WO2017213003A1 - マグネトインピーダンスセンサ - Google Patents

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detection
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道治 山本
知彦 長尾
吉広 岩永
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愛知製鋼株式会社
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/063—Magneto-impedance sensors; Nanocristallin sensors
    • G—PHYSICS
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    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices

Definitions

  • a current such as a pulse current is passed through the magnetosensitive body.
  • a voltage corresponding to the strength of the external magnetic field acting on the magnetic sensitive member is generated in the detection coil.
  • the MI sensor is configured to detect this voltage by the detection circuit and thereby calculate the strength of the external magnetic field.
  • the MI sensor is known as a magnetic sensor with high measurement accuracy, but the user's requirements have become stricter with time, and there has been a demand for further improvement in measurement accuracy. Therefore, the possibility of a decrease in measurement accuracy due to the following error factors was examined. That is, when a current flows through the magnetic sensitive body, a magnetic field is generated around the current and acts on the detection coil. When the current changes with time, the magnetic field acting on the detection coil changes with time, and an induced voltage is generated in the detection coil regardless of the strength of the external magnetic field. For this reason, an induced voltage is superimposed on the output voltage of the detection coil, the influence of which causes a measurement error, and the measurement accuracy of the external magnetic field may be reduced. Therefore, in order to further increase the measurement accuracy, it is considered necessary to examine in detail measures for reducing the cause of this measurement error.
  • Patent Document 1 discloses an MI element characterized in that a magnetosensitive body is covered with a conductive layer through an insulating layer, and at one end in the axial direction of the magnetosensitive body, the magnetosensitive body and the conductive layer are electrically connected by a connecting portion.
  • the current flows from the other end side in the axial direction to the one end side in the magnetic sensitive body, and then flows from the one end side to the other end side in the conductive layer through the connection portion. Therefore, the direction of the current flowing through the magnetic sensitive body is opposite to the direction of the current flowing through the conductive layer, and the magnetic fields generated by these currents can be canceled out. Therefore, the magnetic field generated from the magnetic sensitive body is less likely to act on the detection coil, and an induced voltage is less likely to be generated in the detection coil. Therefore, it becomes easy to accurately measure the external magnetic field.
  • the above measures may not always sufficiently improve the measurement accuracy of the external magnetic field. That is, the detection coil and the detection circuit are connected via a pair of detection conductors.
  • the MI sensor is provided with a magnetic sensor wiring that connects the magnetic sensor and the power source, and a conductive layer wiring that connects the conductive layer and the power source.
  • the influence of the magnetic field caused by the current flowing in the magnetic sensitive body itself is considered, but the magnetic field caused by the current flowing in the magnetic sensitive wiring and the current flowing in the conductive layer wiring are considered.
  • the present invention has been made in view of such a background, and an object of the present invention is to provide a magneto-impedance sensor capable of further improving the measurement accuracy of an external magnetic field.
  • One embodiment of the present invention includes a magnetic sensor, a conductive layer disposed adjacent to the magnetic sensor through an insulating layer, a detection coil wound around the magnetic sensor, the magnetic sensor, and the conductive layer.
  • a connecting portion electrically connected at one end in the axial direction of the magnetic sensitive body, a terminal portion for a magnetic sensitive body electrically connected to the other end of the magnetic sensitive body in the axial direction, and the other end of the conductive layer in the axial direction
  • a magneto-impedance element configured to flow a reverse current to the magnetosensitive body and the conductive layer,
  • a detection circuit that is electrically connected to the detection coil via a pair of detection leads and detects an output voltage of the detection coil;
  • a magnetic sensitive wire electrically connected to the magnetic sensitive terminal;
  • a conductive layer wiring electrically connected to the conductive layer terminal portion,
  • the magneto-impedance sensor is characterized in that at least a part of the two wirings of the magnetic material wiring and the conductive layer wiring are adjacent to each other and currents flowing
  • FIG. 3 is a plan view of a magneto-impedance sensor in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a plan view of a magnetoimpedance element in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a waveform diagram of a current flowing through a magnetic sensitive body and a voltage of a detection coil when an external magnetic field is acting in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a waveform diagram of a current flowing through a magnetic sensitive body and a voltage of a detection coil when an external magnetic field is not acting in the first embodiment.
  • FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view of a magneto-impedance element in which only a part of a magnetic sensitive body is covered with a conductive layer in the first embodiment.
  • the top view of the magneto-impedance sensor comprised so that the wiring for magnetic bodies and the wiring for conductive layers may cross
  • the magneto-impedance sensor includes an IC on which the detection circuit is formed and a wiring board on which the magneto-impedance element and the IC are mounted, and the two wirings are IC portions formed on the IC, respectively. And the substrate portion formed on the wiring substrate, and the two wirings are preferably configured to be adjacent to each other in both the IC portion and the substrate portion. ). In this case, the length of the adjacent part of the two wirings can be increased. Therefore, the magnetic fields generated by the currents flowing through these wirings can be sufficiently canceled out, and the strength of the magnetic field acting on the pair of detection conductors can be reduced. Therefore, an induced voltage is less likely to be generated in the detection conductor, and the external magnetic field can be measured more accurately.
  • At least one of the IC portions of the two wirings and the substrate portions of the two wirings are adjacent to each other in the thickness direction of the IC. .
  • the two wirings are adjacent to each other in the thickness direction, the area of the IC or the wiring board when viewed from the thickness direction can be reduced. Therefore, the magnetoimpedance sensor can be reduced in size.
  • the magnetic material wiring and the conductive layer wiring are formed at positions that do not intersect the detection conducting wire when viewed from the thickness direction of the IC.
  • the magnetic sensor wiring and the conductive layer wiring can be arranged at positions away from the pair of detection conducting wires. Therefore, it is possible to suppress the induction voltage from being generated in the detection conductor due to the magnetic field generated from these wirings, and it is possible to measure the external magnetic field more accurately.
  • the IC is formed at a position that does not intersect the detection conducting wire when viewed from the thickness direction of the IC.
  • the wire can be disposed at a position away from the detection conducting wire. Therefore, the magnetic field generated from the wire is less likely to act on the pair of detection conductors, and an induced voltage is less likely to be generated in the detection conductor. Therefore, the external magnetic field can be measured more accurately.
  • both ends of the IC portion are connected to an IC terminal portion formed on the IC, and both ends of the substrate portion are connected to a substrate terminal portion formed on the wiring board.
  • the IC portions of the two wires are adjacent to each other except in the vicinity of the IC terminal portion, and the substrate portions of the two wirings are adjacent to each other except in the vicinity of the substrate terminal portion. 6).
  • the length of the adjacent portions of the two wirings can be made longer. Therefore, it is possible to effectively cancel the magnetic fields generated by the currents flowing through the two wires. Therefore, an induced voltage is less likely to be generated in the detection conductor, and the external magnetic field can be measured more accurately.
  • the magneto-impedance sensor 1 (MI sensor 1) of this embodiment includes a magneto-impedance element 2 (MI element 2), a detection circuit 3, a magnetic sensitive element wiring 4, and a conductive layer wiring 5.
  • the MI element 2 includes a magnetic sensitive body 20, a conductive layer 21, a detection coil 22, a connecting portion 23, a magnetic sensitive terminal portion 24, and a conductive layer terminal portion 25.
  • the conductive layer 21 is formed in a cylindrical shape, and is disposed at a position adjacent to the magnetic sensitive body 20 through the insulating layer 29.
  • the detection coil 22 is wound around the magnetic sensitive body 20 via a coil insulating layer 27.
  • the connecting portion 23 electrically connects the magnetic sensitive body 20 and the conductive layer 21 at one ends 201 and 211 in the axial direction (X direction) of the magnetic sensitive body 20.
  • the magnetic sensitive terminal 24 is electrically connected to the other end 202 of the magnetic sensitive body 20 in the X direction.
  • the conductive layer terminal portion 25 is electrically connected to the other end 212 of the conductive layer 21 in the X direction. That is, the magnetosensitive body 20 and the conductive layer 21 are configured such that currents in opposite directions flow.
  • the detection circuit 3 is electrically connected to the detection coil 22 via a pair of detection conductors 8 (8a, 8b).
  • the detection circuit 3 is provided for detecting the output voltage of the detection coil 22.
  • the magnetic sensitive wire 4 is electrically connected to the magnetic sensitive terminal portion 24.
  • the conductive layer wiring 5 is electrically connected to the conductive layer terminal portion 25.
  • At least a part of the two wires 4 and 5 of the magnetosensitive material wire 4 and the conductive layer wire 5 are adjacent to each other. More specifically, the two wires 4 and 5 are adjacent to each other except for the vicinity of the terminal portion.
  • the two wires 4 and 5 are configured such that currents I in opposite directions flow.
  • the MI sensor 1 of this embodiment includes an IC 6 and a wiring board 7.
  • the IC 6 is formed with the detection circuit 3, the wirings 4a, 5a, and the like.
  • the detection circuit 3 includes a sample hold circuit (not shown) that holds the output voltage of the detection coil 22 for a certain period, an A / D converter (not shown) that converts the held output voltage into a digital value, and the like.
  • the detection lead 8 (8 a, 8 b) includes an IC lead 82 formed in the IC 6 and a detection wire 81 interposed between the IC lead 82 and the detection coil 22. .
  • the detection coil 22 and the detection circuit 3 are electrically connected via the detection conductor 8.
  • the MI element 2 includes the magnetosensitive body 20, the insulating layer 29, the conductive layer 21, and the coil insulating layer 27 as described above.
  • the insulating layer 29 covers the surface of the magnetic sensitive body 20.
  • the conductive layer 21 covers the surface of the insulating layer 29.
  • the surface of the conductive layer 21 is covered with a coil insulating layer 27.
  • the detection coil 22 is wound around the outside of the coil insulating layer 27.
  • one end 201 of the magnetic sensitive body 20 in the X direction and one end 211 of the conductive layer 21 are electrically connected by the connecting portion 23.
  • the connection part 23 is made of metal.
  • the current I flows from the magnetic sensitive terminal 24 the current I flows in the magnetic sensitive body 20 from the other end 202 to the one end 201, passes through the connecting portion 23, and in the conductive layer 21 from the other end 211 to the one end 212. Flowing. Therefore, the direction of the current I flowing through the magnetic sensitive body 20 and the direction of the current I flowing through the conductive layer 21 are opposite. Therefore, the magnetic field generated around the current I flowing through the magnetic sensitive body 20 and the magnetic field generated around the current I flowing through the conductive layer 21 cancel each other. As a result, the influence of these magnetic fields on the detection coil 22 and the detection conductor 8 is reduced.
  • the wiring substrate 7 includes a plurality of substrate terminal portions 71 and substrate portions 4 b and 5 b of the wires 4 and 5. Both ends of the substrate portions 4 b and 5 b of the wirings 4 and 5 are connected to the substrate terminal portion 71.
  • the substrate portions 4 b and 5 b of the two wires 4 and 5 are adjacent to each other except in the vicinity of the substrate terminal portion 71.
  • the magnetic fields generated by the current I flowing through the substrate portions 4b and 5b cancel each other.
  • the magnetic field generated from the substrate portions 4b and 5b acts on the detection conductor 8 (8a and 8b) to suppress the induction voltage from being generated in the detection conductor 8. Thereby, the external magnetic field can be measured more accurately.
  • the sample 1 and the comparative sample 1 were placed in an experimental apparatus in which an external magnetic field was blocked, and a pulse current I was passed through the magnetosensitive body 20. Then, after the pulse current I rises, and measuring the time variation of the output voltage V o of the detecting coil 22.
  • the temperature of sample 1 and comparative sample 1 was adjusted to ⁇ 40, ⁇ 20, 0, 25, 40, 60, and 100 ° C., and the time variation of the magnetic strength corresponding to the output voltage V o was Measured at temperature.
  • the measurement result of Sample 1 is shown in FIG.
  • the measurement result of the comparative sample 1 is shown in FIG.
  • the comparative sample 1 has a relatively high peak value of the output voltage V o .
  • the magnetic field generated from the magnetic sensitive body 20 and the wirings 48 and 49 is not reduced and acts on the detection coil 22 and the detection conductor 8, so that the magnetic field changes with time when the current I rises.
  • large induced voltage is generated in the detecting lead 8, etc., the induced voltage is considered because superimposed on the output voltage V o.
  • comparative sample 1 it can be seen that the output voltage V o and the temperature varies greatly changes. That is, it can be seen that the temperature dependency of the output voltage V o is high.
  • the two wirings 4 and 5 in this embodiment include IC portions 4a and 5a formed on the IC 6 and substrate portions 4b and 5b formed on the wiring substrate 7, respectively.
  • the two wires 4 and 5 are configured to be adjacent to each other in both the IC portions 4a and 5a and the substrate portions 4b and 5b. Therefore, the length of the adjacent part of the two wirings 4 and 5 can be increased. Therefore, the magnetic field H (H m , H c ) generated by the current I (I m , I c ) flowing through these wirings 4, 5 can be sufficiently canceled out, and the pair of detection conductors 8 a, 8 b The strength of the acting magnetic field H can be reduced. Therefore, an induced voltage is hardly generated in the detection conductors 8a and 8b, and the external magnetic field can be measured more accurately.
