JP2022071251A - 荷電粒子線装置 - Google Patents

荷電粒子線装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2022071251A
JP2022071251A JP2020180096A JP2020180096A JP2022071251A JP 2022071251 A JP2022071251 A JP 2022071251A JP 2020180096 A JP2020180096 A JP 2020180096A JP 2020180096 A JP2020180096 A JP 2020180096A JP 2022071251 A JP2022071251 A JP 2022071251A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charged particle
particle beam
image
amount
visual field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020180096A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7381432B2 (ja
Inventor
敬一郎 人見
Keiichiro Hitomi
憲史 谷本
Norifumi Tanimoto
悠介 安部
Yusuke Abe
琢磨 山本
Takuma Yamamoto
計 酒井
Kei Sakai
聡 山口
Satoshi Yamaguchi
泰範 後藤
Yasunori Goto
秀一郎 高橋
Hideichiro Takahashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Tech Corp
Priority to JP2020180096A priority Critical patent/JP7381432B2/ja
Priority to KR1020210134638A priority patent/KR102628711B1/ko
Priority to US17/501,249 priority patent/US11626266B2/en
Publication of JP2022071251A publication Critical patent/JP2022071251A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7381432B2 publication Critical patent/JP7381432B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H01J37/1478Beam tilting means, i.e. for stereoscopy or for beam channelling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/22Optical or photographic arrangements associated with the tube
    • H01J37/222Image processing arrangements associated with the tube
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/10Lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H01J37/1472Deflecting along given lines
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/21Means for adjusting the focus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/21Focus adjustment
    • H01J2237/216Automatic focusing methods

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

【課題】荷電粒子線の離軸量が大きい場合であっても高精度な焦点合わせが可能な荷電粒子線装置を提供する。【解決手段】荷電粒子線を試料に照射することによって前記試料の観察像を生成する荷電粒子線装置であって、前記荷電粒子線を傾斜させる偏向部と、前記荷電粒子線を集束させる集束レンズと、前記観察像から算出される評価値に基づいて前記集束レンズのレンズ強度を調整する調整部と、前記荷電粒子線が前記集束レンズの中心から離軸する量である離軸量毎に、前記荷電粒子線が前記試料の上で移動する量である視野移動量と前記レンズ強度との関係を記憶する記憶部と、前記荷電粒子線の傾斜角度と前記関係に基づいて視野移動量を算出し、算出された視野移動量に基づいて前記観察像に重畳される画像フィルタを設定するフィルタ設定部を備え、前記評価値は、前記観察像に前記画像フィルタが重畳されて得られる重畳画像から算出されることを特徴とする。【選択図】図4

Description

本発明は荷電粒子線装置に係り、特に試料に照射される荷電粒子線を傾斜させながら観察する技術に関する。
荷電粒子線装置は、電子線等の荷電粒子線を試料に照射することによって、試料の微細な構造を観察するための観察像を生成する装置であり、半導体の製造工程等に用いられる。半導体の製造工程では、半導体パターンを直上からだけではなく斜めからも観察するために、荷電粒子線を傾斜させて試料に照射する場合がある。
また多くの荷電粒子線装置には、観察に係る操作を簡略化するため、荷電粒子線の焦点を自動的に合わせる機能が備えられる。例えば、観察像の先鋭度が最大化されるように、集束レンズのレンズ強度を調整することで焦点合わせがなされる。また試料に照射される電子線を傾斜させる前の観察像と後の観察像とから視野移動量を算出し、電子線の傾斜角と視野移動量から算出される焦点ずれ量に基づいて、焦点合わせがなされる。
特許文献1には、対物レンズにヒステリシスが有る場合でも良好な焦点合わせを可能にする方法が開示される。具体的には、試料に照射される電子線を傾斜させる前後の視野移動量を、対物レンズの励磁電流を変えながら三つ取得し、取得された三つの視野移動量に基づいて焦点合わせをすることが開示される。
特許第5502622号公報
しかしながら特許文献1では、傾斜させた電子線が対物レンズの中心から離軸する量である離軸量の影響に対する配慮がなされていない。視野移動量は、電子線等の荷電粒子線の離軸量に応じて大きくなるので、対物レンズの励磁電流を変えながら取得された視野移動量だけに基づく焦点合わせでは精度が低下する場合がある。
そこで本発明は、荷電粒子線の離軸量が大きい場合であっても高精度な焦点合わせが可能な荷電粒子線装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、荷電粒子線を試料に照射することによって前記試料の観察像を生成する荷電粒子線装置であって、前記荷電粒子線を傾斜させる偏向部と、前記荷電粒子線を集束させる集束レンズと、前記観察像から算出される評価値に基づいて前記集束レンズのレンズ強度を調整する調整部と、前記荷電粒子線が前記集束レンズの中心から離軸する量である離軸量毎に、前記荷電粒子線が前記試料の上で移動する量である視野移動量と前記レンズ強度との関係を記憶する記憶部と、前記荷電粒子線の傾斜角度と前記関係に基づいて視野移動量を算出し、算出された視野移動量に基づいて前記観察像に重畳される画像フィルタを設定するフィルタ設定部を備え、前記評価値は、前記観察像に前記画像フィルタが重畳されて得られる重畳画像から算出されることを特徴とする。
本発明によれば、荷電粒子線の離軸量が大きい場合であっても高精度な焦点合わせが可能な荷電粒子線装置を提供することができる。
実施例1に係わる走査電子顕微鏡の一例の概略図である。 電子線を傾斜させたときの視野の移動について説明する図である。 対物レンズの励磁電流とフォーカス評価値との関係の一例を示す図である。 実施例1に係わる処理の流れの一例を示す図である。 対物レンズの励磁電流と視野移動量との関係の一例を示す図である。 実施例1に係わる画像フィルタを設定する処理の流れの一例を示す図である。 実施例1に係わる画像フィルタについて説明する図である。 実施例2に係わる画像フィルタを設定する処理の流れの一例を示す図である。 実施例2に係わる画像フィルタについて説明する図である。
以下、図面を参照して、本発明の荷電粒子線装置の実施例について説明する。荷電粒子線装置は、荷電粒子線を試料に照射することによって、試料を観察するための観察像を生成する装置である。以下では、荷電粒子線装置の一例として、電子線で試料を走査することにより観察像を生成する走査電子顕微鏡(SEM;Scanning Electron Microscope)について説明する。
図1を用いて本実施例の走査電子顕微鏡の全体構成について説明する。図1中の鉛直方向をZ方向、水平方向をX方向及びY方向とする。走査電子顕微鏡は、電子線源101、対物レンズ103、偏向器104、可動ステージ106、検出器112、画像生成部115、入出力部116、記憶部117、制御部119を備える。以下、各部について説明する。
電子線源101は、所定の加速電圧によって加速された一次電子線102を試料105に照射する線源である。
対物レンズ103は一次電子線102を試料105の表面で集束させるための集束レンズである。多くの場合、対物レンズ103にはコイルと磁極とを有する磁極レンズが用いられる。
偏向器104は、一次電子線102を偏向させる磁界や電界を発生させるコイルや電極である。一次電子線102を偏向させることにより、試料105の表面を一次電子線102で走査したり、試料に入射する一次電子線102の傾斜角度を変更したりする。なお、電子線源101と対物レンズ103の中心とを結ぶ直線は光軸121と呼ばれ、偏向器104によって偏向されない一次電子線102は光軸121に沿って試料105へ照射される。
可動ステージ106は、試料105を保持するとともに、X方向及びY方向に試料105を移動させる。
検出器112は、一次電子線102が照射される試料105から放出される二次電子108を検出する検出器である。検出器112には、シンチレータ・ライトガイド・光電子増倍管で構成されるE-T検出器や半導体検出器が用いられる。検出器112から出力される検出信号は制御部119を介して画像生成部115へ送信される。
画像生成部115は、検出器112から出力される検出信号に基づいて観察像を生成する演算器であり、例えば、MPU(Micro Processing Unit)やGPU(Graphics Processing Unit)等である。画像生成部115は、生成された観察像に対して様々な画像処理を施しても良い。
入出力部116は、試料105を観察するための条件である観察条件が入力されたり、画像生成部115によって生成される画像が表示されたりする装置であり、例えばキーボードやマウス、タッチパネル、液晶ディスプレイ等である。
記憶部117は、各種データやプログラムが記憶される装置であり、例えばHDD(Hard Disk Drive)やSSD(Solid State Drive)等である。記憶部117には、制御部119等によって実行されるプログラムや入出力部116から入力される観察条件、画像生成部115によって生成される画像等が記憶される。
制御部119は、各部を制御するとともに、各部で生成されるデータを処理したり送信したりする演算器であり、例えばCPU(Central Processing Unit)やMPU等である。
図2を用いて、一次電子線102を傾斜させたときの視野の移動について説明する。偏向器104によって傾斜させられた一次電子線102は、対物レンズ103の中心を通過せず光軸121から離軸して試料105へ到達する。そのため、対物レンズ103のレンズ強度、すなわち対物レンズ磁場201の強度が変わると、一次電子線102のビーム径が変わるだけでなく、試料105へ到達する位置、すなわち視野位置も変わる。図2には、異なるレンズ強度によって集束される一次電子線102の例として、ジャストフォーカスのときの視野位置203とともに、オーバーフォーカスのときの視野位置202とアンダーフォーカスのときの視野位置204が示される。自動的に焦点を合わせるオートフォーカス機能は、観察像から求められる評価値を用いるため、一次電子線102の離軸にともなう視野移動は焦点合わせに悪影響を与える。
図3を用いて、一次電子線102が離軸しているときの対物レンズ103の励磁電流とフォーカス評価値との関係について説明する。図3には、横軸が対物レンズ103の励磁電流、すなわちレンズ強度、縦軸が観察像の先鋭度を示すフォーカス評価値であるグラフとともに、対物レンズ103の励磁電流に応じた観察像が例示される。なお図3に例示される観察像は、複数の円環形状の突出部を有する試料を撮影したものである。またフォーカス評価値は、観察像から算出される空間的な微分画像の全ての画素値を平均することによって求められる。焦点が合うと突出部のエッジが明瞭になるため、観察像の先鋭度を示すフォーカス評価値は向上する。
ところが一次電子線102の離軸にともなう視野移動が生じた場合には、フォーカス評価値が適切に算出されない場合がある。図3において、第一画像301はぼけているので評価値が低く、第二画像302は焦点が合い評価値が向上している。これらに対し、第三画像303はぼけているものの、視野移動によってフォーカス対象以外のエッジの数が多くなったために高い評価値となり、適切な焦点合わせにならない。なお視野移動の量は、一次電子線102が対物レンズ103の中心から離軸する量である離軸量が傾斜角度に応じて大きくなるほど増加する。そこで実施例1では、荷電粒子線である一次電子線102の離軸量が大きい場合であっても、高精度な焦点合わせができるようにする。
図4を用いて、実施例1の処理の流れの一例についてステップ毎に説明する。
(S401)
制御部119は、観察条件から一次電子線102の傾斜角度を取得する。なお観察条件は、操作者によって入出力部116から入力されたり、記憶部117に予め記憶された複数の観察条件の中から選択された条件が読み出されたりする。
(S402)
制御部119は、S401で所得された傾斜角度に基づいて、レンズ強度の変化量に対する視野移動量の変化量を取得する。例えば、記憶部117に予め記憶されたレンズ強度と視野移動量の関係が読み出される。
図5を用いて、レンズ強度と視野移動量の関係の一例について説明する。図5のグラフは、横軸が対物レンズ103のレンズ強度に相当する励磁電流、縦軸が視野移動量である。図5に例示されるグラフは、レンズ強度と離軸量を変化させながら撮影される既知の形状を有する試料の観察像から視野移動量を計測することによって作成され、記憶部117に予め記憶される。レンズ強度の変化量に対する視野移動量の変化量である、図5のグラフの直線の傾きは、一次電子線102の傾斜角によって定められる離軸量が大きいほど大きくなる。すなわち、図5に例示されるように、オートフォーカスによるレンズ強度のふり幅が同じであっても、離軸量が小さいときの視野移動量の幅Δに比べて、離軸量が大きいときの視野移動量の幅Δは大きい。
なお図5に例示されるグラフを作成するための撮影には、視野移動の方向を特定しやすい形状、例えば円環形状や十字形状の突起部を有する試料が望ましい。また突起部の数が単数であれば突起部の移動を確認しやすいので視野移動量を計測しやすく、複数であれば突起部を視野にとらえやすいので撮影時間を短縮できる。
(S403)
制御部119は、S402で取得される関係を用いて、レンズ強度に対する視野移動量を算出する。すなわち、図5に例示される関係と、オートフォーカスによって調整されるレンズ強度、一次電子線102の傾斜角度によって定められる離軸量に基づいて、視野移動量が算出される。
(S404)
制御部119は、S403で算出される視野移動量に基づいて、観察像に重畳される画像フィルタを設定する。観察像に画像フィルタを重畳することにより、視野移動量の影響が低減され、フォーカス評価値が適切に算出される。
図6を用いて、実施例1に係わる画像フィルタを設定する処理の流れの一例について説明する。
(S601)
制御部119は、視野移動量を取得する。
(S602)
制御部119は、S601で取得された視野移動量に基づいて、観察像に重畳される画像フィルタの位置を移動させる。画像フィルタは、観察像の中心において最大値1を示し、中心を通る線を対称軸とする対称形状を有する関数、例えば矩形関数やガウシアン関数等である。なお画像フィルタの幅、すなわち矩形関数の幅やガウシアン関数の半値幅は任意の値で良い。
画像フィルタの位置は視野移動量と同量を移動させられる。なお画像フィルタが移動することによって観察像の領域からはみ出す場合は、はみ出さないように画像フィルタの幅が狭められることが好ましい。例えば観察像の一辺の長さがA、視野移動量がΔ、画像フィルタが幅wを有する矩形関数である場合、Δ>(A-w)/2であるとき、画像フィルタがΔ移動することによって観察像の領域からはみ出すので、矩形関数の幅はA-2Δとされる。
図7を用いて、実施例1の画像フィルタの一例について説明する。図7には、離軸がない場合と、離軸が小さい場合、離軸が大きい場合のそれぞれにおいて、アンダーフォーカスと、ジャストフォーカス、オーバーフォーカスで得られる観察像が示される。また各観察像には、矩形関数の画像フィルタに対応する評価エリアが示される。
離軸がない場合、フォーカスが変化しても視野は移動しないため、画像フィルタに対応する評価エリアも移動しない。これに対して離軸がある場合、フォーカスが変化するにしたがって視野は移動するので、評価エリアも移動する。なお離軸が小さい場合に比べて離軸が大きい場合は、視野移動量がより大きくなるので、評価エリアの移動量も大きくなる。また移動によって評価エリアが観察像からはみ出すので、視野移動量に応じて評価エリアは狭められる。すなわち、離軸が小さい場合に比べて離軸が大きい場合は、評価エリアがより小さくなる。
図4の説明に戻る。
(S405)
制御部119または画像生成部115は、S404で設定された画像フィルタを観察像に重畳し、重畳画像を生成する。例えば図7に例示される各観察像に対して、矩形関数の画像フィルタが重畳されると、評価エリアの中の各画素値が抽出されて重畳画像が生成される。
(S406)
制御部119は、S405で生成された重畳画像を用いてフォーカス評価値を算出する。例えば、重畳画像の微分画像が生成され、生成された微分画像の全画素値の平均値がフォーカス評価値として算出される。図7に示されるように、フォーカスさせたい対象
(S407)
制御部119は、S406で算出されたフォーカス評価値が予め定められた閾値以上であるか否かを判定する。閾値は焦点が合っていることを判定する基準値である。フォーカス評価値が閾値以上であれば処理の流れは終了となり、閾値未満であればS408を介してS403に処理が戻される。
(S408)
制御部119は、レンズ強度を変更する。S407においてフォーカス評価値が閾値以上となるまでS408からS406までの処理が繰り返される。すなわち、焦点が合うまでレンズ強度が自動的に調整され、高精度に焦点が合わせられる。
以上説明した処理の流れによって、荷電粒子線である一次電子線102が傾斜して対物レンズ103の中心から離軸することによって視野移動が生じる場合であっても、適切に焦点が合わせられる。すなわち、一次電子線102の離軸量が大きい場合であっても、離軸によって生じる視野移動の影響を低減する画像フィルタが観察像に重畳されて生成された重畳画像を用いてフォーカス評価値が算出されるので、高精度な焦点合わせが可能になる。
実施例1では、視野移動量に基づいて位置を移動させた画像フィルタを用いてフォーカス評価値を算出することについて説明した。フォーカス評価値の算出に用いられる画像フィルタは位置を移動させたものに限られない。実施例2では、視野移動量に基づいてサイズを変更された画像フィルタについて説明する。なお実施例2には、実施例1で説明した構成や機能の一部を適用できるので、同様の構成、機能については同じ符号を用いて説明を省略する。すなわち、実施例2の処理の流れは実施例1と略同じであり、S404の画像フィルタ設定処理のみが異なるので、S404について説明する。
図8を用いて、実施例2に係わる画像フィルタを設定する処理の流れの一例について説明する。
(S801)
制御部119は、視野移動量を取得する。
(S802)
制御部119は、S801で取得された視野移動量に基づいて、観察像に重畳される画像フィルタのサイズを変更する。画像フィルタは、観察像の中心において最大値1を示し、中心を通る線を対称軸とする対称形状を有する関数、例えば台形形状に近似された関数やガウシアン関数等である。なお画像フィルタの位置は観察像の中心に固定される。画像フィルタのサイズ、すなわち画像フィルタの半値幅等は視野移動量が大きくなるほど狭められる。
図9を用いて、実施例2の画像フィルタの一例について説明する。図9には、離軸がない場合と、離軸が大きい場合のそれぞれにおいて、アンダーフォーカスと、ジャストフォーカス、オーバーフォーカスで得られる観察像とともに、画像フィルタである窓関数が例示される。
離軸がない場合、フォーカスが変化しても視野は移動しないため、画像フィルタのサイズは大きいままである。一方、離軸がある場合、フォーカスの変化にしたがって視野は移動し、矢印が付けられたエッジが観察像に含まれるようになる。図2において説明したように、フォーカス対象以外のエッジの数が多くなると適切な焦点合わせにならないため、実施例2では観察像の中央部以外の画素値がフォーカス値の算出に用いられないように画像フィルタのサイズが狭められる。
以上説明した処理の流れによって、視野移動量に基づいて画像フィルタのサイズが変更される。サイズが変更された画像フィルタはS405にて重畳画像の生成に用いられる。また、S405で生成された重畳画像はS406にてフォーカス評価値の算出に用いられる。その結果、フォーカス評価が適切に算出されるので、高精度な焦点合わせが可能になる。
以上、本発明の複数の実施例について説明した。本発明は上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施例に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせても良い。さらに、上記実施例に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除しても良い。
101:電子線源、102:一次電子線、103:対物レンズ、104:偏向器、105:試料、106:可動ステージ、108:二次電子、112:検出器、115:画像生成部、116:入出力部、117:記憶部、119:制御部、121:光軸、201:対物レンズ磁場、202:オーバーフォーカスのときの視野位置、203:ジャストフォーカスのときの視野位置、204:アンダーフォーカスのときの視野位置、301:第一画像、302:第二画像、303:第三画像

