JP2022108343A5 - - Google Patents

Description

図７（ａ）～図７（ｄ）は、第１実施形態に係る磁気センサを例示する模式図である。
図７（ｂ）～図７（ｄ）は、導電部材２０における電気的な接続についてのいくつかの例を示している。図７（ａ）～図７（ｄ）において、電気的な接続関係が分かりやすいように、第１～第４対応部２１～２４の空間的な配置が、図１（ａ）の例から変形して描かれている。図６に例示する磁気素子の構成が、図７（ａ）～図７（ｄ）に示すいずれかの構成と組み合わされて良い。

図７（ａ）に示す例において、例えば、導電部材２０に交流成分を含む第１電流Ｉ１が供給されたときの１つの時刻（第１時刻）において、第１電流Ｉ１の向きは、以下である。第１電流Ｉ１は、第１対応他部２１ｆから第１対応一部２１ｅへの向きに、第１対応部２１を流れる。第１電流Ｉ１は、第２対応一部２２ｅから第２対応他部２２ｆへの向きに、第２対応部２２を流れる。第１電流Ｉ１は、第３対応一部２３ｅから第３対応他部２３ｆへの向きに、第３対応部２３を流れる。第１電流Ｉ１は、第４対応他部２４ｆから第４対応一部２４ｅへの向きに、第４対応部２４を流れる。

以下、導電部材２０に電流が流れたときの磁気素子（第１磁気素子１１Ｅ）の電気抵抗の変化の例について説明する。以下では、第１磁気素子１１Ｅの電気抵抗について説明する。以下の説明は、第２～第４磁気素子１２Ｅ～１４Ｅに適用できる。

図１０（ａ）に示すように、信号磁界Ｈｓｉｇが０のときは、抵抗Ｒは、正負の磁界Ｈに対して対称な特性を示す。交流磁界Ｈａｃがゼロのときに、抵抗Ｒは、低い抵抗Ｒｏである。例えば磁化自由層の磁化が、正負の磁界Ｈに対して実質的に同じように回転する。このため、対称な抵抗の変化が得られる。交流磁界Ｈａｃに対する抵抗Ｒの変動は、正負の極性で同じ値になる。抵抗Ｒの変化の周期は、交流磁界Ｈａｃの周期の１／２倍となる。抵抗Ｒの変化は、交流磁界Ｈａｃの周波数成分を実質的に有しない。

この例では、検出対象駆動部７６Ｂは、印加制御回路部７６ａ及び駆動アンプ７６ｂを含む。印加制御回路部７６ａによる制御により、駆動アンプ７６ｂが制御され、駆動アンプ７６ｂから、検査導電部材８０ｃに電流が供給される。電流は、例えば、交流である。例えば、検査導電部材８０ｃに交流電流を供給する。交流電流の周波数は、例えば、１０Ｈｚ以上１００ｋＨｚ以下である。周波数は、例えば、１００ｋＨｚ未満でも良い。この例においても、第１ロックインアンプ７５ａ及び第２ロックインアンプ７５ｂが設けられることで、例えば、ノイズを抑制して、高感度の検出が可能になる。検査装置５５１の１つの例において、複数の磁気センサ（例えば複数の磁気センサ１１０）が設けられても良い。複数の磁気センサは、例えば、センサアレイである。センサアレイにより、検査導電部材８０ｃを短時間で検査できる。検査装置５５１の１つの例において、磁気センサ（例えば磁気センサ１１０）がスキャンされて、検査導電部材８０ｃが検査されても良い。

