JP2022056364A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

Figure 2022056364000001
【課題】ＬＥＤ素子と駆動素子の接触不良を改善できる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、Ｘ軸方向に対する横長さ及びＹ軸方向に対する縦長さを有する発光ダイオード（ＬＥＤ）素子、ＬＥＤと連結された駆動素子、及びＬＥＤ素子の上部または下部に重畳して位置した反射機能層を含む。反射機能層は、ＬＥＤ素子と重畳された中心領域、ＬＥＤ素子の横長さまたは縦長さより小さなスケールを含む外郭領域、及び中心領域と外郭領域との間の周辺領域を含む。これによって、ＬＥＤ素子が基板上に取り付けられた位置及び誤整列の程度を確認する。
【選択図】図１

Description

本明細書は、表示装置に関し、より詳細には、発光ダイオード（ＬＥＤ；Ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）を利用した表示装置に関する。
液晶表示装置と有機発光表示装置は、高解像度の画面を提供でき、軽量薄型が可能であるという長所により、日常的な電子機器、例えば、携帯電話、ノートパソコン等の画面に多く適用されている。その結果、適用範囲は次第にしされている。
ただし、液晶表示装置と有機発光表示装置は、表示装置で映像が表示されない領域であってユーザに視認されるベゼル（ｂｅｚｅｌ）領域の大きさを減少させることには制限がある場合がある。例えば、液晶表示装置の場合、液晶を密封し、上部基板と下部基板を合着するためにシーラント（ｓｅａｌａｎｔ）が使用されなければならないので、ベゼル領域の大きさを減少させることに制限がある場合がある。また、有機発光表示装置の場合、有機発光素子が有機物質からなり、水分または酸素に非常に脆弱で有機発光素子を保護するための封止部が配置されなければならないので、ベゼル領域の大きさを減少させることに制限がある場合がある。そこで、複数個の液晶表示パネルまたは複数個の有機発光表示パネルをタイル状に配置して超大型画面を具現する場合、互いに隣接するパネル間のベゼル領域がユーザに容易に視認される問題がある。
これに対する代案として小型ＬＥＤを発光素子に使用する表示装置が研究されている。ＬＥＤは、有機物質でない無機物質からなるので、信頼性に優れて液晶表示装置や有機発光表示装置に比して寿命が長い。また、ＬＥＤは、点灯速度が速いだけではなく、発光効率がよく、耐衝撃性が強くて安定性に優れ、高輝度の映像を表示できるため、超大型画面に適用されるのに適した素子である。
このような小型ＬＥＤを含む表示装置に対する様々な方面の探索が進行しており、一部では製造工程で発生可能な不良を減少させるための表示装置の研究が盛んになされている。
特開２０１８－１０１７８５号公報
小型ＬＥＤを利用した表示装置において、複数の発光ダイオードは、成長基板で形成される。そして、成長基板と別途の基板に発光ダイオードを駆動させるための駆動素子が形成される。駆動素子が形成された基板をＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板とするとき、複数の発光ダイオードを成長基板から分離してＴＦＴ基板に移して駆動素子と連結させる過程が必要となる。これを転写工程と呼ぶことができ、小型ＬＥＤを利用した表示装置を具現するためには、転写工程が必須な工程に該当する。
転写工程で一般的に発生する問題は、発光ダイオードの位置が誤整列され得ることである。発光ダイオードを転写する時は、複数個を一度に転写することとなり、転写する過程を数回経た後に表示パネルを具現できる。仮に、装備のセッティング値が誤っていた場合、誤整列された発光ダイオードが表示パネルに配置され、発光ダイオードと駆動素子を電気的に連結させる工程を終えて点灯して検査するとき、暗点で表示される画素を見つけることで発光ダイオードの誤整列を検出できる。暗点で表示される画素を観察したとき、発光ダイオードの外観状態には異常がないが、数μｍのアライン（ａｌｉｇｎ）差で点灯されないということが分かる。従って、発光ダイオードをＴＦＴ基板に転写する過程中に発光ダイオードの誤整列を検出し、不良を早期に見つけて、工程時間を減らし、不良率を下げる必要がある。
本明細書の実施例に係る解決課題は、発光ダイオードの転写過程で発生し得る発光ダイオードの誤整列を早期に検出できる表示装置を提供することである。
本明細書の課題は、以上において言及した課題に制限されず、言及されていない他の課題は、下記の記載から当業者に明確に理解され得るだろう。
本明細書の一実施例に係る表示装置において、表示装置は、基板、基板上に配置されたＸ軸方向に対する横長さ及びＹ軸方向に対する縦長さを有する発光ダイオード素子、基板上に配置されて発光ダイオード素子と連結された駆動素子、及び発光ダイオード素子の上部または下部に重畳して位置した反射機能層を含む。反射機能層は、発光ダイオード素子と重畳された中心領域、発光ダイオードの横または縦長さより小さなスケールを含む外郭領域、及び中心領域と外郭領域との間の周辺領域を含む。これによって、発光ダイオード素子が基板上に取り付けられた位置及び誤整列の程度を確認して発光ダイオード素子と駆動素子の接触不良を改善できる。
本明細書の一実施例に係る表示パネルにおいて、基板、基板上に配置されたｐ電極及びｎ電極を含む発光ダイオード素子、基板上に配置されて発光ダイオード素子と連結された駆動素子、発光ダイオードをカバーし、第１ホール、第２ホール、第３ホール、及び第４ホールを含む絶縁層、及び絶縁層上で発光ダイオード素子の周辺に位置した測定器を含む。測定器は、第１ホール及び第２ホールと重畳された補助領域、及び発光ダイオード素子の横または縦の長さより小さなスケールを含むガイド領域を含む。これによって、発光ダイオード素子が基板上に取り付けられた位置及び誤整列の程度を確認して発光ダイオード素子と駆動素子の接触不良を改善できる。
その他の実施例の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。
本明細書の実施例によれば、発光ダイオード素子と重畳するように測定器を配置することで、発光ダイオード素子を基板に転写させた後、発光ダイオード素子の誤整列の有無を容易に確認することができる。
そして、本明細書の実施例によれば、測定器は、反射性物質を含むことで発光ダイオード素子から発光した光を上部に反射させられる。
以上において、発明が解決しようとする課題、課題を解決するための手段、発明の効果に記載した明細書の内容が請求項の必須な特徴を特定するものではないので、請求項の権利範囲は、明細書の内容に記載された事項によって制限されない。
本明細書の一実施例に係る表示装置の平面図である。 本明細書の一実施例に係る表示装置の一部を示した断面図である。 本明細書の一実施例に係る表示装置の一部を示した断面図である。 図２及び図３に示された表示装置の多様な実施例に係る測定器の平面図である。 図２及び図３に示された表示装置の多様な実施例に係る測定器の平面図である。 図２及び図３に示された表示装置の多様な実施例に係る測定器の平面図である。 本明細書の一実施例に係る測定器に含まれたスケールの詳細図である。 本明細書の一実施例に係る測定器に含まれたスケールの詳細図である。 本明細書の一実施例に係る測定器に含まれたスケールの詳細図である。 本明細書の一実施例に係る測定器に含まれたスケールの詳細図である。 本明細書の一実施例に係る測定器に含まれたスケールの詳細図である。
本発明の利点及び特徴、そして、それらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると、明確になるだろう。しかし、本発明は、以下において開示される実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形状に具現され、単に、本実施例は、本発明の開示が完全なものとなるようにし、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範疇により定義されるだけである。
本発明の実施例を説明するための図面に開示された形状、大きさ、比率、角度、個数等は、例示的なものであるので、本発明は、図示された事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。また、本発明を説明するにあたって、関連した公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不要に濁す恐れがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本明細書上において言及された「含む」、「有する」、「なされる」等が使用される場合、「～だけ」が使用されない以上、他の部分が加えられ得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。
構成要素を解釈するにあたって、別途の明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。
位置関係についての説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～隣に」等と二部分の位置関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されない以上、二部分の間に一つ以上の他の部分が位置してもよい。
時間関係についての説明である場合、例えば、「～後に」、「～に続いて」、「～次に」、「～前に」等と時間的先後関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されない以上、連続的ではない場合も含むことができる。
素子または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と称されるものは、他の素子のすぐ上または中間に他の層または他の素子を介在した場合をいずれも含む。
また、第１、第２等が多様な構成要素を述べるために使用されるが、これらの構成要素は、これらの用語により制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。従って、以下において言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。
明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。
図面で示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために示されたものであり、本発明は、示された構成の大きさ及び厚さに必ずしも限定されるものではない。
本明細書の様々な実施例のそれぞれの特徴は、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に多様な連動及び駆動が可能であり、各実施例が互いに対して独立して実施可能であってもよく、関連関係で共に実施してもよい。
以下、添付の図面を参照して、本明細書の実施例に係る表示装置について説明する。
図１は、本明細書の一実施例に係る表示装置の平面図であり、図２及び図３は、本明細書の一実施例に係る表示装置の一部を示した断面図である。
図１に示された表示装置１００は、表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡを含む。表示領域ＡＡには、複数の画素ＰＸを備え、非表示領域ＮＡには、画素ＰＸと画素駆動部を連結するためのパッド部が位置する。この場合、非表示領域ＮＡは、発明の説明のために区分しただけであり、非表示領域ＮＡがユーザの目に視認されるベゼル領域を意味する必要はない。例えば、非表示領域ＮＡの幅は、表示領域ＡＡに配置された隣接した画素ＰＸの間の間隔の半分以下であってよい。本明細書の表示装置１００をタイル状に複数個配置する場合、表示装置１００間の間隔が視認されないゼロベゼルを具現でき、これによってタイリングされた複数の表示装置１００は一つの大型パネルに認知され得る。従って、本発明の一実施例に係る表示装置１００において、非表示領域ＮＡを定義できる領域を含まなくてもよい。
画素ＰＸは、光が発光する個別単位であって、複数の発光素子及び複数の発光素子を個別的に駆動するための複数の画素回路を含むことができる。
一つの画素ＰＸは、それぞれ異なる色に発光する複数の発光素子で構成された単位画素と定義され得る。例えば、画素ＰＸは、赤色、緑色、及び青色にそれぞれ発光する発光素子を含むことができる。しかし、必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、画素ＰＸは、一つの発光素子で構成されたサブ画素とも定義され得る。一方、発光素子として、無機物質で構成された発光ダイオード１４０が使用され得る。一般に、発光ダイオード１４０は、その大きさが１００マイクロメートル（μｍ）以下であればマイクロＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）と命名され、その大きさが１００マイクロメートル（μｍ）以上であればミニＬＥＤ（Ｍｉｎｉ ＬＥＤ）と命名される。
画素回路は、複数の半導体素子１２０を含むことができる。画素ＰＸに含まれた発光ダイオード１４０及び半導体素子１２０は、ゲート配線ＧＬ及びデータ配線ＤＬのような複数の配線を通してゲート制御回路及びデータ制御回路等が含まれた画素駆動部と連結され得る。
発光ダイオード１４０、画素回路、及び複数の配線等は、基板１１０の上部に配置され、画素駆動部は、基板１１０の下部に配置され得る。そして、基板１１０の側面には、画素ＰＸ及び画素駆動部を連結する複数の連結配線が配置され得る。
図２は、半導体素子１２０、発光ダイオード１４０、及びそれを囲む構造物を示した垂直断面図である。図２を参照すると、本明細書の一実施例に係る表示装置１００は、基板１１０、半導体素子１２０、ゲート絶縁層１３１、パッシベーション層１３２、反射機能層１７０Ａ、接着層１３３、発光ダイオード１４０、第１絶縁層１５０、及び連結電極１６１、１６２を含むことができる。
基板１１０は、多様な機能要素を支持する基板であって、絶縁物質であってよい。例えば、基板１１０は、ガラスまたはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）を含むことができる。基板１１０が可撓性（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有する場合、基板１１０は、基板１１０を補強するために基板１１０の後面に結合されたバックプレートをさらに含むことができる。バックプレートは、プラスチック材質、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）材質を含むことができる。
