JP2022022071A - コネクタ用端子材 - Google Patents
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Abstract
Description
第1実施形態のコネクタ用端子材1は、図1に断面を模式的に示したように、少なくとも表面が銅又は銅合金からなる板状の基材2と、基材2の上に形成された銀ニッケルカリウム合金めっき層3と、を備えている。
まず、基材2として、少なくとも表層面銅又は銅合金からなる板材を用意し、この板材を脱脂、酸洗等をすることによって表面を清浄する前処理を行う。
基材2に対して5~10質量%のシアン化カリウム水溶液を用いて活性化処理を行った後、基材2上に銀ストライクめっき処理を短時間施して薄い銀めっき層を形成する。
銀ストライクめっき処理後に銀ニッケルカリウム合金めっき処理を施して、銀ニッケルカリウム合金めっき層3を形成する。銀ニッケルカリウム合金めっき層3を形成するためのめっき浴は、例えば、シアン化銀(AgCN)30g/L~50g/L、シアン化カリウム(KCN)120g/L~200g/L、炭酸カリウム(K2CO3)15g/L~30g/L、テトラシアノニッケル(II)酸カリウム・一水和物(K2[Ni(CN)4]・H2O)120g/L~200g/L、および銀ニッケルカリウム合金めっき層3を平滑に析出させるための添加剤からなる組成のシアン浴を利用できる。この添加剤は、アンチモンを含まないものであれば、一般的な添加剤で構わない。
図2は本発明の第2実施形態を示している。この実施形態のコネクタ用端子材11は、基材2と銀ニッケルカリウム合金めっき層3との間にニッケル又はニッケル合金からなるニッケルめっき層4が形成されている。
前処理を施した基材2の表面に、ニッケルめっき処理を施して、ニッケルめっき層4を基材2に形成する。具体的には例えば、スルファミン酸ニッケル350g/L、塩化ニッケル・六水和物10g/L、及びホウ酸30g/Lを含むニッケルめっき浴を用いて、浴温45℃、電流密度5A/dm2の条件下でニッケルめっき処理を施す。なお、ニッケルめっき層4を形成するニッケルめっき処理は、緻密なニッケル主体の膜が得られるものであれば特に限定されず、公知のワット浴を用いる電気めっき処理であってもよい。
図3は本発明の第3実施形態を示している。このコネクタ用端子材12は、銀ニッケルカリウム合金めっき層3の上にさらに銀めっき層5が形成されている。図3には基材2と銀ニッケルカリウム合金めっき層3との間に、基材2からの銅の拡散を防止するためのニッケルめっき層4が形成された例を示している。ただし、本発明においてはニッケルめっき層4は必ずしも必要ではない。
この銀めっき層5を形成するための銀めっき浴の組成は、特に限定されないが、例えば、シアン化銀(AgCN)40g/L~50g/L、シアン化カリウム(KCN)110g/L~130g/L、炭酸カリウム(K2CO3)10g/L~20g/L、添加剤からなる。この銀めっき浴に対してアノードとして純銀板を用いて、浴温が常温(25℃~30℃)で、電流密度2A/dm2~4A/dm2の条件下でめっき処理を施すことにより、銀めっき層5が形成される。
なお、銀ニッケルカリウム合金めっき層を形成せずに、ニッケルめっき層の上に銀めっき層を形成したもの(比較例14)、ニッケルめっき層の上に銀アンチモン合金めっき層を形成したもの(比較例15)も作製した。
<ニッケルめっき条件>
・めっき浴組成
スルファミン酸ニッケル:350g/L
塩化ニッケル・六水和物:10g/L
ホウ酸:30g/L
・浴温:45℃
・電流密度:5A/dm2
・pH:4
・めっき浴組成
シアン化銀:2g/L
シアン化カリウム:100g/L
・アノード:SUS316
・浴温:25℃
・電流密度:1.5A/dm2
・めっき浴組成
シアン化銀:45g/L
シアン化カリウム:180g/L
炭酸カリウム:20g/L
テトラシアノニッケル(II)酸カリウム・一水和物:120g/L~200g/L
添加剤:5ml/L
・アノード:純銀板
・浴温:25℃
・電流密度:4A/dm2~14A/dm2
・めっき浴組成
シアン化銀:45g/L
シアン化カリウム:115g/L
炭酸カリウム:15g/L
光沢剤:
(DDPスペシャルティ・プロダクツ・ジャパン株式会社製)SILVER GLO 3K:15ml/L
(同)SILVER GLO TY:5ml/L
・浴温:25℃
