JP2021534540A - Ｒｆプラズマリアクタ用プラズマシース制御 - Google Patents

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Abstract

幾つかの実施形態は、２０ｋＨｚを超える周波数及び１ｋＶを超えるピーク電圧を有するＡ正弦波形を生成するＲＦ電源と、ＲＦ電源と電気的に結合されたプラズマチャンバとを含むプラズマシース制御システムを含み、プラズマチャンバは、配置された面内に約１ｋＶを超えるエネルギーで加速される複数のイオンを有し、プラズマチャンバは、正弦波形からプラズマチャンバ内にプラズマシースを生成する。プラズマシース制御システムは、ＲＦ電源とプラズマチャンバとの間に電気的に接続されたブロッキングダイオードと、ＲＦ電源、プラズマチャンバ、及びブロッキングダイオードと電気的に結合された容量性放電回路とを含み、容量性放電回路は、１ｋＶを超えるピーク電圧及び２５０ナノ秒未満の放電時間で、プラズマチャンバ内の容量性電荷を放電させる。【選択図】図５

Description

（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１８年８月１０日に出願された、「プラズマリアクタ用プラズマシース制御（ＰＬＡＳＭＡ ＳＨＥＡＴＨ ＣＯＮＴＲＯＬ ＦＯＲ ＲＦ ＰＬＡＳＭＡ ＲＥＡＣＴＯＲＳ）」という名称の米国仮特許出願第６２／７１７，５２３号の優先権を主張するものであり、この仮特許出願の全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本出願は、２０１８年１１月３０日に出願された、「可変出力インピーダンスＲＦ発生器（ＶＡＲＩＡＢＬＥ ＯＵＴＰＵＴ ＩＭＰＥＤＡＮＣＥ ＲＦ ＧＥＮＥＲＡＴＯＲ）」という名称の米国仮特許出願第６２／７７４，０７８号の優先権を主張するものであり、この仮特許出願の全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本出願は、２０１９年１月８日に出願された、「ナノ秒パルサー回路における効率的なエネルギー回収（ＥＦＦＩＣＩＥＮＴ ＥＮＥＲＧＹ ＲＥＣＯＶＥＲＹ ＩＮ Ａ ＮＡＮＯＳＥＣＯＮＤ ＰＵＬＳＥＲ ＣＩＲＣＵＩＴ）」という名称の米国仮特許出願第６２／７８９，５２３号の優先権を主張するものであり、この仮特許出願の全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本出願は、２０１９年１月８日に出願された、「プラズマ制御用途向けのソース及びシンク能力を備えた効率的ナノ秒パルサー（ＥＦＦＩＣＩＥＮＴ ＮＡＮＯＳＥＣＯＮＤ ＰＵＬＳＥＲ ＷＩＴＨ ＳＯＵＲＣＥ ＡＮＤ ＳＩＮＫ ＣＡＰＡＢＩＬＩＴＹ ＦＯＲ ＰＬＡＳＭＡ ＣＯＮＴＲＯＬ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ）」という名称の米国仮特許出願第６２／７８９，５２６号の優先権を主張するものであり、この仮特許出願の全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本発明は、ＲＦプラズマリアクタ用プラズマシース制御に関する。
薄膜製造技術におけるＲＦ励起ガス放電の適用は標準的になっている。最も一般的に使用されている最も単純な形状は、電圧が印加される２つの平面電極の間にあるものである。このような平面状のＲＦプラズマリアクタの模式図を図１に示す。プラズマは、プラズマシースによって各電極から分離されている。
プラズマ中で生成された正イオンは、プラズマシースに亘って加速され、シースに亘る時間依存性の電位差の大きさと波形、ガス圧、リアクタの物理的形状、及び／又は他の要因によって決定されるイオンエネルギー分布関数（ＩＥＤＦ）で電極に到達する。このイオン衝撃エネルギー分布は、薄膜エッチングにおける異方性の程度、表面へのイオン衝撃による損傷の程度等を決定し得る。
幾つかの実施形態では、２０ｋＨｚを超える周波数及び１ｋＶを超えるピーク電圧を有するＲＦ正弦波形を生成するＲＦ電源と、ＲＦ電源と電気的に結合されたプラズマチャンバとを含むプラズマシース制御システムを含み、プラズマチャンバは、配置された面内に、約１ｋＶを超えるエネルギーで加速される複数のイオンを有し、又、プラズマチャンバは、ＲＦ正弦波形からプラズマチャンバ内にプラズマシースを生成する。プラズマシース制御システムは、ＲＦ電源とプラズマチャンバとの間に電気的に結合されたブロッキングダイオードと、ＲＦ電源、プラズマチャンバ、及びブロッキングダイオードと電気的に結合された容量性放電回路とを含み、容量性放電回路は、１ｋＶを超えるピーク電圧及び２５０ナノ秒未満の放電時間でプラズマチャンバ内の容量性電荷を放電する。
幾つかの実施形態では、容量性放電回路は、直列に配置された抵抗器とインダクタを備えた抵抗出力段を備え、抵抗出力段は、プラズマシース制御システム上のブロッキングダイオードとプラズマチャンバとの間の点と接地との間に配置されている。
幾つかの実施形態では、容量性放電回路は、直列に配置されたダイオードとインダクタを備えたエネルギー回収回路を備え、エネルギー回収回路は、ブロッキングダイオードとプラズマチャンバとＲＦ電源との間に配置されている。
幾つかの実施形態では、プラズマシース制御システムは、ブロッキングダイオードとプラズマチャンバとの間に直列に配置されたバイアスコンデンサを含んでもよい。幾つかの実施形態では、プラズマシース制御システムは、直流電源、抵抗器、ダイオード及び高電圧スイッチを備えたバイアス補償回路を含んでもよく、バイアス補償回路は、プラズマシース制御システム上のブロッキングダイオードとＲＦ電源との間の点の間に配置されている。
幾つかの実施形態では、プラズマシース制御システムは、プラズマチャンバと電気的に結合されたマッチングネットワークを含んでもよく、マッチングネットワークは、プラズマチャンバ内のプラズマ負荷の反応性インピーダンスをＲＦ電源の出力インピーダンスに一致させる。
幾つかの実施形態では、ブロッキングダイオードは、正弦波形を整流して、各周期の少なくとも２５％に実質的に平坦な部分を有する正弦波形を作成する。
幾つかの実施形態はプラズマシース制御システムを含む。プラズマシース制御システムは、２００Ｖを超える直流電圧を生成する高圧直流電源を含んでもよい。プラズマシース制御システムは共振回路ドライバを含んでもよく、共振回路ドライバはオンとオフに交互に切り替わって２０ｋＨｚを超える周波数及び１ｋＶを超えるピーク電圧を有する正弦波形を生成する、共振負荷に結合された複数の高電圧スイッチを備えている。プラズマシース制御システムは、共振回路ドライバと電気的に結合されたプラズマチャンバを含んでもよく、プラズマチャンバは、プラズマチャンバ内に配置された面に約１ｋＶを超えるエネルギーで加速される複数のイオンを有し、プラズマチャンバは、正弦波形から、プラズマチャンバ内にプラズマシースを生成する。プラズマシース制御システムは、共振回路ドライバとプラズマチャンバとの間に電気的に接続された、正弦波形を整流するブロッキングダイオードを含んでもよい。
幾つかの実施形態では、ブロッキングダイオードは、正弦波形を整流して、各周期の少なくとも２５％に実質的に平坦な部分を有する波形を作成する。
幾つかの実施形態では、プラズマシース制御システムは、直列に配置された抵抗器とインダクタを含む抵抗出力段を含んでもよく、抵抗出力段は、ブロッキングダイオードとプラズマチャンバとの間のプラズマシース制御システム上の点と接地との間に配置されている。
幾つかの実施形態では、プラズマシース制御システムは、直列に配置されたダイオードとインダクタを含むエネルギー回収回路を含んでもよく、エネルギー回収回路は、ブロッキングダイオードとプラズマチャンバと高電圧直流電源との間に配置されている。
幾つかの実施形態では、複数のスイッチは、第１のスイッチ、第２のスイッチ、第３のスイッチ、及び第４のスイッチを含む。幾つかの実施形態では、第１のスイッチ及び第４のスイッチは第１の時間期間中に閉じて、第１の方向に電流を流すことを可能にし、第２のスイッチ及び第３のスイッチは第２の期間中に閉じて、第１の方向とは反対の第２の方向に電流を流すことを可能にする。
幾つかの実施形態では、複数のスイッチは、第１のスイッチと第２のスイッチを含む。幾つかの実施形態では、第１のスイッチは第１の時間期間中に閉じて、第１の方向に電流を流すことを可能にし、第２のスイッチは第２の期間中に閉じて、第１の方向とは反対の第２の方向に電流を流すことを可能にする。
幾つかの実施形態では、複数のスイッチは、
Figure 2021534540
 による周波数で切り替えられ、ｆは１０ｋＨｚより大きく、Ｌはプラズマチャンバ内の負荷のインダクタンスを表し、Ｃは共振回路ドライバ内のコンデンサのキャパシタンスを表す。
幾つかの実施形態では、複数のスイッチは、
Figure 2021534540
 による周波数で切り替えられ、ｆは１０ｋＨｚより大きく、Ｌは共振回路ドライバ内のインダクタのインダクタンスを表し、Ｃはプラズマチャンバ内の負荷のキャパシタンスを表す。
幾つかの実施形態では、複数のスイッチは、
Figure 2021534540
 による周波数で切り替えられ、ｆは１０ｋＨｚより大きく、Ｌは共振回路ドライバ内のインダクタのインダクタンスを表し、Ｃは共振回路ドライバ内のコンデンサのキャパシタンスを表す。
幾つかの実施形態では、プラズマシース制御システムは、共振回路ドライバが正弦波形を生成している間に約１ｋＶを超える電圧をプラズマシースに亘り生成する。
幾つかの実施形態では、プラズマシース制御システムは、共振回路によって生成される正弦波形の周波数又はパワーの何れか又は両方を、約１ｍｓ未満の時間スケールで調整するコントローラを含んでもよい。
幾つかの実施形態では、プラズマシース制御システムは、プラズマチャンバ以前の点における正弦波形の周波数を測定し、プラズマチャンバ以前の点における正弦波形の周波数が共振周波数と一致しない場合に、共振回路ドライバによって生成される正弦波形の周波数を調整するコントローラを含んでもよい。
幾つかの実施形態では、プラズマシース制御システムは、プラズマチャンバ以前の点における正弦波形のパワーを測定し、プラズマチャンバ以前の点における正弦波形のパワーが所要パワーと一致しない場合に、共振回路ドライバによって生成される正弦波形のパワーを調整するコントローラを含んでもよい。
本発明の幾つかの実施形態は、高電圧及び高周波数正弦波形を生成するＲＦ電源と、抵抗器及びインダクタを備えた抵抗出力段と、ＲＦ電源と抵抗出力段との間に配置されたブロッキングダイオードとを備えたプラズマシース制御システムを含む。幾つかの実施形態では、ガス供給システム、制御システム、プラズマ発生システム、真空ポンピング、ウェハ搬送システム等を含み得るプラズマリアクタが含まれ得る。幾つかの実施形態では、抵抗出力段は約２００ｐＦ未満のキャパシタンスを有する。幾つかの実施形態では、プラズマシース制御システムは、ウェハ成膜デバイスと結合するように構成された出力を更に含む。幾つかの実施形態では、プラズマシース制御システムは更に、２ｋＶを超える振幅及び１ｋＨｚを超える周波数を有する高電圧正弦波形を出力するように構成された出力を備えている。
本発明の幾つかの実施形態はプラズマシース制御システムを含み、プラズマシース制御システムは、ＲＦ電源と、バイアスコンデンサと、ブロッキングダイオードを跨いで結合された高電圧スイッチを含み、高電圧スイッチは、高電圧スイッチング電源がオンのときにオフであり、高電圧スイッチは、高電圧スイッチング電源がパルシングしていないときにはオンである。幾つかの実施形態では、プラズマシース制御システムは更に、ウェハ成膜デバイスと結合するように構成された出力を含む。幾つかの実施形態では、プラズマシース制御システムは更に、２ｋＶを超える振幅と、１ｋＨｚを超える周波数を有する高電圧正弦波形を出力するように構成された出力を備えている。
本発明の幾つかの実施形態は、プラズマシース制御システムがオンである期間とプラズマシース制御システムがオフである期間に、ウェハとチャックとの間の電圧電位が約２ｋＶとなるようにウェハ成膜チャンバ内にプラズマを生成する出力を生成するプラズマシース制御システムを含む。
幾つかの実施形態では、抵抗出力段は、受動コンポーネントの直列又は並列ネットワークを含んでもよい。例えば、抵抗出力段は、直列の抵抗器、コンデンサ、及びインダクタを含んでもよい。別の例として、抵抗出力段は、インダクタと並列のコンデンサと、抵抗器と直列のコンデンサ・インダクタの組み合わせを含んでもよい。配置に拘らず、コンポーネント値はＲＦソースのＲＦ周波数に一致するように選択され得る。
これらの例示的な実施形態は、本開示を限定したり定義したりする為ではなく、本開示の理解を助ける為の例を提供する為に言及されている。追加の実施形態は、「発明を実施するための形態」で議論され、そこでは更なる説明が提供される。様々な実施形態のうち１つ以上の実施形態によって提供される利点は、本明細書を検討することによって、又は提示された１つ以上の実施形態を実践することによって、更に理解され得る。
本開示のこれら及び他の特徴、態様及び利点は、以下の詳細な説明を添付の図面を参照して読めばより良く理解される。
幾つかの実施形態によるＲＦプラズマリアクタの模式図である。 幾つかの実施形態によるＲＦプラズマチャンバのＲＦドライバの模式図である。 プラズマチャンバに亘る電圧Ｖｒと、ターゲット電極と基板電極の等しい領域に対するプラズマ電位Ｖｐの波形を示す図である。 プラズマチャンバ内のターゲット電極に隣接するプラズマシースに亘る電位ＶＳＴと、基板電極を横切る電位Ｖｓｓの波形を示す図である。 幾つかの実施形態によるＲＦチャンバ用のプラズマシース制御システムの模式図である。 シースに亘る（例えば、Ｃ３）波形及びチャックでの（例えば、Ｃ２）波形を示す図である。 幾つかの実施形態による抵抗出力段を有するＲＦチャンバ用のプラズマシース制御システムの別の模式図である。 図７に示された回路からの、シースに亘る（例えば、Ｃ３）波形及びチャックでの（例えば、Ｃ２）波形を示す図である。 図８に示した波形の３サイクルの拡大図である。 図７に示した回路からの、シースに亘る（例えば、Ｃ３）波形及びチャックでの（例えばＣ２）波形を示す図である。 図７に示した回路からの、シースに亘る（例えば、Ｃ３）波形とチャックでの（例えば、Ｃ２）波形を示す図である。 幾つかの実施形態による抵抗出力段と高電圧スイッチバイアス補償段を備えたＲＦチャンバ用のプラズマシース制御システムの別の模式図である。 図１２に示した回路からのシースに亘る（例えば、Ｃ３）波形及びチャックでの（例えば、Ｃ２）波形を示す図である。 図１２に示した波形の３サイクルの拡大図である。 チャック上の電圧がゼロに戻るバースト波形の終盤部分を示す図である。 幾つかの実施形態による共振フルブリッジドライバを有するＲＦチャンバ用のプラズマシース制御システムの模式図である。 幾つかの実施形態によるエネルギー回収回路を有するプラズマシース制御システムの回路図である。 幾つかの実施形態による絶縁パワーを有する高電圧スイッチのブロック図である。 幾つかの実施形態によるハーフブリッジ共振回路を有するプラズマシース制御システムの回路図である。
ダイオードと容量性放電回路（例えば、抵抗出力段又はエネルギー回収回路）の何れか又は両方、及び／又はブロッキングダイオードを有する高電圧スイッチを含むプラズマシース制御システムを開示する。幾つかの実施形態では、プラズマシース制御回路は、半導体又は類似のデバイスを製造する為のプラズマチャンバを有するＲＦバイアス電源を含み得る。幾つかの実施形態では、プラズマシース制御回路は、半導体製造デバイス内にプラズマを生成する出力を生成することができる。例えば、より制御性が高く一定のプラズマシース電位が、プラズマとターゲット電極又はウェハとの間で生成され得るようにする。制御性の強化は、プラズマからの衝撃イオンのピーク状及び／又は調整可能なイオンエネルギー分布を可能にすることができ、これは、例えば、エッチング、薄膜成膜、イオン成膜、太陽電池パネル、及び／又はディスプレイパネル製造等の、より高い応用性能をもたらし得る。更に、又は代替的に、プラズマシース制御回路がオンになっている期間及びプラズマシース制御回路がオフになっているときに、ウェハとチャックとの間の概ね一定の電圧電位が約２ｋＶに維持されてもよい。幾つかの実施形態では、ＲＦ電源システムは、約１ｋＶを超え約１０ｋＶまでのピーク振幅を有する正弦波形を生成することができる。
図２は、ＲＦプラズマ電源及びリアクタのＲＦドライバの模式図である。ここで、ＶＲＦは、一致したＲＦ電源からの印加正弦波形の電圧である。ＶＴとＶＰは夫々ターゲット電極とプラズマの電位である。更に、ＶＳＳ＝ＶＰとＶＳＴ＝ＶＴ−ＶＰは夫々、基板又はチャンバ壁プラズマシースとターゲットプラズマシースを跨ぐ電圧である。ブロッキングコンデンサはＣＢで表され、ＣＳＴとＩＴは夫々、ターゲット電極に隣接するシースのキャパシタンスとターゲット電極を通る伝導電流を表し、ＣＳＳとＩＳは基板電極に隣接するシースの対応する値を表している。
プラズマの電気抵抗は、本考察で考慮したプラズマ電子密度や電圧周波数範囲では、シース抵抗に対して小さい。しかしながら、プラズマの電気抵抗を含めることで回路モデルが複雑になるということはない。
図３は、ターゲット電極と基板電極の面積が等しい場合のプラズマリアクタの電圧Ｖｒとプラズマ電位ＶＰの波形を示す。
図４は、ＡＴ／ＡＳ＝０．２の場合の、ターゲット電極に隣接するプラズマシースの電位ＶＳＴと、基板電極シースの電位Ｖｓｓの波形を示している。図４は、シース電位が０から４５０Ｖの半正弦波を示している。
図５は、幾つかの実施形態によるＲＦチャンバ用のプラズマシース制御システム５００の模式図である。プラズマシース制御システム５００は、ウェハ上に展開されたウェハプラズマシース５０５を表す回路と、プラズマチャンバ壁上の壁プラズマシース５１０を表す回路とを含む。コンデンサＣ３は、プラズマとウェハとの間のシースキャパシタンスを表し、これは、シースに亘る物理的形状及びプラズマパラメータの両方の関数であり得る。コンデンサＣ９は、プラズマとプラズマチャンバ壁との間のシースキャパシタンスを表し、これは、シースに亘る物理的形状とプラズマパラメータの両方の関数であり得る。ＲＦ電源Ｖ５は、高電圧正弦波形を供給するＲＦ電圧供給装置である。スイッチＳ２はＲＦ電源Ｖ５をオン・オフする為に使用され得るものであり、これは、ＲＦ電源Ｖ５のオン・オフをモデリングする為の要素であり得る。他の様々なコンポーネントは、漂遊キャパシタンス、インダクタンス、及び／又は抵抗を表す。
幾つかの実施形態では、リード段１０３は、ＲＦ発生器５１５と直流バイアス回路１０４との間のリード又はトレースのうち何れか又は両方を表し得る。インダクタＬ２又はインダクタＬ６のうち何れか又は両方は、リード又はトレースのうち何れか又は両方とのインダクタンスを表し得る。
この例では、直流バイアス回路１０４はバイアス補償を含まない。直流バイアス回路１０４は、例えば、出力電圧を正又は負の何れかにバイアスすることができるオフセット供給電圧Ｖ１を含む。幾つかの実施形態では、オフセット供給電圧Ｖ１を調整して、ウェハ電圧とチャック電圧との間のオフセットを変化させてもよい。幾つかの実施形態では、オフセット供給電圧Ｖ１は、約±５ｋＶ、±４ｋＶ、±３ｋＶ、±２ｋＶ、±１ｋＶ等の電圧を有し得る。
幾つかの実施形態では、バイアスコンデンサＣ１２は、直流バイアス電圧を抵抗出力段又は他の回路要素のうち何れか又は両方から絶縁（又は分離）することができる。バイアスコンデンサＣ１２は、例えば、回路の或る部分から別の部分への電位シフトを可能にし得る。幾つかの実施形態では、この電位シフトは、ウェハをチャック上の所定の位置に保持する静電気力が電圧閾値以下に留まることを確実にし得る。抵抗器Ｒ２は、ＲＦ発生器５１５から出力される高電圧正弦波形から直流バイアス供給を絶縁してもよい。
バイアスコンデンサＣ１２は、例えば、１００ｐＦ、１０ｐＦ、１ｐＦ、１００μＦ、１０μＦ、１μＦ等である。抵抗器Ｒ２は、例えば、約１ｋオーム、約１０ｋオーム、約１００ｋオーム、約１Ｍオーム、約１０Ｍオーム、約１００Ｍオーム等の高抵抗を有し得る。
第２のリード段１０５はＲＦ電源回路と負荷段１０６との間の回路素子を表す。抵抗器Ｒ１３は、例えば、高電圧電力系統の出力から電極（例えば、負荷段１０６）に接続するリード線又は伝送線の漂遊抵抗を表してもよい。コンデンサＣ１は、例えば、リード線又は伝送線の漂遊キャパシタンスを表し得る。
幾つかの実施形態では、負荷段１０６は、例えば、プラズマ成膜システム、半導体製造システム、プラズマスパッタリングシステム等の半導体処理チャンバ用の理想化された又は実効回路を表し得る。キャパシタンスＣ２は、例えば、ウェハが着座するチャックのキャパシタンスを表し得る。チャックは、例えば、誘電体材料を含んでもよい。例えば、コンデンサＣ１は、小キャパシタンス（例えば、約１０ｐＦ、１００ｐＦ、５００ｐＦ、１ｎＦ、１０ｎＦ、１００ｎＦ等）を有してもよい。
コンデンサＣ３は、例えば、プラズマとウェハとの間のシースキャパシタンスを表し得る。抵抗器Ｒ６は、例えば、プラズマとウェハとの間のシース抵抗を表し得る。インダクタＬ２は、例えば、プラズマとウェハとの間のシースインダクタンスを表し得る。電流源Ｉ２は、例えば、シースを流れるイオン電流を表し得る。例えば、コンデンサＣ１又はコンデンサＣ３は、例えば、小キャパシタンス（例えば、約１０ｐＦ、約１００ｐＦ、約５００ｐＦ、約１ｎＦ、約１０ｎＦ、約１００ｎＦ等）を有してよい。
コンデンサＣ９は、例えば、チャンバ壁とプラズマとの間のプラズマ内のキャパシタンスを表し得る。抵抗器Ｒ７は、例えば、チャンバ壁とウェハの上面との間のプラズマ内の抵抗を表し得る。電流源Ｉ１は、例えば、プラズマ内のイオン電流を表し得る。例えば、コンデンサＣ１又はコンデンサＣ９は、小キャパシタンス（例えば、約１０ｐＦ、１００ｐＦ、５００ｐＦ、１ｎＦ、１０ｎＦ、１００ｎＦ等）を有してよい。
本明細書で使用される場合、プラズマ電圧は、接地から回路点１２３まで測定された電圧であり、ウェハ電圧は、接地から回路点１２２まで測定された電圧であり、ウェハの面における電圧を表し得、チャッキング電圧は、接地から回路点１２１から点１２２まで測定された電圧であり、電極電圧は、接地から回路点１２１及び接地まで測定された電圧であり、入力電圧は、接地から回路点１２５まで測定された電圧である。
図６は、回路点１２２と回路点１２３との間にあるシースに亘る（例えば、コンデンサＣ３に亘る）波形と、回路点１２１であるチャック（例えば、コンデンサＣ２に亘る）での波形を示している。波形６０５は、プラズマシース（例えば、ウェハプラズマシース５０５及び／又は壁プラズマシース５１０）に亘る電圧を示す。波形６０５は、ダイオード（Ｄ３）故にゼロで僅かにクリップした純正弦波であり、それはプラズマ効果の一部である。波形６１０は電極での（又はチャックに亘る）電圧を示す。幾つかの実施形態では、チャッキング電圧とウェハ電圧との間の差（例えば、波形間の差）は、約２ｋＶ弱に保たれ得る。ターンオフ時には、この差は−２ｋＶに戻る。ウェハをチャックに静電結合するには約２ｋＶの差で十分であり、２ｋＶを超える差であれば、ウェハに対して破壊的でありながらウェハをチャックに静電結合することになる。
図７は、幾つかの実施形態による、抵抗出力段７０５を有するＲＦプラズマリアクタのプラズマシース制御システム７００の別の模式図である。この例では、プラズマシース制御システム７００はブロッキングダイオードＤ７を含む。ブロッキングダイオードＤ７は、正弦波形を整流して、それにより、例えば、図９に示すように、各正弦波形上に平坦な頂部を生成してもよい。ブロッキングダイオードＤ７は、例えば、正弦波形を整流して、整流各周期の少なくとも１０％、１５％、２０％、２５％、３０％等の実質的に平坦な部分を有する正弦波形を生成してもよい。
抵抗出力段７０５は、１つ以上のインダクタＬ１及び１つ以上の抵抗器Ｒ１を含んでもよい。抵抗出力段７０５は、例えば、「高電圧抵抗出力段回路（ＨＩＧＨ ＶＯＬＴＡＧＥ ＲＥＳＩＳＴＩＶＥ ＯＵＴＰＵＴ ＳＴＡＧＥ ＣＩＲＣＵＩＴ）」という名称の米国特許出願第１５／９４１，７３１号に記載されている抵抗出力段のような任意のタイプの抵抗出力段を含んでもよく、同出願は、全ての目的の為にその全体が参照により本開示に組み込まれる。
幾つかの実施形態では、抵抗器Ｒ１は、約５００オーム、約２００オーム、約１００オーム等未満の抵抗を有してもよい。
幾つかの実施形態では、抵抗出力段７０５は、負荷段１０６（例えば、プラズマチャンバ）及び高電圧スイッチング電源と並列に電気的に結合されていてもよい。幾つかの実施形態では、抵抗出力段は、負荷（例えば、ウェハプラズマシース又は壁プラズマシース５１０から）を放電する少なくとも１つの抵抗器（例えば、Ｒ１）を含んでもよい。幾つかの実施形態では、抵抗出力段は、各正弦波形サイクル中に約１キロワットを超える平均電力及び／又は１ジュール以下のエネルギーを放電するように構成されていてもよい。幾つかの実施形態では、抵抗出力段の抵抗器Ｒ１の抵抗は２００オーム未満であり得る。幾つかの実施形態では、抵抗器Ｒ１は、約２００ｐＦ未満の結合キャパシタンスを有する直列又は並列に配置された複数の抵抗器（例えば、Ｃ１１）を含んでもよい。
幾つかの実施形態では、抵抗出力段７０５は、負荷上の電圧波形の形状を制御する為に使用され得る回路素子の集合体を含んでもよい。幾つかの実施形態では、抵抗出力段７０５は、受動素子のみ（例えば、抵抗器、コンデンサ、インダクタ等）を含んでもよい。幾つかの実施形態では、抵抗出力段７０５は、受動回路素子だけでなく能動回路素子（例えば、スイッチ）を含んでもよい。幾つかの実施形態では、抵抗出力段７０５は、例えば、波形の電圧立上り時間及び／又は波形の電圧立下り時間を制御する為に使用され得る。
幾つかの実施形態では、抵抗出力段７０５は、容量性負荷（例えば、ウェハプラズマシース５０５及び／又は壁プラズマシース５１０からの容量性電荷）を放電することができる。例えば、これらの容量性負荷は小キャパシタンス（例えば、約１０ｐＦ、１００ｐＦ、５００ｐＦ、１ｎＦ、１０ｎＦ、１００ｎＦ等）を有し得る。
幾つかの実施形態では、抵抗出力段は、高いピーク電圧（例えば、１ｋＶ、１０ｋＶ、２０ｋＶ、５０ｋＶ、１００ｋＶ等を超える電圧）及び／又は高い周波数（例えば、１ｋＨｚ、１０ｋＨｚ、１００ｋＨｚ、２００ｋＨｚ、５００ｋＨｚ、１ＭＨｚ等を超える周波数）を有する正弦波形を有する回路で使用され得る。
幾つかの実施形態では、抵抗出力段７０５は、高い平均電力、高いピーク電力 高速立上り時間及び／又は高速立下り時間を処理するように選択されてもよい。例えば、平均定格電力は、約０．５ｋＷ、１．０ｋＷ、１０ｋＷ、２５ｋＷ等よりも大きくてもよい、及び／又はピーク定格電力は、約１ｋＷ、１０ｋＷ、１００ｋＷ、１ＭＷ等よりも大きくてもよい。
幾つかの実施形態では、抵抗出力段７０５は、受動コンポーネントの直列又は並列ネットワークを含んでもよい。例えば、抵抗出力段７０５は、直列の抵抗器Ｒ５、コンデンサＣ１１、及びインダクタＬ７を含んでもよい。別の例として、抵抗出力段７０５は、インダクタと並列に配置されたコンデンサと、抵抗器と直列に配置されたコンデンサとインダクタの組み合わせを含んでもよい。配置に拘らず、コンポーネント値は、ＲＦソースのＲＦ周波数に一致するように選択されてもよい。ブロッキングダイオードＤ７はＲＦ発生器５１５の出力を整流してもよい。例えば、ブロッキングダイオードＤ７は、正弦波形を整流して、各周期の少なくとも１０％、１５％、２０％、２５％、３０％等の実質的に平坦な部分を有する正弦波形を作成してもよい。
幾つかの実施形態では、抵抗出力段７０５は、負荷段１０６で高電圧容量性負荷（例えば、ウェハプラズマシース５０５及び／又は壁プラズマシース５１０からの容量性電荷）を高速放電時間で放電してもよい。高電圧負荷は、約１ｋＶ、１０ｋＶ、２０ｋＶ、５０ｋＶ、１００ｋＶ等よりも大きい電圧を有する負荷であり得る。高速放電時間は、約１ｎｓ、１０ｎｓ、５０ｎｓ、１００ｎｓ、２５０ｎｓ、５００ｎｓ、１０００ｎｓ等未満の時間であり得る。
プラズマシース制御システム７００は、ＲＦ発生器５１５と、抵抗出力段７０５と、リード段１０３と、直流バイアス回路１０４と、第２のリード段１０５とを含み得る。プラズマシース制御システムは、プラズマシース制御回路と、プラズマチャンバを含み得る負荷段１０６とを含んでもよい。
図８は、回路点１２２と回路点１２３との間にあるシースに亘る波形（例えば、コンデンサＣ３に亘る波形）と、回路点１２１であるチャックでの波形（例えば、コンデンサＣ２に亘る波形）とを図示している。図９は、図８に示す波形の３サイクルの拡大図である。波形８０５は、シースに亘る電圧（例えば、ウェハハプラズマシース５０５及び／又は壁プラズマシース５１０からの容量性電荷）を示す。波形８０５は、ダイオード（Ｄ３）故にゼロで僅かにクリップした純正弦波であり、それはプラズマ効果の一部である。波形８１０は、極での（又はチャックに亘る）電圧を示す。
ＲＦソースＶ５が連続的にオンされている場合、平坦性は、ブロッキングダイオードＤ７及び／又は回路内のプラズマシースキャパシタンスを含む全ての関連するキャパシタンスの値の結果であり得る。抵抗出力段７０５は、ＲＦ正弦波の半周期の間にシースキャパシタをリセットしてもよい。波形８０５は、−２．５ｋＶ周辺でより平坦である。波形８０５の平坦性は、例えば、エッチング中にイオンを一定の電位に保つ為により良くあり得る。抵抗出力段７０５及び／又はブロッキングダイオードＤ７は、例えば、この平坦性をもたらし得る。コンポーネント値は、立上り時間、立下り時間、及び／又は出力波形の一部の平坦度を変化させるべく調整されてもよい。
幾つかの実施形態では、ブロッキングダイオードＤ７は、例えば高電圧スイッチ等のスイッチで置き換えられてもよい。高電圧スイッチは、図１８に示す高電圧スイッチ１８００を含んでもよい。高電圧スイッチは、例えば、順方向導通中（例えば、ＲＦ発生器５１５の出力が電圧閾値を超える場合）に閉じ、逆バイアス中（例えば、ＲＦ発生器５１５の出力が電圧閾値未満である場合）に開いてもよい。
チャッキング電圧は、バースト時には約５００Ｖ、オフ時には約２ｋＶとなり得るが、これは許容範囲内である。ＲＦ出力電圧を約４ｋＶまで上げると、図１０に示すように、オン時とオフ時の両方で差は約２ｋＶになり得る。ＲＦ出力電圧を６ｋＶ程度まで上げると、図１１に示すように、オン時の差が３ｋＶ以上になり得るが、それは許容され得ず、又、オフ時には２ｋＶ程度の差が生じ得る。３ｋＶの差があると、ウェハが損傷する可能性がある。
図１２は、幾つかの実施形態による、抵抗出力段７０５及び直流バイアス回路１２０４を有するＲＦプラズマリアクタのプラズマシース制御システム１２００の別の模式図である。
直流バイアス回路１２０４は、直流バイアス回路１０４に示されたコンポーネントを含み得る。直流バイアス回路１２０４は、高電圧スイッチＳ１及び／又はブロッキングダイオードＤ２をも含み得る。幾つかの実施形態では、高電圧スイッチＳ１は、高電圧を包括的に開閉する為に直列に配置された複数のスイッチを含んでもよい。高電圧スイッチＳ１は、例えば、図１８に示す高電圧スイッチ１８００等の高電圧スイッチを含み得る。
幾つかの実施形態では、高電圧スイッチＳ１は、ＲＦ電源Ｖ５の電圧波形が正の場合に開き、負の場合に閉じていてもよい。閉じている間、高電圧スイッチＳ１は、例えば、ブロッキングダイオードＤ２に亘る電流を短絡してもよい。この電流を短絡することにより、ウェハとチャックとの間のバイアスが約２ｋＶに維持され得るがこれは許容範囲内であり得る、及び／又は直流バイアス供給電圧Ｖ１を変更することにより調整されてもよい。
図１３は、図１２の回路からのシースに亘る（例えば、Ｃ３）波形及びチャックでの（例えば、Ｃ２）波形を示す。図示のように、ウェハとチャッキング電圧の差は、ＲＦ電源がオンであるかオフであるかに拘らず、−２ｋＶに非常に近い状態を維持している。
図１４は、図１２に示した波形の３サイクルの拡大図である。
図１５は、チャック上の電圧がゼロに戻るバースト波形の終盤部分を示す。
図１６は、幾つかの実施形態によるプラズマシース制御システム１６００の回路図である。この例では、プラズマシース制御システム１６００は、フルブリッジドライバ１６０５を含んでもよい。フルブリッジドライバ１６０５は、直流電圧源（例えば、容量性電源、交流／直流コンバータ等）であり得る入力電圧源Ｖ１を含み得る。幾つかの実施形態では、フルブリッジドライバ１６０５は４個のスイッチを含んでもよい。幾つかの実施形態では、ドライバは、直列又は並列に配置された複数のスイッチを含んでもよい。これらのスイッチは、例えば、例えばＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ、ＳｉＣ接合トランジスタ、ＦＥＴ、ＳｉＣスイッチ、ＧａＮスイッチ、光導電性スイッチ等の任意のタイプのソリッドステートスイッチを含んでもよい。これらのスイッチは高周波数でスイッチングされてもよく、及び／又は高電圧の正弦波形を生成してもよい。これらの周波数は、例えば、約４００ｋＨｚ、０．５ＭＨｚ、２．０ＭＨｚ、４．０ＭＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚ、４０．６８ＭＨｚ、５０ＭＨｚ等の周波数を含んでもよい。
幾つかの実施形態では、フルブリッジドライバは共振回路１６１０と結合される。共振回路１６１０は、トランスＴ１に結合された共振インダクタＬ５及び／又は共振コンデンサＣ２を含んでもよい。幾つかの実施形態では、トランスＴ１は取り除かれてもよい。共振回路は、例えば、フルブリッジドライバと共振回路１６１０との間の任意のリード線の抵抗、及び／又は共振回路１６１０内の任意のコンポーネント、例えば、トランスＴ１、コンデンサＣ２、インダクタＬ５、及び抵抗器Ｒ５を含む漂遊抵抗Ｒ５をも含み得る。
他の回路要素のインダクタンス及び／又はキャパシタンスは駆動周波数に影響を与え得るが、駆動周波数は概ね、共振インダクタＬ５及び／又は共振コンデンサＣ２の選択によって設定され得る。適切な駆動周波数を作成する為に、更なる改良及び／又はチューニングが必要となり得る。更に、トランスＴ１に亘る立上り時間は、以下の条件で、インダクタＬ５のインダクタンス及び／又はコンデンサＣ２のキャパシタンスを変更することによって調整され得る。
Figure 2021534540
例えば、コンデンサＣ２、抵抗器Ｒ５、又はインダクタＬ５は、他の要素が経時変化しても周波数が一定であることを確実にする為に、デバイスの値を調整又は変更できるように、調整可能であってもよい。
幾つかの実施形態では、インダクタＬ５のインダクタンス値が大きいと、立上り時間が遅くなるか、又は短くなることがある。これらの値はバーストエンベロープにも影響を与え得る。各バーストは過渡状態及び定常状態の正弦波形を含み得る。各バースト内の過渡正弦波形は、定常正弦波形の間に完全な電圧に達するまで、Ｌ５及び／又はシステムのＱによって設定される。
ドライバ回路内のスイッチが共振周波数ｆｒｅｓｏｎａｎｔで切り替えられると、トランスでの出力電圧は増幅される。幾つかの実施形態では、共振周波数は、約２０Ｈｚ、５０Ｈｚ、１００Ｈｚ、２５０Ｈｚ、４００ｋＨｚ、０．５ＭＨｚ、２．０ＭＨｚ、４．０ＭＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚ、４０．６８ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、１００ＭＨｚ等であり得る。
幾つかの実施形態では、共振コンデンサＣ２は、トランスＴ１の漂遊キャパシタンス及び／又は物理的コンデンサを含んでもよい。幾つかの実施形態では、共振コンデンサＣ２は、約１０μＦ、約１μＦ、約１００ｎＦ、約１０ｎＦ等のキャパシタンスを有してもよい。幾つかの実施形態では、共振インダクタＬ５は、トランスＴ１の漂遊インダクタンス及び／又は物理的インダクタを含んでもよい。幾つかの実施形態では、共振インダクタＬ５は、約５０ｎＨ、約１００ｎＨ、約１５０ｎＨ、約５００ｎＨ、約１０００ｎＨ等のインダクタンスを有してもよい。幾つかの実施形態では、共振抵抗器Ｒ５は、約１０オーム、約２５オーム、約５０オーム、約１００オーム、約１５０オーム、約５００オーム等の抵抗を有してもよい。
幾つかの実施形態では、プラズマチャンバ内のプラズマ負荷は、時間変動する負荷であり得る。この時間変動は、共振回路のインダクタンス又はキャパシタンスの何れか又は両方に影響を与え、共振周波数ｆｒｅｓｏｎａｎｔのシフトを引き起こす可能性がある。幾つかの実施形態では、プラズマシース制御システムは、コントローラ（例えば、マイクロコントローラ、ＦＰＧＡ、又は任意の制御装置）を含んでもよい。幾つかの実施形態では、このコントローラは、例えば点１２１において、プラズマシース制御システムの出力電圧及び／又は電流を測定してもよい。幾つかの実施形態では、この電圧又は電流の測定は、プラズマシース制御システムが共振周波数で動作しているかどうかを判断する為に使用されてもよい。幾つかの実施形態では、システムが共振周波数で動作していない場合、制御装置は、例えば、共振回路１６１０におけるインダクタンス又はキャパシタンスの値を調整することによって、プラズマシース制御システムの動作周波数を共振周波数に一致するように変更してもよい。
幾つかの実施形態では、例えば点１２１、１２２、１２４、１２５、又は回路内の任意の点でプラズマシース制御システムによって生成される電流又は電圧波形の振幅が、コントローラによって測定されてもよい。幾つかの実施形態では、測定された電流及び／又は電圧を使用して、プラズマシース制御システムの出力電力を決定してもよい。幾つかの実施形態では、コントローラは、この測定に応答して、動作周波数、電圧、又はデューティサイクルを変更することで、所望の出力電圧、電流、又は電力レベルを達成してもよい。
幾つかの実施形態では、プラズマシース制御システムの動作周波数及び出力電力の何れか又は両方がコントローラによって制御されてもよい。幾つかの実施形態では、コントローラは、出力波形の変動を検出して、例えば、約１００ｍｓ未満、約１ｍｓ未満、約１０μｓ未満、約５００ｎｓ未満等の高速タイムスケールで動作周波数及び／又は電力レベルを調整してもよい。
幾つかの実施形態では、抵抗器Ｒ５は、物理的回路内のワイヤ、トレース、及び／又はトランス巻線の漂遊抵抗を表し得る。幾つかの実施形態では、抵抗器Ｒ５は、約１０オーム、約５０オーム、約１００オーム、約２００オーム、約５００オーム等の抵抗を有してもよい。
幾つかの実施形態では、トランスＴ１は、「高電圧トランス（Ｈｉｇｈ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ）」という名称の米国特許出願第１５／３６５，０９４号に開示されているようなトランスを含んでもよく、同出願は、全ての目的の為に本明細書に組み込まれる。
幾つかの実施形態では、共振回路１６１０の出力電圧は、スイッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３、及び／又はＳ４のデューティサイクル（例えば、スイッチ「オン」時間、又はスイッチが導通している時間）を変更することによって変更され得る。例えば、デューティサイクルが長いほど出力電圧は高くなり、デューティサイクルが短いほど出力電圧は短くなる。幾つかの実施形態では、共振回路１６１０の出力電圧は、フルブリッジドライバにおけるスイッチングのデューティサイクルを調整することによって変更又は調整され得る。例えば、スイッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４を開閉する、信号、例えばＳｉｇ１及びＳｉｇ２のデューティサイクルを調整することによって、駆動装置の出力電圧が調整され得る。
幾つかの実施形態では、共振回路の各スイッチ（例えば、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、及び／又はＳ４）は、独立して、又は他のスイッチのうちの１つ以上のスイッチと連動して切り替えられ得る。
幾つかの実施形態では、共振回路１６１０は、半波整流器１６１５及び／又はブロッキングダイオードＤ７と結合されてもよい。幾つかの実施形態では、ブロッキングダイオードＤ７は、例えば高電圧スイッチのようなスイッチで置き換えられてもよい。高電圧スイッチは、図１８に示す高電圧スイッチ１８００を含んでもよい。高電圧スイッチは、例えば、順方向導通中（例えば、ＲＦ発生器５１５の出力が電圧閾値を超えているとき）に閉じ、逆バイアス中（例えば、ＲＦ発生器５１５の出力が電圧閾値を下回っているとき）に開いていてもよい。
幾つかの実施形態では、ブロッキングダイオードＤ７は、フルブリッジドライバ１６０５からの正弦波形を整流してもよい。例えば、ブロッキングダイオードＤ７は、正弦波形を整流して、各周期の少なくとも１０％、１５％、２０％、２５％、３０％等の実質的に平坦な部分を有する整流された正弦波形を作成してもよい。
幾つかの実施形態では、半波整流器１６１５又はブロッキングダイオードＤ７は抵抗出力段１６２０に結合されてもよい。抵抗出力段１６２０は、当該技術分野で知られている任意の抵抗出力段を含んでもよい。例えば、抵抗出力段１６２０は、「高電圧抵抗出力段回路（ＨＩＧＨ ＶＯＬＴＡＧＥ ＲＥＳＩＳＴＩＶＥ ＯＵＴＰＵＴ ＳＴＡＧＥ ＣＩＲＣＵＩＴ）」という名称の米国特許出願第１６／１７８，５３８号に記載されている任意の抵抗出力段を含んでもよく、同出願は、全ての目的の為にその全体が本開示に組み込まれる。例えば、抵抗出力段１６２０は抵抗出力段７０５内の要素を含んでもよい。
幾つかの実施形態では、抵抗出力段は、負荷（例えば、プラズマシースキャパシタンス）を放電する少なくとも１つの抵抗器（例えば、Ｒ１）を含んでもよい。幾つかの実施形態では、抵抗出力段は、各正弦波形サイクル中に約１キロワットを超える平均電力及び／又は１ジュール以下のエネルギーを放電するように構成されてもよい。幾つかの実施形態では、抵抗出力段の抵抗器Ｒ１の抵抗は２００オーム未満であってもよい。幾つかの実施形態では、抵抗器Ｒ１は、約２００ｐＦ未満の結合キャパシタンスを有する直列又は並列に配置された複数の抵抗器を含んでもよい（例えば、Ｃ１１）。
幾つかの実施形態では、抵抗出力段１６２０は、負荷上の電圧波形の形状を制御する為に使用され得る回路素子の集合体を含んでもよい。幾つかの実施形態では、抵抗出力段１６２０は、受動素子のみ（例えば、抵抗器、コンデンサ、インダクタ等）を含んでもよい。幾つかの実施形態では、抵抗出力段１６２０は、受動回路素子だけでなく、能動回路素子（例えば、スイッチ）を含んでもよい。幾つかの実施形態では、抵抗出力段１６２０は、例えば、波形の電圧立上り時間及び／又は波形の電圧立下り時間を制御する為に使用され得る。
幾つかの実施形態では、抵抗出力段１６２０は、容量性負荷（例えば、ウェハプラズマシース５０５及び／又は壁プラズマシース５１０からの容量性電荷）を放電することができる。例えば、これらの容量性負荷は、小キャパシタンス（例えば、約１０ｐＦ、１００ｐＦ、５００ｐＦ、１ｎＦ、１０ｎＦ、１００ｎＦ等）を有してもよい。
幾つかの実施形態では、抵抗出力段１６２０は、高いピーク電圧（例えば、１ｋＶ、１０ｋＶ、２０ｋＶ、５０ｋＶ、１００ｋＶ等を超える電圧）及び／又は高い周波数（例えば、１ｋＨｚ、１０ｋＨｚ、１００ｋＨｚ、２００ｋＨｚ、５００ｋＨｚ、１ＭＨｚ等を超える周波数）及び／又は約４００ｋＨｚ、０．５ＭＨｚ、２．０ＭＨｚ、４．０ＭＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚ、４０．６８ＭＨｚ、５０ＭＨｚ等の周波数を有する正弦波形を有する回路で使用され得る。
幾つかの実施形態では、抵抗出力段１６２０は、高平均電力、高ピーク電力、高速立上り時間及び／又は高速立下り時間を処理するように選択されてもよい。例えば、平均定格電力は、約０．５ｋＷ、１．０ｋＷ、１０ｋＷ、２５ｋＷ等を超えていてもよいし、及び／又はピーク定格電力は、約１ｋＷ、１０ｋＷ、１００ｋＷ、１ＭＷ等を超えていてもよい。
幾つかの実施形態では、抵抗出力段１６２０は、受動コンポーネントの直列又は並列ネットワークを含んでもよい。例えば、抵抗出力段１６２０は、直列の抵抗器、コンデンサ、及びインダクタを含んでもよい。別の例として、抵抗出力段１６２０は、インダクタと並列にコンデンサを含んでもよく、抵抗器と直列のコンデンサとインダクタの組み合わせを含んでもよい。例えば、Ｌ１１は、整流器から出る電圧がある場合に抵抗出力段に有意なエネルギーが注入されないように、十分に大きく選択され得る。Ｒ３とＲ１の値は、Ｌ／Ｒ時間がＲＦ周波数よりも高速で負荷の適切なコンデンサをドレインするように選択され得る。
幾つかの実施形態では、抵抗出力段１６２０はバイアス補償回路１６２５に結合されてもよい。
バイアス補償回路１６２５は、当該技術分野で知られている任意のバイアス及び／又はバイアス補償回路を含んでもよい。例えば、バイアス補償回路１６２５は、「ナノ秒パルサーバイアス補償（ＮＡＮＯＳＥＣＯＮＤ ＰＵＬＳＥＲ ＢＩＡＳ ＣＯＭＰＥＮＳＡＴＩＯＮ）」という名称の米国特許出願第１６２／７１１，４０６号に記載されている任意のバイアス及び／又はバイアス補償回路を含んでもよく、同出願は、全ての目的の為に本開示に組み込まれる。
幾つかの実施形態では、バイアス補償回路１６２５は、バイアスコンデンサＣ７、ブロッキングコンデンサＣ１２、ブロッキングダイオードＤ８、スイッチＳ８（例えば、高電圧スイッチ）、オフセット供給電圧Ｖ１、抵抗Ｒ２、及び／又は抵抗Ｒ４を含んでもよい。幾つかの実施形態では、スイッチＳ８は、例えば、図１８に示す高電圧スイッチ１８００等の高電圧スイッチを含む。
幾つかの実施形態では、オフセット供給電圧Ｖ５は、出力電圧を正又は負の何れかにバイアスすることができる直流電圧源を含んでもよい。幾つかの実施形態では、コンデンサＣ１２は、オフセット供給電圧Ｖ５を抵抗出力段１６２０及び／又は他の回路要素から絶縁／分離してもよい。幾つかの実施形態では、バイアス補償回路１６２５は、回路の或る部分から別の部分への電位シフトを可能にしてもよい。幾つかの実施形態では、バイアス補償回路１６２５は、高電圧正弦波形がチャンバ内で活性化されているとき、ウェハを所定の位置に保持する為に使用されてもよい。抵抗Ｒ２は、ブリッジドライバからの直流バイアス供給を保護／絶縁してもよい。
幾つかの実施形態では、スイッチＳ８は、フルブリッジドライバ１６０５がパルシングしている間は開き、フルブリッジドライバ１６０５がパルシングしていないときは閉じていてもよい。閉じている間、スイッチＳ８は、例えば、ブロッキングダイオードＤ８に亘る電流を短絡してもよい。この電流を短絡することにより、ウェハとチャックとの間のバイアスが２ｋＶ未満となるがこれは許容範囲内であり得る。
幾つかの実施形態では、プラズマシース制御システム１６００は、例えば、５０オームのマッチングネットワーク又は外部マッチングネットワーク又はスタンドアロンマッチングネットワーク等の従来のマッチングネットワークを含んでも、含まなくてもよい。本明細書に記載された実施形態は、ウェハチャンバに印加されるスイッチング電力をチューニングする為に、５０オームのマッチングネットワークを必要としても、必要としなくてもよい。典型的には、マッチングネットワークのチューニングには、少なくとも１００μｓ〜２００μｓかかり得る。幾つかの実施形態では、電力変化は、１又は２ＲＦサイクル内、例えば、４００ｋＨｚで２．５μｓ〜５．０μｓで起こり得る。
図１７は、幾つかの実施形態によるプラズマシース制御システム１７００の回路図である。プラズマシース制御システム１７００は、例えばプラズマチャンバを駆動する為等の高電圧及び高周波数正弦波形を生成する波形発生器１７４５を含む。幾つかの実施形態では、波形発生器１７４５は、１ｋＶ、１０ｋＶ、２０ｋＶ、５０ｋＶ、１００ｋＶ等を超えるピーク電圧と、１ｋＨｚ、１０ｋＨｚ、１００ｋＨｚ、２００ｋＨｚ、５００ｋＨｚ、１ＭＨｚ等を超える高周波数とを有する正弦波形を発生する任意の装置を含んでもよい。
幾つかの実施形態では、波形発生器１７４５は、ＲＦ発生器５１５、フルブリッジドライバ１６０５、又はハーフブリッジドライバ１９０５を含んでもよい。幾つかの実施形態では、波形発生器１７４５はトランスを含んでも、含まなくてもよい。
幾つかの実施形態では、波形発生器１７４５はエネルギー回収回路１７０５と結合してもよい。波形発生器１７４５がトランスを含む場合、エネルギー回収回路１７０５はトランスＴ１の二次側に配置されてもよいし、又はトランスＴ１の二次側に電気的に結合されてもよい。
エネルギー回収回路１７０５は、例えば、トランスＴ１の二次側に亘るダイオード１７３０（例えば、クローバーダイオード）を含んでもよい。エネルギー回収回路１７０５は、例えば、ダイオード１７１０及びインダクタ１７１５（直列に配置されている）を含んでもよく、これにより、負荷段１０６（例えば、容量性負荷）の放電から電流を流して電源Ｃ７を充電することができる。ダイオード１７１０及びインダクタ１７１５は、負荷段１０６及び電源Ｃ７と電気的に接続されていてもよい。
幾つかの実施形態では、エネルギー回収回路１７０５はブロッキングダイオード１７３５を含んでもよい。ブロッキングダイオード１７３５は、ブロッキングダイオードＤ７に類似していてもよいし、ブロッキングダイオードＤ７に類似した方式で動作してもよい。例えば、ブロッキングダイオード１７３５は、正弦波形を整流してもよく、これは、例えば、各正弦波形上に平坦な頂部を生成してもよい（例えば、図９に示すように）。例えば、ブロッキングダイオード１７３５は、正弦波形を整流して、各周期の少なくとも１０％、１５％、２０％、２５％、３０％等に実質的に平坦な部分を有する正弦波形を生成してもよい。
幾つかの実施形態では、ブロッキングダイオード１７３５は、例えば、高電圧スイッチ等のスイッチで置き換えられてもよい。高電圧スイッチは、図１８に示す高電圧スイッチ１８００を含んでもよい。高電圧スイッチは、例えば、順方向導通中（例えば、ＲＦ発生器５１５の出力が電圧閾値を超えている場合）に閉じられ、逆バイアス中（例えば、ＲＦ発生器５１５の出力が電圧閾値を下回っている場合）に開いていてもよい。
幾つかの実施形態では、エネルギー回収回路１７０５は、負荷段１０６と電気的に結合されたインダクタ１７４０を含んでもよい。インダクタ１７４０は、波形発生器１７４５内のトランスの漂遊インダクタンスを表し得る、及び／又は、波形発生器１７４５とエネルギー回収回路１７０５との間の漂遊インダクタンス（例えば、インダクタンストランスＴ１）を含み得る。
波形発生器１７４５がオンにされると、電流が負荷段１０６を充電し得る（例えば、コンデンサＣ３、コンデンサＣ２、又はコンデンサＣ９を充電し得る）。一部の電流は、例えば、トランスＴ１の二次側の電圧が電源Ｃ７の充電電圧より上に上昇したときに、インダクタ１７１５を通って流れ得る。波形発生器１７４５がオフになると、電流は、負荷段１０６内のコンデンサからインダクタ１７１５を通って流れてインダクタ１７１５に亘る電圧がゼロになるまで電源Ｃ７を充電してもよい。ダイオード１７３０は、負荷段１０６内のコンデンサが、負荷段１０６内のインダクタンス又は直流バイアス回路１０４のインダクタンスによってリンギングするのを防止してもよい。
ダイオード１７１０は、例えば、電源Ｃ７から負荷段１０６内のコンデンサに電荷が流れるのを防止し得る。
インダクタ１７１５の値は、電流立下り時間を制御するように選択されてもよい。幾つかの実施形態では、インダクタ１７１５は、１μＨ〜５００μＨのインダクタンス値を有し得る。
幾つかの実施形態では、エネルギー回収回路１７０５は、インダクタ１７１５を通る電流の流れを制御する為に使用され得るスイッチを含んでもよい。スイッチは、例えば、インダクタ１７１５と直列に配置されてもよい。幾つかの実施形態では、スイッチは、スイッチＳ１が開いているとき及び／又はもはやパルシングしていないときに閉じて、負荷段１０６から高電圧負荷Ｃ７に戻る電流の流れを可能にしてもよい。スイッチは、例えば、高電圧スイッチ１８００等の高電圧スイッチを含んでもよい。
エネルギー回収回路１７０５は、プラズマシース制御システム５００、プラズマシース制御システム７００、プラズマシース制御システム１２００、プラズマシース制御システム１６００、又はプラズマシース制御システム１９００に追加されてもよい。幾つかの実施形態では、エネルギー回収回路１７０５は、例えば、抵抗出力段７０５又は抵抗出力段１６２０等の抵抗出力段を置き換えてもよい。
直流バイアス回路１７０４は、直流バイアス回路１７０４、バイアス補償回路１６２５、直流バイアス回路１２０４、又は直流バイアス回路１０４を含んでもよい。
第２のリード段１０５は、波形発生器１７４５と負荷段１０６との間の回路素子を表してもよい。
この例では、プラズマシース制御システム１７００は、負荷段１０６と結合され、正弦波形を負荷段１０６に提供してもよく、負荷段１０６は、例えば、負荷段１０６の任意の要素を含み得る。
図１８は、幾つかの実施形態による絶縁された電力を有する高電圧スイッチ１８００のブロック図である。高電圧スイッチ１８００は、高速立上り時間及び／又は高周波数及び／又は可変周期を有する高電圧源１８６０からの電圧を切り替え得る複数のスイッチモジュール１８０５（集合的に又は個別に１８０５、及び個別に１８０５Ａ、１８０５Ｂ、１８０５Ｃ及び１８０５Ｄ）を含んでもよい。各スイッチモジュール１８０５は、例えばソリッドステートスイッチ等のスイッチ１８１０を含んでもよい。
幾つかの実施形態では、スイッチ１８１０は、電源１８４０（例えば、１８４０Ａ、１８４０Ｂ、１８４０Ｃ又は１８４０Ｄ）及び／又は絶縁ファイバトリガ１８４５（例えば、１８４５Ａ、１８４５Ｂ、１８４５Ｃ、又は１８４５Ｄ）（ゲートトリガ又はスイッチトリガとも呼ばれる）を含み得るゲートドライバ回路１８３０と電気的に結合されてもよい。例えば、スイッチ１８１０は、コレクタ、エミッタ及びゲート（又はドレイン、ソース、及びゲート）を含んでもよく、電源１８４０は、ゲートドライバ回路１８３０を介してスイッチ１８１０のゲートを駆動してもよい。ゲートドライバ回路１８３０は、例えば、高電圧スイッチ１８００の他のコンポーネントから絶縁されていてもよい。
幾つかの実施形態では、電源１８４０は、例えば、絶縁トランスを使用して絶縁されてもよい。絶縁トランスは低キャパシタンストランスを含んでもよい。絶縁トランスの低キャパシタンスは、例えば、電源１８４０が、有意な電流を要さずに高速の時間スケールで充電することを可能にし得る。絶縁トランスは、例えば約１００ｐＦ未満のキャパシタンスを有してもよい。別の例として、絶縁トランスは、約３０未満から１００ｐＦのキャパシタンスを有してもよい。幾つかの実施形態では、絶縁トランスは、１ｋＶ、５ｋＶ、１０ｋＶ、２５ｋＶ、５０ｋＶ等までの電圧絶縁を提供してもよい。
幾つかの実施形態では、絶縁トランスは、低い漂遊キャパシタンスを有してもよい。例えば、絶縁トランスは、約１０００ｐＦ、１００ｐＦ、１０ｐＦ等よりも小さい漂遊キャパシタンスを有してもよい。幾つかの実施形態では、低キャパシタンスは、低電圧コンポーネント（例えば、入力制御電力の源）への電気的結合を最小化、及び／又はＥＭＩ発生（例えば、電気的ノイズ発生）を低減し得る。幾つかの実施形態では、絶縁トランスのトランス漂遊キャパシタンスは、一次巻線と二次巻線との間で測定されたキャパシタンスを含み得る。
幾つかの実施形態では、絶縁トランスは、直流／直流コンバータ又は交流／直流トランスであってもよい。幾つかの実施形態では、トランスは、例えば、１１０Ｖの交流トランスを含んでもよい。それにも拘らず、絶縁トランスは、高電圧スイッチ１８００内の他のコンポーネントから絶縁されたパワーを供給できる。幾つかの実施形態では、絶縁はガルバニックであり、絶縁トランスの一次側の導体が絶縁トランスの二次側の導体を通過しないように、又は絶縁トランスの二次側の導体と接触しないようになっていてもよい。
幾つかの実施形態では、絶縁トランスは、トランスコアに緊密に巻かれるかトランスコアを包囲し得る一次巻線を含んでいてもよい。幾つかの実施形態では、一次巻線は、トランスコアの周りを包囲する導電性シートを含んでもよい。幾つかの実施形態では、一次巻線は、１つ以上の巻線を含んでもよい。
幾つかの実施形態では、二次巻線は、可能な限りコアから離れてコアの周りに巻かれてもよい。例えば、二次巻線を含む巻線の束は、トランスコアの開口部の中心を通って巻かれてもよい。幾つかの実施形態では、二次巻線は１つ以上の巻線を含んでもよい。幾つかの実施形態では、二次巻線を含む巻線の束は、漂遊キャパシタンスを最小化する為に、例えば円形又は正方形である断面を含んでもよい。幾つかの実施形態では、絶縁体（例えば、油又は空気）が、一次巻線、二次巻線、又はトランスコアの間に配置されてもよい。
幾つかの実施形態では、二次巻線をトランスコアから離しておくことには幾つかの利点があり得る。例えば、離すことで、絶縁トランスの一次側と絶縁トランスの二次側との間の漂遊キャパシタンスを減少させる可能性がある。別の例として、離すことで、絶縁トランスの一次側と絶縁トランスの二次側との間の高電圧のスタンドオフを可能にし、動作中にコロナ及び／又は絶縁破壊が形成されないようにすることができる可能性がある。
幾つかの実施形態では、絶縁トランスの一次側（例えば、一次巻線）と絶縁トランスの二次側（例えば、二次巻線）との間の間隔は、約０．１インチ、約０．５インチ、約１インチ、約５インチ、又は約１０インチであり得る。幾つかの実施形態では、絶縁トランスのコアと絶縁トランスの二次側（例えば、二次巻線）との間の典型的な間隔は、約０．１インチ、０．５インチ、１インチ、５インチ又は１０インチであり得る。幾つかの実施形態では、巻線間のギャップは、例えば、真空、空気、任意の絶縁性ガス又は液体、又は比誘電率が３未満の固体材料等の、誘電率が可能な限り低い誘電体材料で満たされてもよい。
幾つかの実施形態では、電源１８４０は、高電圧スタンドオフ（絶縁）を提供することができるか、又は低キャパシタンス（例えば、約１，０００ｐＦ未満、１００ｐＦ未満、１０ｐＦ未満等）を有し得る任意のタイプの電源を含んでもよい。幾つかの実施形態では、制御電圧電源は、６０Ｈｚで交流１８２０Ｖ又は交流２４０Ｖを供給してもよい。
幾つかの実施形態では、各電源１８４０は、単一の制御電圧電源と誘導的に電気的に結合されてもよい。例えば、電源１８４０Ａは第１のトランスを介して電源と電気的に結合されてもよく、電源１８４０Ｂは第２のトランスを介して電源と電気的に結合されてもよく、電源１８４０Ｃは第３のトランスを介して電源と電気的に結合されてもよく、電源１８４０Ｄは第４のトランスを介して電源と電気的に結合されてもよい。例えば、様々な電源間の電圧絶縁を提供することができる任意のタイプのトランスが使用されてもよい。
