JP2022054401A - 鉄-白金系スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
鉄-白金系スパッタリングターゲット及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022054401A JP2022054401A JP2021118112A JP2021118112A JP2022054401A JP 2022054401 A JP2022054401 A JP 2022054401A JP 2021118112 A JP2021118112 A JP 2021118112A JP 2021118112 A JP2021118112 A JP 2021118112A JP 2022054401 A JP2022054401 A JP 2022054401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- iron
- platinum
- sputtering target
- raw material
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OBACEDMBGYVZMP-UHFFFAOYSA-N iron platinum Chemical compound [Fe].[Fe].[Pt] OBACEDMBGYVZMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 195
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title abstract description 18
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 87
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 87
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 88
- 238000000717 platinum sputter deposition Methods 0.000 claims description 83
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 77
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 58
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 57
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 28
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 20
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims description 15
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 5
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 5
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 5
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 hafnium nitride Chemical class 0.000 claims description 3
- WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N hafnium;methane Chemical compound C.[Hf] WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N methylidyneniobium Chemical compound [Nb]#C UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-[4-(chloromethyl)phenyl]benzene Chemical compound C1=CC(CCl)=CC=C1C1=CC=C(CCl)C=C1 INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoferriooxy)iron hydrate Chemical compound O.O=[Fe]O[Fe]=O NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 33
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 18
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 45
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 16
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 14
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 12
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 10
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 8
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 5
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 4
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DTJAVSFDAWLDHQ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co].[Pt] Chemical compound [Cr].[Co].[Pt] DTJAVSFDAWLDHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N manganese(iii) oxide Chemical compound O=[Mn]O[Mn]=O GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBFUKZWYPLNNJC-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii,iii) oxide Chemical compound [Co]=O.O=[Co]O[Co]=O LBFUKZWYPLNNJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000713 high-energy ball milling Methods 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacture Of Alloys Or Alloy Compounds (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
Description
(金相における黒色相の総面積/金相の全体面積)/金相における黒色相の総個数
(金相における黒色相の総面積/金相の全体面積)/金相における黒色相の総個数
表1:実施例1~25及び比較例1~22の鉄-白金系スパッタリングターゲットの組成、焼結工程及び焼結温度。
表1つづき
計算式:曲げ強さ=(3×最大荷重×スパン)/(2×試料片幅×試料片厚さ×試料片厚さ)
表2:実施例1~25及び比較例1~22の鉄-白金系スパッタリングターゲットの組成、緻密程度、黒色相の平均サイズ、黒色相の分散均一度、曲げ強さ、異常放電回数及び微粒子降下数。
Claims (17)
- 鉄、白金及び窒化ホウ素を含む鉄-白金系スパッタリングターゲットであって、前記鉄-白金系スパッタリングターゲット全体の原子の合計量に基づき、前記窒化ホウ素の含有量を0at%超え50at%以下とし、前記鉄-白金系スパッタリングターゲットの金相が複数の黒色相を含み、それらの黒色相の平均サイズが3μm未満であり、且つ金相における、それらの黒色相の分散均一度が5×10-4未満であり、前記分散均一度が、下記計算式により算出されたものであることを特徴とする、鉄-白金系スパッタリングターゲット。
(金相における黒色相の総面積/金相の全体面積)/金相における黒色相の総個数 - 前記鉄-白金系スパッタリングターゲット全体の原子の合計量に基づき、前記窒化ホウ素の含有量を3at%以上30at%以下とすることを特徴とする、請求項1に記載の鉄-白金系スパッタリングターゲット。
