JP2022027760A - 表示装置及び表示方法 - Google Patents
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Abstract
Description
に限定されない。本明細書等で開示する発明の技術分野は、物、方法、または、製造方法
に関するものである。または、本発明の一形態は、プロセス、マシン、マニュファクチャ
、または、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関するものである。
全般を指す。表示装置、発光装置、記憶装置、電気光学装置、半導体回路及び電子機器は
、半導体装置を有する場合がある。
して有機ELディスプレイが注目されている。有機EL(Electro Lumine
scence)ディスプレイは視認性に優れ、フレキシブルディスプレイへの応用も可能
である。
さに対する感度が高く、特に青に対する感度が高いと言われている(非特許文献1)。
に用いる技術が注目されている。酸化物半導体トランジスタはオフ電流が非常に小さい。
そのことを利用して、静止画像を表示する際のリフレッシュ頻度を少なくし、液晶ディス
プレイや有機ELディスプレイの消費電力を低減する技術が開示されている(特許文献1
、特許文献2)。
れている。上記情報端末に有機ELディスプレイを用いた場合、視認性を向上させるため
にディスプレイの輝度を上げると、EL素子に流れる電流が増え、消費電力が増大する。
特に、青色のEL素子の消費電力が他の色よりも大きい。
一形態は、表示装置の視認性を上げるための制御プログラムを提供することを課題の一と
する。本発明の一形態は、消費電力の小さい表示装置を提供することを課題の一とする。
本発明の一形態は、新規な表示装置を提供することを課題の一とする。また、本発明の一
形態は、新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
形態は、これらの課題の全て解決する必要はない。また、列記した以外の課題が、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、これらの課題も、本発
明の一形態の課題となり得る。
タッチを検出する機能を有する。表示領域は第1領域と、表示領域から第1領域を除いた
第2領域と、を有する。第1領域は、使用者がタッチしている点を含む。第2領域におけ
る青色の輝度は、第1領域における青色の輝度よりも低いことが好ましい。
タッチを検出する機能を有する。表示領域において、使用者がタッチしている点を第1点
とし、使用者が第1点をタッチする前にタッチしていた点を第2点とし、第1点を始点と
し第2点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし、第1ベクトルのk倍(kは実数)を
第2ベクトルとし、第1点を第2ベクトル移動させた位置にある点を第3点とする。表示
領域は第1領域と、表示領域から第1領域を除いた第2領域と、を有する。第1領域は、
第1点を中心とする第1円と、第3点を中心とする第2円を含む。第1領域は第2領域よ
りも輝度が高いことが好ましい。
タッチを検出する機能を有する。表示領域において、使用者がタッチしている2点のうち
、一方を第1点、他方を第2点とし、使用者が2点をタッチする前にタッチしていた2点
のうち、一方を第3点、他方を第4点とし、第1点を始点とし第3点を終点とするベクト
ルを第1ベクトルとし、第2点を始点とし第4点を終点とするベクトルを第2ベクトルと
し、第1ベクトルのk倍(kは実数)を第3ベクトルとし、第2ベクトルのk倍を第4ベ
クトルとし、第1点を第3ベクトル移動させた位置にある点を第5点とし、第2点を第4
ベクトル移動させた位置にある点を第6点とする。表示領域は第1領域と、表示領域から
第1領域を除いた第2領域と、を有する。第1領域は、第1点および第2点を焦点とする
第1楕円と、第5点および第6点を焦点とする第2楕円と、を含む。第1領域は第2領域
よりも輝度が高いことが好ましい。
タッチを検出する機能を有する。表示領域は複数の行からなるテキストと、背景と、を表
示する。表示領域は第1領域と、表示領域から第1領域を除いた第2領域と、を有する。
第1領域は、複数の行のうち、使用者がタッチしている点から最も近い位置にある行を含
む。第1領域の背景の輝度は第2領域の背景の輝度よりも高いことが好ましい。
タッチを検出する機能を有する。表示領域は、複数の行からなるテキストと、背景と、を
表示する。表示領域において、使用者がタッチしている点を第1点とし、使用者が第1点
をタッチする前にタッチしていた点を第2点とし、第1点を始点とし第2点を終点とする
ベクトルを第1ベクトルとし、第1ベクトルのk倍(kは実数)を第2ベクトルとし、第
1点を第2ベクトル移動させた位置にある点を第3点とする。表示領域は第1領域と、表
示領域から第1領域を除いた第2領域と、を有する。第1領域は、複数の行のうち第1点
から最も近い行と、複数の行のうち第3点から最も近い行と、を含む。第1領域の背景の
輝度は、第2領域の背景の輝度よりも高いことが好ましい。
タッチを検出する機能を有する。表示領域は、複数の行からなるテキストと、背景と、を
表示する。表示領域において、使用者がタッチしている2点のうち、一方を第1点、他方
を第2点とし、使用者が2点をタッチする前にタッチしていた2点のうち、一方を第3点
、他方を第4点とし、第1点を始点とし第3点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし
、第2点を始点とし第4点を終点とするベクトルを第2ベクトルとし、第1ベクトルのk
倍(kは実数)を第3ベクトルとし、第2ベクトルのk倍を第4ベクトルとし、第1点を
第3ベクトル移動させた位置にある点を第5点とし、第2点を第4ベクトル移動させた位
置にある点を第6点とする。表示領域は第1領域と、表示領域から第1領域を除いた第2
領域と、を有する。第1領域は、複数の行のうち第1点から最も近い行と、複数の行のう
ち第2点から最も近い行と、複数の行のうち第5点から最も近い行と、複数の行のうち第
6点から最も近い行と、を含む。第1領域の背景の輝度は、第2領域の背景の輝度よりも
高いことが好ましい。
低いことが好ましい。
を有する。表示領域は第1領域と、表示領域から第1領域を除いた第2領域と、を有する
。第1領域は、使用者がタッチしている点を含む。第1領域は第2領域よりも輝度が高い
ことが好ましい。第1領域において発光素子を用いて表示を行い、第2領域において反射
素子を用いて表示を行うことが好ましい。
を有する。表示領域において、使用者がタッチしている点を第1点とし、使用者が第1点
をタッチする前にタッチしていた点を第2点とし、第1点を始点とし第2点を終点とする
ベクトルを第1ベクトルとし、第1ベクトルのk倍(kは実数)を第2ベクトルとし、第
1点を第2ベクトル移動させた位置にある点を第3点とする。表示領域は第1領域と、表
示領域から第1領域を除いた第2領域と、を有する。第1領域は、第1点を中心とする第
1円と、第3点を中心とする第2円を含む。第1領域は第2領域よりも輝度が高いことが
好ましい。第1領域において発光素子を用いて表示を行い、第2領域において反射素子を
用いて表示を行うことが好ましい。
を有する。表示領域において、使用者がタッチしている2点のうち、一方を第1点、他方
を第2点とし、使用者が2点をタッチする前にタッチしていた2点のうち、一方を第3点
、他方を第4点とし、第1点を始点とし第3点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし
、第2点を始点とし第4点を終点とするベクトルを第2ベクトルとし、第1ベクトルのk
倍(kは実数)を第3ベクトルとし、第2ベクトルのk倍を第4ベクトルとし、第1点を
第3ベクトル移動させた位置にある点を第5点とし、第2点を第4ベクトル移動させた位
置にある点を第6点とする。表示領域は第1領域と、表示領域から第1領域を除いた第2
領域と、を有する。第1領域は、第1点および第2点を焦点とする第1楕円と、第5点お
よび第6点を焦点とする第2楕円と、を含む。第1領域は第2領域よりも輝度が高いこと
が好ましい。第1領域において発光素子を用いて表示を行い、第2領域において反射素子
を用いて表示を行うことが好ましい。
を有する。表示領域は複数の行からなるテキストと、背景と、を表示する。表示領域は第
1領域と、表示領域から第1領域を除いた第2領域と、を有する。第1領域は、複数の行
のうち、使用者がタッチしている点から最も近い位置にある行を含む。第1領域の背景の
輝度は第2領域の背景の輝度よりも高いことが好ましい。第1領域において発光素子を用
いて表示を行い、第2領域において反射素子を用いて表示を行うことが好ましい。
を有する。表示領域は、複数の行からなるテキストと、背景と、を表示する。表示領域に
おいて、使用者がタッチしている点を第1点とし、使用者が第1点をタッチする前にタッ
チしていた点を第2点とし、第1点を始点とし第2点を終点とするベクトルを第1ベクト
ルとし、第1ベクトルのk倍(kは実数)を第2ベクトルとし、第1点を第2ベクトル移
動させた位置にある点を第3点とし、表示領域は第1領域と、表示領域から第1領域を除
いた第2領域と、を有する。第1領域は、複数の行のうち第1点から最も近い行と、複数
の行のうち第3点から最も近い行と、を含む。第1領域の背景の輝度は、第2領域の背景
の輝度よりも高いことが好ましい。第1領域において発光素子を用いて表示を行い、第2
領域において反射素子を用いて表示を行うことが好ましい。
を有する。表示領域は、複数の行からなるテキストと、背景と、を表示する。表示領域に
おいて、使用者がタッチしている2点のうち、一方を第1点、他方を第2点とし、使用者
が2点をタッチする前にタッチしていた2点のうち、一方を第3点、他方を第4点とし、
第1点を始点とし第3点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし、第2点を始点とし第
4点を終点とするベクトルを第2ベクトルとし、第1ベクトルのk倍(kは実数)を第3
ベクトルとし、第2ベクトルのk倍を第4ベクトルとし、第1点を第3ベクトル移動させ
た位置にある点を第5点とし、第2点を第4ベクトル移動させた位置にある点を第6点と
する。表示領域は第1領域と、表示領域から第1領域を除いた第2領域と、を有する。第
1領域は、複数の行のうち第1点から最も近い行と、複数の行のうち第2点から最も近い
行と、複数の行のうち第5点から最も近い行と、複数の行のうち第6点から最も近い行と
、を含む。第1領域の背景の輝度は、第2領域の背景の輝度よりも高いことが好ましい。
第1領域において発光素子を用いて表示を行い、第2領域において反射素子を用いて表示
を行うことが好ましい。
低いことが好ましい。
タッチを検出する機能を有する。表示領域は第1領域と、表示領域から第1領域を除いた
第2領域と、を有する。第1領域は、使用者がタッチしている点を含む。第2領域におけ
る青色の輝度は、第1領域における青色の輝度よりも低いことが好ましい。
タッチを検出する機能を有する。表示領域において、使用者がタッチしている点を第1点
とし、使用者が第1点をタッチする前にタッチしていた点を第2点とし、第1点を始点と
し第2点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし、第1ベクトルのk倍(kは実数)を
第2ベクトルとし、第1点を第2ベクトル移動させた位置にある点を第3点とする。表示
領域は第1領域と、表示領域から第1領域を除いた第2領域と、を有する。第1領域は、
第1点を中心とする第1円と、第3点を中心とする第2円を含む。第1領域は第2領域よ
りも輝度が高いことが好ましい。
タッチを検出する機能を有する。表示領域において、使用者がタッチしている2点のうち
、一方を第1点、他方を第2点とし、使用者が2点をタッチする前にタッチしていた2点
のうち、一方を第3点、他方を第4点とし、第1点を始点とし第3点を終点とするベクト
ルを第1ベクトルとし、第2点を始点とし第4点を終点とするベクトルを第2ベクトルと
し、第1ベクトルのk倍(kは実数)を第3ベクトルとし、第2ベクトルのk倍を第4ベ
クトルとし、第1点を第3ベクトル移動させた位置にある点を第5点とし、第2点を第4
ベクトル移動させた位置にある点を第6点とする。表示領域は第1領域と、表示領域から
第1領域を除いた第2領域と、を有する。第1領域は、第1点および第2点を焦点とする
第1楕円と、第5点および第6点を焦点とする第2楕円と、を含む。第1領域は第2領域
よりも輝度が高いことが好ましい。
タッチを検出する機能を有する。表示領域は複数の行からなるテキストと、背景と、を表
示する。表示領域は第1領域と、表示領域から第1領域を除いた第2領域と、を有する。
第1領域は、複数の行のうち、使用者がタッチしている点から最も近い位置にある行を含
む。第1領域の背景の輝度は第2領域の背景の輝度よりも高いことが好ましい。
タッチを検出する機能を有する。表示領域は、複数の行からなるテキストと、背景と、を
表示する。表示領域において、使用者がタッチしている点を第1点とし、使用者が第1点
をタッチする前にタッチしていた点を第2点とし、第1点を始点とし第2点を終点とする
ベクトルを第1ベクトルとし、第1ベクトルのk倍(kは実数)を第2ベクトルとし、第
1点を第2ベクトル移動させた位置にある点を第3点とする。表示領域は第1領域と、表
示領域から第1領域を除いた第2領域と、を有する。第1領域は、複数の行のうち第1点
から最も近い行と、複数の行のうち第3点から最も近い行と、を含む。第1領域の背景の
輝度は、第2領域の背景の輝度よりも高いことが好ましい。
タッチを検出する機能を有する。表示領域は、複数の行からなるテキストと、背景と、を
表示する。表示領域において、使用者がタッチしている2点のうち、一方を第1点、他方
を第2点とし、使用者が2点をタッチする前にタッチしていた2点のうち、一方を第3点
、他方を第4点とし、第1点を始点とし第3点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし
、第2点を始点とし第4点を終点とするベクトルを第2ベクトルとし、第1ベクトルのk
倍(kは実数)を第3ベクトルとし、第2ベクトルのk倍を第4ベクトルとし、第1点を
第3ベクトル移動させた位置にある点を第5点とし、第2点を第4ベクトル移動させた位
置にある点を第6点とする。表示領域は第1領域と、表示領域から第1領域を除いた第2
領域と、を有する。第1領域は、複数の行のうち第1点から最も近い行と、複数の行のう
ち第2点から最も近い行と、複数の行のうち第5点から最も近い行と、複数の行のうち第
6点から最も近い行と、を含む。第1領域の背景の輝度は、第2領域の背景の輝度よりも
高いことが好ましい。
低いことが好ましい。
態により、表示装置の視認性を上げるための制御プログラムを提供することができる。本
発明の一形態により、消費電力の小さい表示装置を提供することができる。本発明の一形
態により、新規な表示装置を提供することができる。また、本発明の一形態により、新規
な半導体装置を提供することができる。
形態は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、
図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項な
どの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
る形態で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、
以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を
模式的に示したものであり、図面に示す形状または値などに限定されない。
の実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、互いに構成例を適宜組み合わせる
ことが可能である。
本実施の形態は、本発明の一形態である表示装置について説明を行う。
よびタッチパネルとしての機能を有する。(図1(A)参照)。
使用者は、表示領域30をタッチすることで、入力を行うことができる。本明細書では、
指で表示領域30をタッチする例を示すが、指の代わりにスタイラスでタッチを行っても
よい。
図1(A)は表示領域30に、使用者が1本の指でタッチしている場合を示している。指
でタッチを行うと、タッチした点を中心とする円(領域31)が明るく発光する(領域3
1の輝度が高くなる)。
)よりも輝度が高いことが好ましい。領域31の輝度が高くなることで、タッチした点の
周辺の視認性を向上させることができる。また、領域31の輝度を選択的に上げることで
、表示領域30全体の輝度を上げる場合よりも消費電力を低減させることができる。
イドさせた場合の一例を示している。領域31は指のスライドに合わせて移動する。
イドさせた場合の一例を示している。図1(C)が図1(B)と異なる点は、領域31が
、指がタッチしている点とその周辺だけでなく、指の移動方向(図中黒矢印)と反対の領
域(指の斜め左上の領域)も含む点である。
イドさせた場合の例を示している。図1(D)が図1(B)と異なる点は、領域31が、
指がタッチしている点とその周辺だけでなく、指の移動方向(図中黒矢印)とその周辺の
領域(指の斜め右下の領域)も含む点である。
ている。2本の指でタッチを行うと、タッチした2点を焦点とする楕円状の領域32の輝
度が高くなる。
)よりも、輝度が高いことが好ましい。領域32の輝度が高くなることで、タッチした点
の周辺の視認性を向上させることができる。また、領域32の輝度を選択的に上げること
で、表示領域30全体の輝度を上げる場合よりも消費電力を低減させることができる。
指を左にスライドさせ、さらに2本の指の間隔を拡げた(楕円の焦点間距離を拡げた)一
例を示している。領域32は2本の指に合わせて移動し拡大される。
指を右にスライドさせ、さらに2本の指の間隔を拡げた一例を示している。図2(C)が
図2(B)と異なる点は、領域32が、2本の指の移動方向(図中黒矢印)と反対の領域
(2本の指の左側の領域)も含む点である。
指を左にスライドさせ、さらに2本の指の間隔を拡げた一例を示している。図2(D)が
図2(B)と異なる点は、領域32が、2本の指の移動方向(図中黒矢印)とその周辺の
領域(2本の指の左側の領域)も含む点である。
36に示す。
している。3本の指でタッチを行うと、タッチした3点を含む領域32の輝度が領域42
の輝度よりも高くなる。
本の指の間隔を拡げた例を示している。領域32は3本の指に合わせて拡大される。
している。4本の指でタッチを行うと、タッチした4点を含む領域32の輝度が領域42
の輝度よりも高くなる。
本の指の間隔を拡げた例を示している。領域32は4本の指に合わせて拡大される。
げ、視認性を向上させることができる。
図3は表示装置10の構成例を示すブロック図である。表示装置10は、ホスト11と、
ディスプレイコントローラ12と、表示パネル13と、タッチパネルコントローラ14と
、タッチパネル15を有する。表示パネル13は、ディスプレイドライバIC(以下、D
DI)16と、表示素子17を有する。タッチパネル15は表示パネル13と重畳するよ
うに設けられる。すなわち、タッチパネル15と表示パネル13は互いに重なる領域を有
する。
有する。CPUは、GPU(Graphics Processing Unit)を有
してもよい。メモリは表示装置10を制御するコンピュータプログラムが記憶されている
。
1が生成した映像信号は、ディスプレイコントローラ12によって、画像処理が施され、
表示パネル13に表示される。また、ホスト11はタッチパネル15から入力されたタッ
チ信号を受け取り、表示パネル13に映像信号を供給する機能を有する。
タッチパネルコントローラ14は、タッチパネル15からタッチ信号を受け取り、ホスト
11に供給する機能を有する。
Diode)、QLED(Quantum-dot Light Emitting
Diode)、半導体レーザーなどの自発光性の発光素子を用いることが好ましい。なお
、以降において、表示素子17として有機EL素子を用いた例について説明を行う。
、タッチが行われた位置の座標と、インデックスをホスト11に送信する。イベントはタ
ッチが開始された(指が下がってタッチパネルに触れた)ことを表すDOWN、タッチが
終了した(指が上がってタッチパネルから離れた)ことを表すUP、タッチしたまま指が
移動したことを表すMOVEなどの識別子をもつ。インデックスは、タッチパネルにタッ
チした指の本数を表す。
図4乃至図7は表示装置10の動作を説明するためのフローチャートである。なお、以降
の説明において、表示装置10の輝度をA×L0と表す場合がある。ここで、Aは1以下
の正の実数をとり得る変数、L0は表示装置10がとり得る最大輝度を表す。例えば、L
0は8ビット階調の画像データを表示する場合に相当する。
図4において、STARTは表示装置10にまだタッチが行われていない状態であり、表
示領域30の輝度はA0×L0(A0は1未満の正の実数)に設定されている。なお、表
示領域30がR(赤)G(緑)B(青)の3色の画素で構成されている場合、A0はそれ
ぞれの画素が発する光で異なっていてもよい。同様に、表示領域30がRGBW(白)の
4色の画素で構成されている場合、A0はそれぞれの画素が発する光で異なっていてもよ
い。同様に、表示領域30がRGBY(黄)の4色の画素で構成されている場合、A0は
それぞれの画素が発する光で異なっていてもよい。
を設定することが好ましい。表示素子17として有機EL素子を用いた場合、青色は他の
色よりも消費電力が大きい。そのため、STARTにおいて青色の輝度を低く設定してお
けば、表示装置10の消費電力を小さくすることができる。
は全ての青色の画素から発せられる光の輝度のことを言う。例えば、図1(A)の表示装
置10において、領域41に含まれる任意の5ポイント(ポイントA乃至E)を選び、ポ
イントA乃至Eの青色の輝度をそれぞれ測定し、上記5ポイントの輝度の平均を領域41
における青色の輝度としてもよい。図1(A)の領域31における青色の輝度も同様に測
定することができる。なお、上記測定ポイントの数は5に限定されず、領域の面積に応じ
て自由に設定してもよい。また、ある領域における赤色の輝度、ある領域における緑色の
輝度など、他の色の輝度に関しても同様に考えることができる。
)]で表される放射輝度も含む。
20へ、MOVEの場合はS30へそれぞれ移行する。
図5は、S10以降の動作(DOWNを検出した以降の動作)を説明するためのフローチ
ャートである。まず、S11でタッチパネルにタッチした指の数を判定する。指の数が1
本の場合はS12へ、指の数が2本以上の場合はS13へ、それぞれ移行する。
まず、図5のS12における動作について考える。S12において、使用者がタッチした
点を中心とする半径rの円が、領域31として設定される(図8(A)参照)。領域31
の輝度はL0(A=1)となり、領域41の輝度はA0×L0を維持する。すなわち、領
域31が明るく発光する。
ましい。使用者は領域31を注視するため、領域31を中心視野、領域41を周辺視野と
みなすことができる。人は中心視野よりも周辺視野の方が明るさに対する感度が高く、特
に青色に関する感度が高い。周辺視野においては、僅かな輝度の青色でも人は明るさを感
じることができる。そのため、領域41の青色の輝度が低くても、使用者は表示領域全体
を明るく感じることができる。また、表示装置10の消費電力を低減させることもできる
。
るく表示させたい場合、rは5mm以上が好ましい。
ば、上記境界において、上記Aはシグモイド関数に従って変化することが好ましい。そう
することで、表示装置10は使用者の目にとって負担の少ない表示を行うことができる。
の記憶素子に保存される。その後、S40を経由して、再びS1にてイベントの判定が行
われる。
次に、図5のS13における動作について考える。なお、以降では、指の数が2本の場合
について説明を行うが、指の数が2本より多い場合についても同様に考えることができる
。
される(図10(A)参照)。領域32の輝度はL0(A=1)となり、領域42の輝度
はA0×L0を維持する。すなわち、領域32が明るく発光する。なお、上記楕円の長軸
の長さと短軸の長さの比は常に一定であるとする。また、その比は使用者が設定できるよ
うにしてもよい。
ましい。領域32を中心視野、領域42を周辺視野とみなす場合、領域42の青色の輝度
が低くても、表示領域全体を明るく感じることができる。また、表示装置10の消費電力
を低減させることもできる。
ば、上記境界において、上記Aはシグモイド関数に従って変化することが好ましい。そう
することで、表示装置10は使用者の目にとって負担の少ない表示を行うことができる。
うち一方を中心にもつ半径rの円C3と、タッチした2点のうち他方を中心にもつ半径r
の円C4と、を含むように領域32が設定されてもよい。
8(A)、(B)に示す。タッチされた3点のうち1点を中心に持つ半径rの円を円C5
とし、タッチされた3点のうち残りの2点を焦点にもつ楕円を楕円E3とする。領域32
は円C5および楕円E3を含むように定められる(図38(A))。
領域32は、円C5、円C6および円C7が含まれるように定められてもよい(図38(
B))。
9(A)乃至(C)に示す。タッチされた4点のうち2点を焦点に持つ楕円を楕円E4と
し、タッチされた4点のうち残りの2点を焦点にもつ楕円を楕円E5とする。領域32は
楕円E4および楕円E5を含むように定められる(図39(A))。
とする。領域32は、円C8、円C9、円C10および円C11が含まれるように定めら
れてもよい(図39(B))。
のうち残りの2点をそれぞれ中心にもつ半径rの円を円C12、C13とする。領域32
は楕円E6、円C12および円C13を含むように定められてもよい(図39(C))。
の記憶素子に保存される。その後、S40を経由して、再びS1にてイベントの判定が行
われる。
図6は、S20以降の動作(UPを検出した以降の動作)を説明するためのフローチャー
トである。まず、S21でタイマーをセットする。一定時間が経過するとS22が呼び出
される。S23で領域31(図1)または領域32(図2)の輝度A×L0をA0×L0
に近づける。AがA0と等しいか否かをS24で判定する。等しい場合は処理が終了し、
等しくない場合はS25で再びタイマーをセットする。一定時間がたつと、再びS22が
呼び出される。
およびその周辺の輝度が、指を離すことで徐々に暗くなり、最終的に表示領域30の他の
領域と同じ輝度になる。
図7は、S30以降の動作(MOVEを検出した以降の動作)を説明するためのフローチ
ャートである。まず、S31でタッチパネルにタッチした指の数を判定する。指の数が1
本の場合はS32へ、指の数が2本以上の場合はS33へ、それぞれ移行する。
まず、S32における動作について考える。図8(B)に示すように、使用者がタッチし
ている点をoとし、oをタッチする前に、使用者がタッチしていた点をpとする。oを始
点、pを終点とするベクトルをRP、下記の式(1)に示すようにRPをk倍したベクト
ルをRFと定め、点oからベクトルRFだけ移動した位置にある点をfとする。ここでk
は実数の定数である。また、点oを中心とする半径rの円をC1、点fを中心とする半径
rの円をC2と定める。
8(C)参照)。領域31は円C1および円C2を含むように定められる。
1)の定数kを0に設定することで、図1(B)に示す領域31を実現できる。例えば、
式(1)の定数kを正の値に設定することで、図1(C)に示す領域31を実現できる。
例えば、式(1)の定数kを負の値に設定することで、図1(D)に示す領域31を実現
できる。
この場合も、式(1)の定数kの値によって、図1(B)乃至(D)に示す領域31を実
現することができる。
の記憶素子に保存される。その後、S40を経由して、再びS1にてイベントの判定が行
われる。
次に、S33における動作について考える。なお、以降では、指の数が2本の場合につい
て説明を行うが、指の数が2本より多い場合についても同様に考えることができる。
ッチする前に使用者がタッチしていた2点をp、p´とする。oを始点、pを終点とする
ベクトルをRP、o´を始点、p´を終点とするベクトルをRP´、式(1)に示すよう
