JP2022116077A5 - - Google Patents

Description

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
以下、参考形態の例を付記する。
１． LASER DIRECT STRUCTURING（ＬＤＳ）に用いるＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物であって、
（Ａ）熱硬化性樹脂と、
（Ｂ）無機充填材と、
（Ｃ）活性エネルギー線の照射により金属核を形成する非導電性金属化合物と、
（Ｄ）カップリング剤と、を含み、
前記成分（Ａ）が、エポキシ樹脂およびビスマレイミド樹脂からなる群から選択される１種以上を含み、
以下の条件１または条件２の少なくとも１つを満たす、ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
（条件１）前記成分（Ｂ）中、１μｍ以上２０μｍ以下の粒径を有する粒子の割合が前記成分（Ｂ）の全体に対して４０体積％以上９５体積％以下である
（条件２）当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物が顆粒状であり、当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物の崩壊角が３５°以下である
２． 当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物が前記条件１を満たす、１．に記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
３． 前記成分（Ｂ）のｄ ₁₀ 粒径が０．０５μｍ以上３μｍ以下である、２．に記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
４． （Ｅ）硬化促進剤をさらに含む、２．または３．に記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
５． 前記成分（Ｂ）がシリカを含む、２．乃至４．いずれか１つに記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
６． 当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物中の前記成分（Ｂ）および前記成分（Ｃ）の含有量の合計が、当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物全体に対して７０質量％以上９８質量％以下である、２．乃至５．いずれか１つに記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
７． 当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物が前記条件２を満たす、１．に記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
８． 当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物の差角が５°以上である、７．に記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
９． 当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物の平均粒径ｄ ₅₀ が１．０ｍｍ以下である、７．または８．に記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
１０． 前記成分（Ｂ）の平均粒径ｄ ₅₀ が１０μｍ以下である、７．乃至９．いずれか１つに記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
１１． 当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物中の前記成分（Ｂ）および前記成分（Ｃ）の含有量の合計が、当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物全体に対して８０質量％以上９８質量％以下である、７．乃至１０．いずれか１つに記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
１２． 半導体素子の表面を覆うように前記半導体素子をＬＤＳ（LASER DIRECT STRUCTURING）用熱硬化性樹脂組成物の硬化物により封止して封止材を形成する工程と、
前記封止材の表面の特定の部位に活性エネルギー線を照射する工程と、
前記封止材の前記表面を親水化処理する工程と、
前記封止材の前記表面の前記活性エネルギー線が照射された領域に金属層を選択的に形成する工程と、
を含み、
前記ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物が、１．乃至１１．いずれか１つに記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物である、半導体装置の製造方法。
１３． 半導体素子の表面を覆うように前記半導体素子をＬＤＳ（LASER DIRECT STRUCTURING）用熱硬化性樹脂組成物の硬化物により封止して封止材を形成する工程と、
前記封止材の表面の特定の部位に活性エネルギー線を照射する工程と、
前記封止材の前記表面を親水化処理する工程と、
前記封止材の前記表面の前記活性エネルギー線が照射された領域に金属層を選択的に形成する工程と、
を含み、
前記ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物が、
（Ａ）熱硬化性樹脂と、
（Ｂ）無機充填材と、
（Ｃ）活性エネルギー線の照射により金属核を形成する非導電性金属化合物と、
（Ｄ）カップリング剤と、を含み、
前記成分（Ａ）が、エポキシ樹脂およびビスマレイミド樹脂からなる群から選択される１種以上を含む、半導体装置の製造方法。
１４． 前記封止材の表面を親水化処理する前記工程が、活性エネルギー線を照射する前記工程の後、前記封止材の表面の前記特定の部位を親水化する工程である、１２．または１３．に記載の半導体装置の製造方法。
１５． 親水化処理する前記工程が、
前記封止材の前記表面に、グリコール系有機溶剤を含む処理液を適用する工程を含む、１２．乃至１４．いずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
１６． 金属層を選択的に形成する前記工程が、
前記領域に金属を適用する工程と、
前記領域に前記金属のめっき層を成長させる工程と、
を含む、１２．乃至１５．いずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
１７． 前記活性エネルギー線の波長が２４０ｎｍ以上１１００ｎｍ以下である、１２．乃至１６．いずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。

