JP2021510767A - Ab5基水素貯蔵合金、ニッケル水素電池用電極、二次電池及び水素貯蔵合金の製造方法。 - Google Patents
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Abstract
Description
La(3.0〜3.2)xCexZrySm(1-(4.0〜4.2)x-y)NizCouMnvAlw 、
式中、x、y、z、u、v、wはモル比であり、0.14≦x≦0.17、0.02≦y≦0.03、4.60≦z+u+v+w≦5.33、0.10≦u≦0.20、0.25≦v≦0.30、0.30≦w≦0.40である。
金属のランタン、セリウム、サマリウム、ジルコニウム、ニッケル、コバルト、マンガン、アルミニウムをモル比0.42〜0.544:0.14〜0.17、0.256〜0.42:0.02〜0.03:3.7〜4.68:0.10〜0.20:0.25〜0.30:0.30〜0.40に基づき、1400〜1600℃で低真空誘導溶解を0.5〜3時間行い、冷却後、合金インゴットが得られることと、
前記合金インゴットは、保護気雰炉に入れアニール処理されることを含む。
1.本発明は、金属のランタン(La)、セリウム(Ce)、ジルコニウム(Zr)、サマリウム(Sm)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、マンガン(Mn)、アルミニウム(Al)を用いてAB5型水素貯蔵合金を構成し、金属のランタン(La)とセリウム(Ce)の比率を3.0〜3.2に固定することにより電極材料の過充電性を満足させ、A側に対し、金属のサマリウム(Sm)元素の大量置換、つまりS原子比がA側の25.6〜42%を占めることにより、低コバルト(Co)による寿命低下の問題を克服し、SmとLaとCeの比率の変化で平衡電圧を調整して、電極材料の充放電動力学性能を満足させ、A側元素中、A側元素に対し原子比が2〜3%のジルコニウム(Zr)を添加することにより、凝固過程の核形成速度を向上させる。
2.本発明の製造方法では、マグネシウムが存在しないので、熱処理を通して温度を1000℃よりも高くして、AB5型合金の組成の均一な分布を実現し、耐蝕性とサイクル寿命を向上させる。
3.ニッケル、コバルト、マンガン、アルミニウムの多元合金化により電極材料の耐腐蝕性と経済性が向上し、且つ、B/Aの比率を微調整し、B/A>5.03で調整することにより相構造を調整し、AB3相とA2B7相の生成と微量なB側の元素過剰を避け、合金の過充電耐性と高倍率放電性能とサイクル性能を向上させ、4.60≦B/A≦4.90に調整することにより相構造を調整し、マグネシウムを含まないA2B7型触媒化相を得、マグネシウムを含まないA2B7型触媒化相は良好なサイクル性能を持ち、AB5メイン相を完全に維持し、同時に良好な動力学性能を得、合金の過充電耐性と高倍率放電性能とサイクル性能を向上させる。製造によりAB5ニッケル水素電池の負極材料の高い過充電耐性、高倍率放電性能と良好なサイクル安定性を得られる。
セットしたLa(3.0〜3.2)xCexZrySm(1-(4.0〜4.2)x-y)NizCouMnvAlw水素貯蔵合金中、La 7.79at% 、Ce 2.49at%、Zr 0.46at%、Sm 5.39at%、Ni 71.60at%、Co 2.63at%、Mn 4.08at%、及びAl 5.64at%を含み、ここで、元素La、Ce、Zr、及びSmはA側元素であり、元素Ni、Co、Mn、及びAlはB側の元素であり、従ってAB5型水素貯蔵合金La0.50Ce0.16Sm0.34Zr0.03Ni4.57Co0.17Mn0.26Al0.36を構成する。ここで、LaとCeの原子個数比を約3.1に固定することにより、電極材料の過充電性を満足させ、A側に対し、Sm元素が大量置換され、つまり、Sm原子比はA側の約33%を占め、そして低Coによる寿命低下の問題を克服し、SmとLaとCeの比率変化により平衡電圧を調整し、電極材料の充放電動力学性能を満足させ、A側元素中、A側元素に対し原子比が約2.9%であるジルコニウム(Zr)を添加することにより、凝固過程の核形成速度を向上させ、B側元素はニッケル(Ni)、コバルト(Co)、マンガン(Mn)、アルミニウム(Al)で、ここで、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、マンガン(Mn)、アルミニウム(Al)の原子比は4.57、0.17、0.26、0.36で多元合金化することにより耐腐蝕性と経済性を向上させ、A側元素とB側元素の比率を調整し、且つB/A>5.03を満足させ相構造を調整し、AB3相とA2B7相の生成と微量なB側元素の過剰を避ける。
ステップ(1)、金属純度が99.5%を超える350.7g La、113.0g Ce、262.7g Sm、11.6g Zr、1362.5g Ni、50.2g Co、72.7g Mn、49.3g Alに分け、ZG型真空誘導溶解炉の炉に入れ、炉の蓋を覆い、それから真空度10-1Paまで真空にし、アルゴンガス圧力を0.07MPaまで充填し、1550℃で2時間熔解して金属製熔解液を得、金属製熔解液を水冷インゴット金型に注入し、冷却後出炉し、合金インゴットを得る。
低真空誘導溶解法、冷却法、及びアニール処理を行い、水素貯蔵合金を得る。
以下の表1の組成に従って各元素を計量し、アルゴンガス中で、ZG型真空誘導溶解電気炉を用い、その合金インゴットに対し熱処理した後、冷却を行い、この熱処理の具体的なステップ及び冷却ステップは実施例1のステップ(1)と同じで、続けてアニール処理を行い、アニール処理の具体的プロセス中で、熱処理温度を除き、その他のプロセス条件と実施例のステップ(2)と同じであり、その熱処理温度、時間、120mA/g放電容量及び5C放電容量のパーセンテージを以下の表1に示す。
ステップ(1)は純金属362.0g La、120.0g Ce、395.0g Sm、11.4g Zr、1429.0g Ni、50.0g Co、82.8g Mn、50.0g Alを誘導溶解炉(ZG型真空誘導電気炉、以下同じ)の炉に入れ、炉の蓋を覆い、真空度10-1Pa まで真空にし、アルゴンガス圧を0.07MPaまで充填し、1550℃で2時間熔解して金属製熔解液を得、金属製熔解液を水冷インゴット金型に注入し、冷却後出炉し、合金インゴットを得る。
低真空誘導溶解法、冷却法、及びアニール処理を行い、水素貯蔵合金を得る。
以下の表2の組成に従って各元素の計量し、表2のパーセンテージは重量パーセンテージであり、アルゴンガス気雰中で、ZG型真空誘導溶解電気炉を用い、合金インゴットに対し熱処理した後、冷却を行い、この熱処理の具体的なステップ及び冷却ステップは実施例19のステップ(1)と同じで、続けてアニール処理を行い、アニール処理の具体的プロセス中で、熱処理温度を除き、その他のプロセス条件と実施例19のステップ(2)は同じであり、そのアニール処理の温度、時間、放電倍率の比率及び容量は以下の表2に示す。
(付記1)
化学組成が以下の一般式で表される、
La(3.0〜3.2)xCexZrySm(1-(4.0〜4.2)x-y)NizCouMnvAlw
(式中、x、y、z、u、v、wはモル比であり、0.14≦x≦0.17、0.02≦y≦0.03、4.60≦z+u+v+w≦5.33、0.10≦u≦0.20、0.25≦v≦0.30、0.30≦w≦0.40である。)
ことを特徴とするAB5基水素貯蔵合金。
前記uの範囲が0.10≦u≦0.20,5.03≦z+u+v+w≦5.33であり、前記水素貯蔵合金がAB5型合金であり、ここで、Aはランタン元素、セリウム元素、サマリウム元素、及びジルコニウム元素であり、Bはニッケル元素、コバルト元素、マンガン元素、及びアルミニウム元素であり、Sm原子比はA側の25.6〜42%を占める、
ことを特徴とする付記1に記載のAB5基水素貯蔵合金。
前記uの範囲が0.10≦u≦0.20,4.60≦z+u+v+w≦4.90であり、前記水素貯蔵合金がA2B7相およびAB5相を含み、ここで、Aはランタン元素、セリウム元素、サマリウム元素、及びジルコニウム元素であり、Bはニッケル元素、コバルト元素、マンガン元素、及びアルミニウム元素である、
ことを特徴とする付記1に記載のAB5基水素貯蔵合金。
前記水素貯蔵合金がA2B7を触媒化したAB5型合金であり、Sm原子比がA側の25.6〜42%を占める、
ことを特徴とする付記1または3に記載のAB5基水素貯蔵合金。
金属のランタン、セリウム、サマリウム、ジルコニウム、ニッケル、コバルト、マンガン、アルミニウムをモル比0.42〜0.544:0.14〜0.17:0.256〜0.42:0.02〜0.03:3.7〜4.68:0.10〜0.20:0.25〜0.30:0.30〜0.40に基づき、1400〜1600℃で低真空誘導熔解を0.5〜3時間行い、冷却後に合金インゴットを得、前記合金インゴットを、保護雰囲気炉に入れアニール処理することを含む、
ことを特徴とするAB5基水素貯蔵合金の製造方法。
前記金属のランタン、セリウム、サマリウム、ジルコニウム、ニッケル、コバルト、マンガン、アルミニウムのモル比は0.42〜0.544:0.14〜0.17:0.256〜0.42:0.02〜0.03:4.25〜4.68:0.10〜0.20:0.25〜0.30:0.30〜0.40である、
ことを特徴とする付記5に記載のAB5基水素貯蔵合金の製造方法。
