JP2022078923A - B4フラッシュメモリのプログラミング方法 - Google Patents
B4フラッシュメモリのプログラミング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022078923A JP2022078923A JP2021016818A JP2021016818A JP2022078923A JP 2022078923 A JP2022078923 A JP 2022078923A JP 2021016818 A JP2021016818 A JP 2021016818A JP 2021016818 A JP2021016818 A JP 2021016818A JP 2022078923 A JP2022078923 A JP 2022078923A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flash memory
- substrate
- gate
- drain
- programming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 86
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 23
- 230000009471 action Effects 0.000 claims abstract description 14
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 claims description 54
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 4
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 3
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 3
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000009469 supplementation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/102—External programming circuits, e.g. EPROM programmers; In-circuit programming or reprogramming; EPROM emulators
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
- G11C16/0416—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a single floating gate transistor and no select transistor, e.g. UV EPROM
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
- G11C16/0433—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a single floating gate transistor and one or more separate select transistors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/30—Power supply circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
Description
2 ソース領域
3 ドレイン領域
4 トンネル酸化膜
5 浮遊ゲート
6 誘電酸化膜
7 制御ゲート
S1~S4 ステップ
Claims (10)
- P型チャネルフラッシュメモリデバイスを提供し、前記P型チャネルフラッシュメモリデバイスのソースをフローティングとするステップS1と、
前記P型チャネルフラッシュメモリデバイスのゲート、ドレイン及び基板にそれぞれ電圧を印加して電子正孔対を発生させ、正孔が基板に注入されて電子がドレインに蓄積され一次電子を形成するステップS2と、
前記P型チャネルフラッシュメモリデバイスのドレイン及び基板にそれぞれ電圧を印加してドレインと基板との間に電界を形成し、予め定められた時間内に、正孔は電界の作用下で下方に加速度運動し、前記P型チャネルフラッシュメモリデバイスの基板に衝突することで二次電子を発生させるステップS3と、
前記P型チャネルフラッシュメモリデバイスのゲート及び基板にそれぞれ電圧を印加し、前記二次電子が垂直方向の電界の作用下で三次電子を形成し、当該三次電子がステップS2において形成された一次電子と共に前記P型チャネルフラッシュメモリデバイスの浮遊ゲートに注入されることで、プログラミング操作が完了するステップS4と
を少なくとも含むことを特徴とするB4フラッシュメモリのプログラミング方法。 - ステップS2において、ゲート及び基板に印加する電圧は同じであることを特徴とする請求項1に記載のB4フラッシュメモリのプログラミング方法。
- ステップS2において、ゲート及び基板に印加する電圧とドレインに印加する電圧の差は10V以上であることを特徴とする請求項2に記載のB4フラッシュメモリのプログラミング方法。
- ステップS3において、基板に印加する電圧はドレインに印加する電圧よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載のB4フラッシュメモリのプログラミング方法。
- ステップS3において、基板及びドレインに印加する電圧の差は4V以上であることを特徴とする請求項4に記載のB4フラッシュメモリのプログラミング方法。
- 前記予め定められた時間は10~100nsであることを特徴とする請求項1に記載のB4フラッシュメモリのプログラミング方法。
- ステップS4において、前記P型チャネルフラッシュメモリデバイスの基板に印加する電圧はゲートに印加する電圧よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載のB4フラッシュメモリのプログラミング方法。
- ステップS1に先立ち、更に、前記P型チャネルフラッシュメモリデバイスについて事前消去を実施することで、前記浮遊ゲートの残留電荷を除去することを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載のB4フラッシュメモリのプログラミング方法。
- 前記P型チャネルフラッシュメモリデバイスのゲート及び基板にそれぞれ電圧を印加し、基板に印加する電圧はゲートに印加する電圧よりも大きいことを特徴とする請求項8に記載のB4フラッシュメモリのプログラミング方法。
- ゲート及び基板に印加する電圧の差は10V以上であることを特徴とする請求項9に記載のB4フラッシュメモリのプログラミング方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011269500.7 | 2020-11-13 | ||
CN202011269500.7A CN112382327B (zh) | 2020-11-13 | 2020-11-13 | B4快闪存储器的编程方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6898537B1 JP6898537B1 (ja) | 2021-07-07 |
JP2022078923A true JP2022078923A (ja) | 2022-05-25 |
Family
ID=74583879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021016818A Active JP6898537B1 (ja) | 2020-11-13 | 2021-02-04 | B4フラッシュメモリのプログラミング方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11348645B1 (ja) |
JP (1) | JP6898537B1 (ja) |
KR (1) | KR102318649B1 (ja) |
CN (1) | CN112382327B (ja) |
TW (1) | TWI799918B (ja) |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5761121A (en) * | 1996-10-31 | 1998-06-02 | Programmable Microelectronics Corporation | PMOS single-poly non-volatile memory structure |
JP4090570B2 (ja) * | 1998-06-02 | 2008-05-28 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置、データ処理システム及び不揮発性メモリセルの閾値変更方法 |
US6272047B1 (en) * | 1999-12-17 | 2001-08-07 | Micron Technology, Inc. | Flash memory cell |
CN100461425C (zh) * | 2005-08-15 | 2009-02-11 | 力晶半导体股份有限公司 | P型沟道存储器的操作方法 |
JP5010192B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2012-08-29 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR100800943B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2008-02-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플래시 메모리 셀의 프로그래밍 장치 |