  • the magnetosensitive body wiring 4 and the conductive layer wiring 5 of this embodiment are formed at positions that do not intersect with the detection conductors 8 (8a, 8b) when viewed from the Z direction. Yes. If it does in this way, the wiring 4 for magnetic bodies and the wiring 5 for conductive layers can be distribute
  • the wiring 4 is configured to overlap the detection conducting wire 8 when viewed from the Z direction, the wiring 4 approaches the detection conducting wire 8, so that the influence of the magnetic field generated from the wiring 4 is affected. In response, an induced voltage is likely to be generated in the detection conductor 8. This makes it difficult to accurately detect the external magnetic field.
  • the wirings 4 and 5 are formed at positions that do not intersect the detection conductor 8 when viewed from the Z direction as in this embodiment, the wirings 4 and 5 are used for detection. It can be kept away from the conductor 8. For this reason, it is difficult for an induced voltage to be generated in the detection conductor 8 and the external magnetic field can be accurately measured.
  • these are electrically connected between the magnetic sensing terminal 24 and the magnetic sensing wiring 4 and between the conductive layer terminal 25 and the conductive wiring 5.
  • a wire 10 is interposed.
  • the wire 10 is formed at a position that does not intersect with the detection conductor 8 (8a, 8b) when viewed from the Z direction. Therefore, the wire 10 can be disposed at a position away from the detection conductor 8. Therefore, the magnetic field generated from the wire 10 is less likely to act on the pair of detection conductors 8 (8a, 8b), and the induced voltage is less likely to be generated in the detection conductor 8. Therefore, the external magnetic field can be measured more accurately.
  • both ends of the IC portions 4a and 5a of the wirings 4 and 5 are connected to the IC terminal portion 61, and both ends of the substrate portions 4b and 5b are connected to the substrate terminal portion 71.
  • the IC portions 4a and 5a of the two wires 4 and 5 are adjacent to each other except for the vicinity of the IC terminal portion 61, and the substrate portions 4b and 5b of the two wires 4 and 5 are adjacent to the substrate terminal portion 71. Are next to each other. Therefore, the length of the part which adjoins among the two wirings 4 and 5 can be made longer.
  • the magnetic field H (H m , H c ) generated by the current I (I m , I c ) flowing through the two wirings 4 and 5 can be effectively canceled out. Therefore, an induced voltage is less likely to be generated in the detection conductor 8, and the external magnetic field can be measured more accurately.
  • the two wirings 4 and 5 are adjacent to each other in this embodiment. Therefore, the lengths of the adjacent portions of the wirings 4 and 5 can be increased, and the magnetic fields generated from the wirings 4 and 5 can be sufficiently canceled out. Therefore, it can suppress effectively that an induced voltage generate
  • the MI element 2 in which the magnetic sensitive body 20 is entirely covered with the conductive layer 21 is used, but the present invention is not limited to this.
  • the present invention is not limited to this.
  • only a part of the magnetic sensitive body 20 may be covered with the conductive layer 21. Even in this case, it is more preferable to have a symmetrical structure with respect to the axis.
  • the IC 6 of this embodiment includes a silicon substrate portion 62 and a wiring portion 63 as in the first embodiment.
  • IC portions 4 a and 5 a of the wires 4 and 5 are formed in the wiring portion 63.
  • the two IC portions 4a and 5a are formed at positions that overlap each other when viewed from the Z direction.

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Abstract

外部磁界の測定精度をより向上できるマグネトインピーダンスセンサを提供すること。マグネトインピーダンス素子（２）と、検出回路（３）と、感磁体用配線（４）と、導電層用配線（５）とを備える。マグネトインピーダンス素子（２）は、感磁体（２０）と、該感磁体（２０）に隣り合う導電層（２１）とを備える。感磁体（２０）と導電層（２１）とには、互いに逆向きの電流が流れる。感磁体用配線（４）は感磁体（２０）に電気接続し、導電層用配線（５）は導電層（２１）に電気接続している。マグネトインピーダンス素子（２）の検出コイル（２２）と検出回路（３）とは、検出用導線（８（８ａ，８ｂ））を介して電気的に接続している。感磁体用配線（４）と導電層用配線（５）との２本の配線（４，５）は、少なくとも一部が隣り合うと共に、互いに逆向きの電流（Ｉ）が流れるよう構成されている。

Description

マグネトインピーダンスセンサ
　本発明は、マグネトインピーダンス素子と、該マグネトインピーダンス素子に接続した検出回路とを備えるマグネトインピーダンスセンサに関する。特に、外部磁界の測定精度を大きく改善できるマグネトインピーダンスセンサに関する。
　従来から、マグネトインピーダンス素子（以下、ＭＩ素子とも記す）と、該ＭＩ素子に接続した検出回路とを備えるマグネトインピーダンスセンサ（以下、ＭＩセンサとも記す）が知られている。上記ＭＩ素子は、アモルファスワイヤからなる感磁体と、該感磁体に巻回した検出コイルとを備える。上記検出回路は、ＭＩ素子の上記検出コイルに接続している。
　上記ＭＩセンサでは、外部磁界を検出するために、感磁体にパルス電流等の電流を流す。この電流が時間的に大きく変化したときに、検出コイルに、感磁体に作用する外部磁界の強さに対応した電圧が発生する。ＭＩセンサは、この電圧を上記検出回路によって検出し、これにより、外部磁界の強さを算出するよう構成されている。
　ＭＩセンサは、測定精度が高い磁気センサとして知られているが、ユーザの要求は時間とともに厳しくなり、さらなる測定精度の向上についての検討が要望されていた。そこで、以下の誤差要因による測定精度低下の可能性について検討が行われた。すなわち、感磁体に電流が流れると、この電流の周囲に磁界が発生し、検出コイルに作用する。上記電流が時間的に変化すると、検出コイルに作用する磁界が時間的に変化し、外部磁界の強さとは全く関係なく、検出コイルに誘導電圧が発生する。そのため、検出コイルの出力電圧に誘導電圧が重畳してしまい、その影響が測定誤差の原因となり、外部磁界の測定精度が低下する可能性がある。そこで、測定精度をより高くするためには、この測定誤差の原因を小さくするための対策について詳細に検討することが必要と考えられる。
　この問題の対策として、下記特許文献１に記載の方法が提案されている。この文献には、感磁体を、絶縁層を介して導電層によって覆い、感磁体の軸方向における一端にて、感磁体と導電層とを接続部によって電気接続することを特徴とするＭＩ素子が記載されている。このようにすると、電流は、感磁体内を上記軸方向における他端側から一端側に流れ、その後、上記接続部を通り、導電層内を一端側から他端側へ流れる。そのため、感磁体に流れる電流の向きと、導電層に流れる電流の向きとが反対になり、これらの電流によって生じる磁界を互いに打ち消すことができる。したがって、感磁体から発生した磁界が検出コイルに作用しにくくなり、検出コイルに誘導電圧が生じにくくなる。そのため、外部磁界を正確に測定しやすくなる。
国際公開第２００９／０４４８２０号
　しかしながら、さらに詳細に検討した結果、上記対策では、外部磁界の測定精度を必ずしも充分に向上できない場合があることが分かった。すなわち、上記検出コイルと検出回路とは、一対の検出用導線を介して接続されている。また、ＭＩセンサには、感磁体と電源とを繋ぐ感磁体用配線と、導電層と電源とを繋ぐ導電層用配線とが設けられている。しかし、上記ＭＩセンサでは、感磁体自体に流れる電流に起因して生じる磁界の影響については考慮されているが、感磁体用配線に流れる電流に起因する磁界と、導電層用配線に流れる電流に起因する磁界とを充分に低減することについて検討されておらず、これらの磁界が上記一対の検出用導線に作用して、該検出用導線に誘導電圧が生じる可能性があった。そのため、検出コイルの出力電圧に誘導電圧が重畳し、外部磁界の測定精度を必ずしも充分に向上できない可能性が生じることが分かった。
　本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、外部磁界の測定精度をより向上できるマグネトインピーダンスセンサを提供しようとするものである。
　本発明の一態様は、感磁体と、絶縁層を介して上記感磁体に隣り合う位置に配された導電層と、上記感磁体に巻回した検出コイルと、上記感磁体および上記導電層を上記感磁体の軸方向における一端にて電気的に接続する接続部と、上記軸方向における上記感磁体の他端に電気接続した感磁体用端子部と、上記軸方向における上記導電層の他端に電気接続した導電層用端子部とを備え、上記感磁体と上記導電層とに逆向きの電流が流れるよう構成されたマグネトインピーダンス素子と、
　一対の検出用導線を介して上記検出コイルに電気接続し、該検出コイルの出力電圧を検出する検出回路と、
　上記感磁体用端子部に電気接続した感磁体用配線と、
　上記導電層用端子部に電気接続した導電層用配線とを備え、
　上記感磁体用配線と上記導電層用配線との２本の配線は、少なくとも一部が隣り合うと共に、互いに逆向きの電流が流れるよう構成されていることを特徴とするマグネトインピーダンスセンサにある（請求項１）。
　上記ＭＩセンサでは、上記感磁体用配線と上記導電層用配線との２本の配線を、少なくなくとも一部が隣り合うと共に、互いに逆向きの電流が流れるよう構成してある。
　そのため、感磁体用配線に流れる電流によって発生した磁界と、導電層用配線に流れる電流によって発生した磁界とを、互いに打消し合わせることができる。したがって、これらの磁界が上記一対の検出用導線に作用して、該検出用導線に誘導電圧が生じることを抑制できる。そのため、検出コイルの出力電圧を、検出回路によって正確に測定することが可能になる。したがって、外部磁界の測定精度を向上することができる。
　以上のごとく、本態様によれば、外部磁界の測定精度をより向上できるマグネトインピーダンスセンサを提供することができる。
　なお、上記「２本の配線が隣り合う」とは、例えば、２本の配線が、配線幅の１０倍以内の範囲に近接して配されている状態と定義することができる。２本の配線の配線幅が互いに異なるときは、短い方の配線幅を基準とする。また、２本の配線は、配線幅の５倍以内の範囲に近接して配されていることがより好ましく、２倍以内であることがさらに好ましい。
実施形態１における、マグネトインピーダンスセンサの平面図。 実施形態１における、マグネトインピーダンス素子の平面図。 図２のIII-III断面図。 図１の要部拡大図。 実施形態１における、配線基板の平面図。 図５のVI-VI断面図。 図５のVII-VII断面図。 図４のVIII-VIII断面図。 実施形態１における、外部磁界が作用しているときの、感磁体に流れる電流と、検出コイルの電圧との波形図。 実施形態１における、外部磁界が作用していないときの、感磁体に流れる電流と、検出コイルの電圧との波形図。 実施形態１における、検出コイルの出力電圧の測定結果。 実施形態１における、導線層によって感磁体の一部のみを被覆したマグネトインピーダンス素子の断面図。 実施形態２における、マグネトインピーダンスセンサの平面図。 実施形態２における、配線基板の平面図。 図１４のXV-XV断面図。 図１４のXVI-XVI断面図。 図１３のXVII-XVII断面図。 実施形態２における、厚さ方向から見たときに、感磁体用配線と導電層用配線とが斜めに交わるよう構成したマグネトインピーダンスセンサの平面図。 比較形態１における、マグネトインピーダンスセンサの平面図。 比較形態１における、検出コイルの電圧の測定結果。 比較形態２における、マグネトインピーダンスセンサの平面図。
　上記マグネトインピーダンスセンサは、上記検出回路が形成されたＩＣと、上記マグネトインピーダンス素子及び上記ＩＣを載置した配線基板とを備え、上記２本の配線は、それぞれ、上記ＩＣに形成されたＩＣ部分と、上記配線基板に形成された基板部分とを有し、上記２本の配線は、上記ＩＣ部分と上記基板部分との双方において、互いに隣り合うよう構成されていることが好ましい（請求項２）。
　この場合には、上記２本の配線のうち、隣り合っている部分の長さを長くすることができる。そのため、これらの配線に流れる電流によって発生した磁界を充分に打消し合わせることができ、一対の検出用導線に作用する磁界の強さを低減できる。したがって、検出用導線に誘導電圧が発生しにくくなり、外部磁界をより正確に測定できる。
　また、上記２本の配線の上記ＩＣ部分同士、および上記２本の配線の上記基板部分同士の、少なくとも一方は、上記ＩＣの厚さ方向において互いに隣り合っていることが好ましい（請求項３）。
　この場合には、上記２本の配線が上記厚さ方向に隣り合っているため、厚さ方向から見たときの、上記ＩＣ又は上記配線基板の面積を小さくすることができる。そのため、マグネトインピーダンスセンサを小型化することができる。
　また、上記感磁体用配線と上記導電層用配線とは、上記ＩＣの厚さ方向から見たときに、上記検出用導線と交差しない位置に形成されていることが好ましい（請求項４）。
　この場合には、感磁体用配線および導電層用配線を、上記一対の検出用導線から離れた位置に配することができる。そのため、これらの配線から発生する磁界によって検出用導線に誘導電圧が発生することを抑制でき、外部磁界をより正確に測定することが可能になる。
　また、上記感磁体用端子部と上記感磁体用配線との間、及び上記導電層用端子部と上記導電層用配線との間には、これらを電気接続するワイヤが介在し、該ワイヤは、上記ＩＣの厚さ方向から見たときに、上記検出用導線と交差しない位置に形成されていることが好ましい（請求項５）。
　この場合には、上記ワイヤを上記検出用導線から離れた位置に配することができる。そのため、ワイヤから発生する磁界が一対の検出用導線に作用しにくくなり、検出用導線に誘導電圧が発生しにくくなる。したがって、外部磁界をより正確に測定することが可能になる。
　また、上記ＩＣ部分の両端は、上記ＩＣに形成されたＩＣ端子部に接続し、上記基板部分の両端は、上記配線基板に形成された基板端子部に接続しており、上記２本の配線の上記ＩＣ部分は、上記ＩＣ端子部の近傍以外は互いに隣り合っており、上記２本の配線の上記基板部分は、上記基板端子部の近傍以外は互いに隣り合っていることが好ましい（請求項６）。
　この場合には、上記２本の配線のうち、互いに隣り合う部分の長さをより長くすることができる。そのため、上記２本の配線に流れる電流によって発生する磁界を効果的に打消し合わせることができる。したがって、検出用導線に誘導電圧が発生しにくくなり、外部磁界をより正確に測定することが可能になる。
（実施形態１）
　上記マグネトインピーダンスセンサに係る実施形態について、図１～図１２を用いて説明する。図１に示すごとく、本形態のマグネトインピーダンスセンサ１（ＭＩセンサ１）は、マグネトインピーダンス素子２（ＭＩ素子２）と、検出回路３と、感磁体用配線４と、導電層用配線５とを備える。図２、図３に示すごとく、ＭＩ素子２は、感磁体２０と、導電層２１と、検出コイル２２と、接続部２３と、感磁体用端子部２４と、導電層用端子部２５とを備える。
　導電層２１は、円筒状に形成され、絶縁層２９を介して感磁体２０に隣り合う位置に配されている。検出コイル２２は、コイル用絶縁層２７を介して、感磁体２０の周囲に巻回されている。図２に示すごとく、接続部２３は、感磁体２０と導電層２１とを、感磁体２０の軸方向（Ｘ方向）における一端２０１，２１１にて電気的に接続している。感磁体用端子部２４は、Ｘ方向における感磁体２０の他端２０２に電気的に接続している。導電層用端子部２５は、Ｘ方向における導電層２１の他端２１２に電気的に接続している。つまり、感磁体２０と導電層２１とは、互いに逆向きの電流が流れるよう構成されている。
　図１に示すごとく、検出回路３は、一対の検出用導線８（８ａ，８ｂ）を介して検出コイル２２に電気接続している。検出回路３は、検出コイル２２の出力電圧を検出するために設けられている。感磁体用配線４は、感磁体用端子部２４に電気接続している。導電層用配線５は、導電層用端子部２５に電気接続している。
　感磁体用配線４と導電層用配線５との２本の配線４，５は、少なくとも一部が隣り合っている。より具体的には、２本の配線４，５は、端子部の近傍部分を除き、互いに隣り合っている。また、２本の配線４，５は、互いに逆向きの電流Ｉが流れるよう構成されている。
　図１に示すごとく、本形態のＭＩセンサ１は、ＩＣ６と、配線基板７とを備える。ＩＣ６には、上記検出回路３、配線４ａ，５ａ等が形成されている。検出回路３は、検出コイル２２の出力電圧を一定期間保持するサンプルホールド回路（図示略）と、保持された出力電圧をデジタル値に変換するＡ／Ｄコンバータ（図示略）等を備える。
　配線基板７は、ＭＩ素子２とＩＣ６とが載置されている。上記感磁体用配線４と導電層用配線５との２本の配線４，５は、それぞれ、ＩＣ６に形成されたＩＣ部分４ａ，５ａと、配線基板７に形成された基板部分４ｂ，５ｂとを備える。ＩＣ部分４ａ，５ａと基板部分４ｂ，５ｂとは、基板接続用ワイヤ１１を介して互いに電気的に接続されている。また、上記２本の配線４，５は、ＩＣ部分４ａ，５ａと基板部分４ｂ，５ｂとの双方において、互いに隣り合っている。２本のＩＣ部分４ａ，５ａは、互いに配線幅が等しい。また、２本の基板部分４ｂ，５ｂは、互いに配線幅が等しい。
　図１に示すごとく、検出用導線８（８ａ，８ｂ）は、ＩＣ６に形成されたＩＣ導線部８２と、該ＩＣ導線部８２と検出コイル２２との間に介在する検出用ワイヤ８１とを備える。上記検出用導線８を介して、検出コイル２２と検出回路３とを電気接続してある。
　図２、図３に示すごとく、ＭＩ素子２は、上述したように、感磁体２０と、絶縁層２９と、導電層２１と、コイル用絶縁層２７とを備える。絶縁層２９は、感磁体２０の表面を覆っている。導電層２１は、絶縁層２９の表面を被覆している。また、導電層２１の表面は、コイル用絶縁層２７によって覆われている。このコイル用絶縁層２７の外側に、検出コイル２２が巻回されている。
　図２に示すごとく、Ｘ方向における感磁体２０の一端２０１と、導電層２１の一端２１１とを、接続部２３によって電気接続してある。接続部２３は金属製である。感磁体用端子部２４から電流Ｉを流すと、電流Ｉは、感磁体２０内を他端２０２から一端２０１へ流れ、接続部２３を通って、導電層２１内を他端２１１から一端２１２へ流れる。そのため、感磁体２０に流れる電流Ｉの向きと、導電層２１に流れる電流Ｉの向きとが逆向きになる。したがって、感磁体２０に流れる電流Ｉの周囲に発生した磁界と、導電層２１に流れる電流Ｉの周囲に発生した磁界とが互いに打ち消し合う。これにより、これらの磁界が検出コイル２２及び検出用導線８に与える影響を小さくしてある。
　また、図４に示すごとく、感磁体用配線４と導電層用配線５とには、互いに逆向きに電流Ｉが流れる。本形態では、感磁体用配線４と導電層用配線５とを、互いに隣り合う位置に形成してある。これにより、感磁体用配線４に流れる電流Ｉ（Ｉm）によって発生した磁界Ｈmと、導電層用配線５に流れる電流Ｉ（Ｉc）によって発生した磁界Ｈcとを打消し合わせ、これらの磁界Ｈm，Ｈcが一対の検出用導線８ａ，８ｂに作用することを抑制してある。これによって、電流Ｉm，Ｉcが時間変化し、上記磁界Ｈm，Ｈcが時間的に変化したときに、一対の検出用導線８ａ，８ｂに大きな誘導電圧が発生することを抑制している。
　ＭＩセンサ１によって外部磁界を測定するときには、図９に示すごとく、感磁体２０に電流Ｉを流す。電流Ｉは、例えばパルス電流等の交流電流とされている。パルス電流Ｉが立ち上がるとき（時刻ｔu）や立ち下がるとき（時刻ｔd）に、検出コイル２２に出力電圧Ｖoが発生する。この出力電圧Ｖoは、感磁体２０に作用する外部磁界の大きさに比例する。
　本形態では上述したように、感磁体２０と導電層２１とを隣り合わせているため、これらに流れる電流Ｉによって発生した磁界が打消し合される。そのため、電流Ｉの立ち上がり時や立ち下がり時等、電流Ｉにより発生する磁界が時間変化するとき（時刻ｔu，ｔd）に、検出コイル２２に、電流Ｉの変化に起因する誘導電圧が発生することが抑制される。また、本形態では、感磁体用配線４と導電層用配線５とを隣り合わせているため、これらの配線４，５に流れる電流Ｉm，Ｉcによって発生した磁界Ｈm，Ｈcが打消し合される。そのため、これらの磁界Ｈm，Ｈcが時間変化するとき（時刻ｔu，ｔd）に、検出用導線８(８ａ，８ｂ)に誘導電圧が発生することが抑制される。これにより、誘導電圧の影響を大きく受けることなく、外部磁界を正確に測定できるよう構成してある。例えば図１０に示すごとく、外部磁界が感磁体２０に全く作用しない状態で磁界を検出した場合、感磁体２０、導電層２１、配線４，５に流れる電流に起因する磁界の影響が殆ど生じなくなり、この磁界が原因となって検出回路３によって検出される出力電圧が殆ど０になる。
　次に、ＩＣ６の構造について説明する。図４に示すごとく、ＩＣ６には、上記検出回路３と、検出用導線８のＩＣ導線部８２と、複数のＩＣ端子部６１と、配線４，５のＩＣ部分４ａ，５ａとが形成されている。ＩＣ部分４ａ，５ａの両端は、ＩＣ端子部６１に接続している。２本の配線４，５のＩＣ部分４ａ，５ａは、ＩＣ端子部６１の近傍を除いて、互いに隣り合っている。
　配線４，５のＩＣ部分４ａ，５ａには、スイッチ１９が設けられている。このスイッチ１９をオンオフ動作させることにより、感磁体２０への通電と非通電とを切り替えるよう構成されている。図８に示すごとく、ＩＣ６は、シリコン基板部６２と、該シリコン基板部６２の表面に形成された配線部６３とを備える。配線部６３に、上記配線４，５のＩＣ部分４ａ，５ａが形成されている。本形態では、２本の配線４，５のＩＣ部分４ａ，５ａは、ＩＣ６の厚さ方向（Ｚ方向）に直交する方向において、互いに隣り合っている。
　次に、配線基板７の構造について説明する。図５に示すごとく、配線基板７は、複数の基板端子部７１と、配線４，５の基板部分４ｂ，５ｂとを備える。配線４，５の基板部分４ｂ，５ｂの両端は、基板端子部７１に接続している。２本の配線４，５の基板部分４ｂ，５ｂは、基板端子部７１の近傍を除いて、互いに隣り合っている。これにより、基板部分４ｂ，５ｂに電流Ｉが流れることによって発生した磁界を互いに打消し合わせている。これによって、基板部分４ｂ，５ｂから発生した磁界が検出用導線８（８ａ，８ｂ）に作用して、検出用導線８に誘導電圧が発生することを抑制している。これにより、外部磁界をより正確に測定できるようにしてある。
　また、基板端子部７１には、ＩＣ６に接続されるＩＣ側基板端子部７１iと、電源等の外部機器に接続される外側基板端子部７１oとがある。ＩＣ側基板端子部７１iは、基板接続用ワイヤ１１を介して、ＩＣ６のＩＣ端子部６１に接続している。図６、図７に示すごとく、ＩＣ側基板端子部７１iは、配線基板７のうちの、ＩＣ６及びＭＩ素子２を載置した主面である第１主面Ｓ１に形成されている。また、外側基板端子部７１oは、第１主面Ｓ１とは反対側の主面である第２主面Ｓ２に形成されている。
　また、図５に示すごとく、２本の配線４，５の基板部分４ｂ，５ｂは、Ｚ方向に直交する方向において、互いに隣り合っている。図６、図７に示すごとく、これらの基板部分４ｂ，５ｂの、Ｚ方向における位置は、互いに等しい。また、配線基板７には、Ｚ方向に延びるコンタクト部７２が形成されている。このコンタクト部７２を介して、配線４，５の基板部分４ｂ，５ｂと、ＩＣ側基板端子部７１iとを接続してある。
