて成膜を行うことができる。

これらの各種薄膜の形成に用いられるプロセスレシピ（処理手順や処理条件等が記載されたプログラム）は、基板処理の内容（形成する薄膜の膜種、組成比、膜質、膜厚、処理手順、処理条件等）に応じて、それぞれ個別に用意する（複数用意する）ことが好ましい。そして、基板処理を開始する際、基板処理の内容に応じて、複数のプロセスレシピの中から、適正なプロセスレシピを適宜選択することが好ましい。具体的には、基板処理の内容に応じて個別に用意された複数のプロセスレシピを、電気通信回線や当該プロセスレシピを記録した記録媒体（外部記憶装置１２３）を介して、基板処理装置が備える記憶装置１２１ｃ内に予め格納（インストール）しておくことが好ましい。そして、基板処理を開始する際、基板処理装置が備えるＣＰＵ１２１ａが、記憶装置１２１ｃ内に格納された複数のプロセスレシピの中から、基板処理の内容に応じて、適正なプロセスレシピを適宜選択することが好ましい。このように構成することで、１台の基板処理装置で様々な膜種、組成比、膜質、膜厚の薄膜を汎用的に、かつ、再現性よく形成できるようになる。また、オペレータの操作負担（処理手順や処理条件等の入力負担等）を低減でき、操作ミスを回避しつつ、基板処理を迅速に開始できるようになる。

また、本開示は、例えば、既存の基板処理装置のプロセスレシピを変更することでも実現できる。プロセスレシピを変更する場合は、本開示に係るプロセスレシピを電気通信回線や当該プロセスレシピを記録した記録媒体を介して既存の基板処理装置にインストールしたり、また、既存の基板処理装置の入出力装置を操作し、そのプロセスレシピ自体を本開示に係るプロセスレシピに変更したりすることも可能である。

また、本開示は、例えば、３次元構造を持つＮＡＮＤ型フラッシュメモリやＤＲＡＭ等のワードライン部分に用いることができる。

以上、本開示の種々の典型的な実施形態を説明してきたが、本開示はそれらの実施形態に限定されず、適宜組み合わせて用いることもできる。

＜本開示の好ましい態様＞
以下に、本開示の好ましい態様について付記する。

（付記１）
本開示の一態様によれば、
基板を処理する処理領域を有する処理容器と、
第１ガスを前記基板に供給する第１孔が前記処理領域の全域にわたって設けられた第１ノズルと、
前記第１ガスと反応する第２ガスを前記基板に供給する第２孔が前記処理領域の全域にわたって設けられた第２ノズルと、
前記第１ガスの吸着を阻害する吸着阻害ガスを前記基板に供給する第３孔が前記処理領域の一部に対応するように設けられた第３ノズルと、
前記第１ガス、前記第２ガス、前記吸着阻害ガスを、それぞれ、前記第１ノズルと前記第２ノズルおよび前記第３ノズルを介して前記基板に供給することが可能なガス供給システムと、
を有する基板処理装置が提供される。

（付記２）
付記１に記載の装置であって、
前記第３孔は、前記第３ノズルの、前記処理領域の下端側の前記基板に対応する位置に設けられる。

（付記３）
付記２に記載の装置であって、
前記第３ノズルの、前記処理領域の上端側の前記基板に対応する位置には、第４孔が更に設けられる。

（付記４）
付記３に記載の装置であって、
前記第３孔の開口率は、前記第４孔の開口率よりも大きく構成される。

（付記５）
付記１又は２に記載の装置であって、
前記第３ノズルは、前記第１ノズルと前記第２ノズルよりも短い長さに構成される。

（付記６）
付記１に記載の装置であって、
前記第３孔は、前記第３ノズルの、前記処理領域の上端側の前記基板に対応する位置に設けられる。

（付記７）
付記１に記載の装置であって、
前記第３孔は、前記第３ノズルの、前記処理領域の中間領域の前記基板に対応する位置に設けられる。

（付記８）
付記１に記載の装置であって、
前記第３孔は、前記第３ノズルの、前記処理領域のダミー基板が設けられた位置に対応する位置に設けられる。

（付記９）
付記８に記載の装置であって、
前記第３孔は、前記第３ノズルの、前記ダミー基板が密（又は枚数が比較的多い）に設けられた位置に対応する位置に設けられ、前記第３ノズルの、前記ダミー基板が疎（又は枚数が比較的少ない）に設けられた位置に対応する位置には、第４孔が更に設けられる。

（付記１０）
付記９に記載の装置であって、
前記第３孔の開口率は、前記第４孔の開口率よりも大きく構成される。

（付記１１）
付記１に記載の装置であって、
前記第３孔は、前記第３ノズルの、前記処理領域に設けられた前記基板の密度が高い位置に対応する位置に設けられる。

（付記１２）
付記１から１１のいずれか記載の装置であって、
前記ガス供給システムを制御可能に構成された制御部と、を有する。

（付記１３）
付記１２に記載の装置であって、
前記基板に第３ガスを供給する第４ノズルを更に有し、
前記制御部は、
（ａ）前記基板に対して、前記第１ガスを供給する処理と、
（ｂ）前記基板に対して、前記第２ガスを供給する処理と、
（ｃ）前記基板に対して、前記吸着阻害ガスを供給する処理と、
（ｄ）前記基板に対して、前記第３ガスを供給する処理と、
（ｅ）（ａ）と（ｄ）とを一部並行して行った後、（ｃ）を行い、その後、（ｂ）を行う処理と、
を行わせるように前記ガス供給システムを制御可能に構成される。

（付記１４）
付記１２に記載の装置であって、
前記基板に第３ガスを供給する第４ノズルを更に有し、
前記制御部は、
（ａ）前記基板に対して、前記第１ガスを供給する処理と、
（ｂ）前記基板に対して、前記第２ガスを供給する処理と、
（ｃ）前記基板に対して、前記吸着阻害ガスを供給する処理と、
（ｄ）前記基板に対して、前記第３ガスを供給する処理と、
（ｅ）（ａ）と（ｄ）とを一部並行して行った後、（ａ）と（ｃ）とを並行して行い、その後、（ｂ）を行う処理と、
を行わせるように前記ガス供給システムを制御可能に構成される。

（付記１５）
付記１２に記載の装置であって、
前記基板に第３ガスを供給する第４ノズルを更に有し、
前記制御部は、
（ａ）前記基板に対して、前記第１ガスを供給する処理と、
（ｂ）前記基板に対して、前記第２ガスを供給する処理と、
（ｃ）前記基板に対して、前記吸着阻害ガスを供給する処理と、
（ｄ）前記基板に対して、前記第３ガスを供給する処理と、
（ｅ）（ａ）と（ｄ）とを一部並行して行った後（ｂ）を行い、その後、（ｃ）を行う処理と、
を行わせるように前記ガス供給システムを制御可能に構成される。

（付記１６）
付記１３に記載の装置であって、
前記制御部は、
（ｅ）の後に、（ｃ）を行うように前記ガス供給システムを制御可能に構成される。

（付記１７）
付記１から１６のいずれか記載の装置であって、
前記第１ガスは、ハロゲンを含むガスであり、
前記第２ガスは、還元ガスであり、
前記吸着阻害ガスは、ハロゲンを含むガスである。

（付記１８）
付記１から１７のいずれか記載の装置であって、
前記処理領域は、前記基板を複数枚処理可能な空間を有するよう構成される。

（付記１９）
本開示の他の態様によれば、
第１ガスを供給する第１孔が基板を処理する処理領域の全域にわたって設けられた第１ノズルと、前記第１ガスと反応する第２ガスを供給する第２孔が前記処理領域の全域にわたって設けられた第２ノズルと、前記第１ガスの吸着を阻害する吸着阻害ガスを供給する第３孔が前記処理領域の一部に対応するように設けられた第３ノズルと、を備える処理容器内で、
前記基板に対して前記第１ガスを供給する工程と、
前記基板に対して前記第２ガスを供給する工程と、
前記基板に対して前記吸着阻害ガスを供給する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。

（付記２０）
本開示のさらに他の態様によれば、
第１ガスを供給する第１孔が基板を処理する処理領域の全域にわたって設けられた第１ノズルと、前記第１ガスと反応する第２ガスを供給する第２孔が前記処理領域の全域にわたって設けられた第２ノズルと、前記第１ガスの吸着を阻害する吸着阻害ガスを供給する第３孔が前記処理領域の一部に対応するように設けられた第３ノズルと、を備える基板処理装置の処理容器内で、
前記基板に対して前記第１ガスを供給する手順と、
前記基板に対して前記第２ガスを供給する手順と、
前記基板に対して前記吸着阻害ガスを供給する手順と、
をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。

１０ 基板処理装置
１２１ コントローラ
２００ ウエハ（基板）
２０１ 処理室

Claims (5)

1. 基板を処理する処理領域を有する処理容器と、
   第１ガスを前記基板に供給する第１孔が前記処理領域の全域にわたって設けられた第１ノズルと、
   前記第１ガスと反応する第２ガスを前記基板に供給する第２孔が前記処理領域の全域にわたって設けられた第２ノズルと、
   前記第１ガスの吸着を阻害する吸着阻害ガスを前記基板に供給する第３孔が前記処理領域の一部に対応するように設けられた第３ノズルと、
   前記第１ガス、前記第２ガス、前記吸着阻害ガスを、それぞれ、前記第１ノズルと前記第２ノズルおよび前記第３ノズルを介して前記基板に供給することが可能なガス供給システムと、
   を有する基板処理装置。
2. 前記第３孔は、前記第３ノズルの、前記処理領域の下端側の前記基板に対応する位置に設けられる請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第３ノズルの、前記処理領域の上端側の前記基板に対応する位置には、第４孔が更に設けられる請求項２記載の基板処理装置。
4. 第１ガスを供給する第１孔が基板を処理する処理領域の全域にわたって設けられた第１ノズルと、前記第１ガスと反応する第２ガスを供給する第２孔が前記処理領域の全域にわたって設けられた第２ノズルと、前記第１ガスの吸着を阻害する吸着阻害ガスを供給する第３孔が前記処理領域の一部に対応するように設けられた第３ノズルと、を備える処理容器内で、
   前記基板に対して前記第１ガスを供給する工程と、
   前記基板に対して前記第２ガスを供給する工程と、
   前記基板に対して前記吸着阻害ガスを供給する工程と、
   を有する半導体装置の製造方法。
5. 第１ガスを供給する第１孔が基板を処理する処理領域の全域にわたって設けられた第１ノズルと、前記第１ガスと反応する第２ガスを供給する第２孔が前記処理領域の全域にわたって設けられた第２ノズルと、前記第１ガスの吸着を阻害する吸着阻害ガスを供給する第３孔が前記処理領域の一部に対応するように設けられた第３ノズルと、を備える基板処理装置の処理容器内で、
   前記基板に対して前記第１ガスを供給する手順と、
   前記基板に対して前記第２ガスを供給する手順と、
   前記基板に対して前記吸着阻害ガスを供給する手順と、
   をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。

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