にRPをk倍したベクトルをRF、下記の式(2)に示すようにRP´をk倍したベクト
ルをRF´と定める。点oからベクトルRFだけ移動した位置にある点をf、点o´から
ベクトルRF´だけ移動した位置にある点をf´とする。式(2)のkは式(1)のkと
同じ値をとる。また、点oおよび点o´を焦点とする楕円をE1、点fおよび点f´を焦
点とする楕円をE2と定める。
領域を領域32と定める(図10(C)参照)。領域32は楕円E1および楕円E2を含
むように定められる。
(1)および式(2)の定数kを0に設定することで、図2(B)に示す領域32を実現
できる。例えば、式(1)および式(2)の定数kを正の値に設定することで、図2(C
)に示す領域32を実現できる。例えば、式(1)および式(2)の定数kを負の値に設
定することで、図2(D)に示す領域32を実現できる。
の記憶素子に保存される。その後、S40を経由して、再びS1にてイベントの判定が行
われる。
ト11に記憶される。またホスト11は、前述のコンピュータプログラムを読み取り、実
行する。また、図4乃至図7に示すフローチャートは、ハードウェアとしてディスプレイ
コントローラ12で実行されてもよい。
次に、表示装置10のその他の使用例に関して、図11および図12を用いて説明を行う
。
スライドさせた場合の例を示している。図11(A)の円状の領域31は指のスライドに
合わせて移動し、図11(B)に示すように円が移動した領域が領域31として設定され
る。すなわち、指がなぞった領域とその周辺が領域31として設定され、明るく発光する
。図11(B)が図1(B)及び(C)と異なる点は、始めにタッチした点(図11(A
))を、領域31が常に含む点である。
上述の円がなぞった領域が領域31として記憶されることで実現できる。
ッチしたまま斜め右下にスライドさせた場合の例を示している。図11(B)と異なる点
は、領域31が、指の移動方向(図中黒矢印)とその周辺領域(指の斜め右下の領域)も
含む点である。
現できる。
イドさせた例を示している。図12(A)の楕円状の領域32は指のスライドに合わせて
移動し、図12(B)に示すように楕円が移動した領域が領域32として設定される。す
なわち、2本の指がなぞった領域とその周辺が領域32として設定され、明るく発光する
。図12(B)が図2(B)乃至(D)と異なる点は、始めにタッチした2点(図12(
A))を、領域32が常に含む点である。
上述の楕円がなぞった領域が領域32として記憶されることで、実現できる。
所の輝度を上げ、視認性を向上させることができる。また、消費電力を低減することがで
きる。
本実施の形態は、表示装置10がテキストの表示を行う例について説明を行う。なお、本
明細書中において、テキストとは表示装置に表示される文字情報のことを指す。
テキストは複数の行からなる。図13(A)は、使用者が指でテキストをタッチしている
例を示している。タッチされた行の背景は領域34として明るく発光する。
除いた領域(領域44)の背景の輝度よりも高いことが好ましい。例えば、テキストが黒
色、背景が白色で表示されている場合、領域34の背景の輝度を上げることで、背景(白
)とテキスト(黒)のコントラスト比を上げることができ、テキストの視認性を向上させ
ることができる。また、領域34の背景の輝度を選択的に上げることで、表示領域30の
背景全体の輝度を上げる場合よりも消費電力を低減させることができる。
ましい。使用者は領域34を注視するため、領域34を中心視野、領域44を周辺視野と
みなすことができる。領域44の青色の輝度が低くても、表示領域全体を明るく感じるこ
とができる。また、表示装置10の消費電力を低減させることもできる。
でスライドさせた場合の例を示している。指のスライドに合わせて領域34も移動する。
でスライドさせた場合の例を示している。領域34は、指がタッチしている行だけでなく
、指の移動方向(図中黒矢印)と反対にある行(指の上側の行)も含んでいる。
でスライドさせた場合の例を示している。領域34は、指がタッチしている行だけでなく
、指の移動方向(図中黒矢印)にある行(指の上側の行)も含んでいる。
表示領域30にテキストが表示されている。
されたテキストを含む行の背景は領域35として明るく発光する。
除いた領域(領域45)の背景の輝度よりも高いことが好ましい。例えば、テキストが黒
色、背景が白色で表示されている場合、領域35の背景の輝度を上げることで、背景(白
)とテキスト(黒)のコントラスト比を上げることができ、テキストの視認性を向上させ
ることができる。また、領域35の背景の輝度を選択的に上げることで、表示領域30の
背景全体の輝度を上げる場合よりも消費電力を低減させることができる。
ましい。使用者は領域35を注視するため、領域35を中心視野、領域45を周辺視野と
みなすことができる。領域45の青色の輝度が低くても、表示領域全体を明るく感じるこ
とができる。また、表示装置10の消費電力を低減させることもできる。
の行までスライドさせた場合の例を示している。指のスライドに合わせて領域35も移動
する。
の行までスライドさせた場合の例を示している。領域35は、2本の指がタッチしている
行だけでなく、2本の指の移動方向(図中黒矢印)と反対にある行(2本の指の上側の行
)も含んでいる。
の行までスライドさせた場合の例を示している。領域35は、2本の指がタッチしている
行だけでなく、2本の指の移動方向(図中黒矢印)にある行(2本の指の上側の行)も含
んでいる。
る。また、図13および図14に示す動作は、図4乃至図7に示すフローチャートに従っ
て説明できる。
、図15および図16は表示領域30に表示されるテキストを実線で表している。
である。指がタッチした点(図中×印)に最も近い行が領域34に含まれる。
実数をとり得る変数、L0は表示装置10がとり得る最大輝度)。領域34の背景の輝度
はL0(A=1)となり、領域44の背景の輝度はA0×L0(A0は1未満の正の実数
)となる。すなわち、領域34の背景が明るく発光する。また、領域34と領域44との
境界において、背景の輝度はなだらかに変化することが好ましい。例えば、上記境界にお
いて、上記Aはシグモイド関数に従って変化することが好ましい。そうすることで、表示
装置10は使用者の目にとって負担の少ない表示を行うことができる。
式図である。2本の指がタッチした2点(図中×印)の一方に最も近い行と、2本の指が
タッチした2点の他方に最も近い行が、それぞれ領域35に含まれる。
0は1未満の正の実数)となる。すなわち、領域35の背景が明るく発光する。また、領
域35と領域45との境界において、背景の輝度はなだらかに変化することが好ましい。
例えば、上記境界において、上記Aはシグモイド関数に従って変化することが好ましい。
そうすることで、表示装置10は使用者の目にとって負担の少ない表示を行うことができ
る。
である。図8と同様に、使用者がタッチしている点をoとし、oをタッチする前に使用者
がタッチしていた点をpとする。oを始点、pを終点とするベクトルをRP、実施の形態
1の式(1)に示すようにベクトルRPをk倍したベクトルをRFと定め、点oからベク
トルRFだけ移動した位置にある点をfとする。ここでkは実数の定数である。
、領域34が設定される(図15(C)参照)。
定数kを0に設定することで、図13(B)に示す領域34を実現できる。例えば、定数
kを正の値に設定することで、図13(C)に示す領域34を実現できる。例えば、定数
kを負の値に設定することで、図13(D)に示す領域34を実現できる。
式図である。使用者がタッチしている2点をo、o´とし、o、o´をタッチする前に使
用者がタッチしていた2点をp、p´とする。oを始点、pを終点とするベクトルをRP
、o´を始点、p´を終点とするベクトルをRP´、実施の形態1の式(1)に示すよう
にRPをk倍したベクトルをRF、実施の形態1の式(2)に示すようにRP´をk倍し
たベクトルをRF´と定める。点oからベクトルRFだけ移動した位置にある点をf、点
o´からベクトルRF´だけ移動した位置にある点をf´とする。
にある行と、点f´に最も近い位置にある行がそれぞれ含まれるように、領域35が設定
される(図16(C)参照)。
定数kを0に設定することで、図14(B)に示す領域35を実現できる。例えば、定数
kを正の値に設定することで、図14(C)に示す領域35を実現できる。例えば、定数
kを負の値に設定することで、図14(D)に示す領域35を実現できる。
でスライドさせた場合の例を示している。図17(B)に示すように指がなぞった行が領
域34として設定される。図17(B)が図13(B)乃至(D)と異なる点は、始めに
タッチした行(図17(A))を、領域34が常に含む点である。
指がなぞった領域が領域34として記憶されることで実現できる。
でスライドさせた場合の例を示している。図17(B)と異なる点は、領域34が、指の
移動方向(図中黒矢印)にある行(指の上側の行、指がまだタッチしていない行)も含ん
でいる点である。
現できる。
る。図18(B)に示すように、指がタッチした点(図中×印)に最も近い位置にある行
と、その次に近い位置にある行が、領域34に含まれるようにすればよい。
度を上げて、テキストの視認性を向上させることができる。また、消費電力を削減するこ
とができる。
本実施の形態は、上記実施の形態に記載の表示装置10の構成例について、説明を行う。
Flexible printed circuit)803に接続されたタッチパネル
15、FPC805に接続された表示パネル13、フレーム809、プリント基板810
、バッテリー811を有する。
ーラ14は、プリント基板810に設けることができる。
ズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
重畳して用いることができる。また、表示パネル13の対向基板(封止基板)に、タッチ
パネル機能を持たせるようにすることも可能である。または、表示パネル13の各画素内
に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。または、表示パネル
13の各画素内にタッチセンサ用電極を設け、静電容量方式のタッチパネルとすることも
可能である。この場合、タッチパネル15を省略することも可能である。
い。可撓性を有する基板として、例えば、金属、合金、樹脂もしくはガラス、またはそれ
らの繊維などを用いることができる。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフ
ィン、ポリアミド(ナイロン、アラミドなど)、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリ
ル、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)などがある。表示パネル13およびタッチ
パネル15が可とう性を有することで、上部カバー801、下部カバー802およびフレ
ーム809の形状は、曲率を有することができる。
明を行う。
走査線駆動回路101を囲むようにして、シール材4005が設けられ、第2の基板40
06によって封止されている。また、シール材4005によって囲まれている領域とは異
なる領域にDDI16が設けられている。また、DDI16、走査線駆動回路101また
は画素部102に与えられる各種信号及び電位は、FPC805から供給されている。
ばSiウェハなど、単結晶半導体基板を用いて上記ICを形成してもよい。なお、DDI
16の接続方法は、特に限定されるものではなく、ワイヤボンディング、COG(Chi
p On Glass)、TCP(Tape Carrier Package)、CO
F(Chip On Film)などを用いることができる。図20(A)は、COGに
よりDDI16を設けている例であり、図20(B)は、TCPによりDDI16を設け
ている例である。
を構成してもよい。複数のICでDDI16を構成することで、画素部102の高精細化
に対応することができる。
いる例を示しているが、これに限定されず、DDI16と同様に、走査線駆動回路101
を1つまたは複数のICで形成してもよい。
は、DDI16、走査線駆動回路101、及び画素部102を有する。また、画素部10
2中にマトリクス状に配置された複数の画素103を示している。
線SLに出力する機能を有する。DDI16は、一例として、LVDSレシーバ(LVD
S:小振幅差動信号)、シフトレジスタ、ラッチ回路、レベルシフタ、D/A(デジタル
/アナログ)コンバータ、バッファ等を有する。
。走査線駆動回路101は、一例として、シフトレジスタ、バッファ等を有する。走査線
駆動回路101は、ゲートスタートパルス、ゲートクロック等が入力され、パルス信号を
出力する機能を有する。
いる。配線GLと配線SLの交差部には、画素103が設けられる。なお画素部102に
おける画素103の配置は、カラー表示であれば、RGB(赤緑青)の各色に対応した画
素が順に設けられる。なお、RGBの画素の配列は、ストライプ配列、モザイク配列、デ
ルタ配列等適宜用いることができる。またRGBに限らず、白あるいは黄といった色を追
加してカラー表示を行う構成としてもよい。
SL、配線ML、配線CTLおよび配線ANLと電気的に接続されている。また、画素1
03は、トランジスタ120乃至122、容量素子123、および表示素子17を有する
。
、電流または電圧によって輝度を制御することが可能な素子を用いることができる。なお
、以降の説明は、表示素子17として、有機EL素子を用いた場合について説明を行う。
れらの一部または全てをp型トランジスタとしてもよい。また、トランジスタ120乃至
122はゲートに電気的に接続されているバックゲートを有する。このようなデバイス構
造とすることで、トランジスタ120乃至122の電流駆動能力を向上させることができ
る。トランジスタ120乃至122の一部または全てがバックゲートを有さないトランジ
スタでもよい。
接続するパストランジスタである。トランジスタ122は、配線MLと表示素子17のア
ノードとの間を接続するパストランジスタである。トランジスタ121は駆動トランジス
タであり、表示素子17に供給される電流源として機能する。トランジスタ121のドレ
イン電流の大きさによって、表示素子17の輝度が調節される。容量素子123は、ノー
