JP2021520605A - ケイ素を含む乾式アノードフィルムのための組成物および方法 - Google Patents
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Abstract
Description
電極材料の形状および大きさの最適化、および電極配合物中の材料組成の変化によって、エネルギー密度の高いケイ素および/またはスズ含有電極を、乾式加工法で製造することができる。グラファイト材料は、合成グラファイトなどの人工グラファイト、天然グラファイト、及びグラファイトの混合物を含むことができる。一般に、グラファイト材料は、質量比率、粒径、粒形、および原材料などの特性が異なっていてもよい。
例えば、第1集電体108および/または第2集電体110は例えば、アルミニウム箔または銅箔を含むことができる。第1集電体108および/または第2集電体110は、対応する電極と外部回路との間で電荷の移動を提供するようなサイズにされた長方形または実質的に長方形の形状を有することができる。
リチウム金属酸化物は、例えば、リチウムニッケルマンガンコバルト酸化物(NMC)、リチウムマンガン酸化物(LMO)、リン酸鉄リチウム(LFP)、リチウムコバルト酸化物(LCO)、チタン酸リチウム(LTO)、リチウムニッケルマンガン酸化物(LNMO)および/またはリチウムニッケルコバルトアルミニウム酸化物(NCA)であり得る。いくつかの実施形態では、カソード活性材料が例えば、層状遷移金属酸化物(LiCoO2(LCO)、Li(NiMnCo)O2(NMC)および/またはLiNi0.8Co0.15Al0.05O2(NCA)など)、スピネルマンガン酸化物(LiMn2O4(LMO)および/またはLiMn1.5Ni0.5O4(LMNO)など)またはカンラン石(LiFePO4など)から構成され得る。カソード活性材料は、硫黄、または硫化リチウム(Li2S)などの硫黄を含む材料、または他の硫黄ベースの材料、またはそれらの混合物を含むことができる。いくつかの実施形態では、カソードフィルムが硫黄、または少なくとも50質量%の硫黄活性材料を含む材料を含む。いくつかの実施形態では、硫黄または硫黄活性材料を含む材料を含むカソードフィルムが少なくとも10mAh/cm2の面積正規化比容量(すなわち、面積能力)を有する。いくつかの実施形態では、硫黄または硫黄活性材料を含む材料を含むカソードフィルムが1g/cm3の電極フィルム濃度を有する。いくつかの実施形態では、硫黄または硫黄活性材料を含む材料を含むカソードフィルムがバインダをさらに含む。
グラファイトは、合成繊維または天然由来であってもよい。活性炭は、水蒸気プロセスまたは酸/エッチングプロセスから得ることができる。いくつかの実施形態では、グラファイト材料が表面処理された材料であってもよい。いくつかの実施形態では、多孔質炭素は活性炭を含むことができる。いくつかの実施形態では、多孔質炭素が階層構造炭素を含むことができる。いくつかの実施形態では、多孔質炭素が構造化カーボンナノチューブ、構造化カーボンナノワイヤおよび/または構造化カーボンナノシートを含むことができる。いくつかの実施形態では、多孔質炭素がグラフェンシートを含むことができる。いくつかの実施形態では、多孔質炭素が表面処理された炭素であってもよい。
複合乾式電極の調製:実施形態のケイ素/グラファイト複合乾式電極は、グラファイトとケイ素とを電極構成要素とともに乾式粉末混合し、カレンダー加工して自立フィルムを形成し、続いて集電体上にラミネートすることによって調製した。乾式粉末混合は、グラファイト/ポリマーバインダ/ケイ素の順に行った。具体的には、乾式粉末混合を、50%の加速度で共鳴アコースティックミキサを用いて以下のように実施した:一次および二次グラファイト、および任意の14族活性材料を5分間混合し、次いで、CMC、PVDF、およびPTFEを、グラファイト混合物に連続的に混合しながら添加した。乾式混合粉末を、40psiの供給および40psiの粉砕圧力で微粉化ジェットミルに通して処理し、次いで100℃〜185℃でカレンダー加工して自立フィルムにした。
図3は、フィルムの理論比容量と比較した、例示的なケイ素およびグラファイト複合アノード電極フィルムの比容量を示すグラフである。グラファイトは370mAh/g、ケイ素は4200mAh/gの能力を仮定して理論比容量を決定した。
図4A〜4Cの実施形態では、市販の人工グラファイト(AG)および天然グラファイト(NG)を使用して、乾式製造工程によって調製されたケイ素/グラファイト複合電極を製造した。驚くべきことに、図4A〜4Cの実施形態において、人工グラファイトは、ハーフセル構成における天然グラファイトよりもわずかに低いクーロン効率と共に、ケイ素/グラファイト複合ハーフセルにおける天然グラファイトよりも高い電気化学容量を提供した。ケイ素粉末のより均一な分布と人工グラファイト粉末とケイ素ナノ粒子間の相互接続が役割を果たす可能性がある。図4A〜4Cにおける実施形態では、天然グラファイトが人工グラファイトよりも高いクーロン効率を提供した。表面改質された人工グラファイト/10質量%Si(「AG」)および天然グラファイト/10質量%Si(「NG」)複合アノード電極ハーフセルに関し、図4Aは電気化学的容量、図4Bはクーロン効率、図4Cはエネルギー密度を示す。活性物質負荷は以下の通りであった。AG:23.5mg/cm2、NG:25mg/cm2。
図5は、グラファイト乾式電極(「0wt%Si」)の電気化学的比容量およびクーロン効率を、それぞれ5wt%(「5wt%Si」)および10wt%Si(「10wt%Si」)を含むケイ素/グラファイト乾式電極の2つの実施形態と比較して提供する。いずれの場合もグラファイトは人工グラファイトであった。予想されたように、10質量%ケイ素(Siとして)含有ケイ素/グラファイト乾式電極は、最も高い比容量およびエネルギー密度を有していた。5wt%ケイ素含有グラファイト複合電極に対する10wt%ケイ素グラファイト複合体の比容量の増大も、各電極のケイ素含有量に比例し、ケイ素活性材料粉末が、本明細書に記載の乾式電極加工法の条件下で十分に分散され、活性であることを示唆した。活性材料負荷は、0wt%Si:24.5mg/cm2,5wt%Si:24.6mg/cm2,10wt%Si:23.5mg/cm2とした。
図6A〜6Cは、表1の配合2、3、および4に従う実施形態であり、10質量%ケイ素(Si)を含むSi/PG/SG合成乾式電極ハーフセルの電気化学的性能を示す。各実施形態に対応する、図6Aは容量を提供し、図6Bは効率を提供し、図6Cは電極エネルギー密度を提供する。結果は、一次グラファイトの選択が複合電極の電気化学容量とクーロン効率に影響することを示した。この実施形態では、天然グラファイトが電気化学的性能およびエネルギー密度を改善した。活性物質負荷は以下の通りであった。配合2:22.5mg/cm2、配合3:24.6mg/cm2、配合4:22.5mg/cm2。
図7A〜7Cは、15質量%ケイ素活性材料を含む、配合1によるSiC/PG/SG複合乾式電極ハーフセルを含むケイ素/グラフェン(SiC)の電気化学的性能を示す。電極フィルムは、1:1、1:2、1:3および1:4のPG:SG比で調製した。PGとSGの両方は、それぞれのフィルムに人工グラファイトを含んでいた。各実施形態に対応する、図7Aは容量を提供し、図7Bは効率を提供し、図7Cは電極エネルギー密度を提供する。その結果、PG:SGの質量比率の変化は、この一連の合成乾式電極の比容量および有効性にほとんど影響を与えないことが示された。体積エネルギー密度は全体の電極厚さに支配される。そのように、厚さは、体積エネルギー密度のより良い配置のために、電極製造ステップにおいて変更することができる。活性物質負荷は以下の通りであった。1:1フィルム:12.7mg/cm2、1:2フィルム:12.5mg/cm2、1:3フィルム:11mg/cm2、1:4フィルム:11.6mg/cm2。
図8A〜8Cは、配合1による、ケイ素(「Si」)、ケイ素/グラフェン(「SiC」)および酸化ケイ素(「SiO」)を含むPG(AG)/SG(AG)複合乾式電極ハーフセルの電気化学的性能を示す。電極フィルムは、3:1のPG:SGの比率で調製した。PGおよびSGの両方は、人工グラファイトを含んでいた。Siフィルムは10% Siを含み、SiCフィルムは15% SiCを含み、SiOフィルムは10% SiOを含んでいた。各実施形態に対応する、図8Aは容量を提供し、図8Bは効率を提供し、図8Cは電極エネルギー密度を提供する。活性材料負荷は、Siフィルム:22.5mg/cm2,SiCフィルム:12.5mg/cm2,SiOフィルム:17mg/cm2とした。
図9は、標準的なグラファイト乾式フィルムと比べた場合の、各種ケイ素/グラファイト複合乾式フィルムの最大引張強度を示している。試験したフィルムは自立型乾式電極フィルムであり、様々な負極活性材料を含んでいた。試験したフィルムは、天然グラファイトフィルム(「NG」)、人工グラファイトフィルム(「AG」)、10質量%ケイ素(「Siとして」)を含む人工グラファイトフィルム(「10質量%Si/AG」)、10質量%ケイ素(「Siとして」)を含む天然グラファイトフィルム(「10質量%Si/NG」)、および人工グラファイトおよび天然グラファイトおよび10質量%ケイ素(「Siとして」)を含むフィルム(「10質量%Si/AG/NG」)を含んでいた。フィルムの厚さは以下の通りであった。NGフィルム:264μm、AGフィルム:260μm、10wt%Si/AGフィルム:248μm、10wt%Si/NGフィルム:311μm、10wt%Si/AG/NGフィルム:292μm。結果は、単純なグラファイトフィルムに比べて、ケイ素/グラファイト複合乾式フィルムが引張強度の向上を示した。さらに、PGとSGを含むアノードフィルムは観察された引張強度の増加と共に、自立型乾式ケイ素含有複合フィルムの弾性と柔軟性を改善した。
図10A〜10Cはハーフセルとして10質量%のケイ素活性材料を含み、表4に列挙される電解質配合物を使用するSiO/PG/SGの4つの合成乾式電極フィルムの電気化学的性能およびエネルギー密度を提供する。各実施例に対応する、図10Aは容量を提供し、図10Bは効率を提供し、図10Cは電極エネルギー密度を提供する。その結果、電解質組成は電気化学的能力とクーロン効率に影響を及ぼし、ケイ素/グラファイト複合乾式電極の高エネルギー密度につながることが分かった。活性物質負荷は以下の通りであった。電解質1フィルム:19.2mg/cm2、電解質2フィルム:17.5mg/cm2、電解質3フィルム:21mg/cm2、電解質4フィルム:19.2mg/cm2。
図11Aおよび図11Bは、ケイ素含有アノード電極フィルムに関する追加の性能データを提供する。試験したフィルムは自立型乾式電極フィルムであり、ケイ素含有アノード活性材料を含んでいた。試験したフィルムは、典型的なグラファイトアノード電極フィルム(「0wt.%Si」)、4.7wt%ケイ素/グラファイトフィルム(「4.7wt.%Si」)および10wt%ケイ素/グラファイトフィルム(「10wt.%Si」)を含む。図11Aおよび11Bは、ケイ素含有フィルムが典型的なグラファイトアノード電極フィルムよりも大きなエネルギー密度を提供することを実証する。
図12は、4.7質量%のナノ粒子ケイ素を含むケイ素含有アノード電極フィルムの、表面のSEM像を提供する。
図13Aおよび13Bは、グラファイトアノードフィルムの構成要素としての第14族元素の種々の分率に対応する容量の理論的増加を示すグラフである。理論的には、わずか3%のケイ素が典型的なグラファイトアノードよりも約33%容量を増加させることができる。
図14Aおよび14Bは、典型的なグラファイトフィルム(「対照」)と比較して、それぞれ、ケイ素およびスズ含有アノード電極フィルムの電気化学的充電容量および放電容量の対電圧のグラフを提供する。試験されたフィルムを含む第14族元素には、4.7質量%ケイ素(「4.7質量%Si−C」)または4.7質量%スズ(「4.7%Sn−C」)と共にグラファイトが含まれていた。ケイ素含有およびスズ含有フィルムの両方は、典型的なグラファイト対照フィルムと比較して容量が向上していた。ケイ素の場合、この増加は、図14Aに示す充電サイクルのグラフにおいて、0.4V〜0.5V付近の拡張された平坦域と相関している。
図15は、典型的な自立型グラファイトフィルム(「対照」)と比較した、第14族活性材料を含む乾式自立型アノード電極フィルムの最大引張強度を提供する。試験されたフィルムは、ナノ粒子ケイ素を含む第1グラファイトフィルム(「Si−C」)と、ナノ粒子スズを含む第2グラファイトフィルム(「Sn−C」)を含む。ケイ素を含むフィルムは、最も高い引張強度が測定された。
プレリチウム化酸化ケイ素グラファイト(SiO/C)ハーフセルを調製し、試験した。表5は、購入したタイプAからCの市販のプレリチウム化SiO/Cを示している。タイプCは、表面コーティングのないタイプBと同様の物理的性質を有し、タイプAおよびBは表面コーティングを有する。
様々な例示的な実施形態が以下に提供される。
Claims (29)
- 第14族活性材料およびグラファイト活性材料を含む乾式活性材料と、乾式バインダとを含み、乾式電極フィルムが自立型である、エネルギー貯蔵装置の乾式電極フィルム。
- 前記乾式電極フィルムが、約1質量%〜30質量%の前記第14族活性材料を含む、請求項1に記載の電極フィルム。
- 前記乾式電極フィルムが、約10質量%〜30質量%の前記第14族活性材料を含む、請求項2に記載の電極フィルム。
- 前記第14族活性材料が、ケイ素およびスズの少なくとも1つを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電極フィルム。
