JP2021534590A - 半導体接触層を有する光電子半導体部品および光電子半導体部品を製造するための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本特許出願は、独国特許出願第102018120490.6号の優先権を主張しており、これによりその開示内容は援用によって本明細書に組み込まれる。
実施形態によれば、光電子半導体部品は、第1の導電型の第1の半導体層と、第2の導電型の第2の半導体層とを含み、ここで、第1および第2の半導体層の半導体材料は、それぞれ、第1、第2、および第3の組成元素を含む化合物半導体材料であり、さらに、第2の半導体層の電気的接触接続のための第2の接触領域を含む。第2の接触領域は、第2の金属接触層、ならびに第2の金属接触層と第2の半導体層との間の半導体接触層を有する。半導体接触層の半導体材料は、第1、第2、および第3の組成元素を含み、ここで、第1および第2の組成元素の濃度は、第2の半導体層の側方の位置から第2の金属接触層の側方の位置まで変化する。
以下の詳細な説明では、本開示の一部を形成し、例示目的で特定の実施例が示されている添付の図面が参照される。この関係性において、「上面」、「底面」、「前面」、「裏面」、「上方に」、「上に」、「前に」、「後に」、「前方」、「後方」などの方向性に係る用語は、直に説明した図面の配列に関係している。実施例の成分は、異なる配向で位置決めすることができるので、方向性に係る用語は説明にのみ用いられ、いかなる限定も意味するものではない。
15 ワークピース
20 放射された電磁ビーム
30 光電子装置
100 透明基板
105 第1の主表面
110 第2の主表面
120 第1の半導体層
122 第1の金属接触層
125 活性領域
130 第2の半導体層
131 第2の半導体層の露出部分
132 半導体接触層
133 半導体接続層
134 第2の金属接触層
135 第2の接触領域
138 バッファ層
140 メサ
141 トレンチ
144 マスク層
145 開口部
Claims (17)
- 光電子半導体部品(10)であって、
第1の導電型の第1の半導体層(120)と、
第2の導電型の第2の半導体層(130)とを含み、前記第1および第2の半導体層(120,130)の半導体材料は、それぞれ、第1、第2、および第3の組成元素を含む化合物半導体材料であり、さらに、
前記第2の半導体層(130)の電気的接触接続のための第2の接触領域(135)を含み、
前記第1の半導体層(120)は、前記第2の半導体層(130)の上方に配置されて構造化されており、前記第2の接触領域(135)は、前記第1の半導体層の構造化された領域の間に配置されており、
前記第2の接触領域(135)は、第2の金属接触層(134)、ならびに該金属接触層(134)と前記第2の半導体層(130)との間の半導体接触層(132)を有し、
前記半導体接触層(132)の半導体材料は、前記第1、第2、および第3の組成元素を含み、前記第1および第2の組成元素の濃度は、前記第2の半導体層(130)の側方の位置から前記第2の金属接触層(134)の側方の位置まで変化する、光電子半導体部品(10)。 - 前記半導体接触層(132)と前記第2の金属接触層(134)との間に半導体接続層(133)をさらに有し、前記半導体接続層(133)は、前記第1、第2、および第3の組成元素のグループからの2つを含む、請求項1記載の光電子半導体部品(10)。
- 前記半導体接続層の材料のバンドギャップは、前記第2の半導体層のバンドギャップよりも小さい、請求項2記載の光電子半導体部品(10)。
- 前記半導体接続層(133)は、前記第1、第2、および第3の組成元素のグループからの専ら2つを含む、請求項2または3記載の光電子半導体部品(10)。
- 前記半導体接触層(132)の組成元素の濃度は、前記第2の半導体層(130)から前記第2の金属接触層(134)に向かう領域において減少する、請求項1から4までのいずれか1項記載の光電子半導体部品(10)。
- 前記第1の半導体層(120)は、同じ組成元素からの複数の下層を含み、少なくとも2つの下層では組成元素のドーピングレベルまたは組成比が異なっている、請求項1から5までのいずれか1項記載の光電子半導体部品(10)。
- 前記第2の半導体層(130)の組成元素は、それぞれ、In、Al、Ga、BおよびNからなるグループから選択されている、請求項1から6までのいずれか1項記載の光電子半導体部品(10)。
- 光電子半導体部品を製造するための方法であって、
前記方法は、
第1の導電型の第1の半導体層を構造化するステップを含み、前記第1の半導体層は、第2の導電型の第2の半導体層の上方に配置され、それによって、前記第1の半導体層が前記第2の半導体層の一部から除去され、前記第1の半導体層の構造化された領域が形成され、前記第1および第2の半導体層の半導体材料は、それぞれ、第1、第2および第3の組成元素を含む化合物半導体材料であり、さらに、
前記第1の半導体層(120)の構造化された領域間に半導体接触層ならびに第2の金属接触層を形成するステップを含み、
前記第2の半導体層の電気的接触接続のための第2の接触領域が形成され、
前記半導体接触層は、前記第2の金属接触層と前記第2の半導体層との間に形成され、前記半導体接触層の半導体材料は、第1、第2、および第3の組成元素を含み、
前記第1および第2の組成元素の濃度は、前記第2の半導体層の側方の位置から前記第2の金属接触層の側方の位置まで変化する、方法。 - 前記半導体接触層は、前記第2の半導体層の露出領域上での選択的エピタキシャル成長によって形成される、請求項8記載の方法。
- 前記半導体接触層と前記第2の金属接触層との間に半導体接続層を形成するステップ(S120)をさらに含み、前記半導体接続層は、前記第1、第2、および第3の組成元素のグループからの2つを含む、請求項8または9記載の方法。
- 前記半導体接触層の組成元素の濃度は、前記第2の半導体層から前記第2の金属接触層までの領域において減少する、請求項8から10までのいずれか1項記載の方法。
- 前記第1の半導体層を構造化するステップの前に、前記第1および第2の半導体層を含む層スタックを形成するステップをさらに含む、請求項8から11までのいずれか1項記載の方法。
- 光電子半導体部品(10)であって、
第1の導電型の第1の半導体層(120)と、
第2の導電型の第2の半導体層(130)と、
前記第2の半導体層(130)の電気的接触接続のための第2の接触領域(135)とを含み、
前記第1の半導体層(120)は、前記第2の半導体層(130)の上方に配置されて構造化されており、前記第2の接触領域(135)は、前記第1の半導体層の構造化された領域の間に配置されており、
前記第2の接触領域(135)は、第2の金属接触層(134)、ならびに前記第2の金属接触層(134)と前記第2の半導体層(130)との間の半導体接触層(132)を有し、
前記半導体接触層(132)の半導体材料のバンドギャップは、前記第2の半導体層(130)の側方の位置から前記第2の金属接触層(134)の側方の位置まで減少する、光電子半導体部品(10)。 - 前記半導体接触層(132)と前記第2の金属接触層(134)との間に半導体接続層(133)をさらに有し、前記半導体接続層(133)の材料のバンドギャップは、前記第2の半導体層のバンドギャップよりも小さい、請求項13記載の光電子半導体部品(10)。
- 前記半導体接触層の半導体材料のバンドギャップは、前記第2の半導体層(133)の半導体材料のバンドギャップよりも小さく、前記半導体接続層(133)の半導体材料のバンドギャップよりも大きい、請求項14記載の光電子半導体部品(10)。
- 請求項1から7および13から15までのいずれか1項記載の光電子半導体部品(10)を備えた光電子装置(30)。
- 前記光電子装置は、UV照明装置またはUV分析装置である、請求項16記載の光電子装置(30)。
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