・電流密度:4A/dm2
・アノード:純銀板
銀ニッケルカリウム合金めっき層、銀めっき層及びニッケルめっき層の膜厚は、以下のように測定した。セイコーインスツル株式会社製の集束イオンビーム装置:FIB(型番:SMI3050TB)を用いて各試料に断面加工を行い、形成した断面を走査イオン顕微鏡(SIM:Scanning Ion Microscop)で観察し、傾斜角60°の断面SIM像における任意の3箇所の膜厚を測長し、その平均を求めた後、実際の長さに変換した。
銀ニッケルカリウム合金めっき層を形成しためっき材をFIBを使用して、厚さが50nm程度の断面試料に加工した。その断面試料の加工面の銀ニッケルカリウム合金めっき層をEBSD((Electron Back Scatter Diffraction)装置付透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Microscope:TEM)を用いて、加速電圧200kVで電子線を照射しながら、測定範囲200nm×400nm、測定ステップ2nmで結晶方位を2回測定した。次いで、この結晶方位のデータを解析ソフトを用いて解析し、隣接する測定点間の方位差が5°以上となる測定点間を結晶粒界とみなして、銀ニッケルカリウム合金めっき層の結晶粒径(双晶を含む)を測定した。
EBSD装置:EDAX/TSL社製OIM Data Collection
解析ソフト:EDAX/TSL社製OIM Data Analysis ver.5.2
測定に用いた装置、解析ソフトは前述と同一である。
各試料に対して、GD-MS(Glow Discharge-Mass Spectrometry:グロー放電質量分析法)で銀ニッケルカリウム合金めっき層中のニッケルおよびカリウムの含有量(質量%)を測定した。
・グロー放電:定電流モード
・放電電流:0.7mA
・放電電圧:0.5kV
・放電ガス:Ar(>99.9999%)
・深さ方向分解能:0.05μm/スキャン
各試料を、60mm×30mmの試験片αと60mm×10mmの試験片βとに切り出し、平板の試験片αをオス端子の代用(オス端子試験片)とし、平板に曲率半径5mmの半球状の凸部を形成するインデント加工を行った試験片βをメス端子の代用(メス端子試験片)とした。
耐摩耗性を評価するために次のようにして摩擦係数を測定した。
接触抵抗の測定に用いた試験片と同じ形状の試験片α、βを用意した。試験片βの凸部の凸面と試験片αとを荷重5Nで相互に押圧して、摺動速度1.33mm/secの条件で、10mmの距離を移動させ、摩擦係数の変化を測定した。移動距離5mmから10mmの間で得られた摩擦係数の平均値を摩擦係数とした。
2 基材
3 銀ニッケルカリウム合金めっき層
4 ニッケルめっき層
5 銀めっき層
Claims (4)
- 少なくとも表面が銅又は銅合金からなる基材と、
前記基材の上の少なくとも一部に形成された銀ニッケルカリウム合金めっき層と、
を備え、
前記銀ニッケルカリウム合金めっき層は、膜厚が0.5μm以上20.0μm以下で、ニッケル含有量が0.02質量%以上0.60質量%以下、カリウム含有量が0.03質量%以上1.00質量%以下であることを特徴とするコネクタ用端子材。 - 銀ニッケルカリウム合金めっき層の平均結晶粒径は10nm以上150nm以下であることを特徴とする請求項1に記載のコネクタ用端子材。
- 前記銀ニッケルカリウム合金めっき層の上の少なくとも一部に、ガス成分であるC、H、S、O、Nを除く銀の純度が99質量%以上、膜厚0.1μm以上5.0μm以下の銀めっき層をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載のコネクタ用端子材。
- 前記基材と前記銀ニッケルカリウム合金めっき層との間に、膜厚が0.2μm以上5.0μm以下のニッケル又はニッケル合金からなるニッケルめっき層が形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のコネクタ用端子材。
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- 2021-02-02 JP JP2021015188A patent/JP7119267B2/ja active Active
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