KR19990022160A - 자기 저항성 브리지 소자의 브리지 회로를 포함하는자장 센서 - Google Patents

자기 저항성 브리지 소자의 브리지 회로를 포함하는자장 센서 Download PDF

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볼프강 셸터
후고 반 덴 베르크
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디어터 크리스트, 베르너 뵈켈
지멘스 악티엔게젤샤프트
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Abstract

본 발명은 다수의 자기 저항성 박막 브리지 소자(E1 내지 E4)의 브리지 회로(B1)를 포함하는 센서에 관한 것이다. 모든 브리지 소자(E1 내지 E4)는 하나의 공통 기판(13) 상에서 동일한 층 구성으로 형성되며 GMR-효과를 나타낸다. 또한, 각각의 브리지 소자는 바이어스 층 부분, 및 세트 전류(Ie)를 가이드하기 위한 도전 층(6i)을 포함함으로써, 바이어스 층 부분에서 자화의 주어진 방향이 고정 세트된다.

Description

자기 저항성 브리지 소자의 브리지 회로를 포함하는 자장 센서
이러한 방식의 센서는 독일 실용신안 제 93 12 674. 3호에 공지되어 있다.
예컨대 Ni, Fe 또는 Co 및 그것의 합금과 같은 강자성 전이금속에서는 재료를 관통하는 자장의 크기 및 방향에 대한 전기 저항의 의존도가 주어질 수 있다. 상응하는 효과를 비등방성 자기 저항 AMR 또는 비등방성 자기 저항 효과라 한다. 이것은 물리적으로 D-밴드의 스핀 극성 및 상이한 스핀을 가진 전자의 상이한 산란 단면적에 기인한다. 따라서, 전자는 다수 전자 또는 소수 전자로 불린다. 자기 저항성 센서에서는 일반적으로 자기 저항성 재료로 이루어진 박막이 층 평면에 자화를 갖는다. 전류 방향에 대한 자화의 회전시 저항 변동은 정상 등방성(=옴) 저항의 1 퍼센트일 수 있다(참고: 전술한 실용신안 참고).
또한, 최근에 하나의 스택으로 배치된 다수의 강자성 층을 포함하는 자기 저항성 다층 시스템이 공지되었다. 상기 층들은 금속 중간층에 의해 서로 분리되며 그것의 자화는 층 평면에 주어진다. 개별 층의 두께는 전도 전자의 평균 자유 경로 길이 보다 현저히 작게 선택된다. 이러한 다층 시스템에서는 전술한 개별 층에서의 비등방성 자기 저항 효과(AMR)에 부가해서 소위 자이언트-자기 저항 효과 또는 자이언트-자기 저항(GMR)이 나타난다(참고: 예컨대 유럽 특허 공개 제 0 483 373호). 이러한 GMR-효과는 강자성 층과 중간 층 사이의 경계면에서 다수 전도 전자와 소수 전도 전자의 상이한 세기의 산란, 및 특히 합금의 사용시 층 내부의 산란 효과에 기인한다. GMR-효과는 등방성 효과이다. 이것은 비등방성 효과(AMR) 보다 현저히 크며 정상 등방성 저항의 70% 까지의 값을 갖는다. GMR-효과를 나타내는 다층 시스템에서는 인접한 금속 자성 층이 먼저 반대로 자화된다. 외부 자장의 영향에 의해 자화의 최초 반대방향 병렬 배치가 병렬 배치로 바뀔 수 있다. 자장 센서에서는 상기 사실이 이용된다.
전술한 독일 실용신안에는 비등방성 자기 저항(AMR)을 나타내며 휘트스톤 브리지 회로를 형성하는 브리지 소자(센서 소자)를 포함하는 자장 센서가 공지되어 있다. 상기 센서의 브리지 회로에서는 의도적으로, 개별 센서 소자에서 그것의 AMR-층의 자기 저항 효과가 각각의 층의 자화 사이의 각 및 그것을 통해 흐르는 전류의 방향에 의존한다는 사실을 이용한다. 개별 센서 소자는 바람직하게는 상응하는 구조화에 의해, 2개의 브리지 분기로 이루어진 2개의 쌍을 이룬 대각선 브리지 소자에서 전류 방향이 반대이도록, 브리지로 결선될 수 있다.
