CN112585769A - 具有半导体接触层的光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 - Google Patents
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Abstract
一种光电子半导体器件(10)，包括：第一导电类型的第一半导体层(120)；第二导电类型的第二半导体层(130)，其中第一半导体层和第二半导体层(120，130)的半导体材料分别是化合物半导体材料，其包含第一、第二和第三组成元素；和用于电接触第二半导体层(130)的第二接触区域(135)。第二接触区域(135)具有第二金属接触层(134)以及在金属接触层(134)和第二半导体层(130)之间的半导体接触层(132)。半导体接触层(132)的半导体材料包含第一、第二和第三组成元素，其中第一和第二组成元素的浓度从在第二半导体层(130)的侧上的位置直至在第二金属接触层(134)的侧上的位置改变。
Description
本申请要求德国专利申请DE 10 2018 120 490.6的优先权，其公开内容通过参引结合于此。
背景技术
发光二极管(LED)是基于半导体材料的发光设备。例如，LED包括pn结。如果电子和空穴彼此在pn结的区域中复合，例如因为施加相应的电压而复合，那么产生电磁辐射。
一般寻找新的设计，借助其可以提高器件的效率，即输出的光学功率和输送的电功率的比值。
发明内容
本发明基于的目的是，提出一种改进的光电子半导体器件。
根据本发明，所述目的通过独立权利要求的主题和方法来实现。有利的改进方案在从属权利要求中限定。
根据实施方式，光电子半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，其中第一和第二半导体层的半导体材料分别是化合物半导体材料，其包含第一、第二和第三组成元素；和用于电接触第二半导体层的第二接触区域。第二接触区域具有第二金属接触层以及在第二金属接触层和第二半导体层之间的半导体接触层。半导体接触层的半导体材料包含第一、第二和第三组成元素，其中第一和第二组成元素的浓度从在第二半导体层的侧上的位置直至在第二金属接触层的侧上的位置改变。
例如，第一半导体层在第一半导体层之上设置并且结构化。第二接触区域可以设置在第一半导体层的结构化的区域之间。第一半导体层可以结构化为，使得其远离第二半导体层的部分。
光电子半导体器件还可以具有在半导体接触层和第二金属接触层之间的半导体连接层，其中半导体连接层包含第一、第二和第三组成元素中的两个组成元素。例如，半导体连接层可以仅包含第一、第二和第三组成元素中的两个组成元素。根据实施方式，半导体接触层的组成元素的浓度在第二半导体层至第二金属接触层的区域中减小。
例如，半导体连接层的材料的带隙可以小于第二半导体层的带隙。
根据设计方案，第一半导体层可以包含与第二半导体层相同的组成元素。在第一和第二半导体层中的组成元素的组成比例可以是相同的或不同的。
根据实施方式，第一半导体层可以包含由相同的组成元素构成的多个子层，其中在至少两个子层中组成元素的掺杂水平或组成比例不同。
第二半导体层的组成元素可以分别选自由In、Al、Ga、B和N构成的组。例如，第二半导体层的组成元素可以分别包含Al、Ga和N。此外，第二半导体层可以附加地包含In。根据其他实施方式，第二半导体层的组成元素可以分别包含In、Ga和N。替选地，第二半导体层的组成元素可以分别包含Al、B和N或包含Ga、B和N。
用于制造光电子半导体器件的方法包括：将第一导电类型的第一半导体层结构化，所述第一半导体层在第二导电类型的第二半导体层之上设置，使得第一半导体层远离第二半导体层的部分并且构成第一半导体层的结构化的区域，其中第一和第二半导体层的半导体材料分别是化合物半导体材料，其包含第一、第二和第三组成元素。所述方法还包括：在第一半导体层的结构化的区域之间构成第二金属接触层以及半导体接触层，其中第二接触区域构成用于电接触第二半导体层。半导体接触层在第二金属接触层以及第二半导体层之间构成。半导体接触层的半导体材料包含第一、第二和第三组成元素，其中第一和第二组成元素的浓度从在第二半导体层的侧上的位置直至在第二金属接触层的侧上的位置改变。