US8492826B2 (en) * | 2007-10-09 | 2013-07-23 | Genusion, Inc. | Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
US8106443B2 (en) * | 2007-10-09 | 2012-01-31 | Genusion, Inc. | Non-volatile semiconductor memory device |
US7787304B2 (en) * | 2007-11-01 | 2010-08-31 | Jonker Llc | Method of making integrated circuit embedded with non-volatile one-time-programmable and multiple-time programmable memory |
US7916551B2 (en) * | 2007-11-06 | 2011-03-29 | Macronix International Co., Ltd. | Method of programming cell in memory and memory apparatus utilizing the method |
US20090166705A1 (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing thereof |
US8000137B2 (en) * | 2008-03-27 | 2011-08-16 | Genusion, Inc. | Nonvolatile semiconductor memory device and usage method thereof |
TWI389321B (zh) * | 2008-07-08 | 2013-03-11 | Acer Inc | 程式化非揮發性記憶體之方法 |
US9082490B2 (en) * | 2013-06-18 | 2015-07-14 | Flashsilicon Incorporation | Ultra-low power programming method for N-channel semiconductor non-volatile memory |
CN105470258B (zh) * | 2014-06-18 | 2020-04-24 | 上海华力微电子有限公司 | SONOS B4-flash存储器 |
CN105226065B (zh) * | 2015-08-20 | 2018-05-01 | 上海华力微电子有限公司 | 一种双位sonos存储器及其编译、擦除和读取方法 |
JP6882054B2 (ja) * | 2017-05-01 | 2021-06-02 | ローム株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR102652757B1 (ko) * | 2018-11-02 | 2024-04-02 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 |
-
2020
- 2020-11-13 CN CN202011269500.7A patent/CN112382327B/zh active Active
-
2021
- 2021-02-04 JP JP2021016818A patent/JP6898537B1/ja active Active
- 2021-03-05 KR KR1020210029278A patent/KR102318649B1/ko active IP Right Grant
- 2021-07-19 TW TW110126469A patent/TWI799918B/zh active
- 2021-09-02 US US17/465,272 patent/US11348645B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220157383A1 (en) | 2022-05-19 |
TWI799918B (zh) | 2023-04-21 |
CN112382327B (zh) | 2021-07-23 |
CN112382327A (zh) | 2021-02-19 |
JP6898537B1 (ja) | 2021-07-07 |
TW202219959A (zh) | 2022-05-16 |
KR102318649B1 (ko) | 2021-10-28 |
US11348645B1 (en) | 2022-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Aaron et al. | Flash memory: towards single-electronics | |
CN102024494A (zh) | 绿色晶体管、电阻随机存储器及其驱动方法 | |
JP2009027168A (ja) | 非揮発性メモリのための高効率ホットキャリア注入プログラミングの方法及び構造 | |
US10943517B2 (en) | Shift register, method for driving the same, gate drive circuit and display device | |
US8218369B2 (en) | Non-volatile memory low voltage and high speed erasure method | |
KR100418718B1 (ko) | 플래쉬 메모리 셀의 소거 방법 | |
JP6898537B1 (ja) | B4フラッシュメモリのプログラミング方法 | |
WO2008122919A1 (en) | A memory cell, a memory array and a method of programming a memory cell | |
US20160284395A1 (en) | 2-bit flash memory device and programming, erasing and reading methods thereof | |
JP6838192B1 (ja) | フラッシュメモリのプログラミング方法 | |
WO2023012893A1 (ja) | 半導体素子を用いたメモリ装置 | |
Song et al. | Program/erase speed, endurance, retention, and disturbance characteristics of single-poly embedded flash cells | |
US9928891B2 (en) | Nonvolatile variable resistance memory circuit which includes magnetic tunnel junction element | |
CN113921065B (zh) | 存储器的编程方法 | |
US20070267677A1 (en) | Single poly non-volatile memory device with inversion diffusion regions and methods for operating the same | |
Han et al. | A novel bi-stable 1-transistor SRAM for high density embedded applications | |
Sagario et al. | Design of single poly flash memory cell with power reduction technique at program mode in 65nm CMOS process | |
US11875857B2 (en) | Method for programming memory | |
Kim et al. | A 1T-DRAM cell based on a tunnel field-effect transistor with highly-scalable pillar and surrounding gate structure | |
KR102274846B1 (ko) | 3d nand 플래시 메모리 프로그래밍 방법 | |
TWI708397B (zh) | 非揮發式記憶體及其操作方法 | |
CN113921065A (zh) | 存储器的编程方法 | |
JP2022068081A (ja) | チャージ・トラップ型フラッシュメモリのプログラミング方法 | |
Makwana et al. | Nonvolatile floating-gate memory programming enhancement using well bias | |
Boubaker et al. | Study and modelling hybrid MTJ/Ring memory using SIMON Simulator |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210218 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210308 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210608 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210610 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6898537 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |