JP2021525459A - 非プラズマエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
H3PO4(hot)+SiN+H2O→Si(OH)4+NH4H2PO4 (2)
ここで、エッチングガスは二酸化ケイ素及び窒化ケイ素をエッチングすることに用いられ、触媒ガスはエッチング速度を向上させることに用いられ、ガス混合物中の各ガス成分の流量比は所要の二酸化ケイ素/窒化ケイ素のエッチング選択比に応じて決定される。
S11、反応チャンバーにフッ化水素及びフッ素含有ガスを注入することで、二酸化ケイ素をエッチングし、
S12、反応チャンバーにフッ化水素及びヒドロキシ化合物を注入することで、窒化ケイ素をエッチングする。
S11、反応チャンバーにフッ化水素及びヒドロキシ化合物を注入することで、窒化ケイ素をエッチングし、
S12、反応チャンバーにフッ化水素及びフッ素含有ガスを注入することで、二酸化ケイ素をエッチングする。
S2、ステップS1のエッチング厚さが所定範囲に達するか否かを判断し、NOである場合、ステップS1に戻り、YESである場合、プロセスが終了する。
S21、ステップS11のエッチング厚さが所定範囲に達するか否かを判断し、NOである場合、ステップS11に戻り、YESである場合、ステップS12を行い、
ステップS12の後、さらに以下のステップS22を含み、
S22、ステップS12のエッチング厚さが所定範囲に達するか否かを判断し、NOである場合、ステップS12に戻り、YESである場合、プロセスが終了する。
S3、反応チャンバー内にパージガスを注入することで、反応チャンバー内の残留ガスを除去する。
S1、反応チャンバー内にエッチングガス及び触媒ガスを含むガス混合物を注入することで、二酸化ケイ素及び窒化ケイ素をエッチングする。
HF2‐+CH3OH2++SiO2→SiF4+CH3OH+H2O (4)
101、反応チャンバーにフッ化水素、メタノール及びF2を同時に注入することで、二酸化ケイ素及び窒化ケイ素を同時にエッチングし、
102、反応チャンバーへのフッ化水素、メタノール及びF2の注入を停止し、
103、ステップ101のエッチング厚さが所定範囲に達するか否かを判断し、NOである場合、ステップ101に戻り、YESである場合、プロセスが終了する。
201、反応チャンバーにフッ化水素、メタノール及びF2を同時に注入することで、二酸化ケイ素及び窒化ケイ素を同時にエッチングし、
202、反応チャンバーへのフッ化水素、メタノール及びF2の注入を停止し、
203、ステップ201のエッチング厚さが第1エッチング厚さに達するか否かを判断し、NOである場合、ステップ201に戻り、YESである場合、第2回のサブステップを行う。
301、反応チャンバーにフッ化水素、メタノール及びF2を同時に注入することで、二酸化ケイ素及び窒化ケイ素を同時にエッチングし、
302、反応チャンバーへのフッ化水素、メタノール及びF2の注入を停止し、
303、ステップ301のエッチング厚さが第2エッチング厚さに達するか否かを判断し、NOである場合、ステップ301に戻り、YESである場合、第3回のサブステップを行う。
S11、反応チャンバーにフッ化水素及びフッ素含有ガスを注入することで、二酸化ケイ素をエッチングし、
S12、反応チャンバーにフッ化水素及びヒドロキシ化合物を注入することで、窒化ケイ素をエッチングする。
S11、反応チャンバーにフッ化水素及びヒドロキシ化合物を注入することで、窒化ケイ素をエッチングし、
S12、反応チャンバーにフッ化水素及びフッ素含有ガスを注入することで、二酸化ケイ素をエッチングする。
S3、反応チャンバー内にパージガスを注入することで、反応チャンバー内の残留ガスを除去する。
401、反応チャンバーにフッ化水素及びメタノールを注入することで、窒化ケイ素をエッチングし、
402、反応チャンバーへのフッ化水素及びメタノールの注入を停止し、
403、ステップ401のエッチング厚さが所定範囲に達するか否かを判断し、NOである場合、ステップ401に戻り、YESである場合、ステップ404を行い、
404、反応チャンバー内にパージガスを注入することで、反応チャンバー内の残留ガスを除去し、
405、反応チャンバーにフッ化水素及びF2を注入することで、二酸化ケイ素をエッチングし、
406、反応チャンバーへのフッ化水素及びF2の注入を停止し、
407、ステップ405のエッチング厚さが所定範囲に達するか否かを判断し、NOである場合、ステップ405に戻り、YESである場合、プロセスが終了する。
501、反応チャンバーにフッ化水素及びメタノールを注入することで、窒化ケイ素をエッチングし、
502、反応チャンバーへのフッ化水素及びメタノールの注入を停止し、
503、ステップ501のエッチング厚さが第1エッチング厚さに達するか否かを判断し、NOである場合、ステップ501に戻り、YESである場合、ステップ504を行い、
504、反応チャンバー内にパージガスを注入することで、反応チャンバー内の残留ガスを除去し、
505、反応チャンバーにフッ化水素及びF2を注入することで、二酸化ケイ素をエッチングし、
506、反応チャンバーへのフッ化水素及びF2の注入を停止し、
507、ステップ505のエッチング厚さが第2エッチング厚さに達するか否かを判断し、NOである場合、ステップ505に戻り、YESである場合、ステップ508を行い、
508、二酸化ケイ素及び窒化ケイ素のエッチング厚さがいずれも最終要件に達するか否かを判断し、NOである場合、ステップ501に戻り、YESである場合、プロセスが終了する。
Claims (20)
- 非プラズマエッチング方法であって、
反応チャンバー内にエッチングガス及び触媒ガスを含むガス混合物を注入することにより、二酸化ケイ素及び窒化ケイ素をエッチングするステップS1を含み、
ここで、前記エッチングガスは二酸化ケイ素及び窒化ケイ素をエッチングすることに用いられ、前記触媒ガスはエッチング速度を向上させることに用いられ、前記ガス混合物中の各ガス成分の流量比は所要の二酸化ケイ素/窒化ケイ素のエッチング選択比に応じて決定されることを特徴とする方法。 - 前記エッチングガスはフッ化水素を含み、
前記触媒ガスは、前記フッ化水素と二酸化ケイ素の反応を促進することに用いられる第1触媒ガス、及び前記フッ化水素と窒化ケイ素の反応を促進することに用いられる第2触媒ガスを含み、ここで、前記第1触媒ガスはヒドロキシ化合物を含み、前記第2触媒ガスはフッ素含有ガスを含むことを特徴とする請求項1に記載の非プラズマエッチング方法。 - 前記ステップS1では、前記反応チャンバーに前記フッ化水素、ヒドロキシ化合物及びフッ素含有ガスを同時に注入することで、二酸化ケイ素及び窒化ケイ素を同時にエッチングすることを特徴とする請求項2に記載の非プラズマエッチング方法。
- 前記ステップS1は
前記反応チャンバーに前記フッ化水素及びフッ素含有ガスを注入することで、二酸化ケイ素をエッチングするサブS11と、
前記反応チャンバーに前記フッ化水素及びヒドロキシ化合物を注入することで、窒化ケイ素をエッチングするサブS12と、
をさらに含む、ことを特徴とする請求項2に記載の非プラズマエッチング方法。 - 前記ステップS1は、
S11、前記反応チャンバーに前記フッ化水素及びヒドロキシ化合物を注入することで、窒化ケイ素をエッチングするサブS11と、
S12、前記反応チャンバーに前記フッ化水素及びフッ素含有ガスを注入することで、二酸化ケイ素をエッチングするサブS12と、
をさらに含む、ことを特徴とする請求項2に記載の非プラズマエッチング方法。 - 前記ステップS1の後、
前記ステップS1のエッチング厚さが所定範囲に達するか否かを判断し、NOである場合、前記ステップS1に戻り、YESである場合、プロセスが終了するステップS2をさらに含む、ことを特徴とする請求項3に記載の非プラズマエッチング方法。 - 前記ステップS11と前記ステップS12との間に、
前記ステップS11のエッチング厚さが所定範囲に達するか否かを判断し、NOである場合、前記ステップS11に戻り、YESである場合、前記ステップS12を行うステップS21をさらに含み、
前記ステップS12の後、前記ステップS12のエッチング厚さが所定範囲に達するか否かを判断し、NOである場合、前記ステップS12に戻り、YESである場合、プロセスが終了するステップS22をさらに含む、ことを特徴とする請求項4又は5に記載の非プラズマエッチング方法。 - 前記ステップS11と前記ステップS12との間に、前記反応チャンバー内にパージガスを注入することで、前記反応チャンバー内の残留ガスを除去するステップS3をさらに含むことを特徴とする請求項4又は5に記載の非プラズマエッチング方法。
- 1回又は複数回の二酸化ケイ素及び窒化ケイ素のエッチングによって、前記二酸化ケイ素及び窒化ケイ素のエッチング厚さを最終要件に達させることを特徴とする請求項3に記載の非プラズマエッチング方法。
- 前記ステップS11及び前記ステップS12を少なくとも2回交互に行うことで、前記二酸化ケイ素及び窒化ケイ素のエッチング厚さを最終要件に達させることを特徴とする請求項4又は5に記載の非プラズマエッチング方法。
- 前記ステップS11及び前記ステップS12は同一反応チャンバー又は異なる反応チャンバー内で行われることを特徴とする請求項4又は5に記載の非プラズマエッチング方法。
- 前記フッ素含有ガスはF2、XeF2、及びClF3のうちの1種又は複数種を含むことを特徴とする請求項2に記載の非プラズマエッチング方法。
- 前記ヒドロキシ化合物はアルコール系化合物又はフェノール系化合物を含むことを特徴とする請求項2に記載の非プラズマエッチング方法。
- 前記フッ素含有ガスの流量は前記フッ化水素の流量の0.5倍であることを特徴とする請求項2に記載の非プラズマエッチング方法。
- 前記ヒドロキシ化合物の流量は前記フッ化水素の流量の1〜2倍であることを特徴とする請求項2に記載の非プラズマエッチング方法。
- 前記フッ素含有ガスと前記ヒドロキシ化合物との流量比の値の範囲は10:1〜1:10であることを特徴とする請求項2に記載の非プラズマエッチング方法。
- 前記フッ素含有ガスの流量は400sccm以下であることを特徴とする請求項14〜16のいずれか一項に記載の非プラズマエッチング方法。
- 前記ヒドロキシ化合物の流量は1000sccm以下であることを特徴とする請求項14〜16のいずれか一項に記載の非プラズマエッチング方法。
- 前記フッ化水素の流量の値の範囲は50〜1000sccmであることを特徴とする請求項14〜16のいずれか一項に記載の非プラズマエッチング方法。
- 前記反応チャンバーの圧力は300Torr以下であり、前記反応チャンバーの温度は15〜105℃であることを特徴とする請求項1に記載の非プラズマエッチング方法。
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