ド125とノード124間の電圧を保持する保持容量である。
の輝度にばらつきが発生し、表示品位を低下させてしまう。図21(B)に示す画素10
3は、トランジスタ121のドレイン電流をモニターすることで、表示素子17の輝度ば
らつきを補正する機能を有する。
のタイミングチャートを例示する。なお、図21(C)に示すタイミングチャートは、画
素103に含まれるトランジスタが全てnチャネル型である場合を例示するものである。
ルの電位が与えられ、トランジスタ120及びトランジスタ122がオンとなる。配線S
Lには、画像信号として電位Vdataが与えられる。電位Vdataは、トランジスタ
120を介してノード124に与えられる。
を加算した電位よりも低く、配線ANLの電位が、配線MLの電位よりも高いことが望ま
しい。上記構成により、トランジスタ121のドレイン電流を、表示素子17ではなく配
線MLの方に優先的に流すことができる。
えられ、トランジスタ120及びトランジスタ122がオフとなる。トランジスタ120
がオフになることで、ノード124において、電位Vdataが保持される。また、配線
ANLには電位Vanoが与えられ、配線CTLには電位Vcatが与えられる。電位V
anoは、電位Vcatに表示素子17の閾値電圧Vtheを加算した電位よりも高くす
ることが望ましい。配線ANLと配線CTLとの間に上記電位差が設けられることにより
、トランジスタ121のドレイン電流が表示素子17に供給され、表示素子17が発光す
る。
。配線GLにハイレベルの電位が与えられ、トランジスタ120及びトランジスタ122
がオンとなる。配線SLには、トランジスタ121のゲート電圧が閾値電圧Vthよりも
大きくなるような電位が与えられる。配線MLの電位は、配線CTLの電位に表示素子1
7の閾値電圧Vtheを加算した電位よりも低くし、配線ANLの電位は、配線MLの電
位よりも高くすることが望ましい。上記構成により、トランジスタ121のドレイン電流
を、表示素子17ではなく配線MLの方に優先的に流すことができる。
タ121に流れるドレイン電流に相当する。電流IMONはモニター回路に供給される。
モニター回路は、電流IMONを解析し、解析結果に基づいて、補正信号を生成する。以
上の動作によって、画素103は輝度のずれを補正することができる。
る。
が有する端子と異方性導電層4019を介して、電気的に接続されている。また、電極4
015は、絶縁層4112、絶縁層4111、および絶縁層4110に形成された開口に
おいて配線4014と電気的に接続されている。電極4015は、第1の電極層4030
と同じ導電層から形成されている。
ジスタを複数有しており、図22では、画素部102に含まれるトランジスタ121と、
走査線駆動回路101に含まれるトランジスタ4011とを例示している。トランジスタ
121およびトランジスタ4011上に、絶縁層4112が設けられ、絶縁層4112の
上に隔壁4510が形成されている。
ている。また、トランジスタ121およびトランジスタ4011は、絶縁層4102上に
形成された電極517を有し、電極517上に絶縁層4103が形成されている。絶縁層
4103上に半導体層512が形成されている。半導体層512上に電極510及び電極
511が形成され、電極510及び電極511上に絶縁層4110及び絶縁層4111が
形成され、絶縁層4110及び絶縁層4111上に電極516が形成されている。電極5
10及び電極511は、配線4014と同じ導電層で形成されている。
ての機能を有し、電極510はソース電極またはドレイン電極の一方としての機能を有し
、電極511はソース電極またはドレイン電極の他方としての機能を有し、電極516は
バックゲート電極としての機能を有する。
ゲートを有することで、オン電流を増大させることができる。また、トランジスタの閾値
を制御することができる。
成領域としての機能を有する。半導体層512として、結晶シリコン、多結晶シリコン、
非晶質シリコン、金属酸化物、有機半導体、などを用いればよい。また、必要に応じて、
半導体層512の導電率を高めるため、または、トランジスタの閾値を制御するために、
半導体層512に不純物を導入してもよい。
の少なくとも一方を含むことが好ましい。このような酸化物としては、In-M-Zn酸
化物、In-M酸化物、Zn-M酸化物、In-Zn酸化物(元素Mは、例えば、アルミ
ニウム(Al)、ガリウム(Ga)、イットリウム(Y)、スズ(Sn)、ホウ素(B)
、シリコン(Si)、チタン(Ti)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、ゲルマニウム(
Ge)、ジルコニウム(Zr)、モリブデン(Mo)、ランタン(La)、セリウム(C
e)、ネオジム(Nd)、バナジウム(V)、ベリリウム(Be)、ハフニウム(Hf)
、タンタル(Ta)またはタングステン(W)など)が代表的である。
低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ
、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を
少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。
て重なる領域を有する。電極4021は、電極517と同じ導電層で形成されている。
2に設けられたトランジスタ121と電気的に接続している。なお表示素子17の構成は
、第1の電極層4030、発光層4511、第2の電極層4031の積層構造であるが、
この構成に限定されない。表示素子17から取り出す光の方向などに合わせて、表示素子
17の構成は適宜変えることができる。
材料を用い、第1の電極層4030上に開口部を形成し、その開口部の側面が連続した曲
率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
ていてもどちらでも良い。
31および隔壁4510上に保護層を形成してもよい。保護層としては、窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化
酸化アルミニウム、DLC(Diamond Like Carbon)などを形成する
ことができる。また、第1の基板4001、第2の基板4006、及びシール材4005
によって封止された空間には充填材4514が設けられ密封されている。このように、外
気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム(貼り合わせフィルム
、紫外線硬化樹脂フィルム等)やカバー材でパッケージング(封入)することが好ましい
。
は熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル樹脂、ポ
リイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEVA
(エチレンビニルアセテート)などを用いることができる。また、充填材4514に乾燥
剤が含まれていてもよい。
温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂材料を用いることが
できる。また、シール材4005に乾燥剤が含まれていてもよい。
板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。ま
た、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光
を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化
物、インジウム錫酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物
、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いるこ
とができる。
(Mo)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(N
b)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、チタ
ン(Ti)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)などの金属
、またはその合金、もしくはその金属窒化物から一種以上を用いて形成することができる
。
マーともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子として
は、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリンま
たはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、も
しくは、アニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体またはその誘
導体等が挙げられる。
電極層4031の一方が透明であればよい。表示パネルは、光の取り出し方によって、上
面射出(トップエミッション)構造と、下面射出(ボトムエミッション)構造と、両面射
出(デュアルエミッション)構造に分類される。上面射出構造は、トランジスタ及び発光
素子が形成された基板とは逆側の面(上面)から光を取り出す場合をいう。下面射出構造
は、トランジスタ及び発光素子が形成された基板の面(下面)から光を取り出す場合をい
う。両面射出構造は、上面と下面の両方から光を取り出す場合をいう。例えば、上面射出
構造の場合、第2の電極層4031を透明にすればよい。例えば、下面射出構造の場合、
第1の電極層4030を透明にすればよい。例えば、両面射出構造の場合、第1の電極層
4030及び第2の電極層4031を透明にすればよい。
ゲート型のトランジスタを設けた場合の断面図を示している。図23(A)のトランジス
タ121、4011において、電極517はゲート電極としての機能を有し、電極510
はソース電極またはドレイン電極の一方としての機能を有し、電極511はソース電極ま
たはドレイン電極の他方としての機能を有する。図23(A)のその他の構成要素の詳細
については、図22の記載を参照すればよい。
バックゲートとして機能する電極516を設けた場合の断面図を示している。トランジス
タ121及びトランジスタ4011はトップゲート構造であり、かつ、バックゲートを有
することで、オン電流を増大させることができる。また、トランジスタの閾値を制御する
ことができる。図23(B)のその他の構成要素の詳細については、図22の記載を参照
すればよい。
本実施の形態では、上記実施の形態に示した表示装置10の別の形態について説明を行う
。
図24は表示装置10の構成例を示すブロック図である。表示装置10は、ホスト11と
、ディスプレイコントローラ12と、表示パネル20と、タッチパネルコントローラ14
と、タッチパネル15と、光センサ25を有する。表示パネル20は、DDI21と、反
射素子22と、DDI23と、発光素子24を有する。
液晶素子、シャッター方式のMEMS(Micro Electro Mechanic
al System)素子、光干渉方式のMEMS素子、マイクロカプセル方式、電気泳
動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体(登録商標)方式等を適用した素子
等を用いることができる。表示パネル20は、反射素子22を用いることにより、消費電
力を抑制することができる。なお、以降の説明では、反射素子22として反射型の液晶素
子を用いる場合について説明を行う。
などの自発光性の発光素子を用いることができる。なお、以降の説明では、発光素子24
として有機EL素子を用いる場合について説明を行う。
みで表示を行う場合(発光モード)、反射素子22と発光素子24を併用して表示を行う
場合(ハイブリッドモード)、の3つの表示モードを有する。
えることができる。例えば、晴れの日に外で表示装置10を使用する場合、反射モードで
表示を行う。その際に、発光素子24の発光を停止させることで、表示装置10は電力を
節約することができる。また、夜間や暗所で表示装置10を使用する場合、発光モードで
表示を行えばよい。
図1または図11に示す領域31を発光モードで表示し、領域41を反射モードで表示す
ることができる。例えば、図1または図11に示す領域31をハイブリッドモードで表示
し、領域41を反射モードで表示することができる。
で表示することができる。例えば、図2または図12に示す領域32をハイブリッドモー
ドで表示し、領域42を反射モード表示することができる。
反射モードで表示することができる。例えば、図13、図17または図18に示す領域3
4をハイブリッドモードで表示し、領域44を反射モードで表示することができる。
ことができる。例えば、図14に示す領域35をハイブリッドモードで表示し、領域45
を反射モード表示することができる。
の表示領域の視認性を向上させることができる。また、表示装置10は消費電力を低減さ
せることができる。
次に、図24に示す表示パネル20の構成例について、図25(A)乃至(C)を用い
て説明を行う。
表示パネル20は、発光素子24と、反射素子22と、発光素子24への電流の供給を制
御する機能を有するトランジスタ205と、反射素子22への電圧の供給を制御する機能
を有するトランジスタ206とを有する。そして、発光素子24と、反射素子22と、ト
ランジスタ205と、トランジスタ206とは、基板201と基板202の間に位置する
。
、液晶層209とを有する。画素電極207は、トランジスタ206に電気的に接続され
ている。そして、画素電極207と共通電極208の間に印加される電圧にしたがって液
晶層209の配向が制御される。なお、図25(A)では、画素電極207が可視光を反
射する機能を有し、共通電極208が可視光を透過する機能を有する場合を例示しており
、基板202側から入射した光が白抜きの矢印で示すように画素電極207において反射
し、再び基板202側から放射される。
から発せられる光は、基板202側に放射される。なお、図25(A)では、画素電極2
07が可視光を反射する機能を有し、共通電極208が可視光を透過する機能を有する場
合を例示しているため、発光素子24から発せられる光は、白抜きの矢印で示すように画
素電極207と重ならない領域を通過し、共通電極208が位置する領域を通過して、基
板202側から放射される。
206とが同一の層210に位置しており、トランジスタ205とトランジスタ206と
が含まれる層210は、反射素子22と発光素子24の間の領域を有する。なお、少なく
とも、トランジスタ205が有する半導体層と、トランジスタ206が有する半導体層と
が同一の絶縁表面上に位置している場合、トランジスタ205とトランジスタ206とが
同一の層210に含まれていると言える。
することができる。
示す。図25(B)に示す表示パネル20は、トランジスタ205とトランジスタ206
とが異なる層に含まれている点において、図25(A)に示す表示パネル20と構成が異
なる。
210aと、トランジスタ206が含まれる層210bとを有し、層210aと層210
bとは、反射素子22と発光素子24の間の領域を有する。そして、図25(B)に示す
表示パネル20では、層210aが層210bよりも発光素子24側に近い。なお、少な
くとも、トランジスタ205が有する半導体層と、トランジスタ206が有する半導体層
とが異なる絶縁表面上に位置している場合、トランジスタ205とトランジスタ206と
が異なる層に含まれていると言える。
と、トランジスタ206およびトランジスタ206に接続される各種配線とを、部分的に
重ねることができるため、画素のサイズを小さく抑え、表示パネル20の高精細化を実現
することができる。
断面の構造を一例として示す。図25(C)に示す表示パネル20は、トランジスタ20
5とトランジスタ206とが異なる層に含まれている点において、図25(A)に示す表
示パネル20と構成が異なる。そして、図25(C)に示す表示パネル20は、トランジ
スタ205が含まれる層210aが、発光素子24よりも基板201側に近い点において
、図25(B)に示す表示パネル20と構成が異なる。
210aと、トランジスタ206が含まれる層210bとを有する。そして、層210a
は、発光素子24と基板201との間の領域を有する。また、層210bは、反射素子2
2と発光素子24の間の領域を有する。
と、トランジスタ206およびトランジスタ206に接続される各種配線とを、図25(
B)の場合よりもより多く重ねることができるため、画素のサイズを小さく抑え、表示パ
ネル20の高精細化を実現することができる。
面構造を例示しているが、これに限定されず、表示パネル20は1つの反射素子22に対
して1つの発光素子24が対応している断面構造を有していても良いし、1つの反射素子
22に対して複数の発光素子24が対応している断面構造を有していても良い。
有する場合を例示しているが、これに限定されず、画素電極207は可視光を透過する機
能を有していても良い。この場合、バックライトやフロントライトなどの光源を表示パネ
ル20に設けても良いし、反射素子22を用いて画像を表示する際に発光素子24を光源
として用いても良い。
次に、図24および図25に示す表示パネル20が有する画素の回路構成例について、
図26乃至図29を用いて説明を行う。
350は反射素子22を有し、画素351は発光素子24を有する。
能を有するトランジスタ303と、容量素子304とを有する。そして、トランジスタ3
03は、ゲートが配線GLに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が配線SLに
電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が反射素子22の画素電極に電気的に接続
されている。また、反射素子22の共通電極は、所定の電位が供給される配線または電極
に電気的に接続されている。また、容量素子304は、一方の電極が、反射素子22の画
素電極に電気的に接続され、他方の電極が、所定の電位が供給される配線または電極に電
気的に接続されている。
する機能を有するトランジスタ305と、トランジスタ305のゲートへの電位の供給を
制御する機能を有するトランジスタ306と、容量素子307とを有する。そして、トラ
ンジスタ306は、ゲートが配線GEに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が
配線DLに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方がトランジスタ305のゲート
に電気的に接続されている。トランジスタ305は、ソース又はドレインの一方が配線A
Lに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が発光素子24に電気的に接続されて
いる。容量素子307は、一方の電極が配線ALに電気的に接続され、他方の電極がトラ
ンジスタ305のゲートに電気的に接続されている。
給し、発光素子24に対応した画像信号を配線DLに供給することで、反射素子22によ
って表示される階調と、発光素子24によって表示される階調とを個別に制御することが
できる。
画素351とを一つずつ有する画素300の構成例を示したが、画素300が複数の画素
350を有していても良いし、或いは画素300が複数の画素351を有していても良い
。
の、画素300の構成例を示す。
素子24をそれぞれ有する画素351a乃至画素351dとを有する。
成を参照することができる。
351と同様に、発光素子24と、発光素子24に供給する電流を制御する機能を有する
トランジスタ305と、トランジスタ305のゲートへの電位の供給を制御する機能を有
するトランジスタ306と、容量素子307とをそれぞれ有する。そして、画素351a
乃至画素351dがそれぞれ有する発光素子24から発せられる光が、異なる領域の波長
を有することで、表示装置においてカラーの画像を表示することが可能になる。
トランジスタ306のゲートと、画素351cの有するトランジスタ306のゲートとが
、配線GEbに電気的に接続されている。また、画素351bの有するトランジスタ30
6のゲートと、画素351dの有するトランジスタ306のゲートとが、配線GEaに電
気的に接続されている。
トランジスタ306のソース又はドレインの一方と、画素351bの有するトランジスタ
306のソース又はドレインの一方とが、配線DLaに電気的に接続されている。また、
画素351cの有するトランジスタ306のソース又はドレインの一方と、画素351d
の有するトランジスタ306のソース又はドレインの一方とが、配線DLbに電気的に接
続されている。
05のソース又はドレインの一方が、配線ALに電気的に接続されている。
aと画素351cが配線GEbを共有し、画素351bと画素351dが配線GEaを共
有しているが、画素351a乃至画素351dの全てが一の配線GEを共有していても良
い。この場合、画素351a乃至画素351dは、互いに異なる4つの配線DLに電気的
に接続されるようにすることが望ましい。
(A)に示す画素300は、画素351が有するトランジスタ305がバックゲートを有
する点において、図26(A)に示す画素300と構成が異なる。
ゲート(フロントゲート)に電気的に接続されている。図27(A)に示す画素300は
、上記構成を有することにより、トランジスタ305の閾値電圧がシフトするのを抑える
ことができ、トランジスタ305の信頼性を高めることができる。また、図27(A)に
示す画素300は、上記構成を有することにより、トランジスタ305のサイズを小さく
抑えつつ、トランジスタ305のオン電流を高めることができる。
50を複数有していても良いし、或いは図27(A)に示す画素351を複数有していて
も良い。具体的には、図26(B)に示した画素300と同様に、図27(A)に示す1
つの画素350と、4つの画素351とを有していても良い。その場合、各種配線と4つ
の画素351との接続関係は、図26(B)に示した画素300を参照することができる
。
(B)に示す画素300は、画素351が有するトランジスタ305がバックゲートを有
する点において、図26(A)に示す画素300と構成が異なる。そして、図27(B)
に示す画素300では、トランジスタ305のバックゲートがゲートではなく発光素子2
4に電気的に接続されている点において、図27(A)に示す画素300と構成が異なる
。
の閾値電圧がシフトするのを抑えることができ、トランジスタ305の信頼性を高めるこ
とができる。
50を複数有していても良いし、或いは図27(B)に示す画素351を複数有していて
も良い。具体的には、図26(B)に示した画素300と同様に、図27(B)に示す1
つの画素350と、4つの画素351とを有していても良い。その場合、各種配線と4つ
の画素351との接続関係は、図26(B)に示した画素300を参照することができる
。
画素300は、画素350と画素351とを有し、画素351の構成が図26(A)とは
異なる。
を制御する機能を有するトランジスタ305と、トランジスタ305のゲートへの電位の
供給を制御する機能を有するトランジスタ306と、発光素子24の画素電極に所定の電
位を供給する機能を有するトランジスタ308と、容量素子307とを有する。また、ト
ランジスタ305と、トランジスタ306と、トランジスタ308とは、それぞれバック
ゲートを有する。
され、バックゲートが配線GEに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が配線D
Lに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方がトランジスタ305のゲート及びバ
ックゲートに電気的に接続されている。トランジスタ305は、ソース又はドレインの一
方が配線ALに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が発光素子24に電気的に
接続されている。
ックゲートが配線GEに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が配線MLに電気
的に接続され、ソース又はドレインの他方が発光素子24に電気的に接続されている。容
量素子307は、一方の電極が発光素子24に電気的に接続され、他方の電極がトランジ
スタ305のゲートに電気的に接続されている。
51とを一つずつ有する画素300の構成例を示したが、画素300が複数の画素350
を有していても良いし、或いは画素300が複数の画素351を有していても良い。
素300の構成例を示す。
4をそれぞれ有する画素351a乃至画素351dとを有する。
ことができる。
に、発光素子24と、発光素子24に供給する電流を制御する機能を有するトランジスタ
305と、トランジスタ305のゲートへの電位の供給を制御する機能を有するトランジ
スタ306と、発光素子24の画素電極に所定の電位を供給する機能を有するトランジス
タ308と、容量素子307とをそれぞれ有する。そして、画素351a乃至画素351
bがそれぞれ有する発光素子24から発せられる光が、異なる領域の波長を有することで
、表示装置においてカラーの画像を表示することが可能になる。
ジスタ306のゲートと、画素351bの有するトランジスタ306のゲートとが、配線
MLaに電気的に接続されている。また、画素351cの有するトランジスタ306のゲ
ートと、画素351dの有するトランジスタ306のゲートとが、配線MLbに電気的に
接続されている。
ジスタ306のバックゲートと、画素351cの有するトランジスタ306のバックゲー
トとが、配線GEbに電気的に接続されている。また、画素351bの有するトランジス
タ306のバックゲートと、画素351dの有するトランジスタ306のバックゲートと
が、配線GEaに電気的に接続されている。
ジスタ306のソース又はドレインの一方と、画素351bの有するトランジスタ306
のソース又はドレインの一方とが、配線DLaに電気的に接続されている。また、画素3
51cの有するトランジスタ306のソース又はドレインの一方と、画素351dの有す
るトランジスタ306のソース又はドレインの一方とが、配線DLbに電気的に接続され
ている。
ジスタ308のバックゲートと、画素351cの有するトランジスタ308のバックゲー
トとが、配線GEbに電気的に接続されている。また、画素351bの有するトランジス
タ308のバックゲートと、画素351dの有するトランジスタ308のバックゲートと
が、配線GEaに電気的に接続されている。
ジスタ308のゲートとソース又はドレインの一方とが配線MLaに電気的に接続され、
画素351bの有するトランジスタ308のゲートとソース又はドレインの一方とが、配
線MLaに電気的に接続されている。また、画素351cの有するトランジスタ308の
ゲートとソース又はドレインの一方とが配線MLbに電気的に接続され、画素351bの
有するトランジスタ308のゲートとソース又はドレインの一方とが、配線MLbに電気
的に接続されている。
ソース又はドレインの一方が、配線ALに電気的に接続されている。
素351cが配線GEbを共有し、画素351bと画素351dが配線GEaを共有して
いるが、画素351a乃至画素351dの全てが一の配線GEを共有していても良い。こ
の場合、画素351a乃至画素351dは、互いに異なる4つの配線DLに電気的に接続
されるようにすることが望ましい。
える必要がない場合(すなわち静止画を表示する場合)、一時的に駆動回路を停止するこ
とができる(以下、「アイドリングストップ」、もしくは「IDS駆動」と呼ぶ。)。I
DS駆動によって、表示パネル20の消費電力を低減することができる。
晶層の抵抗率を1.0×1014(Ω・cm)以上1.0×1015(Ω・cm)以下と
することが好ましい。
ため、表示パネルの高速動作が可能である。なお、液晶層の誘電率の異方性が3.8を超
えると、液晶中の不純物の精製が困難となる。この不純物が液晶層に残留することで、液
晶層の導電率が増大してしまい、IDS駆動の場合に、画素に書き込んだ電圧を保持する
ことが困難になる。
ため、液晶層の導電率を低減できる。なお、液晶層の誘電率の異方性が2未満であると、
電界との相互作用が小さく、液晶層の挙動が遅いため、高速動作を促すために駆動電圧を
高く設定しなければならず、消費電力の低減が困難である。
1.0×1014(Ω・cm)以上1.0×1015(Ω・cm)以下とすることで、I
DS駆動化可能であり、表示パネル20の消費電力を低減することができる。
図25(C)に示した表示パネル20のより具体的な構成例を図30に示す。なお図2
5(A)、図25(B)に示した表示パネル20についても、より具体的な構成例の断面
構造を図31、図32に図示するが、詳細な説明については省略する。なお図31、図3
2においては、図30と同じ構成について同じ符号を付している。
示部371とが積層された構成を有する。具体的に図30では、表示部372と表示部3
71とが接着層252により接着されている。
、及び容量素子307と、表示部372の駆動回路が有するトランジスタ309とを図示
している。また、図30では、表示部371の画素が有する反射素子22と、トランジス
タ303と、容量素子304と、表示部371の駆動回路が有するトランジスタ310と
を図示している。
11上の絶縁層312と、絶縁層312上において導電層311と重なる半導体層313
と、半導体層313上の絶縁層316と、絶縁層316上に位置し、ゲートとしての機能
を有する導電層317と、導電層317上に位置する絶縁層318のさらに上に位置し、
半導体層313と電気的に接続されている導電層314及び導電層315と、を有する。
0に電気的に接続されている。導電層319は導電層317と同一の層に形成されており
、導電層320は導電層311と同一の層に形成されている。
のバックゲートとしての機能を有する導電層321が位置している。導電層321上には
絶縁層312が位置し、絶縁層312上には導電層321と重なる領域を有する半導体層
322が位置する。半導体層322にはトランジスタ306(図示せず)のチャネル形成
領域が含まれる。半導体層322上には絶縁層318が位置し、絶縁層318上には導電
層323が位置する。導電層323は半導体層322に電気的に接続されており、導電層
323はトランジスタ306(図示せず)のソースまたはドレインとしての機能を有する
。
割愛する。
し、絶縁層324上には絶縁層325が位置する。絶縁層325上には導電層326及び
導電層327が位置する。導電層326は導電層314と電気的に接続されており、導電
層327は導電層323と電気的に接続されている。導電層326及び導電層327上に
は絶縁層328が位置し、絶縁層328上には導電層329が位置する。導電層329は
導電層326に電気的に接続されており、発光素子24の画素電極としての機能を有する
。
機能する。
、EL層331上には対向電極としての機能を有する導電層332が位置する。導電層3
29とEL層331と導電層332とは、絶縁層330の開口部において電気的に接続さ
れており、導電層329とEL層331と導電層332とが電気的に接続された領域が発
光素子24として機能する。発光素子24は、導電層332側から破線の矢印で示す方向
に光を放射する、トップエミッション構造を有する。
る。導電層329と導電層332の間に、発光素子24の閾値電圧より高い電圧を印加す
ると、EL層331に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入さ
れた電子と正孔はEL層331において再結合し、EL層331に含まれる発光物質が発
光する。
めるには、絶縁層318は酸素を含む絶縁材料を用いることが望ましく、絶縁層324に
は水又は水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが望ましい。
縁層330がディスプレイの端部に露出していると、絶縁層325または絶縁層330を
介して発光素子24等にディスプレイの外部から水分等の不純物が侵入する恐れがある。
不純物の侵入により、発光素子24が劣化すると、ディスプレイの劣化につながる。その
ため、図30に示すように、絶縁層325及び絶縁層330が、ディスプレイの端部に位
置しないことが好ましい。
着層333を介して遮光層336と重なる。図30では、導電層332と遮光層336と
の間に隙間がある場合を示しているが、これらが接していてもよい。
色、又は黄色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。
、又は量子ドット方式等を適用してもよい。
電層340と、導電層340上の絶縁層341と、絶縁層341上において導電層340
と重なる半導体層342と、半導体層342上の絶縁層343と、絶縁層343上に位置
し、ゲートとしての機能を有する導電層344と、導電層344上に位置する絶縁層34
5のさらに上に位置し、半導体層342と電気的に接続されている導電層346及び導電
層347と、を有する。
341が位置し、絶縁層341上には導電層348と重なる領域に導電層347が位置す
る。導電層347と絶縁層341と導電層348とが重なる領域が、容量素子304とし
て機能する。
割愛する。
置し、絶縁層360上には導電層349が位置する。導電層349は導電層347と電気
的に接続されており、反射素子22の画素電極としての機能を有する。導電層349上に
は配向膜364が位置する。
的に、図30では、基板202上に接着層362を介して絶縁層363が接着されており
、絶縁層363上に導電層361が位置する。そして、導電層361上には配向膜365
が位置し、配向膜364と配向膜365の間には液晶層209が位置する。
過する機能を有することで、破線の矢印で示すように基板202側から入射した光を、導
電層349において反射させ、基板202側から放射させることができる。
錫(Sn)の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。具体的には、酸化インジウ
ム、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、インジウム亜
鉛酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウ
ム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化
物、酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物(ITSO)、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸
化亜鉛などが挙げられる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェン
を含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することが
できる。
属材料を含む合金等が挙げられる。そのほか、金、白金、ニッケル、タングステン、クロ
ム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、またはこれら金
属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料または合金に、ランタン、
ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。アルミニウムとチタンの合金
、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッ
ケル、及びランタンの合金(Al-Ni-La)等のアルミニウムを含む合金(アルミニ
ウム合金)、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金(Ag-Pd-Cu、APCとも
記す)、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いてもよい。
とで、導電層349における映り込みを低下することが可能であり、表示パネル20の視
認性を高めることが可能である。なお、光拡散板を基板202の表示面側に設ける代わり
に、導電層349の表面を凹凸状とすることで、表示パネル20の視認性を高めることが
できる。
装置の構成について説明したが、本発明の一態様に係る表示装置はバックゲートを有さな
いトランジスタを用いていても良いし、ボトムゲート型のトランジスタを用いていても良
い。
る。上述の半導体層として、結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン、金属酸化
物、有機半導体、などを用いればよい。また、必要に応じて、上述の半導体層の導電率を
高めるため、または、トランジスタの閾値を制御するために、上述の半導体層に不純物を
導入してもよい。
よび亜鉛(Zn)の少なくとも一方を含むことが好ましい。このような酸化物としては、
In-M-Zn酸化物、In-M酸化物、Zn-M酸化物、In-Zn酸化物(元素Mは
、例えば、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、イットリウム(Y)、スズ(Sn
)、ホウ素(B)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)
、ゲルマニウム(Ge)、ジルコニウム(Zr)、モリブデン(Mo)、ランタン(La
)、セリウム(Ce)、ネオジム(Nd)、バナジウム(V)、ベリリウム(Be)、ハ
フニウム(Hf)、タンタル(Ta)またはタングステン(W)など)が代表的である。
像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も
長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費
電力を抑制する効果を奏する。
次いで、図33(A)に表示パネル20の外観の一例を示す。図33(A)に示す表示
パネル20は、基板201上に画素部601と、反射素子22を有する画素350の走査
線駆動回路602と、発光素子24を有する画素351の走査線駆動回路603と、を有
する。また、DDI21は配線606を介して画素部601に電気的に接続されている。
また、DDI23は配線607を介して画素部601に電気的に接続されている。
3に電気的に接続されている。FPC610は配線611を介して走査線駆動回路602
に電気的に接続されている。また、FPC610は配線612を介して走査線駆動回路6
03に電気的に接続されている。
ウトと、発光素子24の表示領域のレイアウトとを、図33(B)に示す。
する発光素子24の表示領域615と、緑色に対応する発光素子24の表示領域616と
、赤色に対応する発光素子24の表示領域617と、青色に対応する発光素子24の表示
領域618とを有する。
を表示する際、発光素子の面積あたりに流れる電流量は、黄色に対応する発光素子が最も
小さいことが求められる。図33(B)では、緑色に対応する発光素子の表示領域616
と、赤色に対応する発光素子の表示領域617と、青色に対応する発光素子の表示領域6
18とが、ほぼ同等の面積を有し、それらに対して黄色に対応する発光素子の表示領域6
15の面積はやや小さいため、色再現性の良い黒を表示することが可能である。
図34に、上記実施の形態に示す表示装置10を有する電子機器の具体例を示す。
ルト5203、光センサ5204、スイッチ5205等を有する。ディスプレイ5202
はタッチセンサを有し、使用者はディスプレイ5202をタッチすることで携帯端末を操
作することができる。ディスプレイ5202に上記実施の形態に示す表示装置10を用い
ることで、使用者が指でタッチした領域の視認性を向上させることができる。また、携帯
端末の消費電力も抑えることができる。
302、ディスプレイ5303、光センサ5304、光センサ5305、スイッチ530
6等を有する。ディスプレイ5303は、筐体5301及び筐体5302によって支持さ
れている。そして、ディスプレイ5303は可撓性を有する基板を用いて形成されている
ため形状をフレキシブルに曲げることができる機能を有する。筐体5301と筐体530
2の間の角度をヒンジ5307及び5308において変更することで、筐体5301と筐
体5302が重なるように、ディスプレイ5303を折りたたむことができる。図示して
はいないが、開閉センサを内蔵させ、上記角度の変化をディスプレイ5303において使
用条件の情報として用いても良い。ディスプレイ5303はタッチセンサを有し、使用者
はディスプレイ5303をタッチすることでパーソナルコンピュータを操作することがで
きる。ディスプレイ5303に上記実施の形態に示す表示装置10を用いることで、使用
者が指でタッチした領域の視認性を向上させることができる。また、パーソナルコンピュ
ータの消費電力も抑えることができる。
03、操作キー5804、レンズ5805、接続部5806等を有する。操作キー580
4及びレンズ5805は筐体5801に設けられており、ディスプレイ5803は筐体5
802に設けられている。そして、筐体5801と筐体5802とは、接続部5806に
より接続されており、筐体5801と筐体5802の間の角度は、接続部5806により
変更が可能である。ディスプレイ5803における映像を、接続部5806における筐体
5801と筐体5802との間の角度に従って切り替える構成としても良い。ディスプレ
イ5803はタッチセンサを有し、使用者はディスプレイ5803をタッチすることでビ
デオカメラを操作することができる。ディスプレイ5803に上記実施の形態に示す表示
装置10を用いることで、使用者が指でタッチした領域の視認性を向上させることができ
る。また、ビデオカメラの消費電力も抑えることができる。
5702等を有する。ディスプレイ5702に可撓性を有する基板を用いることで、曲面
を有する筐体5701にディスプレイ5702を支持させることができ、フレキシブルか
つ軽くて使い勝手の良い腕時計型の携帯端末を提供することができる。ディスプレイ57
02はタッチセンサを有し、使用者はディスプレイ5702をタッチすること携帯端末を
操作することができる。ディスプレイ5702に上記実施の形態に示す表示装置10を用
