JP2022032983A - 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】エッジワイヤの設計によりフレームを削減した電子デバイスを提供する。【解決手段】電子デバイスであって、第１面、第２面、及び第１面と第２面との間に接続され、法線ベクトルが第１面及び第２面とは異なる側面を有する基板と、基板に配置され、第１面から側面を経過して第２面に延在するエッジワイヤと、エッジワイヤに配置される第１保護層と、基板に配置され、アンダーカット構造を充填する第２保護層と、を含む。エッジワイヤは基板と第１保護層との間に挟まれ、エッジワイヤと第１保護層はアンダーカット構造を構成する。【選択図】図１６
Description
本発明は電子デバイス及び電子デバイスの製造方法に関する。
電子デバイスの様々な応用に対応するために、様々な製造技術及び製品設計が更新されている。より様々な応用に対応するために、フレームの幅が狭い又はフレームがない製品がさらに次々と提案されている。例えば、フレームの幅が狭い、又はフレームがない製品はさらに面積の大きい機能領域（例えば、表示領域、タッチ領域等）を提供できるほか、スプライシング製品（例えば、スプライシング表示パネル）に適用することができる。
本発明は、エッジワイヤの設計によりフレームを削減した電子デバイスを提供する。
本発明は、側端ワイヤの歩留まりを向上するために、強固な側端ワイヤを製造することができる電子デバイスの製造方法を提供する。
本発明の電子デバイスは、第１面、第２面、及び第１面と第２面との間に接続され、法線ベクトルが第１面及び第２面とは異なる側面、を有する基板と、基板に配置され、第１面から側面を通じて第２面に延在するエッジワイヤと、エッジワイヤに配置される第１保護層と、基板に配置され、アンダーカット構造を充填する第２保護層と、を含む。エッジワイヤは基板と第１保護層との間に挟まれ、エッジワイヤと第１保護層はアンダーカット構造を構成する。
本発明の一実施形態において、上記エッジワイヤは第２保護層に対して内へ縮む。
本発明の一実施形態において、上記第２保護層は第１保護層を包み込む。
本発明の一実施形態において、上記アンダーカット構造はエッジワイヤの周辺に沿って分布される。
本発明の一実施形態において、上記第１保護層は外に向けて徐々に薄くなる厚さを有する。
本発明の一実施形態において、上記電子デバイスはさらに、基板に配置され、エッジワイヤに電気的に接続される駆動回路構造を含む。
本発明の一実施形態において、上記電子デバイスはさらに、基板に配置され、駆動回路構造に電気的に接続される発光素子を含む。
本発明の一実施形態において、上記駆動構造は第１面に配置された第１パッド及び第２面に配置された第２パッドを含み、エッジワイヤは第１パッド及び第２パッドに接続される。
本発明の電子デバイスは、第１面、第２面、及び第１面と第２面との間に接続され、法線ベクトルが第１面及び第２面とは異なる側面を有する基板と、基板に配置され、第１面から側面を経過して第２面に延在するエッジワイヤと、基板に配置され、エッジワイヤを被覆し、エッジワイヤとの間に隙間が存在する保護構造と、を含む。
本発明の一実施形態において、上記隙間は密封の隙間である。
本発明の一実施形態において、上記隙間はエッジワイヤの周辺に沿って分布される。
本発明の一実施形態において、上記電子デバイスは、さらに、基板に配置され、エッジワイヤに電気的に接続される駆動回路構造を含む。
本発明の電子デバイスの製造方法は、基板に連続的に基板の第１面から第1面と第２面の間に接続された側面を経由して第２面に延在する導体材料層を形成するステップと、導体材料層に第１保護層を形成し、第１保護層をマスクとして導体材料層をパターニングすることにより、第１保護層に対して内へ縮んでアンダーカット構造を構成する底縁ワイヤを形成するステップと、基板に第２保護層を形成し、第２保護層によりアンダーカット構造を充填するステップと、を含むが、これに限定されない。
本発明の一実施形態において、上記第１保護層は転写方法で前記導体材料層に形成される。
本発明の一実施形態において、導体材料層を形成する前に、さらに、基板に駆動回路構造を形成し、離型保護層で駆動回路構造の少なくとも一部をカバーする。
本発明の一実施形態において、第２保護層を形成した後、さらに離型保護層を取り除く。
本発明の一実施形態において、第２保護層は、浸漬、スプレー塗装、コーティング又は転写の方法によって基板に形成される。
本発明の一実施形態において、第２保護層を形成する方法は、複数回印刷するステップを含み、複数回印刷するステップによる印刷パターンは少なくとも一部が重ね合せられる。
本発明の一実施形態において、導体材料層をパターニングする方法は、等方性エッチング方法を含む。
本発明の一実施形態において、導体材料層をパターニングするエッチング用腐食液は導体材料層と第１保護層に対して選択性を有する。
上記から分かるように、本発明の実施形態における電子デバイスは基板のエッジに設置されたエッジワイヤを含み、これによって狭いフレームの設計のために電子デバイスのフレームの幅を小さくすることができる。また、エッジワイヤは保護構造によって保護されて損傷され難い。いくつかの実施形態において、保護構造は、エッジワイヤの輪郭を規定するための保護層と、エッジワイヤの側壁を被覆することによりエッジワイヤを密閉する保護層という２つの保護層を含むことができる。このように、エッジワイヤの安定性を向上させることができる。