（構成９）
前記第１磁気素子の他端部は、前記第２磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第１磁気素子の一端部は、前記第３磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第３磁気素子の他端部は、前記第４磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第２磁気素子の他端部は、前記第４磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第１対応部は、
前記第１磁気素子の前記一端部に対応する第１対応一部と、
前記第１磁気素子の前記他端部に対応する第１対応他部と
を含み、
前記第２対応部は、
前記第２磁気素子の前記一端部に対応する第２対応一部と、
前記第２磁気素子の前記他端部に対応する第２対応他部と、
を含み、
前記第３対応部は、
前記第３磁気素子の前記一端部に対応する第３対応一部と、
前記第３磁気素子の前記他端部に対応する第３対応他部と
を含み、
前記第４対応部は、
前記第４磁気素子の前記一端部に対応する第４対応一部と、
前記第４磁気素子の前記他端部に対応する第４対応他部と、
を含み、
前記導電部材に交流成分を含む第１電流が供給されたときの第１時刻において、
素子電流は、前記第１磁気素子の前記一端部から前記第１磁気素子の前記他端部への向きに前記第１磁気素子を流れ、
前記素子電流は、前記第２磁気素子の前記一端部から前記第２磁気素子の前記他端部への向きに前記第２磁気素子を流れ、
前記素子電流は、前記第３磁気素子の前記一端部から前記第３磁気素子の前記他端部への向きに前記第３磁気素子を流れ、
前記素子電流は、前記第４磁気素子の前記一端部から前記第４磁気素子の前記他端部への向きに前記第４磁気素子を流れ、
前記第１電流は、前記第１対応他部から前記第１対応一部への向きに、前記第１対応部を流れ、
前記第１電流は、前記第２対応一部から前記第２対応他部への向きに、前記第２対応部を流れる、
前記第１電流は、前記第３対応一部から前記第３対応他部への向きに、前記第３対応部を流れる、
前記第１電流は、前記第４対応他部から前記第４対応一部への向きに、前記第４対応部を流れる、構成８記載の磁気センサ。

（構成１０）
前記第１磁気素子の他端部は、前記第２磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第１磁気素子の一端部は、前記第３磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第３磁気素子の他端部は、前記第４磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第２磁気素子の他端部は、前記第４磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第１対応部は、
前記第１方向において前記第１磁気素子の前記一端部と重なる第１対応一部と、
前記第１方向において前記第１磁気素子の前記他端部と重なる第１対応他部と
を含み、
前記第２対応部は、
前記第１方向において前記第２磁気素子の前記一端部と重なる第２対応一部と、
前記第１方向において前記第２磁気素子の前記他端部と重なる第２対応他部と、
を含み、
前記第３対応部は、
前記第１方向において前記第３磁気素子の前記一端部と重なる第３対応一部と、
前記第１方向において前記第３磁気素子の前記他端部と重なる第３対応他部と
を含み、
前記第４対応部は、
前記第１方向において前記第４磁気素子の前記一端部と重なる第４対応一部と、
前記第１方向において前記第４磁気素子の前記他端部と重なる第４対応他部と、
を含み、
前記第１対応一部は、前記第３対応一部と電気的に接続され、
前記第１対応他部は、前記第２対応一部と電気的に接続され、
前記第３対応他部は、前記第４対応一部と電気的に接続され、
前記第２対応他部は、前記第４対応他部と電気的に接続された、構成８記載の磁気センサ。

（構成１２）
前記第１磁気素子の他端部は、前記第２磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第１磁気素子の一端部は、前記第３磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第３磁気素子の他端部は、前記第４磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第２磁気素子の他端部は、前記第４磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第１対応部は、
前記第１方向において前記第１磁気素子の前記一端部と重なる第１対応一部と、
前記第１方向において前記第１磁気素子の前記他端部と重なる第１対応他部と
を含み、
前記第２対応部は、
前記第１方向において前記第２磁気素子の前記一端部と重なる第２対応一部と、
前記第１方向において前記第２磁気素子の前記他端部と重なる第２対応他部と、
を含み、
前記第３対応部は、
前記第１方向において前記第３磁気素子の前記一端部と重なる第３対応一部と、
前記第１方向において前記第３磁気素子の前記他端部と重なる第３対応他部と
を含み、
前記第４対応部は、
前記第１方向において前記第４磁気素子の前記一端部と重なる第４対応一部と、
前記第１方向において前記第４磁気素子の前記他端部と重なる第４対応他部と、
を含み、
前記第１対応一部は、前記第２対応他部と電気的に接続され、
前記第１対応他部は、前記第２対応一部と電気的に接続され、
前記第３対応一部は、前記第４対応他部と電気的に接続され、
前記第３対応他部は、前記第４対応一部と電気的に接続された、構成８記載の磁気センサ。