基板１１０上には、半導体素子１２０が配置される。半導体素子１２０は、表示装置１００の駆動素子として使用され得る。半導体素子１２０は、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、Ｎ型金属酸化膜半導体（ＮＭＯＳ；Ｎ－ｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、Ｐ型金属酸化膜半導体（ＰＭＯＳ；Ｐ－ｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、相補性金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ；Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ；Ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等であってよいが、これに制限されない。以下においては、複数の半導体素子１２０が薄膜トランジスタであると仮定して説明するが、これには限定されない。
半導体素子１２０は、ゲート電極１２１、アクティブ層１２２、ソース電極１２３、及びドレイン電極１２４を含む。
基板１１０上にゲート電極１２１が配置される。ゲート電極１２１は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金で構成され得るが、これには限定されない。
ゲート電極１２１上にゲート絶縁層１３１が配置される。ゲート絶縁層１３１は、ゲート電極１２１とアクティブ層１２２を絶縁させるための層であり、絶縁物質からなり得る。例えば、ゲート絶縁層１３１は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複数の層に構成され得るが、これには限定されない。
ゲート絶縁層１３１上にアクティブ層１２２が配置される。例えば、アクティブ層１２２は、酸化物半導体、非晶質シリコンまたはポリシリコン等からなり得るが、これには限定されない。
アクティブ層１２２上にソース電極１２３及びドレイン電極１２４が互いに離隔されて配置される。ソース電極１２３及びドレイン電極１２４は、アクティブ層１２２と電気的に連結され得る。ソース電極１２３及びドレイン電極１２４は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金で構成され得るが、これには限定されない。
半導体素子１２０上にパッシベーション層１３２が配置される。パッシベーション層１３２を備えることで、パッシベーション層１３２の下部に配置される要素、例えば、半導体素子１２０を保護することができる。パッシベーション層１３２は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複数の層に構成され得るが、これには限定されない。パッシベーション層１３２は、半導体素子１２０と第１連結電極１６１を電気的に連結するための第１ホールＨ１、及び共通配線ＣＬと第２連結電極１６２を電気的に連結するための第２ホールＨ２を含むことができる。
基板１１０と半導体素子１２０との間には、バッファ層が配置され得る。バッファ層は、基板１１０から水分または不純物が基板１１０の上部に拡散されることを最小化できる。バッファ層は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複数の層に構成され得るが、これには限定されない。
基板１１０またはバッファ層上にゲート配線ＧＬが配置される。ゲート配線ＧＬは、ゲート電極１２１と同一層上に配置され得、ゲート配線ＧＬは、ゲート電極１２１と同じ物質からなり得る。ゲート配線ＧＬは、表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡで一方向に延び得る。
ゲート絶縁層１３１上にデータ配線ＤＬが配置される。データ配線ＤＬは、ソース電極１２３またはドレイン電極１２４と同一層上に配置され得、データ配線ＤＬは、ソース電極１２３またはドレイン電極１２４と同じ物質からなり得る。データ配線ＤＬは、表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡで一方向に延び得、ゲート配線ＧＬとは異なる方向に延び得る。
また、ゲート絶縁層１３１上に共通配線ＣＬが配置される。共通配線ＣＬは、発光ダイオード１４０に共通電圧を印加するための配線であり、ゲート配線ＧＬまたはデータ配線ＤＬと離隔されて配置され得る。共通配線ＣＬは、ゲート配線ＧＬまたはデータ配線ＤＬと同じ方向に延び得る。共通配線ＣＬは、ソース電極１２３及びドレイン電極１２４と同じ物質からなるか、ゲート電極１２１と同じ物質からなり得る。
パッシベーション層１３２上には、反射機能層１７０Ａが配置される。反射機能層１７０Ａは、発光ダイオード１４０の発光効率を向上させるための層である。反射機能層１７０Ａは、発光ダイオード１４０で発光した光のうち基板１１０側に向かった光を表示装置１００の上部に反射させて表示装置１００の外部に放出する。反射機能層１７０Ａは、高い反射率を有し、かつ食刻による損傷に強い金属物質からなり得る。例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等を含むことができる。純粋な銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）は、酸素または窒素と反応して反射度が低下し得るので、反射機能層１７０Ａは、ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯまたはＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの多重層に形成されるか、パラジウム（Ｐｄ）や銅（Ｃｕ）の不純物を添加して形成され得る。
反射機能層１７０Ａ上に接着層１３３が配置される。接着層１３３は、基板１１０上に発光ダイオード１４０を固定させるための層であり、金属物質からなる反射機能層１７０Ａと発光ダイオード１４０を絶縁できる。しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、発光ダイオードが下部の一電極が露出された構造であるバーチカルタイプである場合、接着層１３３は、発光ダイオードの一電極と反射機能層１７０Ａが電気的に連結され得るように、接着層１３３は、伝導性物質を含んでもよい。接着層１３３は、熱硬化物質または光硬化物質からなり得、接着層１３３は、接着性ポリマー、エポキシレジスト、ＵＶレジン、ポリイミド系列、アクリレート系列、ウレタン系列、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）のいずれか一つで選択され得るが、これには限定されない。