図１～図４は本発明のいくつかの実施形態の電子デバイスを製造する一部のステップを示す。図１において、基板１１０に駆動回路構造１２０を予め形成する。基板１１０は、一定の機械的強度を有するため、物を積載することができる、複数の膜層及び／又は複数の物を配置するための板状物である。いくつかの実施形態において、基板１１０の材質はガラス、高分子材料、セラミック等を含む。別のいくつかの実施形態において、基板１１０は複数の副層によって積み重ねられてなる多層基板であってもよい。基板１１０は第１面１１２、第２面１１４、及び第１面１１２と第２面１１４との間に接続される側面１１６を有する。ここで、側面１１６の法線方向は第１面１１２及び第２面１１４とは異なる。いくつかの実施形態において、第１面１１２と第２面１１４の法線ベクトルは互いに平行としてもよいが、これに限定されない。例えば、第１面１１２と第２面１１４は、例えば、それぞれＸ方向－Ｙ方向に平行な平面であるが、側面１１６はＹ方向－Ｚ方向に平行な平面である。別のいくつかの実施形態において、側面１１６に設置された部材はその他の側面、例えば、Ｘ方向－Ｚ方向に平行な平面である側面に適用することができる。
駆動回路構造１２０は、いずれも基板１１０の第１面１１２に配置された第１パッド１２２及び画素パッド１２４を含むことができる。いくつかの実施形態において、駆動回路構造１２０は、さらに、第１パッド１２２と画素パッド１２４に電気的に接続される画素回路（図１に示せず）を含むことができる。例えば、画素回路（図１に示せず）は信号線、トランジスタなどの能動素子、キャパシタンス構造などの受動素子等を含むことができるが、これに限定されない。いくつかの実施形態において、画素回路（図１に示せず）は膜層堆積にリソグラフィーエッチングを組合せる方法又は印刷方法を採用して基板１１０の第１面１１２に制作することができる。そのため、上記トランジスタは薄膜トランジスタであってもよく、キャパシタンス構造は導電層と誘電体層が重ね合せられてなってもよい。また、いくつかの実施形態において、駆動回路構造１２０は、さらに、基板１１０の第２面１１４に配置された第２パッド（図１に示せず）及び／又は対応するワイヤを含むことができる。
図１において、第１パッド１２２の数は複数であり、複数の第１パッド１２２はＹ方向に沿って配列設置されてもよい。第１パッド１２２は第１面１１２に位置し、第１パッド１２２の設置位置は画素パッド１２４に比べて、さらに側面１１６に接近する。いくつかの実施形態において、第１パッド１２２の末端Ｔ１２２は側面１１６と第１面１１２の曲がり角１１８に延在されてもよく、さらには側面１１６と位置合わせされても良い。基板１１０には、さらに、画素パッド１２４をカバーし、第１パッド１２２を露出させる離型保護層１３０が形成されている。離型保護層１３０は後続の製造ステップにおいて損傷されず、画素パッド１２４を損傷しない方法を採用して取り除く膜層であってもよい。離型保護層１３０の境界Ｂ１３０と側面１１６はＸ方向において間隔Ｇ１を隔て、第１パッド１２２はこの間隔Ｇ１に位置する。
いくつかの実施形態において、離型保護層１３０は熱硬化材料であってもよい。離型保護層１３０を基板１１０に形成させる方法は、硬化可能なゲル材料を基板１１０にコーティングし、加熱方法で硬化することを含むことができる。その他の実施形態において、離型保護層１３０は光硬化材料又は光－熱硬化材料であってもよい。離型保護層１３０は基板１１０から剥離可能な材料である。いくつかの実施形態において、第２面１１４における損傷させたくない膜層又は素子、例えば、配線又は類似素子を被覆するために、基板１１０の第２面１１４には離型保護層１３０を形成させてもよいが、それに限定されない。
図２において、基板１１０に導体材料層１４０が形成されている。導体材料層１４０は基板１１０の第１面１１２における離型保護層１３０に被覆されていない部分を被覆することができる。導体材料層１４０は離型保護層１３０の一部を被覆することができる。導体材料層１４０は第１面１１２から側面１１６を経過して第２面１１４に連続的に延在することができる。導体材料層１４０はエッジスパッタ法を採用して基板１１０に形成されてもよい。導体材料層１４０の材質は銅、アルミニウム、モリブデン、銀、金、ニッケル、チタン、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ等を含む。導体材料層１４０は第１パッド１２２と接触し第１パッド１２２を直接被覆することができる。第２面１１４にパッド（例えば、第２パッド、未図示）が設置された場合、導体材料層１４０は第２面１１４における第２パッドと接触して直接被覆することができる。
図３において、基板１１０には第１保護層１５０が形成されている。第１保護層１５０は転写方法を採用して基板１１０に制作されても良い。第１保護層１５０はストリップ状のパターンを有することができ、第１保護層１５０は第１面１１２から側面１１６を経過して第２面１１４に連続的に延在することができる。図３に示すように、複数のストリップ状の第１保護層１５０はＹ方向に沿って配列されてもよく、複数のストリップ状の第１保護層１５０は第１パッド１２２に対応して設置されてもよい。いくつかの実施形態において、第１保護層１５０の第１面１１２におけるＺ方向に沿う正投影は第１パッド１２２（対応する第２パッド）の第１面１１２におけるＺ方向に沿う正投影に重ね合わせられてもよい。さらには、第１パッド１２２（対応する第２パッド）の第１面１１２におけるＺ方向に沿う正投影は完全に第１保護層１５０の第１面１１２におけるＺ方向に沿う正投影内に位置してもよい。複数のストリップ状の第１保護層１５０は一対一の形で第１パッド１２２に対応して設置されるため、各第１保護層１５０はいずれも１つの第１パッド１２２のみに重ね合わせられる。いくつかの実施形態において、ストリップ状の第１保護層１５０は、離型保護層１３０の境界Ｂ１３０との間に間隔Ｇ２を隔てる末端Ｔ１５０を有する。そのため、第１保護層１５０と離型保護層１３０は厚さ方向（例えば、Ｚ方向）において互いに重ね合せられない。
いくつかの実施形態において、第１保護層１５０は印刷方法を採用して基板１１０に製造されてもよい。例えば、いくつかの製造工程において、先に、保護層材料を印刷ツールに塗布又は加えた後、印刷ツールにおける保護層材料が導体材料層１４０に付着するように、印刷ツールを基板１１０の側面１１６に当接するように押し付けてもよい。続いて、印刷ツールを取り除いた後、導体材料層１４０に付着された保護層材料に対する硬化ステップを行うことにより第１保護層１５０を形成してもよい。言い換えれば、第１保護層１５０は印圧方法により基板１１０に製造されてもよい。いくつかの実施形態において、印刷ツールはストリップ状に分布された印刷パターンを有することができるため、導体材料層１４０にストリップ状の第１保護層１５０を形成することができる。また、印刷パターンは、例えば、ゴム等の弾性材質を採用して製造されてもよい。印刷ツールが基板１１０の側面１１６に当接する場合、印刷パターンの一部は第１面１１２と第２面１１４における導体材料層１４０に当接され、保護層材料を第１面１１２と第２面１１４における導体材料層１４０に印圧することができる。例えば、印刷ツールは印刷中にＸ方向に沿って基板１１０に向けて移動することにより保護層材料を側面１１６、第１面１１２と第２面１１４における導体材料層１４０に転写することができる。その他の実施形態において、印刷ツールはＸ方向に沿って基板１１０に向けて側面１１６に当接するように移動した後、さらにＹ方向を軸として回転し、対応する保護層材料を第１面１１２と第２面１１４における導体材料層１４０に転写することもできる。
図３の第１保護層１５０の製造を完了した後、第１保護層１５０に被覆されていない導体材料層１４０を取り除いて図４に示されたエッジワイヤ１４２を形成するために、パターニングステップを行うことができる。導体材料層１４０をパターニングする方法は、等方性エッチング方法を含む。例えば、パターニングステップは、例えば、第１保護層１５０に被覆されていない導体材料層１４０をエッチング用腐食液に接触させることである。ここで、導体材料層１４０をパターニングするエッチング用腐食液は導体材料層１４０と第１保護層１５０に対して選択性を有する。即ち、パターニングステップに採用されるエッチング用腐食液は、例えば、第１保護層１５０と反応しない組成物を有するため、第１保護層１５０はエッチングステップにおいてほぼ損傷されない。
図４において、エッジワイヤ１４２は基板１１０に配置され、第１保護層１５０に対応する。エッジワイヤ１４２の数は第１保護層１５０の数と同じであってもよい。各エッジワイヤ１４２はそのうち１つのストリップ状の第１保護層１５０と基板１１０との間に挟まれ、基板１１０の第１面１１２から基板１１０の側面１１６を経過して基板１１０の第２面１１４に延在する。
図５は図４の構造の線Ｉ－Ｉ’に沿う断面図であり、そのうち１つのエッジワイヤの具体的な構造を例として説明するためのものであるが、本開示はそれに限定されない。図５からわかるように、基板１１０の第１面１１２には第１パッド１２２が設置され、基板１１０の第２面１１４には第２パッド１２２’が設置されてもよく、エッジワイヤ１４２は基板１１０の第１面１１２から基板１１０の側面１１６を経過して基板１１０の第２面１１４に延在し、第１保護層１５０はエッジワイヤ１４２の基板１１０から離れた側に設置される。
エッジワイヤ１４２は第１線部１４２Ａ、第２線部１４２Ｂと第３線部１４２Ｃを含むことができる。第１線部１４２Ａは第１面１１２に設置され、例えば、Ｘ方向に沿って第１面１１２と側面１１６との間の曲がり角１１８から第１パッド１２２に向けて延在し、さらには第１パッド１２２を超える。第２線部１４２Ｂは第２面１１４に設置され、例えば、Ｘ方向に沿って第２面１１４と側面１１６との間の曲がり角１１８’から第２パッド１２２’に向けて延在し、さらには第２パッド１２２’を超える。第３線部１４２Ｃは側面１１６に設置され、Ｚ方向に沿って延在して第１線部１４２Ａと第２線部１４２Ｂに接続される。そのため、エッジワイヤ１４２は立体ワイヤであり、立体のＵ形構造を有して基板１１０のエッジを取り囲む。
図３の導体材料層１４０をエッジワイヤ１４２にパターニングするエッチングステップにおいて、導体材料層１４０は、隣接するエッジワイヤ１４２が互いに切断されることを確保するために、過エッチングされてもよい。例えば、過エッチングにより、エッジワイヤ１４２の輪郭は第１保護層１５０の輪郭に対して内へ縮み、アンダーカット構造ＵＣを構成することができる。図５において、第１保護層１５０の末端Ｔ１５０はエッジワイヤ１４２の末端Ｔ１４２に対して離型保護層１３０に向けて突出することができ、又はエッジワイヤ１４２の末端Ｔ１４２は第１保護層１５０の末端Ｔ１５０に対して内へ縮んで、アンダーカット構造ＵＣを構成することができる。また、第１保護層１５０の厚さは均一でなくてもよい。例えば、第１保護層１５０の厚さは輪郭のエッジに接近するほど薄くなってもよい。
図６は図４の領域Ｅの部分拡大図であり、図６の拡大図は図４の構造のＺ方向に沿って見た平面図を示す。図６において、エッジワイヤ１４２は基板１１０の側面１１６からＸ方向に沿って外へ突出することができ、エッジワイヤ１４２の基板１１０に位置する部分は前記第１線部１４２Ａであり、基板１１０の側面１１６からＸ方向に沿って外へ突出した部分は前記第３線部１４２Ｃである。第１保護層１５０はエッジワイヤ１４２を完全に遮蔽するため、第１保護層１５０の第３線部１４２Ｃを被覆する部分も基板１１０の側面１１６からＸ方向に沿って外へ突出する。
図７は図６の線ＩＩ－ＩＩ’の断面構造図である。図６と図７において、エッジワイヤ１４２の第１線部１４２Ａは基板１１０における第１パッド１２２に接触し、完全に第１パッド１２２を被覆することができる。エッジワイヤ１４２の側壁Ｅ１４２は第１保護層１５０の側壁Ｅ１５０に対して内へ縮み、側壁Ｅ１４２に沿うアンダーカット構造ＵＣを構成することができる。図６と図７は主にエッジワイヤ１４２の第１線部１４２Ａの配置設計を示し、図６と図７の設計も第２線部１４２Ｂに適用されることができるため、第２線部１４２Ｂの配置設計については繰り返した説明を省略する。
図８は図４の領域Ｆの部分拡大図であり、図８の拡大図は図４の構造のＸ方向に沿って見た平面図を示し、図８は主にエッジワイヤ１４２の第３線部１４２Ｃの配置設計を示す。図９は図８の線ＩＩＩ－ＩＩＩ’の断面構造図である。図８と図９において、エッジワイヤ１４２の第３線部１４２Ｃは基板１１０の側面１１６に接触し、Ｚ方向に沿って第１面１１２と第２面１１４との間に延在する。エッジワイヤ１４２の側壁Ｅ１４２は第１保護層１５０の側壁Ｅ１５０に対して内へ縮んで側壁Ｅ１４２に沿うアンダーカット構造ＵＣを構成することができる。図５のエッジワイヤ１４２の末端Ｔ１４２に沿うアンダーカット構造ＵＣ、図６のエッジＥ１４２に沿うアンダーカット構造ＵＣ及び図８のエッジＥ１４２に沿うアンダーカット構造ＵＣは連続した一体であってもよい。そのため、アンダーカットＵＣは実質的にエッジワイヤ１４２の輪郭に沿って分布された構造である。また、図５、図７と図９からわかるように、第１保護層１５０は外に向けて徐々に薄くなる厚さを有する。
図１０は本発明のいくつかの実施形態の電子デバイスを製造する一部のステップを示し、図１１は図１０の線ＩＶ－ＩＶ’の断面図である。図１０に示されたステップは主に図４の構造にさらに第２保護層１６０を形成することである。第２保護層１６０は基板１１０に配置され、第１保護層１５０を被覆する。図１０と図１１において、第２保護層１６０は第１保護層１５０を被覆するほか、さらにアンダーカット構造ＵＣを充填するため、第２保護層１６０はエッジワイヤ１４２の末端Ｔ１４２に接触することができる。言い換えれば、第１保護層１５０が第２保護層１６０に密閉されるように、第２保護層１６０は第１保護層を包み込むことができる。第２保護層１６０は、浸漬、スプレー塗装、コーティング又は転写方法によって基板１１０に形成されてもよい。
図１２は図１０の領域Ｇの部分拡大図であり、図１２の拡大図は図１０の構造のＺ方向に沿って見た平面図を示す。図１３は図１２の線Ｖ－Ｖ’の断面図である。図１４は図１０の領域Ｈの部分拡大図であり、図１４の拡大図は図１０の構造のＸ方向に沿って見た側面図を示す。図１５は図１４の線ＶＩ－ＶＩ’の断面図である。図１２～図１６からわかるように、第２保護層１６０は第１保護層１５０を被覆するほか、さらにアンダーカット構造ＵＣを充填するため、第２保護層１６０はエッジワイヤ１４２の末端Ｔ１４２に接触することができる。いくつかの実施形態において、第２保護層１６０は印刷方法（例えば、転写）又は浸潤方法によって製造されてもよい。例えば、第２保護層１６０の製造方法は、保護材料が基板１１０に粘着するように、基板１１０を保護材料の溶液に浸潤し、その後、保護材料が硬化した後、第２保護層１６０を形成してもよい。
第１保護層１５０と第２保護層１６０の材料はポリエステル樹脂（ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ ｒｅｓｉｎｓ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎｓ）、アルキド樹脂（ａｌｋｙｄ ｒｅｓｉｎｓ）、ポリカーボネート樹脂（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ ｒｅｓｉｎｓ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎｓ）、ポリウレタン樹脂（ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ ｒｅｓｉｎｓ）、シリコーン樹脂（ｓｉｌｉｃｏｎｅ ｒｅｓｉｎｓ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎｓ）、ポリエチレン樹脂（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｒｅｓｉｎｓ）、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌｉｃ ｒｅｓｉｎｓ）、ポリスチレン樹脂（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ ｒｅｓｉｎｓ）、ポリプロピレン樹脂（ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｒｅｓｉｎｓ）、又はその他の防水保護効果を有する材料を含むことができる。いくつかの実施形態において、第１保護層１５０と第２保護層１６０は異なる材料によって構成されても良く、又は同じ材料によって構成されてもよい。
図１６は本開示のいくつかの実施形態の電子デバイスを示す図である。図１６の電子デバイス１００は、基板１１０、エッジワイヤ１４２、保護構造１７０及び発光素子１８０を含む。いくつかの実施形態において、電子デバイス１００は図１０の構造から離型保護層１３０（図１０に示す）を取り除いた後、発光素子１８０を画素パッド１２４に接合して構成されたデバイスであってもよい。ここで、保護構造１７０は第１保護層１５０と第２保護層１６０を含むことができる。具体的には、基板１１０、エッジワイヤ１４２、第１保護層１５０と第２保護層１６０の構造設計及び配置関係は前記段落の記述を参照することができ、ここで繰り返した説明を省略する。
基板１１０は第１面１１２、第２面１１４、及び第１面１１２と第２面１１４との間に接続された側面１１６を有し、基板１１０には、さらに、図１に示された、第１パッド１２２、第２パッド１２２’及び画素パッド１２４（図１、図５、図１１を参照）を含むことができる駆動回路構造１２０が設置されてもよい。発光素子１８０は画素パッド１２４に接合される。いくつかの実施形態において、発光素子１８０は、発光ダイオード、例えば、マイクロメーター発光ダイオード、ミリメートル発光ダイオード、又は類似素子を含むことができる。その他の実施形態において、基板１１０には、さらに、タッチ素子、検知素子等のその他の機能の素子が設置されてもよい。
本実施形態において、エッジワイヤ１４２は第１面１１２から側面１１６を経過して第２面１１４に延在する。エッジワイヤ１４２は第１面１１２における第１パッド１２２を第２面１１４における第２パッド（例えば、図５と図１１に示された第２パッド１２２’）に電気的に接続させることができる。また、電子デバイス１００に接合される予定の回路基板又はその他の外部回路構造は、第１面１１２に接合されることなく、第２面１１４における回路又はパッドに接合されてもよい。そのため、第１面１１２の周辺には外部回路構造を接合するために接合用の面積を保留する必要がない。言い換えれば、第１面１１２には発光素子１８０を設置するために大きい面積を保留して、幅の狭いフレームの設計を実現することができる。いくつかの実施形態において、エッジワイヤ１４２の第１面１１２におけるＸ方向に沿って延在する長さは回路基板を接合する時に予め保留する必要のある接合幅より小さい。例えば、電子デバイス１００の第１面１１２におけるフレームの幅Ｗ１００は、例えば、５ミリメートル（５ｍｍ）である。第１面１１２に回路基板を接合する設計に比べ、電子デバイス１００は、さらに小さいフレームの幅を有することができ、さらには、ユーザが簡単に識別できないフレームの幅を有する。そのため、電子デバイス１００はスプライシングディスプレーに適用されてもよく、その他の電子デバイス１００とスプライスされる時、ユーザはスプライシングエッジの存在を見つけにくい。また、電子デバイス１００はその他の極めて小さい幅のフレームに適用されてもよく、さらにはフレームのない設計に適用されてもよい。
保護構造１７０はエッジワイヤ１４２を被覆する。前記のとおり、保護構造１７０は第１保護層１５０と第２保護層１６０を含む。第１保護層１５０はエッジワイヤ１４２を遮蔽し、エッジワイヤ１４２の輪郭は第１保護層１５０に比べて内へ縮む。第２保護層１６０は第１保護層１５０を被覆し、第１保護層１５０、エッジワイヤ１４２と基板１１０によって構成されたアンダーカット構造（図４と図１４に記載のアンダーカット構造ＵＣ）に充填される。
図１７は本開示のいくつかの実施形態の図１６の線ＶＩＩ－ＶＩＩ’に沿う断面図であり、図１８は図１６の線ＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ’に沿う断面図である。図１７と図１８において、保護構造１７０の第１保護層１５０と第２保護層１６０は、例えば、同じ材質で製造される。図１７と図１８に示すように、第１保護層１５０と第２保護層１６０が同じ材料である時、第１保護層１５０と第２保護層１６０との接合部は、点線に示されたように、明らかでない。この時、保護構造１７０は大体一体に成形された構造であってもよい。第２保護層１６０を製造する時、アンダーカット構造ＵＣのサイズ及び保護材料の特性に基づき、第２保護層１６０は、第１保護層１５０、エッジワイヤ１４２と基板１１０によって構成されたアンダーカット構造ＵＣを完全に充填せず、アンダーカット構造ＵＣに隙間ＶＤを形成する可能性がある。
隙間ＶＤはエッジワイヤ１４２の輪郭に沿って分散され、保護構造１７０とエッジワイヤ１４２との間に存在されてもよい。隙間ＶＤは第１保護層１５０のエッジワイヤ１４２から突出する局部の底面Ｂ１５０とエッジワイヤ１４２の側壁Ｅ１４２との間に位置することができる。隙間ＶＤは基板１１０の第１面１１２とエッジワイヤ１４２の側壁Ｅ１４２との間に位置することができる。隙間ＶＤは密封隙間であり、基板１１０、エッジワイヤ１４２と保護構造１７０との間に密封されてもよい。いくつかの実施形態において、第１保護層１５０と第２保護層１６０が異なる材料である時、基板１１０、エッジワイヤ１４２と保護構造１７０との間に隙間ＶＤが存在してもよい。この時、隙間ＶＤは大体基板１１０、エッジワイヤ１４２、第１保護層１５０と第２保護層１６０との間に分布されることができる。
図１９はいくつかの実施形態による図１６の電子デバイスの線ＶＩＩ－ＶＩＩ’の延長線に沿う断面図である。図１９において、電子デバイス１００は、基板１１０、第１パッド１２２、第２パッド１２２’、エッジワイヤ１４２、保護構造１７０を構成することができる第１保護層１５０及び第２保護層１６０を含む。図１９の実施形態に示すように、第２保護層１６０は平らな外面Ｓ１６０とＳ１６０’を有する平坦層であることができる。第２保護層１６０の外面Ｓ１６０は第２保護層１６０の第１面１１２に設置された部分の基板１１０から離れた面である。第２保護層１６０の外面Ｓ１６０’は第２保護層１６０の第２面１１４に設置された部分の基板１１０から離れた面である。外面Ｓ１６０とＳ１６０’は第１面１１２と第２面１１４に大体平行であってもよく、即ち、外面Ｓ１６０とＳ１６０’は大体Ｘ方向とＹ方向の平面に沿って延在することができる。
図２０はいくつかの実施形態による図１６の電子デバイスの線ＶＩＩ－ＶＩＩ’の延長線に沿う断面図である。図２０において、電子デバイス１００は、基板１１０、第１パッド１２２、第２パッド１２２’、エッジワイヤ１４２、保護構造１７０を構成することができる第１保護層１５０及び第２保護層１６０を含む。図２０の実施形態に示すように、第２保護層１６０は波形の外面Ｓ１６０とＳ１６０’を有することができる。外面Ｓ１６０と外面Ｓ１６０’は、例えば、エッジワイヤ１４２に分布されると共に起伏する。即ち、外面Ｓ１６０は、エッジワイヤ１４２に対応する所で基板１１０から遠く離れており、エッジワイヤ１４２の間隔Ｇ１４２の所で基板１１０に近接する。いくつかの実施形態において、第２保護層１６０は印刷方法を採用して基板１１０に製造されてもよい。
例えば、第２保護層１６０は、複数の第１印刷パターン１６２Ａと複数の第２印刷パターン１６２Ｂを含むことができる。これらの第１印刷パターン１６２Ａは、同じ印刷ツールを採用して同じ印刷ステップにおいて基板１１０に製造されてもよく、同様に、第２印刷パターン１６２Ｂも同じ印刷ツールで同じ印刷ステップにおいて基板１１０に製造されたものである。第１印刷パターン１６２Ａと第２印刷パターン１６２Ｂは、同じ印刷ツールを採用するが、異なる印刷ステップにおいて基板１１０に製造されることができる。即ち、第２保護層１６０を形成する方法は、複数回の印刷ステップを行うことを含むが、本開示はそれに限定されない。第１印刷パターン１６２Ａは互いに間隔が開けられ、第２印刷パターン１６２Ｂも互いに間隔が開けられる。第１印刷パターン１６２Ａと第２印刷パターン１６２Ｂは少なくとも一部重ね合せられている。第１印刷パターン１６２Ａと第２印刷パターン１６２Ｂは交互に分布され、Ｙ方向に沿って連続的に分布されている第２保護層１６０を構成することができる。
図２１はいくつかの実施形態による図１６の電子デバイスの線ＶＩＩ－ＶＩＩ’の延長線に沿う断面図である。図２１において、電子デバイス１００は、基板１１０、第１パッド１２２、第２パッド１２２’、エッジワイヤ１４２、保護構造１７０を構成することができる第１保護層１５０と第２保護層１６０を含む。図２０の実施形態に示すように、第２保護層１６０は波形の外面Ｓ１６０とＳ１６０’を有することができる。外面Ｓ１６０と外面Ｓ１６０’の起伏頻度は、エッジワイヤ１４２の分布と交互する。即ち、外面Ｓ１６０は、エッジワイヤ１４２に対応する所で基板１１０に接近し、エッジワイヤ１４２の間隔Ｇ１４２の所で基板１１０から遠く離れる。図２１の第２保護層１６０の製造方法は、図２０の第２保護層１６０の製造方法と大体同じであるため、ここで繰り返した説明を省略する。言い換えれば、第２保護層１６０は複数回印刷する方法を採用して基板１１０に製造されてもよい。複数回印刷する方法は印刷パターンと印刷パターンを互いに一部重ね合せることができ、これは第２保護層１６０の連続性を確定するのに役に立つ。そのため、第２保護層１６０は確実にエッジワイヤ１４２を被覆し、理想的な保護遮断効果に達することができる。例えば、第２保護層１６０はエッジワイヤ１４２が外部の水分の影響を受けて変質又は酸化しないように確保することができる。
図２２はいくつかの実施形態による図１６の電子デバイスの線ＶＩＩ－ＶＩＩ’の延長線に沿う断面図である。図２２において、電子デバイス１００は、基板１１０、第１パッド１２２、第２パッド１２２’、エッジワイヤ１４２、保護構造１７０を構成することができる第１保護層１５０と第２保護層１６０を含む。第２保護層１６０は、複数の第１印刷パターン１６２Ａと複数の第２印刷パターン１６２Ｂを含むことができ、第１印刷パターン１６２Ａと第２印刷パターン１６２Ｂとの間隔Ｐ１６０は第１保護層１５０の間隔Ｐ１５０より大きくてもよい。例えば、図２２において、間隔Ｐ１６０は間隔Ｐ１５０の２倍であることができるが、それに限定されない。図２２の第２保護層１６０の製造方法は図２０の第２保護層１６０の製造方法と大体同じであってもよく、ここで繰り返した説明を省略する。言い換えれば、第２保護層１６０は複数回印刷する方法を採用して基板１１０に製造されてもよい。複数回印刷する方法は印刷パターンと印刷パターンを互いに一部重ね合せることができ、これは第２保護層１６０の連続性を確定するのに役に立つ。そのため、第２保護層１６０は確実にエッジワイヤ１４２を被覆し、理想的な保護遮断効果に達することができる。例えば、第２保護層１６０はエッジワイヤ１４２が外部の水分の影響を受けて変質又は酸化しないように確保することができる。
要するに、本発明の実施形態の電子デバイスは基板のエッジに基板の第１面から側面を経過して、第２面に延在するエッジワイヤが設置されている。電子デバイスに接合する予定の回路構造、例えば、回路基板等は、電子デバイスの第２面に接合されてもよい。このように、電子デバイスの第１面の周辺には外部回路構造に接合する予定の接合領域を保留する必要なく、幅の狭いフレーム又はフレームのない設計を達成可能である。また、エッジワイヤは保護構造に被覆されエッジワイヤの信頼性を確保することができる。保護構造は、エッジワイヤを密閉して外部の水分によってエッジワイヤが酸化又は変質されることを回避することができる。そのため、電子デバイスは良好な品質を有する。
１００ 電子デバイス
１１０ 基板
１１２ 第１面
１１４ 第２面
１１６ 側面
１１８ 曲がり角
１２０ 駆動回路構造
１２２ 第１パッド
１２２’ 第２パッド
１２４ 画素パッド
１３０ 離型保護層
１４０ 導体材料層
１４２ エッジワイヤ
１４２Ａ 第１線部
１４２Ｂ 第２線部
１４２Ｃ 第３線部
１５０ 第１保護層
１６０ 第２保護層
１６２Ａ 第１印刷パターン
１６２Ｂ 第２印刷パターン
１７０ 保護構造
１８０ 発光素子
Ｂ１３０ 境界
Ｂ１５０ 底面
Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ 領域
Ｅ１４２、Ｅ１５０ 側壁
Ｇ１、Ｇ２、Ｇ１４２ 間隔
Ｉ－Ｉ’、ＩＩ－ＩＩ’、ＩＩＩ－ＩＩＩ’、ＩＶ－ＩＶ’、Ｖ－Ｖ’、ＶＩ－ＶＩ’、ＶＩＩ－ＶＩＩ’、ＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ’ 線
Ｐ１５０、Ｐ１６０ 間隔
Ｓ１６０、Ｓ１６０’ 外面
Ｔ１２２、Ｔ１５０ 末端
ＵＣ アンダーカット構造
ＶＤ 隙間
Ｗ１００ フレームの幅
Ｘ、Ｙ、Ｚ 方向
１１０ 基板
１１２ 第１面
１１４ 第２面
１１６ 側面
１１８ 曲がり角
１２０ 駆動回路構造
１２２ 第１パッド
１２２’ 第２パッド
１２４ 画素パッド
１３０ 離型保護層
１４０ 導体材料層
１４２ エッジワイヤ
１４２Ａ 第１線部
１４２Ｂ 第２線部
１４２Ｃ 第３線部
１５０ 第１保護層
１６０ 第２保護層
１６２Ａ 第１印刷パターン
１６２Ｂ 第２印刷パターン
１７０ 保護構造
１８０ 発光素子
Ｂ１３０ 境界
Ｂ１５０ 底面
Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ 領域
Ｅ１４２、Ｅ１５０ 側壁
Ｇ１、Ｇ２、Ｇ１４２ 間隔
Ｉ－Ｉ’、ＩＩ－ＩＩ’、ＩＩＩ－ＩＩＩ’、ＩＶ－ＩＶ’、Ｖ－Ｖ’、ＶＩ－ＶＩ’、ＶＩＩ－ＶＩＩ’、ＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ’ 線
Ｐ１５０、Ｐ１６０ 間隔
Ｓ１６０、Ｓ１６０’ 外面
Ｔ１２２、Ｔ１５０ 末端
ＵＣ アンダーカット構造
ＶＤ 隙間
Ｗ１００ フレームの幅
Ｘ、Ｙ、Ｚ 方向
Claims (20)
- 第１面、第２面、前記第１面と前記第２面との間に接続され、法線ベクトルが前記第１面及び前記第２面とは異なる側面を有する基板と、
前記基板に配置され、前記第１面から前記側面を経過して前記第２面に延在するエッジワイヤと、
前記エッジワイヤに配置されている第１保護層と、
前記基板に配置され、アンダーカット構造を充填する第２保護層と、
を含み、
前記エッジワイヤは前記基板と前記第１保護層との間に挟まれ、前記エッジワイヤと前記第１保護層は前記アンダーカット構造を構成する、ことを特徴とする電子デバイス。 - 前記エッジワイヤは前記第２保護層に対して内側に縮んでいる、ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
- 前記第２保護層は前記第１保護層を包み込む、ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
- 前記アンダーカット構造は前記エッジワイヤの周辺に沿って分布されている、ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
- 前記第１保護層は外に向けて徐々に薄くなる厚さを有する、ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
- 前記基板に配置され、前記エッジワイヤに電気的に接続される駆動回路構造をさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
- 前記基板に配置され、前記駆動回路構造に電気的に接続される発光素子をさらに含む、ことを特徴とする請求項６に記載の電子デバイス。
- 前記駆動回路構造は前記第１面に配置された第１パッド及び前記第２面に配置された第２パッドを含み、前記エッジワイヤは前記第１パッド及び前記第２パッドに接続されている、ことを特徴とする請求項６に記載の電子デバイス。
- 第１面、第２面、前記第１面と前記第２面との間に接続され、法線ベクトルが前記第１面及び前記第２面とは異なる側面を有する基板と、
前記基板に配置され、前記第１面から前記側面を経過して前記第２面に延在するエッジワイヤと、
前記基板に配置され、前記エッジワイヤを被覆し、前記エッジワイヤとの間に隙間が存在する保護構造と、を含む、ことを特徴とする電子デバイス。 - 前記隙間は密閉隙間である、ことを特徴とする請求項９に記載の電子デバイス。
- 前記隙間は前記エッジワイヤの周辺に沿って分布される、ことを特徴とする請求項９に記載の電子デバイス。
- 前記基板に配置され、前記エッジワイヤに電気的に接続される駆動回路構造をさらに含む、ことを特徴とする請求項９に記載の電子デバイス。
- 基板に、連続的に前記基板の第１面から前記第１面と第２面との間に接続される側面を経過して前記第２面に延在する導体材料層を形成することと、
前記導体材料層に第１保護層を形成し、前記第１保護層に対して内へ縮んでアンダーカット構造を構成するエッジワイヤを形成するために、前記第１保護層をマスクとして前記導体材料層をパターニングすることと、
前記基板に前記アンダーカット構造を充填する第２保護層を形成することと、を含む、ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 前記第１保護層は転写方法によって前記導体材料層に形成される、ことを特徴とする請求項１３に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記導体材料層を形成する前に、前記基板に駆動回路構造を形成し、離型保護層によって前記駆動回路構造の少なくとも一部を被覆すること、をさらに含む、ことを特徴とする請求項１３に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記第２保護層を形成した後、前記離型保護層を取り除くことをさらに含むことを、特徴とする請求項１５に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記第２保護層は、浸漬、スプレー塗装、コーティング又は転写方法によって前記基板に形成される、ことを特徴とする請求項１３に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記第２保護層を形成する方法は、複数回印刷するステップを含み、前記複数回印刷するステップによる転写パターンは少なくとも一部重ね合せられている、ことを特徴とする請求項１３に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記導体材料層をパターニングする方法は、等方性エッチング方法を含む、ことを特徴とする請求項１３に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記導体材料層をパターニングするエッチング用腐食液は前記導体材料層と前記第１保護層に対して選択性を有する、ことを特徴とする請求項１３に記載の電子デバイスの製造方法。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150122623A1 (en) * | 2013-11-04 | 2015-05-07 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Touch panel and method of manufacturing the same |
| US9351400B1 (en) * | 2013-02-21 | 2016-05-24 | Apple Inc. | Electrical connections between conductive contacts |
| CN109739057A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及显示基板的绑定方法 |
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| WO2019167966A1 (ja) * | 2018-02-28 | 2019-09-06 | 京セラ株式会社 | 表示装置、ガラス基板およびガラス基板の製造方法 |
| JP2020154278A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | テトス カンパニー，リミテッド | Ｌｅｄディスプレイモジュール |
Family Cites Families (17)
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|---|---|---|---|---|
| JP3607647B2 (ja) * | 2001-08-09 | 2005-01-05 | 株式会社東芝 | マトリックス型表示パネル |
| US7276453B2 (en) * | 2004-08-10 | 2007-10-02 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Methods for forming an undercut region and electronic devices incorporating the same |
| CN105144364B (zh) * | 2013-04-25 | 2018-01-09 | 夏普株式会社 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 |
| JP2015175969A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 日本放送協会 | タイル型ディスプレイ及びその作製方法 |
| KR102299875B1 (ko) * | 2014-11-07 | 2021-09-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 패널, 이의 제조 방법 및 터치 패널 일체형 유기 발광 표시 장치 |
| US9882096B2 (en) * | 2015-03-18 | 2018-01-30 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting diode structure and method for manufacturing the same |
| KR20180077767A (ko) * | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치 |
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| KR102515399B1 (ko) * | 2017-12-12 | 2023-03-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 배선 필름 및 그를 포함한 표시 장치 |
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| US11538406B2 (en) * | 2019-11-28 | 2022-12-27 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display panel and spliced screen |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9351400B1 (en) * | 2013-02-21 | 2016-05-24 | Apple Inc. | Electrical connections between conductive contacts |
| US20150122623A1 (en) * | 2013-11-04 | 2015-05-07 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Touch panel and method of manufacturing the same |
| WO2019147888A1 (en) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | Corning Incorporated | Edge conductors |
| WO2019167966A1 (ja) * | 2018-02-28 | 2019-09-06 | 京セラ株式会社 | 表示装置、ガラス基板およびガラス基板の製造方法 |
| CN109739057A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及显示基板的绑定方法 |
| JP2020154278A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | テトス カンパニー，リミテッド | Ｌｅｄディスプレイモジュール |
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