半导体接触层可以通过在第二半导体层的露出的区域之上选择性地外延生长构成。所述方法还可以包括：在半导体接触层和第二金属接触层之间构成半导体连接层，其中半导体连接层包含出自第一、第二和第三组成元素的组中的两个组成元素。
例如，半导体接触层的组成元素的浓度可以在从第二半导体层至第二金属接触层的区域中减小。所述方法还可以包括：在将第一半导体层结构化之前，构成层堆，所述层堆包括第一和第二半导体层。第一和第二半导体层尤其可以外延生长。
根据其他实施方式，光电子半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层；和用于电接触第二半导体层的第二接触区域。第二接触区域具有第二金属接触层以及在第二金属接触层和第二半导体层之间的半导体接触层。半导体接触层的半导体材料的带隙从在第二半导体层的侧上的位置直至在第二金属接触层的侧上的位置减小。
例如，第一半导体层在第一半导体层之上设置和结构化。第二接触区域可以在第一半导体层的结构化的区域之间设置。第一半导体层可以结构化为，使得其远离第二半导体层的部分。
光电子半导体器件还可以具有在半导体接触层和第二金属接触层之间的半导体连接层。在此，半导体连接层的材料的带隙小于第二半导体层的带隙。例如，半导体接触层的半导体材料的带隙可以小于第二半导体层的半导体材料的带隙并且大于半导体连接层的半导体材料的带隙。
根据实施方式，光电子设备包含前述光电子半导体器件。光电子设备例如可以是UV照明设备或UV分析设备。
附图说明
附图用于理解本发明的实施例。所述附图图解说明实施例并且与说明书一起用于其阐述。其他实施例和大量有意的优点直接从下面的细节描述中得出。在附图中示出的元件和结构不一定相互间符合比例地示出。相同的附图标记参照相同的或彼此相对应的元件和结构。
图1A示出根据实施方式的光电子半导体器件的示意横截面视图。
图1B和1C示出根据实施方式的光电子半导体器件的示意俯视图。
图2A至2E示出在执行根据实施方式的方法时的工件的横截面视图。
图3概括根据实施方式的方法。
图4图解说明根据实施方式的光电子设备。
具体实施方式
在下面的细节描述中参照附图，所述附图形成公开内容的一部分并且在所述附图中为了图解说明而示出特定的实施例。在该上下文中，方向术语如“上侧”、“底部”、“前侧”、“后侧”、“之上”、“上”、“前”、“后”、“前方”、“后方”等参照刚刚描述的附图的定向。因为实施例的组件可以沿不同取向定位，方向术语仅用于阐述并且在任何情况下都不是限制性的。
表达“第一半导体层在第二半导体层之上设置”尤其应当意味着，第一和第二半导体层是半导体层堆的部分。根据光电子半导体器件的定位，该表达也可以意味着，第二半导体层在第一半导体层之上设置。
实施例的描述不是限制性的，因为也存在其他实施例并且可以进行结构上的或逻辑上的改变，而在此不偏离通过权利要求限定的范围。尤其地，在下文中描述的实施例的元件可以与其他所描述的实施例的元件组合，只要在上下文中没有另作说明。
在本说明书的范围内提到的半导体材料可以基于直接的半导体材料。对于产生电磁辐射特别适合的半导体材料的实例尤其包括氮化物半导体化合物，通过其例如可以产生紫外的、蓝色的或更长波长的光，例如GaN、InGaN、AlN、AlGaN、AlGaInN、AlGaInBN，磷化物半导体化合物，通过其例如可以产生绿色的或更长波长的光，例如GaAsP、AlGaInP、GaP、AlGaP，以及其他半导体材料，如AlGaAs、SiC、ZnSe、GaAs、ZnO、Ga2O3、钻石、六方BN和所述材料的组合。三元化合物的化学计量比例可以变化。半导体材料的其他实例可以包括硅、硅锗和锗。
表述“衬底”一般包括绝缘的、导电的或半导体衬底。
表述“横向”和“水平”，如在本说明书中所使用的那样，应当描述如下取向或定向，所述取向或定向基本上平行于衬底的或半导体本体的第一表面伸展。这例如可以是晶片的或芯片(管芯)的表面。
水平方向例如可以处于垂直于在层生长时的生长方向的平面中。
表述“竖直”，如其在本说明书中所使用的那样，应当描述如下取向，所述取向基本上垂直于衬底的或半导体本体的第一表面伸展。竖直方向例如可以对应于在层生长时的生长方向。
只要在此使用表述“含有”、“包含”、“包括”、“具有”等，那么涉及开放式表述，其表明存在所述元件或特征，然而不排除存在其他元件或特征。不定冠词和定冠词包括复数和单数，只要在本文中没有明确地另作说明。
在本说明书的上下文中，表述“电连接”表示在连接的元件之间的低欧姆的电连接。电连接的元件不一定必须直接彼此连接。其他元件可以在电连接的元件之间设置。
表述“电连接”也包括在连接的元件之间的隧道触点。
图1A示出根据实施方式的光电子半导体器件10的竖直横截面视图。
光电子半导体器件10包括第一导电类型的，例如p型的第一半导体层120，和第二导电类型的，例如n型的第二半导体层130。第一和第二半导体层的半导体材料分别是化合物半导体材料，其包含第一、第二和第三组成元素。光电子半导体器件10还包括用于电接触第二半导体层130的第二接触区域。第二接触区域135具有第二金属接触层134以及在金属接触层134和第二半导体层130之间的半导体接触层132。半导体接触层132的半导体材料包含第一、第二和第三组成元素。在此，第一和第二组成元素的浓度从在第二半导体层130的侧上的位置直至在金属接触层134的侧上的位置改变。
例如，包含第一和第二半导体层120、130的半导体层堆设置在透明的衬底100，例如蓝宝石衬底或同质(nativen)AlN衬底上。衬底也可以由其他材料，例如不透明的材料，如GaN、硅或碳化硅构造。第二半导体层130在此可以设置在衬底100的第二主表面110和第一半导体层120之间。根据其他实施方式，光电子半导体器件然而也可以构成为不具有衬底100。
根据设计方案，此外缓冲层138可以设置在衬底100和第二半导体层130之间。缓冲层138可以包含AlN层和可能包含其他层，例如其他AlGaN层。通过缓冲层138可以减小在第二半导体层中的错位和缺陷。缓冲层例如可以补偿在衬底100和第二半导体层130之间的晶格失配。总的来说由于存在缓冲层138可以改善第二半导体层130的晶体质量。缓冲层138的使用例如可以在如下情况下是有利的，在所述情况中使用非同质衬底100，例如蓝宝石衬底。
例如，由光电子半导体器件发射的电磁辐射20可以经由衬底的第一主表面105发射。根据其他实施方式可以将由光电子半导体器件发射的电磁辐射20也经由器件的背离衬底100的侧发射。
第一主表面105与第二主表面110相对置。有源区域125可以设置在第一和第二半导体层120、130之间。有源区域125例如可以具有pn结、双异质结构、单量子阱结构(SQW，single quantum well)或多量子阱结构(MQW，multi quantum well)，用于产生辐射。名称“量子阱结构”在此不阐明在量子化的维度方面的含义。所述名称由此此外包括量子阱、量子线和量子点以及这些层的任意组合。
光电子半导体器件还可以具有在半导体接触层132和金属接触层134之间的半导体连接层133。半导体连接层133可以包含出自第一、第二和第三组成元素的组中的两个组成元素。即如果例如第二半导体层130具有组成AxB1-xC，那么半导体连接层133具有组成AC。如果第二半导体层130具有组成AxByD1-x-yC，那么半导体连接层133可以具有组成AxB1-xC。例如，C可以分别代表氮(N)。此外，在半导体接触层132中，B的化学计量份额y在层之内减小。例如，B的化学计量份额y在背离第二半导体层130的侧上降低为近似零。例如，在半导体接触层之内的组成元素的份额可以严格单调下降。此外，该份额可以逐步减小或阶梯式减小。因此，在半导体接触层132之内的带隙朝向第二金属接触层134减小。例如，半导体接触层的材料的带隙可以从大约类似于第二半导体层130的材料的带隙的值减小至对应于半导体连接层133的带隙的值。
根据实施方式，半导体连接层133可以仅包含出自第一、第二和第三组成元素的组中的两个组成元素，即组成元素B的份额可以为零。例如，第一半导体层120可以包含与第二半导体层130相同的组成元素。在此，在第一和第二半导体层中的组成元素的组成比例可以分别是相同的或彼此不同。作为结果，半导体连接层133具有比第二半导体层130和半导体接触层132更小的带隙。
根据实施方式，第二半导体层133例如可以包含Al、Ga和N。例如，在此情况下，半导体连接层133可以包含GaN。此外，在半导体接触层132中Al含量减小。例如，在半导体接触层132之内的Al含量可以从类似于或等于在第二半导体层130中的值的值降低至更低的值。根据其他实施方式，第二半导体层130和可能第一半导体层120包含(Al,In)GaN。更准确地说，第二半导体层130的材料可以是四元半导体材料，其中第二组分的份额在此情况下在半导体接触层132中减小，使得在半导体接触层132之内的带隙减小。根据其他实施方式，第二半导体层130的材料可以是AlGaInBN或包含AlGaInBN，其中在半导体接触层132中的第二组分的份额减小，使得在半导体接触层132之内的带隙减小。
根据其他实施方式，第二半导体层也可以包含InGaN。在此情况下，例如在半导体接触层132中的Ga含量可能减小，使得在半导体接触层132中的带隙减小。此外，半导体连接层133可以包含InN。根据其他实施方式，第二半导体层的材料也可以包含AlBN或GaBN或(Al,Ga)BN。
半导体接触层132和半导体连接层133可以根据实施方式分别是n型掺杂的。例如，半导体接触层132和半导体连接层133可以分别用硅掺杂。例如，在半导体接触层132中，硅含量可以根据第一和第二组成元素的变化的含量调整。例如，当Al含量提高时，Si掺杂水平可以减小，并且反之亦然。然而，Si掺杂水平与生长参数相关的改变可以非常低。
例如，半导体接触层132的层厚度可以大于10nm，例如是20nm至50nm，例如是20nm至30nm。如果层厚度过小，那么接触阻力提高。如果层厚度过大，那么正向电压不能继续减小。半导体连接层133的层厚度例如可以小于100nm。
第一金属接触层122可以在第一半导体层120之上设置并且与所述第一半导体层电连接。第一和第二金属接触层例如可以包含由不同层构成的层堆，例如Ti/Al/Ti/Au。所述第一和第二金属接触层然而也可以由各个层构造。此外，第一和第二金属接触层可以包含透明导电材料。这在如下情况下是有利的，在所述情况中，应当经由光电子器件的如下表面进行光发射，在所述表面处设置有第一和第二金属接触层。
第二接触区域具有第二金属接触层以及在金属接触层和第二半导体层之间的半导体接触层。由于半导体接触层的特殊特性，半导体接触层的材料的带隙从在第二半导体层处的位置朝向第二金属接触层减小。因此，第二接触区域的有效肖特基势垒很大程度减小。在半导体接触层和金属接触层之间存在半导体连接层时，第二接触区域的所述有效肖特基势垒继续减小，所述半导体连接层例如具有比第二半导体层更小的带隙。作为结果，相应的接触阻力降低。由于接触阻力减小，LED的正向电压可以减小。作为结果，LED的效率提高。此外，由于正向电压减小可实现，得到在电流强度大并且使用寿命改善的情况下的运行。
图1B示出根据实施方式的光电子半导体器件的俯视图。如示出那样，第二接触区域135例如可以岛形地，例如圆形地在第一半导体层120的结构化的区域之间构成。第一金属接触层122可以在第二接触区域135之间构成。第一金属接触层122不一定必须覆盖第一半导体层120的整个表面。所述第一金属接触层也可以仅部分地或部段地覆盖第一半导体层120的表面。
