JP2021505972A - 表示パネル、ディスプレイ及び表示端末 - Google Patents

Abstract

本発明は、表示パネル、ディスプレイ及び表示端末を提供する。表示パネルは、基板と、前記基板に設けられ、波状になっておる複数の第１電極とを含み、複数の前記第１電極は、同じ方向に沿って並行に延びており、隣接する第１電極の間に隙間があけられ、前記第１電極の延在方向において、前記第１電極の幅は連続的又は断続的に変化するとともに、前記隙間も連続的又は断続的に変化する。

Description

本発明は、表示技術分野に関し、特に表示パネル、ディスプレイ及び表示端末に関する。

電子機器の急速な発展に伴い、スクリーン占有率に対するユーザーの要求がますます高まっており、全面スクリーンで表示可能な電子機器は業界においてますます注目を集めている。携帯電話やタブレット等の従来の電子機器において、フロントカメラ、イヤホーン、赤外線検知素子等を統合する必要があるため、ディスプレイにノッチ（Ｎｏｔｃｈ）を設け、当該ノッチ領域に透明なディスプレイを設けることで、表示端末の全面スクリーンでの表示を実現できる。しかしながら、カメラなどの受光部品を表示パネルの下に置くと、撮影された画像が大きくぼけた可能性が高い。

そこで、従来の電子機器において、カメラを表示パネルの下に置くと撮影された画像が大きくぼける可能性が高いという問題に対し、新たに表示パネル、ディスプレイ、表示端末を提案する必要がある。

本発明の表示パネルは、基板と、前記基板に設けられ、波状になっておる複数の第１電極とを含み、複数の前記第１電極は、同じ方向に沿って並行に延びており、隣接する第１電極の間に隙間があけられ、前記第１電極の延在方向において、前記第１電極の幅は連続的又は断続的に変化するとともに、前記隙間も連続的又は断続的に変化する。

上記した表示パネルには、複数の第１電極が設けられており、第１電極の延在方向において、第１電極の幅が連続的又は断続的に変化し、よって隣接する第１電極の間の隙間も連続的又は断続的に変化する。これによって、第１電極の幅が異なる箇所、及び隣接する第１電極の間の隙間が異なる箇所に発生される回折縞の位置が異なる。異なる位置での回折効果が相殺されることにより、回折効果を効果的に弱めることができる。従って、カメラを該透明な表示パネルの下方に配置した場合に、撮影された画像が高い鮮明度を有することを確保できる。

一実施例において、前記第１電極が前記延在方向の両辺が共に波状であり、前記両辺のピークが対向し、トラフも対向するように配置されている。

一実施例において、前記第１電極は、トラフが対向する箇所において、ストリップ状の接続部が形成される。

一実施例において、前記表示パネルは、ＰＭＯＬＥＤ表示パネルであり、前記第１電極に積層配置された第２電極をさらに含み、前記第２電極の延在方向と、第１電極の延在方向とは互いに垂直である。

一実施例において、前記第１電極はアノードであり、前記第２電極はカソードであり、各前記アノードが、１行／列又は複数行／列の副画素を駆動するように用いられる。

一実施例において、各前記アノードは、１行／列の画素を駆動するように用いられ、１つの画素は少なくとも３つの副画素を含み、前記アノードは両辺におけるピークが対向する箇所の幅が、３０μｍ〜（Ａ−Ｘ）の範囲であり、前記アノードは両辺におけるトラフが対向する箇所の幅が、Ｘより大きいまたは前記ピークが対向する箇所の幅より小さい。ここで、Ａは画素サイズであり、Ｘは最小加工寸法であり、前記Ａは（３０＋Ｘ）μｍ以上である。

一実施例において、各前記アノードは、１行／列の副画素を駆動するように用いられ、前記アノードは両辺におけるピークが対向する箇所の幅が、Ｘ〜（（Ａ−Ｘ）／Ｎ）の範囲であり、前記アノードは両辺におけるトラフが対向する箇所の幅が、Ｘより大きいまたは前記ピークが対向する箇所での幅より小さい。ここで、Ａは画素サイズであり、Ｘは最小加工寸法であり、Ｎは各画素に含まれる副画素の列数／行数である。

一実施例において、前記カソードの形状は、前記アノードの形状と同一である。

一実施例において、１つのアノードが駆動する副画素の列数／行数は、Ｎであり、１つのカソードが駆動する副画素の列数／行数は、Ｍであり、Ｎは、Ｍの３倍以上である。

一実施例において、前記カソードは、自体の延在方向上の両辺が共に波状であり、前記両辺のピークが対向し、トラフも対向するように配置され、前記カソードにおけるトラフが対向する箇所に、ストリップ状の接続部が設けられる。

一実施例において、１つのカソードが駆動する画素の列数／行数は、１つのアノードが駆動する画素の列数／行数と等しく、前記カソードの両辺におけるピークが対向する箇所の幅Ｗ３は、（Ｗ１−Ｘ）であり、前記カソードの接続部の幅Ｗ４は、Ｘより大きいまたは前記カソードにおけるピークが対向する箇所の幅よりも小さい。ここで、前記Ｗ１は、前記アノードの両辺におけるピークの対向する箇所の幅であり、Ｘは、最小加工寸法である。

一実施例において、１つのアノードが駆動する副画素の列数／行数はＮであり、１つのカソードが駆動する副画素の列数／行数はＭであり、ＮはＭの３倍以上であり、前記カソードの両辺におけるピークが対向する箇所の幅は、Ｘ〜（（Ａ−Ｘ）／３）の範囲であり、前記カソードの接続部の幅は、Ｘより大きいまた前記カソードにおけるピークが対向する箇所の幅よりも小さい。ここで、Ａは画素サイズであり、Ｘは最小加工寸法である。

一実施例において、Ｘは４μｍである。

一実施例において、前記表示パネルは、ＡＭＯＬＥＤ表示パネルであり、前記基板は、ＴＦＴアレイ基板であり、前記第１電極は、前記ＴＦＴアレイ基板上の走査線、データ線、及び電力線の少なくとも１つである導電性トレースを含む。

一実施例において、前記表示パネルは、前記基板の上に設けられたアノード層をさらに含み、前記アノード層は、アノードアレイを含み、前記アノードは、円形、楕円形、又はダンベル状である。

一実施例においって、前記第１電極には、前記第１電極のエッジに沿って配列される複数の突出が設けられている。

本発明のディスプレイは、第１表示領域を含む少なくとも１つの表示領域を有し、前記第１表示領域の下には、受光部品が設けられてもよい。

ここで、前記第１表示領域に、前述実施例のいずれか１つに記載の表示パネルが設けられており、前記少なくとも１つの表示領域がそれぞれに静止画像又は動画像を表示するように用いられる。

一実施例において、前記少なくとも１つの表示領域は、第２表示領域をさらに含み、前記第１表示領域に設けられた表示パネルは、ＰＭＯＬＥＤ表示パネル又はＡＭＯＬＥＤ表示パネルであり、前記第２表示領域に設けられた表示パネルは、ＡＭＯＬＥＤ表示パネルである。

本発明の表示端末は、部品領域を有する機器本体と、前記機器本体を覆うように設けられた前述実施例の何れか１つに記載のディスプレイとを含み、前記部品領域は、前記第１表示領域の下に位置され、前記部品領域には、前記第１表示領域を介して光を集める受光部品が設けられている。

一実施例において、前記部品領域は、ノッチ領域であり、前記受光部品は、カメラ及び／又は光センサである。

従来の導電性トレースの構造を示す模式図である。 一実施例における表示パネルの構造を示す模式図である。 他の一実施例における表示パネルの構造を示す模式図である。 また他の一実施例における表示パネルの構造を示す模式図である。 さらに他の一実施例における表示パネルの構造を示す模式図である。 一実施例におけるＰＭＯＬＥＤ表示パネルの断面図である。 一実施例におけるＰＭＯＬＥＤ表示パネルにおけるアノード及びカソードの構造を示す模式図である。 他の一実施例におけるＰＭＯＬＥＤ表示パネルにおけるアノード及びカソードの構造を示す模式図である。 一実施例におけるＡＭＯＬＥＤ表示パネルにおけるアノードの構造を示す模式図である。 他の一実施例におけるＡＭＯＬＥＤ表示パネルにおけるアノードの構造を示す模式図である。 一実施例におけるディスプレイの構造を示す模式図である。 一実施例における表示端末の構造を示す模式図である。 一実施例における機器本体の構造を示す模式図である。

本発明の目的、技術方案及び利点をより明確にするために、以下、添付した図面及び実施例を参照しながら本発明を詳細に説明する。なお、本明細書に記述される具体的な実施例は本発明を解釈するためのものに過ぎず、本発明を限定するためのものではない。

本明細書の記述において、「中心」、「横方向」、「上」、「下」、「左」、「右」、「鉛直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」及び「外」などの用語で指明される方位や位置関係は、図面に示す方位や位置関係に基づくものである。これらの用語は、本明細書を便利で簡潔に記述するためにしたものであり、関連する装置や素子が必ずその特定された方位や、特定された方位構造と操作であることを明示するものではない。本発明の範囲を限定するためではないと理解されるべきである。なお、説明したいのは、ある要素が「他の要素上に形成される」ように記載する場合、当該要素が他の要素に直接接続されるか、中間要素を有する可能性もある。また、ある要素が他の要素「に接続される」ように記載する場合、当該要素が他の要素に直接接続されるか、或いは、中間要素を有する可能性もある。一方、ある要素が他の要素「に直接接続される」ように記載する場合、中間要素が存在しない。

カメラなどの受光部品を透明な表示パネルの下に置くと、撮影された画像がぼけることがよくある。当該問題の原因が、電子機器のディスプレイ内に導電性トレースが存在し、外部光線はこれらの導電性トレースを通り抜ける際に複雑な回折強度分布が生じて、回折縞が現れ、カメラなどの受光部品の正常作動に影響を与えるからである。例えば、透明な表示領域の下に位置するカメラが作動する際に、外部光線が、ディスプレイ内のワイヤ材料のトレースを通り抜けた後、より大きく回折した結果、カメラで撮影された画面が歪んでしまう。

図１は、従来の導電性トレースの構造を示す模式図である。図１を参照すると、従来の導電性トレースは、ストリップ状である。光が、スリット、小孔又はディスクのような障害物を通り抜ける際には異なる程度の発散伝播が発生することで、元の直進伝播から逸れる現象は回折と呼ばれる。回折過程において、回折縞の分布は、例えば、スリットの幅、小孔の寸法などの障害物の寸法の影響を受ける。同じ幅がある箇所で発生された回折縞の位置は一致するため、より顕著な回折効果が生じ得る。光が従来の表示パネルを通過する場合、表示パネルには、ストリップ状の導電性トレースが周期的に配列されているため、異なる箇所で発生された回折縞は同じ位置になっており、より顕著な回折効果が発生される結果、当該表示パネルの下に設けられた受光部品の正常に作動させることが困難になる。

このような問題を十分に解決するために、本発明の一実施例では、表示パネルを提供する。図２は、一実施例における表示パネルの模式図である。図２を参照すると、当該表示パネルは、基板１１０と、基板１１０に設けられた波状の複数の第１電極１２０とを含む。複数の第１電極１２０は、同じ方向に沿って並行に延びており、隣接する第１電極１２０の間に隙間がある。本実施例において、第１電極１２０は波状であるため、その幅が、第１電極１２０の延在方向において連続的又は断続的に変化する。幅が連続的に変化することは、第１電極１２０において隣接する任意の２箇所での幅が異なることを意味する。図２では、第１電極１２０の延在方向はその長さ方向であり、即ち、図面上のＹ方向である。

第１電極１２０の幅（即ち、第１電極１２０の図面上のＸ方向の長さ）は、第１電極１２０の延在方向に断続的に変化することになる。幅が断続的に変化することは、第１電極１２０の一部領域において隣接する２箇所の幅が同一である一方、他の一部領域において隣接する２箇所の幅が異なることを意味する。本実施例において、複数の第１電極１２０は、基板１１０に規則的に配列されているため、隣接する２つの第１電極１２０間の隙間は、第１電極１２０の延在方向に平行な方向にも連続的又は断続的に変化する。第１電極１２０の幅は、延在方向に連続的に或いは断続的に変化することが周期的であってもよく、一つの変更周期が一つの画素の幅に対応してもよい。

上記の表示パネルにおいて、波状の複数の第１電極１２０が設けられており、第１電極１２０の延在方向において、第１電極１２０の幅は連続的又は断続的に変化するため、隣接する第１電極１２０との間に連続的又は断続的に変化する隙間を有する。したがって、第１電極１２０の幅が異なる箇所及び隣接する第１電極１２０との間の異なる隙間で発生した回折縞の位置は異なっており、異なる箇所での回折効果が相殺される結果、最終的に回折効果を弱めることができる。これにより、カメラを該透明な表示パネルの下方に配置した場合に、撮影された画像が高い鮮明度を有することが確保される。

一実施例において、表示パネルの光透過率を向上させるために、表示パネルの各導電性トレースは、透明な導電性金属酸化物で構成される。例えば、第１電極１２０は、透明な導電性金属酸化物で構成される。例えば、第１電極１２０は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺ０）で構成してもよい。さらに、高い光透過率を確保するとともに、各導電性トレースの抵抗を低減させるために、第１電極１２０は、アルミニウムドープ酸化亜鉛、銀ドープＩＴＯ、又は銀ドープＩＺＯなどの材料で構成してもよい。

一実施例において、第１電極１２０は、自体の延在方向において対称構造を有する（詳細については、図２を参照）。第１電極１２０の幅を設定する際に、表示パネルの画素開口部に直接影響するため、表示パネルの画素開口率に影響を与える。第１電極１２０が対称構造に設定されることによって、表示パネル上の各画素ユニットは同一又は接近される開口率を有することを確保でき、異なる箇所での画素ユニットの開口率の違いが大きいために表示パネルの表示効果に影響を与えるという問題がない。

一実施例において、図２に示すように、第１電極１２０は延在方向上の両辺共に波状である。延長方向上の両辺は、ピークＴが対向して配置され、トラフＢも対向して配置される。本実施例において、両辺とも同じ弧状の辺が互いに接続することによって形成される。他の実施例において、図３に示すように、両辺とも同じ曲率半径を有する楕円状の辺が互いに接続することによって形成されてもよい。第１電極１２０の両辺を、円弧又は楕円形が互いに接続することによって形成された波状とすることで、第１電極１２０に発生された回折縞は異なる方向に拡散することを確保し、相対的に顕著な回折効果を避けることができる。

一実施例において、図４に示すように、第１電極１２０のトラフが対向している箇所には、接続部１２２が形成される。接続部１２２は、ストリップ状である。接続部１２２の幅Ｗは、Ｘより大きいまたは第１電極１２０の最大幅よりも小さいことがよい。Ｘは、最小加工寸法であり、本実施例においては４μｍであり、他の実施例において、４μｍより小さくしてもよい。一実施例において、第１電極１２０の隣接する２つの接続部１２２間の領域は、１つの画素開口部に対応し、接続部１２２は、隣接する２つの画素開口部間の隙間に対応する。接続部１２２の幅Ｗを調整することで、使用要求を満たすように第１電極１２０の抵抗を調整することを実現できる。他の実施例において、接続部１２２が、例えば中間が小さく両端が大きい形状、或いは中間が大きく両端が小さい形状といった他の規則ではない構造が採用されてもよい。他の実施例において、図５に示すように、第１電極１２０には、複数の突出１２４が設けられている。複数の突出１２４の辺は、直線及び／又は曲線である。本実施例において、複数の突出１２４の辺は、すべて曲線である第１電極１２０に複数の突出１２４を設けることで、第１電極１２０の各箇所の幅をさらに分散でき、回折効果が低減される。

一実施例において、上記の表示パネルは、ＰＭＯＬＥＤ（パッシブマトリクス有機エレクトロルミネッセンス発光ダイオード）表示パネルである。この場合、当該表示パネルは、図６に示すように、第１電極１２０に積層設置された第２電極１４０をさらに含む。第１電極１２０と第２電極１４０との間には、絶縁層１３０が設けられている。絶縁層１３０は、第１電極１２０と第２電極１４０との間が電気的絶縁になるように用いられる。絶縁層は、無機絶縁層又は有機絶縁層であってもよく、有機層と無機層の両方を含む複合構造を有していてもよい。表示パネルの光透過率を向上させるために、絶縁層の材料は、ＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、Ａｌ_２Ｏ_３などであることが好ましい。

第２電極１４０の延在方向と第１電極１２０の延在方向とは互いに垂直であるため、図７に示すように、重なる領域には、表示パネルの発光領域が形成される。ここで、第１電極１２０はアノードであり、第２電極１４０はカソードである。本実施例において、各アノードが、１行／列又は複数行／列の副画素を駆動するように用いられる。通常、１つの画素（又は画素ユニット）は、少なくとも赤、緑、青の３つの副画素を含む。他の実施例において、１つの画素ユニットは、赤、緑、青、白の４つの副画素を含んでもよい。副画素の配列として、ＲＧＢ副画素が並列配列、Ｖ字状配列、及びペンタイル（Ｐｅｎｔｉｌｅ）配列になってもよい。本発明では、ＲＧＢ副画素が並列配列になる画素ユニットを例として説明する。なお、本実施例における表示パネルについては、ＲＧＢ副画素の配列以外に他の配列も適用される。

一実施例において、各アノードが、１行／列の画素ユニット内のすべての副画素を駆動するように用いられる。即ち、本実施例において、各アノードが、１行／列の画素ユニット内の赤、緑、青の３列の副画素を駆動するように用いられる。この場合、アノードの形状は、図２に示される形状、即ち、アノードの延在方向上の両辺共に波状であり、且つ、両辺のピークＴは対向して配置され、トラフＢは対向して配置されるような形状を採用される。この場合、ピークＴが対向する箇所に最大幅とする幅Ｗ１があり、トラフＢが対向する箇所に最小幅とする幅Ｗ２がある。ここで、ピークＴが対向する箇所の幅Ｗ１は、３０μｍ〜（Ａ−Ｘ）の範囲であり、トラフＢが対向する箇所の幅Ｗ２は、Ｘ〜Ｗ１の範囲である。Ａは画素サイズであり、Ｘは最小加工寸法であり、Ａは（３０＋Ｘ）μｍより大きい。画素サイズＡとして、表示パネルのサイズ及び表示パネル上の画素の総数に応じて確定する必要がある。Ｘは、最小加工寸法であり、本実施例においては４μｍであり、他の実施例において、４μｍより小さくしてもよい。

一実施例において、画素は、すべて正方形画素であり、即ち、画素の４つの辺の長さが全て等しい。この場合、画素サイズＡは、表示パネルの面積を画素の総数で除した後、平方根を求めた結果に等しい。他の実施例において、トラフＢが対向する箇所の幅は、製造プロセスによって可能且つ電気特性（例えば、抵抗特性）を満足できれば、４μｍ未満であってもよい。他の実施例において、アノードは、基板１１０に規則的に配列されており、即ち、隣接する２つのアノード間の距離は一定であるが、隣接する２つのアノード間の隙間も、アノードの幅の変化につれて変化する。従って、２つのアノードは、ピークが対向する箇所において最小隙間Ｄ１を有し、トラフが対向する箇所において最大隙間Ｄ２を有する。ここで、最小隙間Ｄ１は（Ａ−Ｗ１）であり、最大隙間Ｄ２は（Ａ−Ｗ２）である。

一実施例において、カソードの形状はアノードの形状と同じであり、両方共に波状である。この場合、アノードと同様に、カソードが、同じ行／列の画素ユニット内のすべての副画素に対する制御を実現するように、１行／列の画素ユニット内のすべての副画素を駆動するように用いられる。図面に、複数の第１電極（即ち、アノード）はＸ方向に沿って配列され、複数の第２電極（即ち、カソード）はｙ方向に沿って順次に配列されていることのみを例として説明する。

他の実施例において、カソードは、図７に示すように、２つのトラフが対向する箇所においてストリップ状の接続部を有する電極構造である。この場合、カソードは、同様に、両辺のピークが対向する箇所において最大幅Ｗ３を有し、トラフが対向する箇所において最小幅Ｗ４を有する。同様に、隣接する２つのカソードは、ピークにおいて最小隙間Ｄ３を有し、トラフにおいて最大隙間Ｄ４を有する。この場合、Ｗ３は、（Ｗ１−Ｘ）であり、Ｗ２は、Ｘ〜Ｗ３の範囲である。Ｘは、最小加工寸法であり、本実施例においては４μｍであり、他の実施例においては４μｍより小さくしてもよい。なお、アノード及びカソードの寸法は、必要に応じて設定してもよく、上記の実施例は、本願を唯一に限定するものではない。

他の実施例において、各カソードが駆動する画素の列数／行数はＭであり、各アノードが駆動する画素の列数／行数はＮであり、Ｍは、Ｎの３倍以上であればよい。具体的には、ＲＢＧ副画素を採用して１つの画素ユニットを形成する場合、カソードが駆動する副画素の列数／行数ＭはＮの３倍である。他の実施例において、ＲＧＢＷ副画素を採用して１つの画素ユニットを形成する場合、カソードが駆動する副画素の列数／行数Ｍは４Ｎである。なお、他の実施例において、カソードによって列画素を駆動し、アノードによって行画素を駆動してもよく、両方の相違点は、アノードとカソードの配列方向のみである。

図８は、他の一実施例におけるＰＭＯＬＥＤ表示パネルにおけるカソード及びアノードの構造を示す模式図である。この場合、１つの画素ユニットは、赤、緑、青の３つの副画素を含むため、各アノード１２０が、１列の画素ユニットを駆動するように用いられ、各カソード１４０が、１行の副画素を駆動するように用いられる。アノードのパターン及び寸法については、図２を参照してもよく、即ちピークＴが対向する箇所の幅Ｗ１は３０μｍ〜（Ａ−Ｘ）の範囲であり、トラフＢが対向する箇所の幅Ｗ２はＸ〜Ｗ１の範囲であり、最小隙間Ｄ１は（Ａ−Ｗ１）であり、最大隙間Ｄ２は（Ａ−Ｗ２）である。Ｘは、最小加工寸法である。

図８を参照すると、カソードが両辺においてのピークが対向する箇所の幅Ｗ３は、Ｘ〜（（Ａ−Ｘ）／３）の範囲である。なお、他の実施例において、１つの画素ユニット内の副画素がＮである場合、カソード１４０が両辺においてピークＴが対向する箇所の幅Ｗ３は、Ｘ〜（（Ａ−Ｘ）／Ｎ）の範囲である。本実施例において、カソード１４０が両辺においてのトラフが対向する箇所の幅Ｗ４は、Ｘ〜Ｗ１の範囲であり、最小隙間Ｄ３は（Ａ−Ｗ３）であり、最大隙間Ｄ４は（Ａ−Ｗ４）である。ここで、Ａは画素サイズであり、Ｘは最小加工寸法である。上記の実施例において、隣接する電極間の隙間は、４μｍ〜２０μｍである。

他の実施例において、図８のアノードをカソードに変更し、カソードをアノードに変更してもよい。即ち、各カソードが、１列の副画素を駆動するように用いられ、各アノードが、１行の画素ユニット内のすべての副画素を駆動するように用いられる。

他の一実施例において、上記の表示パネルは、ＡＭＯＬＥＤ（アクティブマトリックス有機発光ダイオード）表示パネルであってもよい。この場合、基板１１０は、ＴＦＴアレイ基板である。第１電極は、ＴＦＴアレイ基板に設けられた各種の導電性トレースを含む。第１電極の幅寸法を、導電性トレースの幅の設計に応じて設計する必要がある。ここで、導電性トレースは、走査線、データ線、及び電力線のうちの少なくとも１種を含む。例えば走査線、データ線及び電力線などのＴＦＴアレイ基板上の全ての導電性トレースを改善し、図２に示すような電極形状とすることができる。ＴＦＴアレイ基板の導電性トレースを図２に示す波状の電極形状に変更することで、導電性トレースの延在方向において、幅が異なる箇所及び隣接するトレースの異なる隙間を光が通り抜ける時に生じた回折縞が異なる位置で形成され、そして異なる位置での回折効果が相殺されることにより、回折効果を弱め、その下方に配置された受光部品の正常な動作を確保できる。

一実施例において、表示パネルはＡＭＯＬＥＤ（アクティブマトリックス有機発光ダイオード）表示パネルである場合、基板の上に設けられたアノード層をさらに含む。アノード層は、アノードアレイを含む。アノードアレイは、互いに独立した複数のアノードで構成されている。アノードの形状は、円形、楕円形、又はダンベル状であってもよい。図９は、円形のアノードで形成されたアノードアレイの模式図である。図１０は、ダンベル状のアノードで形成されたアノードアレイの模式図である。アノードの形状を円形、楕円形、又はダンベル状に変更することで、光線がアノード層を通り抜ける時、アノードにおける幅の異なる位置でも異なる位置及び発散方向を有する回折縞を生じさせることができ、そして異なる位置及び方向の回折縞が相殺されて回折効果を弱めことを確保できる。また、回折効果をさらに弱めるために、各副画素も、図９及び図１０に示すような円形、楕円形、又はダンベル状にしてもよい。さらに、円形、楕円形、又はダンベル状になると、各副画素の面積を最大限に拡大し、光透過率をさらに高めることができる。

一実施例において、上記表示パネルは、透明又は半透明半反射型の表示パネルであってもよい。表示パネルの透明性が、光透過率がよい材料を各層に採用されることによって実現できる。例えば、各層に、表示パネル全体の光透過率が７０％以上であるように、９０％を超える光透過率を持つ材料が採用される。または、各層に、表示パネル全体の光透過率が８０％以上であるように、９５％を超える光透過率を持つ材料が採用されることもできる。具体的には、例えばカソードやアノードなどの導電性トレースの材料は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｇ＋ＩＴＯ、又はＡｇ＋ＩＺＯであってもよく、絶縁層の材料は、好ましく、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ_ｘ、Ａｌ_２Ｏ_３などであり、画素定義層の材料として、透過性のよい材料を採用する。

表示パネルの透明性は、他の技術的手段によって実現されてもよく、上記の表示パネルの構造にも適用できる。透明又は半透明半反射型の表示パネルは、動作状態にある時には画面を正常に表示でき、作動しない際に非表示状態になる。表示パネルは他の機能要求状態である場合、当該表示パネルを透過して当該表示パネルの下に配置された受光部品などが見える。

本発明の一実施例では、ディスプレイをさらに提供する。当該ディスプレイは、少なくとも１つの表示領域を有する。各表示領域が、すべて静止画像又は動画像を表示するように用いられる。少なくとも１つの表示領域は、第１表示領域を含む。当該第１表示領域には、前述した任意の実施例に係る表示パネルが設けられている。第１表示領域の下には、受光部品が設けられてもよい。第１表示領域には、前述した実施例における表示パネルを採用したので、光が当該表示領域を通り抜ける際に、顕著な回折現象が発生されないため、第１表示領域の下に位置する受光部品が正常に作動することを確保できる。受光部品が作動していない場合、第１表示領域は正常に静止画像又は動画像を表示し、受光部品が作動している場合、第１表示領域はディスプレイ全体の表示内容に応じて変化し、例えば撮影されている外部画像を表示する状態、或いは、非表示状態にあってもよい。これによって、受光部品は表示パネルを介して光を正常に集めることをさらに確保する。

図１１は、一実施例におけるディスプレイの構造を示す模式図であり、当該ディスプレイは、第１表示領域９１０と、第２表示領域９２０とを含む。第１表示領域９１０の光透過率は、第２表示領域９２０の光透過率より大きい。第１表示領域９１０の下には、受光部品９３０が設けられてもよい。第１表示領域９１０には、前述した任意の実施例に係る表示パネルが設けられている。第１表示領域９１０及び第２表示領域９２０の両方が、いずれも静止画像又は動画像を表示するために用いられる。第１表示領域９１０には、前述した実施例における表示パネルを採用したので、光は当該表示領域を通り抜ける際に顕著な回折現象を発生させないため、第１表示領域９１０の下に位置する受光部品９３０が正常に作動することを確保できる。なお、第１表示領域９１０は、受光部品９３０が作動しない場合、静止画像又は動画像を正常に表示する一方、受光部品９３０が作動している場合、非表示状態にあってもよいため、受光部品９３０は表示パネルを介して光を正常に集めることを確保する。他の実施例において、第１表示領域９１０の光透過率は、第２表示領域９２０の光透過率と同じであってもよく、よって表示パネル全体が良好な画一的な透光率を有し、表示パネルが良好な表示効果を有することを確保する。

一実施例において、第１表示領域９１０に設けられた表示パネルはＰＭＯＬＥＤ表示パネル又はＡＭＯＬＥＤ表示パネルであり、第２表示領域９２０に設けられた表示パネルはＡＭＯＬＥＤ表示パネルである。このように、ＰＭＯＬＥＤ表示パネル及びＡＭＯＬＥＤ表示パネルにより構成された全面スクリーンが形成される。

本発明の他の実施例では、表示端末をさらに提供する。図１２は、一実施例における表示端末の構造を示す模式図であり、当該表示端末は、機器本体８１０とディスプレイ８２０とを含む。ディスプレイ８２０は、機器本体８１０に設けられており、当該機器本体８１０と互いに接続されている。ここで、ディスプレイ８２０は、前述した任意の実施例のディスプレイであってもよく、静止画像又は動画像を表示するように用いられる。

図１３は、一実施例における機器本体８１０の構造を示す模式図である。本実施例において、機器本体８１０には、ノッチ領域８１２及び非ノッチ領域８１４が設けられてもよい。ノッチ領域８１２には、カメラ９３０、光センサなどの受光部品が設けられてもよい。この場合、カメラ９３０や光センサなどの上記の受光部品は第１表示領域を透過して外部光線を集める操作などができるように、ディスプレイ８２０の第１表示領域における表示パネルが、ノッチ領域８１２に貼り付けられる。第１表示領域の表示パネルは、外部光線が当該第１表示領域を透過することにより発生された回折現象を効果的に改善できるため、表示機器に備えたカメラ９３０で撮影された画像の品質を効果的に向上させ、回折による撮影画像の歪みを回避しつつ、光センサの外部光線に対するセンシングの精度と感度を向上させることもできる。

上記の電子機器は、携帯電話、タブレット、パームトップパソコン、ｉＰｏｄ（登録商標）などのデジタル機器であってもよい。

上述した実施例の各技術的特徴は任意に組み合わせることができる。記述の簡潔化のために、上述した実施例における各技術的特徴のあらゆる組合せについて説明していないが、これらの技術的特徴の組合せは矛盾しない限り、本明細書に記述されている範囲内であると考えられるべきである。

上述した実施例は、本願のいくつかの実施形態を示したものにすぎず、その記述が具体的且つ詳細であるが、本願の範囲を限定するものと解釈されるべきではない。なお、当業者にとって、本発明の趣旨から逸脱しないかぎり、若干の変形及び改良を行うことができ、これらもすべて本発明の保護範囲内に含まれる。従って、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲に準ずるべきである。

Claims (20)

1. 表示パネルであって、
   基板と、
   前記基板に設けられ、波状になっておる複数の第１電極と、を含み、
   複数の前記第１電極は、同じ方向に沿って並行に延びており、隣接する第１電極の間に隙間があけられ、前記第１電極の延在方向において、前記第１電極の幅は連続的又は断続的に変化するとともに、前記隙間も連続的又は断続的に変化する、ことを特徴とする表示パネル。
2. 前記第１電極は前記延在方向の両辺が共に波状であり、前記両辺のピークが対向し、トラフも対向する、ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
3. 前記第１電極は、トラフが対向する箇所において、ストリップ状の接続部が形成されている、ことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
4. 前記表示パネルは、ＰＭＯＬＥＤ表示パネルであり、前記第１電極に積層配置された第２電極をさらに含み、前記第２電極の延在方向と、第１電極の延在方向とは互いに垂直である、ことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
5. 前記第１電極はアノードであり、前記第２電極はカソードであり、各前記アノードが、１行／列又は複数行／列の副画素を駆動する、ことを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
6. 各前記アノードは、１行／列の画素を駆動し、１つの画素は少なくとも３つの副画素を含み、前記アノードは両辺におけるピークが対向する箇所の幅が、３０μｍ〜（Ａ−Ｘ）の範囲であり、前記アノードは両辺におけるトラフが対向する箇所の幅が、Ｘより大きいまた前記ピークが対向する箇所の幅より小さく、Ａは画素サイズであり、Ｘは最小加工寸法であり、前記Ａは（３０＋Ｘ）μｍ以上である、ことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
7. 各前記アノードは、１行／列の副画素を駆動し、前記アノードは両辺におけるピークが対向する箇所の幅が、Ｘ〜（（Ａ−Ｘ）／Ｎ）の範囲であり、前記アノードは両辺におけるトラフが対向する箇所の幅が、Ｘより大きいまた前記ピークが対向する箇所での幅より小さく、Ａは画素サイズであり、Ｘは最小加工寸法であり、Ｎは各画素に含まれる副画素の列数／行数である、ことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
8. 前記カソードの形状は、前記アノードの形状と同一である、ことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
9. １つのアノードが駆動する副画素の列数／行数は、Ｎであり、１つのカソードが駆動する副画素の列数／行数は、Ｍであり、Ｎは、Ｍの３倍以上である、ことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
10. 前記カソードは、自体の延在方向上の両辺が共に波状であり、前記両辺のピークが対向し、トラフも対向するように配置され、前記カソードにおけるトラフが対向する箇所に、ストリップ状の接続部が設けられる、ことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
11. １つのカソードが駆動する画素の列数／行数は、１つのアノードが駆動する画素の列数／行数と等しく、前記カソードの両辺におけるピークが対向する箇所の幅Ｗ３は、（Ｗ１−Ｘ）であり、前記カソードの接続部の幅Ｗ４は、Ｘより大きいまた前記カソードにおけるピークが対向する箇所の幅よりも小さく、前記Ｗ１は、前記アノードの両辺におけるピークの対向する箇所の幅であり、Ｘは、最小加工寸法である、ことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネル。
12. １つのアノードが駆動する副画素の列数／行数は、Ｎであり、１つのカソードが駆動する副画素の列数／行数は、Ｍであり、Ｎは、Ｍの３倍以上であり、前記カソードの両辺におけるピークが対向する箇所の幅は、Ｘ〜（（Ａ−Ｘ）／３）の範囲であり、前記カソードの接続部の幅は、Ｘより大きいまた前記カソードにおけるピークが対向する箇所の幅よりも小さく、Ａは画素サイズであり、Ｘは最小加工寸法である、ことを特徴とする請求項１１に記載の表示パネル。
13. Ｘは４μｍである、ことを特徴とする請求項６に記載の表示パネル。
14. 前記表示パネルは、ＡＭＯＬＥＤ表示パネルであり、前記基板は、ＴＦＴアレイ基板であり、前記第１電極は、前記ＴＦＴアレイ基板上の走査線、データ線、及び電力線の少なくとも１つである導電性トレースを含む、ことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
15. 前記表示パネルは、前記基板の上に設けられたアノード層をさらに含み、前記アノード層は、アノードアレイを含み、前記アノードは、円形、楕円形、又はダンベル状である、ことを特徴とする請求項１４に記載の表示パネル。
16. 前記第１電極には、前記第１電極のエッジに沿って配列される複数の突出が設けられている、ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
17. ディスプレイであって、第１表示領域を含む少なくとも１つの表示領域を有し、前記第１表示領域の下には、受光部品が設けられ、
    前記第１表示領域には、請求項１〜１６の何れか一項に記載の表示パネルが設けられており、前記少なくとも１つの表示領域がそれぞれに静止画像又は動画像を表示するように用いられる、ことを特徴とするディスプレイ。
18. 前記少なくとも１つの表示領域は、第２表示領域をさらに含み、前記第１表示領域に設けられた表示パネルは、ＰＭＯＬＥＤ表示パネル又はＡＭＯＬＥＤ表示パネルであり、前記第２表示領域に設けられた表示パネルは、ＡＭＯＬＥＤ表示パネルである、ことを特徴とする請求項１７に記載のディスプレイ。
19. 表示端末であって、
    部品領域を有する機器本体と、
    前記機器本体を覆うように設けられた請求項１７又は１８に記載のディスプレイと、を含み、
    前記部品領域は、前記第１表示領域の下に位置され、前記部品領域には、前記第１表示領域を介して光を集める受光部品が設けられている、ことを特徴とする表示端末。
20. 前記部品領域は、ノッチ領域であり、前記受光部品は、カメラ及び／又は光センサである、ことを特徴とする請求項１９に記載の表示端末。