幾つかの実施形態では、第１のトランス、第２のトランス、第３のトランス及び第４のトランスは、単一のトランスのコアの周りに異なる二次巻線を含んでもよい。例えば、第１のトランスは第１の二次巻線を含んでもよく、第２のトランスは第２の二次巻線を含んでもよく、第３のトランスは第３の二次巻線を含んでもよく、第４のトランスは第４の二次巻線を含んでもよい。これらの各二次巻線は単一のトランスのコアに巻かれていてもよい。幾つかの実施形態では、第１の二次巻線、第２の二次巻線、第３の二次巻線、第４の二次巻線、又は一次巻線は、トランスコアの周りに巻かれた単一の巻線又は複数の巻線を含んでもよい。
幾つかの実施形態では、電源１８４０Ａ、電源１８４０Ｂ、電源１８４０Ｃ及び／又は電源１８４０Ｄは、リターン基準接地又はローカル接地を共有していなくてもよい。
絶縁ファイバトリガ１８４５は、例えば、高電圧スイッチ１８００の他のコンポーネントから絶縁されていてもよい。絶縁ファイバトリガ１８４５は、各スイッチモジュール１８０５が、他のスイッチモジュール１８０５及び／又は高電圧スイッチ１８００の他のコンポーネントに対して浮動すること、及び／又は、例えば各スイッチモジュール１８０５のゲートの能動的な制御を可能にしながら浮動することを可能にする光ファイバレシーバを含んでもよい。
幾つかの実施形態では、各スイッチモジュール１８０５のリターン基準接地又はローカル接地又は共通接地は、例えば、絶縁トランスを使用して、互いに絶縁されていてもよい。
各スイッチモジュール１８０５を共通接地から電気的に絶縁することは、例えば、複数のスイッチを累積高電圧スイッチングの為に直列構成で配置することを可能にし得る。幾つかの実施形態では、スイッチモジュールのタイミングにおける幾つかのラグが許容されるか、又は設計されてもよい。例えば、各スイッチモジュール１８０５は、１ｋＶをスイッチングするように構成又は定格されてもよく、各スイッチモジュールは、互いに電気的に絶縁されてもよく、及び／又は各スイッチモジュール１８０５を閉じるタイミングは、スナバコンデンサのキャパシタンス及び／又はスイッチの定格電圧によって定義される期間の間、完全に整列していなくてもよい。
幾つかの実施形態では、電気的絶縁は多くの利点を提供してもよい。例えば、有り得る１つの利点は、スイッチ間のジッタを最小化すること、及び／又は任意のスイッチタイミングを可能にすることを含み得る。例えば、各スイッチ１８１０は、約５００ｎｓ、５０ｎｓ、２０ｎｓ、５ｎｓ未満等のスイッチ遷移ジッタを有してもよい。
幾つかの実施形態では、２つのコンポーネント（又は回路）間の電気的絶縁は、２つのコンポーネント間の非常に高い抵抗を意味し得る、及び／又は２つのコンポーネント間の小キャパシタンスを意味し得る。
各スイッチ１８１０は、例えば、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ、ＳｉＣ接合トランジスタ、ＲＦＥＴ、ＳｉＣスイッチ、ＧａＮスイッチ、光導電性スイッチ等の任意のタイプのソリッドステートスイッチングデバイスを含んでもよい。スイッチ１８１０は、例えば、高電圧（例えば、約１ｋＶを超える電圧）を、高周波（例えば、約１ｋＨｚを超える）で、高速（例えば、約５００ｋＨｚより大きい繰り返し速度）で、及び／又は高速立上り時間（例えば、約２５ｎｓ未満の立上り時間）で切り替えることができる。幾つかの実施形態では、各スイッチは、個別に１２００Ｖ〜１７００Ｖを切り替える為に定格されていてもよいが、組み合わせて４８００Ｖ超から６８００Ｖまでの切り替えが可能である（４個のスイッチに関して）。様々な他の定格電圧のスイッチも使用され得る。
少数の高電圧スイッチを使用するよりも多数の低電圧スイッチを使用することに何らかの利点がある場合がある。例えば、低電圧スイッチは、典型的には、より優れた性能を有しており、低電圧スイッチは、高電圧スイッチよりも高速に切り替えることができ、より速い遷移時間を有し、及び／又はより効率的に切り替えることができる。しかしながら、スイッチの個数が多いほど、必要とされるタイミングの問題が大きくなる可能性がある。
図１８に示す高電圧スイッチ１８００は、４個のスイッチモジュール１８０５を含む。この図では４個が示されているが、例えば、２個、８個、１２個、１６個、２０個、２４個等、任意の個数のスイッチモジュール１８０５が使用されてもよい。例えば、各スイッチモジュール１８０５の各スイッチの定格が１２００Ｖであり、１６個のスイッチが使用されている場合、高電圧スイッチは１９．２ｋＶまで切り替えることができる。別の例として、各スイッチモジュール１８０５の各スイッチの定格が１７００Ｖで、１６個のスイッチが使用される場合、高電圧スイッチは２７．２ｋＶまで切り替えることができる。
幾つかの実施形態では、高電圧スイッチ１８００は高速コンデンサ１８５５を含んでもよい。高速コンデンサ１８５５は、例えば、直列及び／又は並列に配置された１つ以上のコンデンサを含んでもよい。これらのコンデンサは、例えば、１つ以上のポリプロピレンコンデンサを含んでもよい。高速コンデンサ１８５５は、高電圧源１８６０からのエネルギーを蓄えてもよい。
幾つかの実施形態では、高速コンデンサ１８５５は低キャパシタンスを有してもよい。幾つかの実施形態では、高速コンデンサ１８５５は、約１μＦ、約５μＦ、約１μＦ〜約５μＦ、約１００ｎＦ〜約１，０００ｎＦ等のキャパシタンス値を有してもよい。
幾つかの実施形態では、高電圧スイッチ１８００はクローバーダイオード１８５０を含んでも、含んでいなくてもよい。クローバーダイオード１８５０は、例えば、誘導負荷を駆動する為に有益であり得る直列又は並列に配置された複数のダイオードを含んでもよい。幾つかの実施形態では、クローバーダイオード１８５０は、例えば炭化ケイ素ショットキーダイオードのような１つ以上のショットキーダイオードを含んでもよい。クローバーダイオード１８５０は、例えば、高電圧スイッチのスイッチからの電圧が或る閾値を超えているかどうかを感知してもよい。閾値を超えている場合、クローバーダイオード１８５０は、スイッチモジュールからのパワーを接地に短絡させてもよい。クローバーダイオードは、例えば、スイッチング後に誘導負荷に蓄積されたエネルギーを散逸させる為の交流電流経路を可能にしてもよい。これは、例えば、大きな誘導電圧スパイクを防止し得る。幾つかの実施形態では、クローバーダイオード１８５０は、例えば、１ｎＨ、１０ｎＨ、１００ｎＨ等のような低インダクタンスを有してもよい。幾つかの実施形態では、クローバーダイオード１８５０は、例えば、１００ｐＦ、１ｎＦ、１０ｎＦ、１００ｎＦ等のような低キャパシタンスを有してもよい。
幾つかの実施形態では、クローバーダイオード１８５０は、例えば、負荷１８６５が主に抵抗性である場合等、使用されない場合がある。
幾つかの実施形態では、各ゲートドライバ回路１８３０は、約１０００ｎｓ未満、約１００ｎｓ未満、約１０．０ｎｓ未満、約５．０ｎｓ未満、約３．０ｎｓ未満、約１．０ｎｓ未満等のジッタを生成してもよい。幾つかの実施形態では、各スイッチ１８１０は、最小スイッチオン時間（例えば、約１０μｓ未満、約１μｓ未満、約５００ｎｓ未満、約１００ｎｓ未満、約５０ｎｓ未満、約１０、約５ｎｓ未満等）及び最大スイッチオン時間（例えば、２５ｓ、１０ｓ、５ｓ、１ｓ、５００ｍｓを超える等）とを有してもよい。
幾つかの実施形態では、動作中に、高電圧スイッチ各々は、互いに１ｎｓ以内にスイッチオン及び／又はオフされてもよい。
幾つかの実施形態では、各スイッチモジュール１８０５は、同じ又は実質的に同じ（±５％）の漂遊インダクタンスを有してもよい。漂遊インダクタンスは、例えば、リード、ダイオード、抵抗器、スイッチ１８１０、及び／又は回路基板トレース等のインダクタに関連しないスイッチモジュール１８０５内の任意のインダクタンスを含んでもよい。各スイッチモジュール１８０５内の漂遊インダクタンスは、例えば、約３００ｎＨ未満、１００ｎＨ未満、１０ｎＨ未満、１ｎＨ未満、等のような低インダクタンスを含んでもよい。各スイッチモジュール１８０５間の漂遊インダクタンスは、例えば、約３００ｎＨ未満、約１００ｎＨ未満、約１０ｎＨ未満、約１ｎＨ未満等のインダクタンス等の低いインダクタンスを含んでもよい。
幾つかの実施形態では、各スイッチモジュール１８０５は、同じ又は実質的に同じ（±５％）の漂遊キャパシタンスを有してもよい。漂遊キャパシタンスは、例えば、リード、ダイオード、抵抗器、スイッチ１８１０及び／又は回路基板トレース内のキャパシタンス等、コンデンサに関連付けられていないスイッチモジュール１８０５内の任意のキャパシタンスを含んでもよい。各スイッチモジュール１８０５内の漂遊キャパシタンスは、例えば、約１０００ｐＦ未満、約１００ｐＦ未満、約１０ｐＦ未満等のような低キャパシタンスを含んでもよい。各スイッチモジュール１８０５間の漂遊キャパシタンスは、例えば、約１０００ｐＦ未満、１００ｐＦ未満、１０ｐＦ未満等のような低キャパシタンスを含んでもよい。
電圧共有の不完全性は、例えば、パッシブスナバ回路（例えば、スナバダイオード１８１５、スナバコンデンサ１８２０、及び／又はフリーホイールダイオード１８２５）を用いて対処され得る。例えば、スイッチ１８１０各々がオン又はオフになるタイミングの間の微小な差異、或いはインダクタンス又はキャパシタンスの差異が電圧スパイクを引き起こす可能性がある。これらのスパイクは、様々なスナバ回路（例えば、スナバダイオード１８１５、スナバコンデンサ１８２０、及び／又はフリーホイールダイオード１８２５）によって緩和され得る。
スナバ回路は、例えば、スナバダイオード１８１５、スナバコンデンサ１８２０、スナバ抵抗器１８１６、及び／又はフリーホイールダイオード１８２５を含み得る。幾つかの実施形態では、スナバ回路は、スイッチ１８１０と並列に一緒に配置されてもよい。幾つかの実施形態では、スナバコンデンサ１８２０は、例えば、約１００ｐＦ未満のキャパシタンス等の低キャパシタンスを有してもよい。
幾つかの実施形態では、高電圧スイッチ１８００は、負荷１８６５（例えば、抵抗性負荷又は容量性負荷又は誘導性負荷）と電気的に結合されていてもよく、又はそれを含んでいてもよい。負荷１８６５は、例えば、５０オーム〜５００オームの抵抗を有してもよい。代替的又は追加的に、負荷１８６５は、誘導性負荷又は容量性負荷であってもよい。
図１９は、幾つかの実施形態によるプラズマシース制御システム１９００の回路図である。この例では、プラズマシース制御システム１９００は、図１６のフルブリッジドライバ１６０５ではなく、ハーフブリッジドライバ１９０５を含んでもよい。スイッチＳ１及びＳ２は交互に開かれて、第１の時間期間中に電流が負荷を介して一方向に流れることを可能にし、第２の時間期間中に電流が負荷を介して反対方向に流れることを可能にしてもよい。
幾つかの実施形態では、マッチングネットワークは、例えば、プラズマに最大パワーを提供する為に、プラズマチャンバのインピーダンスをＲＦ発生器のインピーダンスに一致させる為に使用され得る。これは、例えば、５０オームのシステムを使用する場合に有益であり得る。例えば、プラズマシース制御システム５００、プラズマシース制御システム７００、又はプラズマシース制御システム１２００において、抵抗器Ｒ１３の近傍にマッチングネットワークを含んでもよい。別の例として、プラズマシース制御システム１６００、プラズマシース制御システム１７００、又はプラズマシース制御システム１９００は、インダクタＬ２以前にマッチングネットワークを含んでもよい。
別段の指定がない限り、用語「実質的に」とは、言及された値の５％若しくは１０％以内、又は製造公差内の値を意味する。別段の指定がない限り、用語「約」は、言及された値の５％若しくは１０％以内、又は製造公差内を意味する。
本明細書で使用される場合、接続詞「又は」は包括的である。
数多くの特定の詳細は、請求項に記載の主題の完全な理解を提供する為に本明細書に記載される。しかしながら、当業者であれば、請求に記載の主題は、これらの特定の詳細なしに実施され得ることを理解するであろう。他の事例では、当業者によって知られ得る方法、装置又はシステムは、請求項に記載の主題を不明瞭にしないように、詳細に記載されていない。
本明細書での、「適応された」又は「構成された」の使用は、オープン且つ包括的であることを意図しており、追加のタスクやステップを実行するように適応又は構成されたデバイスを否定するものではない。更に、「に基づいて」の使用は、１つ以上の言及された条件や値「に基づく」プロセス、ステップ、計算、又はその他のアクションが、実際には、これらの条件や値を超えた追加の条件や値に基づいている可能性があるという意味で、オープン且つ包括的な表現であることを意図している。本明細書に含まれる見出し、リスト及び番号は、説明を容易にする為のものであり、限定的であることを意図していない。
本開示の主題は、その特定の実施形態に関して詳細に記載されているが、当業者であれば、上記の理解を得た上で、そのような実施形態の変更、変形、及び同等物を容易に作り出すことができることが理解されるであろう。従って、本開示は、限定ではなく例示の為に提示されたものであり、そのような変更、変形及び／又は追加を含めることを排除するものではなく、そのことは、当業者には自明であろう。
１０３ リード段
１０４、１２０４、１７０４ 直流バイアス回路
１０５ 第２のリード段
１０６ 負荷段
５００、７００、１２００、１６００、１７００、１９００ プラズマシース制御システム
５０５ ウェハプラズマシース
５１０ 壁プラズマシース
５１５ ＲＦ発生器
７０５、１６２０ 抵抗出力段
１６０５ フルブリッジドライバ
１６１５ 半波整流器
１６２５ バイアス補償回路
１７０５ エネルギー回収回路
１７１０ ダイオード
１７１５ インダクタ
１７３５ ブロッキングダイオード
１７４５ 波形発生器
１８００ 高電圧スイッチ
１８０５ スイッチモジュール
１８１０ スイッチ
１８１５ スナバダイオード
１８２０ スナバコンデンサ
１８２５ フリーホイールダイオード
１８３０ ゲートドライバ回路
１８４０ 電源
１８４５ 絶縁ファイバトリガ
１８６０ 高電圧源
１８６５ 負荷
１９０５ ハーフブリッジドライバ
Ｃ３、Ｃ９ コンデンサ
Ｃ１２ バイアスコンデンサ
Ｄ７ ブロッキングダイオード
Ｌ６ インダクタ
Ｒ１３ 抵抗器
Ｓ２ スイッチ
Ｖ５ ＲＦ電源

Claims (21)

  1. プラズマシース制御システムであって、
    ２０ｋＨｚを超える周波数と１ｋＶを超えるピーク電圧を有する正弦波形を生成するＲＦ電源と、
    前記ＲＦ電源と電気的に結合されたプラズマチャンバであって、前記プラズマチャンバは、前記プラズマチャンバ内に配置された面に約１ｋＶを超えるエネルギーで加速される複数のイオンを有し、前記プラズマチャンバは、正弦波形から、前記プラズマチャンバ内にプラズマシースを生成する、プラズマチャンバと、
    前記ＲＦ電源と前記プラズマチャンバの間に電気的に結合され、正弦波形を整流するブロッキングダイオードと、
    前記ＲＦ電源、前記プラズマチャンバ及び前記ブロッキングダイオードと電気的に結合された容量性放電回路とを備え、前記容量性放電回路は、前記プラズマチャンバ内の容量性電荷を、１ｋＶを超えるピーク電圧で、２５０ナノ秒未満の放電時間で放電する、
    プラズマシース制御システム。
  2. 前記容量性放電回路が、直列に配置された抵抗器とインダクタを備えた抵抗出力段を備え、前記抵抗出力段は、前記プラズマシース制御システム上の前記ブロッキングダイオードと前記プラズマチャンバとの間の点と接地との間に配置されている、請求項１に記載のプラズマシース制御システム。
  3. 前記容量性放電回路が、直列に配置されたダイオードとインダクタを含むエネルギー回収回路を備え、前記エネルギー回収回路は前記ブロッキングダイオードと前記プラズマチャンバと前記ＲＦ電源の間に配置されている、請求項１に記載のプラズマシース制御システム。
  4. 前記ブロッキングダイオードと前記プラズマチャンバの間に直列に配置されたバイアスコンデンサを更に備える、請求項１に記載のプラズマシース制御システム。
  5. 更に、直流電源、抵抗器、ダイオード及び高電圧スイッチを備えたバイアス補償回路を備え、前記バイアス補償回路は、前記ブロッキングダイオードと前記高周波電源との間の前記プラズマシース制御システム上の点の間に配置されている、請求項１に記載のプラズマシース制御システム。
  6. 前記プラズマチャンバと電気的に結合されたマッチングネットワークを更に含み、前記マッチングネットワークは前記プラズマチャンバ内のプラズマ負荷の反応性インピーダンスを前記ＲＦ電源の出力インピーダンスに一致させる、請求項１に記載のプラズマシース制御システム。
  7. 前記ブロッキングダイオードが、Ａ正弦波形を整流して、各周期の少なくとも２５％に実質的に平坦な部分を有するＡ正弦波形を生成する、請求項１に記載のプラズマシース制御システム。
  8. プラズマシース制御システムであって、
    ２００Ｖを超える直流電圧を発生する高電圧直流電源と、
    交互にスイッチオン／オフして、２０ｋＨｚを超える周波数及び１ｋＶを超えるピーク電圧を有する正弦波形を生成する複数の高電圧スイッチを備えた共振回路ドライバと、
    前記共振回路ドライバと電気的に結合されたプラズマチャンバであって、前記プラズマチャンバは、前記プラズマチャンバ内に配置された面に約１ｋＶを超えるエネルギーで加速される複数のイオンを有し、前記プラズマチャンバは、正弦波形から、前記プラズマチャンバ内にプラズマシースを生成する、プラズマチャンバと、
    前記共振回路ドライバと前記プラズマチャンバとの間に電気的に接続され、前記正弦波を整流するブロッキングダイオードと、
    を備えたプラズマシース制御システム。
  9. 前記ブロッキングダイオードが前記正弦波形を整流して、各周期の少なくとも２５％の実質的に平坦な部分を形成する、請求項８に記載のプラズマシース制御システム。
  10. 直列に配置された抵抗器とインダクタを含む抵抗出力段を更に備え、前記抵抗出力段は、前記ブロッキングダイオードと前記プラズマチャンバとの間の前記プラズマシース制御システム上の点と接地との間に配置されている、請求項８に記載のプラズマシース制御システム。
  11. 直列に配置されたダイオードとインダクタを含むエネルギー回収回路を更に備え、前記エネルギー回収回路は、前記ブロッキングダイオードと前記プラズマチャンバと前記高圧直流電源との間に配置されている、請求項８に記載のプラズマシース制御システム。
  12. 前記複数のスイッチが、第１のスイッチ、第２のスイッチ、第３のスイッチ、及び第４のスイッチを備え、
    前記第１のスイッチ及び前記第４のスイッチは、第１の時間期間に閉じて、電流が第１の方向に流れることを可能にし、
    前記第２のスイッチ及び前記第３のスイッチは、第２の時間期間に閉じて、前記第１の方向とは反対の第２の方向に電流を流すことを可能する、請求項８に記載のプラズマシース制御システム。
  13. 前記複数のスイッチが、第１のスイッチと第２のスイッチを含み、
    前記第１のスイッチは第１の時間期間に閉じて、電流が第１の方向に流れることを可能にし、
    前記第２のスイッチが、前記第２の時間期間に閉じて、電流が前記第１の方向とは反対の第２の方向へと流れることを可能にする、請求項８に記載のプラズマシース制御システム。
  14. 前記複数のスイッチが、
    Figure 2021534540
     による周波数で切り替わり、ｆは１０ｋＨｚを超え、Ｌは前記プラズマチャンバ内の負荷のインダクタンスを表し、Ｃは前記共振回路ドライバ内のコンデンサのキャパシタンスを表す、請求項８に記載のプラズマシース制御システム。
  15. 前記複数のスイッチが、
    Figure 2021534540
     による周波数で切り替わり、ｆは１０ｋＨｚを超え、Ｌは前記共振回路ドライバ内のインダクタのインダクタンスを表し、Ｃは前記プラズマチャンバ内の負荷のキャパシタンスを表す、請求項８に記載のプラズマシース制御システム。
  16. 前記複数のスイッチが、
    Figure 2021534540
     による周波数で切り替わり、ｆは１０ｋＨｚを超え、Ｌは前記共振回路ドライバ内のインダクタのインダクタンスを表し、Ｃは前記共振回路ドライバ内のコンデンサのキャパシタンスを表す、請求項８に記載のプラズマシース制御システム。
  17. 前記共振回路ドライバが正弦波形を生成している間、プラズマシース制御システムが約１ｋＶを超える電圧を前記プラズマシースに亘り生成する、請求項８に記載のプラズマシース制御システム。
  18. 前記共振回路によって生成される正弦波形の周波数又はパワーの何れか又は両方を約１ミリ秒未満のタイムスケールで調整するコントローラを更に含む、請求項８に記載のプラズマシース制御システム。
  19. 前記プラズマチャンバ以前の点における正弦波形の周波数を測定し、前記プラズマチャンバ以前の点における正弦波形の周波数が共振周波数と一致しない場合に、前記共振回路ドライバによって生成される正弦波形の周波数を調整するコントローラを更に含む、請求項８に記載のプラズマシース制御システム。
  20. 前記プラズマチャンバ以前の点における正弦波形のパワーを測定し、前記プラズマチャンバ以前の点における正弦波形のパワーが要求されたパワーと一致しない場合に、前記共振回路ドライバによって生成される正弦波形のパワーを調整するコントローラを更に含む、請求項８に記載のプラズマシース制御システム。
  21. プラズマシース制御システムであって、
    ２０ｋＨｚを超える周波数と１ｋＶを超えるピーク電圧を有する正弦波形を生成するＲＦ電源と、
    前記ＲＦ電源と電気的に結合されたプラズマチャンバであって、前記プラズマチャンバは、前記プラズマチャンバ内に配置された面に約１ｋＶを超えるエネルギーで加速される複数のイオンを有し、前記プラズマチャンバは、正弦波形から、前記プラズマチャンバ内にプラズマシースを生成する、プラズマチャンバと、
    前記ＲＦ電源と前記プラズマチャンバの間に電気的に結合され、正弦波形を整流するブロッキングダイオードと、
    直列に配置された抵抗器とインダクタを備えた抵抗出力段を備え、前記抵抗出力段は、前記プラズマシース制御システム上の前記ブロッキングダイオードと前記プラズマチャンバとの間の点と接地との間に配置されている、プラズマシース制御システム。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
JP7451540B2 (ja) 2019-01-22 2024-03-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
CN115552571A (zh) * 2020-05-12 2022-12-30 鹰港科技有限公司 高频rf发生器和dc脉冲
US11848176B2 (en) 2020-07-31 2023-12-19 Applied Materials, Inc. Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power
US11901157B2 (en) 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US20220399185A1 (en) 2021-06-09 2022-12-15 Applied Materials, Inc. Plasma chamber and chamber component cleaning methods
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11776788B2 (en) 2021-06-28 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage boost for substrate processing
KR20230026567A (ko) * 2021-08-17 2023-02-27 전북대학교산학협력단 전기식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 반도체 공정 시스템
US11476090B1 (en) * 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US20240055244A1 (en) * 2022-08-10 2024-02-15 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage compensation for plasma processing applications

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09120956A (ja) * 1995-06-07 1997-05-06 Varian Assoc Inc 物質処理用容量結合式二重周波数プラズマリアクタ
US6059935A (en) * 1995-06-19 2000-05-09 The University Of Tennessee Research Corporation Discharge method and apparatus for generating plasmas
JP2007203088A (ja) * 1996-08-23 2007-08-16 Team Medical Llc 改良された電気外科用発生装置
JP2016181343A (ja) * 2015-03-23 2016-10-13 東京エレクトロン株式会社 電源システム、プラズマ処理装置及び電源制御方法
JP2019197892A (ja) * 2018-05-10 2019-11-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 電流帰還出力ステージを有するパルス発生器を使用してイオンエネルギー分布を制御する方法

Family Cites Families (214)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3339108A (en) 1965-01-28 1967-08-29 Gen Radio Co Capacitor charging and discharging circuitry
GB1542662A (en) 1975-09-12 1979-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Power supply
US4070589A (en) 1976-10-29 1978-01-24 The Singer Company High speed-high voltage switching with low power consumption
US4438331A (en) 1981-12-02 1984-03-20 Power Spectra, Inc. Bulk semiconductor switch
US4504895A (en) 1982-11-03 1985-03-12 General Electric Company Regulated dc-dc converter using a resonating transformer
GB2164513A (en) 1984-09-01 1986-03-19 Marconi Co Ltd A pulse generator
GB2170663B (en) 1985-02-02 1989-06-14 Brian Ernest Attwood Harmonic-resonant power supply
US4885074A (en) 1987-02-24 1989-12-05 International Business Machines Corporation Plasma reactor having segmented electrodes
US4924191A (en) 1989-04-18 1990-05-08 Erbtec Engineering, Inc. Amplifier having digital bias control apparatus
DK0417771T3 (da) 1989-09-14 1995-08-14 Hitachi Metals Ltd Højspændingspulsgenererende kredsløb og elektrostatisk filter indeholdende samme
US4992919A (en) 1989-12-29 1991-02-12 Lee Chu Quon Parallel resonant converter with zero voltage switching
US5140510A (en) 1991-03-04 1992-08-18 Motorola, Inc. Constant frequency power converter
FR2674385A1 (fr) 1991-03-22 1992-09-25 Alsthom Gec Dispositif d'isolement galvanique pour signaux electriques continus ou susceptibles de comporter une composante continue.
US6518195B1 (en) 1991-06-27 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes
US5325021A (en) 1992-04-09 1994-06-28 Clemson University Radio-frequency powered glow discharge device and method with high voltage interface
US5418707A (en) 1992-04-13 1995-05-23 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy High voltage dc-dc converter with dynamic voltage regulation and decoupling during load-generated arcs
US6369576B1 (en) 1992-07-08 2002-04-09 Texas Instruments Incorporated Battery pack with monitoring function for use in a battery charging system
JP3366058B2 (ja) 1992-10-07 2003-01-14 浩 坂本 電源装置
US5313481A (en) 1993-09-29 1994-05-17 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Copper laser modulator driving assembly including a magnetic compression laser
US5392043A (en) 1993-10-04 1995-02-21 General Electric Company Double-rate sampled signal integrator
US5451846A (en) 1993-12-14 1995-09-19 Aeg Automation Systems Corporation Low current compensation control for thyristor armature power supply
DE69628514T2 (de) 1995-02-17 2004-04-29 Cymer, Inc., San Diego Leistungspulsgenerator mit energierückgewinnung
US6042686A (en) 1995-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Power segmented electrode
JP3373704B2 (ja) 1995-08-25 2003-02-04 三菱電機株式会社 絶縁ゲートトランジスタ駆動回路
US6253704B1 (en) 1995-10-13 2001-07-03 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate
WO1997018630A1 (en) 1995-11-15 1997-05-22 Kardo Syssoev Alexei F Pulse generating circuits using drift step recovery devices
IT1289479B1 (it) 1996-01-26 1998-10-15 Schlafhorst & Co W Disposizione circuitale di trasformazione di tensione per la alimentazione energetica di un utilizzatore elettrico di elevata
GB9607381D0 (en) 1996-04-04 1996-06-12 Council Cent Lab Res Councils Dc power converter
US5917286A (en) 1996-05-08 1999-06-29 Advanced Energy Industries, Inc. Pulsed direct current power supply configurations for generating plasmas
CA2205817C (en) 1996-05-24 2004-04-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. Treatment method in glow-discharge plasma and apparatus thereof
US5930125A (en) 1996-08-28 1999-07-27 Siemens Medical Systems, Inc. Compact solid state klystron power supply
SE9604814D0 (sv) 1996-12-20 1996-12-20 Scanditronix Medical Ab Power modulator
DE69727965T3 (de) 1996-12-20 2012-08-02 Scandinova Systems Ab Leistungsmodulator
US6300720B1 (en) 1997-04-28 2001-10-09 Daniel Birx Plasma gun and methods for the use thereof
EP1038042A1 (en) 1997-10-15 2000-09-27 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for utilizing a plasma density gradient to produce a flow of particles
FR2771563B1 (fr) 1997-11-25 2000-02-18 Dateno Sa Dispositif d'alimentation reglable pour tube d'emission radioelectriques de type klystron permettant de reduire la consommation d'energie
WO1999062594A1 (en) 1998-06-03 1999-12-09 Neurocontrol Corporation Percutaneous intramuscular stimulation system
GB2341288B (en) 1998-06-23 2003-12-10 Eev Ltd Switching arrangement
US6642149B2 (en) 1998-09-16 2003-11-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing method
US6066901A (en) 1998-09-17 2000-05-23 First Point Scientific, Inc. Modulator for generating high voltage pulses
US6362604B1 (en) 1998-09-28 2002-03-26 Alpha-Omega Power Technologies, L.L.C. Electrostatic precipitator slow pulse generating circuit
JP3496560B2 (ja) 1999-03-12 2004-02-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2000306891A (ja) * 1999-04-22 2000-11-02 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US6738275B1 (en) 1999-11-10 2004-05-18 Electromed Internationale Ltee. High-voltage x-ray generator
US6674836B2 (en) 2000-01-17 2004-01-06 Kabushiki Kaisha Toshiba X-ray computer tomography apparatus
JP2001238470A (ja) 2000-02-21 2001-08-31 Ngk Insulators Ltd パルス電力発生用スイッチ回路
US6205074B1 (en) 2000-02-29 2001-03-20 Advanced Micro Devices, Inc. Temperature-compensated bias generator
US6831377B2 (en) 2000-05-03 2004-12-14 University Of Southern California Repetitive power pulse generator with fast rising pulse
KR100394171B1 (ko) 2000-05-30 2003-08-09 고범종 전력증폭기의 출력단 보호회로
US7549461B2 (en) 2000-06-30 2009-06-23 Alliant Techsystems Inc. Thermal management system
US6483731B1 (en) 2000-07-31 2002-11-19 Vanner, Inc. Alexander topology resonance energy conversion and inversion circuit utilizing a series capacitance multi-voltage resonance section
US6939434B2 (en) 2000-08-11 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution
US7223676B2 (en) 2002-06-05 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Very low temperature CVD process with independently variable conformality, stress and composition of the CVD layer
US7037813B2 (en) 2000-08-11 2006-05-02 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process using a capacitively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US6359542B1 (en) 2000-08-25 2002-03-19 Motorola, Inc. Securement for transformer core utilized in a transformer power supply module and method to assemble same
JP4612947B2 (ja) 2000-09-29 2011-01-12 日立プラズマディスプレイ株式会社 容量性負荷駆動回路およびそれを用いたプラズマディスプレイ装置
JP3563054B2 (ja) * 2000-09-29 2004-09-08 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置および方法
JP4717295B2 (ja) 2000-10-04 2011-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 ドライエッチング装置及びエッチング方法
US6529387B2 (en) 2001-06-06 2003-03-04 Siemens Medical Solutions Usa. Inc. Unified power architecture
GB2378065B (en) 2001-06-15 2004-09-15 Marconi Applied Technologies High voltage switching apparatus
DE60141822D1 (de) 2001-07-16 2010-05-27 Cpautomation S A Eine elektrische Stromversorgung die besonders für Gleichstromplasmabehandlung anwendbar ist
US6741120B1 (en) 2001-08-07 2004-05-25 Globespanvirata, Inc. Low power active filter and method
JP2005504286A (ja) 2001-09-19 2005-02-10 マイクロ−エプシロン・メステヒニク・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カー・ゲー 距離区間を測定する回路
US7100532B2 (en) 2001-10-09 2006-09-05 Plasma Control Systems, Llc Plasma production device and method and RF driver circuit with adjustable duty cycle
US6855906B2 (en) 2001-10-16 2005-02-15 Adam Alexander Brailove Induction plasma reactor
WO2003034391A2 (en) 2001-10-19 2003-04-24 Clare Micronix Integrated Systems, Inc. Method and system for adjusting the voltage of a precharge circuit
TWI282658B (en) 2001-10-23 2007-06-11 Delta Electronics Inc A parallel connection system of DC/AC voltage converter
KR100426605B1 (ko) * 2001-11-03 2004-04-08 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 직렬 커패시턴스를 갖는 스위칭 전원 장치
US6741484B2 (en) 2002-01-04 2004-05-25 Scandinova Ab Power modulator having at least one pulse generating module; multiple cores; and primary windings parallel-connected such that each pulse generating module drives all cores
US6768621B2 (en) 2002-01-18 2004-07-27 Solectria Corporation Contactor feedback and precharge/discharge circuit
US7354501B2 (en) 2002-05-17 2008-04-08 Applied Materials, Inc. Upper chamber for high density plasma CVD
US7477529B2 (en) 2002-11-01 2009-01-13 Honeywell International Inc. High-voltage power supply
US20040097847A1 (en) 2002-11-15 2004-05-20 Advanced Respiratory, Inc. Oscillatory chest wall compression device with improved air pulse generator with electronic flywheel
US20040178752A1 (en) 2002-12-13 2004-09-16 International Rectifier Corporation Gate driver ASIC for an automotive starter/alternator
JP2004222485A (ja) 2002-12-27 2004-08-05 Sony Corp スイッチング電源回路
DE10306809A1 (de) 2003-02-18 2004-09-02 Siemens Ag Betrieb einer Halbbrücke, insbesondere einer Feldeffekttransistor-Halbbrücke
JP4474360B2 (ja) 2003-05-15 2010-06-02 株式会社日立メディコ Ｘ線発生装置
US7247218B2 (en) 2003-05-16 2007-07-24 Applied Materials, Inc. Plasma density, energy and etch rate measurements at bias power input and real time feedback control of plasma source and bias power
JP4392746B2 (ja) 2003-05-23 2010-01-06 株式会社日立メディコ Ｘ線高電圧装置
EP1515430A1 (en) 2003-09-15 2005-03-16 IEE INTERNATIONAL ELECTRONICS & ENGINEERING S.A. Mixer for the conversion of radio frequency signals into baseband signals
US7062310B2 (en) 2003-10-06 2006-06-13 Tyco Electronics Corporation Catheter tip electrode assembly and method for fabricating same
US20070018504A1 (en) 2003-10-14 2007-01-25 Wiener Scott A Short duration variable amplitude high voltage pulse generator
GB2409115B (en) 2003-12-09 2006-11-01 Nujira Ltd Transformer based voltage supply
US20050130620A1 (en) 2003-12-16 2005-06-16 Andreas Fischer Segmented radio frequency electrode apparatus and method for uniformity control
US7379309B2 (en) 2004-01-14 2008-05-27 Vanner, Inc. High-frequency DC-DC converter control
US7180082B1 (en) 2004-02-19 2007-02-20 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method for plasma formation for extreme ultraviolet lithography-theta pinch
US7492138B2 (en) 2004-04-06 2009-02-17 International Rectifier Corporation Synchronous rectifier circuits and method for utilizing common source inductance of the synchronous FET
JP2005303099A (ja) 2004-04-14 2005-10-27 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US7396746B2 (en) 2004-05-24 2008-07-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Methods for stable and repeatable ion implantation
US7512422B2 (en) 2004-05-28 2009-03-31 Ixys Corporation RF generator with commutation inductor
US7948185B2 (en) 2004-07-09 2011-05-24 Energetiq Technology Inc. Inductively-driven plasma light source
US7307375B2 (en) 2004-07-09 2007-12-11 Energetiq Technology Inc. Inductively-driven plasma light source
JP2006042410A (ja) 2004-07-22 2006-02-09 Toshiba Corp スナバ装置
EP1779089A4 (en) 2004-07-28 2010-03-24 Univ Community College Sys Nev ELECTRODE-FREE EXTREME UV DISCHARGE LIGHT SOURCE
KR100649508B1 (ko) 2005-02-02 2006-11-27 권오영 하이브리드 전원시스템
PT1864313E (pt) 2005-03-24 2013-02-21 Oerlikon Trading Ag Gerador de plasma sob vácuo
US7601619B2 (en) 2005-04-04 2009-10-13 Panasonic Corporation Method and apparatus for plasma processing
US7767433B2 (en) 2005-04-22 2010-08-03 University Of Southern California High voltage nanosecond pulse generator using fast recovery diodes for cell electro-manipulation
EP1878107B1 (en) 2005-04-26 2012-08-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Resonant dc/dc converter with zero current switching
US7615931B2 (en) 2005-05-02 2009-11-10 International Technology Center Pulsed dielectric barrier discharge
US7852008B2 (en) 2005-05-13 2010-12-14 Panasonic Corporation Dielectric barrier discharge lamp lighting device
CN100362619C (zh) 2005-08-05 2008-01-16 中微半导体设备(上海)有限公司 真空反应室的射频匹配耦合网络及其配置方法
US20070114981A1 (en) 2005-11-21 2007-05-24 Square D Company Switching power supply system with pre-regulator for circuit or personnel protection devices
AU2006325255B2 (en) 2005-12-16 2011-08-11 Sureflap Limited Resonant circuits
CA2635629A1 (en) 2006-01-23 2007-07-26 Audera International Sales Inc. Power supply for limited power sources and audio amplifier using power supply
KR100777151B1 (ko) 2006-03-21 2007-11-16 주식회사 디엠에스 하이브리드형 플라즈마 반응장치
DE102006024938B3 (de) 2006-05-23 2007-08-30 Ltb Lasertechnik Berlin Gmbh Hochleistungsschaltmodul und Verfahren zur Erzeugung von Schaltsynchronität bei einem Hochleistungsschaltmodul
US7439716B2 (en) 2006-09-12 2008-10-21 Semiconductor Components Industries, L.L.C. DC-DC converter and method
KR100820171B1 (ko) 2006-11-02 2008-04-07 한국전기연구원 반도체 스위치를 이용한 펄스전원장치
US7943006B2 (en) 2006-12-14 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for preventing arcing at ports exposed to a plasma in plasma processing chambers
WO2008118393A1 (en) 2007-03-23 2008-10-02 University Of Southern California Compact subnanosecond high voltage pulse generation system for cell electro-manipulation
US20090004836A1 (en) 2007-06-29 2009-01-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Plasma doping with enhanced charge neutralization
WO2009012735A1 (de) 2007-07-23 2009-01-29 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Plasmaversorgungseinrichtung
JP5390230B2 (ja) 2008-03-31 2014-01-15 日本碍子株式会社 シリコン系薄膜成膜装置及びその方法
JP5319150B2 (ja) 2008-03-31 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US8754589B2 (en) 2008-04-14 2014-06-17 Digtial Lumens Incorporated Power management unit with temperature protection
US8093797B2 (en) 2008-05-01 2012-01-10 Mflex Uk Limited Electroluminescent displays
WO2010011408A1 (en) 2008-05-23 2010-01-28 University Of Southern California Nanosecond pulse generator
EP2299922B1 (en) * 2008-05-30 2016-11-09 Colorado State University Research Foundation Apparatus for generating plasma
EP2144070B1 (en) 2008-07-11 2012-03-21 Liaisons Electroniques-Mecaniques Lem S.A. Sensor for high voltage environment
US8259476B2 (en) 2008-07-29 2012-09-04 Shmuel Ben-Yaakov Self-adjusting switched-capacitor converter with multiple target voltages and target voltage ratios
US8436602B2 (en) 2008-08-15 2013-05-07 Technology Reasearch Corporation Voltage compensation circuit
CN101872272A (zh) 2009-04-23 2010-10-27 联想(北京)有限公司 一种表面电容式触摸屏及电子设备
US9435029B2 (en) 2010-08-29 2016-09-06 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer chucking system for advanced plasma ion energy processing systems
US9287092B2 (en) 2009-05-01 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for controlling ion energy distribution
US9287086B2 (en) 2010-04-26 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution
US11615941B2 (en) 2009-05-01 2023-03-28 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems
US9767988B2 (en) 2010-08-29 2017-09-19 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
US8199545B2 (en) 2009-05-05 2012-06-12 Hamilton Sundstrand Corporation Power-conversion control system including sliding mode controller and cycloconverter
KR101752015B1 (ko) 2009-05-29 2017-06-28 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 고속 멀티-터치 터치 디바이스 및 그 제어기
US8222936B2 (en) 2009-09-13 2012-07-17 International Business Machines Corporation Phase and frequency detector with output proportional to frequency difference
US8450985B2 (en) 2009-09-16 2013-05-28 Solarbridge Technologies, Inc. Energy recovery circuit
US8847433B2 (en) 2009-11-16 2014-09-30 Dh Technologies Development Pte. Ltd. Apparatus for providing power to a multipole in a mass spectrometer
US8481905B2 (en) 2010-02-17 2013-07-09 Accuflux Inc. Shadow band assembly for use with a pyranometer and a shadow band pyranometer incorporating same
US20130059448A1 (en) 2011-09-07 2013-03-07 Lam Research Corporation Pulsed Plasma Chamber in Dual Chamber Configuration
US8861681B2 (en) 2010-12-17 2014-10-14 General Electric Company Method and system for active resonant voltage switching
US8552902B2 (en) 2011-05-04 2013-10-08 Sabertek Methods and apparatus for suppression of low-frequency noise and drift in wireless sensors or receivers
GB2492597B (en) 2011-07-08 2016-04-06 E2V Tech Uk Ltd Transformer with an inverter system and an inverter system comprising the transformer
US20130024784A1 (en) 2011-07-18 2013-01-24 Ivy Lifton Systems and methods for life transition website
KR20130011812A (ko) 2011-07-22 2013-01-30 엘에스산전 주식회사 Ｉｇｂｔ 구동 방법
US8531822B2 (en) 2011-07-29 2013-09-10 Hamilton Sundstrand Corporation Cooling and controlling electronics
US8879190B1 (en) 2011-08-08 2014-11-04 Marvell International Ltd. Method and apparatus for initial self-servo writing
JP2013069602A (ja) 2011-09-26 2013-04-18 Tokyo Electron Ltd マイクロ波処理装置および被処理体の処理方法
US8963377B2 (en) 2012-01-09 2015-02-24 Eagle Harbor Technologies Inc. Efficient IGBT switching
CN103477550B (zh) * 2012-02-23 2015-06-17 株式会社京三制作所 电流型逆变器装置以及电流型逆变器装置的控制方法
TWI579751B (zh) 2012-03-16 2017-04-21 原相科技股份有限公司 可偵測位移之光學觸控裝置及光學觸控方法
US9881772B2 (en) 2012-03-28 2018-01-30 Lam Research Corporation Multi-radiofrequency impedance control for plasma uniformity tuning
JP5534365B2 (ja) 2012-06-18 2014-06-25 株式会社京三製作所 高周波電力供給装置、及び反射波電力制御方法
US10112251B2 (en) 2012-07-23 2018-10-30 Illinois Tool Works Inc. Method and apparatus for providing welding type power
US9136096B2 (en) * 2012-07-27 2015-09-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Three dimensional metal deposition technique
KR102025540B1 (ko) 2012-08-28 2019-09-26 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 넓은 다이내믹 레인지 이온 에너지 바이어스 제어； 고속 이온 에너지 스위칭； 이온 에너지 제어와 펄스동작 바이어스 서플라이； 및 가상 전면 패널
US20140077611A1 (en) 2012-09-14 2014-03-20 Henry Todd Young Capacitor bank, laminated bus, and power supply apparatus
US20140109886A1 (en) 2012-10-22 2014-04-24 Transient Plasma Systems, Inc. Pulsed power systems and methods
US9535440B2 (en) 2012-10-30 2017-01-03 Samsung Display Co., Ltd. DC-DC converter and organic light emitting display device using the same
US9067788B1 (en) 2012-11-01 2015-06-30 Rick B. Spielman Apparatus for highly efficient cold-plasma ozone production
KR101444734B1 (ko) 2012-11-26 2014-09-26 한국전기연구원 능동 전압 드룹 제어형 펄스 전원 시스템
US8773184B1 (en) 2013-03-13 2014-07-08 Futurewei Technologies, Inc. Fully integrated differential LC PLL with switched capacitor loop filter
US20140263181A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Jaeyoung Park Method and apparatus for generating highly repetitive pulsed plasmas
EP3005220B1 (en) 2013-06-04 2019-09-04 Eagle Harbor Technologies Inc. Analog integrator system and method
US9460894B2 (en) 2013-06-28 2016-10-04 Lam Research Corporation Controlling ion energy within a plasma chamber
US9655221B2 (en) 2013-08-19 2017-05-16 Eagle Harbor Technologies, Inc. High frequency, repetitive, compact toroid-generation for radiation production
US10892140B2 (en) 2018-07-27 2021-01-12 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nanosecond pulser bias compensation
US10978955B2 (en) 2014-02-28 2021-04-13 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nanosecond pulser bias compensation
CN116633324A (zh) 2013-11-14 2023-08-22 鹰港科技有限公司 高压纳秒脉冲发生器
US10020800B2 (en) 2013-11-14 2018-07-10 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage nanosecond pulser with variable pulse width and pulse repetition frequency
DE102013227188A1 (de) 2013-12-27 2015-07-02 Federal-Mogul Wiesbaden Gmbh Selbstschmierende thermoplastische Schichten mit Zusatz von PTFE mit polymodalem Molekulargewicht
KR20150087702A (ko) 2014-01-22 2015-07-30 삼성전자주식회사 플라즈마 발생 장치
US10790816B2 (en) 2014-01-27 2020-09-29 Eagle Harbor Technologies, Inc. Solid-state replacement for tube-based modulators
WO2015131199A1 (en) 2014-02-28 2015-09-03 Eagle Harbor Technologies, Inc. Galvanically isolated output variable pulse generator disclosure
US10483089B2 (en) 2014-02-28 2019-11-19 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage resistive output stage circuit
US9525274B2 (en) 2014-04-29 2016-12-20 Federal-Mogul Ignition Company Distribution of corona igniter power signal
CN104065253B (zh) 2014-06-25 2017-12-19 台达电子企业管理（上海）有限公司 电力变换装置、驱动装置及驱动方法
KR101660830B1 (ko) 2014-07-16 2016-09-29 피에스케이 주식회사 이중 플라즈마 소스를 이용한 플라즈마 생성 장치 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
US9929625B2 (en) 2014-07-17 2018-03-27 Rolls-Royce Corporation Negative pressure motor sealing
US10121641B2 (en) 2014-07-21 2018-11-06 Lam Research Corporation Large dynamic range RF voltage sensor and method for voltage mode RF bias application of plasma processing systems
ES2746302T3 (es) 2014-10-30 2020-03-05 Tae Tech Inc Sistemas y métodos para formar y mantener un plasma en una FRC de alto rendimiento
US20160182001A1 (en) 2014-12-19 2016-06-23 Hitachi, Ltd Common mode noise filter
US9729122B2 (en) 2015-02-18 2017-08-08 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US10679823B2 (en) * 2015-02-18 2020-06-09 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US9306533B1 (en) 2015-02-20 2016-04-05 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US10340879B2 (en) 2015-02-18 2019-07-02 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US9525412B2 (en) 2015-02-18 2016-12-20 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US11542927B2 (en) 2015-05-04 2023-01-03 Eagle Harbor Technologies, Inc. Low pressure dielectric barrier discharge plasma thruster
KR102396835B1 (ko) * 2015-11-03 2022-05-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 마이크로파 플라즈마에 의한 나노와이어의 모서리 라운딩 및 트리밍 방법
US10373755B2 (en) 2015-11-30 2019-08-06 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage transformer
US11482404B2 (en) 2015-12-21 2022-10-25 Ionquest Corp. Electrically and magnetically enhanced ionized physical vapor deposition unbalanced sputtering source
US9515633B1 (en) 2016-01-11 2016-12-06 Lam Research Corporation Transformer coupled capacitive tuning circuit with fast impedance switching for plasma etch chambers
KR20180116225A (ko) 2016-01-22 2018-10-24 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 플라즈마 제어 장치
US9966231B2 (en) 2016-02-29 2018-05-08 Lam Research Corporation Direct current pulsing plasma systems
WO2017223118A1 (en) * 2016-06-21 2017-12-28 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage pre-pulsing
US10903047B2 (en) 2018-07-27 2021-01-26 Eagle Harbor Technologies, Inc. Precise plasma control system
US11004660B2 (en) 2018-11-30 2021-05-11 Eagle Harbor Technologies, Inc. Variable output impedance RF generator
GB2551824A (en) 2016-06-30 2018-01-03 Univ Nottingham High frequency high power converter system
US10320373B2 (en) 2016-10-11 2019-06-11 Eagle Harbor Technologies, Inc. RF production using nonlinear semiconductor junction capacitance
CN106384144B (zh) 2016-10-11 2019-01-22 卓捷创芯科技（深圳）有限公司 一种通过比较器产生脉冲的半双工rfid振荡维持电路
US9947517B1 (en) 2016-12-16 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US10373804B2 (en) 2017-02-03 2019-08-06 Applied Materials, Inc. System for tunable workpiece biasing in a plasma reactor
EP4266579A3 (en) 2017-02-07 2023-12-27 Eagle Harbor Technologies, Inc. Transformer resonant converter
CN117200759A (zh) 2017-03-31 2023-12-08 鹰港科技有限公司 高压电阻性输出级电路
US20200176234A1 (en) 2017-04-07 2020-06-04 Ionquest Corp. High-power resonance pulse ac hedp sputtering source and method for material processing
JP6310601B1 (ja) * 2017-06-07 2018-04-11 日新電機株式会社 スパッタリング装置
US10483090B2 (en) 2017-07-10 2019-11-19 Reno Technologies, Inc. Restricted capacitor switching
KR102466195B1 (ko) 2017-08-25 2022-11-11 이글 하버 테크놀로지스, 인코포레이티드 나노초 펄스를 이용한 임의의 파형 발생
US10447222B2 (en) 2017-09-07 2019-10-15 Qorvo Us, Inc. Dynamic thermal compensation in a power amplifier
US10510575B2 (en) 2017-09-20 2019-12-17 Applied Materials, Inc. Substrate support with multiple embedded electrodes
KR20200100643A (ko) 2017-11-17 2020-08-26 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 플라즈마 프로세싱 시스템에서 변조 공급기들의 개선된 적용
EP3732703B1 (en) 2018-01-22 2022-08-31 Transient Plasma Systems, Inc. Inductively coupled pulsed rf voltage multiplier
CN111095523A (zh) 2018-01-22 2020-05-01 应用材料公司 利用经供电的边缘环的处理
US10304660B1 (en) 2018-03-21 2019-05-28 Lam Research Corporation Multi-level pulsing of DC and RF signals
US10876241B2 (en) 2018-03-30 2020-12-29 Midea Group Co., Ltd. Clothes pre-wash compartment for an appliance
JP7061918B2 (ja) 2018-04-23 2022-05-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置
US10607814B2 (en) 2018-08-10 2020-03-31 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage switch with isolated power
US11302518B2 (en) 2018-07-27 2022-04-12 Eagle Harbor Technologies, Inc. Efficient energy recovery in a nanosecond pulser circuit
KR20210111841A (ko) 2019-01-08 2021-09-13 이글 하버 테크놀로지스, 인코포레이티드 나노초 펄서 회로의 효율적 에너지 회수

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09120956A (ja) * 1995-06-07 1997-05-06 Varian Assoc Inc 物質処理用容量結合式二重周波数プラズマリアクタ
US6059935A (en) * 1995-06-19 2000-05-09 The University Of Tennessee Research Corporation Discharge method and apparatus for generating plasmas
JP2007203088A (ja) * 1996-08-23 2007-08-16 Team Medical Llc 改良された電気外科用発生装置
JP2016181343A (ja) * 2015-03-23 2016-10-13 東京エレクトロン株式会社 電源システム、プラズマ処理装置及び電源制御方法
JP2019197892A (ja) * 2018-05-10 2019-11-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 電流帰還出力ステージを有するパルス発生器を使用してイオンエネルギー分布を制御する方法

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