根据其他实施方式也可行的是，将第二接触层135条带形地构成，如在图1C中所示出那样。在此情况下，第二接触区域135的条带可以与第一金属接触层122的条带交替并且例如构成指形结构。不言而喻，所述布局仅作为实例给出并且可以使用第一金属接触层122和第二接触区域135的任意布局。
借助所描述的LED例如能产生在深的UV范围内的电磁辐射，即在206nm至360nm的波长中。例如，发射的波长范围可以处于217nm至280nm的范围内。第二接触区域的所描述的构造例如可以在如下情况下使用，在所述情况中使用具有大的带隙的半导体材料并且在所述情况中第二半导体层的掺杂物的激活能量是高的。在此情况下通过组成元素的浓度减小的半导体接触层，带隙能够减小。作为结果，肖特基势垒可以减小。
根据实施方式，第一半导体层120是p型掺杂的，并且第二半导体层130可以是n型掺杂的。第二半导体层130例如可以包含氮化物半导体材料，如GaN或AlN并且用硅掺杂。在此情况下，掺杂物的激活能量是高的。根据其他实施方式，第一半导体层120可以是n型掺杂的，并且第二半导体层130可以是p型掺杂的。例如，在此情况下，第二半导体层130可以包含氮化物半导体材料，如GaN或AlN并且用镁掺杂。
下面，参照图2A至2E描述根据实施方式的用于制造光电子半导体器件的方法。
经由绝缘衬底100，例如蓝宝石衬底的第二主表面110，首先可以生长如上文所描述的缓冲层138。然后，首先可以生长第二导电类型的，例如n型的第二半导体层130。例如，这可以是用硅掺杂的AlGaN层。此外，构成有源区域125。然后，可以构成第一导电类型的，例如p型的第一半导体层120。例如，所述层同样可以是AlGaN层。根据其他实施方式，这然而也可以是由具有任意Al混入的GaN构成的层堆。例如，首先可以构成具有不同组成和掺杂水平的不同的p型掺杂的AlGaN层。最后，例如可以生长p型掺杂的GaN层。附加地，可以构成如上文所描述的有源区域125。图2A示出得出的工件15的横截面视图。
然后，如在图2B中图解说明的那样，沟槽141例如通过刻蚀形成，所述沟槽将相邻的台面140彼此分开。沟槽141例如可以如在图1B中图解说明的那样具有圆形的或卵形的形状。根据其他实施方式，沟槽141然而也可以条带形地沿垂直于横截平面的方向延伸。根据沟槽141的尺寸能设定第二接触区域的尺寸。例如，通过增大第二接触区域可以进一步减小接触阻力。例如，沟槽141的横向尺寸s可以为5μm至30μm，例如大约为10μm。
接着，如在图2C中图解说明的那样，掩模层144在得出的结构之上构成。例如，掩模层可以包含二氧化硅。掩模层144例如可以保形地(konform)沉积。掩模层的层厚度例如可以安排为，使得在第二接触区域和第一半导体层120之间设定期望的间距。如果掩模层144的层厚度过大，那么由于接触面减小会降低接触阻力。接着，掩模层144在沟槽141的底侧上，例如通过刻蚀敞开，以构成开口145，使得第二半导体层130的表面131的一部分未被覆盖并且露出。
然后执行用于执行外延法的另一步骤。首先，半导体接触层132以改变的组成比例构成。这可以通过设定输送的气体的浓度进行。例如，在半导体接触层132中Al含量可能减小。用于构成半导体连接层的方法是选择性方法，即仅在第二半导体层130的露出的区域131上生长。接着，半导体连接层133可以在半导体接触层之上构成。图2D示出得出的工件15的一个实例。
在移除掩模层之后，如在图2E中所示出的，构成金属层。金属层的构成例如可以包括由适合的材料，例如由Ti、Al、Ni、Au和这些材料的混合物构成多个层。所述金属层在半导体接触层和半导体连接层之上形成第二金属接触层134，由此得出第二接触区域135。此外，金属层在第一半导体层之上形成第一金属接触层122。
