JP2022097506A - 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2018年3月14日に日本国に出願された特願2018-47159号及び2018年4月27日に日本国に出願された特願2018-87711号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
これに対して、本実施形態では、被処理ウェハWの内部に改質層Mを形成することで、当該改質層MとクラックCを基点に周縁部Weを除去することができる。かかる場合、支持ウェハSの接合面Sjが研削等によるダメージを被ることがない。
これに対して、本実施形態では、被処理ウェハWの内部に形成した改質層MとクラックCを基点に周縁部Weを剥離させて除去するので、パーティクルが発生しない。したがって、特に図8に示した変形例のように、接合前の被処理ウェハWに処理を行う場合でも、非加工面Wnのデバイスが汚染されることがない。
これに対して、本実施形態では、レーザを用いて被処理ウェハWの内部に改質層Mを形成するので、例えば1μm未満の高い精度を確保できる。このため、改質層Mを基点として除去される周縁部Weの幅(トリム幅)の精度も向上する。
これに対して、本実施形態では、高周波のレーザを用いて被処理ウェハWの内部に改質層Mを形成するので、チャック100の回転速度を速くすることができ、極めて短時間で処理を行うことができる。したがって、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
これに対して、本実施形態では、レーザヘッド103自体が経時的に劣化することはなく、メンテナンス頻度を低減することができる。また、レーザを用いたドライプロセスであるため、研削水や廃水処理が不要となる。このため、ランニングコストを低廉化することができる。
これに対して、本実施形態では、例えば改質層形成装置31において、被処理ウェハWとレーザ光を相対的に動作制御することにより、改質層Mをノッチの形状に合わせて形成することができ、ノッチの形状を残したまま、周縁部Weを容易に除去することもできる。
これに対して、本実施形態では、第2の被処理ウェハW2の内部に改質層Mを形成することで、当該改質層MとクラックCを基点に周縁部Weを容易に除去することができる。
これに対して、本実施形態では、レーザを用いて第2の被処理ウェハW2の内部に改質層Mを形成するので、高い精度を確保することができ、被処理ウェハWを適切に積層することができる。
2 搬入出ステーション
3 処理ステーション
22 ウェハ搬送装置
30 接合装置
31 改質層形成装置
32 加工装置
40 制御装置
100 チャック
101 移動機構
102 回転機構
103 レーザヘッド
104 移動機構
105 昇降機構
200 基板処理システム
210 周縁除去装置
300、310 界面処理装置
320、330 処理装置
400 基板処理システム
401 搬入出ステーション
402 処理ステーション
450 加工装置
480 処理ユニット
510 粗研削ユニット
520 中研削ユニット
530 仕上研削ユニット
C クラック
D デバイス層
Fw、Fs 酸化膜
M 改質層
M’ 径方向改質層
M” 分割改質層
R1、R2 改質溝
R3、R4、R5 改質面
S 支持ウェハ
T 重合ウェハ
W(W1、W2) 被処理ウェハ
Wc 中央部
We 周縁部
Claims (9)
- 第1の基板と第2の基板が接合された重合基板を処理する基板処理システムであって、
前記第1の基板における除去対象の周縁部において、前記第1の基板と前記第2の基板とが接合される界面に所望の処理を行う界面処理装置と、
前記周縁部と中央部との境界に沿って当該第1の基板の内部に改質層を形成する改質層形成装置と、
前記改質層を基点に前記周縁部を除去する周縁除去装置と、
前記界面処理装置、前記改質層形成装置、及び前記周縁除去装置の間で前記重合基板を搬送する搬送装置と、を有する。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記界面処理装置が行う前記所望の処理は、前記第1の基板と前記第2の基板との接合力を低下させる処理である。 - 請求項1又は2に記載の基板処理システムにおいて、
前記搬送装置は、前記界面処理装置、前記改質層形成装置、及び前記周縁除去装置の順番で前記重合基板を搬送する。 - 請求項1~3のいずれか一項に記載の基板処理システムにおいて、
前記界面処理装置は、前記第1の基板と前記第2の基板とが接合される前記界面にレーザ光を照射し当該界面を改質する。 - 基板を処理する基板処理方法であって、
第1の基板と第2の基板が接合された重合基板を準備する工程と、
前記第1の基板における除去対象の周縁部において、前記第1の基板と前記第2の基板とが接合される界面に所望の処理を行う界面処理工程と、
前記界面処理工程の後、前記周縁部と中央部との境界に沿って当該第1の基板の内部に改質層を形成する改質層形成工程と、
前記改質層形成工程の後、前記改質層を基点に前記周縁部を除去する周縁除去工程と、を有する。 - 請求項5に記載の基板処理方法において、
前記界面処理工程における前記所望の処理は、前記第1の基板と前記第2の基板との接合力を低下させる処理である。 - 請求項5又は6に記載の基板処理方法において、
前記界面処理工程は、界面処理装置で行われ、
前記改質層形成工程は、改質層形成装置で行われ、
前記周縁除去工程は、周縁除去装置で行われ、
前記界面処理装置、前記改質層形成装置、及び前記周縁除去装置の順番で前記重合基板を搬送する。 - 請求項5~7のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記界面処理工程において、前記第1の基板と前記第2の基板とが接合される前記界面にレーザ光を照射し当該界面を改質する。 - 基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記基板処理方法は、
第1の基板と第2の基板が接合された重合基板を準備する工程と、
前記第1の基板における除去対象の周縁部において、前記第1の基板と前記第2の基板とが接合される界面に所望の処理を行う界面処理工程と、
前記界面処理工程の後、前記周縁部と中央部との境界に沿って当該第1の基板の内部に改質層を形成する改質層形成工程と、
前記改質層形成工程の後、前記改質層を基点に前記周縁部を除去する周縁除去工程と、を有する。
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