- 前記鉄-白金系スパッタリングターゲット全体の原子の合計量に基づき、前記窒化ホウ素の含有量を5at%以上25at%以下とすることを特徴とする、請求項1に記載の鉄-白金系スパッタリングターゲット。
- 前記鉄-白金系スパッタリングターゲット全体の原子の合計量に基づき、白金の含有量を10at%以上45at%以下とすることを特徴とする、請求項1~3のいずれかに記載の鉄-白金系スパッタリングターゲット。
- 前記鉄-白金系スパッタリングターゲットは、第一の成分を更に含み、前記第一の成分は、酸化物、カーバイド、窒化物及びその組み合わせからなる群から選択されるものであり、前記鉄-白金系スパッタリングターゲット全体の原子の合計量に基づき、前記第一の成分の含有量を0at%超え50at%以下とし、且つ前記第一の成分及び窒化ホウ素の含有量の合計を6at%以上50at%以下とすることを特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載の鉄-白金系スパッタリングターゲット。
- 前記酸化物が、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化クロム(III)、五酸化タンタル、酸化コバルト、酸化マンガン(III)、三酸化ホウ素、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、アルミナ、二酸化ジルコニウム、五酸化ニオブ、五酸化バナジウム、三酸化タングステン、酸化第二鉄、酸化亜鉛又はその組み合わせを含むことを特徴とする、請求項5に記載の鉄-白金系スパッタリングターゲット。
- 前記窒化物が、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化クロム、窒化ジルコニウム、窒化タンタル、窒化ハフニウム、窒化ケイ素、炭窒化チタン、窒化タングステン又はその組み合わせを含むことを特徴とする、請求項5又は6に記載の鉄-白金系スパッタリングターゲット。
- 前記カーバイドが、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステン、炭化タンタル、炭化ハフニウム、炭化ジルコニウム、炭化バナジウム、炭化ニオビウム、炭化クロム又はその組み合わせを含むことを特徴とする、請求項5~7のいずれかに記載の鉄-白金系スパッタリングターゲット。
- 前記鉄-白金系スパッタリングターゲットは、第二の成分を更に含み、前記第二の成分は、銀、金、ゲルマニウム、銅、ニッケル、コバルト、アルミニウム、マグネシウム、マンガン、ケイ素、ストロンチウム及びその組み合わせからなる群から選択されるものであり、前記鉄-白金系スパッタリングターゲット全体の原子の合計量に基づき、前記第二の成分の含有量を2at%以上40at%以下とすることを特徴とする、請求項1~8のいずれかに記載の鉄-白金系スパッタリングターゲット。
- 前記鉄-白金系スパッタリングターゲットは、炭素を更に含み、前記鉄-白金系スパッタリングターゲット全体の原子の合計量に基づき、前記炭素の含有量を2at%以上10at%以下とすることを特徴とする、請求項1~9のいずれかに記載の鉄-白金系スパッタリングターゲット。
- 前記鉄-白金系スパッタリングターゲットの曲げ強さが700MPa以上である、請求項1~10の何れかに記載の鉄-白金系スパッタリングターゲット。
- 鉄原料、白金原料、及び平均粒子径が5μm未満の窒化ホウ素原料を混合して、原料混合物を得る工程(a)と、
前記原料混合物を4時間~12時間研磨してから、800メッシュ~1200メッシュの篩で篩分し、更に、篩上物に対して前記研磨及び篩分工程を繰り返し、鉄-白金系混合原料を得る工程(b)と、
前記鉄-白金系混合原料を焼結して、鉄-白金系スパッタリングターゲットを得る工程(c)とを含み、
前記鉄-白金系混合原料全体の原子の合計量に基づき、前記窒化ホウ素原料の添加量を0at%超え50at%以下とし、前記鉄-白金系スパッタリングターゲットの金相は複数の黒色相を含み、それらの黒色相の平均サイズは3μm未満であり、且つそれらの黒色相の分散均一度は5×10-4未満であり、前記分散均一度は、下記計算式により算出されたものである、鉄-白金系スパッタリングターゲットの製造方法。
(金相における黒色相の総面積/金相の全体面積)/金相における黒色相の総個数 - 前記鉄-白金系混合原料全体の原子の合計量に基づき、前記白金原料の添加量を10at%以上45at%以下とすることを特徴とする、請求項12に記載の製造方法。
- 前記鉄-白金系混合原料は、第一の成分を更に含み、前記第一の成分は、酸化物原料、カーバイド原料、窒化物原料及びその組み合わせからなる群から選択されるものであり、前記鉄-白金系混合原料全体の原子の合計量に基づき、前記第一の成分の添加量を0at%超え50at%以下とし、且つ前記第一の成分及び窒化ホウ素原料の添加量の合計を6at%以上50at%以下とすることを特徴とする、請求項12又は13に記載の製造方法。
- 前記鉄-白金系混合原料は、炭素原料を更に含み、前記鉄-白金系混合原料全体の原子の合計量に基づき、前記炭素原料の添加量を2at%以上40at%以下とすることを特徴とする、請求項12~14のいずれかに記載の製造方法。
- 前記鉄-白金系混合原料は、第二の成分を更に含み、前記第二の成分は、銀原料、金原料、ゲルマニウム原料、銅原料、ニッケル原料、コバルト原料、アルミニウム原料、マグネシウム原料、マンガン原料、ケイ素原料、ストロンチウム原料及びその組み合わせからなる群から選択されるものであり、前記鉄-白金系混合原料全体の原子の合計量に基づき、前記第二の成分の添加量を2at%以上40at%以下とすることを特徴とする、請求項12~15のいずれかに記載の製造方法。
- 前記工程(c)では、焼結温度が600℃~1200℃であり、焼結圧力が350bar~1800barであることを特徴とする、請求項12~16のいずれかに記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW109133429 | 2020-09-25 | ||
TW109133429A TWI752655B (zh) | 2020-09-25 | 2020-09-25 | 鐵鉑基靶材及其製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022054401A true JP2022054401A (ja) | 2022-04-06 |
JP7288010B2 JP7288010B2 (ja) | 2023-06-06 |
Family
ID=80808985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021118112A Active JP7288010B2 (ja) | 2020-09-25 | 2021-07-16 | 鉄-白金系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7288010B2 (ja) |
TW (1) | TWI752655B (ja) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004087264A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 非水電解液二次電池用負極材料及びその製造方法 |
JP2004292234A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化ニオブおよびその製造方法 |
WO2014045744A1 (ja) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Fe-Pt系磁性材焼結体 |
WO2014064995A1 (ja) * | 2012-10-25 | 2014-05-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 非磁性物質分散型Fe-Pt系スパッタリングターゲット |
WO2015146311A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Al-Te-Cu-Zr合金からなるスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2016047236A1 (ja) * | 2014-09-22 | 2016-03-31 | Jx金属株式会社 | 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2018047978A1 (ja) * | 2016-09-12 | 2018-03-15 | Jx金属株式会社 | 強磁性材スパッタリングターゲット |
CN108004515A (zh) * | 2018-01-22 | 2018-05-08 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 铁钴钽合金溅射靶材的制备方法、铁钴钽合金溅射靶材及应用 |