（構成１４）
前記第１磁気素子の他端部は、前記第２磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第１磁気素子の一端部は、前記第３磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第３磁気素子の他端部は、前記第４磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第２磁気素子の他端部は、前記第４磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第１対応部は、
前記第１方向において前記第１磁気素子の前記一端部と重なる第１対応一部と、
前記第１方向において前記第１磁気素子の前記他端部と重なる第１対応他部と
を含み、
前記第２対応部は、
前記第１方向において前記第２磁気素子の前記一端部と重なる第２対応一部と、
前記第１方向において前記第２磁気素子の前記他端部と重なる第２対応他部と、
を含み、
前記第３対応部は、
前記第１方向において前記第３磁気素子の前記一端部と重なる第３対応一部と、
前記第１方向において前記第３磁気素子の前記他端部と重なる第３対応他部と
を含み、
前記第４対応部は、
前記第１方向において前記第４磁気素子の前記一端部と重なる第４対応一部と、
前記第１方向において前記第４磁気素子の前記他端部と重なる第４対応他部と、
を含み、
前記第１対応一部は、前記第４対応他部と電気的に接続され、
前記第１対応他部は、前記第２対応一部と電気的に接続され、
前記第２対応他部は、前記第３対応一部と電気的に接続され、
前記第３対応他部は、前記第４対応一部と電気的に接続された、構成８記載の磁気センサ。

Claims (1)

1. 前記第１磁気素子の他端部は、前記第２磁気素子の一端部と電気的に接続され、
   前記第１磁気素子の一端部は、前記第３磁気素子の一端部と電気的に接続され、
   前記第３磁気素子の他端部は、前記第４磁気素子の一端部と電気的に接続され、
   前記第２磁気素子の他端部は、前記第４磁気素子の他端部と電気的に接続され、
   前記第１対応部は、
   前記第１磁気素子の前記一端部に対応する第１対応一部と、
   前記第１磁気素子の前記他端部に対応する第１対応他部と
   を含み、
   前記第２対応部は、
   前記第２磁気素子の前記一端部に対応する第２対応一部と、
   前記第２磁気素子の前記他端部に対応する第２対応他部と、
   を含み、
   前記第３対応部は、
   前記第３磁気素子の前記一端部に対応する第３対応一部と、
   前記第３磁気素子の前記他端部に対応する第３対応他部と
   を含み、
   前記第４対応部は、
   前記第４磁気素子の前記一端部に対応する第４対応一部と、
   前記第４磁気素子の前記他端部に対応する第４対応他部と、
   を含み、
   前記導電部材に交流成分を含む第１電流が供給されたときの第１時刻において、
   素子電流は、前記第１磁気素子の前記一端部から前記第１磁気素子の前記他端部への向きに前記第１磁気素子を流れ、
   前記素子電流は、前記第２磁気素子の前記一端部から前記第２磁気素子の前記他端部への向きに前記第２磁気素子を流れ、
   前記素子電流は、前記第３磁気素子の前記一端部から前記第３磁気素子の前記他端部への向きに前記第３磁気素子を流れ、
   前記素子電流は、前記第４磁気素子の前記一端部から前記第４磁気素子の前記他端部への向きに前記第４磁気素子を流れ、
   前記第１電流は、前記第１対応他部から前記第１対応一部への向きに、前記第１対応部を流れ、
   前記第１電流は、前記第２対応一部から前記第２対応他部への向きに、前記第２対応部を流れる、
   前記第１電流は、前記第３対応一部から前記第３対応他部への向きに、前記第３対応部を流れる、
   前記第１電流は、前記第４対応他部から前記第４対応一部への向きに、前記第４対応部を流れる、請求項７記載の磁気センサ。