　なお、基板部分４ｂ，５ｂを、第１主面Ｓ１又は第２主面Ｓ２上に形成しても良い。
　本発明の効果を確認するための実験を行ったので、その説明をする。まず、図１に示すＭＩセンサ１を作成し、本発明の範囲内であるサンプル１とした。すなわち、サンプル１では、感磁体２０と、該感磁体２０に隣り合う導電層２１とを備え、これら感磁体２０と導電層２１とに互いに逆向きに電流が流れるよう構成したＭＩ素子２を用いた。また、配線４，５のＩＣ部分４ａ，５ａを互いに隣り合わせると共に、配線４，５の基板部分４ｂ，５ｂを互いに隣り合わせた。
　また、図１９に示すごとく、導電層２１を備えていないＭＩ素子２を用い、本発明の範囲外であるＭＩセンサ１の比較サンプル１を製造した。比較サンプル１では、感磁体２０の一方の端部２０１と他方の端部２０２とを、それぞれ配線４８，４９に接続した。そのため、これらの配線４８，４９の間隔は上記サンプル１と比べて広くなっており、２本の配線４８，４９は隣り合っていない。
　上記サンプル１と比較サンプル１とを、外部磁界を遮断した実験装置内に配置し、感磁体２０にパルス電流Ｉを流した。そして、パルス電流Ｉが立ち上がった後の、検出コイル２２の出力電圧Ｖoの時間変化を測定した。また、サンプル１と比較サンプル１の温度を－４０、－２０、０、２５、４０、６０、１００℃に条件振りし、上記出力電圧Ｖoに対応した磁気の強さの時間変化を、各温度において測定した。サンプル１の測定結果を図１１に示す。また、比較サンプル１の測定結果を図２０に示す。
　図１１に示すごとく、本発明に係るサンプル１は、出力電圧Ｖoのピーク値が比較的小さかった。これは、感磁体２０に流れる電流によって発生した磁界と、導電層２１に流れる電流によって発生した磁界とが互いに打ち消し合うと共に、感磁体用配線４に流れる電流Ｉmによって発生した磁界Ｈmと、導電層用配線５に流れる電流Ｉcによって発生した磁界Ｈcとが互いに打ち消し合うため、これらの磁界によって検出用導線８に生じる誘導電圧が少なくなり、出力電圧Ｖoに誘導電圧が重畳しにくくなったためと考えられる。また、サンプル１は、温度が変化しても、出力電圧Ｖoが殆ど変化しないことが分かる。これは、温度が変化すると配線４，５の抵抗値やスイッチ１９の特性が変化し、電流Ｉの値が変化するが、サンプル１は、電流Ｉに起因する磁界を打消し合わせているため、電流Ｉが変化しても出力電圧Ｖoが大きな影響を受けないからだと考えられる。
　これに対して、図２０から、比較サンプル１は、出力電圧Ｖoのピーク値が比較的高いことが分かる。これは、感磁体２０、及び配線４８，４９から発生する磁界が低減されておらず、検出コイル２２や検出用導線８に作用するため、電流Ｉの立ち上がり時等に磁界が時間的に変化したときに、検出用導線８等に大きな誘導電圧が発生し、出力電圧Ｖoに誘導電圧が重畳するからだと考えられる。また、図２０から、比較サンプル１は、温度が変化すると出力電圧Ｖoが大きく変化することが分かる。すなわち、出力電圧Ｖoの温度依存性が高いことが分かる。これは、温度が変化すると、配線４８，４９の電気抵抗が変化したり、スイッチ１９の電気特性が変化したりして、電流Ｉが変化するため、この電流Ｉによって生じる磁界の強さが変化して、出力電圧Ｖoに重畳する誘導電圧が変化するからだと考えられる。
　次に、本形態の作用効果について説明する。図１に示すごとく、本形態では、感磁体用配線４と導電層用配線５との２本の配線４，５を、少なくとも一部が隣り合うと共に、互いに逆向きの電流Ｉが流れるよう構成してある。
　そのため、感磁体用配線４に流れる電流Ｉmによって発生した磁界Ｈmと、導電層用配線５に流れる電流Ｉcによって発生した磁界Ｈcとを打消し合わせることができる。したがって、これらの磁界Ｈm，Ｈcが一対の検出用導線８ａ，８ｂに作用して、該検出用導線８ａ，８ｂに誘導電圧が生じることを抑制できる。そのため、検出コイル２２の出力電圧Ｖoを、検出回路３によって正確に測定することが可能になる。したがって、外部磁界の測定精度を向上することができる。
　また、本形態は図１１に示すごとく、配線４，５に流れる電流Ｉによって発生した磁界Ｈm，Ｈcの影響を受けにくいため、温度が変化して電流Ｉの値が変化しても、検出回路３によって測定される電圧が殆ど変化しない。したがって、温度が変化しても、外部磁界を正確に測定することができる。
　また、本形態における２本の配線４，５は、それぞれ、ＩＣ６に形成されたＩＣ部分４ａ，５ａと、配線基板７に形成された基板部分４ｂ，５ｂとを備える。上記２本の配線４，５は、ＩＣ部分４ａ，５ａと基板部分４ｂ，５ｂとの双方において、互いに隣り合うよう構成されている。
　そのため、２本の配線４，５のうち、隣り合っている部分の長さを長くすることができる。そのため、これらの配線４，５に流れる電流Ｉ（Ｉm，Ｉc）によって発生した磁界Ｈ（Ｈm，Ｈc）を充分に打消し合わせることができ、一対の検出用導線８ａ，８ｂに作用する磁界Ｈの強さを低減できる。したがって、検出用導線８ａ，８ｂに誘導電圧が発生しにくくなり、外部磁界をより正確に測定できる。
　また、図４に示すごとく、本形態の感磁体用配線４と導電層用配線５とは、Ｚ方向から見たときに、検出用導線８（８ａ，８ｂ）と交差しない位置に形成されている。
　このようにすると、感磁体用配線４および導電層用配線５を、検出用導線８から離れた位置に配することができる。そのため、これらの配線４，５から発生する磁界Ｈによって検出用導線８に誘導電圧が発生することをより抑制でき、外部磁界をより正確に測定することが可能になる。
　すなわち、仮に図２１に示すごとく、Ｚ方向から見たときに配線４が検出用導線８と重なるよう構成したとすると、配線４が検出用導線８に近づくため、配線４から発生する磁界の影響を受けて、検出用導線８に誘導電圧が発生しやすくなる。そのため、外部磁界を正確に検出しにくくなる。これに対して、図４に示すごとく、本形態のように、配線４，５を、Ｚ方向から見たときに検出用導線８と交差しない位置に形成すれば、配線４，５を検出用導線８から遠ざけることができる。そのため、検出用導線８に誘導電圧が発生しにくくなり、外部磁界を正確に測定することができる。
　また、本形態では図４に示すごとく、感磁体用端子部２４と感磁体用配線４との間、及び導電層用端子部２５と導電層用配線５との間に、これらを電気接続するワイヤ１０が介在している。ワイヤ１０は、Ｚ方向から見たときに、検出用導線８（８ａ，８ｂ）と交差しない位置に形成されている。
　そのため、ワイヤ１０を検出用導線８から離れた位置に配することができる。したがって、ワイヤ１０から発生する磁界が一対の検出用導線８（８ａ，８ｂ）に作用しにくくなり、検出用導線８に誘導電圧が発生しにくくなる。したがって、外部磁界をより正確に測定することが可能になる。
　また、図４、図５に示すごとく、配線４，５のＩＣ部分４ａ，５ａの両端は、ＩＣ端子部６１に接続し、基板部分４ｂ，５ｂの両端は、基板端子部７１に接続している。２本の配線４，５のＩＣ部分４ａ，５ａは、ＩＣ端子部６１の近傍以外は互いに隣り合っており、２本の配線４，５の基板部分４ｂ，５ｂは、基板端子部７１の近傍以外は互いに隣り合っている。