- 前記第14族活性材料が、純ケイ素、酸化ケイ素(SiO)、ケイ素−炭素複合材料、ケイ素合金およびSiHのうちの少なくとも1つから選択される、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電極フィルム。
- 前記ケイ素−炭素複合材料が、ケイ素グラフェン(SiC)、スズグラフェン、ケイ素グラファイト(Si/C)、スズグラファイト、酸化ケイ素グラフェン(SiOC)および酸化ケイ素グラファイト(SiO/C)のうちの少なくとも1つから選択される、請求項5に記載の電極フィルム。
- 前記ケイ素合金が、Si−AlおよびSi−Snのうちの少なくとも1つから選択される、請求項5に記載の電極フィルム。
- 前記第14族活性材料が、プレリチウム化されている、請求項1〜7のいずれか1項に記載の電極フィルム。
- 前記第14族活性材料が、約1μm〜約10μmのD50一次粒径を有する粒子を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の電極フィルム。
- 前記グラファイト活性材料は、人工グラファイト及び天然グラファイトの少なくとも一方から選択される、請求項1〜9のいずれか1項に記載の電極フィルム。
- 前記グラファイト活性材料が、一次グラファイト粒子(PG粒子)および二次グラファイト粒子(SG粒子)を含む、請求項1〜10のいずれか1項に記載の電極フィルム。
- 前記PG粒子が、約15μm〜約30μmのD50一次粒径を有する、請求項11に記載の電極フィルム。
- 前記SG粒子が、約2μm〜約10μmのD50二次粒径を有する、請求項11または12に記載の電極フィルム。
- 前記PG粒子と前記SG粒子の質量比率が、10:1〜1:10である、請求項11〜13のいずれか1項に記載の電極フィルム。
- 前記乾式バインダが、カルボキシメチルセルロース(CMC)、ポリ(エチレンオキシド)(PEO)、ポリアクリル酸、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、およびポリテトラフルオロエチレン(PTFE)のうちの少なくとも1つを含む、請求項1〜14のいずれか1項に記載の電極フィルム。
- 前記乾式バインダが、乾式フィブリル化バインダを含む、請求項1〜15のいずれか1項に記載の電極フィルム。
- 前記乾式フィブリル化バインダが、ポリテトラフルオロエチレンを含む、請求項16に記載の電極フィルム。
- 集電体に接する請求項1〜17のいずれか1項に記載の前記乾式電極フィルムを含むことを特徴とする電極。
- 請求項18に記載の電極を含むリチウムイオンバッテリー。
- エネルギー貯蔵装置の乾式電極フィルムの製造方法であって、
乾式第14族活性材料を、乾式グラファイト材料と混合して乾式活性材料混合物を形成し、
前記乾式活性材料混合物を、乾式バインダと混合して乾式電極フィルム混合物を形成し、
前記乾式電極フィルム混合物を、カレンダー加工して自立型乾式電極フィルムを形成する、エネルギー貯蔵装置の乾式電極フィルム製造方法。 - 前記乾式第14族活性材料を前記乾式グラファイト材料と混合する前に、前記乾式第14族活性材料を第1乾式バインダと予備混合することをさらに含み、前記乾式活性材料混合物を前記乾式バインダと混合することは、前記乾式活性材料混合物を第2乾式バインダと混合することを含む、請求項20に記載の方法。
- 前記第1乾式バインダと前記第2乾式バインダは、異なるバインダ材料である、請求項21に記載の方法。
- 前記予備混合ステップ、第1混合ステップ、および第2混合ステップのうち少なくとも1つが、非破壊混合プロセスを含む、請求項20〜22のいずれか1項に記載の方法。
- 前記非破壊混合プロセスは、共鳴音響混合プロセスを含む、請求項23に記載の方法。
- 前記予備混合プロセス、前記第1混合プロセス、および前記第2混合プロセスのうちの少なくとも1つが、高剪断プロセスを含む、請求項20〜24のいずれか1項に記載の方法。
- 前記高剪断プロセスがジェットミル粉砕プロセスを含む、請求項25に記載の方法。
- 前記乾式グラファイト材料が、一次グラファイト粒子(PG粒子)および二次グラファイト粒子(SG粒子)を含む、請求項20〜26のいずれか1項に記載の方法。
- 前記PG粒子が、約15μm〜約30μmのD50一次粒径を有する、請求項27に記載の方法。
- 前記SG粒子が、約2μm〜約10μmのD50二次粒径を有する、請求項27または28に記載の方法。
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