JP2021506130A - 低ｋ値の材料、銅、および／またはコバルトの層の存在下で、アルミニウム化合物を含む層を選択的にエッチングするための組成物および方法 - Google Patents

Abstract

低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下で、アルミニウム化合物を含む層を選択的にエッチングするための組成物とそれに対応するその組成物の使用方法とが記載されている。さらに、低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下で、アルミニウム化合物を含む少なくとも１つの層を上記組成物と接触させることによって、アルミニウム化合物を含む少なくとも１つの層を選択的にエッチングする工程を含む、半導体デバイスの製造方法が記載されている。

Description

本発明は、低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下で、アルミニウム化合物を含む層を選択的にエッチングするための組成物、およびそれに対応する前記組成物の使用方法に関する。さらに、本発明は、低誘電率材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下で、アルミニウム化合物を含む少なくとも１つの層を前記組成物と接触させることによって、アルミニウム化合物を含む少なくとも１つの層を選択的にエッチングする工程を含む、半導体デバイスの製造方法に関する。

半導体デバイスの製造方法は、フォトリソグラフィおよび化学処理工程が連続する複数の工程であり、これらの工程の間に、電子回路は、純粋な半導体材料で作られたウェーハ（「半導体ウェーハ」）上に徐々に作成される。好ましくは、シリコンが半導体材料として使用される。代表的な半導体ウェーハは、いわゆる「チョクラルスキー法」を使用して直径が最大３００ｍｍである単結晶の円柱状インゴット（ブール）に成長させる非常に純粋なシリコンで作られている。こうしたインゴットは、約０．７５ｍｍの厚さのウェーハにスライスされ、そして、非常に規則的で平坦な表面が得られるように研磨される。

半導体ウェーハを製造するための特定の工程は、例えば、いわゆる「フロントエンドオブライン」（「ＦＥＯＬ」：ｆｒｏｎｔ−ｅｎｄ−ｏｆ−ｌｉｎｅ）および「バックエンドオブライン」（「ＢＥＯＬ」：ｂａｃｋ−ｅｎｄ−ｏｆ−ｌｉｎｅ）の処理段階を含む、いくつかの段階で構成されている。

そのＦＥＯＬ処理段階は、半導体ウェーハの材料（通常、シリコン）に直接トランジスタを形成することを意味する。ＲＡＷ半導体ウェーハは、エピタキシーによる超高純度で事実上欠陥のないシリコン層の成長によって設計されている。フロントエンドのフロントエンジニアリングの後に、ゲート絶縁体（通常は、二酸化シリコン）の成長、そのゲートのパターン化、ソース領域およびドレイン領域のパターン化、および、その後の半導体材料へのドーパントの注入または拡散が続いてゆき、所望の補完的な電気的特性が得られる。

種々のデバイス（例えば、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）；スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）；電気的にプログラム可能な読み取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、またはシリコン上の相補型メタル（ＣＭＯＳ））がＦＥＯＬ方法で一旦作成されると、それらは、必要な電気回路を形成するために相互接続しなければならない。これは、ＢＥＯＬとまとめて呼ばれる一連のウェーハ処理工程において生じる。ＢＥＯＬ処理段階では、低い誘電率の材料（例えば 誘電率＜３．９の材料（「低ｋ値の材料」とも呼ばれる））で作られた層によって絶縁されている半導体ウェーハの表面上において、金属相互接続ワイヤを作成することを伴う。導電性材料としての（アルミニウムに代わる）銅（Ｃｕ）の導入に伴って、半導体基板上において、集積回路相互接続を形成するための洗練された複数工程の製造方法が開発されてきた。なお、この製造方法は、例えば化学蒸着（ＣＶＤ）、電気めっき、フォトリソグラフィ、ウェットエッチングまたはドライエッチング技術、化学機械研磨（ＣＭＰ）、および種々の洗浄工程を使用して、例えば加工された半導体基板の表面から前に行われた材料除去工程からの残留物を除去するために、導電性材料および絶縁性（誘電性）材料の連続した層を選択的に作成および除去するための種々の方法を含む。最近、半導体デバイスの製造方法を改善するために、バリア層またはシード層で使用するかおよび／または銅相互接続をカプセル化するためのコバルト金属も、半導体産業に大きな関心を集めている。

このような複数工程の製造方法の１つは、ダマシン製造方法として知られており、この製造方法には、ＴＦＶＬ（ｔｒｅｎｃｈ−ｆｉｒｓｔ−ｖｉａ−ｌａｓｔ：「トレンチファーストバイアラスト」）デュアルダマシン方法、ＶＦＴＬ（ｖｉａ−ｆｉｒｓｔ−ｔｒｅｎｃｈ−ｌａｓｔ：「ビアファーストトレンチラスト」）デュアルダマシン方法、セルフアラインデュアルダマシン法、または金属ハードマスクを使用したデュアルダマシンパターニング法（例えば、米国特許第６，６９６，２２２号（特許文献１）参照）が含まれる。

ダマシン処理技術において、所望の集積回路の相互接続構造は、基礎となる層間絶縁体（「ＩＬＤ」：ｉｎｔｅｒ−ｌａｙｅｒ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）材料に対して構造の形状をエッチングすることによってパターン化される。パターニング後、（例えば、Ｔａ／ＴａＮ、ＴｉＮ、ＣｏＷＰ、Ｎｉ−ＭｏＰ、ＮｉＭｏＢから作られている）通常の薄いバリア層が、例えば銅拡散バリアとして、エッチングされた構造の上部に堆積される。シード層が、しばしば、そのバリア層の上に堆積される。このシード層は、基礎となる材料への銅のより良好な接着を支持するとともに、メッキ処理中にも触媒材料として機能する。これらのシード層の代表的な材料は、Ｐｄまたは（例えば、ポリマーおよび有機材料の）他の化合物を含む化合物である。最初の堆積法（ダマシン法）は、各層それ自体が処理するように設計されていた。したがって、いわゆる「垂直型の相互接続アクセス」（バイア「Ｖｉａｓ」：ｖｅｒｔｉｃａｌ ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ ａｃｃｅｓｓｅｓ）およびメタライゼーションレベルは、異なる方法の工程を有しており、そして、各層において、一連の洗浄、材料堆積、ＣＭＰ、および別の洗浄工程が必要である。メタライゼーションレベルについての、およびそのＩＬＤおよびインタービア誘電体（「ＩＶＤ」：ｉｎｔｅｒ ｖｉａ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ）についてのこの連続した順序を使用する銅技術は、しばしば、「シングルダマシン法」と呼ばれている。通常、シングルダマシン法では、各レベルは、独自のキャップ層またはエッチング阻止層、別個のＩＬＤ層を必要としており、最上部では、相互接続金属の銅と一緒に研磨できる材料（例えば、ＳｉＯ_２）が必要である。あるいは、「デュアルダマシン」処理技術は、或る同様の処理工程を１つの単一処理工程に結合して、これによって、ＢＥＯＬ積層を構築するために必要な処理工程数と時間およびコストとを削減する。従って、デュアルダマシン法は、ＩＶＤおよびメタライゼーション層を同時に組み立てる。

前記ダマシン製造方法またはその変形形態において、導電性マスク（または、「ハードマスク」）は、１つまたは複数の下に存在する層（例えば、或るエッチング工程中における低誘電率材料のような誘電体材料の下に存在する層）を保護するためにしばしば使用される。このような導電性（「金属」）マスク（または、「ハードマスク」）は、通常、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、Ａｌ、ＨｆＯｘ（すなわち、酸化ハフニウム）、またはＡｌＣｕを含む層の形で、堆積される。例えば、金属ハードマスクを使用したデュアルダマシンパターニング方法では、誘電体（低ｋ値）の材料上に堆積された金属層が、２番目のエッチング工程のためのハードマスクとして機能する。

半導体ウェーハ上の構造をさらに最小化するという継続的な要件と共に、製造業者は、新たな課題に直面している。たとえば、半導体ウェーハ上の構造をさらに最小化するための組み合わせ計画（半導体ウェーハ上において、２０ｎｍ構造または２０ｎｍ未満の構造を製造するためのまたは１０ｎｍ構造または１０ｎｍ未満の構造を製造するための組み合わせ計画など）では、バイアの作成は、金属ハードマスク（しばしば、ＴｉＮハードマスク）と金属（例えば、ＴｉＮ）ハードマスクの下に配置されている低ｋ値の材料を除去するための後続のドライエッチング工程とを使用して行うことが好ましい（場合により、追加の層（たとえば、非金属ハードマスクまたは接合層）によって、金属／ＴｉＮハードマスクから分離される）。作成すべきビアの下部に存在する基礎となる下層の銅やコバルトを保護するために、薄いエッチング停止層が、通常、銅コバルト上に（すなわち、銅および／またはコバルト金属の表面に）堆積する。この薄いエッチング停止層は、しばしば、アルミニウム化合物を含むかまたはそれからなり、そして、そのエッチング停止層の最大厚さは、３０ｎｍ以下、特には２０ｎｍ以下、さらに特には１０ｎｍ以下、または、なおさらには５ｎｍ以下とすることができる。

製造方法を進めるには、下記の材料を除去する必要がある：
１）金属（例えば、ＴｉＮ）のハードマスク、２）ビア内に残っているポリマーの残留物、および３）エッチング停止層。
これと同時に、低ｋ値の材料、銅金属、および／またはコバルト金属などの材料は、エッチングすべきではない。材料において、可能な限り最大限で低ｋ値の材料、銅金属、および／またはコバルト金属の層を維持しながら、この３つを除去することについては、１工程の方法または２工程の方法のいずれかによって達成することができる。

前記の１工程の方法では、前記の３つすべてを除去する工程は、通常、過酸化水素のような酸化剤を含む適当な組成物を利用することによって同時に行われる。

前記の２工程の方法では、第１工程で、金属（例えば、ＴｉＮ）ハードマスクが、過酸化水素のような酸化剤を通常含む組成物を利用することによって、通常前に行われた製造工程からの残留物（例えば、ポリマー残留物）と共に除去される。前記組成物は、低ｋ値の材料の層またはエッチング停止層（特に、アルミニウム化合物を含むかまたはそれからなるエッチング停止層）に損傷を与えるべきではない。第２工程において、エッチング停止層が、適切な組成物を利用することによって除去されるべきである。通常、この第２工程では、まだビア内に依然として存在するポリマー残留物も除去される（上記参照）。

この第２工程で使用される組成物は、薄いエッチング停止層（具体的には、アルミニウム化合物を含むかまたはそれからなるエッチング停止層）のみを除去し、そして、低ｋ値の材料、銅金属、および／またはコバルト金属の層に損傷を与えないようにするか、または少なくとも可能な限りそれらだけに損傷を与えないようにする必要がある。この目的のために、前記第２工程で使用される組成物は、アルミニウム化合物を含むかまたはそれからなる層（さらには、アルミニウム化合物を含むまたはからなる薄層または超薄層）が非常に制御されると共に特定のエッチングがなされることを可能にするような特性を有し、同時に、低ｋ値の材料、銅金属、および／またはコバルト金属の層（これらも存在することがある）を損なわないようにする必要がある。したがって、本明細書で定義される本発明による組成物は、好ましくは、前記２工程の方法における前記第２工程で利用される。

酸化アルミニウムの誘電体膜が、酸性および塩基性媒体中においてウェットエッチングにより一般に除去できること（但し、アルミニウム化合物（例えば、酸化アルミニウム）を含むかまたはそれからなる薄いまたは超薄いエッチング停止層をエッチングすることは要求されていない）が知られている（例えば、Ｂ．Ｚｈｏｕ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｖｏｌ．１４３（２）６１９−６２３（１９９６）（非特許文献１）、またはＪ．Ｏｈ ｅｔ ａｌ．Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｖｏｌ．１５６（４）Ｄ２１７−Ｄ２２２（２０１１）（非特許文献２）参照）。

国際公開第０３／０３５７９７号の文献（特許文献２）は、半導体基板上の無機残留物を洗浄するための、銅に特異的な腐食防止剤を含有する水性洗浄組成物に関するものである。

国際公開第２０１２／００９６３９号の文献（特許文献３）は、エッチング後の残留物を除去するための水性クリーナーに関するものである。

米国特許出願公開第２００４／０６１０９２号明細書の文献（特許文献４）は、アルミナを選択的に除去するためのウェットエッチングに関するものである。

米国特許出願公開第２０１０／００７５４７８号明細書の文献（特許文献５）は、パターンレジストを除去する方法に関するものである。

国際公開第２００９／０６４３３６号の文献（特許文献６）は、半導体基板から金属ハードマスクエッチングの残留物を除去するための組成物を教示している。

国際公開第２００４／０３００３８号の文献（特許文献７）は、エッチング残留物を除去するための組成物基板およびその使用方法に関するものである。

米国特許出願公開第２０１２／００５２６８６号明細書の文献（特許文献８）は、洗浄溶液、およびそれを使用するダマシン処理に関するものである。

米国特許第６，６９６，２２２号 国際公開第０３／０３５７９７号 国際公開第２０１２／００９６３９号 米国特許出願公開第２００４／０６１０９２号明細書 米国特許出願公開第２０１０／００７５４７８号明細書 国際公開第２００９／０６４３３６号 国際公開第２００４／０３００３８号 米国特許出願公開第２０１２／００５２６８６号明細書

Ｂ．Ｚｈｏｕ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｖｏｌ．１４３（２）６１９−６２３（１９９６） Ｊ．Ｏｈ ｅｔ ａｌ．Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｖｏｌ．１５６（４）Ｄ２１７−Ｄ２２２（２０１１）

したがって、本発明の主な目的は、薄層または超薄層のアルミニウム化合物であっても非常に制御され特定のエッチングを可能にする特性を有する、低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下でアルミニウム化合物の層を選択的にエッチングするための組成物であると共に、これと同時に、低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅金属および／またはコバルト金属を含む層（これらも存在する）を損なわないかまたは著しく損なわない組成物を提供することであった。

本発明の別の特定の目的は、低ｋ値の材料ならびに／あるいは銅金属および／またはコバルト金属の存在下でアルミニウム化合物の層が選択的にエッチングされる、半導体デバイスを製造する方法を提供することであった。本発明のさらなる目的は、本明細書および添付の特許請求の範囲に開示されているか、またはそれらから明らかになる。

本発明の主要な目的および他の目的は、低ｋ値の材料ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下で、アルミニウム化合物を含む層（好ましくは、酸化アルミニウムを含む層）を選択的にエッチングするための組成物によって達成されることが現在確認され、この組成物は、以下を含む（すなわち、１種以上のさらなる物質が存在することがある）：
（Ａ）
− 式Ｉの化合物：

（式中、Ｒ^１は、
− 水素原子、および
− −Ｃ（Ｏ）−Ｒ^２（式中、Ｒ^２は、水素原子、および１、２、３または４個の炭素原子を有するアルキルからなる群から選択される）；
− 式ＩＩの化合物：

