JP5397496B2

JP5397496B2 - 磁気センサ装置およびその製造方法

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Publication number: JP5397496B2
Application number: JP2012096696A
Authority: JP
Inventors: 喬干古市; 久則与倉; 敏史矢野
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2011-05-30
Filing date: 2012-04-20
Publication date: 2014-01-22
Anticipated expiration: 2032-04-20
Also published as: JP2013012716A

Description

本発明は、磁気センサ装置およびその製造方法に関する。

既知の技術として、フリー磁性層とピン磁性層とを有するＧＭＲ素子（Giant Magneto Resistance；ＧＭＲ）やＴＭＲ素子（Tunneling Magneto Resistance；ＴＭＲ）を用いて物体の回転角を検出する磁気センサが知られている。これらの素子では１方向に固定されたピン磁性層の磁化方向と外部磁場に影響されるフリー磁性層の磁化方向との違いにより、素子の出力が変動することで角度を検出することができる。

通常、ピン磁性層の磁化方向は、磁場を印加しながら３００℃程度でアニールすることで決定される。この場合、複数の素子を形成したウェハ全体に磁場を印加しつつ各ピン磁性層の着磁を行うので、ピン磁性層の磁化方向は１ウェハ内で全て同じ方向となる。このため、出力信号はｃｏｓ曲線またはｓｉｎ曲線のいずれか一方となり、１素子での３６０°検出はできない。

そこで、３６０°の検出を可能とするために２つのチップをピン磁性層の磁化の向きが９０°異なるように配置することで、ｃｏｓ曲線とｓｉｎ曲線とが得られる構造が必要となる。この構造を実現するため、従来では、上述のように１ウェハに同じ磁化方向のピン磁性層を持つ素子を複数形成し、ウェハを素子毎にチップ状に分割した後、ピン磁性層の磁化方向が互いに９０°となるように２つのチップをパッケージ化していた。

しかしながら、この方法ではチップの数が多くなるために、コストアップに繋がるという問題があった。また、ピン磁性層の磁化方向が互いに９０°となるようにチップの向きを制御しなければならず、組み付け誤差によって回転の検出精度が低下する可能性があった。このため、１ウェハに多くの磁化方向を設ける、ピン磁性層多極化の技術が求められている。

そこで、特許文献１では、多数の素子を形成したウェハに磁場を印加し、ピン磁性層の磁化方向を固定したい素子に電流パルスまたはレーザパルスを照射し、パルスを照射した素子のピン磁性層を固定する方法が提案されている。この方法では、ウェハを分割することなく各ピン磁性層の磁化方向の制御が可能になっている。

特表２００３−５０２８７６号公報

しかしながら、特許文献１では、素子に電流パルスまたはレーザパルスをウェハに照射しているので、パルスの熱がウェハに拡散してしまう。このため、素子におけるピン磁性層の着磁の精度が低下してしまい、ひいては検出精度が低下してしまうという問題がある。

なお、素子を加熱する他の技術として、特開２００５−１５０７３９号公報にはＭＲＡＭデバイスの動作をヒータ材料の熱によって補助する技術が提案されている。しかし、ピン磁性層の着磁では概ね３００℃という温度でピン磁性層を加熱する必要があるため、ＭＲＡＭデバイスの動作を補助するためのヒータ材料を着磁に用いることはできない。

本発明は上記点に鑑み、１つの基板に形成した複数の磁気抵抗素子部のピン磁性層を任意の方向に着磁させたとしても、磁気抵抗素子部の検出精度の低下を防止することができる磁気センサ装置の製造方法を提供することを第１の目的とする。また、この方法を実現するための構造を備えた磁気センサ装置を提供することを第２の目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１、２、３、４、５、６に記載の発明では、一面（１３、１５、１８）を有する基板（１０、１４、１６）と、外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層（２２ｃ）と、磁化の向きが固定されたピン磁性層（２２ａ）と、を有し、基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部（２２）と、を備えている。また、複数の磁気抵抗素子部（２２）には基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）に平行な面方向においてピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きが異なるものが含まれている。そして、各磁気抵抗素子部（２２）が外部の磁場の影響を受けたときの各磁気抵抗素子部（２２）の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置の製造方法であって、以下の点を特徴としている。

まず、基板（１０、１４、１６）を用意する工程と、基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に各磁気抵抗素子部（２２）を形成する素子部形成工程と、各磁気抵抗素子部（２２）に対応するヒータ部（３０）をそれぞれ形成するヒータ部形成工程と、を順に行う。

続いて、磁場の向きが面方向のうちの第１の方向に設定された磁場中に、各磁気抵抗素子部（２２）が形成された基板（１０、１４、１６）を配置し、複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に対応するヒータ部（３０）を加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部（２２）を構成するピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを第１の方向に着磁する第１着磁工程を行う。

この後、磁場の向きが面方向のうち第１の方向とは異なる第２の方向に設定された磁場中に、各磁気抵抗素子部（２２）が形成された基板（１０、１４、１６）を配置し、複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に対応するヒータ部（３０）を加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部（２２）を構成するピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを第２の方向に着磁する第２着磁工程を行うことを特徴とする。

これによると、着磁させたい磁気抵抗素子部（２２）に対応するヒータ部（３０）を磁場中で加熱することにより、当該磁気抵抗素子部（２２）のみを着磁することができる。また、印加磁場方向を変え、別の磁気抵抗素子部（２２）に対応するヒータ部（３０）を加熱することで、当該磁気抵抗素子部（２２）のみを着磁することができる。このようにして、１つの基板（１０、１４、１６）に形成した各磁気抵抗素子部（２２）を異なる磁化の向きにそれぞれ選択的に着磁することができる。

また、磁化の向きが異なるチップを組み合わせて多極化を実現する場合と比較し、着磁工程において磁気センサ装置の出力を確認しながら磁場中の基板（１０、１４、１６）の向きを調節することができるので、磁気センサ装置の出力バラツキを補正することができる。このため、磁化の向きが異なるチップの組み付け誤差による検出精度の低下を防止することができる。

また、ヒータ部に電流を流すことによりヒータ部を加熱するため、磁気抵抗素子部に対して一度に広い領域の加熱が可能になり、加工時間を短縮することができる。

請求項１に記載の発明では、ヒータ部形成工程では、磁気抵抗素子部を囲むようにヒータ部を磁気抵抗素子部毎に形成することを特徴とする。
これにより、磁気抵抗素子部の下地材料の選択の幅が広がり、磁気抵抗素子部を構成する膜の結晶性を向上させることができる。
請求項２に記載の発明では、ヒータ部の温度を検出するための温度検知部（９０ａ、９０ｂ）をヒータ部毎に形成する温度検知部形成工程を有することを特徴とする。
これにより、温度検知部の検出温度を用いることにより、ヒータ部の温度に対してフィードバック制御を実施することができる。このため、ヒータ部の温度管理の精度を向上させることができる。
請求項３に記載の発明では、前記基板のうち前記ヒータ部および前記磁気抵抗素子部のうち一方に対応する部分の板厚方向の寸法を、前記基板のうち前記ヒータ部および前記磁気抵抗素子部に対応する部分以外の他の部分の板厚方向の寸法に比べて小さくする基板形成工程を有していることを特徴とする。
これにより、ヒータ部によって磁気抵抗素子部を加熱する際に、ヒータ部から磁気抵抗素子部側に熱を伝え易くすることができる。このため、ヒータ部の温度管理の精度を向上させることができる。
請求項４に記載の発明では、ヒータ部形成工程では、磁気抵抗素子部に対して同一平面上で、かつ磁気抵抗素子部を囲むようにヒータ部を磁気抵抗素子部毎に形成することを特徴とする。
これにより、磁気抵抗素子部の下地材料の選択の幅が広がり、磁気抵抗素子部を構成する膜の結晶性を向上させることができる。
請求項５に記載の発明では、素子部形成工程では、基板（１０、１４、１６）のうち、複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に対応するヒータ部（３０）と、複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に対応するヒータ部（３０）と、の間にトレンチ（７０）を形成することを特徴とする。
これによると、一方のヒータ部（３０）の熱がトレンチ（７０）の存在によって他方のヒータ部（３０）側に伝わりにくくなるので、ヒータ部（３０）の熱拡散を抑制することができる。
請求項６に記載の発明では、ヒータ部形成工程では、１つの磁気抵抗素子部に対して複数のヒータ部を形成することを特徴とする。
これにより、複数のヒータ部によって磁気抵抗素子部を加熱する際に、磁気抵抗素子部の温度分布を均一にすることができる。
具体的には、請求項７に記載の発明では、ヒータ部形成工程では、基板（１０、１４、１６）に、各磁気抵抗素子部（２２）に対応するヒータ部（３０）をそれぞれ形成することを特徴とする。

請求項８に記載の発明では、素子部形成工程では、ヒータ部（３０）の上方に各磁気抵抗素子部（２２）がそれぞれ位置するように、基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に各磁気抵抗素子部（２２）を形成することを特徴とする。

請求項１３に記載の発明では、ヒータ部形成工程では、基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）におけるヒータ部（３０）の面積が磁気抵抗素子部（２２）よりも大きくなるようにヒータ部（３０）を形成することを特徴とする。これによると、磁気抵抗素子部（２２）全体がヒータ部（３０）によって加熱されるので、ピン磁性層（２２ａ）を確実に加熱することができる。

請求項９に記載の発明では、素子部形成工程では、基板（１０、１４、１６）のうち、複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に対応するヒータ部（３０）と、複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に対応するヒータ部（３０）と、の間にトレンチ（７０）を形成することを特徴とする。

これによると、一方のヒータ部（３０）の熱がトレンチ（７０）の存在によって他方のヒータ部（３０）側に伝わりにくくなるので、ヒータ部（３０）の熱拡散を抑制することができる。

請求項１０に記載の発明では、素子部形成工程では、ヒータ部（３０）を囲むようにトレンチ（７０）を基板（１０、１４、１６）に形成することを特徴とする。これにより、ヒータ部（３０）の熱拡散をより効果的に抑制することができる。

請求項１１に記載の発明では、素子部形成工程では、トレンチ（７０）を形成した後にトレンチ（７０）を絶縁体（７１）で埋めることを特徴とする。これにより、トレンチ（７０）に基板（１０、１４、１６）とは異なる物質である絶縁体（７１）が位置しているので、絶縁体（７１）によってヒータ部（３０）の熱拡散を効果的に抑制することができる。

請求項１２に記載の発明では、ヒータ部形成工程では、複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に共通のヒータ部（３０）を形成すると共に、複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に共通のヒータ部（３０）を形成することを特徴とする。

これによると、１つのヒータ部（３０）で複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部を全て加熱することができ、これらの磁気抵抗素子部（２２）をまとめて着磁することができる。同様に、１つのヒータ部（３０）で複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部を全て加熱することができ、これらの磁気抵抗素子部（２２）をまとめて着磁することができる。

また、１つのヒータ部（３０）にバイアスの印加をすれば良いので、複数のヒータ部（３０）にそれぞれ加熱作業を行う必要が無い。したがって、ヒータ部（３０）の加熱作業を容易に行うことができる。

具体的には、請求項１４に記載の発明では、ヒータ部形成工程では、複数のヒータ部を面方向に分散して形成することが好ましい。

請求項１５に記載の発明では、ヒータ部形成工程では、磁気抵抗素子部の上側にヒータ部を磁気抵抗素子部毎に形成することを特徴とする。

これにより、磁気抵抗素子部の下地材料の選択の幅が広がり、磁気抵抗素子部を構成する膜の結晶性を向上させることができる。

請求項１６に記載の発明では、ヒータ部の温度を検出するための温度検知部（９０ａ、９０ｂ）をヒータ部毎に形成する温度検知部形成工程を有することを特徴とする。

これにより、温度検知部の検出温度を用いることにより、ヒータ部の温度に対してフィードバック制御を実施することができる。このため、ヒータ部の温度管理の精度を向上させることができる。