接着層１３３は、半導体素子１２０と第１連結電極１６１を電気的に連結するための第１ホールＨ１、及び共通配線ＣＬと第２連結電極１６２を電気的に連結するための第２ホールＨ２を含むことができる。この場合、接着層１３３に含まれた第１ホールＨ１及び第２ホールＨ２は、パッシベーション層１３２に含まれた第１ホールＨ１及び第２ホールＨ２より大きな直径を有し得る。接着層１３３は、図２に示されたように、基板１１０の前面上に配置され得るが、これに限定されるものではない。例えば、接着層１３３は、発光ダイオード１４０と重畳されるようにアイランド状にパターニングされてもよい。
発光ダイオード１４０は、接着層１３３上に反射機能層１７０Ａと重畳するように配置される。発光ダイオード１４０は、ｎ型層１４１、活性層１４２、ｐ型層１４３、ｎ電極１４５、ｐ電極１４４、及び封止膜１４６を含む。以下においては、発光ダイオード１４０がラテラル（ｌａｔｅｒａｌ）構造のＬＥＤであるものと説明するが、これには限定されない。例えば、本明細書の一実施例に係る表示装置１００は、バーチカル（ｖｅｒｔｉｃａｌ）構造のＬＥＤである発光ダイオード１４０を含んでもよい。
ｎ型層１４１は、負の電荷を有する自由電子がキャリアとして移動して電流が生じる半導体層であって、ｎ－ＧａＮ系物質からなり得る。ｎ－ＧａＮ系物質は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等であってよく、ｎ型層１４１のドーピングに使用される不純物としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等が使用され得る。そして、場合によって、成長基板とｎ型層１４１との間には、ドーピングされていないＧａＮ系半導体層のようなバッファ層がさらに形成され得る。
活性層１４２は、ｎ型層１４１上に配置され、井戸層と、井戸層よりバンドギャップの高い障壁層とを有する多重量子井戸（ＭＱＷ；Ｍｕｌｔｉ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）構造を有し得る。例えば、活性層１４２は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ等の多重量子井戸構造を有し得る。
ｐ型層１４３は、正の電荷を有する正孔がキャリアとして移動して電流が生じる半導体層であって、ｐ－ＧａＮ系物質からなり得る。ｐ－ＧａＮ系物質は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等であってよく、ｐ型層１４３のドーピングに使用される不純物としては、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ等が使用され得る。
ｐ型層１４３上には、オーミック接触（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）を形成するためにｐ電極１４４が配置される。ｐ電極１４４は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等のような透明導電物質であってよいが、これには限定されない。そして、ｎ型層１４１上には、オーミック接触のためのｎ電極１４５が配置される。ｎ電極１４５は、ｐ電極１４４と同じ物質からなり得る。
ｎ型層１４１及びｐ型層１４３上には、ｎ型層１４１及びｐ型層１４３を保護するための封止膜１４６が配置される。封止膜１４６は、保護層とも称され得、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４またはレジン（ｒｅｓｉｎ）からなり得る。封止膜１４６は、発光ダイオード１４０の下部を除く発光ダイオード１４０の全面に配置され得る。ただし、封止膜１４６によりｐ電極１４４及びｎ電極１４５の一部が露出され、ｐ電極１４４は露出された領域を通して第１連結電極１６１とオーミック接触し、ｎ電極１４５は露出された領域を通して第２連結電極１６２とオーミック接触する。いくつかの実施例において、発光ダイオード１４０の側面の少なくとも一部には、封止膜１４６が形成されなくてよい。特に、ｐ型層１４３なしにｎ型層１４１だけが位置する発光ダイオード１４０の一側面には、封止膜１４６が形成されなくてよく、このような発光ダイオード１４０は、ｎ型層１４１が露出されたまま基板１１０上に配置され得る。
第１絶縁層１５０は、半導体素子１２０上に配置される。第１絶縁層１５０は、フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ベンゾシクロブテン系樹脂（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ ｒｅｓｉｎ）、アクリレート系樹脂（ａｃｒｙｌａｔｅ）等の有機物質からなり得るが、これには限定されない。
第１絶縁層１５０は、基板１１０の前面を覆うように配置され得る。また、第１絶縁層１５０は、発光ダイオード１４０の側面に隣接して配置されることで発光ダイオード１４０を基板１１０上にさらに強く固定できる。第１絶縁層１５０は、半導体素子１２０と第１連結電極１６１を電気的に連結するための第１ホールＨ１、及び共通配線ＣＬと第２連結電極１６２を電気的に連結するための第２ホールＨ２を含むことができる。この場合、第１絶縁層１５０に含まれた第１ホールＨ１及び第２ホールＨ２は、接着層１３３に含まれた第１ホールＨ１及び第２ホールＨ２より大きな直径を有し得る。
第１絶縁層１５０は、複数の発光ダイオード１４０の間を平坦化できる。第１絶縁層１５０は、半導体素子１２０及び反射機能層１７０Ａ等による基板１１０上の段差を補償して連結電極１６１、１６２が半導体素子１２０及び共通配線ＣＬと円滑に連結できるようにする。
第１絶縁層１５０は、発光ダイオード１４０の側部だけではなく、上部を囲むように配置される。従って、第１絶縁層１５０は、基板１１０上に整列された発光ダイオード１４０を基板１１０上にさらに堅固に固定できる。このために、第１絶縁層１５０の高さは、発光ダイオード１４０の最大高さより高くてよい。図２に示された発光ダイオード１４０は、ｎ型層１４１上にｐ型層１４３が位置するバーチカルタイプのＬＥＤであり、この場合、第１絶縁層１５０の高さは、ｐ型層１４３、ｐ電極１４４、または封止膜１４６より高くてよい。
図２は、発光ダイオード１４０及び発光ダイオード１４０の周辺の構造物のＹ－Ｚ平面を示す垂直断面図である。第１絶縁層１５０は、第３ホールＨ３と第４ホールＨ４を含む。第３ホールＨ３は、ｐ電極１４４を露出させ、第４ホールＨ４は、ｎ電極１４５を露出させる。ｐ電極１４４及びｎ電極１４５は省略され得、この場合、第３ホールＨ３は、ｐ型層１４３の一部を露出させ、第４ホールＨ４は、ｎ型層１４１の一部を露出させる。ｐ電極１４４がｎ電極１４５より高い所に位置するので、第３ホールＨ３の深さは、第４ホールＨ４の深さより小さくてよい。そして、第３ホールＨ３により露出されたｐ電極１４４の領域は、第４ホールＨ４により露出されたｎ電極１４５の領域より大きくてよい。
第１連結電極１６１が第１絶縁層１５０及び発光ダイオード１４０上に配置される。第１連結電極１６１は、第３ホールＨ３を通して発光ダイオード１４０のｐ電極１４４と薄膜トランジスタ１２０を電気的に連結させる。第１連結電極１６１は、第１ホールＨ１を通してソース電極１２３と電気的に連結され、第３ホールＨ３を通してｐ型層１４３と電気的に連結される。第１連結電極１６１は、表示装置１００が前面発光タイプである場合は、透明導電性物質からなり、表示装置１００が背面発光タイプである場合は、反射性導電物質からなり得る。透明導電性物質は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等となり得るが、これには限定されない。反射性導電物質は、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、またはＣｕ等となり得るが、これには限定されない。