Claims (7)

  1. 荷電粒子線を試料に照射することによって前記試料の観察像を生成する荷電粒子線装置であって、
    前記荷電粒子線を傾斜させる偏向部と、
    前記荷電粒子線を集束させる集束レンズと、
    前記観察像から算出される評価値に基づいて前記集束レンズのレンズ強度を調整する調整部と、
    前記荷電粒子線が前記集束レンズの中心から離軸する量である離軸量毎に、前記荷電粒子線が前記試料の上で移動する量である視野移動量と前記レンズ強度との関係を記憶する記憶部と、
    前記荷電粒子線の傾斜角度と前記関係に基づいて視野移動量を算出し、算出された視野移動量に基づいて前記観察像に重畳される画像フィルタを設定するフィルタ設定部を備え、
    前記評価値は、前記観察像に前記画像フィルタが重畳されて得られる重畳画像から算出されることを特徴とする荷電粒子線装置。
  2. 請求項1に記載の荷電粒子線装置であって、
    前記フィルタ設定部は、前記視野移動量に基づいて前記画像フィルタの位置を設定することを特徴とする荷電粒子線装置。
  3. 請求項2に記載の荷電粒子線装置であって、
    前記フィルタ設定部は、前記画像フィルタが前記観察像の領域からはみ出す場合には、前記画像フィルタの幅を狭めることを特徴とする荷電粒子線装置。
  4. 請求項3に記載の荷電粒子線装置であって、
    前記フィルタ設定部は、前記画像フィルタが矩形関数、前記観察像の一辺の長さがA、前記視野移動量がΔであるとき、前記画像フィルタの幅をA-2Δにすることを特徴とする荷電粒子線装置。
  5. 請求項1に記載の荷電粒子線装置であって、
    前記フィルタ設定部は、前記視野移動量に基づいて前記画像フィルタのサイズを設定することを特徴とする荷電粒子線装置。
  6. 請求項1に記載の荷電粒子線装置であって、
    前記関係は、レンズ強度と離軸量を変化させながら撮影される、既知の形状を有する試料である既知試料の観察像から視野移動量を計測することによって作成されることを特徴とする荷電粒子線装置。
  7. 請求項6に記載の荷電粒子線装置であって、
    前記既知試料は、円環形状又は十字形状の突起部を有することを特徴とする荷電粒子線装置。
JP2020180096A 2020-10-28 2020-10-28 荷電粒子線装置 Active JP7381432B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020180096A JP7381432B2 (ja) 2020-10-28 2020-10-28 荷電粒子線装置
KR1020210134638A KR102628711B1 (ko) 2020-10-28 2021-10-12 하전 입자선 장치
US17/501,249 US11626266B2 (en) 2020-10-28 2021-10-14 Charged particle beam device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020180096A JP7381432B2 (ja) 2020-10-28 2020-10-28 荷電粒子線装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022071251A true JP2022071251A (ja) 2022-05-16
JP7381432B2 JP7381432B2 (ja) 2023-11-15

Family

ID=81256727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020180096A Active JP7381432B2 (ja) 2020-10-28 2020-10-28 荷電粒子線装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11626266B2 (ja)
JP (1) JP7381432B2 (ja)
KR (1) KR102628711B1 (ja)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS593917Y2 (ja) 1978-06-21 1984-02-03 日立精工株式会社 クロスワイヤを用いた位置決め装置
JP2001110347A (ja) 1999-10-07 2001-04-20 Jeol Ltd 荷電粒子線装置における自動焦点合わせ方法
US7435956B2 (en) * 2004-09-10 2008-10-14 Multibeam Systems, Inc. Apparatus and method for inspection and testing of flat panel display substrates
JP4310250B2 (ja) 2004-08-30 2009-08-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線調整方法及び荷電粒子線装置
JP5502622B2 (ja) 2010-07-06 2014-05-28 日本電子株式会社 電子顕微鏡における焦点合わせ方法および電子顕微鏡
JP5218683B2 (ja) 2012-03-05 2013-06-26 株式会社日立製作所 荷電粒子線装置
JP2012169636A (ja) 2012-03-19 2012-09-06 Hitachi High-Technologies Corp 回路パターン検査装置及び方法
JP6554288B2 (ja) * 2015-01-26 2019-07-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
US11056310B2 (en) 2017-01-12 2021-07-06 Hitachi High-Tech Corporation Charged-particle beam device
EP3659172A1 (en) 2017-07-28 2020-06-03 ASML Netherlands B.V. Systems and methods for compensating dispersion of a beam separator in a multi-beam apparatus
JP7199290B2 (ja) 2019-04-08 2023-01-05 株式会社日立ハイテク パターン断面形状推定システム、およびプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
JP7381432B2 (ja) 2023-11-15
US11626266B2 (en) 2023-04-11
US20220130638A1 (en) 2022-04-28
KR20220056792A (ko) 2022-05-06
KR102628711B1 (ko) 2024-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4383950B2 (ja) 荷電粒子線調整方法、及び荷電粒子線装置
JP5103532B2 (ja) 収差補正器を備えた荷電粒子線装置
JP5819054B2 (ja) Sacp法およびsacp法を行うための粒子光学系
JP4606969B2 (ja) 写像投影型電子線式検査装置及びその方法
JP5364112B2 (ja) 荷電粒子線装置
JP6242745B2 (ja) 荷電粒子線装置及び当該装置を用いる検査方法
JP3932894B2 (ja) 電子線装置
WO2015050201A1 (ja) 荷電粒子線の傾斜補正方法および荷電粒子線装置
JP6620170B2 (ja) 荷電粒子線装置およびその光軸調整方法
JP2007141632A (ja) 荷電粒子線装置
JP6340216B2 (ja) 走査電子顕微鏡
JPWO2017168482A1 (ja) 荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置の調整方法
JP2008181786A (ja) 荷電粒子線装置
JP2020149767A (ja) 荷電粒子線装置
JP5663591B2 (ja) 走査電子顕微鏡
JP2000048756A (ja) 荷電粒子ビーム光学系の調整を行う方法およびその装置
JP7381432B2 (ja) 荷電粒子線装置
JP2005005055A (ja) 試料の高さ情報取得方法
JP6163063B2 (ja) 走査透過電子顕微鏡及びその収差測定方法
JP4431624B2 (ja) 荷電粒子線調整方法、及び荷電粒子線装置
JP6959969B2 (ja) 荷電粒子線装置
JP5228463B2 (ja) 電子線装置、電子線形状測定方法及び画像処理方法
JP5389124B2 (ja) 走査荷電粒子線装置
JP2019169362A (ja) 電子ビーム装置
JP2010016007A (ja) 荷電粒子線調整方法及び荷電粒子線装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230207

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20231025

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231031

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231102

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7381432

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150