본 발명은 브리지로 결선된 자기 저항성 박막 브리지 소자를 포함하며 상기 브리지를 통해 브리지 전류가 야기되고 상기 브리지에서 측정 전압이 탭되는 방식으로, 외부의, 적어도 거의 균일한 자장을 검출하기 위한 센서에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 자장 센서의 브리지 회로의 회로도이고,
도 2는 상기 센서의 개별 브리지 소자의 GMR-층 구성을 나타낸 사시도이며,
도 3은 본 발명에 따른 브리지 소자의 횡단면도이고,
도 4 및 5는 본 발명에 따른 자장 센서의 브리지 회로의 평면도이며,
도 6은 도 4에 따른 다수의 자장 센서의 평면도이고,
도 7은 브리지 소자의 바이어스 층 부분의 히스테리시스 곡선이다.
본 발명의 목적은 센서의 수신 영역에서 적어도 거의 균일한 자장의 하나 또는 다수의 벡터 성분을 높은 감도로 측정함으로써, 브리지 소자의 온도 영향 및 기계적 응력에 대해 적어도 부분적으로 보상된 측정 신호를 제공하도록 구성된, 자장 센서를 제공하는 것이다. 또한, 센서가 비교적 간단히 제조되어야 한다.
상기 목적은 본 발명에 따라 하나의 공통 기판 상의 모든 브리지 소자가 동일한 층 구성 및 동일한 구조로 형성되고 증가된 자기 저항 효과(GMR)를 나타내며, 각각의 브리지 소자에는 바이어스 층 부분과 도전 층이 제공되고, 상기 도전 층은 예정된 방향 및 세기를 가진 세트 전류의 가이드를 위해, 바이어스 층 부분에서 그것의 자화 방향이 고정 세트될 수 있도록 제공됨으로써 달성된다.
상기 디자인의 자장 센서에 수반되는 장점은 특히 대량 생산에 사용될 수 있는 비용으로 극도로 작은 치수의 브리지 회로에 동일한 구성을 가진 GMR-브리지 소자를 형성할 수 있는 가능성을 처음으로 제공한다는 것이다. 개별 브리지 소자에 할당된 도전 층을 통해 흐르는 세트 전류에 의해 가장 좁은 공간으로 개별 브리지 소자의 각각의 바이어스 층에 자화의 예정된 방향을 간단히 고정시킬 수 있다. 즉, 브리지 소자의 다른 자성 층 보다 경질인 바이어스 층 부분은 세트 전류에 의해 야기되는 자장에 의해 간단한 방식으로 한번 자화된다. 상기 바이어스 층 부분은 단하나의 자기적으로 보다 경질인 층, 또는 특히 인조 반강자성체(참고: 독일 특허 공개 제 42 43 358호)일 수 있는 층 시스템으로 이루어진다. 세트 전류는 그것에 의해 바이어스 층 부분의 자화 반전을 위해 충분한 세기의 자장이 얻어질 정도로 높게 선택된다. 세트 전류의 자장은 경우에 따라 외부의 지지 필드 또는 보조 필드에 의해 중첩될 수 있다. 이에 반해, 검출할 외부 자장 성분은 바이어스 층 부분의 예정된 자기 경도(포화 보자력)으로 인해 바이어스 층 부분의 자화를 반전시킬 수 없다.
브리지 소자의 브리지 회로에 의해, 외부 자장 성분에 따라 온도 보상된 그리고 기계적 응력에 대해 보상된 측정 신호가 얻어질 수 있다. 이것은 하나의 공통 기판 상에 나란히 놓인 개별 브리지 소자의 동일한 층 구성에 의해 이루어진다. 여기서 층 구성은 각각의 브리지 소자가 개별 층의 예정된 두께로 예정된 층 순서를 갖는 것을 의미한다. 층 순서 및 두께는 모든 브리지 소자의 상응하는 층에서 동일하다. 이러한 층 순서는 바람직하게는 간단히 구현될 수 있다.
본 발명에 따른 자장 센서의 바람직한 실시예는 청구의 범위 종속항에 제시된다.
본 발명을 첨부한 도면을 참고로 설명하면 하기와 같다.
도면에서 상응하는 부품은 동일한 도면 부호를 갖는다.
본 발명에 따른 자장 센서에는 바람직하게는 도 1에 도시된 공지의 브리지 회로가 제공된다. 도시된 브리지(B)는 브리지의 2개의 단자점(A1) 및 (A2) 사이에 병렬 접속된 2개의 브리지 분기(Z1) 및 (Z2)를 포함한다. 브리지 전류(I0)가 브리지(B)를 통해 단자점(A1) 및 (A2)으로 흐른다. 각각의 브리지 분기(Z1) 및 (Z2)는 직렬 접속된 2개의 브리지 소자(E1) 및 (E2) 또는 (E3) 및 (E4)를 포함한다. 각각의 브리지 분기의 2개의 소자 사이에는 각각 브리지의 측정점(P1) 또는 (P2)이 배치된다. 상기 측정점에서 측정 전압(Um)이 탭된다.
브리지 회로(B)의 개별 브리지 소자(Ej)( 1 ≤ j ≤4 )는 GMR-효과를 나타내는 공지된 다층 시스템으로 구성된다(참고: 예컨대 유럽 특허 공개 제 0 483 373호 또는 독일 특허 출원 제 42 32 244호, 제 42 43 357호 또는 제 42 43 358호). 다층 시스템은 특히 자화(mfj)의 예정된 방향을 가진 바이어스 층 부분을 포함한다. 도 1에서 이러한 자화는 개별 브리지 소자에 있는 화살표로 표시된다. 도면에 나타나는 바와 같이, 2쌍의 대각선 브리지 소자(E1-E4) 및 (E2-E3)는 각각 동일한 방향의 바이어스 자화(mfj)를 가지며, 한 쌍의 자화 방향은 다른 쌍의 자화 방향과 반대이다.
각각의 브리지 소자(Ej)의 바이어스 층에 의해 야기되는 바이어스 자장은 (Hbj)로 표시된다. 브리지 회로(B)의 검출 영역에서 측정되는, 적어도 거의 균일한 외부 자장 또는 상응하는 자장 성분은 이중 화살표(Hm)로 표시된다.
도 2는 GMR-효과를 갖는 공지된 다층 시스템(S)의 구성을 나타낸다(참고: 예컨대 유럽 특허 공개 제 0 346 817호). 다층 시스템은 도시된 실시예에 따르면 강자성 바이어스층(2a)(예컨대 NiFe로 이루어진) 및 그 아래놓인 반강자성 층(2b)(예컨대 FeMn으로 이루어진)으로 구성된 바이어스 층 부분(2)을 포함한다. 상기 바이어스 층 부분(2)에 비해 자기적으로 약한 측정 층(3)(예컨대 작은 포화보자력을 가진 NiFe-합금으로 이루어진)이 비자성 중간층(4)(예컨대 Cu로 이루어진)에 의해 분리된다. 도면에는 상기 층에서 가능한 자화가 화살표로 표시된다. 다층 시스템은 교환-바이어스-시스템(Exchange-Biased-System) 이라고도 불린다.
GMR-효과를 갖는 이러한 또는 다른 다층 시스템은 예컨대 브리지 소자(Ej)의 본 발명에 따른 디자인에 대한 기본 시스템일 수 있다. 바람직하게는 브리지 소자(Ej)는 각각 다수의 자성 및 비자성 층을 포함한다. 이러한 다층 시스템은 도 3에 도시된 브리지 소자(Ej)에 대해서도 가정된다. 예컨대 다수의 층을 가진 바이어스 층 부분(2)을 포함하는 다층 시스템(S')은 패시베이션 층(5)으로 덮인다. 패시베이션 층(5)은 비자성 및 특히 절연 재료로 이루어진다. 상기 패시베이션 층(5) 상에는 비자성의, 양호한 전기 전도성 재료, 예컨대 Cu 또는 Ag로 이루어진 금속 층의 형태인 도전 층(6)이 제공된다. 상기 도전 층(6)을 통해 흐르는 세트 전류(Ie)에 의해, 다층 시스템(S')의 바이어스 층 부분(2) 내에 자화의 바람직한 방향이 고정될 수 있는 방향 및 세기를 가진 자성 세트 필드(He)가 야기될 수 있다.