具体的には、請求項１７に記載の発明では、温度検知部形成工程では、温度検知部をヒータ部に対して面方向に形成することを特徴とする。

請求項１８に記載の発明では、前記基板のうち前記ヒータ部および前記磁気抵抗素子部のうち一方に対応する部分の板厚方向の寸法を、前記基板のうち前記ヒータ部および前記磁気抵抗素子部に対応する部分以外の他の部分の板厚方向の寸法に比べて小さくする基板形成工程を有していることを特徴とする。

これにより、ヒータ部によって磁気抵抗素子部を加熱する際に、ヒータ部から磁気抵抗素子部側に熱を伝え易くすることができる。このため、ヒータ部の温度管理の精度を向上させることができる。

請求項１９に記載の発明では、ヒータ部形成工程では、各磁気抵抗素子部（２２）の出力に基づいて物理量を演算する回路部（６０）を基板（１０、１４、１６）に形成することを特徴とする。これにより、回路部（６０）を別のチップとして用意する必要がなく、磁気抵抗素子部（２２）と回路部（６０）とを１つの基板（１０、１４、１６）に集積化することができる。

請求項２０に記載の発明では、ヒータ部形成工程では、ポリシリコン、単結晶シリコン、白金、ニッケルクロム、窒化タンタル、炭化シリコン、タングステンのいずれかの材料で形成することを特徴とする。このように、ヒータ部（３０）の材料を選択することができる。ヒータ部（３０）の材料をポリシリコンで形成する場合はヒータ部（３０）を作りやすいという利点がある。また、ヒータ部（３０）の材料を単結晶シリコンで形成する場合はヒータ部（３０）を加熱する際にヒータ部（３０）の温度を精度良く制御できるという利点がある。さらに、ヒータ部（３０）の材料を白金で形成する場合はコストを低減できるという利点がある。

請求項２１、２２、２３、２４、２５、２６に記載の発明では、一面（１３、１５、１８）を有する基板（１０、１４、１６）と、外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層（２２ｃ）と、磁化の向きが固定されたピン磁性層（２２ａ）と、を有し、基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部（２２）と、を備えている。そして、複数の磁気抵抗素子部（２２）には基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）に平行な面方向においてピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きが異なるものが含まれており、各磁気抵抗素子部（２２）が外部の磁場の影響を受けたときの各磁気抵抗素子部（２２）の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置であって、以下の点を特徴としている。

すなわち、基板（１０、１４、１６）は、各磁気抵抗素子部（２２）に対応して設けられ、ピン磁性層（２２ａ）の着磁の際に加熱されることで、面方向においてピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを、複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部と、複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部と、で異なる方向に着磁するためのヒータ部（３０）を有していることを特徴とする。

このように、基板（１０、１４、１６）は各磁気抵抗素子部（２２）に対応したヒータ部（３０）を有しているので、着磁させたい磁気抵抗素子部（２２）のピン磁性層（２２ａ）を選択的に着磁させることができる磁気センサ装置を提供することができる。

また、磁化の向きが異なるチップを組み合わせて多極化を実現する場合と比較し、磁気センサ装置の出力を確認しながら磁場中の基板（１０、１４、１６）の向きを調節しつつ着磁ができるので、磁気センサ装置の出力バラツキを補正することができる。このため、磁化の向きが異なるチップの組み付け誤差による検出精度の低下はなく、検出精度の良い磁気センサ装置を提供することができる。

また、ヒータ部に電流を流すことによりヒータ部を加熱するため、磁気抵抗素子部に対して一度に広い領域の加熱が可能になり、加工時間を短縮することができる。
請求項２１に記載の発明では、ヒータ部は、磁気抵抗素子部毎に磁気抵抗素子部を囲むように形成されていることを特徴とする。
これにより、磁気抵抗素子部の下地材料の選択の幅が広がり、磁気抵抗素子部を構成する膜の結晶性を向上させることができる。
請求項２２に記載の発明では、ヒータ部の温度を検出するための温度検知部（９０ａ、９０ｂ）がヒータ部毎に設けられていることを特徴とする。
これにより、温度検知部の検出温度を用いることにより、ヒータ部の温度に対してフィードバック制御を実施することができる。このため、ヒータ部の温度管理の精度を向上させることができる。
請求項２３に記載の発明では、基板のうちヒータ部および磁気抵抗素子部のうち一方に対応する部分の板厚方向の寸法は、基板のうちヒータ部および磁気抵抗素子部に対応する部分以外の他の部分の板厚方向の寸法に比べて小さいことを特徴とする。
これにより、ヒータ部によって磁気抵抗素子部を加熱する際に、ヒータ部から磁気抵抗素子部側に熱を伝え易くすることができる。このため、ヒータ部の温度管理の精度を向上させることができる。
請求項２４に記載の発明では、ヒータ部および磁気抵抗素子部は、同一平面上に形成されており、ヒータ部は、磁気抵抗素子部を囲むように形成されていることを特徴とする。
これにより、磁気抵抗素子部の下地材料の選択の幅が広がり、磁気抵抗素子部を構成する膜の結晶性を向上させることができる。
請求項２５に記載の発明では、基板（１０、１４、１６）は、複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に対応するヒータ部（３０）と、複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に対応するヒータ部（３０）と、の間にトレンチ（７０）を有していることを特徴とする。
これによると、着磁の際に、加熱されたヒータ部（３０）の熱がトレンチ（７０）の存在によって伝わりにくくなるので、ヒータ部（３０）の熱拡散が抑制される構造を提供することができる。
請求項２６に記載の発明では、１つの磁気抵抗素子部に対して、複数のヒータ部が設けられていることを特徴とする。
これにより、複数のヒータ部によって磁気抵抗素子部を加熱する際に、磁気抵抗素子部の温度分布を均一にすることができる。

請求項２７に記載の発明では、ヒータ部は、基板に形成されていることを特徴とする。

請求項２８に記載の発明では、ヒータ部（３０）の上方に各磁気抵抗素子部（２２）がそれぞれ位置するように、基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に各磁気抵抗素子部（２２）が形成されていることを特徴とする。

請求項３３に記載の発明では、基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）におけるヒータ部（３０）の面積が磁気抵抗素子部（２２）よりも大きいことを特徴とする。これによると、磁気抵抗素子部（２２）全体がヒータ部（３０）によって確実に加熱される構造を提供することができる。

請求項２９に記載の発明では、基板（１０、１４、１６）は、複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に対応するヒータ部（３０）と、複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に対応するヒータ部（３０）と、の間にトレンチ（７０）を有していることを特徴とする。

これによると、着磁の際に、加熱されたヒータ部（３０）の熱がトレンチ（７０）の存在によって伝わりにくくなるので、ヒータ部（３０）の熱拡散が抑制される構造を提供することができる。

請求項３０に記載の発明では、トレンチ（７０）は、ヒータ部（３０）を囲むように基板（１０、１４、１６）に形成されていることを特徴とする。これにより、ヒータ部（３０）の熱拡散がより効果的に抑制される構造を提供することができる。

請求項３１に記載の発明では、トレンチ（７０）は、絶縁体（７１）が埋め込まれていることを特徴とする。これにより、絶縁体（７１）によってヒータ部（３０）の熱拡散を効果的に抑制できる構造を提供することができる。

請求項３２に記載の発明では、ヒータ部（３０）は、複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部で共通になっており、複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部で共通になっていることを特徴とする。

これによると、１つのヒータ部（３０）で複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部を全て加熱することができ、これらの磁気抵抗素子部（２２）をまとめて着磁することができる構造を提供することができる。同様に、１つのヒータ部（３０）で複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部を全て加熱することができ、これらの磁気抵抗素子部（２２）をまとめて着磁することができる構造を提供することができる。

具体的には、請求項３４に記載の発明では、複数のヒータ部は、面方向に分散して配置されていることが好ましい。

請求項３５に記載の発明では、ヒータ部は、磁気抵抗素子部毎に磁気抵抗素子部の上側に形成されていることを特徴とする。

請求項３６に記載の発明では、ヒータ部の温度を検出するための温度検知部（９０ａ、９０ｂ）がヒータ部毎に設けられていることを特徴とする。

具体的には、請求項３７に記載の発明では、温度検知部がヒータ部に対して面方向に形成されていることを特徴とする。

請求項３８に記載の発明では、基板のうちヒータ部および磁気抵抗素子部のうち一方に対応する部分の板厚方向の寸法は、基板のうちヒータ部および磁気抵抗素子部に対応する部分以外の他の部分の板厚方向の寸法に比べて小さいことを特徴とする。

請求項３９に記載の発明では、基板（１０、１４、１６）は、各磁気抵抗素子部（２２）の出力に基づいて物理量を演算する回路部（６０）を有していることを特徴とする。これにより、磁気抵抗素子部（２２）と回路部（６０）とを１つの基板（１０、１４、１６）に集積化した磁気センサ装置を提供することができる。

請求項４０に記載の発明では、ヒータ部（３０）は、ポリシリコン、単結晶シリコン、白金、ニッケルクロム、窒化タンタル、炭化シリコン、タングステンのいずれかの材料で形成されていることを特徴とする。ヒータ部（３０）の材料がポリシリコンで形成されている構造はヒータ部（３０）を作りやすいという利点がある。また、ヒータ部（３０）の材料が単結晶シリコンで形成されている構造はヒータ部（３０）を加熱する際にヒータ部（３０）の温度を精度良く制御できるという利点がある。さらに、ヒータ部（３０）の材料が白金で形成されている構造はコストを低減できるという利点がある。

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

（ａ）は本発明の第１実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。図１に示される磁気抵抗素子部の断面図である。図１および図２に示される磁気センサ装置の製造工程を示した図である。図３に続く製造工程を示した図である。図４に続く製造工程を示した図であり、特に着磁工程を示した図である。本発明の第２実施形態に係る磁気センサ装置の平面図である。（ａ）は本発明の第３実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。本発明の第４実施形態に係る磁気センサ装置の断面図である。（ａ）は本発明の第５実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。（ａ）は本発明の第６実施形態に係る磁気センサ装置の回路構成の一例を示した図であり、（ｂ）は複数の磁気抵抗素子部でヒータ部を共通にした断面図である。本発明の第７実施形態に係る磁気センサ装置の製造工程の一部を示した図である。本発明の第８実施形態に係る磁気センサ装置の製造工程の一部を示した図である。（ａ）は本発明の第９実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ’断面図である。第９実施形態に係る磁気センサ装置の製造工程の一部を示した図である。第９実施形態に係る磁気センサ装置の製造工程の一部を示した図である。（ａ）は本発明の第１０実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ’断面図である。（ａ）は本発明の第１１実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ’断面図である。（ａ）は本発明の第１２実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ’断面図である。（ａ）は本発明の第１３実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’断面図である。第１３実施形態に係る磁気センサ装置の製造工程の一部を示した図である。第１３実施形態に係る磁気センサ装置の製造工程の一部を示した図である。（ａ）は本発明の第１４実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ’断面図である。（ａ）は本発明の第１５実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＪ−Ｊ’断面図である。第１５実施形態に係る磁気センサ装置の製造工程の一部を示した図である。第１５実施形態に係る磁気センサ装置の製造工程の一部を示した図である。（ａ）は本発明の第１６実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＫ−Ｋ’断面図である。（ａ）は本発明の第１７実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＬ−Ｌ’断面図である。（ａ）は本発明の第１８実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＭ−Ｍ’断面図である。（ａ）は本発明の第１９実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＮ−Ｎ’断面図である。（ａ）は本発明の第２０実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＯ−Ｏ’断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る磁気センサ装置は、例えば自動車用のエンジン回転数検出やハンドル回転角検出等に使用されるものである。本実施形態では、磁気センサ装置として回転角を検出する回転角センサを例に説明する。

図１（ａ）は本実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、磁気センサ装置は基板１０の上に２つのセンサ部２０を備えている。センサ部２０は、外部の磁場の影響を受けたときに抵抗値が変化する素子である。本実施形態に係るセンサ部２０は、トンネル磁気抵抗素子（ＴＭＲ素子）として構成されている。