作为结果得出在图1A中示出的半导体器件。
当例如第一半导体层是n型并且第二半导体层是p型时，所述方法能够以适当的方式修改。此外，根据实施方式，衬底100可以在执行所描述的方法步骤之后移除。
图3概括根据实施方式的方法。
用于制造光电子半导体器件的方法包括构成(S100)层堆，所述层堆包括第一导电类型的第一半导体层和第二导电类型的第二半导体层，其中第一和第二半导体层的半导体材料分别是化合物半导体材料，其包含第一、第二和第三组成元素，并且构成(S110)半导体接触层以及第二金属接触层，其中构成用于电接触第二半导体层的第二接触区域。半导体接触层在第二金属接触层以及第二半导体层之间构成。半导体接触层的半导体材料包含第一、第二和第三组成元素，其中第一和第二组成元素的浓度从在第二半导体层的侧上的位置直至在第二金属接触层的侧上的位置改变。所述方法还可以包括在半导体接触层和第二金属接触层之间构成(S120)半导体连接层，其中半导体连接层包含出自第一、第二和第三组成元素的组中的两个组成元素。
图4示出光电子设备，所述光电子设备包含前述光电子半导体器件。例如，光电子设备可以是UV照明设备，所述UV照明设备例如可以用于聚合物的硬化或消毒或皮肤处理。例如，所述光电子设备也可以是用于检定气体、例如氨气或氧化硫的分析设备。
尽管在此图解说明和描述了特定的实施方式，但是本领域技术人员知道，示出的和描述的特定的实施方式可以通过多个替选的和/或等效的设计方案替代，而不偏离本发明的保护范围。本申请应当覆盖在此所讨论的特定的实施方式的任意调整或变型。因此，本发明仅受权利要求及其等效方案限制。
附图标记列表
10 光电子半导体器件
15 工件
20 发射的电磁辐射
30 光电子设备
100 透明衬底
105 第一主表面
110 第二主表面
120 第一半导体层
122 第一金属接触层
125 有源区域
130 第二半导体层
131 第二半导体层的露出部分
132 半导体接触层
133 半导体连接层
134 第二金属接触层
135 第二接触区域
133 缓冲层
140 台面
141 沟槽
144 掩模层
145 开口
Claims (17)
1.一种光电子半导体器件(10)，包括：
第一导电类型的第一半导体层(120)；
第二导电类型的第二半导体层(130)，其中所述第一半导体层和第二半导体层(120、130)的半导体材料分别是化合物半导体材料，其包含第一、第二和第三组成元素；和
用于电接触所述第二半导体层(130)的第二接触区域(135)，
其中所述第一半导体层(120)在所述第二半导体层(130)之上设置并且结构化，并且所述第二接触区域(135)设置在所述第一半导体层的结构化的区域之间，
所述第二接触区域(135)具有第二金属接触层(134)以及在金属接触层(134)和第二半导体层(130)之间的半导体接触层(132)，和
所述半导体接触层(132)的半导体材料包含所述第一、第二和第三组成元素，其中所述第一和第二组成元素的浓度从在所述第二半导体层(130)的侧上的位置直至在所述第二金属接触层(134)的侧上的位置改变。
2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件(10)，还具有在所述半导体接触层(132)和所述第二金属接触层(134)之间的半导体连接层(133)，其中所述半导体连接层(133)包含所述第一、第二和第三组成元素中的两个组成元素。
3.根据权利要求2所述的光电子半导体器件(10)，
其中所述半导体连接层的材料的带隙小于所述第二半导体层的带隙。
4.根据权利要求2或3所述的光电子半导体器件(10)，
其中所述半导体连接层(133)仅包含所述第一、第二和第三组成元素中的两个组成元素。
5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，