도 4 및 5에는 하나의 공통 기판(13) 상의 본 발명에 따른 자장 센서(11) 또는 (12)의 브리지 회로(B1) 또는 (B2) 내의 각각 4개의 GMR-브리지 소자(Ej)의 2가지 배치 가능성에 대한 적합한 스트립형 도전 층(6i)( 1 ≤ i ≤3 또는 1 ≤ i ≤ 4)이 도시된다. 도 4에 따른 브리지 회로(B1)는 브리지 소자(E1 내지 E4)의 직사각형 배치를 갖는 한편, 도 5에 따른 브리지 회로(B2)에서는 모두 4개의 브리지 소자(E1) 내지 (E4)가 서로 나란히 배치된다. 도 5에 따른 실시예는 바람직하게는 브리지 소자의 매우 긴밀한 배치를 가능하게 한다. 브리지 회로(B1)에는 도전 층(6i)의 3개의 스트립이 필요하고, 브리지 회로(B2)에는 도전 층(6i)의 4개의 스트립이 필요하다. 각각의 도전 층에 의해 선택되는 개별 세트 전류(Ie)의 방향은 화살표로 표시된다.
개별 브리지 소자를 도 4 및 5에 따른 브리지 회로(B1) 또는 (B2)로 결선하기 위해, GMR-층 시스템을 가진 각각의 소자가 2개 이상의 콘택을 포함한다. 상기 콘택은 둘다 자장 감응성 층시스템의 최상부 측정층에 배치됨으로써, 브리지 전류가 평균적으로 층 평면에 대해 평행하게 흐르거나(소위 Current-in-Plane(CIP)-System), 또는 하나의 콘택은 최상부 층에, 다른 콘택은 최하부 층에 배치됨으로써, 브리지 전류가 평균적으로 층 평면에 대해 수직으로 흐른다(소위 Current-Perpendicular-to-Plane(CPP)-System).
일반적으로 도 3에 따른 패시베이션 층(5)을 가진 층 구성은 도전 층(6i)이 개별 바이어스 층 부분의 자화를 위해 제공되기 전에, 코팅된다.
본 발명에 따른 자장 센서의 경제적인 제조를 위해, 바람직하게는 다수의 개별 센서가 하나의 공통 기판, 예컨대 실리콘 기판 상에서 동시에 제조된다. 도 6은 하나의 실리콘 기판(13) 상에 20개의 본 발명에 따른 자장 센서를 가진 실시예를 나타낸다. 상기 자장 센서는 도 4에 따른 실시예(11)를 기초로 한다. 그것의 브리지 회로(B1)는 도면에서 평면 직사각형으로만 표시된다. 모든 브리지 회로의 도전 층(6i)의 결선은 접촉면(17a) 및 (17b) 사이에 구불구불한 도체 스트립(16)을 야기시킨다.
물론, 도 5에 도시된 본 발명에 따른 자장 센서(12)로도 하나의 기판(13) 상에 자장 센서의 상응하는 시스템을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 자장 센서의 상응하는 시스템은 도 2에 도시된 타입의 교환-바이어스-다층 시스템(S)인 GMR-브리지 소자에 의해 매우 간단히 구현될 수 있다. 이러한 시스템에서 바이어스 층 부분(2)에 고정 자화를 배열하기 위해서는 작은, 예컨대 20 Oe 미만의 필드가 필요하다. 예컨대, 20㎛ 스트립 폭의 스트립 도체(16) 및 약 20 mA 의 전류에 의해 바이어스 층에서 필요한 20 Oe의 값이 야기될 수 있다.
바람직하게는 특히 상기 구성의 층 시스템에서 바이어스 층 부분의 자화 동안 상승된 온도가 세트될 수 있다. 예컨대 도 2에 따른 층 시스템의 전술한 FeMn-층에 있어서 약 150℃로의 온도 상승이 바람직하다. 적합한 온도 상승은 예컨대 가열된 공간에서의 층 시스템의 배치에 의해 이루어질 수 있다. 그러나, 경우에 따라 가열 출력이 자성 세트 필드(He)를 발생시키는 도전 층(6i)에 의해 야기될 수도 있다. 이것은 도체 파라메터(예컨대 재료, 단면적, 전류 Ie)의 선택에 의해 이루어질 수 있다.