基板１０は、図１（ｂ）に示されるように、Ｓｉ等で形成された数百μｍの厚さの半導体基板１１と数μｍの厚さのポリシリコン層１２とが積層されて構成されている。また、基板１０は一面１３を有している。本実施形態では、ポリシリコン層１２の表面が基板１０の一面１３に対応している。

また、ポリシリコン層１２にはヒータ部３０が形成されている。このヒータ部３０は、センサ部２０に対応して設けられ、後述する磁気抵抗素子部２２のピン磁性層２２ａの着磁の際にピン磁性層２２ａを加熱するためのものである。具体的には、ヒータ部３０は、基板１０の一面１３に平行な面方向においてピン磁性層２２ａの磁化の向きを一方の磁気抵抗素子部２２と他方の磁気抵抗素子部２２とで異なる方向に着磁するための加熱手段である。

ヒータ部３０はポリシリコン層１２の一部が高濃度化された部分である。ヒータ部３０は四角形状にレイアウトされている。

基板１０の上には絶縁膜４０が形成されている。そして、センサ部２０は絶縁膜４０の上に形成されている。センサ部２０は、絶縁膜４０の上に設けられた下部電極２１と、磁気抵抗素子部２２と、磁気抵抗素子部２２の上に設けられた上部電極２３と、を備えている。

図２は磁気抵抗素子部２２の断面図である。この図に示されるように、磁気抵抗素子部２２は、下部電極２１の上にピン磁性層２２ａ、トンネル層２２ｂ、フリー磁性層２２ｃが順に形成されてＴＭＲ素子が構成されたものである。

ピン磁性層２２ａはフリー磁性層２２ｃよりも絶縁膜４０側に位置すると共に磁化の向きが固定される強磁性金属層である。トンネル層２２ｂはトンネル効果によりフリー磁性層２２ｃからピン磁性層２２ａに電流を流すための絶縁膜層である。フリー磁性層２２ｃは、外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化する強磁性金属層である。

このような構成の磁気抵抗素子部２２は基板１０の一面１３の上方に位置している。そして、基板１０の一面１３の面方向において、一方の磁気抵抗素子部２２と他方の磁気抵抗素子部２２とでピン磁性層２２ａの磁化の向きが異なっている。本実施形態では、磁化の向きは互いに９０°異なっている。このため、一方の磁気抵抗素子部２２では回転角度に応じて抵抗値が例えばｃｏｓ曲線の出力となり、他方の磁気抵抗素子部２２では回転角度に応じて抵抗値が例えばｓｉｎ曲線の出力となる。

センサ部２０は、図１（ａ）に示されるように円形にレイアウトされている。このようにセンサ部２０の平面レイアウトを円形としているのは、磁化の特性が良くなるためである。完全な円形ではなく、楕円でも良い。もちろん、センサ部２０の平面レイアウトは円形や楕円に限らず、多角形でも良い。

さらに、センサ部２０は基板１０の一面１３におけるヒータ部３０よりも面積が小さい。すなわち、基板１０の一面１３におけるヒータ部３０の面積が磁気抵抗素子部２２よりも大きい。これにより、ピン磁性層２２ａの着磁の際に磁気抵抗素子部２２全体がヒータ部３０によって確実に加熱される構造になっている。

また、センサ部２０の積層構造の周囲には積層構造の側面に接するように絶縁膜４１が形成されている。この絶縁膜４１や上述の絶縁膜４０として、誘電率の高い熱酸化膜、ＣＶＤ酸化膜、ＣＶＤ窒化膜、ＴＥＯＳ酸化膜等の絶縁材料が用いられている。具体例として、絶縁膜４０、４１はＳｉＯ₂やＳｉＮ等である。

そして、ヒータ部３０は当該ヒータ部３０に接続されたヒータ部用配線３０ａを介して絶縁膜４０の上に形成されたヒータ部用パッド３０ｂに接続されている。ヒータ部用配線３０ａの一部はポリシリコン層１２に形成され、残りの部分は絶縁膜４０、４１を貫通するように形成されている。ヒータ部用パッド３０ｂはピン磁性層２２ａの着磁の際に用いられる。

下部電極２１は、当該下部電極２１に接続された下部電極用配線２１ａを介して絶縁膜４０の上に形成された下部電極用パッド２１ｂに接続されている。下部電極用配線２１ａは、絶縁膜４１を貫通するように形成されている。下部電極用パッド２１ｂは図示しない信号処理用のチップに接続されている。

また、上部電極２３は、当該上部電極２３に接続された上部電極用配線２３ａを介して絶縁膜４０の上に形成された上部電極用パッド２３ｂに接続されている。上部電極用配線２３ａは、絶縁膜４１の上に形成されている。上部電極用パッド２３ｂは図示しない信号処理用のチップに接続されている。

以上が、本実施形態に係る磁気センサ装置の全体構成である。次に、上記構成の磁気センサ装置の製造方法について、図３〜図５を参照して説明する。なお、図３および図４の各図は、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面に相当する。また、図５では基板１０とセンサ部２０とを模式的に図示している。

まず、図３（ａ）に示す工程では、半導体基板１１の上に例えば数μｍの厚さのポリシリコン層１２をＣＶＤ法等で形成する。このようにして基板１０を用意する。

図３（ｂ）に示す工程では、基板１０のうちの一面１３側に例えば図示しないマスクを用いてイオン注入を行い、熱拡散処理を行う。これにより、各磁気抵抗素子部２２に対応するヒータ部３０をポリシリコン層１２に形成する（ヒータ部形成工程）。このとき、ポリシリコン層１２にはヒータ部用配線３０ａの一部となる部分も形成する。

このように、ポリシリコン層１２にイオン注入および熱拡散を行ってヒータ部３０を形成できるので、ヒータ部３０の材料をポリシリコンとすることはヒータ部３０を作りやすいという効果がある。

ここで、基板１０の一面１３におけるヒータ部３０の面積が磁気抵抗素子部２２よりも大きくなるようにヒータ部３０を形成する。これにより、この後の着磁工程において磁気抵抗素子部２２を構成するピン磁性層２２ａを確実に加熱することができる。

図３（ｃ）に示す工程では、基板１０の一面１３に例えば数μｍの厚さの絶縁膜４０をＣＶＤ法等で形成する。

続いて、図４（ａ）に示す工程では、下部電極２１、磁気抵抗素子部２２、上部電極２３となる各層をスパッタ等で順に形成する。そして、積層体のうちヒータ部３０の上方に位置する部分が残されるようにパターニングを行う（素子部形成工程）。このとき、残される積層体の平面レイアウトが円形または楕円となるようにパターニングを行う。なお、下部電極２１となる金属層には、下部電極用配線２１ａの一部が残されるように、積層体のパターニングを行う。

図４（ｂ）に示す工程では、基板１０の一面１３上であって、下部電極２１、磁気抵抗素子部２２、および上部電極２３の側面を覆うように絶縁膜４１をＣＶＤ法等で形成する。また、ポリシリコン層１２に形成したヒータ部用配線３０ａに繋がる図示しない孔部を絶縁膜４０、４１に形成し、下部電極用配線２１ａの一部に繋がる図示しない孔部を絶縁膜４０に形成する。

図４（ｃ）に示す工程では、絶縁膜４０、４１に形成した図示しない孔部に金属材料を埋めると共に、絶縁膜４０の上に金属材料をスパッタ等で積層し、パターニングする。これにより、ヒータ部３０に接続されたヒータ部用配線３０ａと、下部電極２１に接続された下部電極用配線２１ａと、上部電極２３に接続された上部電極用配線２３ａと、これらの配線にそれぞれ接続されたヒータ部用パッド３０ｂ、下部電極用パッド２１ｂ、および上部電極用パッド２３ｂを形成する。こうして、基板１０上に２つのセンサ部２０を形成する。

この後、図５に示す着磁工程を行う。まず、図５（ａ）に示す工程では、磁場の発生と、ホットプレートとプローブ５０による加熱が可能なチャンバに、各磁気抵抗素子部２２が形成された基板１０を配置して、一方の磁気抵抗素子部２２のピン磁性層２２ａの着磁を行う（第１着磁工程）。具体的には、磁場の向きが基板１０の一面１３の面方向のうちの第１の方向に設定された磁場中（Ｈ）に、各磁気抵抗素子部２２が形成された基板１０を配置する。そして、ホットプレートにより一方の磁気抵抗素子部２２を加熱し、かつ一方の磁気抵抗素子部２２に対応するヒータ部３０を加熱して磁場中アニールを行う。すなわち、全てのセンサ部２０に外部磁場を印加し、着磁させたいセンサ部２０に対応したヒータ部３０のみを３００℃前後に局所的および選択的に加熱する。その後、全てのセンサ部２０に対する外部磁場の印加を維持した状態で、ヒータ部３０による加熱を停止して、着磁させたいセンサ部２０を冷却させる。その後、着磁させたいセンサ部２０がキュリー点以上の温度以下になる。これにより、一方の磁気抵抗素子部２２を構成するピン磁性層２２ａの磁化の向きが第１の方向となるようにピン磁性層２２ａを着磁する。このとき、磁気センサ装置の出力を確認しながら着磁を行うことができる。

ここで、ヒータ部３０の加熱は、例えばヒータ部用パッド３０ｂにプローブ５０を押し当ててプローブ５０を介してヒータ部３０に例えば数ｍＡ〜数十ｍＡの電流を流すことにより行う。また、「磁場中アニール」とは、磁場中でアニールを行うことであり、着磁させたいセンサ部２０に対して外部磁場を印加した状態で、着磁させたいセンサ部２０を加熱してピン磁性層２２ａの温度をキュリー点以上まで上昇させることである。

なお、加熱の際には、まずは磁気センサ装置全体を１５０℃程度に加熱し、この後にヒータ部３０による局所加熱を実施するという２段階加熱を行っても良い。

続いて、図５（ｂ）に示す工程では、他方の磁気抵抗素子部２２のピン磁性層２２ａの着磁を行う（第２着磁工程）。具体的には、磁場の向きが基板１０の一面１３の面方向のうち第１の方向とは異なる第２の方向に設定された磁場中に、各磁気抵抗素子部２２が形成された基板１０を配置する。第２の方向は第１の方向に対して９０°傾いた方向である。

そして、第１着磁工程と同様に、他方の磁気抵抗素子部２２に対応するヒータ部３０をプローブ５０による電流印加によって加熱して磁場中アニールを行う。これにより、当該磁気抵抗素子部２２を構成するピン磁性層２２ａの磁化の向きを第２の方向に着磁する。このとき、磁気センサ装置の出力を確認しながら磁場中の基板１０の向きを調節することにより、磁化の向きを高精度に調整できる。

こうして、１つの基板１０に形成した２つのセンサ部２０の各ピン磁性層２２ａを異なる方向に磁化させた磁気センサ装置が完成する。すなわち、一方の磁気抵抗素子部２２の出力はｃｏｓ曲線の抵抗値となり、他方の磁気抵抗素子部２２の出力はｓｉｎ曲線の抵抗値となる。

次に、磁気センサ装置が外部の磁場の影響を受けたときに物理量として回転角度を検出する方法について説明する。回転角度を検出するため、下部電極用パッド２１ｂおよび上部電極用パッド２３ｂを介して磁気抵抗素子部２２に電流を流す。

そして、例えば、図示しない磁石が磁気センサ装置の上方に配置され、この磁石がハンドル操作によって回転すると、フリー磁性層２２ｃが磁石から受ける磁界が変化する。すなわち、各磁気抵抗素子部２２が外部の磁場の影響を受けたことにより、各磁気抵抗素子部２２の抵抗値の変化に基づいて各磁気抵抗素子部２２に流れる電流の大きさつまり抵抗値が変化する。

ここで、一方の磁気抵抗素子部２２が出力するｃｏｓ曲線の抵抗値と、他方の磁気抵抗素子部２２が出力するｓｉｎ曲線の抵抗値と、をそれぞれ外部の演算用チップに取り出し、このチップでａｒｃＴａｎ演算する。これにより、−１８０°から＋１８０°まで、つまり３６０°の回転角度に応じて一定の傾きで変化する出力が得られる。したがって、出力の大きさに対応する磁石の回転角度を得ることができる。