其中所述半导体接触层(132)的组成元素的浓度在从所述第二半导体层(130)朝向所述第二金属接触层(134)的区域中减小。
6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，
其中所述第一半导体层(120)包含由相同的组成元素构成的多个子层，其中在至少两个子层中，所述组成元素的掺杂水平或组成比例不同。
7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，
其中所述第二半导体层(130)的组成元素分别从由In、Al、Ga、B和N构成的组中选择。
8.一种用于制造光电子半导体器件的方法，所述方法包括：
将第一导电类型的第一半导体层结构化，所述第一半导体层在第二导电类型的第二半导体层之上设置，使得所述第一半导体层远离所述第二半导体层的部分，并且构成所述第一半导体层的结构化的区域，其中所述第一和第二半导体层的半导体材料分别是化合物半导体材料，所述化合物半导体材料包含第一、第二和第三组成元素，并且
在所述第一半导体层(120)的结构化的区域之间构成半导体接触层以及第二金属接触层，其中构成用于电接触所述第二半导体层的第二接触区域，
其中所述半导体接触层在第二金属接触层以及第二半导体层之间构成，并且
所述半导体接触层的半导体材料包含所述第一、第二和第三组成元素，其中所述第一和第二组成元素的浓度从在所述第二半导体层的侧上的位置直至在所述第二金属接触层的侧上的位置改变。
9.根据权利要求8所述的方法，
其中所述半导体接触层通过在所述第二半导体层的露出区域之上的选择性的外延生长构成。
10.根据权利要求8或9所述的方法，所述方法还包括：
在所述半导体接触层和所述第二金属接触层之间构成(S120)半导体连接层，其中所述半导体连接层包含所述第一、第二和第三组成元素中的两个组成元素。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的方法，
其中所述半导体接触层的组成元素的浓度在从所述第二半导体层至所述第二金属接触层的区域中减小。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的方法，所述方法还包括：在将所述第一半导体层结构化之前，构成层堆，所述层堆包括所述第一和第二半导体层。
13.一种光电子半导体器件(10)，包括：
第一导电类型的第一半导体层(120)；
第二导电类型的第二半导体层(130)；
用于电接触所述第二半导体层(130)的第二接触区域(135)，
其中所述第一半导体层(120)在所述第二半导体层(130)之上设置并且结构化，并且所述第二接触区域(135)在所述第一半导体层的结构化的区域之间设置，
所述第二接触层(135)具有第二金属接触层(134)以及在第二金属接触层(134)和第二半导体层(130)之间的半导体接触层(132)，和
所述半导体接触层(132)的半导体材料的带隙从在所述第二半导体层(130)的侧上的位置直至在所述第二金属接触层(134)的侧上的位置减小。
14.根据权利要求13所述的光电子半导体器件(10)，还具有在所述半导体接触层(132)和所述第二金属接触层(134)之间的半导体连接层(133)，其中所述半导体连接层(133)的材料的带隙小于所述第二半导体层的带隙。
15.根据权利要求14所述的光电子半导体器件(10)，
其中所述半导体接触层的半导体材料的带隙小于所述第二半导体层(133)的半导体材料的带隙，并且大于所述半导体连接层(133)的半导体材料的带隙。
16.一种光电子设备(30)，所述光电子设备具有根据权利要求1至7和13至15中任一项所述的光电子半导体器件(10)。
17.根据权利要求16所述的光电子设备(30)，所述光电子设备是UV照明设备或UV分析设备。
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