다른 다층 시스템이 특히 경질 자성 층, 또는 인조 반강자성체로 형성된 바이어스 층 부분을 포함하면, 현저히 더 높은, 경우에 따라 100배 더 높은 세트 전류(Ie)가 필요할 수 있다. 그 경우, 경우에 따라 발생한 열 손실이 GMR-다층 시스템을 파괴시킬 수 있다. 비교적 높은 전류를 낮추기 위해, 바람직하게는 세기｜Hz｜를 가진 부가의 외부 지지 필드가 부가된다. (필드와는 달리 개별 자장 또는 자기 성분의 필드 세기는 부정확한 값이기 때문에, 하기에서 이것은 값 없이 표시된다). 상기 지지 필드(Hz)는 자기 코일 또는 영구자석과 같은 외부의 자장 소오스에 의해 발생되며, 개별 브리지 소자와 관련한 그것의 필드 방향이 세트될 수 있어야 한다(특히 반전가능하게). 지지 필드(Hz) 및 이것에 기초가 되는 세트 필드(He)는 자장 세기의 예정된 한계치의 필요한 초과를 가능하게 한다. 상기 한계치는 가정된 실시예에 따르면 바이어스 층 부분의 포화 자장 세기｜Hs｜이다. 필드 특성은 도 7의 다이어그램에 나타난다. 다이어그램에서 X축에는 자장 세기｜H｜가 그리고 Y축에는 자화(M)가 임의의 단위로 도시된다. 도시된 히스테리시스 곡선에서 값｜Hs｜은 포화 자장 세기 또는 한계치 자장 세기를, ｜Hc｜는 포화보자력을, 그리고 ｜Hmin｜은 자화(M)가 음의 포화 자화로부터 강력히 상승하기 시작하는 자장 세기를 나타낸다. 이 때, 값
소위 인조 반강자성체를 가진 층 시스템의 경우(참고: 독일 특허 공개 제 42 43 358호)에는 포화 자장 세기｜Hs｜를 필요로 하지 않는 한계치의 초과가 필요하다.
다층 시스템 및 특히 그것의 바이어스 층 부분을 (He)에 대해 병렬로 또는 반대방향 병렬로 배치된 외부의 부가 필드(Hz)에 노출시키면, 다층 시스템에서의 전체 자장 세기 ｜Hg｜ = ｜Hz｜ + ｜He｜.
필드(Hz)에 대해 바람직하게는 대략 ｜Hs｜ + ｜Hmin｜/2 이 선택되면, ｜He｜가 ｜ΔH｜/2 보다 약간 더 크다. 브리지 소자(E1) 및 (E4)(도 1에 따른)에서는 전체 필드 ｜Hg｜ = +｜Hz｜ + ｜He｜인 한편,
브리지 소자(E2) 및 (E3)에 대해서는 ｜Hg｜ = +｜Hz｜ - ｜He｜.
그것에 따라 (Hz) 및 (Ie)가 선택되면, 브리지 소자(E1) 및 (E4)의 바이어스 층 부분에 대해 한계치｜Hs｜가 초과된다. 이것은 바이어스 층 부분에서 자화의 영구적인 방향 설정을 야기시킨다. 이와는 달리, 브리지 소자(E2) 및 (E3)의 바이어스 층 부분에 대해서는 변동이 야기되지 않는데, 그 이유는 ｜Hmin｜이 초과되지 않기 때문이다. 따라서, 상기 층 부분의 자화가 영향을 받지 않는다. (Hz)의 방향을 바꾸면, 브리지 소자(E1) 및 (E4)에서
｜Hg｜ = -｜Hz｜ + ｜He｜이며,
(E2) 및 (E4)에서는
｜Hg｜ = -｜Hz｜ - ｜He｜이다.
상기 경우에 브리지 소자(E2) 및 (E3)의 바이어스 층 부분에서 한계치｜Hs｜가 초과되면, 이것은 상기 바이어스 층 부분에서 자화의 바람직한 영구적인 방향 설정을 야기시키는 한편, 브리지 소자(E1) 및 (E4)의 바이어스 층 부분에서는 포화 보자력이 초과되지 않고 상기 층 부분의 자화가 반대 방향의 선행 단계에 의해 영향을 받지 않는다.
도 5의 다이어그램을 기초로 하는 실시예에 따르면, 상기 자장 세기｜Hz｜를 가진 외부의 자기 지지 필드가 선택되고, 단지 그것에 의해 한계치 자장 세기｜Hs｜가 초과되지 않는다는 것을 전제로 한다. 물론, 상응하게 높은 지지 필드를 제공하고 경우에 따라 세트 전류(Ie)의 세트 필드에 의해 상기 세기｜He｜의 역 필드를 발생시키는 것도 가능하다. 상기 역 필드는 경우에 따라 개별 브리지 소자 내의 한계치 자장 세기｜Hs｜에 이르지 않는다.
따라서, 하나의 기판 상에서 본 발명에 따른 자장 센서의 적합한 디자인에 의해 바이어스 층 부분의 2개의 180°회전된 자화가 얻어질 수 있다. 이렇게 함으로써, GMR-브리지 소자를 가진 브리지 회로의 구성이 구현될 수 있다.

Claims (7)

  1. 브리지로 결선된 자기 저항성 박막 브리지 소자를 포함하며, 상기 브리지를 통해 브리지 전류가 야기되고 상기 브리지에서 측정 전압이 탭되는 방식으로, 외부의, 적어도 거의 균일한 자장을 검출하기 위한 센서에 있어서,
    - 하나의 공통 기판(13) 상의 모든 브리지 소자(E1 내지 E4; Ej)가 동일한 층 구성 및 동일한 구조로 형성되고 증가된 자기 저항 효과(GMR)를 나타내며,
    - 각각의 브리지 소자(E1 내지 E4; Ej)에는 바이어스 층 부분(2) 및 도전 층(6, 6i)이 제공되고, 상기 도전 층(6, 6i)은 예정된 방향 및 세기를 가진 세트 전류(Ie)의 가이드를 위해, 바이어스 층 부분(2)에서 자화(mfj)의 방향이 고정 세트될 수 있도록 제공되는 것을 특징으로 하는 자장 센서.
  2. 제 1항에 있어서, 각각의 브리지 소자(E1 내지 E4; Ej)의 도전 층(6, 6i) 내의 세트 전류(Ie)에 의해 바이어스 층 부분(2)이 바이어스 층 부분의 자화(mfj) 방향의 고정 세팅을 가능하게 하는 세기(He)를 가진 자장에 노출되는 것을 특징으로 하는 자장 센서.
  3. 제 1항에 있어서, 각각의 브리지 소자(E1 내지 E4; Ej)는 지지 필드가 도전 층(6, 6i) 내의 세트 전류(Ie)에 의해 발생되는 자장(He)과의 중첩시 바이어스 층(2)의 자화(mfj) 방향의 고정 세팅을 가능하게 할 정도의 세기(Hz)를 가진 자기 지지 필드에 노출되는 것을 특징으로 하는 자장 센서.
  4. 제 3항에 있어서, 예정된 세기(Hz)의 지지 필드 내에 공통으로 배치된 브리지 소자(E1 내지 E4; Ej)에 의해 2개의 소자(E1, E4)의 바이어스 층 부분(2)에서 그것의 예정된 세트 전류(Ic)로 인해 자화(Ie)의 예정된 방향 및 자화(mfj)의 예정된 방향이 동시에 세트될 수 있는 한편, 다른 소자(E2, E3)에서는 다른 세트 전류로 인해 방향 설정이 불가능한 것을 특징으로 하는 자장 센서.
  5. 제 1항 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, 브리지 소자(E1 내지 E4; Ej)의 바이어스 층 부분(2)의 방향 설정시 증가된 온도를 세팅하기 위한 수단이 제공되는 것을 특징으로 하는 자장 센서.
  6. 제 1항 내지 5항 중 어느 한 항에 있어서, 도전 층(6, 6i)이 양호한 전기 전도성 재료로 이루어지고 층 구성(S, S')을 덮는 패시베이션 층(5) 상에 제공하는 것을 특징으로 하는 자장 센서.
  7. 제 1항 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서, 각각의 브리지 소자(E1 내지 E4, Ej)의 층 구성(S, S')은 자장 감응 측정 층(3), 및 상기 측정 층(3)에 비해 비교적 자기적으로 더 경질인 적어도 하나의 바이어스 층(2a)을 가진 바이어스 층 부분(2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 자장 센서.
KR1019970708639A 1995-06-01 1996-05-31 자기 저항성 브리지 소자의 브리지 회로를 포함하는자장 센서 KR19990022160A (ko)

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