以上説明したように、本実施形態では、各磁気抵抗素子部２２の下方にそれぞれヒータ部３０を設け、ピン磁性層２２ａの着磁の際に着磁させたいピン磁性層２２ａに対応するヒータ部３０のみを加熱することが特徴となっている。

このように、着磁させたい磁気抵抗素子部２２に対応するヒータ部３０を磁場中で局所的および選択的に加熱することにより、２つの磁気抵抗素子部２２のうちの一方の磁気抵抗素子部２２のみを着磁することができる。また、印加磁場方向を変え、別の磁気抵抗素子部２２に対応するヒータ部３０を加熱することで、２つの磁気抵抗素子部２２のうちの他方の磁気抵抗素子部２２のみを着磁することができる。したがって、１つの基板１０に形成した各磁気抵抗素子部２２のピン磁性層２２ａの多極化を実現することができる。

また、１つの基板１０に複数の磁気抵抗素子部２２を形成した後に各ピン磁性層２２ａを着磁しているので、磁化の向きが異なるチップを組み合わせたときの組み付け誤差が生じるということはない。そして、第２着磁工程において磁気センサ装置の出力を確認しながら着磁を行うことができるので、磁気センサ装置の出力バラツキを補正することができる。したがって、磁化の向きが異なるチップの組み付け誤差による磁気センサ装置の検出精度の低下を防止することができる。

なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、一方の磁気抵抗素子部２２が特許請求の範囲の「複数の磁気抵抗素子部２２のうちの一部」に対応し、他方の磁気抵抗素子部２２が特許請求の範囲の「複数の磁気抵抗素子部２２の一部とは異なる一部」に対応する。

（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。第１実施形態では、各磁気抵抗素子部２２の出力を外部の演算用チップに取り出して外部で回転角度を演算していたが、本実施形態では演算用の回路部を基板１０に設けたことが特徴となっている。

図６は、本実施形態に係る磁気センサ装置の平面図である。この図に示されるように、基板１０は回路部６０を有している。回路部６０は、各磁気抵抗素子部２２の出力に基づいて物理量として回転角度を演算するように構成されたものである。

このような回路部６０は、図３（ｂ）に示すヒータ部形成工程において、ヒータ部３０の形成と同じ工程で形成することができる。ここで、基板１０としてＳＯＩ基板を用いることが好ましい。そして、回路部６０は図示しないトレンチによって囲まれた領域に形成される。

以上のように、基板１０に回路部６０を設けることにより、回転角度の演算を別のチップで行う必要がなく、各センサ部２０と回路部６０とを１つの基板１０に集積化することができる。

（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態と異なる部分について説明する。図７（ａ）は本実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。図７（ａ）および図７（ｂ）に示されるように、磁気センサ装置はヒータ部３０の熱拡散を防止するためのトレンチ７０を有している。

トレンチ７０は、一方の磁気抵抗素子部２２に対応するヒータ部３０と、他方の磁気抵抗素子部２２に対応するヒータ部３０と、の間に設けられている。具体的には、トレンチ７０は、絶縁膜４０、４１およびポリシリコン層１２を貫通し、半導体基板１１に達するように形成されている。本実施形態では、図７（ａ）に示されるように、トレンチ７０は２つのセンサ部２０の間に直線状にレイアウトされている。このようなトレンチ７０は、素子部形成工程において、絶縁膜４１を形成した後にフォトリソグラフィー・エッチング工程等で形成することができる。

以上のように、磁気センサ装置において各ヒータ部３０の間にトレンチ７０を設けることにより、一方のヒータ部３０の熱がトレンチ７０の存在によって他方のヒータ部３０側に伝わりにくくなる。したがって、ヒータ部３０の熱拡散を抑制することができ、ヒータ部３０の局所的な加熱の精度を向上させることができる。

なお、図７では磁気センサ装置を構成する絶縁膜４０、４１およびポリシリコン層１２を貫通し、半導体基板１１に達するようにトレンチ７０が形成されている。トレンチ７０はヒータ部３０の熱拡散を防止できれば良いので、少なくとも基板１０を構成するポリシリコン層１２および半導体基板１１に形成されていれば良い。また、このように基板１０のみにトレンチ７０を設ける場合は、図３（ｂ）に示す工程でトレンチ７０を形成することができる。

（第４実施形態）
本実施形態では、第３実施形態と異なる部分について説明する。図８は、本実施形態に係る磁気センサ装置の断面図であり、図７（ａ）のＢ−Ｂ’断面に相当する図である。この図に示されるように、トレンチ７０に絶縁体７１が埋め込まれている。この絶縁体７１はヒータ部３０の熱を伝達しにくくする役割を果たすものであり、酸化膜や窒化膜用の熱容量の小さい材料で構成されている。絶縁体７１は、トレンチ７０を形成した後にトレンチ７０にＣＶＤ法等で埋め込むことができる。以上により、絶縁体７１の存在によってヒータ部３０の熱拡散を効果的に抑制することができる。

（第５実施形態）
本実施形態では、第３実施形態と異なる部分について説明する。第３実施形態では、トレンチ７０を直線状にレイアウトしていたが、本実施形態ではヒータ部３０を囲むように形成されていることが特徴となっている。

図９（ａ）は本実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。図９（ａ）および図９（ｂ）に示されるように、トレンチ７０はセンサ部２０を一周して囲むように形成されている。これにより、ヒータ部３０の熱拡散がより効果的に抑制することができる。

なお、第３実施形態で述べたように、本実施形態においてもトレンチ７０は基板１０のみに形成されていても良い。また、第４実施形態で説明した絶縁体７１を埋め込んでも良い。

（第６実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。上記第１〜第５実施形態では、２つのセンサ部２０で構成された最も基本的な構成について説明した。本実施形態では実使用に近い構成について説明する。

まず、角度誤差の減少や温度変動の抑制には、ブリッジ構成が必要である。したがって、図１０（ａ）に示されるように「磁気抵抗素子１」と「磁気抵抗素子２」とが組み合わされてブリッジ回路が構成されている。これら各素子の磁化の向きは１８０°異なっている。つまり、磁化の向きは逆向きになっている。

ブリッジ回路は電源（Ｖｃｃ）とグランド（Ｇ）との間に接続され、直列接続された各素子の接続点の電位差をブリッジ回路の出力として取り出している。図１０（ａ）ではｃｏｓ曲線の出力を行うブリッジ回路が示されているが、ｓｉｎ曲線の出力についても同様にブリッジ回路で構成されている。

また、各素子は、それぞれ複数のセンサ部２０が直列接続されて構成されている。例えば、５個のセンサ部２０が直列接続されて磁気抵抗素子１が構成されている。したがって、基板１０には２０個のセンサ部２０が形成され、それぞれが素子とブリッジ回路を構成するように接続されている。

複数のセンサ部２０が基板１０に形成されている場合、各センサ部２０の磁気抵抗素子部２２に対応するようにヒータ部３０を設けても良いが、図１０（ｂ）に示されるように、素子毎にヒータ部３０を共通化させることもできる。なお、図１０（ｂ）では２つのセンサ部２０に対してヒータ部３０を共通化させた断面図を示している。

このように、ヒータ部３０が複数の磁気抵抗素子部２２で共通になっていることにより、１つのヒータ部３０で複数の磁気抵抗素子部２２を全てまとめて加熱することができ、複数の磁気抵抗素子部２２をまとめて着磁することができる。また、プローブ５０によるバイアスの印加を１つのヒータ部３０に行えば良いので、複数のヒータ部３０にそれぞれ加熱作業を行う必要が無く、ヒータ部３０の加熱作業を容易に行うことができる。

もちろん、ヒータ部３０の面積は複数の磁気抵抗素子部２２が配置される領域の面積よりも大きく形成されることが好ましい。また、トレンチ７０の形成やトレンチ７０に絶縁体７１を埋め込むことが好ましい。素子間に直線状にトレンチ７０を設けても良いし、素子を囲むようにトレンチ７０を設けても良い。

（第７実施形態）
本実施形態では、第１〜第６実施形態と異なる部分について説明する。上記各実施形態では、ポリシリコンでヒータ部３０を形成していたが、本実施形態ではヒータ部３０の材料として単結晶シリコンを用いることが特徴となっている。

この場合、以下のようにヒータ部３０を形成する。まず、図１１（ａ）に示す工程では、ＳＯＩ基板１４を用意する。このＳＯＩ基板１４は単結晶シリコン層１４ａ、１４ｂで絶縁層１４ｃが挟まれて構成されている。ＳＯＩ基板１４においては単結晶シリコン層１４ａの表面が基板の一面１５に相当する。

続いて、図１１（ｂ）に示す工程では、図３（ｂ）に示す工程と同様に、例えば図示しないマスクを用いて単結晶シリコン層１４ａにイオン注入を行い、熱拡散処理を行う。これにより、単結晶シリコン層１４ａにヒータ部３０を形成する。

そして、図１１（ｃ）に示す工程では、図３（ｃ）に示す工程と同様に、ＳＯＩ基板１４の一面１５に絶縁膜４０をＣＶＤ法等で形成する。

この後の工程は、図４および図５に示す各工程を行うことにより磁気センサ装置を製造することができる。以上のように、ヒータ部３０の材料として単結晶シリコンを用いることにより、ヒータ部３０を加熱する際にヒータ部３０の温度を精度良く制御することができる。

なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、ＳＯＩ基板１４が特許請求の範囲の「基板」に対応し、ＳＯＩ基板１４の一面１５が特許請求の範囲の「一面」に対応する。

（第８実施形態）
本実施形態では、第１〜第７実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態ではヒータ部３０の材料として白金（Ｐｔ）を用いることが特徴となっている。

この場合、以下のようにヒータ部３０を形成する。まず、図１２（ａ）に示す工程では、基板１６を用意する。この基板１６は、半導体基板１１の上に数μｍの厚さの絶縁層１７をＣＶＤ法等で形成したものである。絶縁層１７の表面が基板１６の一面１８に相当する。

続いて、図１２（ｂ）に示す工程では、絶縁層１７の上に蒸着やスパッタ等により白金を堆積させることにより金属層８０を形成する。

図１２（ｃ）に示す工程では金属層８０をパターニングすることによりヒータ部３０を形成する。そして、図１２（ｄ）に示す工程ではヒータ部３０を覆うように、基板１６の一面１８にＣＶＤ法等で絶縁膜４０を形成する。

この後の工程は、図４および図５に示す各工程を行うことにより磁気センサ装置を製造することができる。以上のように、ヒータ部３０の材料として白金を用いることにより、低コストでヒータ部３０を形成することができる。

なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、基板１６が特許請求の範囲の「基板」に対応し、基板１６の一面１８が特許請求の範囲の「一面」に対応する。

（第９実施形態）
上記第１実施形態では、センサ部２０を囲むようにヒータ部３０を形成した例について説明したが、これに代えて、本第９実施形態では、ヒータ部３０を板状に形成した例について説明する。

図１３（ａ）は本実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＤ−Ｄ’断面図である。図１３（ａ）、図１３（ｂ）において、図１（ａ）、図１（ｂ）と同一符号は、同一のものを示す。

本実施形態の磁気センサ装置のヒータ部３０は、板厚方向から正方形に視える板状に形成されている。ヒータ部３０の面方向の面積は、センサ部２０の面方向の面積に比べて大きい。

また、本実施形態の磁気センサ装置では、絶縁膜４１および上部電極用配線２３ａを覆う保護膜５０が設けられている。上部電極用パッド２３ｂ、下部電極用パッド２１ｂ、およびヒータ部用パッド３０ｂが保護膜５０の上側に配置されている。

次に、本実施形態の磁気センサ装置の製造方法について、図１４、図１５を参照して説明する。なお、図１４および図１５の各図は、図１３（ａ）のＤ−Ｄ’断面に相当する。

まず、図１４（ａ）〜（ｅ）、図１５（ａ）の各工程で、上記第１実施形態と同様に、基板１０上に２つのセンサ部２０形成する。図１４（ａ）〜（ｅ）は、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）、（ｂ）に対応している。

次の図１５（ｂ）の工程では、絶縁膜４１および上部電極用配線２３ａを覆う保護膜５０をスパッタ等により成膜する。保護膜５０として、例えば、ＳｉＯ₂やＳｉＮ等が用いられている。

次に、上記第１実施形態と同様に、着磁させたいセンサ部２０に対応するヒータ部３０を用いて、当該センサ部２０の磁気抵抗素子部２２のピン磁性層２２ａの着磁を行う（第１着磁工程）。その後、上記第１実施形態と同様に、残りのセンサ部２０に対応するヒータ部３０を用いて、残りの磁気抵抗素子部２２のピン磁性層２２ａの着磁を行う（第２着磁工程）。

以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様に、各磁気抵抗素子部２２の下方にそれぞれヒータ部３０を設け、ピン磁性層２２ａの着磁の際に着磁させたいピン磁性層２２ａに対応するヒータ部３０のみを加熱することが特徴となっている。このように、着磁させたい磁気抵抗素子部２２に対応するヒータ部３０を磁場中で局所的および選択的に加熱することにより、２つの磁気抵抗素子部２２のうちの一方の磁気抵抗素子部２２のみを着磁することができる。また、印加磁場方向を変え、別の磁気抵抗素子部２２に対応するヒータ部３０を加熱することで、２つの磁気抵抗素子部２２のうちの他方の磁気抵抗素子部２２のみを着磁することができる。

（第１０実施形態）
本実施形態では、上記第９実施形態の磁気センサ装置の基板１０のうちヒータ部３０に対応する領域にメンブレンを設けた例について説明する。

図１６（ａ）は本実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、図１６（ｂ）は図１６（ａ）のＥ−Ｅ’断面図である。図１６（ａ）、図１６（ｂ）において、図１３（ａ）、図１３（ｂ）と同一符号は、同一のものを示す。

本実施形態の磁気センサ装置の基板１０には、図１６（ｂ）に示すように、ヒータ部３０に対応する領域に凹部１１ａがセンサ部２０毎に設けられている。
凹部１１ａは、基板１０の一面１３と反対側（図示下側）から一面１３側（図示上側）に凹むように形成されている。このことにより、基板１０のうちヒータ部３０に対応する領域は、ヒータ部３０に対応する領域以外の他の領域１１ｃに比べて板厚方向の寸法が短くなる。すなわち、基板１０のうちヒータ部３０に対応する領域には、メンブレン（薄膜）１１ｂが形成されることになる。

次に、本実施形態の磁気センサ装置の製造方法について、図１４、図１５を参照して説明する。なお、図１４および図１５の各図は、図１６（ａ）のＥ−Ｅ’断面に相当する。

まず、図１４（ａ）〜（ｅ）、図１５（ａ）、（ｂ）の各工程の終了後、ウエットエッチ、ドライエッチにより、基板１０のうちヒータ部３０に対応する領域に凹部１１ａをセンサ部２０毎に形成する（基板形成工程）。このことにより、基板１０のうちヒータ部３０の下側にメンブレン１１ｂをセンサ部２０毎に形成されることになる。

以上説明した本実施形態によれば、基板１０のうちヒータ部３０の下側にはメンブレン１１ｂと凹部１１ａとが形成されている。このため、基板１０のうちメンブレン１１ｂ側には、ヒータ部３０から発生する熱が伝わり難くすることができる。したがって、ヒータ部３０から発生する熱をセンサ部２０に伝え易くすることができる。このため、第１着磁工程および第２着磁工程において、ヒータ部３０によりセンサ部２０を加熱する際に、センサ部２０の温度ムラが生じに難くなる。これにより、センサ部２０の温度管理の精度を上げることができる。

（第１１実施形態）
上記第９実施形態では、ヒータ部３０として基板１０の板厚方向から視て四角形に形成されたものを用いた例について説明したが、これに代えて、基板１０のうちヒータ部３０を囲むように形成されたものを用いる例について説明する。

図１７（ａ）は本実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、図１７（ｂ）は図１７（ａ）のＦ−Ｆ’断面図である。図１７（ａ）、図１７（ｂ）において、図１３（ａ）、図１３（ｂ）と同一符号は、同一のものを示す。

本実施形態のヒータ部３０は、図１７（ａ）に示すように、基板１０の板厚方向から視て、内側輪郭が円形で、かつ外側輪郭が正方向になるように形成されている。このことにより、ヒータ部３０は、基板１０のうちヒータ部３０の下側の領域１２ａに対して間隔を開けて、かつ領域１２ａを囲むように形成されていることになる。

以上説明した本実施形態によれば、基板１０のうちセンサ部２０の下側の領域１２ａを囲むようにヒータ部３０が形成されている。すなわち、基板１０においてセンサ部２０を囲むようにヒータ部３０が形成されている。このため、センサ部２０の下地に使用する材料（すなわち、絶縁膜４０に使用する材料）の選択の自由度が広がる。したがって、センサ部２０を構成する膜の結晶性を向上することができる。

（第１２実施形態）
本実施形態では、上記第１１実施形態の磁気センサ装置において、基板１０のうち、ヒータ部３０に対応する領域にメンブレンをセンサ部２０毎に設ける例について説明する。

図１８（ａ）は本実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＧ−Ｇ’断面図である。図１８（ａ）、図１８（ｂ）において、図１７（ａ）、図１７（ｂ）と同一符号は、同一のものを示す。

本実施形態の磁気センサ装置において、基板１０のうちヒータ部３０およびセンサ部２０に対応する領域に凹部１１ａがセンサ部２０毎に設けられている。このことにより、基板１０のうちヒータ部３０およびセンサ部２０の下側にメンブレン１１ｂをセンサ部２０毎に形成することができる。このため、第１、第２の着磁工程において、ヒータ部３０によりセンサ部２０を加熱する際に、ヒータ部３０から発生する熱を基板１０側に伝わり難くして、ヒータ部３０から発生する熱をセンサ部２０側に伝わり易くすることができる。したがって、センサ部２０の温度管理の精度を上げることができる。

（第１３実施形態）
上記第９〜１２の実施形態では、基板１０にヒータ部３０を形成した例について説明したが、これに代えて、本実施形態では、センサ部２０と同一平面上にヒータ部３０を形成する例について説明する。

図１９（ａ）は本実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、図１８（ｂ）は図１９（ａ）のＨ−Ｈ’断面図である。図１９（ａ）、図１９（ｂ）において、図１３（ａ）、図１３（ｂ）と同一符号は、同一のものを示す。

本実施形態のヒータ部３０は、絶縁膜４０の上側（すなわち、基板１０の一面１３側）にセンサ部２０毎に形成されている。本実形態の基板１０は半導体基板である。ヒータ部３０は、センサ部２０を囲むように形成されている。具体的には、基板１０の板厚方向から視て、ヒータ部３０は、内側輪郭が正方向で、かつ外側輪郭が正方向になるように形成されている。このことにより、ヒータ部３０は、センサ部２０に対して間隔を開けて、かつセンサ部２０の周囲に形成されていることになる。

次に、本実施形態の磁気センサ装置の製造方法について、図２０、図２１を参照して説明する。なお、図２０および図２１の各図は、図１９（ａ）のＨ−Ｈ’断面に相当する。

まず、図２０（ａ）に示す工程では、基板１０の一面１３に絶縁膜４０を熱酸化、ＣＶＤ法等で形成する。

次に、図２０（ｂ）に示す工程では、スパッタ、エッチング等により、絶縁膜４０上にて下部電極２１、磁気抵抗素子部２２、上部電極２３からなるセンサ本体２０ａを２つ形成する。

次に、図２０（ｃ）に示す工程では、２つのセンサ本体２０ａおよび絶縁膜４０を覆うようにレジスト６０を塗布して、この塗布されたレジスト６０に対してフォトリソグラフィー等によりパターニングを行う。このことにより、２つのセンサ本体２０ａの周囲には、レジスト６０が除去される箇所６０ａが形成される。

次に、図２０（ｄ）に示す工程では、ドライエッチ等により絶縁膜４０のうち箇所６０ａに対応する箇所に穴部４１ａを形成する。

次に、図２１（ａ）に示す工程では、スパッタにより絶縁膜４０の穴部４１ａにてヒータ部３０の材料（例えば、ポリシリコン）をセンサ本体２０ａ毎に埋め込む。これに伴い、ドライエッチ等により、ヒータ部３０およびセンサ本体２０ａに対して基板１０と反対側を平らに成形する。このことにより、ヒータ部３０およびセンサ本体２０ａが図示上側（すなわち、基板１０と反対側）に露出することになる。

次に、図２１（ｂ）に示す工程では、スパッタ、パターニング等により金属材料からなる上部電極用配線２３ａおよびヒータ部用配線３０ａを形成する。さらに、絶縁膜４０に形成した孔部に金属材料を埋めると共に、絶縁膜４０の上に金属材料をスパッタ等で積層し、パターニングする。これにより、下部電極２１に接続された下部電極用配線２１ａと、ヒータ部用パッド３０ｂ、下部電極用パッド２１ｂ、および上部電極用パッド２３ｂを形成する。

次に、図２１（ｃ）に示す工程では、上部電極用配線２３ａ、ヒータ部用配線３０ａ、および絶縁膜４１を覆う保護膜５０を形成する。以上により、基板１０上に２つのセンサ部２０が形成されることになる。その後、上記第１実施形態と同様に、第１、第２の着磁工程において、２つのセンサ部２０の磁気抵抗素子部２２のピン磁性層２２ａの着磁をそれぞれ行う。

以上説明した本実施形態によれば、ヒータ部３０は絶縁膜４０の上側においてセンサ部２０の周囲に形成されている。このため、センサ部２０の下地に使用する材料（すなわち、絶縁膜４０に使用する材料）の選択の自由度が広がる。したがって、センサ部２０を構成する膜の結晶性を向上することができる。

（第１４実施形態）
本実施形態では、上記第１３実施形態の磁気センサ装置において、基板１０のうち、ヒータ部３０に対応する領域にメンブレンをセンサ部２０毎に設ける例について説明する。

図２２（ａ）は本実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、図２２（ｂ）は図２２（ａ）のＩ−Ｉ’断面図である。図２２（ａ）、図２２（ｂ）において、図１９（ａ）、図１９（ｂ）と同一符号は、同一のものを示す。

本実施形態の磁気センサ装置の基板１０には、図２２（ｂ）に示すように、ヒータ部３０に対応する領域にメンブレン（薄膜）１１ｂが形成されている。

次に、本実施形態の磁気センサ装置の製造方法について、図２０、図２１を参照して説明する。

本実施形態では、上記第１３実施形態と同様に、図２０（ａ）〜（ｄ）および図２１（ａ）〜（ｃ）の各工程で、基板１０上に２つのセンサ部２０を形成した後、図２１（ｄ）に示す工程で、ウエットエッチ、ドライエッチにより、基板１０のうちヒータ部３０に対応する領域に凹部１１ａをセンサ部２０毎に形成する。このことにより、基板１０のうちヒータ部３０の下側にメンブレン１１ｂをセンサ部２０毎に形成することができる。その後、上記第１実施形態と同様に、第１、第２の着磁工程において、２つのセンサ部２０の磁気抵抗素子部２２のピン磁性層２２ａの着磁をそれぞれ行う。

以上説明した本実施形態によれば、基板１０のうちヒータ部３０の下側にはメンブレン１１ｂと凹部１１ａとが形成されている。このため、上記第１０実施形態と同様、ヒータ部３０から発生する熱をセンサ部２０側に伝え易くすることができる。このため、第１着磁工程および第２着磁工程において、ヒータ部３０によりセンサ部２０を加熱する際に、センサ部２０の温度ムラが生じに難くなる。これにより、センサ部２０の温度管理の精度を上げることができる。

（第１５実施形態）
上記第１３、１４の実施形態では、ヒータ部３０およびセンサ部２０を同一平面上に形成した例について説明したが、これに代えて、本実施形態では、ヒータ部３０をセンサ部２０の直上に形成する例について説明する。

図２３（ａ）は本実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、図２３（ｂ）は図２３（ａ）のＪ−Ｊ’断面図である。図２３（ａ）、図２３（ｂ）において、図１３（ａ）、図１３（ｂ）と同一符号は、同一のものを示す。

本実施形態の磁気センサ装置では、ヒータ部３０は、保護膜５０の上側（すなわち、保護膜５０に対してセンサ部２０と反対側）に配置されている。ヒータ部３０は、板厚方向から視て四角形状に形成されている。ヒータ部３０の面方向の面積は、センサ部２０の面方向の面積に比べて大きい。ヒータ部３０およびヒータ部用配線３０ａの上側には、保護膜８０が設けられている。

本実施形態では、ヒータ部用パッド３０ｂ、上部電極用パッド２３ｂ、および下部電極用パッド２１ｂが保護膜８０の上側に配置されている。

次に、本実施形態の磁気センサ装置の製造方法について、図２４、図２５を参照して説明する。なお、図２４および図２５の各図は、図２３（ａ）のｊ−ｊ’断面に相当する。

まず、図２４（ａ）に示す工程では、基板１０の一面１３に絶縁膜４０を熱酸化、ＣＶＤ法等で形成する。

次に、図２４（ｂ）に示す工程では、スパッタ、エッチング等により、絶縁膜４０上にて下部電極２１、磁気抵抗素子部２２、上部電極２３からなるセンサ本体２０ａを２つ形成する。

次に、図２４（ｃ）に示す工程では、スパッタ、エッチング等により、絶縁膜４０上に絶縁膜４１を成膜する。

次に、図２４（ｄ）に示す工程では、スパッタ、エッチング等により、２つのセンサ本体２０ａの上側に上部電極用配線２３ａをそれぞれ形成する。

次に、図２５（ａ）に示す工程では、スパッタ等により、２つのセンサ本体２０ａおよび絶縁膜４１の上側に保護膜５０を成膜する。

次に、図２５（ｂ）に示す工程では、スパッタ、エッチング等により、２つのセンサ本体２０ａの上側にヒータ部３０をそれぞれ形成するとともに、ヒータ部用配線３０ａを形成する。

次に、図２５（ｃ）に示す工程では、スパッタ等により、２つのセンサ本体２０ａおよびヒータ部３０の上側に保護膜を成膜する。これにより、基板１０上に２つのセンサ２０が形成されることになる。その後、上記第１実施形態と同様に、第１、第２の着磁工程において、２つのセンサ部２０の磁気抵抗素子部２２のピン磁性層２２ａの着磁をそれぞれ行う。

以上説明した本実施形態によれば、ヒータ部３０が保護膜５０を介してセンサ部２０の上側に形成されている。このため、センサ部２０の下地に使用する材料（すなわち、絶縁膜４０に使用する材料）の選択の自由度が広がる。したがって、センサ部２０を構成する膜の結晶性を向上することができる。

（第１６実施形態）
本実施形態では、上記第１５実施形態の磁気センサ装置において、基板１０のうち、ヒータ部３０に対応する領域にメンブレンをセンサ部２０毎に設ける例について説明する。

図２６（ａ）は本実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、図２６（ｂ）は図２６（ａ）のＫ−Ｋ’断面図である。図２６（ａ）、図２６（ｂ）において、図２３（ａ）、図２３（ｂ）と同一符号は、同一のものを示す。

本実施形態の磁気センサ装置において、基板１０のうちセンサ部２０およびヒータ部３０に対応する領域に凹部１１ａがセンサ部２０毎に設けられている。このことにより、基板１０のうちセンサ部２０およびヒータ部３０の下側にメンブレン１１ｂをセンサ部２０毎に形成することができる。このため、第１、第２の着磁工程において、ヒータ部３０によりセンサ部２０を加熱する際に、ヒータ部３０から発生する熱を基板１０側に伝わり難くして、ヒータ部３０から発生する熱をセンサ部２０側に伝え易くすることができる。したがって、センサ部２０の温度管理の精度を上げることができる。

（第１７実施形態）
上記第９実施形態では、１つのセンサ部２０に対して１つのヒータ部３０を設けた例について説明したが、これに代えて、本実施形態では、１つのセンサ部２０に対して複数のヒータ部３０を設けた例について説明する。

図２７（ａ）は本実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、図２７（ｂ）は図２７（ａ）のＬ−Ｌ’断面図である。図２７（ａ）、図２７（ｂ）において、図１３（ａ）、図１３（ｂ）と同一符号は、同一のものを示す。

本実施形態の磁気センサ装置において、１つのセンサ部２０に対して３つのヒータ部３０がセンサ部２０毎に設けられている。３つのヒータ部３０は、それぞれセンサ部２０に比べて小さい。３つのヒータ部３０は、基板１０の面方向に分散して配置されている。３つのヒータ部３０は、それぞれ接続されている。このため、２つのヒータ部用パッド３０ｂの間に電圧を加えることにより、３つのヒータ部３０に対して通電することができる。これに伴って、センサ部２０において、面方向の温度分布が生じ難くなる。よって、センサ部２０の温度管理の精度を高めることができる。

（第１８実施形態）
本実施形態では、上記第１７実施形態の磁気センサ装置において、基板１０のうち、ヒータ部３０に対応する領域にメンブレンをセンサ部２０毎に設ける例について説明する。

図２８（ａ）は本実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、図２８（ｂ）は図２８（ａ）のＭ−Ｍ’断面図である。図２８（ａ）、図２８（ｂ）において、図２７（ａ）、図２７（ｂ）と同一符号は、同一のものを示す。

本実施形態の磁気センサ装置において、基板１０のうちヒータ部３０に対応する領域に凹部１１ａがセンサ部２０毎に設けられている。このことにより、基板１０のうちヒータ部３０の下側にメンブレン１１ｂをセンサ部２０毎に形成することができる。このため、第１、第２の着磁工程において、ヒータ部３０によりセンサ部２０を加熱する際に、ヒータ部３０から発生する熱が基板１０側に伝わることを抑制することができる。したがって、センサ部２０の温度管理の精度を上げることができる。

（第１９実施形態）
本実施形態では、上記第１０実施形態の磁気センサ装置において、基板１０のうち、ヒータ部３０の側方に温度センサ９０ａ、９０ｂを設ける例について説明する。

図２９（ａ）は本実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、図２９（ｂ）は図２９（ａ）のＮ−Ｎ’断面図である。図２９（ａ）、図２９（ｂ）において、図１３（ａ）、図１３（ｂ）と同一符号は、同一のものを示す。

本実施形態に係る磁気センサ装置には、温度センサ９０ａ、９０ｂがセンサ部２０毎に設けられている。温度センサ９０ａ、９０ｂは、温度検知部を構成するもので、ヒータ部３０の側方（すなわち、面方向）に設けられている。つまり、温度センサ９０ａ、９０ｂおよびヒータ部３０は、同一平面上に形成されることになる。温度センサ９０ａ、９０ｂは、ヒータ部３０と同一の材料（例えば、ポリシリコン）によって形成されている。

本実施形態の磁気センサ装置は、上記第９実施形態と同様に、図１４、図１５の各工程により製造される。そして、温度センサ９０ａ、９０ｂは、ヒータ部３０を形成する工程において、形成される（温度検知部形成工程）。つまり、温度センサ９０ａ、９０ｂおよびヒータ部３０は、同一工程において、形成されることになる。そして、本実施形態の温度センサ９０ａ、９０ｂは、第１、第２の着磁工程において、２つのセンサ部２０の磁気抵抗素子部２２のピン磁性層２２ａの着磁をそれぞれ行う際に、ヒータ部３０の温度を制御するために用いられる。

本実施形態では、温度センサ用パッド９２ａ、９２ｂが絶縁膜４１の上側に配置されている。温度センサ用パッド９２ａは、温度センサ用電極９１ａを介して温度センサ９０ａに接続されている。温度センサ用パッド９２ｂは、温度センサ用電極９１ｂを介して温度センサ９０ｂに接続されている。温度センサ９０ａ、９０ｂは、図示しない配線部によって接続されている。

本実施形態の第１、第２の着磁工程において、温度センサ用パッド９２ａ、９２ｂの間の抵抗値（つまり、温度センサ９０ａ、９０ｂの合成抵抗値）を、センサ部２０毎にヒータ部３０の検出温度として検出する。そして、このように検出されるヒータ部３０の検出温度を用いて、ヒータ部３０の温度を目標値に近づけるようにヒータ部３０の温度をフィードバック制御する。

以上説明した本実施形態によれば、磁気センサ装置において、温度センサ９０ａ、９０ｂがヒータ部３０に対して面方向に形成されている。このため、温度センサ９０ａ、９０ｂによるヒータ部３０の検出温度を用いてヒータ部３０の温度のフィードバック制御することができる。このため、第１、第２の着磁工程において、ヒータ部３０の温度管理の精度を高めることができる。これに加えて、温度センサ９０ａ、９０ｂは、ヒータ部３０の側方において、ヒータ部３０と同一の材料（例えば、ポリシリコン）によって形成されている。このため、製造工程において追加の工程を必要としない。

（第２０実施形態）
本実施形態では、上記第１９実施形態の磁気センサ装置において、基板１０のうち、ヒータ部３０に対応する領域にメンブレンをセンサ部２０毎に設ける例について説明する。

図３０（ａ）は本実施形態に係る磁気センサ装置の平面図であり、図３０（ｂ）は図３０（ａ）のＯ−Ｏ’断面図である。図３０（ａ）、図３０（ｂ）において、図２９（ａ）、図２９（ｂ）と同一符号は、同一のものを示す。

本実施形態の磁気センサ装置において、基板１０のうちヒータ部３０に対応する領域に凹部１１ａがセンサ部２０毎に設けられている。このことにより、基板１０のうちヒータ部３０の下側にメンブレン１１ｂをセンサ部２０毎に形成することができる。このため、第１、第２の着磁工程において、ヒータ部３０によりセンサ部２０を加熱する際に、ヒータ部３０から発生する熱をセンサ部２０に伝え易くすることができる。したがって、センサ部２０の温度管理の精度を上げることができる。

（他の実施形態）
上記第１２、１６の実施形態では、基板１０のうちヒータ部３０およびセンサ部２０に対応する領域に凹部１１ａ（すなわち、メンブレン１１ｂ）形成する例について説明したが、これに限らず、基板１０のうちヒータ部３０およびセンサ部２０のうち少なくとも一方に対応する領域に凹部１１ａ（すなわち、メンブレン１１ｂ）形成するようにしてもよい。

すなわち、基板１０のうちヒータ部３０および磁気抵抗素子部２０のうち一方に対応する部分の板厚方向の寸法を、基板１０のうちヒータ部３０および磁気抵抗素子部２０に対応する部分以外の他の部分の板厚方向の寸法に比べて小さくすることになる。

上記第１７の実施形態では、１つのセンサ部２０に対して３つのヒータ部３０を設けた例について説明したが、これに代えて、１つのセンサ部２０に対して２つのヒータ部３０、或いは４つ以上のヒータ部３０を設けるようにしてもよい。

上記第１〜第２０の実施形態で示された構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、上記各実施形態では、磁気センサ装置は車両に適用されるものとして説明したが、もちろん車両に限らず回転角度を検出するものとして広く利用できる。

上記第１〜第２０の実施形態では磁気抵抗素子部２２をＴＭＲ素子として構成していたが、ＧＭＲ素子として構成しても良い。

上記第１９、第２０の実施形態では、温度センサ用パッド９２ａ、９２ｂを接続して温度センサ９０ａ、９０ｂの合成抵抗値を、ヒータ部３０の検出温度として検出する例について説明したが、これに代えて、温度センサ９０ａ、９０ｂのそれぞれの抵抗値を、ヒータ部３０の検出温度として検出してもよい。

上記第１９、第２０の実施形態では、ヒータ部３０に電流を流して加熱するためにプローブ５０を用いていたが、これは加熱方法の一例であり、磁気センサ装置にヒータ部用パッド３０ｂに接続された配線を形成し、この配線を介してヒータ部３０に電流を流しても良い。

上記第１〜第２０の実施形態では基板１０に２つのセンサ部２０を形成することについて説明したが、ウェハ状の基板１０に多数のセンサ部２０を形成し、選択的にピン磁性層２２ａの着磁を行っても良い。着磁後にウェハを分割すれば、１枚のウェハから多数の磁気センサ装置を製造することができる。

上記第１〜第２０の実施形態では、ヒータ部３０をポリシリコンによって形成した例について説明したが、これに限らず、単結晶シリコン、白金、ＮｉＣｒ（ニッケルクロム）、ＴａＮ（窒化タンタル）、ＳｉＣ（炭化シリコン）、Ｗ（タングステン）のいずれかの材料で形成してもよい。

上記第１〜第２０の実施形態では第１着磁工程と第２着磁工程の２方向の構成としていたが、それ３方向以上の構成としても良い。すなわち、上記各実施形態で説明した２方向の着磁が成立するのであるから、当然、３方向や４方向等の３方向以上の着磁についても同様に成立する。

なお、上記第１〜第２０の実施形態、および各変形例のうち組合せ可能な２つ以上の実施例を組み合わせたものを発明として実施してもよい。例えば、上記第９〜第２０の実施形態において、上記第１〜第８の実施形態における回路部６０やトレンチ７０を組み合わせものを発明として実施してもよい。

１０基板
１３一面
１４ＳＯＩ基板
１５一面
１６基板
１８一面
２０センサ部
２２磁気抵抗素子部
２２ａピン磁性層
２２ｃフリー磁性層
３０ヒータ部
６０回路部
７０トレンチ
７１絶縁体

Claims

一面（１３、１５、１８）を有する基板（１０、１４、１６）と、
外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層（２２ｃ）と、磁化の向きが固定されたピン磁性層（２２ａ）と、を有し、前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部（２２）と、を備え、
前記複数の磁気抵抗素子部（２２）には前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）に平行な面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きが異なるものが含まれており、
前記各磁気抵抗素子部（２２）が外部の磁場の影響を受けたときの前記各磁気抵抗素子部（２２）の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置の製造方法であって、
前記基板（１０、１４、１６）を用意する工程と、
前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に前記各磁気抵抗素子部（２２）を形成する素子部形成工程と、
前記各磁気抵抗素子部（２２）に対応するヒータ部（３０）をそれぞれ形成するヒータ部形成工程と、
磁場の向きが前記面方向のうちの第１の方向に設定された磁場中に、前記各磁気抵抗素子部（２２）が形成された前記基板（１０、１４、１６）を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に対応するヒータ部（３０）を加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部（２２）を構成するピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを前記第１の方向に着磁する第１着磁工程と、
磁場の向きが前記面方向のうち第１の方向とは異なる第２の方向に設定された磁場中に、前記各磁気抵抗素子部（２２）が形成された前記基板（１０、１４、１６）を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に対応するヒータ部（３０）を加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部（２２）を構成するピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを前記第２の方向に着磁する第２着磁工程と、を含んでおり、
前記ヒータ部形成工程では、前記基板（１０、１４、１６）に、前記各磁気抵抗素子部（２２）に対応する前記ヒータ部（３０）をそれぞれ形成し、
前記ヒータ部形成工程では、前記磁気抵抗素子部を囲むように前記ヒータ部を前記磁気抵抗素子部毎に形成することを特徴とする磁気センサ装置の製造方法。
一面（１３、１５、１８）を有する基板（１０、１４、１６）と、
外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層（２２ｃ）と、磁化の向きが固定されたピン磁性層（２２ａ）と、を有し、前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部（２２）と、を備え、
前記複数の磁気抵抗素子部（２２）には前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）に平行な面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きが異なるものが含まれており、
前記各磁気抵抗素子部（２２）が外部の磁場の影響を受けたときの前記各磁気抵抗素子部（２２）の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置の製造方法であって、
前記基板（１０、１４、１６）を用意する工程と、
前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に前記各磁気抵抗素子部（２２）を形成する素子部形成工程と、
前記各磁気抵抗素子部（２２）に対応するヒータ部（３０）をそれぞれ形成するヒータ部形成工程と、
磁場の向きが前記面方向のうちの第１の方向に設定された磁場中に、前記各磁気抵抗素子部（２２）が形成された前記基板（１０、１４、１６）を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に対応するヒータ部（３０）を加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部（２２）を構成するピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを前記第１の方向に着磁する第１着磁工程と、
磁場の向きが前記面方向のうち第１の方向とは異なる第２の方向に設定された磁場中に、前記各磁気抵抗素子部（２２）が形成された前記基板（１０、１４、１６）を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に対応するヒータ部（３０）を加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部（２２）を構成するピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを前記第２の方向に着磁する第２着磁工程と、を含んでおり、
前記ヒータ部の温度を検出するための温度検知部（９０ａ、９０ｂ）を前記ヒータ部毎に形成する温度検知部形成工程を有することを特徴とする磁気センサ装置の製造方法。
一面（１３、１５、１８）を有する基板（１０、１４、１６）と、
外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層（２２ｃ）と、磁化の向きが固定されたピン磁性層（２２ａ）と、を有し、前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部（２２）と、を備え、
前記複数の磁気抵抗素子部（２２）には前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）に平行な面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きが異なるものが含まれており、
前記各磁気抵抗素子部（２２）が外部の磁場の影響を受けたときの前記各磁気抵抗素子部（２２）の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置の製造方法であって、
前記基板（１０、１４、１６）を用意する工程と、
前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に前記各磁気抵抗素子部（２２）を形成する素子部形成工程と、
前記各磁気抵抗素子部（２２）に対応するヒータ部（３０）をそれぞれ形成するヒータ部形成工程と、
磁場の向きが前記面方向のうちの第１の方向に設定された磁場中に、前記各磁気抵抗素子部（２２）が形成された前記基板（１０、１４、１６）を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に対応するヒータ部（３０）を加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部（２２）を構成するピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを前記第１の方向に着磁する第１着磁工程と、
磁場の向きが前記面方向のうち第１の方向とは異なる第２の方向に設定された磁場中に、前記各磁気抵抗素子部（２２）が形成された前記基板（１０、１４、１６）を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に対応するヒータ部（３０）を加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部（２２）を構成するピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを前記第２の方向に着磁する第２着磁工程と、を含んでおり、
前記基板のうち前記ヒータ部および前記磁気抵抗素子部のうち一方に対応する部分の板厚方向の寸法を、前記基板のうち前記ヒータ部および前記磁気抵抗素子部に対応する部分以外の他の部分の板厚方向の寸法に比べて小さくする基板形成工程を有していることを特徴とする磁気センサ装置の製造方法。
一面（１３、１５、１８）を有する基板（１０、１４、１６）と、
外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層（２２ｃ）と、磁化の向きが固定されたピン磁性層（２２ａ）と、を有し、前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部（２２）と、を備え、
前記複数の磁気抵抗素子部（２２）には前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）に平行な面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きが異なるものが含まれており、
前記各磁気抵抗素子部（２２）が外部の磁場の影響を受けたときの前記各磁気抵抗素子部（２２）の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置の製造方法であって、
前記基板（１０、１４、１６）を用意する工程と、
前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に前記各磁気抵抗素子部（２２）を形成する素子部形成工程と、
前記各磁気抵抗素子部（２２）に対応するヒータ部（３０）をそれぞれ形成するヒータ部形成工程と、
磁場の向きが前記面方向のうちの第１の方向に設定された磁場中に、前記各磁気抵抗素子部（２２）が形成された前記基板（１０、１４、１６）を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に対応するヒータ部（３０）を加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部（２２）を構成するピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを前記第１の方向に着磁する第１着磁工程と、
磁場の向きが前記面方向のうち第１の方向とは異なる第２の方向に設定された磁場中に、前記各磁気抵抗素子部（２２）が形成された前記基板（１０、１４、１６）を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に対応するヒータ部（３０）を加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部（２２）を構成するピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを前記第２の方向に着磁する第２着磁工程と、を含んでおり、
前記ヒータ部形成工程では、前記磁気抵抗素子部に対して同一平面上で、かつ前記磁気抵抗素子部を囲むように前記ヒータ部を前記磁気抵抗素子部毎に形成することを特徴とする磁気センサ装置の製造方法。
一面（１３、１５、１８）を有する基板（１０、１４、１６）と、
外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層（２２ｃ）と、磁化の向きが固定されたピン磁性層（２２ａ）と、を有し、前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部（２２）と、を備え、
前記複数の磁気抵抗素子部（２２）には前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）に平行な面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きが異なるものが含まれており、
前記各磁気抵抗素子部（２２）が外部の磁場の影響を受けたときの前記各磁気抵抗素子部（２２）の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置の製造方法であって、
前記基板（１０、１４、１６）を用意する工程と、
前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に前記各磁気抵抗素子部（２２）を形成する素子部形成工程と、
前記各磁気抵抗素子部（２２）に対応するヒータ部（３０）をそれぞれ形成するヒータ部形成工程と、
磁場の向きが前記面方向のうちの第１の方向に設定された磁場中に、前記各磁気抵抗素子部（２２）が形成された前記基板（１０、１４、１６）を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に対応するヒータ部（３０）を加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部（２２）を構成するピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを前記第１の方向に着磁する第１着磁工程と、
磁場の向きが前記面方向のうち第１の方向とは異なる第２の方向に設定された磁場中に、前記各磁気抵抗素子部（２２）が形成された前記基板（１０、１４、１６）を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に対応するヒータ部（３０）を加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部（２２）を構成するピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを前記第２の方向に着磁する第２着磁工程と、を含んでおり、
前記素子部形成工程では、前記基板（１０、１４、１６）のうち、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に対応するヒータ部（３０）と、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に対応するヒータ部（３０）と、の間にトレンチ（７０）を形成することを特徴とする磁気センサ装置の製造方法。
一面（１３、１５、１８）を有する基板（１０、１４、１６）と、
外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層（２２ｃ）と、磁化の向きが固定されたピン磁性層（２２ａ）と、を有し、前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部（２２）と、を備え、
前記複数の磁気抵抗素子部（２２）には前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）に平行な面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きが異なるものが含まれており、
前記各磁気抵抗素子部（２２）が外部の磁場の影響を受けたときの前記各磁気抵抗素子部（２２）の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置の製造方法であって、
前記基板（１０、１４、１６）を用意する工程と、
前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に前記各磁気抵抗素子部（２２）を形成する素子部形成工程と、
前記各磁気抵抗素子部（２２）に対応するヒータ部（３０）をそれぞれ形成するヒータ部形成工程と、
磁場の向きが前記面方向のうちの第１の方向に設定された磁場中に、前記各磁気抵抗素子部（２２）が形成された前記基板（１０、１４、１６）を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に対応するヒータ部（３０）を加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部（２２）を構成するピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを前記第１の方向に着磁する第１着磁工程と、
磁場の向きが前記面方向のうち第１の方向とは異なる第２の方向に設定された磁場中に、前記各磁気抵抗素子部（２２）が形成された前記基板（１０、１４、１６）を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に対応するヒータ部（３０）を加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部（２２）を構成するピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを前記第２の方向に着磁する第２着磁工程と、を含んでおり、
前記ヒータ部形成工程では、前記基板（１０、１４、１６）に、前記各磁気抵抗素子部（２２）に対応する前記ヒータ部（３０）をそれぞれ形成し、
前記ヒータ部形成工程では、前記磁気抵抗素子部に比べて小さい前記ヒータ部を形成し、前記ヒータ部形成工程では、１つの前記磁気抵抗素子部に対して複数の前記ヒータ部を形成することを特徴とする磁気センサ装置の製造方法。
前記ヒータ部形成工程では、前記基板（１０、１４、１６）に、前記各磁気抵抗素子部（２２）に対応する前記ヒータ部（３０）をそれぞれ形成することを特徴とする請求項２、３、５のいずれか１つに記載の磁気センサ装置の製造方法。
前記素子部形成工程では、前記ヒータ部（３０）の上方に前記各磁気抵抗素子部（２２）がそれぞれ位置するように、前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に前記各磁気抵抗素子部（２２）を形成することを特徴とする請求項１、２、３、５、６のいずれか１つに記載の磁気センサ装置の製造方法。
前記素子部形成工程では、前記基板（１０、１４、１６）のうち、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に対応するヒータ部（３０）と、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に対応するヒータ部（３０）と、の間にトレンチ（７０）を形成することを特徴とする請求項２または３に記載の磁気センサ装置の製造方法。
前記素子部形成工程では、前記ヒータ部（３０）を囲むように前記トレンチ（７０）を前記基板（１０、１４、１６）に形成することを特徴とする請求項５または９に記載の磁気センサ装置の製造方法。
前記素子部形成工程では、前記トレンチ（７０）を形成した後に前記トレンチ（７０）を絶縁体（７１）で埋めることを特徴とする請求項５、９、１０のいずれか１つに記載の磁気センサ装置の製造方法。
前記ヒータ部形成工程では、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に共通のヒータ部（３０）を形成すると共に、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に共通のヒータ部（３０）を形成することを特徴とする請求項２、３、５、７、９ないし１１のいずれか１つに記載の磁気センサ装置の製造方法。
前記ヒータ部形成工程では、前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）における前記ヒータ部（３０）の面積が前記磁気抵抗素子部（２２）よりも大きくなるように前記ヒータ部（３０）を形成することを特徴とする請求項２、３、５、７、９ないし１２のいずれか１つに記載の磁気センサ装置の製造方法。
前記ヒータ部形成工程では、前記複数の前記ヒータ部を前記面方向に分散して形成することを特徴とする請求項６に記載の磁気センサ装置の製造方法。
前記ヒータ部形成工程では、前記磁気抵抗素子部の上側に前記ヒータ部を前記磁気抵抗素子部毎に形成することを特徴とする請求項２または３に記載の磁気センサ装置の製造方法。
前記ヒータ部の温度を検出するための温度検知部（９０ａ、９０ｂ）を前記ヒータ部毎に形成する温度検知部形成工程を有することを特徴とする請求項１、３ないし６、１０、１１、１４のいずれか１つに記載の磁気センサ装置の製造方法。
前記温度検知部形成工程では、前記温度検知部を前記ヒータ部に対して前記面方向に形成することを特徴とする請求項２または１６に記載の磁気センサ装置の製造方法。
前記基板のうち前記ヒータ部および前記磁気抵抗素子部のうち一方に対応する部分の板厚方向の寸法を、前記基板のうち前記ヒータ部および前記磁気抵抗素子部に対応する部分以外の他の部分の板厚方向の寸法に比べて小さくする基板形成工程を有していることを特徴とする請求項１、２、４ないし６、１４のいずれか１つに記載の磁気センサ装置の製造方法。
前記ヒータ部形成工程では、前記各磁気抵抗素子部（２２）の出力に基づいて前記物理量を演算する回路部（６０）を前記基板（１０、１４、１６）に形成することを特徴とする請求項１ないし１８のいずれか１つに記載の磁気センサ装置の製造方法。
前記ヒータ部形成工程では、前記ヒータ部（３０）を、ポリシリコン、単結晶シリコン、白金、ニッケルクロム、窒化タンタル、炭化シリコン、タングステンのいずれかの材料で形成することを特徴とする請求項１ないし１９のいずれか１つに記載の磁気センサ装置の製造方法。
一面（１３、１５、１８）を有する基板（１０、１４、１６）と、
外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層（２２ｃ）と、磁化の向きが固定されたピン磁性層（２２ａ）と、を有し、前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部（２２）と、を備え、
前記複数の磁気抵抗素子部（２２）には前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）に平行な面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きが異なるものが含まれており、
前記各磁気抵抗素子部（２２）が外部の磁場の影響を受けたときの前記各磁気抵抗素子部（２２）の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置であって、
前記各磁気抵抗素子部（２２）に対応して設けられ、前記ピン磁性層（２２ａ）の着磁の際に加熱されることで、前記面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部と、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部と、で異なる方向に着磁するためのヒータ部（３０）を有しており、
前記ヒータ部は、前記基板に形成されており、
前記ヒータ部は、前記磁気抵抗素子部毎に前記磁気抵抗素子部を囲むように形成されていることを特徴とする磁気センサ装置。
一面（１３、１５、１８）を有する基板（１０、１４、１６）と、
外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層（２２ｃ）と、磁化の向きが固定されたピン磁性層（２２ａ）と、を有し、前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部（２２）と、を備え、
前記複数の磁気抵抗素子部（２２）には前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）に平行な面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きが異なるものが含まれており、
前記各磁気抵抗素子部（２２）が外部の磁場の影響を受けたときの前記各磁気抵抗素子部（２２）の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置であって、
前記各磁気抵抗素子部（２２）に対応して設けられ、前記ピン磁性層（２２ａ）の着磁の際に加熱されることで、前記面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部と、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部と、で異なる方向に着磁するためのヒータ部（３０）を有しており、
前記ヒータ部の温度を検出するための温度検知部（９０ａ、９０ｂ）が前記ヒータ部毎に設けられていることを特徴とする磁気センサ装置。
一面（１３、１５、１８）を有する基板（１０、１４、１６）と、
外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層（２２ｃ）と、磁化の向きが固定されたピン磁性層（２２ａ）と、を有し、前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部（２２）と、を備え、
前記複数の磁気抵抗素子部（２２）には前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）に平行な面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きが異なるものが含まれており、
前記各磁気抵抗素子部（２２）が外部の磁場の影響を受けたときの前記各磁気抵抗素子部（２２）の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置であって、
前記各磁気抵抗素子部（２２）に対応して設けられ、前記ピン磁性層（２２ａ）の着磁の際に加熱されることで、前記面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部と、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部と、で異なる方向に着磁するためのヒータ部（３０）を有しており、
前記基板のうち前記ヒータ部および前記磁気抵抗素子部のうち一方に対応する部分の板厚方向の寸法は、前記基板のうち前記ヒータ部および前記磁気抵抗素子部に対応する部分以外の他の部分の板厚方向の寸法に比べて小さいことを特徴とする磁気センサ装置。
一面（１３、１５、１８）を有する基板（１０、１４、１６）と、
外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層（２２ｃ）と、磁化の向きが固定されたピン磁性層（２２ａ）と、を有し、前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部（２２）と、を備え、
前記複数の磁気抵抗素子部（２２）には前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）に平行な面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きが異なるものが含まれており、
前記各磁気抵抗素子部（２２）が外部の磁場の影響を受けたときの前記各磁気抵抗素子部（２２）の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置であって、
前記各磁気抵抗素子部（２２）に対応して設けられ、前記ピン磁性層（２２ａ）の着磁の際に加熱されることで、前記面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部と、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部と、で異なる方向に着磁するためのヒータ部（３０）を有しており、
前記ヒータ部および前記磁気抵抗素子部は、同一平面上に形成されており、
前記ヒータ部は、前記磁気抵抗素子部を囲むように形成されていることを特徴とする磁気センサ装置。
一面（１３、１５、１８）を有する基板（１０、１４、１６）と、
外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層（２２ｃ）と、磁化の向きが固定されたピン磁性層（２２ａ）と、を有し、前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部（２２）と、を備え、
前記複数の磁気抵抗素子部（２２）には前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）に平行な面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きが異なるものが含まれており、
前記各磁気抵抗素子部（２２）が外部の磁場の影響を受けたときの前記各磁気抵抗素子部（２２）の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置であって、
前記各磁気抵抗素子部（２２）に対応して設けられ、前記ピン磁性層（２２ａ）の着磁の際に加熱されることで、前記面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部と、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部と、で異なる方向に着磁するためのヒータ部（３０）を有しており、
前記基板（１０、１４、１６）は、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に対応するヒータ部（３０）と、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に対応するヒータ部（３０）と、の間にトレンチ（７０）を有していることを特徴とする磁気センサ装置。
一面（１３、１５、１８）を有する基板（１０、１４、１６）と、
外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層（２２ｃ）と、磁化の向きが固定されたピン磁性層（２２ａ）と、を有し、前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部（２２）と、を備え、
前記複数の磁気抵抗素子部（２２）には前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）に平行な面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きが異なるものが含まれており、
前記各磁気抵抗素子部（２２）が外部の磁場の影響を受けたときの前記各磁気抵抗素子部（２２）の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置であって、
前記各磁気抵抗素子部（２２）に対応して設けられ、前記ピン磁性層（２２ａ）の着磁の際に加熱されることで、前記面方向において前記ピン磁性層（２２ａ）の磁化の向きを、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部と、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部と、で異なる方向に着磁するためのヒータ部（３０）を有しており、
前記ヒータ部は、前記基板に形成されており、
前記ヒータ部は、前記磁気抵抗素子部よりも小さいものであり、
１つの前記磁気抵抗素子部に対して、複数の前記ヒータ部が設けられていることを特徴とする磁気センサ装置。
前記ヒータ部は、前記基板に形成されていることを特徴とする請求項２２、２３、２５のいずれか１つに記載の磁気センサ装置。
前記ヒータ部（３０）の上方に前記各磁気抵抗素子部（２２）がそれぞれ位置するように、前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）の上方に前記各磁気抵抗素子部（２２）が形成されていることを特徴とする請求項２１、２２、２３、２５、２６のいずれか１つに記載の磁気センサ装置。
前記基板（１０、１４、１６）は、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部に対応するヒータ部（３０）と、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部に対応するヒータ部（３０）と、の間にトレンチ（７０）を有していることを特徴とする請求項２２または２３に記載の磁気センサ装置。
前記トレンチ（７０）は、前記ヒータ部（３０）を囲むように前記基板（１０、１４、１６）に形成されていることを特徴とする請求項２５または２９に記載の磁気センサ装置。
前記トレンチ（７０）は、絶縁体（７１）が埋め込まれていることを特徴とする請求項２５、２９、３０のいずれか１つに記載の磁気センサ装置。
前記ヒータ部（３０）は、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）のうちの一部で共通になっており、前記複数の磁気抵抗素子部（２２）の一部とは異なる一部で共通になっていることを特徴とする請求項２２、２３、２５、２７、２９ないし３１のいずれか１つに記載の磁気センサ装置。
前記基板（１０、１４、１６）の一面（１３、１５、１８）における前記ヒータ部（３０）の面積が前記磁気抵抗素子部（２２）よりも大きいことを特徴とする請求項２２、２３、２５、２７、２９ないし３２のいずれか１つに記載の磁気センサ装置。
前記複数のヒータ部は、前記面方向に分散して配置されていることを特徴とする請求項２６に記載の磁気センサ装置。
前記ヒータ部は、前記磁気抵抗素子部毎に前記磁気抵抗素子部の上側に形成されていることを特徴とする請求項２２または２３に記載の磁気センサ装置。
前記ヒータ部の温度を検出するための温度検知部（９０ａ、９０ｂ）が前記ヒータ部毎に設けられていることを特徴とする請求項２１、２３ないし２６、３０、３１、３４のうちいずれか１つに記載の磁気センサ装置。
前記温度検知部が前記ヒータ部に対して前記面方向に形成されていることを特徴とする請求項２２または３６に記載の磁気センサ装置。
前記基板のうち前記ヒータ部および前記磁気抵抗素子部のうち一方に対応する部分の板厚方向の寸法は、前記基板のうち前記ヒータ部および前記磁気抵抗素子部に対応する部分以外の他の部分の板厚方向の寸法に比べて小さいことを特徴とする請求項２１、２２、２４ないし２６、３４のいずれか１つに記載の磁気センサ装置。
前記基板（１０、１４、１６）は、前記各磁気抵抗素子部（２２）の出力に基づいて前記物理量を演算する回路部（６０）を有していることを特徴とする請求項２１ないし３８のいずれか１つに記載の磁気センサ装置。
前記ヒータ部（３０）は、ポリシリコン、単結晶シリコン、白金、ニッケルクロム、窒化タンタル、炭化シリコン、タングステンのいずれかの材料で形成されていることを特徴とする請求項２１ないし３９のいずれか１つに記載の磁気センサ装置。