　そのため、２本の配線４，５のうち、互いに隣り合う部分の長さをより長くすることができる。そのため、２本の配線４，５に流れる電流Ｉ（Ｉm，Ｉc）によって発生する磁界Ｈ（Ｈm，Ｈc）を効果的に打消し合わせることができる。したがって、検出用導線８に誘導電圧が発生しにくくなり、外部磁界をより正確に測定することが可能になる。
　また、図１に示すごとく、本形態では、２本の配線４，５は、５０％以上が互いに隣り合っている。そのため、配線４，５のうち互いに隣り合う部位の長さを長くすることができ、配線４，５から発生する磁界を充分に打消し合わせることができる。そのため、検出用導線に誘導電圧が発生することを効果的に抑制できる。
　なお、２本の配線４，５は、８０％以上が互いに隣り合うよう構成されていることが、より望ましい。
　以上のごとく、本形態によれば、外部磁界の測定精度をより向上できるマグネトインピーダンスセンサを提供することができる。
　なお、本形態では、図３に示すごとく、導電層２１によって感磁体２０を全て覆ったＭＩ素子２を用いたが、本発明はこれに限るものではない。例えば図１２に示すごとく、導電層２１によって、感磁体２０の一部のみを覆っても良い。この場合でも、軸に対して対称構造とすることがより好ましい。
（実施形態２）
　本形態は、ＩＣ６及び配線基板７の構成を変更した例である。図１３、図１４に示すごとく、本形態の配線４，５は、実施形態１と同様に、ＩＣ部分４ａ，５ａと、基板部分４ｂ，５ｂとを備える。２本のＩＣ部分４ａ，５ａは、ＩＣ端子部６１の近傍以外は、Ｚ方向において、互いに隣り合っている。
　図１７に示すごとく、本形態のＩＣ６は、実施形態１と同様に、シリコン基板部６２と、配線部６３とを備える。この配線部６３に、配線４，５のＩＣ部分４ａ，５ａが形成されている。２本のＩＣ部分４ａ，５ａは、Ｚ方向から見たときに、互いに重なる位置に形成されている。
　同様に、図１４に示すごとく、配線４，５の基板部分４ｂ，５ｂは、基板端子部７１の近傍以外はＺ方向に隣り合っている。図１５、図１６に示すごとく、感磁体用配線４の基板部分４ｂは、第２主面Ｓ２に近い位置に設けられている。また、導電層用配線５の基板部分５ｂは、第１主面Ｓ１に近い位置に設けられている。これらの基板部分４ｂ，５ｂは、Ｚ方向から見たときに、互いに重なる位置に形成されている。なお、基板部分４ｂを第１主面Ｓ１上に形成しても良いし、基板部分５ｂを第２主面Ｓ２上に形成しても良い。
　感磁体用配線４の基板部分４ｂは、第１コンタクト部７２１を介して、ＩＣ側基板端子部７１iに接続している。第１コンタクト部７２１は、Ｚ方向から見たときに、ＩＣ側基板端子部７１iと重なる位置に形成されている。同様に、導電層用配線５の基板部分５ｂは、第２コンタクト部７２２を介して、外側基板端子部７１oに接続している。第２コンタクト部７２２は、Ｚ方向から見たときに、外側基板端子部７１oと重なる位置に形成されている。
　本形態の作用効果について説明する。本形態では、２本の配線４，５のＩＣ部分４ａ，５ａ同士、および２本の配線４，５の基板部分４ｂ，５ｂ同士を、Ｚ方向に互いに隣り合うよう構成してある。
　そのため、Ｚ方向から見たときの、ＩＣ６又は配線基板７の面積を小さくすることができる。したがって、ＭＩセンサ１を小型化することができる。
　その他、実施形態１と同様の構成および作用効果を備える。
　なお、本形態では、２本のＩＣ部分４ａ，５ａと、２本の基板部分４ｂ，５ｂとをそれぞれＺ方向に隣り合わせたが、本発明はこれに限るものではない。例えば、ＩＣ部分４ａ，５ａと基板部分４ｂ，５ｂとのうち一方のみＺ方向に隣り合わせ、他方はＺ方向と直交する方向に隣り合わせてもよい。
　また、図１３に示すごとく、本形態では、２本の配線４，５のうち、ＩＣ端子部６１又は基板端子部７１の近傍以外の部位を、全てＺ方向に隣り合わせたが、本発明はこれに限るものではない。すなわち、図１８に示すごとく、Ｚ方向から見たときに、２本の配線４，５が互いに斜めに、かつＺ方向に互い違いに交わるよう構成してもよい。このようにすると、２本の配線４，５が所謂ツイストペア線と同様の構造になるため、２本の配線から発生４，５から発生する磁界を効果的に打消し合わせることができる。

Claims (6)

  1. 　感磁体と、絶縁層を介して上記感磁体に隣り合う位置に配された導電層と、上記感磁体に巻回した検出コイルと、上記感磁体および上記導電層を上記感磁体の軸方向における一端にて電気的に接続する接続部と、上記軸方向における上記感磁体の他端に電気接続した感磁体用端子部と、上記軸方向における上記導電層の他端に電気接続した導電層用端子部とを備え、上記感磁体と上記導電層とに逆向きの電流が流れるよう構成されたマグネトインピーダンス素子と、
    　一対の検出用導線を介して上記検出コイルに電気接続し、該検出コイルの出力電圧を検出する検出回路と、
    　上記感磁体用端子部に電気接続した感磁体用配線と、
    　上記導電層用端子部に電気接続した導電層用配線とを備え、
    　上記感磁体用配線と上記導電層用配線との２本の配線は、少なくとも一部が隣り合うと共に、互いに逆向きの電流が流れるよう構成されていることを特徴とするマグネトインピーダンスセンサ。
  2. 　上記検出回路が形成されたＩＣと、上記マグネトインピーダンス素子及び上記ＩＣを載置した配線基板とを備え、上記２本の配線は、それぞれ、上記ＩＣに形成されたＩＣ部分と、上記配線基板に形成された基板部分とを有し、上記２本の配線は、上記ＩＣ部分と上記基板部分との双方において、互いに隣り合うよう構成されていることを特徴とする、請求項１に記載のマグネトインピーダンスセンサ。
  3. 　上記２本の配線の上記ＩＣ部分同士、および上記２本の配線の上記基板部分同士の、少なくとも一方は、上記ＩＣの厚さ方向において互いに隣り合っていることを特徴とする、請求項２に記載のマグネトインピーダンスセンサ。
  4. 　上記感磁体用配線と上記導電層用配線とは、上記ＩＣの厚さ方向から見たときに、上記検出用導線と交差しない位置に形成されていることを特徴とする、請求項２又は３に記載のマグネトインピーダンスセンサ。
  5. 　上記感磁体用端子部と上記感磁体用配線との間、及び上記導電層用端子部と上記導電層用配線との間には、これらを電気接続するワイヤが介在し、該ワイヤは、上記ＩＣの厚さ方向から見たときに、上記検出用導線と交差しない位置に形成されていることを特徴とする、請求項２～４のいずれか一項に記載のマグネトインピーダンスセンサ。
  6. 　上記ＩＣ部分の両端は、上記ＩＣに形成されたＩＣ端子部に接続し、上記基板部分の両端は、上記配線基板に形成された基板端子部に接続しており、上記２本の配線の上記ＩＣ部分は、上記ＩＣ端子部の近傍以外は互いに隣り合っており、上記２本の配線の上記基板部分は、上記基板端子部の近傍以外は互いに隣り合っていることを特徴とする、請求項２～５のいずれか一項に記載のマグネトインピーダンスセンサ。
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