（式中、Ｒ^３は、１、２、３、または４個の炭素原子を有するアルキルである）；
− トリメチルアミン−Ｎ−オキシド、
− トリエチルアミン−Ｎ−オキシド、
− トリエタノールアミン−Ｎ−オキシド、
− ピリジン−Ｎ−オキシド、
− Ｎ−エチルピロリジン−Ｎ−オキシド、および
− これらの混合物
からなる群から選択される、１種以上の可溶化剤；
（Ｂ）１種以上のフッ化物アニオン含有エッチャント（好ましくは、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化トリエタノールアンモニウム、フッ化ジグリコアンモニウム、フッ化メチルジエタノールアンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩、フッ化水素、フルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、フルオロ酢酸、フルオロ酢酸アンモニウム、トリフルオロ酢酸、フルオロケイ酸、フルオロケイ酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、およびこれらの混合物からなる群から選択される）；
（Ｃ）非置換であるか、またはＣ_１−４−アルキル、アミノ−Ｃ_１−４−アルキル、フェニル、チオフェニル、ハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、および／またはチオールにより、独立して、１回または２回置換されているベンゾトリアゾール；エチレン尿素、エチレンチオ尿素、１，２，４−トリアゾール、５−アミノテトラゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４トリアゾール、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、トリルトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール、ナフトトリアゾール、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸、１−フェニル−２−テトラゾリン−５−チオン、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−メルカプトチアゾリン、２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、チアゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，５−ペンタ−メチレンテトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、２Ｈ−イミダゾール−２−チオン、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、ベンゾチアゾール、リン酸トリトリル、インダゾール、アデニン、シトシン、グアニン、チミン、２，２’−アザンジイル二酢酸、プロパンチオール、クエン酸、アスコルビン酸、チオ尿素、１，１，３，３−テトラメチル尿素、尿素、尿酸、グリシン、ドデシルホスホン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、ニトリロ三酢酸、およびこれらの混合物からなる群から選択される、１種以上の腐食防止剤；
（Ｄ）ヒスチジン（好ましくは、Ｌ−ヒスチジン）、１，２−シクロヘキシレンジジニトリロ四酢酸、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン、アセチルアセトナート、２，２’−アザンジイル二酢酸、エチレンジアミン四酢酸、エチドロン酸、メタンスルホン酸、アセチルアセトン、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン、１，４−ベンゾキノン、８−ヒドロキシキノリン、サリチリデンアニリン；テトラクロロ−１，４−ベンゾキノン、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾール、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾール、ヒドロキシキノリンスルホン酸、スルホサリチル酸、サリチル酸、ピリジン、２−エチルピリジン、２−メトキシピリジン、３−メトキシピリジン、２−ピコリン、ジメチルピリジン、ピペリジン、ピペラジン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、エチルアミン、メチルアミン、イソブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、トリブチルアミン、ジプロピルアミン、ジメチルアミン、ジグリコールアミン、モノエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、ピロール、イソキサゾール、ビピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、インドール、１−メチルイミダゾール、ジイソプロピルアミン、ジイソブチルアミン、アニリン、ペンタメチルジエチレントリアミン、アセトアセトアミド、カルバミン酸アンモニウム、ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム、マロン酸ジメチル、アセト酢酸メチル、Ｎ−メチルアセトアセトアミド、チオ安息香酸テトラメチルアンモニウム、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、テトラメチルチウラムジスルフィド、乳酸、乳酸アンモニウム、ギ酸、プロピオン酸、ガンマ−ブチロラクトン、およびこれらの混合物からなる群から選択される、１種以上のキレート剤；および
（Ｇ）水。

本発明による組成物が、アルミニウム化合物を含むかまたはそれからなる層の（アルミニウム化合物を含むかまたはそれからなる薄層または超薄層であっても）非常に制御された特定のエッチングを可能にするのに適しており、これと同時に低ｋ値の材料の層、銅金属の層、および/またはコバルト金属の層（これらも存在する）を損なわないか著しく損なわないことは、特に驚くべきことであった。

本発明、ならびに好ましい実施形態およびパラメータの好ましい組み合わせ、その特性および構成要素は、添付の特許請求の範囲において定義される。本発明の好ましい観点、詳細、変形形態および利点は、以下の説明および以下に述べる実施例においても定義および説明される。

本発明の文脈において、「アルミニウム化合物」は、酸化アルミニウム（「ＡｌＯｘ」）、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム（「ＡｌＯＮ」）、および酸窒化炭素アルミニウム（「ＡｌＣＮＯ」）からなる群から選択される１つ以上の化合物を含む。好ましくは、アルミニウム化合物はフッ素も含む。本明細書で定義されるアルミニウム化合物中に存在するアルミニウム化合物の正確な組成、およびアルミニウム、酸素、窒素、炭素および／またはフッ素元素の正確な含有量または比率は、例えば前記アルミニウム化合物を含む半導体デバイスの前処理の種類に応じて、変化し得る。

本発明の文脈において、「アルミニウム化合物を含むかまたはそれからなる層」は、
好ましくはエッチング停止層、より好ましくは銅層および／またはコバルト層上（好ましくは銅層またはコバルト層上）に堆積されたエッチング停止層を意味する。

本明細書で言及されるエッチング停止層は、当該分野における通常の意味と一致しており、マイクロエレクトロニクスデバイス（特に、半導体ウェーハ）の表面を構造化するための通常のエッチング方法で利用される条件下でエッチングされずに、さらに、前記エッチング方法に潜在的に影響を受ける下の材料（例えば、銅相互接続のような銅または他の金属）を覆い、この結果利用されたエッチング剤の望ましくない攻撃から保護する、材料の層である。エッチング方法後に、エッチング停止層は、その下に存在する材料に悪影響を及ぼさないエッチング停止層の材料に特有の条件で除去することができる。

本発明の文脈において、「低誘電率材料」は、好ましくは、誘電率ｋ＜３．９を有する材料であるか、および／または（好ましくは、「および」）下記（ｉ）および（ｉｉ）からなる群から選択される：
（ｉ）シリコン含有材料（好ましくは、ＳｉＯ_２、シリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）、テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）、ホウ素をドープしたリンケイ酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）、フッ素をドープした二酸化ケイ素（フルオロケイ酸塩ガラス、ＦＳＧ）、炭素をドープした二酸化ケイ素、有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）、炭素をドープした酸化物（ＣＤＯ）、多孔質二酸化ケイ素、多孔質炭素をドープした二酸化ケイ素およびスピンオンシリコンポリマー材料（好ましくは、水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）およびメチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ））、好ましくは有機シロキサン（すなわち、炭素−ケイ素結合を含むシロキサン）、好ましくは有機シラン（すなわち、炭素−ケイ素結合を含むシラン）からなる群から選択される）、および、
（ｉｉ）高分子材料（好ましくは、（好ましくはポリイミド（ＰＩ）を含む）スピンオン有機高分子誘電体、ポリノルボルネン、ベンゾシクロブテンおよびポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）からなる群から選択される）。

本発明の文脈において、用語「選択的エッチング」（または「選択的エッチング速度」）は、好ましくは、本発明による組成物を、低ｋ値の材料ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層（好ましくは、銅を含む層）の存在下で、アルミニウム化合物を含むかまたはそれからなる層に利用すると、アルミニウム化合物（好ましくは、酸化アルミニウム）を含むかまたはそれからなる層をエッチングするための前記組成物のエッチング速度は、前記低ｋ値材料に関する、銅および／またはコバルトを含む前記層に関する、好ましくは銅を含む前記層に関する前記組成物のエッチング速度の少なくとも１０倍（好ましくは、少なくとも１００倍）である。

本発明の文脈において、用語「コバルト層の存在下での選択的エッチング」（または「コバルト層の存在下での選択的エッチング速度」または同等の表現）は、好ましくは、低ｋ値の材料の層および/またはコバルトを含む層の存在下でアルミニウム化合物を含むかまたはそれからなる層に本発明による組成物を利用すると、アルミニウム化合物（好ましくは、酸化アルミニウム）を含むかまたはそれからなる層をエッチングするための前記組成物のエッチング速度は、前記低ｋ値の材料に関するおよび／またはコバルトを含む前記層に関する前記組成物のエッチング速度の少なくとも２倍（好ましくは、少なくとも３倍）であることを意味する。この分野で知られているように、コバルトまたはコバルトを含む層は、通常、銅または銅を含む層よりも、本明細書で記載または参照されるタイプのエッチング方法に対して影響を受ける。

上記で定義される本発明による組成物（すべての変形形態）において、１種以上の可溶化剤（Ａ）、１種以上のフッ化物アニオン含有エッチャント（Ｂ）、１種以上の腐食防止剤（Ｃ）、および１種以上のキレート剤（Ｄ）は、各場合において、通常、それぞれ単独（単一の化合物）で、または同じタイプの他の化合物（利用できる場合には、可溶化剤、エッチャント、腐食防止剤、またはキレート剤のそれぞれ）と組み合わせて使用できる。

成分（Ａ）（本発明による組成物における１種以上の可溶化剤が式Ｉの化合物を含む）では、Ｒ^１は、好ましくは、−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^２基（式中、Ｒ^２は、水素原子、および１、２、３または４個の炭素原子を有するアルキルからなる群から選択される）である。Ｒ^２が、１、２、３または４個の炭素原子を有するアルキルである場合には、これは、メチル、エチル、ならびに分岐および非分岐のプロピルおよびブチルを含む。好ましくは、Ｒ^２は水素原子である。Ｎ−ホルミルモルホリン（ＣＡＳ ＲＮ ４３９４−８５−８；本明細書では「ＮＦＭ」とも呼ばれる）は、特に好ましい、本発明による組成物において使用するための式Ｉの化合物である。

成分（Ａ）（本発明による組成物における１種以上の可溶化剤が式ＩＩの化合物を含む）では、Ｒ^３は、メチル、エチル、ならびに分岐および非分岐のプロピルおよびブチルを含む。好ましくは、Ｒ^３はメチルである。４−メチルモルホリン−４−オキシド（本明細書では「４−ＭＭ−４−Ｏ」とも呼ばれ、Ｎ−メチルモルホリン−Ｎ−オキシド、ＣＡＳ ＲＮ ７５２９−２２−８としても知られている）は、本発明による組成物において使用するための式ＩＩの特に好ましい化合物である。式ＩＩの化合物の現在の定義には、式ＩＩの化合物についての水和物（具体的には、４−メチルモルホリン−４−オキシド（ＣＡＳ ＲＮ ７０１８７−３２−５）の一水和物）、異性体、および互変異性体が含まれる。

本発明（すべての変形形態）による組成物の成分（Ｂ）において、１種以上のフッ化物アニオン含有エッチャント（Ｂ）は、１種以上のフッ化物アニオン（Ｂ）を含むか、または水との接触時において１種以上のフッ化物アニオンを提供することができる。したがって、本明細書で定義される本発明による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される本発明による組成物）では、そのまたは少なくとも１種の成分（Ｂ）が、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化トリエタノールアンモニウム、フッ化ジグリコアンモニウム、フッ化メチルジエタノ−アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩、フッ化水素、フルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、フルオロ酢酸、フルオロ酢酸アンモニウム、トリフルオロ酢酸、フルオロケイ酸、フルオロケイ酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、およびこれらの混合物からなる群から選択されること；および、好ましくは、そのまたは少なくとも１種の成分（Ｂ）がフッ化アンモニウム（ＣＡＳ ＲＮ １２１２５−０１−８）であること；および、より好ましくは、成分（Ｂ）がフッ化アンモニウムであることが好ましい。

成分（Ｂ）としてフッ化アンモニウムを含む本発明による組成物は、低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下で、アルミニウム化合物（特に、酸化アルミニウム）を含むまたはそれからなる層をエッチングするための安定かつ再現可能な制御（選択）されたエッチング速度を示した。

成分（Ｃ）が（上記で定義したような）非置換または置換のベンゾトリアゾールを含む場合、この定義は、このようなベンゾトリアゾールの１種と、上記で定義したような独立して非置換または置換され得る複数のそのようなベンゾトリアゾールとを含み、そして、そのようなベンゾトリアゾールの混合物を含む。

成分（Ｃ）が、Ｃ_１−４−アルキルまたはアミノ−Ｃ_１−４−アルキルによって１回または２回独立して置換されているベンゾトリアゾールを含む場合には、「Ｃ_１−４−アルキル」は、１、２、３、または４個の炭素原子を有するアルキルを意味し、そして、メチル、エチル、ならびに分岐および非分岐のプロピルおよびブチルを含む。成分（Ｃ）がＣ １−４ −アルキルにより置換されているベンゾトリアゾールを含む場合、メチルが好ましい。本定義に含まれる特定の化合物は、５−メチルベンゾトリアゾールおよび６−メチルベンゾトリアゾールである（該当する命名法については下記を参照）。成分（Ｃ）が、アミノ−Ｃ_１−４−アルキルによって置換されているベンゾトリアゾールを含む場合には、２−（５−アミノ−ペンチル）が好ましい。

成分（Ｃ）が、ハロゲンによって独立して１回または２回置換されたベンゾトリアゾールを含む場合には、前記ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素から選択される。塩素によって置換されたベンゾトリアゾール（好ましくは、塩素によって１回置換されたベンゾトリアゾール）が好ましい。成分（Ｃ）が（好ましくは本明細書において上述で定義される）ハロゲンで置換されたベンゾトリアゾールを含む場合には、これは、本明細書では「ハロベンゾトリアゾール」とも呼ばれる。

成分（Ｃ）が非置換であるか、Ｃ_１−４−アルキル、アミノ−Ｃ_１−４−アルキル、フェニル、チオフェニル、ハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、および／またはチオールによって独立して１回または２回置換されているベンゾトリアゾールを含む場合には、この定義には、特に、ベンゾトリアゾール、６−メチル−ベンゾトリアゾール（６−Ｍｅ−ＢＴＡ）、５−メチル−ベンゾトリアゾール（５−Ｍｅ−ＢＴＡ）、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、５−フェニル−ベンゾトリアゾール、５−ニトロ−ベンゾトリアゾール、２−（５−アミノ−ペンチル）−ベンゾトリアゾール、５−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロベンゾトリアゾール（ハロは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、およびＩからなる群から選択される）、および２−メルカプトベンゾチアゾールの化合物が含まれる。

技術分野で知られているように、ベンゾトリアゾールでは、位置（つまり、環窒素原子の）１と２との間の結合および位置（つまり、環窒素原子）２と３との間の結合は、同じ結合特性を有することが証明されている。 ベンゾトリアゾール構造の窒素含有環における１つの窒素原子に結合したプロトンは、存在する３つの環の窒素原子のいずれにも強く結合することはなく、このプロトンは、位置１と３との間で急速に移動するので互変異性体が作られる。

本発明の目的のために、上記で使用される用語「５−メチル−２Ｈ−ベンゾトリアゾール」は、したがって、この化合物およびそのすべての互変異性体、具体的には、「５−メチル−ベンゾトリアゾール」、「６−メチル−ベンゾトリアゾール」（ＣＡＳ ＲＮ ４９６３６−０２−４）、「６−メチル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］［１．２．３］トリアゾール」、「５−メチル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］［１．２．３］トリアゾール」、および「５−メチル−２Ｈ−ベンゾ［ｄ］［１．２．３］トリアゾール」として知られている化合物を含む。そしてその逆に、「５−メチル−２Ｈ−ベンゾトリアゾール」、「５−メチル−ベンゾトリアゾール」、「６−メチル−ベンゾトリアゾール」、「６−メチル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］ ［１．２．３］トリアゾール」、「５−メチル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］ ［１．２．３］トリアゾール」、「５−メチル−２Ｈ−ベンゾ［ｄ］ ［１．２．３］トリアゾール」、「５−Ｍｅ−ＢＴＡ」、または「６−Ｍｅ−ＢＴＡ」として本明細書で言及されている化合物は、各場合において、化合物「５−メチル−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、およびそのすべての互変異性体」と同じ意味である。

同様に、本発明の目的のために、本明細書で使用される用語「５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール」には、この化合物およびそのすべての互変異性体、具体的には、「５−クロロベンゾトリアゾール」（ＣＡＳ ＲＮ ９４−９７−３）、「６−クロロ−ベンゾトリアゾール」、「６−クロロ−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］ ［１．２．３］トリアゾール」、「５−クロロ−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］［１．２．３］トリアゾール」、および「５−クロロ−２Ｈ−ベンゾ［ｄ］［１．２．３］トリアゾール」として知られている化合物が含まれる。これとは逆は、本明細書において、各場合において、「５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール」、「５−クロロ−ベンゾトリアゾール」、「６−クロロ−ベンゾトリアゾール」、「６−クロロ−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］［１．２．３］トリアゾール」、「５−クロロ−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］［１．２．３］トリアゾール」、「５−クロロ−２Ｈ−ベンゾ［ｄ］［１．２．３］トリアゾール」、「５−Ｃｌ−ＢＴＡ」、または「６−Ｃｌ−ＢＴＡ」と呼ばれる化合物は、「５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾールおよびそのすべての互変異性体」と同じ意味である。この定義は、必要な変更を加えて、本明細書で定義または言及されている他のベンゾトリアゾール（特に、置換ベンゾトリアゾール）に適用される。

非置換であるか、または、Ｃ_１−４−アルキル（好ましくは、メチル）および／または（好ましくは「または」）ハロゲンによって独立して１回または２回（好ましくは、１回）置換されているベンゾトリアゾールが好ましい。本発明の特に好ましい変形形態において、成分（Ｃ）は、非置換ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、５−メチル−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、およびこれらの混合物からなる群から選択される。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される本発明による組成物）が、好ましい：
−そのまたは少なくとも１種の成分（Ａ）が、
−上記で定義した式Ｉの化合物（または、上記で定義した式Ｉの好ましい化合物）、および
−上記で定義した式ＩＩの化合物（または、上記で定義した式ＩＩの好ましい化合物）
からなる群から選択されること；および／または
−成分（Ｂ）が、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化トリエタノールアンモニウム、フッ化ジグリコアンモニウム、フッ化メチルジエタノールアンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩、フッ化水素、フルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、フルオロ酢酸、フルオロ酢酸アンモニウム、トリフルオロ酢酸、フルオロケイ酸、フルオロケイ酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、およびこれらの混合物からなる群から選択され、そして、そのまたは少なくとも１種の成分（Ｂ）が、好ましくはフッ化アンモニウムであり、より好ましくは、成分（Ｂ）がフッ化アンモニウムであること；および／または
−そのまたは少なくとも１種の成分（Ｃ）が、
−非置換であるか、または、Ｃ_１−４−アルキル、アミノ−Ｃ_１−４−アルキル、フェニル；チオフェニル； ハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、および／または（好ましくは、「または」）チオールによって独立して１回または２回（好ましくは、１回）置換されているベンゾトリアゾール（好ましくは、非置換であるか、またはＣ_１−４−アルキルおよび／または（好ましくは「または」）ハロゲンによって独立して１回または２回（好ましくは、１回）置換されているベンゾトリアゾール）、
−コハク酸；および
−これらの混合物
からなる群から選択されること。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される本発明による組成物）も好ましい：
−そのまたは少なくとも１種の成分（Ｄ）は、ヒスチジン（好ましくは、Ｌ−ヒスチジン）、１，２−シクロヘキシレンジニトリロ四酢酸、およびこれらの混合物からなる群から選択されること；および／または
−その組成物が、さらなる成分として、（Ｅ）１種以上の界面活性剤を含むこと。

上記で定義される本発明による組成物において、１種以上の界面活性剤（Ｅ）は、（存在する場合には）一般に、各場合において、単独で（単一の化合物として）使用されるか、または同じタイプの他の化合物と組み合わせて使用できる。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される本発明による組成物）はさらに好ましい：
−組成物のｐＨが、３．５〜８の範囲であること；および／または
−組成物が、さらなる成分として以下を含むこと：
（Ｆ）３．５〜８の範囲で組成物のｐＨを緩衝するのに適した緩衝系。

本明細書で定義される本発明による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される本発明による組成物）も好ましく、ここで、この組成物は、
（Ａ）−上記で定義される式Ｉの化合物（または、上記で定義される式Ｉの好ましい化合物）、および
−上記で定義される式ＩＩの化合物（または、上記で定義される式ＩＩの好ましい化合物）
からなる群から選択される１種以上の可溶化剤；
（Ｂ）フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化トリエタノールアンモニウム、フッ化ジグリコアンモニウム、フッ化メチルジエタノールアンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩、フッ化水素、フルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、フルオロ酢酸、フルオロ酢酸アンモニウム、トリフルオロ酢酸、フルオロケイ酸、フルオロケイ酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、およびこれらの混合物からなる群から選択される１種以上のエッチャント（好ましくは、そのまたは少なくとも１種のエッチャント成分（Ｂ）は、フッ化アンモニウムであり、そして、より好ましくは、エッチャント成分（Ｂ）は、フッ化アンモニウムである）；
（Ｃ）−非置換であるか、または、Ｃ_１−４−アルキル、アミノ−Ｃ_１−４−アルキル、フェニル、チオフェニル、ハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、および／または（好ましくは、「または」）チオールによって独立して１回または２回（好ましくは、１回）置換されているベンゾトリアゾール（好ましくは、非置換であるか、または、Ｃ_１−４−アルキルおよび／または（好ましくは「または」）ハロゲンによって独立して１回または２回（好ましくは、１回）置換されているベンゾトリアゾール）、
−コハク酸、および
−これらの混合物
からなる群から選択される１種以上の腐食防止剤；
（Ｄ）ヒスチジン、１，２−シクロヘキシレンジニトリロ四酢酸、およびこれらの混合物からなる群から選択される、１種以上のキレート剤；および
（Ｇ）水
以下を含み（すなわち、１種以上のさらなる物質が存在することがある）；
ここで、この組成物のｐＨは、３．５〜８の範囲である。

第１の好ましい変形形態では、本発明による組成物は、低ｋ値材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下（好ましくは、低ｋ値材料および／または銅層の存在下）で、アルミニウム化合物を含む層（好ましくは、酸化アルミニウムを含む層）を選択的にエッチングするための組成物に関するものであり、
その組成物は、以下の成分（Ａ）〜（Ｇ）を含む（すなわち、１種以上のさらなる物質が存在することがある）か、またはからなり（すなわち、以下に定義される成分（Ａ）〜（Ｇ）に加えて、さらなる物質は存在しない）：
（Ａ）４−メチル−モルホリン−４−オキシド、トリメチルアミン−Ｎ−オキシド、トリエチルアミン−Ｎ−オキシド、トリエタノールアミン−Ｎ−オキシド、ピリジン−Ｎ−オキシド、Ｎ−エチルモルホリン−Ｎ−オキシド、Ｎ−エチルピロリジン−Ｎ−オキシド、およびこれらの混合物からなる群から選択される、１種以上の可溶化剤；
（Ｂ）（好ましくは、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化トリエタノールアンモニウム、フッ化ジグリコアンモニウム、フッ化メチルジエタノールアンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩、フッ化水素、フルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、フルオロ酢酸、フルオロ酢酸アンモニウム、トリフルオロ酢酸、フルオロケイ酸、フルオロケイ酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、およびこれらの混合物からなる群から選択される）１種以上のフッ化物アニオン含有エッチャント；
（Ｃ）ベンゾトリアゾール、（６−メチル−ベンゾトリアゾール（６−Ｍｅ−ＢＴＡ））、５−メチル−ベンゾトリアゾール、エチレン尿素、エチレンチオ尿素、１，２，４−トリアゾール、５−アミノテトラゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４トリアゾール、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、トリルトリアゾール、５−フェニル−ベンゾトリアゾール、５−ニトロ−ベンゾトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、２−（５−アミノ−ペンチル）−ベンゾトリアゾール、１−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール、５−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロベンゾトリアゾール（ハロは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選択される）、ナフトトリアゾール、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸、２−メルカプトベンゾチアゾール、１−フェニル−２−テトラゾリン−５−チオン、２−メルカプトベンズイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−メルカプトチアゾリン、２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、チアゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，５−ペンタメチレンテトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、２Ｈ−イミダゾール−２−チオン、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、ベンゾチアゾール、リン酸トリトリル、インダゾール、アデニン、シトシン、グアニン、チミン、２，２’−アザンジイル二酢酸、プロパンチオール、クエン酸、アスコルビン酸、チオ尿素、１，１，３，３−テトラメチル尿素、尿素、尿酸、グリシン、ドデシルホスホン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、ニトリロ三酢酸、およびこれらの混合物からなる群から選択される、１種以上の腐食防止剤；
（Ｄ）１，２−シクロヘキシレンジジニトリロ四酢酸、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン、アセチルアセトナート、２，２’−アザンジイル二酢酸、エチレンジアミン四酢酸、エチドロン酸、メタンスルホン酸、アセチルアセトン、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン、１，４−ベンゾキノン、８−ヒドロキシキノリン、サリチリデンアニリン；テトラクロロ−１，４−ベンゾキノン、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾール、２−（２−ヒドロキシ−フェニル）−ベンゾチアゾール、ヒドロキシキノリンスルホン酸、スルホサリチル酸、サリチル酸、ピリジン、２−エチルピリジン、２−メトキシピリジン、３−メトキシピリジン、２−ピコリン、ジメチルピリジン、ピペリジン、ピペラジン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、エチルアミン、メチルアミン、イソブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、トリブチルアミン、ジプロピルアミン、ジメチルアミン、ジグリコールアミン、モノエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、ピロール、イソキサゾール、ビピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、インドール、１−メチルイミダゾール、ジイソプロピルアミン、ジイソブチルアミン、アニリン、ペンタメチルジエチルレネトリアミン、アセトアセトアミド、カルバミン酸アンモニウム、ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム、マロン酸ジメチル、アセト酢酸メチル、Ｎ−メチルアセトアセトアミド、チオ安息香酸テトラメチルアンモニウム、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、テトラメチルチウラムジスルフィド、乳酸、乳酸アンモニウム、ギ酸、プロピオン酸、ガンマ−ブチロラクトン、およびこれらの混合物からなる群から選択される、１種以上のキレート剤；
（Ｅ）１種以上の界面活性剤；
（Ｆ）組成物のｐＨを６〜８の範囲（好ましくは、６．４〜７．５の範囲）で緩衝するのに適している緩衝系；および
（Ｇ）水；
なお、この組成物のｐＨは、６〜８の範囲（好ましくは、６．４〜７．５の範囲）である。

上記で定義される本発明による組成物において（特に、第１の好ましい変形形態による本発明による組成物において）、１種以上の可溶化剤（Ａ）、１種以上のフッ化物アニオン含有エッチャント（Ｂ）、１種以上の腐食防止剤（Ｃ）、１種以上のキレート剤（Ｄ）、および１種以上の界面活性剤（Ｅ）は、通常、各場合において、（単一の化合物として）単独で使用できるか、または、同じタイプの他の化合物（利用できる場合には、可溶化剤、エッチャント、腐食防止剤、またはキレート剤のそれぞれ）と組み合わせて使用できる。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明の第１の好ましい変形形態による組成物が、好ましい：
緩衝系（Ｆ）は、ＮａＨ_２ＰＯ_４およびＮａ_２ＨＰＯ_４を含むリン酸緩衝液、２−［４−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン−１−イル］エタンスルホン酸を含むＨＥＰＥＳ緩衝液、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタンを含むＴＲＩＳ緩衝液、酢酸アンモニウム緩衝液、およびこれらの混合物からなる群から選択されるか（より好ましくは、緩衝系は、酢酸アンモニウム緩衝液であるかまたはそれを含み、最も好ましくは、酢酸アンモニウム緩衝液である）、および／または、
組成物のｐＨは、６．４〜７．５の範囲（好ましくは６．８〜７．５の範囲、より好ましくは７．０〜７．４の範囲）である。

本発明の第１の好ましい変形形態による上記で定義されたる好ましい組成物では、単一の緩衝系（例えば、酢酸アンモニウム緩衝液のみ、またはＨＥＰＥＳ緩衝液のみ）の使用は、緩衝系の混合物の使用よりも好ましい。上記で定義される前記緩衝液のすべては当技術分野で知られており、当業者は、本発明の文脈において前記緩衝液を利用および調整する方法を知っているものである。６．４〜７．５の範囲（好ましくは６．８〜７．５の範囲、より好ましくは７．０〜７．４の範囲）のｐＨを有する本発明による組成物は、低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下で（好ましくは、低ｋ値の材料および／または銅層の存在下で）、アルミニウム化合物（好ましくは、酸化アルミニウム）を含むかまたはそれからなる層をエッチングするための特に安定で再現性のある制御での（選択的な）エッチング速度を示した。さらに、本発明による前記の組成物は、特に安定である（例えば、６か月間にわたって保存が安定している）ことが示されている。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明の第１の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される本発明の第１の好ましい変形形態による組成物）が好ましい：
そのまたは少なくとも１種の成分（Ａ）は、４−メチルモルホリン−４−オキシド（ＣＡＳ ＲＮ ７５２９−２２−８）であり、そして、好ましくは、成分（Ａ）は、４−メチルモルホリン−４−オキシドである。

成分（Ａ）として４−メチルモルホリン−４−オキシドを含む本発明の第１の好ましい変形形態による組成物は、低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下で（特に、低ｋ値の材料の層および／または銅層の存在下で）、アルミニウム化合物（好ましくは、酸化アルミニウム）を含むかまたはそれからなる層をエッチングするための安定で再現性のある選択的なエッチング速度を示した。

成分（Ｂ）としてフッ化アンモニウムを含む本発明の第１の好ましい変形による組成物は、低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下で（特に、低ｋ値の材料の層および／または銅層の存在下で）、アルミニウム化合物（特に、酸化アルミニウム）を含むかまたはそれからなる層をエッチングするための安定で再現性のある制御での（選択的な）エッチング速度を示した。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明の第１の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいとして上または下で説明されるような本発明の第１の好ましい変形形態による組成物）も好ましい：
成分（Ｃ）は、ベンゾトリアゾール（ＣＡＳ ＲＮ ９５−１４−７）、６−メチル−ベンゾトリアゾール（ＣＡＳ ＲＮ １３６−８５−６）、および、ベンゾトリアゾールと６−メチル−ベンゾトリアゾールとの組み合わせ（混合物）からなる群から選択される（好ましくは、成分（Ｃ）は、ベンゾトリアゾールと６−メチル−ベンゾトリアゾールとの組み合わせである）。成分（Ｃ）としてベンゾトリアゾール、６−メチル−ベンゾトリアゾール、およびベンゾトリアゾールと６−メチル−ベンゾトリアゾールとの組み合わせを含む（好ましくは、成分（Ｃ）としてベンゾトリアゾールと６−メチル−ベンゾトリアゾールの組み合わせを含む）、本発明の第１の好ましい変形形態による組成物は、好ましくは特に遅い銅エッチング速度に関連することが示されている。非置換および置換のベンゾトリアゾールの命名法については、上記も参照のこと。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明の第１の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される本発明の第１の好ましい変形形態による組成物）も好ましい：
成分（Ｄ）は、１，２−シクロヘキシレンジジニトリロ四酢酸（ＣＤＴＡ； ＣＡＳ ＲＮ １３２９１−６１−７）であるか、またはＣＤＴＡならびに１種以上の上記の他のキレート剤を含む。成分（Ｄ）としてのＣＤＴＡを含む本発明の第１の好ましい変形形態による組成物は、低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下（特に、低ｋ値の材料の層および／または銅層の存在下）で、アルミニウム化合物（特に、酸化アルミニウム）を含むかまたはそれからなる層をエッチングするための安定で再現性のある制御での（選択的な）エッチング速度を示した。半導体ウェーハについての前記エッチング速度は、センターエッジ効果がほとんどまたはまったくなく、異なるウェーハ間での、単一のウェーハにわたって均一であることがわかった。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される本発明の第１の好ましい変形形態による組成物）、特に、本明細書で定義される本発明の第１の好ましい変形による組成物も好ましい：
（存在する場合には）１種以上の界面活性剤（Ｅ）は、
（ｉ）好ましくは、ラウリル硫酸アンモニウム、フルオロ界面活性剤からなる群から選択される（好ましくは、ペルフルオロ化されたアルキルスルホンアミド塩（好ましくは、ペルフルオロ化されたＮ−置換アルキルスルホンアミドアンモニウム塩、ＰＮＡＡＳ）、ペルフルオロオクタンスルホン酸塩、ペルフルオロブタンスルホン酸塩、ペルフルオロノナン酸塩、ペルフルオロオクタン酸塩；アルキルリルエーテルリン酸塩、およびアルキルエーテルリン酸塩からなる群から選択される）、アニオン性界面活性剤、
（ｉｉ）（好ましくは、（３−［（３−コラミドプロピル）ジメチルアンモニオ］ −１−プロパンスルホネート）（「ＣＨＡＰＳ」）、コカミドプロピルヒドロキシスルタイン（ＣＡＳ ＲＮ ６８１３９−３０−０）、酢酸｛［３−（ドデカノイルアミノ）プロピル］（ジメチル）−アンモニウム｝、ホスファチジルセリン、ホスファチジルエタノールアミン、ホスファチジルコリンからなる群から選択される、）両性イオン界面活性剤、および
（ｉｉｉ）（好ましくは、グルコシドアルキルエーテル、グリセロールアルキルエーテル、コカミドエタノールアミン、およびラウリルジメチルアミノオキシドからなる群から選択される、）非イオン性界面活性剤
からなる群から選択される。

本発明の第１の好ましい変形形態による組成物中のより好ましい界面活性剤（Ｅ）は、ペルフルオロ化されたＮ−置換アルキルスルホンアミドアンモニウム塩であるか、またはそれを含む。

本発明による組成物中の好ましい界面活性剤（Ｅ）は、金属または金属イオンを含まない。

各場合において、本明細書で定義される本発明の第１の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される本発明の第１の好ましい変形形態による組成物）は、任意の追加成分としてさらに含むことができる：
（Ｈ）（好ましくは、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、エタノール、イソプロパノール、ブチルジグリコール、ブチルグリコール、スルホラン（２，３，４，５−テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド）、およびこれらの混合物からなる群から選択され、より好ましくは、ＴＨＦ、ＮＭＰ、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ、スルホラン、およびこれらの混合物からなる群から選択される）１種以上の水混和性有機溶媒。

本発明の文脈における用語「水混和性有機溶媒」は、好ましくは、この要件を満たす有機溶媒が、水に対して、２０℃および周囲（大気圧）の圧力で少なくとも１：１（ｗ／ｗ）の比率で混和性があることを意味する。好ましくは、そのまたは少なくとも１種の水混和性有機溶媒（Ｈ）はスルホランである。１種以上の水混和性有機溶媒（Ｈ）を含まない本発明の第１の好ましい変形形態による組成物がより好ましい。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明の第１の好ましい変形形態による組成物は、特に好ましい：
上記で好ましいものとして定義されている成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、および（Ｆ）の１種以上またはすべてが組み合わされて、（成分（Ａ）〜（Ｇ）のすべてを含むか、または、成分（Ｈ）が存在する場合はあまり好ましくない場合は、すべての成分（Ａ）から（Ｈ）を含む）本発明の第１の好ましい変形形態による最終的な（すぐに使用できる）組成物をもたらす。

第二の好ましい変形形態では、本発明による組成物は、低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下で（好ましくは、低ｋ値の材料および／またはコバルト層の存在下で）、アルミニウム化合物を含む層（好ましくは、酸化アルミニウムを含む層）を選択的にエッチングするための組成物に関するものであり、その組成物は、以下の成分を含むか（すなわち、１種以上のさらなる物質が存在することがある）、または以下の成分からなる（すなわち、以下に定義される成分（Ａ）〜（Ｄ）および（Ｇ）に加えてさらなる物質が存在しない）：
（Ａ）−（上記で定義される置換基Ｒ^１およびＲ^２の好ましい意味を有する）式Ｉの化合物：

（式中、Ｒ^１は、
−水素原子、および
−−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^２（式中、Ｒ^２は水素原子、および１、２、３または４個の炭素原子を有するアルキルからなる群から選択される）からなる群から選択される）
−（上記で定義される置換基Ｒ^３の好ましい意味を有する）式ＩＩの化合物：

（式中、Ｒ^３は、１、２、３または４個の炭素原子を有するアルキルである）、
−トリメチルアミン−Ｎ−オキシド
−トリエチルアミン−Ｎ−オキシド、
−トリエタノールアミン−Ｎ−オキシド、
−ピリジン−Ｎ−オキシド、
−Ｎ−エチルピロリジン−Ｎ−オキシド、および
−これらの混合物
からなる群から選択される、１種以上の可溶化剤；
（Ｂ）（好ましくは、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化トリエタノールアンモニウム、フッ化ジグリコアンモニウム、フッ化メチルジエタノールアンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩、フッ化水素、フルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、フルオロ酢酸、フルオロ酢酸アンモニウム、トリフルオロ酢酸、フルオロケイ酸、フルオロケイ酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、およびこれらの混合物からなる群から選択される）１種以上のフッ化物アニオン含有エッチャント；
（Ｃ）非置換であるかまたはＣ_１−４−アルキル、アミノ−Ｃ_１−４−アルキル、フェニル、チオフェニル、ハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、および／またはチオールにより独立して１回または２回置換されているベンゾトリアゾール；エチレン尿素、エチレンチオ尿素、１，２，４−トリアゾール、５−アミノテトラゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４トリアゾール、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、トリルトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、２−（５−アミノ−ペンチル）−ベンゾトリアゾール、１−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール、ナフトトリアゾール、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸、１−フェニル−２−テトラゾリン−５−チオン、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−メルカプトチアゾリン、２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、チアゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，５−ペンタメチレン−テトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、２Ｈ−イミダゾール−２−チオン、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、ベンゾ−チアゾール、リン酸トリトリル、インダゾール、アデニン、シトシン、グアニン、チミン、２，２’−アザンジイル二酢酸、プロパンチオール、クエン酸、アスコルビン酸、チオ尿素、１，１，３，３−テトラメチル尿素、尿素、尿酸、グリシン、ドデシルホスホン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、ニトリロ三酢酸、およびこれらの混合物からなる群から選択される、１種以上の腐食防止剤；
（Ｄ）ヒスチジン（好ましくは、Ｌ−ヒスチジン）、１，２−シクロヘキシレンジジニトリロ四酢酸、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタン−ジオン、アセチルアセトナート、２，２’−アザンジイル二酢酸、エチレンジアミン四酢酸、エチドロン酸、メタンスルホン酸、アセチルアセトン、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン、１，４−ベンゾキノン、８−ヒドロキシキノリン、サリチルデン−アニリン、テトラクロロ−１，４−ベンゾキノン、２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾール、２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾール、ヒドロキシキノリンスルホン酸、スルホサリチル酸、サリチル酸、ピリジン２−エチルピリジン、２−メトキシピリジン、３−メトキシピリジン、２−ピコリン、ジメチルピリジン、ピペリジン、ピペラジン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、エチルアミン、メチルアミン、イソブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、トリブチルアミン、ジプロピルアミン、ジメチルアミン、ジグリコールアミン、モノエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、ピロール、イソキサゾール、ビピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、インドール、１−メチルイミダゾール、ジイソプロピルアミン、ジイソブチルアミン、アニリン、ペンタメチルジエチレントリアミン、アセトアセトアミド、カルバミン酸アンモニウム、ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム、マロン酸ジメチル、アセト酢酸メチル、Ｎ−メチルアセトアセトアミド、チオ安息香酸テトラメチルアンモニウム、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、テトラメチルチウラムジスルフィド、乳酸、乳酸アンモニウム、ギ酸、プロピオン酸、ガンマ−ブチロラクトン、およびこれらの混合物からなる群から選択される、１種以上のキレート剤；および
（Ｇ）水；
なお、好ましくは、この組成物のｐＨは、３．５〜６の範囲（好ましくは、４．０〜５．５の範囲）である。

上記で定義される本発明による組成物（特に、本発明の第２の好ましい変形形態による組成物）では、（Ａ）１種以上の可溶化剤、（Ｂ）１種以上のフッ化物アニオン含有エッチャント、（Ｃ）１種以上の腐食防止剤、および（Ｄ）１種以上のキレート剤は、通常、各場合において、（単一の化合物として）単独で、または、同じタイプの他の化合物（それぞれ、可溶化剤、エッチャント、腐食防止剤、またはキレート剤）と組み合わせて使用できる。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明による組成物（または、第１の好ましい変形形態および第２の好ましい変形形態の組成物を含む、好ましいものとして上述または後述される本発明による組成物）も好ましい：
存在する１種以上の可溶化剤の成分（すなわち、可溶化剤成分、好ましくは、上記で定義される好ましい可溶化剤成分）（Ａ）の合計量は、組成物の合計質量を基準として、０．０１〜２０質量％の範囲、好ましくは２〜１５質量％の範囲、より好ましくは２〜１２質量％の範囲；いくつかの場合には、好ましくは２〜６質量％の範囲である。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明による組成物（または、第１の好ましい変形形態および第２の好ましい変形形態の組成物を含む、好ましいものとして上述または後述される本発明による組成物）も好ましい：
存在する（フッ化物アニオン、すなわち、エッチャント成分（好ましくは、上記で定義される成分（Ｂ）の好ましいエッチャント）を含む）成分（Ｂ）の１種以上のエッチャントの合計量は、組成物の合計質量を基準として、０．００１〜１質量％の範囲（好ましくは０．０１〜０．１質量％の範囲、より好ましくは０．０２〜０．０８質量％の範囲）である。本明細書において好ましい合計量で定義されるエッチャント成分（Ｂ）を含む本発明による組成物は、特に低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層（特に（本発明の第１の好ましい変形による組成物に関する）銅層、さらに特には（本発明の第２の好ましい変形による組成物に関する）コバルト層）の存在下で、特にアルミニウム化合物（好ましくは、酸化アルミニウム）を含むかまたはそれからなる層をエッチングすることおよびエッチング速度の選択性に関して、許容可能なエッチング速度の優れたバランスを示している。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明による組成物（または、第１の好ましい変形形態および第２の好ましい変形形態の組成物を含む、好ましいものとして上述または後述される本発明による組成物）も好ましい：
存在する１種以上の腐食防止剤（すなわち、腐食防止剤成分、（好ましくは、上記で定義される好ましい腐食防止剤成分））（Ｃ）は、組成物の合計質量を基準として、０．０１〜４質量％の範囲（好ましくは０．１〜２質量％の範囲、より好ましくは０．２〜１．５質量％の範囲）である。本明細書において好ましい合計量で定義される腐食防止剤成分（Ｃ）を含む本発明による組成物は、特に低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層（特に（本発明の第１の好ましい変形による組成物に関する）銅層、さらに特には（本発明の第２の好ましい変形による組成物に関する）コバルト層）の存在下で、特にアルミニウム化合物（好ましくは、酸化アルミニウム）を含むかまたはそれからなる層をエッチングすることおよびエッチング速度の選択性に関して、許容可能なエッチング速度の優れたバランスを示している。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明による組成物（または、第１の好ましい変形形態および第２の好ましい変形形態の組成物を含む、好ましいものとして上述または後述される本発明による組成物）も好ましい：
存在する成分（すなわち、キレート剤成分、好ましくは上記で定義される好ましいキレート剤成分）（Ｄ）の１種以上のキレート剤の合計量は、組成物の合計質量を基準として、０．０１〜４質量％の範囲、好ましくは０．０２〜１質量％の範囲、より好ましくは０．０５〜０．８質量％の範囲である。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明による組成物、好ましくは第１の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される、本発明による組成物、好ましくは、第１の好ましい変形形態による組成物）も好ましい：
成分（すなわち、界面活性剤成分、好ましくは上記で定義される好ましい界面活性剤成分）（Ｅ）の１種以上の界面活性剤の合計量は、組成物の合計質量を基準として、０．０００１〜１質量％の範囲、好ましくは０．００１〜０．５質量％の範囲、より好ましくは０．００２〜０．１質量％の範囲である。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明による組成物、好ましくは、第１の好ましい変形形態の組成物（または、好ましいものとして上述または後述される、本発明による組成物、好ましくは第１の好ましい変形形態による組成物）も好ましい：
存在する成分（すなわち、緩衝成分）の緩衝系（Ｆ）の合計量は、組成物の合計質量を基準として、０．１〜１０質量％の範囲、好ましくは０．２〜５質量％の範囲、より好ましくは ０．３〜３質量％の範囲である。

個々の場合において、本明細書で定義され下記の要件を有する本発明の第１の好ましい変形による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される、本発明の第１の好ましい変形形態による組成物）も好ましい：
存在する１種以上の水混和性有機溶媒（すなわち、溶媒成分）（Ｈ）の合計量は、組成物の合計質量を基準として、０〜３０質量％の範囲、好ましくは０〜１０質量％の範囲、より好ましくは、０〜７．５質量％の範囲、さらにより好ましくは０〜６質量％の範囲である。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明による組成物（または、第１の好ましい変形形態および第２の好ましい変形形態の組成物を含む、好ましいものとして上述または後述される本発明による組成物）も好ましい：
成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）（存在する場合）、（Ｆ）（存在する場合）、（Ｇ）および（Ｈ）（存在する場合）の量が、組成物の合計１００質量％（すなわち、合計質量）になる（好ましくは、水は、組成物の合計１００質量％（すなわち、合計質量）に合わせるものである）。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明の第１の好ましい変形による組成物も特に好ましい：
成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）および／または（場合により）（Ｈ）の上記で定義される合計量または好ましい合計量は、上記で定義される、好ましいかまたはより好ましい成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）および／または（場合により）（Ｈ）と組み合わされる。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明の第１の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される、本発明の第１の好ましい変形形態による組成物）が特に好ましく、この組成物は、以下の成分からなる（すなわち、以下に定義される成分（Ａ）〜（Ｈ）に加えて、さらなる物質は存在しない）：
（Ａ）４−メチル−モルホリン−４−オキシド、トリメチルアミン−Ｎ−オキシド、トリエチルアミン−Ｎ−オキシド、トリエタノールアミン−Ｎ−オキシド；ピリジン−Ｎ−オキシド、Ｎ−エチルモルホリン−Ｎ−オキシド、Ｎ−エチルピロリジン−Ｎ−オキシド、およびこれらの混合物からなる群から選択され（好ましくは、その１種以上の可溶化剤は、４−メチルモルホリン−４−オキシドであるかまたはそれを含む）、組成物の合計質量を基準として（好ましくは４−メチルモルホリン−４−オキシドについての）０．０１〜２０質量％の範囲（好ましくは２〜１２質量％の範囲、より好ましくは２〜６質量％の範囲）の合計量である、１種以上の可溶化剤；
（Ｂ）フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化トリエタノールアンモニウム、フッ化ジグリコアンモニウム、フッ化メチルジエタノールアンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩、フッ化水素、フルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、フルオロ酢酸、フルオロ酢酸アンモニウム、トリフルオロ酢酸、フルオロケイ酸、フルオロケイ酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、およびこれらの混合物からなる群から選択され（好ましくは、フッ化アンモニウムであるかまたはそれを含む）、組成物の合計質量を基準として（好ましくはフッ化アンモニウムについての）０．０１〜０．１質量％の範囲の合計量（より好ましくは、０．０２〜０．０８質量％の範囲の合計量）である、１種以上のフッ化物アニオン含有エッチャント；
（Ｃ）ベンゾトリアゾール、６−メチル−ベンゾトリアゾール、５−メチル−ベンゾトリアゾール、エチレン尿素、エチレンチオ尿素、１，２，４−トリアゾール、５−アミノテトラゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４トリアゾール、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、トリルトリアゾール、５−フェニル−ベンゾトリアゾール、５−ニトロ−ベンゾトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、２−（５−アミノ−ペンチル）−ベンゾトリアゾール、１−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール、５−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロベンゾトリアゾール（ハロは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選択される）、ナフトトリアゾール、１ Ｈ−テトラゾール−５−酢酸、２−メルカプトベンゾチアゾール、１−フェニル−２−テトラゾリン−５−チオン、２−メルカプトベンズイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−メルカプトチアゾリン、２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、チアゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，５−ペンタメチレンテトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、２Ｈ−イミダゾール−２−チオン、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、ベンゾチアゾール、リン酸トリトリル、インダゾール、アデニン、シトシン、グアニン、チミン、２，２’−アザンジイル二酢酸、プロパンチオール、クエン酸、アスコルビン酸、チオ尿素、１，１，３，３−テトラメチル尿素、尿素、尿酸、グリシン、ドデシルホスホン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、ニトリロ三酢酸、およびこれらの混合物からなる群から選択され（好ましくは、ベンゾトリアゾール、６−メチル−ベンゾトリアゾール、およびこれらの混合物からなる群から選択され）、組成物の合計質量を基準として（好ましくは、ベンゾ−アゾトリアゾール、６−メチル−ベンゾトリアゾール、およびこれらの混合物からなる群から選択されるものについての）０．０１〜４質量％の範囲の合計量（好ましくは０．１〜２質量％の範囲の合計量、より好ましくは０．２〜１．５質量％の範囲の合計量）である、１種以上の腐食防止剤；
（Ｄ）１，２−シクロヘキシレンジジニトリロ四酢酸、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン、アセチルアセトナート、２，２’−アザンジイル二酢酸、エチレンジアミン四酢酸、エチドロン酸、メタンスルホン酸、アセチルアセトン、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン、１，４−ベンゾキノン、８−ヒドロキシキノリン、サリチリデンアニリン；テトラクロロ−１，４−ベンゾキノン、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾール、２−（２−ヒドロキシ−フェニル）−ベンゾチアゾール、ヒドロキシキノリンスルホン酸、スルホサリチル酸、サリチル酸、ピリジン、２−エチルピリジン、２−メトキシピリジン、３−メトキシピリジン、２−ピコリン、ジメチルピリジン、ピペリジン、ピペラジン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、エチルアミン、メチルアミン、イソブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、トリブチルアミン、ジプロピルアミン、ジメチルアミン、ジグリコールアミン、モノエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、ピロール、イソキサゾール、ビピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、インドール、１−メチルイミダゾール、ジイソプロピルアミン、ジイソブチルアミン、アニリン、ペンタメチルジエチレントリアミン、アセトアセトアミド、カルバミン酸アンモニウム、ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム、マロン酸ジメチル、アセト酢酸メチル、Ｎ−メチルアセトアセトアミド、チオ安息香酸テトラメチルアンモニウム、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、テトラメチルチウラムジスルフィド、乳酸、乳酸アンモニウム、ギ酸、プロピオン酸、ガンマ−ブチロラクトン、およびこれらの混合物からなる群から選択され（好ましくは、１，２−シクロヘキシレンジジニトリロ四酢酸であるかまたはそれを含む）、組成物の合計質量を基準として（好ましくは１，２−シクロヘキシレンジジニトリロ四酢酸についての）０．０１〜４質量％の範囲の合計量（好ましくは０．０２〜１質量％の範囲の合計量、より好ましくは、０．０５〜０．８質量％の範囲の合計量）である、１種以上のキレート剤；
（Ｅ）（ｉ）（好ましくはラウリル硫酸アンモニウム、フッ素系界面活性剤からなる群から選択され、好ましくはペルフルオロ化されたアルキルスルホンアミド塩（好ましくは、過フッ素化されたＮ−置換アルキルスルホンアミドアンモニウム塩）、ペルフルオロオクタンスルホン酸塩、ペルフルオロブタンスルホン酸塩、ペルフルオロノナン酸塩、ペルフルオロオクタン酸塩；アルキルリルエーテルリン酸塩、およびアルキルエーテルリン酸塩からなる群から選択される）陰イオン界面活性剤、
（ｉｉ）（好ましくは、（３−［（３−コラミドプロピル）ジメチルアンモニオ］ −１−プロパンスルホネート）、コカミドプロピルヒドロキシスルタイン、｛［３−（ドデカノイルアミノ）プロピル］（ジメチル）−アンモニオ｝酢酸、ホスファチジルセリン、ホスファチジルエタノールアミン、ホスファチジルコリンからなる群から選択される）両性イオン界面活性剤、
（ｉｉｉ）（好ましくは、グルコシドアルキルエーテル、グリセロールアルキルエーテル、コカミドエタノールアミンおよびラウリルジメチルアミノオキシドからなる群から選択される）非イオン性界面活性剤；
からなる群から選択され、
組成物の合計質量を基準として（好ましくはペルフルオロ化されたＮ−置換アルキルスルホンアミドアンモニウム塩からなる群から選択されたものについての）０．０００１〜１質量％の範囲（好ましくは０．００１〜０．５質量％の範囲、より好ましくは０．００２〜０．１質量％の範囲）の合計量での、１種以上の界面活性剤（好ましくは、その１種以上の界面活性剤は、ペルフルオロ化されたＮ−置換アルキルスルホンアミドアンモニウム塩であるかまたはそれを含む）；
（Ｆ）（好ましくは、ＮａＨ_２ＰＯ_４およびＮａ_２ＨＰＯ_４を含むリン酸緩衝液、２−［４−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン−１−イル］エタンスルホン酸を含むＨＥＰＥＳ緩衝液、トリス（ヒドロキシメチル）−アミノメタンを含むＴＲＩＳ緩衝液、および酢酸アンモニウム緩衝液からなる群から選択され（より好ましくは、酢酸アンモニウム緩衝液であるかまたはそれを含む）、組成物の合計質量を基準として０．１〜１０質量％の範囲（好ましくは０．２〜５質量％の範囲、より好ましくは０．３〜３質量％の範囲）の合計量での）組成物のｐＨを６．４〜７．５の範囲（好ましくは６．８〜７．５の範囲、より好ましくは、７．０〜７．４の範囲）で緩衝するのに適した緩衝系；
（Ｇ）各場合において合計１００質量％の組成物に合わせるための水；および
（Ｈ）（好ましくは、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、およびスルホラン（２，３，４，５−テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド）、およびこれらの混合物からなる群から選択され、組成物の合計質量を基準として０〜３０質量％の範囲（好ましくは０〜１０質量％の範囲、より好ましくは０〜７．５質量％の範囲、さらにより好ましくは０〜６質量％の範囲）の合計量での）１種以上の水混和性有機溶媒；
なお、組成物のｐＨは、６．４〜７．５の範囲（好ましくは６．８〜７．５の範囲、より好ましくは７．０〜７．４の範囲）であり、そして
成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｇ）および（存在する場合）（Ｈ）の質量％の合計量は、いずれの場合でも、１００質量％になる。

本発明の第１の好ましい変形形態の上記で定義される特に好ましい組成物では、好ましいかまたはより好ましい成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）および／または（場合により）（Ｈ）ならびに／あるいは上記で定義される量または好ましい量の成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）および（場合により）（Ｈ）が組み合わされて、本発明の第１の好ましい変形形態によるさらにより好ましい組成物をもたらす。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明の第１の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして上述される本発明の第１の好ましい変形形態による組成物）が特に好ましく、その組成物は、以下の成分からなる：
（Ａ）（組成物の合計質量を基準として、好ましくは０．０１〜２０質量％の範囲、より好ましくは２〜１２質量％の範囲、さらにより好ましくは２〜６質量％の範囲の合計量での）可溶化剤としての４−メチルモルホリン−４−オキシド；
（Ｂ）（組成物の合計質量を基準として、好ましくは０．０１〜０．１質量％の範囲の合計量、より好ましくは０．０２〜０．０８質量％の範囲の合計量での）エッチャントとしてのフッ化アンモニウム；
（Ｃ）（組成物の合計質量を基準として、好ましくは０．０１〜４質量％の範囲の合計量、より好ましくは０．１〜２質量％の範囲の合計量、さらにより好ましくは０．２〜１．５質量％の範囲の合計量での）ベンゾトリアゾール、６−メチルベンゾトリアゾール、およびこれらの混合物からなる群から選択される１種以上の腐食防止剤；
（Ｄ）（組成物の合計質量を基準として、好ましくは、０．０１〜４質量％の範囲の合計量、より好ましくは０．０２〜１質量％の範囲の合計量、さらにより好ましくは０．０５〜０．８質量％の範囲の合計量での）キレート剤としての１，２−シクロヘキシレンジジニトリロ四酢酸；
（Ｅ）（組成物の合計質量を基準として、好ましくは０．０００１〜１質量％の範囲の合計量、より好ましくは０．００１〜０．５質量％の範囲の合計量、さらにより好ましくは０．００２〜０．１質量％の範囲の合計量での）１種以上の界面活性剤（その１種以上のうちのそのまたは少なくとも１種の界面活性剤は、ペルフルオロ化されたＮ−置換アルキルスルホンアミドアンモニウム塩である）；
（Ｆ）組成物のｐＨを６．４〜７．５の範囲（好ましくは６．８〜７．５の範囲、より好ましくは７．０〜７．４の範囲）で緩衝するのに適した、（組成物の合計質量を基準として、好ましくは０．１〜１０質量％の範囲の合計量、より好ましくは、０．２〜５質量％の範囲の合計量、さらにより好ましくは、０．３〜３質量％の範囲の合計量での）緩衝系（好ましくは、酢酸アンモニウム緩衝液）；および
（Ｇ）各場合において合計１００質量％の組成物に合わせるための水；
なお、組成物のｐＨは、６．４〜７．５の範囲（好ましくは６．８〜７．５の範囲、より好ましくは７．０〜７．４の範囲）であり、そして、
好ましくは、成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）および（Ｇ）の質量％の合計量は、いずれの場合にも１００質量％になる。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明の第２の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される、本発明の第２の好ましい変形形態による組成物）が好ましい：
（Ａ）そのまたは少なくとも１種の成分（Ａ）は、上記で定義される式Ｉの化合物（または、上記で定義される式Ｉの好ましい化合物）であり、そして、好ましくは、そのまたは少なくとも１種の成分（Ａ）はＮ−ホルミルモルホリンであり、そして、
成分（Ａ）は、組成物の合計質量を基準として、好ましくは０．０１〜２０質量％の範囲、より好ましくは２〜１５質量％の範囲、さらにより好ましくは２〜１２質量％の範囲、さらにより好ましくは、５〜１２質量％の範囲の合計量で存在する。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明の第２の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される、本発明の第２の好ましい変形形態による組成物）もまた好ましい：
（Ｂ）成分（Ｂ）が、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化トリエタノールアンモニウム、フッ化ジグリコアンモニウム、フッ化メチルジエタノールアンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩、フッ化水素、フルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、フルオロ酢酸、フルオロ酢酸アンモニウム、トリフルオロ酢酸、フルオロケイ酸、フルオロケイ酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、およびこれらの混合物からなる群から選択され（好ましくは、そのまたは少なくとも１種の成分（Ｂ）がフッ化アンモニウムであり、より好ましくは、成分（Ｂ）がフッ化アンモニウムである）；
好ましくは、成分（Ｂ）は、組成物の合計質量を基準として、０．０１〜０．１質量％の範囲の合計量（より好ましくは、０．０２〜０．０８質量％の範囲の合計量）で存在する。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明の第２の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される、本発明の第２の好ましい変形形態による組成物）もまた好ましい：
（Ｃ）そのまたは少なくとも１種の成分（Ｃ）は、
−非置換であるか、またはＣ_１−４−アルキルおよび／または（好ましくは「または」）ハロゲンによって独立して１回または２回（好ましくは、１回）置換されているベンゾトリアゾール；
−コハク酸、および
−これらの混合物
からなる群から選択され；そして
成分（Ｃ）は、組成物の合計質量を基準として、好ましくは０．０１〜４質量％の範囲の合計量（より好ましくは０．１〜２質量％の範囲の合計量、さらにより好ましくは０．２〜１．５質量％の範囲の合計量）で存在する。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明の第２の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される、本発明の第２の好ましい変形形態による組成物）もまた好ましい：
（Ｄ）そのまたは少なくとも１種の成分（Ｄ）は、ヒスチジン（好ましくは、Ｌ−ヒスチジン）である；
そして、成分（Ｄ）は、組成物の合計質量を基準として、好ましくは０．０１〜４質量％の範囲の合計量（より好ましくは０．０２〜１質量％の範囲の合計量、さらにより好ましくは０．０５〜０．８質量％の範囲の合計量）で存在する。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明の第２の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される、本発明の第２の好ましい変形形態による組成物）も特に好ましい：
（Ａ）そのまたは少なくとも１種の成分（Ａ）は、上記で定義される式Ｉの化合物（または、上記で定義される式Ｉの好ましい化合物）であり、そして、好ましくは、そのまたは少なくとも１種の成分（Ａ）はＮ−ホルミルモルホリンであり、
そして、組成物の合計質量を基準として、好ましくは０．０１〜２０質量％の範囲（より好ましくは２〜１５質量％の範囲、さらにより好ましくは２〜１２質量％の範囲、さらにより好ましくは５〜１２質量％の範囲）の合計量で存在する；
（Ｂ）成分（Ｂ）は、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化トリエタノールアンモニウム、フッ化ジグリコアンモニウム、フッ化メチルジエタノールアンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩、フッ化水素、フルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、フルオロ酢酸、フルオロ酢酸アンモニウム、トリフルオロ酢酸、フルオロケイ酸、フルオロケイ酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、およびこれらの混合物；
ここで、好ましくは、そのまたは少なくとも１種の成分（Ｂ）はフッ化アンモニウムであり、そして、より好ましくは、成分（Ｂ）はフッ化アンモニウムであり、
そして、組成物の合計質量を基準として、好ましくは０．０１〜０．１質量％の範囲の合計量、より好ましくは０．０２〜０．０８質量％の範囲の合計量で存在する；
（Ｃ）そのまたは少なくとも１種の成分（Ｃ）は、
−非置換であるか、またはＣ_１−４−アルキルおよび／または（好ましくは「または」）ハロゲンによって独立して１回または２回（好ましくは、１回）置換されているベンゾトリアゾール；
−コハク酸、および
−これらの混合物
からなる群から選択され；そして、
組成物の合計質量を基準として、好ましくは０．０１〜４質量％の範囲の合計量（より好ましくは０．１〜２質量％の範囲の合計量、さらにより好ましくは０．２〜１．５質量％の範囲の合計量）で存在する；
（Ｄ）そのまたは少なくとも１種の成分（Ｄ）はヒスチジン（好ましくは、Ｌ−ヒスチジン）であり、そして、
組成物の合計質量を基準として、好ましくは０．０１〜４質量％の範囲の合計量（より好ましくは０．０２から１質量％の範囲の合計量、さらにより好ましくは０．０５〜０．８質量％の範囲の合計量）で存在する；そして、
（Ｇ）成分（Ｇ）は、水であり、好ましくは、各場合において合計１００質量％の組成物に合わすために存在する；
なお、組成物のｐＨは３．５〜６の範囲（好ましくは、４．０〜５．５の範囲）であり、そして、好ましくは、成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）および（Ｇ）の質量％の合計量は、いずれの場合にも１００質量％になる。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明の第２の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される、本発明の第２の好ましい変形形態による組成物）も好ましい：
（Ａ）成分（Ａ）は、上記で定義される式Ｉの化合物（または上記で定義される式Ｉの好ましい化合物）であり、
好ましくは、成分（Ａ）はＮ−ホルミルモルホリンであり、
そして、組成物の合計質量を基準として、０．０１〜２０質量％の範囲（好ましくは２〜１５質量％の範囲、より好ましくは２〜１２質量％の範囲、さらにより好ましくは５〜１２質量％の範囲）の合計量で存在する；
（Ｂ）成分（Ｂ）は、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化トリエタノールアンモニウム、フッ化ジグリコアンモニウム、フッ化メチルジエタノールアンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩、フッ化水素、フルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸、アンモニウムテトラフルオロボレート、フルオロ酢酸、フルオロ酢酸アンモニウム、トリフルオロ酢酸、フルオロケイ酸、フルオロケイ酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、およびこれらの混合物からなる群から選択され；
好ましくは、そのまたは少なくとも１種の成分（Ｂ）はフッ化アンモニウムであり、より好ましくは、成分（Ｂ）はフッ化アンモニウムであり、そして、組成物の合計質量を基準として、０．０１〜０．１質量％の範囲の合計量、好ましくは０．０２〜０．０８質量％の範囲の合計量で存在する；
（Ｃ）成分（Ｃ）は、
−非置換であるか、またはＣ_１−４−アルキルおよび／または（好ましくは「または」）ハロゲンによって独立して１回または２回（好ましくは、１回）置換されているベンゾトリアゾール；
−コハク酸、および
−それらの混合物からなる群から選択され；
そして、組成物の合計質量を基準として、０．０１〜４質量％の範囲の合計量（好ましくは０．１〜２質量％の範囲の合計量、より好ましくは０．２〜１．５質量％の範囲の合計量）で存在する；
（Ｄ）成分（Ｄ）はヒスチジン（好ましくは、Ｌ−ヒスチジン）であり；
そして、組成物の合計質量を基準として、０．０１〜４質量％の範囲の合計量（好ましくは０．０２〜１質量％の範囲の合計量、より好ましくは０．０５〜０．８質量％の範囲の合計量）で存在する；そして、
（Ｇ）成分（Ｇ）は、水であり、各場合において合計１００質量％の組成物に合わせるために存在する；
なお、組成物のｐＨは、３．５〜６の範囲（好ましくは、４．０〜５．５の範囲）であり、そして、成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）および（Ｇ）の質量％の合計量は、いずれの場合にも１００質量％になる。

そのまたは少なくとも１種の成分（Ｄ）（特に、成分（Ｄ））としてのヒスチジン（好ましくは、Ｌ−ヒスチジン）を含む第二の好ましい変形形態による組成物は、そのまたは少なくとも１種の成分（Ｄ）（特に、成分（Ｄ））としてヒスチジンを含まない第２の好ましい変形形態による組成物よりもコバルト層の存在下において選択的なエッチング速度を示すことを、我々の実験において発見した。

本明細書で定義され下記の要件を有する本発明の第２の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される、本発明の第２の好ましい変形形態による組成物）も好ましい：
そのまたは少なくとも１種の成分（Ａ）はＮ−ホルミルモルホリン（ＣＡＳ ＲＮ ４３９４−８５−８）であり、成分（Ａ）は、好ましくは、Ｎ−ホルミルモルホリンである。

可溶化剤成分（Ａ）としてＮ−ホルミルモルホリンを（特に、上記で特定された好ましい合計量で）含む、本発明の第２の好ましい変形形態による組成物は、室温より低い温度でさえも、沈殿に対する組成物の優れた安定性、および向上した溶解度を示した。

本発明の第２の好ましい変形形態による組成物（成分（Ｃ）が、
−非置換であるか、またはＣ_１−４−アルキルおよび／または（好ましくは「または」）ハロゲンによって独立して１回または２回（好ましくは、１回）置換されているベンゾトリアゾール；好ましくは、５−メチル−２Ｈ−ベンゾトリアゾールおよび５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、
−コハク酸、および
−これらの混合物
からなる群から選択される）は、低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下（特に低ｋ値の材料の層および／またはコバルト層の存在下で、アルミニウム化合物（特に、酸化アルミニウム）を含むかまたはそれからなる層をエッチングするための安定で再現可能な選択的エッチング速度（すなわち、コバルト層の存在下での選択的なエッチング速度）を示した。

本明細書で定義される本発明の第２の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして上述または後述される、本発明の第２の好ましい変形形態による組成物）が特に好ましく、この組成物は、以下の成分を含むかまたはそれからなる：
（Ａ）可溶化剤としてのＮ−ホルミルモルホリン
（組成物の合計質量を基準として、好ましくは０．０１〜２０質量％の範囲、より好ましくは２〜１５質量％の範囲、さらにより好ましくは２〜１２質量％の範囲、さらにより好ましくは５〜１２質量％の範囲の合計量である）；
（Ｂ）エッチャントとしてのフッ化アンモニウム
（組成物の合計質量を基準として、好ましくは０．０１〜０．１質量％の範囲の合計量、より好ましくは０．０２〜０．０８質量％の範囲の合計量）；
（Ｃ）−５−メチル−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、
−５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、
−コハク酸、および
−これらの混合物
からなる群から選択される、腐食防止剤（組成物の合計質量を基準として、好ましくは０．０１〜４質量％の範囲の合計量、より好ましくは０．１〜２質量％の範囲の合計量、さらにより好ましくは０．２〜１．５質量％の範囲の合計量である）；
（Ｄ）キレート剤としてのヒスチジン（好ましくは、Ｌ−ヒスチジン）
（組成物の合計質量を基準として、好ましくは０．０１〜４質量％の範囲の合計量、より好ましくは０．０２〜１質量％の範囲の合計量、さらにより好ましくは０．０５〜０．８質量％の範囲の合計量である）；および
（Ｇ）各場合において合計１００質量％の組成物に合わせるための水；
なお、組成物のｐＨは、３．５〜６の範囲（好ましくは、４．０〜５．５の範囲）であり、そして、好ましくは、成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）および（Ｇ）の質量％の合計量は、いずれの場合にも１００質量％になる。

本発明は、また、本明細書で定義される本発明による組成物の使用方法（第１の好ましい変形形態の組成物および第２の好ましい変形形態の組成物の使用方法を含む）（または、好ましいものとして本明細書で記載されている本発明による使用方法）にも関するものであり、
この使用方法は、
−低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下で
（好ましくは低ｋ値の材料の層および／または銅を含む層（好ましくは、銅層）の存在下（その場所で、本発明の第１の好ましい変形形態の組成物が使用される）で、および／または、好ましくは、低ｋ値の材料の層および／またはコバルトを含む層（好ましくは、コバルト層）の存在下（その場所で、本発明の第２の好ましい変形形態の組成物が使用される）で）、（好ましくは、酸化アルミニウムの）アルミニウム化合物を含む層を選択的にエッチングするためのものであり；および／または、
−低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下（好ましくは、低ｋ値の材料の層および／または銅を含む層、好ましくは銅層の存在下（その場所で、本発明の第１の好ましい変形形態の組成物が使用される）、および／または、好ましくは、低ｋ値の材料の層および／またはコバルトを含む層（好ましくは、コバルト層）の存在下（その場所で、本発明の第２の好ましい変形形態の組成物が使用される））で、アルミニウム化合物（好ましくは、酸化アルミニウム）を含む層を基板から選択的に除去するためのものであり；および／または、
−半導体基板の表面から、低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下（好ましくは、低ｋ値の材料の層および／または銅を含む層の存在下（その場所で、本発明の第１の好ましい変形形態の組成物が使用される）、および／または、好ましくは、低ｋ値の材料の層および／またはコバルトを含む層（好ましくは、コバルト層）の存在下（その場所で、本発明の第１の好ましい変形形態の組成物が使用される））で、アルミニウム化合物（好ましくは、酸化アルミニウム）を含む層を選択的に除去するためのものである。

一般に、（第１の好ましい変形形態および第２の好ましい変形形態を含む）本発明の組成物の文脈において本明細書で論じられる本発明のすべての観点は、必要な変更を加えて、本明細書の上記および下記で定義されている本発明による前記組成物の（第１の好ましい変形形態の使用方法および第２の好ましい変形形態の使用方法を含む）使用方法に利用される。同様に、本明細書で論じられる本発明による前記組成物の使用方法のすべての観点は、必要な変更を加えて、本発明の組成物に利用される。

上記で定義される本発明による（第１の好ましい変形形態の組成物の使用方法および第２の好ましい変形形態の組成物の使用方法を含む）使用方法（または、好ましいものとして本明細書で記載されている本発明によるそれぞれの使用方法）は、特に好ましく、
この使用方法は、
（ｉ）（好ましくは、Ｔｉハードマスク、ＴｉＮハードマスク、Ｔａハードマスク、ＴａＮハードマスク、Ａｌハードマスク、ＨｆＯｘ（すなわち、酸化ハフニウム）ハードマスク、および ＡｌＣｕ（すなわち、ＡｌＣｕ合金）ハードマスク（より好ましくは、ＴｉＮハードマスク）からなる群から選択される）金属ハードマスクを除去する工程、および
（ｉｉ）銅を含む層（好ましくは、銅層）、および／またはコバルトを含む層（好ましくは、コバルト層）上に堆積されたアルミニウム化合物のエッチング阻止層を除去する工程
についての２段階のプロセスであり（好ましくは、この使用方法は、第２工程（ｉｉ）におけるものである）；
好ましくは、本発明の第１の好ましい変形形態の組成物の使用方法は、前記２段階のプロセスにおけるものであり、アルミニウム化合物のエッチング阻止層は、銅を含む層（好ましくは、銅層）上に堆積されるものであり、および／または、
好ましくは、本発明の第２の好ましい変形形態の組成物の使用方法は、前記２段階の方法におけるものであり、アルミニウム化合物のエッチング阻止層は、コバルトを含む層（好ましくは、コバルト層）上に堆積されるものである）。

本明細書において上記で定義される本発明による２段階プロセスにおける好ましい使用方法では、好ましくは、金属ハードマスクを除去するためのプロセス工程（ｉ）は、第１プロセス工程であり、そして、エッチング阻止層を除去するためのプロセス工程（ｉｉ）は、第２プロセス工程である。前記第２プロセス工程は、前記の第１プロセス工程の直後に行うことができるか、または、前記第１プロセス工程と前記第２プロセス工程との間において１つ以上の他のプロセス工程を行うことができる。

上記で定義され下記の要件を有する本発明による（第１の好ましい変形形態の組成物の使用方法および第２の好ましい変形形態の組成物の使用方法を含む）使用方法（または、好ましいものとして本明細書で記載されている本発明によるそれぞれの使用方法）も好ましい：
エッチング前のアルミニウム化合物（好ましくは、酸化アルミニウム）のエッチング阻止層の最大厚さが、３０ｎｍ以下（好ましくは２０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５ｎｍ以下）である。

上記で定義され下記の要件を有する本発明による使用方法（または、好ましいものとして本明細書で記載されている本発明による使用方法）も好ましい：
２段階プロセスが集積回路相互接続を製造するためのダマシン方法の一部である。

本発明は、半導体デバイスの製造方法にも関するものであり、この製造方法は、低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下で、アルミニウム化合物の少なくとも１つの層を本明細書で定義される本発明による組成物（第１の好ましい変形形態の組成物および第２の好ましい変形形態の組成物を含む）と少なくとも１回接触させることによって、アルミニウム化合物（好ましくは、酸化アルミニウム）を含むかまたはそれからなる少なくとも１つの層を選択的にエッチングする工程を含む。

その製造方法が、低ｋ値の材料の層および／または銅を含む層（好ましくは、銅層）の存在下で、アルミニウム化合物の少なくとも１つの層を本明細書で定義される本発明の第１の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして本明細書で記載されている本発明の第１の好ましい変形形態による組成物）と少なくとも１回接触させて、アルミニウム化合物（好ましくは、酸化アルミニウム）を含むかまたはそれからなる少なくとも１つの層を選択的にエッチングする工程を含むことが、好ましい。

その製造方法が、低ｋ値の材料の層および／またはコバルトを含む層（好ましくは、コバルト層）の存在下で、アルミニウム化合物の少なくとも１つの層を本明細書で定義される本発明の第２の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして本明細書で記載されている本発明の第２の好ましい変形形態による組成物）と少なくとも１回接触させて、アルミニウム化合物（好ましくは、酸化アルミニウム）を含むかまたはそれからなる少なくとも１つの層を選択的にエッチングする工程を含むことが、好ましい。

一般に、本発明の組成物および／または前記組成物の本発明の使用方法の文脈において本明細書で論じられる本発明のすべての観点は、必要な変更を加えて、本明細書の上記および下記で定義されている本発明の半導体デバイスの製造方法に利用される。同様に、本明細書で論じられる本発明の半導体デバイスの製造方法のすべての観点は、必要な変更を加えて、本発明の組成物および／または前記組成物の本発明の使用方法に利用される。

上記で定義され下記の要件を有する本発明による方法が好ましい：
前記エッチングは、低ｋ値の材料の層と銅および／またはコバルトを含む層との存在下（好ましくは、低ｋ値の材料の層と銅を含む層（好ましくは、銅層）との存在下）で行われ、
本明細書で定義される本発明の第１の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして本明細書で記載されている本発明の第１の好ましい変形形態による組成物）が（好ましくは、低ｋ値の材料の層およびコバルトを含む層（好ましくは、コバルト層）の存在下で）使用され、そして、
本明細書で定義される本発明の第２の好ましい変形形態による組成物（または、好ましいものとして本明細書で記載されている本発明の第２の好ましい変形形態による組成物）が使用されている。

上記で定義され下記の要件を有する本発明による方法（または、好ましいものとして本明細書で記載されている本発明による方法）も好ましい：
アルミニウム化合物を含むかまたはそれからなる前記の少なくとも１つの層は上層であり、銅および／またはコバルトを含む層は、上層によって覆われた下層であり、少なくとも１つのさらなる層が最上層と下層との間に存在するかまたは存在しない（好ましくは、少なくとも１つのさらなる層が最上層と下層との間に存在しない（すなわち、いかなるさらなる層も存在しない）。

上記で定義され下記の要件を有する本発明による方法（または、好ましいものとして本明細書で記載されている本発明による方法）も好ましい：
半導体デバイスを製造するための方法が集積回路相互接続を製造するためのダマシン法である。

上記で定義され下記の要件を有する本発明による方法（または、好ましいものとして本明細書で記載されている本発明による方法）も好ましい：
その方法は、２段階の洗浄方法（好ましくは、半導体デバイスの洗浄方法）を含み、
その方法は、
−第１工程において、（好ましくは、Ｔｉハードマスク、ＴｉＮハードマスク、Ｔａハードマスク、ＴａＮハードマスク、Ａｌハードマスク、ＨｆＯｘ（酸化ハフニウム）ハードマスク、およびＡｌＣｕハードマスク；より好ましくは、ＴｉＮハードマスクからなる群から選択される）金属ハードマスクを除去する工程、
−その除去する工程の後に、別の第２工程において、アルミニウム化合物（好ましくは、酸化アルミニウム）を含むかまたはそれからなる少なくとも１つの層を選択的にエッチングする工程
を含む。

好ましくは、上記で定義される本発明の好ましい方法における金属ハードマスクは、Ｔｉハードマスク、ＴｉＮハードマスク、Ｔａハードマスク、ＴａＮハードマスク、Ａｌハードマスク、ＨｆＯｘ（すなわち、酸化ハフニウム）ハードマスク、およびＡｌＣｕ（すなわち、ＡｌＣｕ合金）ハードマスクからなる群から選択される。より好ましくは、金属ハードマスクは、ＴｉＮハードマスクである。

上記で定義される本発明による好ましい２段階プロセスにおいて、前記の別の第２プロセス工程は、前記第１プロセス工程の直後に行うことができ、または前記第１プロセス工程と前記の別の第２プロセス工程との間に１つ以上の他のプロセス工程を行うことができる。

上記で定義され下記の要件を有する本発明による方法（または、好ましいものとして本明細書で記載されている本発明による方法）も好ましい：
エッチング前のアルミニウム化合物（好ましくは、酸化アルミニウム）の少なくとも１つの層の最大厚さは、３０ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５ｎｍ以下である。

いくつかの場合では、上記で定義され下記の要件を有する本発明による方法（または、好ましいものとして本明細書で記載されている本発明による方法）が好ましい：
アルミニウム化合物（好ましくは、酸化アルミニウム）を含むかまたはそれからなる少なくとも１つの層の最大厚さは、２ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以下、より好ましくは０．５ｎｍ以下である。

以下の実施例は、本発明の範囲を限定することなく、本発明をさらに説明することを意図している。

実施例１：本発明による組成物（第１の好ましい変形形態）および比較組成物（本発明ではない）の調製
本発明の第１の好ましい変形形態による下記の好ましい組成物（「Ｉ」として記されている、すなわち組成物Ｉ１からＩ８）は、使用される場合には、成分（Ａ）〜（Ｇ）または（Ａ）〜（Ｈ）を混合することにより調製された。詳細を下記の表１ａに示す。本発明によるさらなる組成物（「Ｉ」として記されている、すなわち、組成物Ｉ９〜Ｉ１３）は、使用される場合には、成分（Ａ）〜（Ｇ）または（Ａ）〜（Ｈ）を混合することによって調製された。詳細を以下の表１ｂに示す。さらに、以下の表１ｃにより詳細に示されるように、比較組成物（本発明ではない、「Ｃ」として記されている、すなわち組成物Ｃ１〜Ｃ２）も同様の方法で調製された。異なる組成物のｐＨを調整するために、酸性緩衝液成分（水中の９６％質量／質量溶液としての酢酸（酢酸緩衝液を使用している））の合計量が組成物に添加され、その後、組成物が所望のｐＨに達するまで、適切な量の対応する塩基性（アルカリ性）緩衝液成分（水中の２９質量％溶液としてのアンモニア（酢酸緩衝液を使用している））を添加した。

ＢＤＧ：ブチルジグリコール（ジエチレングリコールブチルエーテル）
表１ａ、１ｂ、および１ｃにおける構成成分のすべての質量％は、純粋な希釈されていない化合物として計算される。

実施例２：試験組成物（第１の好ましい変形形態）の酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）および銅についてのエッチング結果の決定
適当なタイプの外層を備えたＳｉウェーハまたはウェーハ片（以下では「試験ウェーハ」と総称される）は、商業的供給源から入手した。試験ウェーハは必要に応じて前処理された。Ｃｕはシュウ酸溶液に２０〜３０秒間浸漬され、その後、水で洗い流して、乾燥した。ＡｌＯｘでコーティングされた表面は、前処理されなかった。試験ウェーハ上の銅層およびＡｌＯｘ層の厚さは、各場合において、１００オングストロームであった。

酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）でコーティングされた表面は、（上記で定義される）アルミニウム化合物（を含むかまたはそれからなる）層の代表的なモデルとして使用された。

（表１ａ、１ｂ、および１ｃで定義される）試験組成物を調製した。そして、試験ウェーハ（上記参照）を、ガラスビーカー内で、６０°Ｃの温度で、ＡｌＯｘ表面の場合には１分間の反応時間（Ｃｕ表面の場合には５分間〜１０分間）で試験組成物と接触させた。次に、試験組成物から取り出し、水またはイソプロパノールですすぎ、窒素ガスで乾燥させた。

試験ウェーハ上の銅および酸化アルミニウム層の厚さは、Ｘ線蛍光分析によって、試験組成物との接触の前後で決定された。再現性を確保するために、実験を少なくとも３回繰り返した。

試験組成物との接触前の銅またはＡｌＯｘ層（それぞれ）の厚さの測定値の差（試験組成物との接触後の同じ銅または酸化アルミニウム層（それぞれ）の厚さの測定値を差し引いたもの）は、各場合において、全エッチング損失として決定された。そして、そのように決定された全エッチング損失をプロセス時間で割ってエッチング速度を算出した。結果を、試験組成物との接触後の層のエッチング速度（オングストローム／分）として、下記の表２に示す（表２において与えられた各値は、少なくとも３回の実験の平均を表す）。

Ｓｉウェーハ上のＡｌＯｘ層についての表２におけるの「＞１００」のエッチング速度値は、ＡｌＯｘ層全体が、対象反応時間が１分間以内にまたは対象反応時間が１分間経過する前に、正確なエッチング速度をこれらの場合では測定することができなかったという効果を有して（このような場合には、以下「オーバーエッチング」の場合とも呼ばれる）除去されたことを意味する。

得られた試験結果から、以下のことが理解できる：
表１ａ（Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４、Ｉ５、Ｉ６、およびＩ７）にリスト化されている本発明の第１の好ましい変形形態による好ましい試験組成物のすべては、ＡｌＯｘ対Ｃｕ層のエッチングに関してエッチング速度の高い選択性を示す（表２の結果を参照）。ＡｌＯｘ層の「オーバーエッチング」（つまり、＞ １００％のエッチング）が発生すると、ｐＨ値が６．４（または、それを超える：組成物Ｉ６およびＩ７参照）の組成物では（対象時間内に）最初に消える。したがって、ｐＨ６．４（または、それを超える：最大のｐＨは７．５）を有する組成物は、本発明による好ましい試験組成物と見なされる。

オーバーエッチングの結果は、最適なｐＨまたは組成物からの逸脱によって、エッチング速度の好ましくない増加、ひいてはエッチング速度の選択性の喪失がもたらされる可能性があることを示している。エッチング結果を最適化するためのエッチング時間の単なる短縮は、実用上の制限によってエッチング時間の不正確さをもたらす可能性があるので、好ましくない。例えば、本実施例においてＡｌＯｘ層をエッチングするために選択された１分間のエッチング時間は、工業的に関連する期間である。実用的な理由から、特定の組成物で達成されたエッチング速度は、全エッチング損失以外にも、関心が存在する。

実際に最も好ましいｐＨ範囲（ｐＨ６．８〜７．５）では、有機溶媒を含む本発明の第１の好ましい変形形態による組成物は、不完全なエッチング結果を示す傾向が強く、ｐＨ値７．１と７．３との間で急激に低下する（組成物Ｉ４およびＩ５を参照）。これに対して、有機溶媒を含まない組成物Ｉ１は、好ましいｐＨ範囲において、Ｃｕ層についての高いエッチング速度であるが制御されたエッチング速度（しかし、オーバーエッチングはない）、および高いエッチング速度選択性を示している。したがって、有機溶媒を含まない本発明の第１の好ましい変形形態による組成物（例えば、組成物Ｉ１およびＩ２参照）が好ましい。

表１ｂにリスト化されている本発明の第１の好ましい変形形態による試験組成物は、良好であるか（有機溶媒を含まないかまたは好ましい有機溶媒を含む組成物Ｉ９、Ｉ１０参照）または満足である（組成物Ｉ１１、Ｉ１２、およびＩ１３参照、これらのすべては、あまり好ましくない有機溶媒としてブチルジグリコールを含む）ＡｌＯｘ対Ｃｕ層のエッチングに対するエッチング速度の選択性を示す。表１ｂにリスト化されているすべての試験組成物は、使用される反応条件下でオーバーエッチングを示した。

表１ｃ（Ｃ１、Ｃ２）にリスト化されている比較組成物は、ＡｌＯｘ対Ｃｕ層のエッチングについて満足するエッチング速度の選択性を示さなかった。つまり、各場合において、Ｃｕ層の著しく好ましくないエッチングが観察された（上記の表２参照）。

実施例３：本発明による組成物（第２の好ましい変形形態）および比較組成物（本発明ではない）の調製
本発明の第２の好ましい変形形態による以下の組成物（組成物Ｉ２０、Ｉ２１、およびＩ２２）は、成分（Ａ）〜（Ｄ）および（Ｇ）を混合することにより調製された。詳細を以下の表３に示す。さらに、比較組成物（本発明ではない、組成物Ｃ２０およびＣ２１）も、以下の表４においてより詳細に示すように、同様の方法で調製した。

ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド
表３および４における成分のすべての質量％は、純粋な希釈されていない化合物として計算されている。

実施例４：試験組成物の酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）およびコバルトのエッチング結果の決定（第２の好ましい変形形態）
適切なタイプの外層（Ｃｏ；ＡｌＯｘ；プラズマ蒸着されたオルトケイ酸テトラエチル（「ＴＥＯＳ」：ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ））を備えたＳｉウェーハまたはウェーハ片（以下では、まとめて「試験ウェーハ」と呼ぶ）は、商業的供給元から入手した。試験ウェーハは、必要に応じて前処理された。Ｃｏは、シュウ酸溶液に２０〜３０秒間浸され、次に水で洗い流して乾燥された。ＡｌＯｘでコーティングされた表面は、前処理されなかった。

酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）でコーティングされた表面は、（上記で定義される）アルミニウム化合物（を含むかまたはからなる）層の代表的なモデルとして使用された。

（表３および４で定義される）試験組成物を調製した。そして、試験ウェーハ（上記参照）は、コバルトでコーティングされた表面の場合には４０°Ｃの温度で１分間の反応時間で、酸化アルミニウムでコーティングされた表面の場合には温度３５°Ｃで１５秒の反応時間で、および、ＴＥＯＳ表面の場合には温度３５°Ｃで１０分間の反応時間で、ガラスビーカー内で試験組成物と接触させた。次に、試験ウェーハを試験組成物から取り出し、水またはイソプロパノールで洗い流して、窒素ガスで乾燥させた。

試験ウェーハ上のコバルト、ＴＥＯＳ、および酸化アルミニウム層の厚さは、Ｘ線蛍光分析によって、試験組成物との接触の前後で決定された。再現性を確保するために、実験を少なくとも３回繰り返した。

試験組成物との接触前のコバルト、ＴＥＯＳ、またはＡｌＯｘ層（それぞれ）の厚さの測定値の差（試験組成物との接触後の同じコバルト、ＴＥＯＳ、またはＡｌＯｘ層（それぞれ）の厚さの測定値を差し引いたもの）は、各場合において、全エッチング損失として決定された。そして、そのように決定された全エッチング損失をプロセス時間で割ってエッチング速度を算出した。結果を、試験組成物との接触後の層のエッチング速度（オングストローム／分）として、下記の表５に示す（表５において与えられた各値は、少なくとも３回の実験の平均を表す）。

表５に示される試験結果から、以下のことが理解できる。

本発明による組成物Ｉ２０は、ＡｌＯｘ対ＣｏおよびＴＥＯＳ層のエッチングについて満足なエッチング速度の選択性を示している。

本発明による組成物Ｉ２２およびＣ２０（本発明ではない比較組成物）は、ＡｌＯｘ対Ｃｏ層のエッチングについてのエッチング速度の選択性に関して同様の満足できる結果を示している（以下の実施例５の結果も参照）。

実施例５：沈殿に対する試験組成物（第２の好ましい変形形態）の安定性
本発明による試験組成物Ｉ２０および比較試験組成物Ｃ２０は、７２時間、５℃に冷却された。 冷却期間の直後に、両方の組成物は、溶液の安定性（すなわち、沈殿した物質）について視覚的に検査された。

本発明による組成物Ｉ２０は、冷却期間後も透明のままであり、低温でも溶液の安定性を示しており、一方、比較組成物Ｃ２０は、材料の沈殿を示し、室温未満の温度では溶液の安定性が不十分であることを示すことが分かった。

こうしたことから、本発明による可溶化剤（組成物Ｉ２０中では：Ｎ−ホルミルモルホリン）を含む組成物は、本発明による組成物と比べて可溶化剤を含まないかまたは他の可溶化剤（比較組成物Ｃ２０では：ＤＭＳＯ）を含む組成物と比較して、沈殿に対する溶液の安定性が向上されたことを示していると結論付けることができる。

この分野で知られているように、半導体デバイスの製造に使用する１種以上の材料をエッチングするための組成物は、製造条件下で安定している必要があり、たとえば、前記製造方法またはその製品を妨害または破損する可能性がある沈殿物を形成しない。したがって、半導体デバイスの製造に使用するための１種以上の材料をエッチングするための、そのような製造方法の条件下で沈殿物を形成する組成物は、工業的使用には許容されない。

Claims (15)

1. 低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下で、アルミニウム化合物を含む層を選択的にエッチングするための組成物であって、
   （Ａ）
   ‐ 式Ｉの化合物：
   

   

   （式中、Ｒ^１は、
   ‐ 水素原子、および
   ‐ −Ｃ（Ｏ）−Ｒ^２（式中、Ｒ^２は、水素原子、および１、２、３、または４個の炭素原子を有するアルキルからなる群から選択される）
   からなる群から選択される）；
   ‐ 式ＩＩの化合物：
   

   

   （式中、Ｒ^３は、１、２、３、または４個の炭素原子を有するアルキルである）；
   ‐ トリメチルアミン−Ｎ−オキシド、
   ‐ トリエチルアミン−Ｎ−オキシド、
   ‐ トリエタノールアミン−Ｎ−オキシド、
   ‐ ピリジン−Ｎ−オキシド、
   ‐ Ｎ−エチルピロリジン−Ｎ−オキシド、および
   ‐ これらの混合物
   からなる群から選択される、１種以上の可溶化剤；
   （Ｂ）１種以上のフッ化物アニオン含有エッチャント；
   （Ｃ）非置換であるか、またはＣ_１−４−アルキル、アミノ−Ｃ_１−４−アルキル、フェニル、チオフェニル、ハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、および／またはチオールにより独立して１回または２回置換されているベンゾトリアゾール；エチレン尿素、エチレンチオ尿素、１，２，４−トリアゾール、５−アミノ−テトラゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４トリアゾール、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、トリルトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール、ナフトトリアゾール、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸、１−フェニル−２−テトラゾリン−５−チオン、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−メルカプトチアゾリン、２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、チアゾール、イミダゾール、ベンズイミドアゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，５−ペンタメチレンテトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、２Ｈ−イミダゾール−２−チオン、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、ベンゾチアゾール、リン酸トリトリル、インダゾール、アデニン、シトシン、グアニン、チミン、２，２’−アザンジイル二酢酸、プロパンチオール、クエン酸、アスコルビン酸、チオ尿素、１，１，３，３−テトラメチル尿素、尿素、尿酸、グリシン、ドデシルホスホン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、ニトリロ三酢酸、およびこれらの混合物からなる群から選択される、１種以上の腐食防止剤；
   （Ｄ）ヒスチジン、１，２−シクロヘキシレンジジニトリロ四酢酸、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン、アセチルアセトナート、２，２’−アザンジイル二酢酸、エチレンジアミン四酢酸、エチドロン酸、メタンスルホン酸、アセチルアセトン、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン、１，４−ベンゾキノン、８−ヒドロキシキノリン、サリチリデンアニリン；テトラクロロ−１，４−ベンゾキノン、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾール、２−（２−ヒドロキシ−フェニル）−ベンゾチアゾール、ヒドロキシキノリンスルホン酸、スルホサリチル酸、サリチル酸、ピリジン、２−エチルピリジン、２−メトキシピリジン、３−メトキシピリジン、２−ピコリン、ジメチルピリジン、ピペリジン、ピペラジン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、エチルアミン、メチルアミン、イソブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、トリブチルアミン、ジプロピルアミン、ジメチルアミン、ジグリコールアミン、モノエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、ピロール、イソキサゾール、ビピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、インドール、１−メチルイミダゾール、ジイソプロピルアミン、ジイソブチルアミン、アニリン、ペンタメチルジエチレントリアミン、アセトアセトアミド、カルバミン酸アンモニウム、ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム、マロン酸ジメチル、アセト酢酸メチル、Ｎ−メチルアセトアセトアミド、チオ安息香酸テトラメチルアンモニウム、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、テトラメチルチウラムジスルフィド、乳酸、乳酸アンモニウム、ギ酸、プロピオン酸、ガンマ−ブチロラクトン、およびこれらの混合物からなる群から選択される、１種以上のキレート剤；および
   （Ｇ）水
   を含む、組成物。
2. ‐ 前記のまたは少なくとも１種の前記成分（Ａ）が、
   ‐ 請求項１において定義される式Ｉの化合物；および
   ‐ 請求項１において定義される式ＩＩの化合物
   からなる群から選択され；および／または
   ‐ 成分（Ｂ）が、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化トリエタノールアンモニウム、フッ化ジグリコアンモニウム、フッ化メチルジエタノールアンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩、フッ化水素、フルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、フルオロ酢酸、フルオロ酢酸アンモニウム、トリフルオロ酢酸、フルオロケイ酸、フルオロケイ酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、およびこれらの混合物からなる群から選択され、そして、好ましくは、前記のまたは少なくとも１種の成分（Ｂ）がフッ化アンモニウムであり、より好ましくは、成分（Ｂ）がフッ化アンモニウムであり；および／または
   ‐ 前記のまたは少なくとも１種の前記の成分（Ｃ）が、
   ‐ 非置換であるか、またはＣ_１−４−アルキル、アミノ−Ｃ_１−４−アルキル、フェニル、チオフェニル、ハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、および／またはチオールによって独立して１回または２回置換されているベンゾトリアゾール；好ましくは、非置換であるか、またはＣ_１−４−アルキルおよび／またはハロゲンにより独立して１回または２回置換されているベンゾトリアゾール、
   ‐ コハク酸、および
   ‐ これらの混合物
   からなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
3. ‐ 前記のまたは少なくとも１種の前記成分（Ｄ）が、ヒスチジン（好ましくは、Ｌ−ヒスチジン）、１，２−シクロヘキシレンジニトリロ四酢酸、およびこれらの混合物からなる群から選択され；および／または
   ‐ 前記組成物が、さらなる成分として、（Ｅ）１種以上の界面活性剤を含む、請求項１または２に記載の組成物。
4. ‐ 前記組成物のｐＨが３．５〜８の範囲であり、および／または
   ‐ 前記組成物が、さらなる成分として、（Ｆ）前記組成物のｐＨを３．５〜８の範囲で緩衝するのに適した緩衝系を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
5. （Ａ）
   ‐ 請求項１において定義される式Ｉの化合物、および
   ‐ 請求項１において定義される式ＩＩの化合物
   からなる群から選択される、１種以上の可溶化剤；
   （Ｂ）フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化トリエタノールアンモニウム、フッ化ジグリコアンモニウム、フッ化メチルジエタノールアンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩、フッ化水素、フルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、フルオロ酢酸、フルオロ酢酸アンモニウム、トリフルオロ酢酸、フルオロケイ酸、フルオロケイ酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、およびこれらの混合物からなる群から選択される、１種以上のエッチャント；ここで、好ましくは、前記のまたは少なくとも１種の前記のエッチャントの成分（Ｂ）がフッ化アンモニウムであり、より好ましくは、エッチャントの成分（Ｂ）がフッ化アンモニウムである；
   （Ｃ）‐ 非置換であるか、またはＣ_１−４−アルキル、アミノ−Ｃ_１−４−アルキル、フェニル、チオフェニル、ハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、および／またはチオールによって独立して１回または２回置換されているベンゾトリアゾール；ここで、好ましくは、非置換であるか、またはＣ_１−４−アルキルおよび／またはハロゲンにより独立して１回または２回置換されているベンゾトリアゾール、
   ‐ コハク酸、および
   ‐ これらの混合物
   からなる群から選択される、１種以上の腐食防止剤；
   （Ｄ）ヒスチジン、１，２−シクロヘキシレンジニトリロ四酢酸、およびこれらの混合物からなる群から選択される、１種以上のキレート剤；および
   （Ｇ）水
   を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物であって、
   前記組成物のｐＨが３．５〜８の範囲である、組成物。
6. （Ａ）４−メチル−モルホリン−４−オキシド、トリメチルアミン−Ｎ−オキシド、トリエチルアミン−Ｎ−オキシド、トリエタノールアミン−Ｎ−オキシド、ピリジン−Ｎ−オキシド、Ｎ−エチルモルホリン−Ｎ−オキシド、Ｎ−エチルピロリジン−Ｎ−オキシド、およびこれらの混合物からなる群から選択される、１種以上の可溶化剤；
   （Ｂ）フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化トリエタノールアンモニウム、フッ化ジグリコアンモニウム、フッ化メチルジエタノールアンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩、フッ化水素、フルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、フルオロ酢酸、フルオロ酢酸アンモニウム、トリフルオロ酢酸、フルオロケイ酸、フルオロケイ酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、およびこれらの混合物からなる群から好ましくは選択される、１種以上のフッ化物アニオン含有エッチャント；
   （Ｃ）ベンゾトリアゾール、６−メチル−ベンゾトリアゾール、５−メチル−ベンゾトリアゾール、エチレン尿素、エチレンチオ尿素、１，２，４−トリアゾール、５−アミノテトラゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、トリルトリアゾール、５−フェニル−ベンゾトリアゾール、５−ニトロ−ベンゾトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、２−（５−アミノ−ペンチル）−ベンゾトリアゾール、１−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール、５−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロベンゾトリアゾール、ナフトトリアゾール、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸、２−メルカプトベンゾチアゾール、１−フェニル−２−テトラゾリン−５−チオン、２−メルカプトベンズイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−メルカプトチアゾリン、２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、チアゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，５−ペンタメチレン−テトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、２Ｈ−イミダゾール−２−チオン、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、ベンゾチアゾール、リン酸トリトリル、インダゾール、アデニン、シトシン、グアニン、チミン、２，２’−アザンジイル二酢酸、プロパンチオール、クエン酸、アスコルビン酸、チオ尿素、１，１，３，３−テトラメチル尿素、尿素、尿酸、グリシン、ドデシルホスホン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、ニトリロ三酢酸、およびこれらの混合物からなる群から選択される、１種以上の腐食防止剤；
   （Ｄ）１，２−シクロヘキシレンジジニトリロ四酢酸、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタン−ジオン、アセチルアセトナート、２，２’−アザンジイル二酢酸、エチレンジアミン四酢酸、エチドロン酸、メタンスルホン酸、アセチルアセトン、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン、１，４−ベンゾキノン、８−ヒドロキシキノリン、サリチリデンアニリン；テトラクロロ−１，４−ベンゾキノン、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾール、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾール、ヒドロキシキノリンスルホン酸、スルホサリチル酸、サリチル酸、ピリジン、２−エチルピリジン、２−メトキシピリジン、３−メトキシピリジン、２−ピコリン、ジメチルピリジン、ピペリジン、ピペラジン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、エチルアミン、メチルアミン、イソブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、トリブチルアミン、ジプロピルアミン、ジメチルアミン、ジグリコールアミン、モノエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、ピロール、イソキサゾール、ビピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、インドール、１−メチルイミダゾール、ジイソプロピルアミン、ジイソブチルアミン、アニリン、ペンタメチルジエチレントリアミン、アセトアセトアミド、カルバミン酸アンモニウム、ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム、マロン酸ジメチル、アセト酢酸メチル、Ｎ−メチルアセトアセトアミド、チオ安息香酸テトラメチルアンモニウム、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、テトラメチルチウラムジスルフィド、乳酸、乳酸アンモニウム、ギ酸、プロピオン酸、ガンマ−ブチロラクトン、およびこれらの混合物からなる群から選択される、１種以上のキレート剤；
   （Ｅ）１種以上の界面活性剤；
   （Ｆ）前記組成物のｐＨを６〜８の範囲に緩衝するのに適した緩衝系；および
   （Ｇ）水
   を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物であって、
   前記組成物のｐＨが６〜８の範囲である、組成物。
7. 存在する成分（Ａ）の１種以上の可溶化剤の合計量が、前記組成物の合計質量を基準として、０．０１〜２０質量％の範囲、好ましくは２〜１５質量％の範囲、より好ましくは２〜１２質量％の範囲である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物（好ましくは、請求項３に記載の組成物）。
8. 存在する成分（Ｂ）の１種以上のエッチャントの合計量が、前記組成物の合計質量を基準として、０．００１〜１質量％の範囲、好ましくは０．０１〜０．１質量％の範囲である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物（好ましくは、請求項５に記載の組成物）。
9. 存在する成分（Ｃ）の１種以上の腐食防止剤の合計量が、前記組成物の合計質量を基準として、０．０１〜４質量％の範囲、好ましくは０．１〜２質量％の範囲である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の組成物。
10. 低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下で、アルミニウム化合物を含む層を選択的にエッチングするためであるか；および／または、
    低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下で、アルミニウム化合物を含む層を基板から選択的に除去するためであるか；および／または、
    低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下で、アルミニウム化合物を含む層を半導体基板の表面から選択的に除去するための、請求項１〜９のいずれか一項に記載の組成物の使用方法。
11. （ｉ）金属ハードマスク（好ましくは、Ｔｉハードマスク、ＴｉＮハードマスク、Ｔａハードマスク、ＴａＮハードマスク、Ａｌハードマスク、ＨｆＯｘハードマスク、およびＡｌＣｕハードマスクからなる群から選択される金属ハードマスク、より好ましくは、ＴｉＮハードマスク）、および
    （ｉｉ）銅を含む層（好ましくは、銅層）および／またはコバルトを含む層（好ましくは、コバルト層）上に堆積されたアルミニウム化合物のエッチング停止層
    を除去するための２段階のプロセスにおける、請求項１０に記載の使用方法であって、
    前記使用方法が、好ましくは、前記の第２の工程（ｉｉ）におけるものである、使用方法。
12. 低ｋ値の材料の層ならびに／あるいは銅および／またはコバルトを含む層の存在下でのアルミニウム化合物を含むかまたはそれからなる少なくとも１つの層を、前記のアルミニウム化合物の少なくとも１つの層を請求項１〜９のいずれか一項に記載の組成物と少なくとも１回接触させることによって、選択的にエッチングする工程を含む、半導体デバイスの製造方法であって、
    前記エッチングが、好ましくは、低ｋ値の材料の層ならびに銅および／またはコバルトを含む層の存在下で行われる、製造方法。
13. アルミニウム化合物を含むかまたはそれからなる前記の少なくとも１つの層が、最上層であり、そして、銅および／またはコバルトを含む層が、前記最上層によって覆われた下層であり、さらに、少なくとも１つのさらなる層が、前記最上層と前記下層との間に存在するかまたは存在しない、請求項１２に記載の製造方法。
14. ２段階の洗浄方法を含む、請求項１２または１３に記載の製造方法であって、前記洗浄方法が、
    金属ハードマスク（好ましくは、Ｔｉハードマスク、ＴｉＮハードマスク、Ｔａハードマスク、ＴａＮハードマスク、Ａｌハードマスク、ＨｆＯｘハードマスク、およびＡｌＣｕハードマスクからなる群から選択される金属ハードマスク；より好ましくは、ＴｉＮハードマスク）を第１の工程で除去する工程、および
    その第１の工程の後に、前記のアルミニウム化合物を含むかまたはそれからなる少なくとも１つの層を、別の第２の工程において、選択的にエッチングする工程を含む、製造方法。
15. エッチング前におけるアルミニウム化合物を含むかまたはそれからなる少なくとも１つの層が、３０ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５ｎｍ以下の最大厚さを有する、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の製造方法。