いることで、使用者が指でタッチした領域の視認性を向上させることができる。また、携
帯端末の消費電力も抑えることができる。
、マイク5907、スピーカ5904、カメラ5903、外部接続部5906、操作用の
ボタン5905が設けられている。ディスプレイ5902はタッチセンサを有し、使用者
はディスプレイ5902をタッチすることで携帯電話を操作することができる。ディスプ
レイ5902に上記実施の形態に示す表示装置10を用いることで、使用者が指でタッチ
した領域の視認性を向上させることができる。また、携帯電話の消費電力も抑えることが
できる。
の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体(透明酸化物導電体を含む
)、酸化物半導体(Oxide Semiconductorまたは単にOSともいう)
などに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金
属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作
用、及びスイッチング作用の少なくとも1つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化
物半導体(metal oxide semiconductor)、略してOSと呼ぶ
ことができる。また、OS FETと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物
半導体を有するトランジスタと換言することができる。
ide)と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物(me
tal oxynitride)と呼称してもよい。
l)、及びCAC(cloud aligned composite)と記載する場合
がある。なお、CAACは結晶構造の一例を表し、CACは機能、または材料の構成の一
例を表す。
、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体で
は半導体としての機能を有する。なお、CAC-OSまたはCAC-metal oxi
deを、トランジスタの半導体層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子(
またはホール)を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能
である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイ
ッチングさせる機能(On/Offさせる機能)をCAC-OSまたはCAC-meta
l oxideに付与することができる。CAC-OSまたはCAC-metal ox
ideにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めること
ができる。
導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁
性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性
領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域
とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウ
ド状に連結して観察される場合がある。
絶縁性領域とは、それぞれ0.5nm以上10nm以下、好ましくは0.5nm以上3n
m以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
を有する成分により構成される。例えば、CAC-OSまたはCAC-metal ox
ideは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因する
ナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際
に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャッ
プを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有
する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記
CAC-OSまたはCAC-metal oxideをトランジスタのチャネル領域に用
いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及
び高い電界効果移動度を得ることができる。
材(matrix composite)、または金属マトリックス複合材(metal
matrix composite)と呼称することもできる。
ときのドレイン電流をいう。オン状態(オンと略す場合もある)とは、特に断りがない場
合、nチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧(VG)がしきい値電圧
(Vth)以上の状態、pチャネル型トランジスタでは、VGがVth以下の状態をいう
。例えば、nチャネル型のトランジスタのオン電流とは、VGがVth以上のときのドレ
イン電流を言う。また、トランジスタのオン電流は、ドレインとソースの間の電圧(VD
)に依存する場合がある。
ときのドレイン電流をいう。オフ状態(オフと略す場合もある)とは、特に断りがない場
合、nチャネル型トランジスタでは、VGがVthよりも低い状態、pチャネル型トラン
ジスタでは、VGがVthよりも高い状態をいう。例えば、nチャネル型のトランジスタ
のオフ電流とは、VGがVthよりも低いときのドレイン電流を言う。トランジスタのオ
フ電流は、VGに依存する場合がある。従って、トランジスタのオフ電流が10-21A
未満である、とは、トランジスタのオフ電流が10-21A未満となるVGの値が存在す
ることを言う場合がある。
電流は、特に記載がない場合、VDの絶対値が0.1V、0.8V、1V、1.2V、1
.8V、2.5V、3V、3.3V、10V、12V、16V、または20Vにおけるオ
フ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使
用されるVDにおけるオフ電流を表す場合がある。
を、「ソースまたはドレインの一方」(又は第1電極、又は第1端子)と表記し、ソース
とドレインとの他方を「ソースまたはドレインの他方」(又は第2電極、又は第2端子)
と表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は
動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称につ
いては、ソース(ドレイン)端子や、ソース(ドレイン)電極等、状況に応じて適切に言
い換えることができる。
とYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが直接接続されている場合とが、本明
細書等に開示されているものとする。
、など)であるとする。
とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など)を介さずに、XとYとが、接続されている場合
である。
とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、導通状態(オン状態)、または、非導通状態(オフ状態
)になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、
電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、XとYとが電気的に接続
されている場合は、XとYとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
パネル、14 タッチパネルコントローラ、15 タッチパネル、16 DDI、
17 表示素子、20 表示パネル、21 DDI、22 反射素子、23
DDI、24 発光素子、25 光センサ、30 表示領域、31 領域、32
領域、34 領域、35 領域、41 領域、42 領域、44 領域、
45 領域、101 走査線駆動回路、102 画素部、103 画素、120
トランジスタ、121 トランジスタ、122 トランジスタ、123 容量
素子、124 ノード、125 ノード、201 基板、202 基板、205
トランジスタ、206 トランジスタ、207 画素電極、208 共通電極
、209 液晶層、210 層、210a 層、210b 層、252 接着
層、300 画素、303 トランジスタ、304 容量素子、305 トラン
ジスタ、306 トランジスタ、307 容量素子、308 トランジスタ、30
9 トランジスタ、310 トランジスタ、311 導電層、312 絶縁層、
313 半導体層、314 導電層、315 導電層、316 絶縁層、317
導電層、318 絶縁層、319 導電層、320 導電層、321 導電
層、322 半導体層、323 導電層、324 絶縁層、325 絶縁層、3
26 導電層、327 導電層、328 絶縁層、329 導電層、330
絶縁層、331 EL層、332 導電層、333 接着層、334 着色層、
335 スペーサ、336 遮光層、340 導電層、341 絶縁層、342
半導体層、343 絶縁層、344 導電層、345 絶縁層、346 導
電層、347 導電層、348 導電層、349 導電層、350 画素、35
1 画素、351a 画素、351b 画素、351c 画素、351d 画
素、360 絶縁層、361 導電層、362 接着層、363 絶縁層、36
4 配向膜、365 配向膜、371 表示部、372 表示部、510 電
極、511 電極、512 半導体層、516 電極、517 電極、601
画素部、602 走査線駆動回路、603 走査線駆動回路、606 配線、6
07 配線、608 FPC、609 FPC、610 FPC、611 配
線、612 配線、614 表示領域、615 表示領域、616 表示領域、
617 表示領域、618 表示領域、801 上部カバー、802 下部カバ
ー、805 FPC、809 フレーム、810 プリント基板、811 バッ
テリー、4001 基板、4005 シール材、4006 基板、4011 ト
ランジスタ、4014 配線、4015 電極、4019 異方性導電層、402
1 電極、4030 電極層、4031 電極層、4102 絶縁層、4103
絶縁層、4110 絶縁層、4111 絶縁層、4112 絶縁層、4510
隔壁、4511 発光層、4514 充填材、5201 筐体、5202
ディスプレイ、5203 ベルト、5204 光センサ、5205 スイッチ、5
301 筐体、5302 筐体、5303 ディスプレイ、5304 光センサ
、5305 光センサ、5306 スイッチ、5307 ヒンジ、5701 筐
体、5702 ディスプレイ、5801 筐体、5802 筐体、5803 デ
ィスプレイ、5804 操作キー、5805 レンズ、5806 接続部、590
1 筐体、5902 ディスプレイ、5903 カメラ、5904 スピーカ、
5905 ボタン、5906 外部接続部、5907 マイク
Claims (21)
- 発光素子で表示される表示領域を有し、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、使用者がタッチしている点を含み、
前記第2領域における青色の輝度は、前記第1領域における青色の輝度よりも低いことを特徴とする表示装置。 - 発光素子で表示される表示領域を有し、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域において、使用者がタッチしている点を第1点とし、
前記使用者が前記第1点をタッチする前にタッチしていた点を第2点とし、
前記第1点を始点とし前記第2点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし、
前記第1ベクトルのk倍(kは実数)を第2ベクトルとし、
前記第1点を前記第2ベクトル移動させた位置にある点を第3点とし、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、前記第1点を中心とする第1円と、前記第3点を中心とする第2円を含み、
前記第1領域は前記第2領域よりも輝度が高いことを特徴とする表示装置。 - 発光素子で表示される表示領域を有し、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域において、使用者がタッチしている2点のうち、一方を第1点、他方を第2点とし、
前記使用者が前記2点をタッチする前にタッチしていた2点のうち、一方を第3点、他方を第4点とし、
前記第1点を始点とし前記第3点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし、
前記第2点を始点とし前記第4点を終点とするベクトルを第2ベクトルとし、
前記第1ベクトルのk倍(kは実数)を第3ベクトルとし、
前記第2ベクトルのk倍を第4ベクトルとし、
前記第1点を前記第3ベクトル移動させた位置にある点を第5点とし、
前記第2点を前記第4ベクトル移動させた位置にある点を第6点とし、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、前記第1点および前記第2点を焦点とする第1楕円と、前記第5点および前記第6点を焦点とする第2楕円と、を含み、
前記第1領域は前記第2領域よりも輝度が高いことを特徴とする表示装置。 - 発光素子で表示される表示領域を有し、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域は複数の行からなるテキストと、背景と、を表示し、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、前記複数の行のうち、使用者がタッチしている点から最も近い位置にある行を含み、
前記第1領域の背景の輝度は前記第2領域の背景の輝度よりも高いことを特徴とする表示装置。 - 発光素子で表示される表示領域を有し、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域は、複数の行からなるテキストと、背景と、を表示し、
前記表示領域において、使用者がタッチしている点を第1点とし、
前記使用者が前記第1点をタッチする前にタッチしていた点を第2点とし、
前記第1点を始点とし前記第2点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし、
前記第1ベクトルのk倍(kは実数)を第2ベクトルとし、
前記第1点を前記第2ベクトル移動させた位置にある点を第3点とし、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、前記複数の行のうち前記第1点から最も近い行と、前記複数の行のうち前記第3点から最も近い行と、を含み、
前記第1領域の背景の輝度は、前記第2領域の背景の輝度よりも高いことを特徴とする表示装置。 - 発光素子で表示される表示領域を有し、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域は、複数の行からなるテキストと、背景と、を表示し、
前記表示領域において、使用者がタッチしている2点のうち、一方を第1点、他方を第2点とし、
前記使用者が前記2点をタッチする前にタッチしていた2点のうち、一方を第3点、他方を第4点とし、
前記第1点を始点とし前記第3点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし、
前記第2点を始点とし前記第4点を終点とするベクトルを第2ベクトルとし、
前記第1ベクトルのk倍(kは実数)を第3ベクトルとし、
前記第2ベクトルのk倍を第4ベクトルとし、
前記第1点を前記第3ベクトル移動させた位置にある点を第5点とし、
前記第2点を前記第4ベクトル移動させた位置にある点を第6点とし、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、前記複数の行のうち前記第1点から最も近い行と、前記複数の行のうち前記第2点から最も近い行と、前記複数の行のうち前記第5点から最も近い行と、前記複数の行のうち前記第6点から最も近い行と、を含み、
前記第1領域の背景の輝度は、前記第2領域の背景の輝度よりも高いことを特徴とする表示装置。 - 請求項2乃至請求項6の何れか一項において、
前記第2領域における青色の輝度は、前記第1領域における青色の輝度よりも低いことを特徴とする表示装置。 - 表示領域を有し、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、使用者がタッチしている点を含み、
前記第1領域は前記第2領域よりも輝度が高く、
前記第1領域において発光素子を用いて表示を行い、
前記第2領域において反射素子を用いて表示を行うことを特徴とする表示装置。 - 表示領域を有し、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域において、使用者がタッチしている点を第1点とし、
前記使用者が前記第1点をタッチする前にタッチしていた点を第2点とし、
前記第1点を始点とし前記第2点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし、
前記第1ベクトルのk倍(kは実数)を第2ベクトルとし、
前記第1点を前記第2ベクトル移動させた位置にある点を第3点とし、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、前記第1点を中心とする第1円と、前記第3点を中心とする第2円を含み、
前記第1領域は前記第2領域よりも輝度が高く、
前記第1領域において発光素子を用いて表示を行い、
前記第2領域において反射素子を用いて表示を行うことを特徴とする表示装置。 - 表示領域を有し、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域において、使用者がタッチしている2点のうち、一方を第1点、他方を第2点とし、
前記使用者が前記2点をタッチする前にタッチしていた2点のうち、一方を第3点、他方を第4点とし、
前記第1点を始点とし前記第3点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし、
前記第2点を始点とし前記第4点を終点とするベクトルを第2ベクトルとし、
前記第1ベクトルのk倍(kは実数)を第3ベクトルとし、
前記第2ベクトルのk倍を第4ベクトルとし、
前記第1点を前記第3ベクトル移動させた位置にある点を第5点とし、
前記第2点を前記第4ベクトル移動させた位置にある点を第6点とし、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、前記第1点および前記第2点を焦点とする第1楕円と、前記第5点および前記第6点を焦点とする第2楕円と、を含み、
前記第1領域は前記第2領域よりも輝度が高く、
前記第1領域において発光素子を用いて表示を行い、
前記第2領域において反射素子を用いて表示を行うことを特徴とする表示装置。 - 表示領域を有し、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域は複数の行からなるテキストと、背景と、を表示し、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、前記複数の行のうち、使用者がタッチしている点から最も近い位置にある行を含み、
前記第1領域の背景の輝度は前記第2領域の背景の輝度よりも高く、
前記第1領域において発光素子を用いて表示を行い、
前記第2領域において反射素子を用いて表示を行うことを特徴とする表示装置。 - 表示領域を有し、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域は、複数の行からなるテキストと、背景と、を表示し、
前記表示領域において、使用者がタッチしている点を第1点とし、
前記使用者が前記第1点をタッチする前にタッチしていた点を第2点とし、
前記第1点を始点とし前記第2点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし、
前記第1ベクトルのk倍(kは実数)を第2ベクトルとし、
前記第1点を前記第2ベクトル移動させた位置にある点を第3点とし、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、前記複数の行のうち前記第1点から最も近い行と、前記複数の行のうち前記第3点から最も近い行と、を含み、
前記第1領域の背景の輝度は、前記第2領域の背景の輝度よりも高く、
前記第1領域において発光素子を用いて表示を行い、
前記第2領域において反射素子を用いて表示を行うことを特徴とする表示装置。 - 表示領域を有し、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域は、複数の行からなるテキストと、背景と、を表示し、
前記表示領域において、使用者がタッチしている2点のうち、一方を第1点、他方を第2点とし、
前記使用者が前記2点をタッチする前にタッチしていた2点のうち、一方を第3点、他方を第4点とし、
前記第1点を始点とし前記第3点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし、
前記第2点を始点とし前記第4点を終点とするベクトルを第2ベクトルとし、
前記第1ベクトルのk倍(kは実数)を第3ベクトルとし、
前記第2ベクトルのk倍を第4ベクトルとし、
前記第1点を前記第3ベクトル移動させた位置にある点を第5点とし、
前記第2点を前記第4ベクトル移動させた位置にある点を第6点とし、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、前記複数の行のうち前記第1点から最も近い行と、前記複数の行のうち前記第2点から最も近い行と、前記複数の行のうち前記第5点から最も近い行と、前記複数の行のうち前記第6点から最も近い行と、を含み、
前記第1領域の背景の輝度は、前記第2領域の背景の輝度よりも高く、
前記第1領域において発光素子を用いて表示を行い、
前記第2領域において反射素子を用いて表示を行うことを特徴とする表示装置。 - 請求項8乃至請求項13の何れか一項において、
前記第2領域における青色の輝度は、前記第1領域における青色の輝度よりも低いことを特徴とする表示装置。 - 発光素子で表示される表示領域において、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、使用者がタッチしている点を含み、
前記第2領域における青色の輝度は、前記第1領域における青色の輝度よりも低いことを特徴とする表示方法。 - 発光素子で表示される表示領域において、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域において、使用者がタッチしている点を第1点とし、
前記使用者が前記第1点をタッチする前にタッチしていた点を第2点とし、
前記第1点を始点とし前記第2点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし、
前記第1ベクトルのk倍(kは実数)を第2ベクトルとし、
前記第1点を前記第2ベクトル移動させた位置にある点を第3点とし、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、前記第1点を中心とする第1円と、前記第3点を中心とする第2円を含み、
前記第1領域は前記第2領域よりも輝度が高いことを特徴とする表示方法。 - 発光素子で表示される表示領域において、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域において、使用者がタッチしている2点のうち、一方を第1点、他方を第2点とし、
前記使用者が前記2点をタッチする前にタッチしていた2点のうち、一方を第3点、他方を第4点とし、
前記第1点を始点とし前記第3点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし、
前記第2点を始点とし前記第4点を終点とするベクトルを第2ベクトルとし、
前記第1ベクトルのk倍(kは実数)を第3ベクトルとし、
前記第2ベクトルのk倍を第4ベクトルとし、
前記第1点を前記第3ベクトル移動させた位置にある点を第5点とし、
前記第2点を前記第4ベクトル移動させた位置にある点を第6点とし、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、前記第1点および前記第2点を焦点とする第1楕円と、前記第5点および前記第6点を焦点とする第2楕円と、を含み、
前記第1領域は前記第2領域よりも輝度が高いことを特徴とする表示方法。 - 発光素子で表示される表示領域において、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域は複数の行からなるテキストと、背景と、を表示し、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、前記複数の行のうち、使用者がタッチしている点から最も近い位置にある行を含み、
前記第1領域の背景の輝度は前記第2領域の背景の輝度よりも高いことを特徴とする表示方法。 - 発光素子で表示される表示領域において、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域は、複数の行からなるテキストと、背景と、を表示し、
前記表示領域において、使用者がタッチしている点を第1点とし、
前記使用者が前記第1点をタッチする前にタッチしていた点を第2点とし、
前記第1点を始点とし前記第2点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし、
前記第1ベクトルのk倍(kは実数)を第2ベクトルとし、
前記第1点を前記第2ベクトル移動させた位置にある点を第3点とし、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、前記複数の行のうち前記第1点から最も近い行と、前記複数の行のうち前記第3点から最も近い行と、を含み、
前記第1領域の背景の輝度は、前記第2領域の背景の輝度よりも高いことを特徴とする表示方法。 - 発光素子で表示される表示領域において、
前記表示領域はタッチを検出する機能を有し、
前記表示領域は、複数の行からなるテキストと、背景と、を表示し、
前記表示領域において、使用者がタッチしている2点のうち、一方を第1点、他方を第2点とし、
前記使用者が前記2点をタッチする前にタッチしていた2点のうち、一方を第3点、他方を第4点とし、
前記第1点を始点とし前記第3点を終点とするベクトルを第1ベクトルとし、
前記第2点を始点とし前記第4点を終点とするベクトルを第2ベクトルとし、
前記第1ベクトルのk倍(kは実数)を第3ベクトルとし、
前記第2ベクトルのk倍を第4ベクトルとし、
前記第1点を前記第3ベクトル移動させた位置にある点を第5点とし、
前記第2点を前記第4ベクトル移動させた位置にある点を第6点とし、
前記表示領域は第1領域と、前記表示領域から前記第1領域を除いた第2領域と、を有し、
前記第1領域は、前記複数の行のうち前記第1点から最も近い行と、前記複数の行のうち前記第2点から最も近い行と、前記複数の行のうち前記第5点から最も近い行と、前記複数の行のうち前記第6点から最も近い行と、を含み、
前記第1領域の背景の輝度は、前記第2領域の背景の輝度よりも高いことを特徴とする表示方法。 - 請求項15乃至請求項20の何れか一項において、
前記第2領域における青色の輝度は、前記第1領域における青色の輝度よりも低いことを特徴とする表示方法。
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