Claims (15)

1. LASER DIRECT STRUCTURING（ＬＤＳ）に用いるＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物であって、
   （Ａ）熱硬化性樹脂と、
   （Ｂ）無機充填材と、
   （Ｃ）活性エネルギー線の照射により金属核を形成する非導電性金属化合物と、
   （Ｄ）カップリング剤と、を含み、
   前記成分（Ａ）が、エポキシ樹脂およびビスマレイミド樹脂からなる群から選択される１種以上を含み、
   前記成分（Ｃ）が、（ｉ）スピネル型の金属酸化物から選択される１種以上であり、
   以下の条件２を満たす、ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
   （条件２）当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物が顆粒状であり、当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物の崩壊角が３５°以下である
2. 当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物が以下の条件１をさらに満たす、請求項１に記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
   （条件１）前記成分（Ｂ）中、１μｍ以上２０μｍ以下の粒径を有する粒子の割合が前記成分（Ｂ）の全体に対して４０体積％以上９５体積％以下である
3. 前記成分（Ｂ）のｄ₁₀粒径が０．０５μｍ以上３μｍ以下である、請求項２に記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
4. （Ｅ）硬化促進剤をさらに含む、請求項２または３に記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
5. 前記成分（Ｂ）がシリカを含む、請求項２乃至４いずれか１項に記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
6. 当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物中の前記成分（Ｂ）および前記成分（Ｃ）の含有量の合計が、当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物全体に対して７０質量％以上９８質量％以下である、請求項２乃至５いずれか１項に記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
7. 当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物の差角が５°以上である、請求項１乃至６いずれか１項に記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
8. 当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物の平均粒径ｄ₅₀が１．０ｍｍ以下である、請求項１乃至７いずれか１項に記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
9. 前記成分（Ｂ）の平均粒径ｄ₅₀が１０μｍ以下である、請求項１乃至８いずれか１項に記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
10. 当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物中の前記成分（Ｂ）および前記成分（Ｃ）の含有量の合計が、当該ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物全体に対して８０質量％以上９８質量％以下である、請求項１乃至９いずれか１項に記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物。
11. 半導体素子の表面を覆うように前記半導体素子をＬＤＳ（LASER DIRECT STRUCTURING）用熱硬化性樹脂組成物の硬化物により封止して封止材を形成する工程と、
    前記封止材の表面の特定の部位に活性エネルギー線を照射する工程と、
    前記封止材の前記活性エネルギー線が照射される領域を含む前記表面を親水化処理する工程と、
    前記封止材の前記表面の前記活性エネルギー線が照射された領域に金属層を選択的に形成する工程と、
    を含み、
    前記ＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物が、請求項１乃至１０いずれか１項に記載のＬＤＳ用熱硬化性樹脂組成物である、半導体装置の製造方法。
12. 前記封止材の表面を親水化処理する前記工程が、活性エネルギー線を照射する前記工程の後、前記封止材の表面の前記特定の部位を親水化する工程である、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
13. 親水化処理する前記工程が、
    前記封止材の前記表面に、グリコール類およびグリコールエーテルアセテート類からなる群から選択される一または二以上のグリコール系有機溶剤を含む処理液を適用する工程を含む、請求項１１または１２に記載の半導体装置の製造方法。
14. 金属層を選択的に形成する前記工程が、
    前記領域に金属を適用する工程と、
    前記領域に前記金属のめっき層を成長させる工程と、
    を含む、請求項１１乃至１３いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
15. 前記活性エネルギー線の波長が２４０ｎｍ以上１１００ｎｍ以下である、請求項１１乃至１４いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。