第２連結電極１６２が第１絶縁層１５０及び発光ダイオード１４０上に配置される。第２連結電極１６２は、第１連結電極１６１と離隔されて配置され、発光ダイオード１４０のｎ電極１４５と共通配線ＣＬを電気的に連結させる。第２連結電極１６２は、第２ホールＨ２を通して共通配線ＣＬと電気的に連結され、第４ホールＨ４を通してｎ型層１４１と電気的に連結される。第２連結電極１６２は、発光ダイオード１４０の種類によって反射性導電物質からなるか、第１連結電極１６１と同じ物質からなり得る。反射性導電物質は、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、またはＣｕ等となり得るが、これには限定されない。
発光ダイオード１４０は、基板１１０上へ移動された後、一定圧力が加えられることで接着層１３３上に１次的に接着する。この過程で一部の発光ダイオード１４０の位置が定位置から上下左右に移動されるか回転して誤整列され得る。また、発光ダイオード１４０は、転写装備により基板１１０上へ移動されるが、転写装備のアラインエラー等の理由で基板１１０上に誤配置されることもある。前記のように、一実施例に係る発光ダイオード１４０は、基板１１０上に誤整列または誤配置されたまま固定され得、この場合、第３ホールＨ３及び第４ホールＨ４がそれぞれｐ電極１４４及びｎ電極１４５上でない他の位置に形成され、発光ダイオード１４０と半導体素子１２０が互いに電気的に連結されない問題が発生し得る。
図２に示された表示装置１００は、発光ダイオード１４０の下部に反射機能層１７０Ａが配置された構造であり、図３に示された表示装置１００は、発光ダイオード１４０の下部及び側面に反射層ＲＦ及び反射機能層１７０Ｂが配置された構造である。図３に示された表示装置１００は、図１及び図２に示された表示装置１００と比較して反射層ＲＦ及び反射機能層１７０Ｂの配置及び構造のみが異なるだけで、他の構成は実質的に同一であるので、重複した説明は省略または簡略化する。
図２を参考にすると、先に説明したように、反射機能層１７０Ａは、発光ダイオード１４０の下部に配置され、発光ダイオード１４０の下部に向かった光を上部に反射させる役割を果たす。本明細書の一実施例に係る表示装置１００に含まれた反射機能層１７０Ａは、光を反射させる役割だけではなく、発光ダイオード１４０が取り付けられた位置を確認できる測定器の役割も果たす。本明細書の一実施例に係る反射機能層１７０Ａは、測定器と命名できる。計測器１７０Ａは、発光ダイオード１４０が取り付けられる位置に発光ダイオード１４０の平面上の大きさより広い形態に発光ダイオード１４０と重畳されるように配置される。計測器１７０Ａは、発光ダイオード１４０が取り付けられた位置を計るためのスケールを含む。
図３を参考にすると、本明細書の一実施例に係る表示装置１００は、図２の反射機能層１７０Ａが配置された位置に反射層ＲＦが位置し、発光ダイオード１４０の側面に反射機能層１７０Ｂが配置される。反射層ＲＦは、単に発光ダイオード１４０の下部に向かった光を上部に反射させる役割を果たすために発光ダイオード１４０の下部に配置される。そして、反射機能層１７０Ｂが発光ダイオード１４０の側面に配置される。
具体的には、第１連結電極１６１及び第２連結電極１６２上に第２絶縁層１５２が配置される。第２絶縁層１５２は、フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ベンゾシクロブテン系樹脂（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ ｒｅｓｉｎ）、アクリレート系樹脂（ａｃｒｙｌａｔｅ）等の有機物質からなり得るが、これには限定されない。第２絶縁層１５２は、基板１１０の前面を覆うように配置され得る。第２絶縁層１５２は、第１ホールＨ１及び第２ホールＨ２と同じ位置にそれぞれ形成されたホールを含むことができる。第２絶縁層１５２に含まれたホールは、発光ダイオード１４０の活性層１４２を通ってｎ型層１４１の側面と重畳されるある一箇所までの深さに形成され得る。ただし、第２絶縁層１５２に形成されたホールは、それぞれ第１連結電極１６１または第２連結電極１６２を露出しない。
第２絶縁層１５２のホールには、それぞれ反射機能層１７０Ｂが形成される。反射機能層１７０Ｂは、ホールの外側傾斜面の周りに沿って配置され、一部は第２絶縁層１５２上にも配置される。反射機能層１７０Ｂが第２絶縁層１５２に含まれたホールの外側傾斜面に配置されて初めて発光ダイオード１４０の側面から向かってくる光を完全に反射させられる。第２絶縁層１５２は、反射機能層１７０Ｂをそれぞれ第１連結電極１６１または第２連結電極１６２と短絡しないようにする。
反射層ＲＦ及び反射機能層１７０Ｂは、高い反射率を有する金属物質からなり得る。例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等を含むことができる。純粋な銀（Ａｇ）は、酸素または窒素と反応して反射度が低下し得るので、反射機能層１７０Ａは、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯまたはＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯの多重層に形成されるか、パラジウム（Ｐｄ）や銅（Ｃｕ）の不純物を添加して形成され得る。反射層ＲＦ及び反射機能層１７０Ｂは、発光ダイオード１４０の下部及び側面に向かう光を上部に反射させる役割を果たす。本明細書の一実施例に係る表示装置１００に含まれた反射機能層１７０Ｂは、光を反射させる役割だけではなく、発光ダイオード１４０が取り付けられた位置を確認できる計測器の役割も果たす。本明細書の一実施例に係る反射機能層１７０Ｂは、計測器と命名できる。計測器は、発光ダイオード１４０の側面を囲むように配置され、発光ダイオード１４０が取り付けられた位置を計るためのスケールを含む。
図２及び図３において示された断面図によれば、反射機能層１７０Ａ、１７０Ｂの位置は、発光ダイオード１４０の下部または側面と定義され得、このような反射機能層１７０Ａ、１７０Ｂの詳細な構造は、図４、図５、及び図６の平面図を通して説明する。
図４、図５、及び図６は、図２及び図３に示された表示装置の多様な実施例に係る計測器の平面図である。
図４を参照すると、本明細書の一実施例に係る表示装置１００に含まれた反射機能層１７０Ｃの平面図である。反射機能層１７０ＣがＸ－Ｙ平面上にあると仮定するとき、発光ダイオード１４０は、Ｚ軸上に位置し得る。
本明細書の一実施例に係る表示装置１００に含まれた反射機能層１７０Ｃは、中心領域ＣＡ、周辺領域ＰＡ、及び外郭領域ＯＡに区分できる。中心領域ＣＡは、誤整列なしに発光ダイオード１４０が位置する時に重畳される部分であり、物理的に反射機能層１７０Ｃの中心を含む領域である。
反射機能層１７０Ｃは、Ｘ軸上で幅が最も広い部分の長さをＷｂ、Ｙ軸上で幅が最も広い部分の長さをＬｂと定義できる。Ｗｂを半分に分けるＹ軸方向の仮想の線とＬｂを半分に分けるＸ軸上の仮想の線が出会う部分が反射機能層１７０Ｃの中心であり、反射機能層１７０Ｃの中心に発光ダイオード１４０の中心を重畳させたとき、発光ダイオード１４０と重畳された領域を中心領域ＣＡといえる。
反射機能層１７０Ｃは、縁領域である外郭領域ＯＡを含むことができる。外郭領域ＯＡは、スケールＳｂが配置された領域である。スケールＳｂは、凹部Ｔｒと凸部Ｃｒを含むことで発光ダイオード１４０が取り付けられた位置を直観的に分かるようにする。凹部Ｔｒと凸部Ｃｒをそれぞれ一つずつ含む構造を単位スケールＳｂというとき、外郭領域ＯＡには、このような単位スケールＳｂが複数個配置される。外郭領域ＯＡはスケールを含むので、ガイド領域ということもできる。
反射機能層１７０Ｃは、先に説明した中心領域ＣＡと外郭領域ＯＡとの間に位置した周辺領域ＰＡを含むことができる。中心領域ＣＡ及び周辺領域ＰＡは、主に発光ダイオード１４０の光を反射させて上部に放出する。
図４を参照すると、反射機能層１７０Ｃの外郭領域ＯＡのうち中心領域ＣＡに対応する領域には、スケールＳｂを含まなくてよい。例えば、発光ダイオード１４０の縦長さが横長さより長い場合、誤整列されていない発光ダイオード１４０は、横がＸ軸上に、縦がＹ軸上に配置され得る。この場合、発光ダイオード１４０の横長さをＷｍ、縦長さをＬｍというとき、反射機能層１７０Ｃの外郭領域ＯＡでＷｍ及びＬｍにそれぞれ対応する領域であるＷｂｎ及びＬｂｎには、スケールＳｂを含まなくてよい。
発光ダイオード１４０を基板１１０に転写させるようになると、誤整列されなければ反射機能層１７０Ｃの中心領域ＣＡと重畳して配置されるが、誤整列が発生すると、反射機能層１７０Ｃの中心領域ＣＡ及び周辺領域ＰＡと重畳して配置され得る。発光ダイオード１４０を基板１１０に転写させる工程は、反射機能層１７０Ｃの中心領域ＣＡと重畳させるための努力によるものであるので、外郭領域ＯＡで中心領域ＣＡに対応する領域には、スケールＳｂを含まないことが効果的であり得る。この場合、反射機能層１７０ＣのＬｂｎ領域及びＷｂｎ領域に隣接して配置されたスケールＳｂは、凸部Ｃｒが先に配置され得るようにする。
図４に示された一実施例に係る表示装置１００に含まれた発光ダイオード１４０及び反射機能層１７０Ｃの位置関係を検討すると、発光ダイオード１４０は、反射機能層１７０Ｃの中心領域ＣＡで－Ｘ軸方向、＋Ｙ軸方向に移動して配置されている。
本明細書の一実施例に係る表示装置１００の場合、発光ダイオード１４０を基板１１０上に転写した後に検査者が目視で発光ダイオード１４０の誤整列の程度を確認することができる。単位スケールＳｂに含まれた凸部Ｃｒと凹部Ｔｒの長さが同一である場合、図４によれば、発光ダイオード１４０が誤整列された程度は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のいずれも１個の単位スケールＳｂの半分の長さを越えていない。スケールＳｂの大きさによって、図４の実施例は、不良と見なされることも、良品と見なされることもある。単位スケールＳｂの大きさについては、後で詳細に説明する。仮に、不良であれば、発光ダイオード１４０の転写工程を中断し、誤整列を補正するための作業を実施した後、転写工程を続けることで、工程時間を短縮し、コストを節減できる。
図５を参照すると、反射機能層１７０Ｄは、先に説明した図４の反射機能層１７０ＣのＬｂｎ領域及びＷｂｎ領域が存在せず、反射機能層１７０Ｄの外郭領域ＯＡの全ての領域にスケールＳｂが連続的に配置される。この場合、Ｘ軸及びＹ軸に配置されたスケールＳｂは、それぞれ中心スケールＣＳｂを含むことができる。中心スケールＣＳｂは、外郭領域ＯＡで反射機能層１７０Ｄの中心と対応する領域に配置される。図５においては、中心スケールＣＳｂを凹部Ｔｒに具現したが、これに限定されず、凸部Ｃｒに具現されてもよい。
図５に示された一実施例に係る表示装置１００に含まれた発光ダイオード１４０及び反射機能層１７０Ｄの位置関係を検討すると、発光ダイオード１４０は、反射機能層１７０Ｄの中心領域ＣＡで－Ｘ軸方向に移動され、反時計回りに回転して配置されている。検査者は、スケールＳｂ及び中心スケールＣＳｂを通して発光ダイオード１４０がＸ軸方向に移動された程度及び回転した角度θを確認することができる。発光ダイオード１４０が回転した角度θは、図５に示されたように、発光ダイオード１４０が回転することで発光ダイオード１４０の一面をＸ軸及びＹ軸に対応させて仮想の直角三角形を設けることで見出すことができる。これを通じて、検査者は、発光ダイオード１４０の取り付け位置が不良を引き起こすか否かを判断できる。
先に説明した図４及び図５の場合、スケールＳｂの大きさが全て同一である場合を説明した。これに対して、図６の反射機能層１７０Ｅの場合、Ｘ軸方向に沿って設けられた外郭領域ＯＡにあるスケールＳｂの大きさは、Ｙ軸方向に沿って設けられた外郭領域ＯＡにあるスケールＳｂの大きさと互いに異なる。この場合、Ｘ軸方向に沿って設けられた外郭領域ＯＡにあるスケールＳｂの大きさが、Ｙ軸方向に沿って設けられた外郭領域ＯＡにあるスケールＳｂの大きさより大きな場合を示したが、これには限定されない。ただし、同じ軸に沿って設けられたスケールＳｂの大きさは同一であってよい。そして、図６の反射機能層１７０Ｅは、先に説明した図４の反射機能層１７０ＣのようにスケールＳｂが配置されていないＬｂｎ領域及びＷｂｎ領域を含むように示されたが、これに限定されず、図５のように外郭領域ＯＡに沿ってスケールＳｂが連続的に配置されてもよい。
スケールＳｂの大きさは、発光ダイオード１４０の移動偏差によって異なるように具現され得る。図６の反射機能層１７０Ｅは、発光ダイオード１４０の取り付けの際、Ｘ軸移動がＹ軸移動より大きく発生する場合である。この場合、発光ダイオード１４０のＸ軸方向に移動される程度がＹ軸方向に移動される程度より大きいため、Ｘ軸方向に配置されたスケールＳｂの精度は、Ｙ軸方向に配置されたスケールＳｂの精度より高い必要はない。従って、反射機能層１７０ＥでＸ軸方向に沿って配置されたスケールＳｂの大きさを、Ｙ軸方向に沿って配置されたスケールＳｂの大きさより大きく具現できる。
図６に示された一実施例に係る表示装置１００に含まれた発光ダイオード１４０及び反射機能層１７０Ｅの位置関係を検討すると、発光ダイオード１４０は、反射機能層１７０Ｅの中心領域ＣＡで＋Ｘ軸方向、－Ｙ軸方向に移動されて配置されている。図６によれば、発光ダイオード１４０が誤整列された程度は、Ｘ軸にＸ軸方向に配置された単位スケールＳｂの凸部Ｃｒ１個と凹部Ｔｒの半分を合わせた程度であり、Ｙ軸にＹ軸方向に配置された単位スケールＳｂの凸部１個程度である。スケールＳｂの大きさによって、図６の実施例は、不良と見なされることも、良品と見なされることもある。
これまで説明された図４、図５、及び図６に示された反射機能層１７０Ｃ、１７０Ｄ、１７０Ｅはいずれも図２及び図３の表示装置１００に適用され得る。図２の表示装置１００に適用される場合、発光ダイオード１４０の下部で反射機能層１７０Ａの位置に配置され得る。そして、図３の表示装置１００に適用される場合、反射機能層１７０Ｃ、１７０Ｄ、１７０Ｅに含まれた中心領域ＣＡ及び周辺領域ＰＡが省略され、外郭領域ＯＡだけが図３の反射機能層１７０Ｂの位置に配置され得る。
図７乃至図１１は、本明細書の一実施例に係る計測器に含まれたスケールの詳細図である。図７において説明するスケールは、図４、図５、及び図６に示された反射機能層１７０Ｃ、１７０Ｄ、１７０Ｅに含まれ得る。
図７は、凸部Ｃｒ及び凹部Ｔｒを含む単位スケールＳｂを示す。凸部Ｃｒ及び凹部Ｔｒは、それぞれ３個の点に具現され得る。凸部Ｃｒは、凸部幅基準点Ｃ１、Ｃ２と凸部形態基準点Ｃ３に具現され、凸部幅基準点Ｃ１、Ｃ２は、第１凸部幅基準点Ｃ１と第２凸部幅基準点Ｃ２を含む。そして、凹部Ｔｒは、凹部幅基準点Ｔ１、Ｔ２と凹部形態基準点Ｔ３に具現され、凹部幅基準点Ｔ１、Ｔ２は、第１凹部幅基準点Ｔ１と第２凹部幅基準点Ｔ２を含む。図７においては、凸部Ｃｒ及び凹部Ｔｒがそれぞれ四角形の形態に具現されたが、前記言及した幅基準点Ｃ１、Ｃ２、Ｔ１、Ｔ２及び形態基準点Ｃ３、Ｔ３だけが定義できれば、各点を結ぶ線は、直線または曲線で自由に使用されて多様な形態に具現され得る。
幅基準点Ｃ１、Ｃ２、Ｔ１、Ｔ２は、凸部Ｃｒまたは凹部Ｔｒの幅（またはウィズ（ｗｉｄｔｈ））を定義する点である。幅基準点Ｃ１、Ｃ２、Ｔ１、Ｔ２を通して発光ダイオード１４０が誤整列された程度を把握できる。この場合、凸部Ｃｒの幅は第１スケールの幅に該当し、Ｓｂ１と表記する。凹部Ｔｒの幅は第２スケールの幅に該当し、Ｓｂ２と表記する。検査者が発光ダイオード１４０の移動量に相当する数値を把握しやすくするためには、Ｓｂ１とＳｂ２の長さが同一であるようにスケールＳｂを具現することが効果的であり得る。
図７のスケールＳｂを、反射機能層１７０Ｃ、１７０Ｄ、１７０Ｅの上部に配置された部分とした場合、第１凸部幅基準点Ｃ１と第２凸部幅基準点Ｃ２は、Ｘ軸上で互いに異なる点に（例えば、Ｘ方向に沿って互いに分離して）配置され、Ｙ軸上では同じ点に（たとえば、Ｙ方向に沿って同じレベルで）配置され得る。同様に、第１凹部幅基準点Ｔ１と第２凹部幅基準点Ｔ２は、Ｘ軸上で互いに異なる点に配置され、Ｙ軸上では同じ点に配置され得る。そして、凸部幅基準点Ｃ１、Ｃ２のいずれか一点と凹部幅基準点Ｔ１、Ｔ２のいずれか一点は、互いにＸ軸上で同じ点に配置され、Ｙ軸上では異なる点に配置され得る。図７においては、第１凸部幅基準点Ｃ１と第１凹部幅基準点Ｔ１がＸ軸上で同じ点に配置され、Ｙ軸上で互いに異なる点に配置されるものと示されたが、これには限定されない。これによって、凸部Ｃｒと凹部Ｔｒそれぞれの幅だけで発光ダイオード１４０が誤整列された数値を把握できる。
凸部Ｃｒ及び凹部Ｔｒの高さは、凸部Ｃｒ及び凹部Ｔｒを具現させる点の中でＸ軸上で同じ点に配置され、Ｙ軸上で互いに異なる点に配置される２個の点により定義され得る。具体的に、図７においては、第１凸部幅基準点Ｃ１と第１凹部幅基準点Ｔ１を連結した直線の長さが凸部Ｃｒ及び凹部Ｔｒの高さと定義され得、Ｓｂ３と表記する。凸部Ｃｒ及び凹部Ｔｒそれぞれの高さは、Ｓｂ３に同一に具現することが容易であるが、これには限定されない。発光ダイオード１４０が誤整列された数値を把握するには凸部Ｃｒ及び凹部Ｔｒの幅（またはウィズ（ｗｉｄｔｈ））が重要な数値であるので、高さは互いに異なるように具現され得る。例えば、図８を参照すると、図８は、複数個のスケールＳｂを示し、スケールＳｂは、互いに異なる２種類の高さＳｂ３（ａ）、Ｓｂ３（ｂ）に具現される。さらに説明すると、凹部Ｔｒの高さは、１個の凹部Ｔｒ毎に交互に互いに異なる高さに具現され得るが、これには限定されない。スケールの高さＳｂ３は、図８の場合のように、互いに異なる２個の高さに規則的に配列されてもよいが、場合によってランダムに配列されてもよい。例えば、細かい測定のためにスケールＳｂの幅を小さく形成する場合、発光ダイオード１４０の誤整列された程度が大きければ、検査者は、スケールＳｂの個数を数えることに負担を感じることもあり得る。従って、スケールＳｂの個数を数えなくてもよいように基準になり得るポイントでスケールＳｂの高さを異なるように具現すれば、検査者は、効果的に数値を見出すことができる。
これまで、第１凸部幅基準点Ｃ１、第２凸部幅基準点Ｃ２、第１凹部幅基準点Ｔ１、及び第２凹部幅基準点Ｔ２について説明しており、この基準点を通してスケールＳｂを具現できる。図９を参照すると、凸部Ｃｒは、第１凸部幅基準点Ｃ１、第２凸部幅基準点Ｃ２、及び第１凹部幅基準点Ｔ１に具現され、凹部Ｔｒは、第１凹部幅基準点Ｔ１、第２凹部幅基準点Ｔ２、及び第１凸部幅基準点Ｃ１に具現され得る。一実施例に係る表示装置１００に含まれた反射機能層のスケールＳｂは、三角形の形態に具現されてもよい。図９の場合、第１凸部幅基準点Ｃ１と第１凹部幅基準点Ｔ１がＸ軸方向における同じ点に配置され、Ｙ軸方向における互いに異なる点に配置される場合を示したが、これには限定されない。図１０を参照すると、第１凸部幅基準点Ｃ１と第２凹部幅基準点Ｔ１は、Ｘ軸方向において互いに同じ点に位置しない。第１凸部幅基準点Ｃ１及び第２凸部幅基準点Ｃ２は、第１凹部幅基準点Ｔ１及び第２凹部幅基準点Ｔ２とＹ軸方向において互いに同じ点に位置しない。この場合、検査者は、凸部Ｃｒの幅（またはウィズ（ｗｉｄｔｈ））Ｓｂ１を通して発光ダイオード１４０の誤整列の程度を確認することができる。
図７を参考にすると、本明細書の一実施例に係る表示装置１００に含まれた反射機能層は、スケールＳｂを含み、スケールＳｂは、凸部形態基準点Ｃ３及び凹部形態基準点Ｔ３を含むことができる。凸部形態基準点Ｃ３は、Ｘ軸に第１凸部幅基準点Ｃ１と第２凸部幅基準点Ｃ２との間にあり、Ｙ軸に第１凹部幅基準点Ｔ１と同じ点にある。凸部形態基準点Ｃ３は、Ｘ軸上で第１凹部幅基準点Ｔ１と互いに異なる点にあり、第２凸部幅基準点Ｃ２と同じ点にあってよい。凹部形態基準点Ｔ３は、Ｘ軸に第１凹部幅基準点Ｔ１と第２凹部幅基準点Ｔ２との間にあり、Ｙ軸に第１凸部幅基準点Ｃ１と同じ点にある。凹部形態基準点Ｔ３は、Ｘ軸上で第１凸部幅基準点Ｃ１と互いに異なる点にあり、第２凹部幅基準点Ｔ２と同じ点にあってよい。形態基準点Ｃ３、Ｔ３は、スケールＳｂの視認性を確保するのに役立つことができる。
図１１を参考にすると、凸部Ｃｒで第１凹部幅基準点Ｔ１と凸部形態基準点Ｃ３を結ぶ線は、曲線で連結され得る。図１１においては、＋Ｙ軸方向に凸に示したが、これに限定されず、－Ｙ軸方向に凹に形成されてもよい。そして、同様に凹部Ｔｒで第１凸部幅基準点Ｃ１と凹部形態基準点Ｔ３を結ぶ線も曲線で連結され得る。図１１においては、－Ｙ軸方向に凹に示したが、これに限定されず、＋Ｙ軸方向に凸に形成されてもよい。
図７乃至図１１に示されたスケールＳｂで第１スケールの幅Ｓｂ１と第２スケールの幅Ｓｂ２は、発光ダイオード１４０の取り付けマージンによって決定され得る。発光ダイオード１４０の取り付けマージンは、発光ダイオード１４０の横長さＷｍと縦長さＬｍに対する比率で表示され得る。発光ダイオード１４０の縦長さＬｍが横長さＷｍより長い場合は、Ｙ軸方向にｐ電極１４４とｎ電極１４５が配列され得る。発光ダイオード１４０の取り付けマージンは、ｐ電極１４４とｎ電極１４５が配列された方向よりｐ電極１４４とｎ電極１４５が配列された方向と垂直方向にさらに大きい。例えば、発光ダイオード１４０の縦長さが横長さの１．５倍～２倍である場合、発光ダイオード１４０のＸ軸方向の取り付けマージンは、発光ダイオード１４０の横長さの９０％以上１００％以下であり、Ｙ軸方向の取り付けマージンは、発光ダイオード１４０の縦長さの２０％以上３０％以下であってよい。そして、発光ダイオード１４０のＸ軸方向の取り付けマージンは、Ｙ軸方向の取り付けマージンの２倍であってよい。第１スケールの幅Ｓｂ１及び第２スケールの幅Ｓｂ２は、Ｘ軸方向の取り付けマージンとＹ軸方向の取り付けマージンのうちさらに小さな値より小さくすることで発光ダイオード１４０の誤整列による数値を把握できるが、さらに正確に確認するために、第１スケールの幅Ｓｂ１及び第２スケールの幅Ｓｂ２は、Ｘ軸方向の取り付けマージンとＹ軸方向の取り付けマージンのうちさらに小さな値の半分以下であってよい。
先に説明した図６の場合も、発光ダイオード１４０のＸ軸に対する取り付けマージンがＹ軸に対する取り付けマージンより大きいため、Ｘ軸方向に沿って配列されたスケールの幅（またはｗｉｄｔｈ）がＹ軸方向に沿って配列されたスケールの幅（またはｗｉｄｔｈ）より大きく具現され得る。例えば、発光ダイオード１４０の横長さ及び縦長さがいずれも５０μｍ以下である場合、第１スケールの幅Ｓｂ１と第２スケールの幅Ｓｂ２は、２μｍ～５μｍであってよい。
本発明の実施態様は、下記のように記載することもできる。
本発明の態様によれば、表示パネルにおいて、表示パネルは、基板、基板上に配置されたＸ軸方向に対する横長さ及びＹ軸方向に対する縦長さを有する発光ダイオード、基板上に配置されて発光ダイオードと連結された駆動素子、及び発光ダイオードの上部または下部に重畳して位置した反射機能層を含む。反射機能層は、発光ダイオードと重畳された中心領域、発光ダイオードの横長さまたは縦長さより小さなスケールを含む外郭領域、及び中心領域と外郭領域との間の周辺領域を含む。これによって、発光ダイオードが基板上に取り付けられた位置及び誤整列の程度を確認して発光ダイオードと駆動素子の接触不良を改善できる。
計測器の外郭領域は、スケールで全て満たされ得る。
スケールは、反射機能層の真ん中に関する発光ダイオードの横及び縦長さに対応する外郭領域を除く領域に位置し得る。
スケールは、互いに異なる大きさを有するスケールを少なくとも二つ以上含むことができる。スケールが互いに異なる大きさを有するスケールを二つ含む場合、二つのスケールのうち大きさがさらに大きなスケールは、発光ダイオードの横または縦の移動偏差のうち移動偏差がさらに大きな方向に配置され得る。
スケールは、凹部及び凸部を含む四角形の形態または三角形の形態であってよい。
反射機能層は、ＡｌまたはＡｇを含む多重層の金属物質であってよい。
反射機能層のＸＹ軸の平面上の大きさは、発光ダイオードのＸＹ軸の平面上の大きさより大きくてよい。
本発明の他の態様によれば、表示パネルにおいて、基板、基板上に配置されたｐ電極及びｎ電極を含む発光ダイオード、基板上に配置されて発光ダイオードと連結された駆動素子、発光ダイオードをカバーし、第１ホール、第２ホール、第３ホール、及び第４ホールを含む絶縁層、及び絶縁層上で発光ダイオードの周辺に位置した計測器を含む。計測器は、第１ホール及び第２ホールと重畳された補助領域、及び発光ダイオードの横または縦の長さより小さなスケールを含むガイド領域を含む。これによって、発光ダイオードが基板上に取り付けられた位置及び誤整列の程度を確認して発光ダイオードと駆動素子の接触不良を改善できる。
第１ホールは駆動素子を露出でき、第２ホールは共通配線を露出でき、第３ホールはｐ電極を露出でき、第４ホールは、ｎ電極を露出できる。そして、駆動素子は、アクティブ層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含み、共通配線は、ソース電極及びドレイン電極と同一層に配置され得る。
計測器の補助領域は、第１ホール及び第２ホールの外側傾斜面に配置され得る。
以上、添付の図面を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を外れない範囲内で多様に変形実施され得る。従って、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。それゆえ、以上において記述した実施例は、全ての面で例示的なものであり、限定的ではないものと理解すべきである。本発明の保護範囲は、請求の範囲によって解釈されるべきであり、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

Claims (13)

  1. Ｘ軸方向に対する横長さ及びＹ軸方向に対する縦長さを有する発光ダイオードＬＥＤ素子と、
    前記ＬＥＤ素子と連結された駆動素子と、
    前記ＬＥＤ素子の上部または下部に重畳して位置した反射機能層とを含み、
    前記反射機能層は、
    前記ＬＥＤ素子と重畳する中心領域と、
    前記ＬＥＤ素子の横長さまたは縦長さより小さなスケールを含む外郭領域と、
    前記中心領域と前記外郭領域との間の周辺領域とを含む、表示装置。
  2. 前記反射機能層の前記外郭領域は、前記スケールで全て満たされた、請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記スケールは、前記反射機能層の真ん中に関する前記ＬＥＤ素子の横及び縦長さに対応する外郭領域を除く領域に位置した、請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記スケールは、互いに異なる大きさを有するスケールを少なくとも二つ以上含む、請求項１に記載の表示装置。
  5. 前記スケールは、互いに異なる大きさを有するスケールを二つ含み、
    前記二つのスケールのうちの他方より大きなスケールは、前記ＬＥＤ素子の横または縦の移動偏差のうち移動偏差がさらに大きな方向に配置された、請求項４に記載の表示装置。
  6. 前記スケールは、凹部及び凸部を含む四角形の形態または三角形の形態である、請求項１に記載の表示装置。
  7. 前記反射機能層は、ＡｌまたはＡｇを含む多重層の金属物質である、請求項１に記載の表示装置。
  8. 前記反射機能層のＸＹ軸の平面上の大きさは、前記ＬＥＤ素子のＸＹ軸の平面上の大きさより大きい、請求項１に記載の表示パネル。
  9. ｐ電極及びｎ電極を含む発光ダイオードＬＥＤ素子と、
    前記ＬＥＤ素子と連結された駆動素子と、
    前記ＬＥＤ素子をカバーし、第１ホール、第２ホール、第３ホール、及び第４ホールを含む絶縁層と、
    前記絶縁層上で前記ＬＥＤ素子の周辺に位置した測定器とを含み、
    前記測定器は、
    前記第１ホール及び前記第２ホールと重畳された補助領域,及び
    前記ＬＥＤ素子の横または縦の長さより小さなスケールを含むガイド領域を含む、表示装置。
  10. 前記測定器は、反射性の物質を含む、請求項９に記載の表示装置。
  11. 前記第１ホールは前記駆動素子を露出させ、前記第２ホールは前記共通配線を露出させ、
    前記第３ホールは前記ｐ電極を露出させ、前記第４ホールは前記ｎ電極を露出させる、請求項９に記載の表示装置。
  12. 前記駆動素子は、アクティブ層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含み、
    前記共通配線は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一層に配置された、請求項１１に記載の表示装置。
  13. 前記測定器の前記補助領域は前記第１ホール及び前記第２ホールの外側傾斜面に配置された、請求項９に記載の表示装置。
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