前記金属のランタン、セリウム、サマリウム、ジルコニウム、ニッケル、コバルト、マンガン、アルミニウムのモル比は0.420〜0.544:0.140〜0.170:0.256〜0.420:0.020〜0.030:3.700〜4.200:0.100〜0.200:0.250〜0.300:0.300〜0.400である、
ことを特徴とする付記5に記載のAB5基水素貯蔵合金の製造方法。
前記低真空誘導熔解の条件は、10-1〜10-2Paまで真空にした後、アルゴンガス0.01〜0.07Mpaを充填することを含み、前記アニール処理の条件は、前記合金インゴットを保護気雰炉に入れ、10-1〜10-2Paまで真空にした後、アルゴンガス0.05〜0.08MPaを充填し、1020〜1100℃で1〜10時間アニールすることを含む、
ことを特徴とする付記5から7のいずれか1つに記載のAB5基水素貯蔵合金の製造方法。
付記1から4のいずれか1つに記載の前記水素貯蔵合金を水素貯蔵媒体とする、
ことを特徴とするニッケル水素電池用電極。
付記9に記載の前記ニッケル水素電池用電極を負極とする、
ことを特徴とする二次電池。
Claims (10)
- 化学組成が以下の一般式で表される、
La(3.0〜3.2)xCexZrySm(1-(4.0〜4.2)x-y)NizCouMnvAlw
(式中、x、y、z、u、v、wはモル比であり、0.14≦x≦0.17、0.02≦y≦0.03、4.60≦z+u+v+w≦5.33、0.10≦u≦0.20、0.25≦v≦0.30、0.30≦w≦0.40である。)
ことを特徴とするAB5基水素貯蔵合金。 - 前記uの範囲が0.10≦u≦0.20,5.03≦z+u+v+w≦5.33であり、前記水素貯蔵合金がAB5型合金であり、ここで、Aはランタン元素、セリウム元素、サマリウム元素、及びジルコニウム元素であり、Bはニッケル元素、コバルト元素、マンガン元素、及びアルミニウム元素であり、Sm原子比はA側の25.6〜42%を占める、
ことを特徴とする請求項1に記載のAB5基水素貯蔵合金。 - 前記uの範囲が0.10≦u≦0.20,4.60≦z+u+v+w≦4.90であり、前記水素貯蔵合金がA2B7相およびAB5相を含み、ここで、Aはランタン元素、セリウム元素、サマリウム元素、及びジルコニウム元素であり、Bはニッケル元素、コバルト元素、マンガン元素、及びアルミニウム元素である、
ことを特徴とする請求項1に記載のAB5基水素貯蔵合金。 - 前記水素貯蔵合金がA2B7を触媒化したAB5型合金であり、Sm原子比がA側の25.6〜42%を占める、
ことを特徴とする請求項1または3に記載のAB5基水素貯蔵合金。 - 金属のランタン、セリウム、サマリウム、ジルコニウム、ニッケル、コバルト、マンガン、アルミニウムをモル比0.42〜0.544:0.14〜0.17:0.256〜0.42:0.02〜0.03:3.7〜4.68:0.10〜0.20:0.25〜0.30:0.30〜0.40に基づき、1400〜1600℃で低真空誘導熔解を0.5〜3時間行い、冷却後に合金インゴットを得、前記合金インゴットを、保護雰囲気炉に入れアニール処理することを含む、
ことを特徴とするAB5基水素貯蔵合金の製造方法。 - 前記金属のランタン、セリウム、サマリウム、ジルコニウム、ニッケル、コバルト、マンガン、アルミニウムのモル比は0.42〜0.544:0.14〜0.17:0.256〜0.42:0.02〜0.03:4.25〜4.68:0.10〜0.20:0.25〜0.30:0.30〜0.40である、
ことを特徴とする請求項5に記載のAB5基水素貯蔵合金の製造方法。 - 前記金属のランタン、セリウム、サマリウム、ジルコニウム、ニッケル、コバルト、マンガン、アルミニウムのモル比は0.420〜0.544:0.140〜0.170:0.256〜0.420:0.020〜0.030:3.700〜4.200:0.100〜0.200:0.250〜0.300:0.300〜0.400である、
ことを特徴とする請求項5に記載のAB5基水素貯蔵合金の製造方法。 - 前記低真空誘導熔解の条件は、10-1〜10-2Paまで真空にした後、アルゴンガス0.01〜0.07Mpaを充填することを含み、前記アニール処理の条件は、前記合金インゴットを保護気雰炉に入れ、10-1〜10-2Paまで真空にした後、アルゴンガス0.05〜0.08MPaを充填し、1020〜1100℃で1〜10時間アニールすることを含む、
ことを特徴とする請求項5から7のいずれか1項に記載のAB5基水素貯蔵合金の製造方法。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の前記水素貯蔵合金を水素貯蔵媒体とする、
ことを特徴とするニッケル水素電池用電極。 - 請求項9に記載の前記ニッケル水素電池用電極を負極とする、
ことを特徴とする二次電池。
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