WO2019187243A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに磁気記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004074540A1 (en) * | 2003-02-24 | 2004-09-02 | Tekna Plasma Systems Inc. | Process and apparatus for the maufacture of a sputtering target |
WO2014034390A1 (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Fe系磁性材焼結体 |
WO2014065201A1 (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Fe-Pt系焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP7057692B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2022-04-20 | 田中貴金属工業株式会社 | スパッタリングターゲット用Fe-Pt-酸化物-BN系焼結体 |
-
2020
- 2020-09-25 TW TW109133429A patent/TWI752655B/zh active
-
2021
- 2021-07-16 JP JP2021118112A patent/JP7288010B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004087264A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 非水電解液二次電池用負極材料及びその製造方法 |
JP2004292234A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化ニオブおよびその製造方法 |
WO2014045744A1 (ja) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Fe-Pt系磁性材焼結体 |
WO2014064995A1 (ja) * | 2012-10-25 | 2014-05-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 非磁性物質分散型Fe-Pt系スパッタリングターゲット |
WO2015146311A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Al-Te-Cu-Zr合金からなるスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2016047236A1 (ja) * | 2014-09-22 | 2016-03-31 | Jx金属株式会社 | 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2018047978A1 (ja) * | 2016-09-12 | 2018-03-15 | Jx金属株式会社 | 強磁性材スパッタリングターゲット |
CN108004515A (zh) * | 2018-01-22 | 2018-05-08 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 铁钴钽合金溅射靶材的制备方法、铁钴钽合金溅射靶材及应用 |
WO2019187243A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに磁気記録媒体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202212581A (zh) | 2022-04-01 |
JP7288010B2 (ja) | 2023-06-06 |
TWI752655B (zh) | 2022-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6526837B2 (ja) | 強磁性材スパッタリングターゲット | |
JP5960251B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP6692724B2 (ja) | 非磁性材料分散型Fe−Pt系スパッタリングターゲット | |
JPWO2014097911A1 (ja) | 焼結体スパッタリングターゲット | |
JP6305881B2 (ja) | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット | |
TWI582250B (zh) | A magnetite sputtering target containing chromium oxide | |
JP7288010B2 (ja) | 鉄-白金系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP2008260970A (ja) | Co−Zr系合金焼結スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
TWI640642B (zh) | Strong magnetic material sputtering target containing chromium oxide | |
JP7165787B1 (ja) | 複合酸化物ターゲット及びその製造方法 | |
JPWO2014175392A1 (ja) | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造に用いる炭素原料 | |
JP7242652B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP7245303B2 (ja) | Fe-Pt-Ag系ターゲット及びその製造方法 | |
JP2000096220A (ja) | CoCr系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
CN108699677B (zh) | 磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜 | |
JP2005097657A (ja) | パーティクル発生の少ない磁性層形成用スパッタリングターゲット | |
TWI834072B (zh) | 釕鋁合金靶材及其製法 | |
JP7412659B2 (ja) | スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット組立品、及び成膜方法 | |
TWI838846B (zh) | 鐵鉑基靶材及其製法 | |
JP2023063234A (ja) | Ru-Al合金ターゲット及びその調製方法 | |
WO2023079857A1 (ja) | Fe-Pt-C系スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット組立品、成膜方法、及びスパッタリングターゲット部材の製造方法 | |
WO2022049935A1 (ja) | スパッタリングターゲット、その製造方法、及び磁気記録媒体の製造方法 | |
TW202314011A (zh) | 鉻鎳鈦合金靶材及其製法 | |
CN118076762A (en) | Fe-Pt-C sputtering target member, sputtering target assembly, film forming method, and method for producing sputtering target member |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210716 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220726 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230328 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20230331 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230509 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230525 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7288010 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |