CN102622151A

CN102622151A - 一种双层ito 布线结构

Info

Publication number: CN102622151A
Application number: CN2012100489911A
Authority: CN
Inventors: 张开立
Original assignee: Suzhou Pixcir Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Suzhou Pixcir Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2012-04-27
Filing date: 2012-04-27
Publication date: 2012-08-01

Abstract

本发明公开了一种双层ITO布线结构，所述每层ITO上分别设有第一种触控电极和第二种触控电极，所述第一种触控电极的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称排列组成，且其中间形成第一空隙；所述第二种触控电极的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称封闭连接组成，且其中间形成第二空隙，所述第二种触控电极最边缘的矩形波波谷的宽度是所述矩形波波峰宽度的一半。通过上述方式，本发明使ITO层上电极的分布更加紧密，显著提高了ITO层的侦测灵敏度和线性度，有效降低了电源噪声干扰。

Description

一种双层ITO 布线结构

技术领域

本发明涉及ITO的布线结构，特别是涉及一种双层ITO的布线结构。

背景技术

所谓ITO（铟锡氧化物）是一种用于生产液晶显示器的关键材料，目前，其在仪器仪表、计算机、电子表、游戏机和家用电器等领域都有了极为广泛的应用。近年来市场上大热的电容式触摸屏也是利用ITO来完成侦测触摸的动作，而电容触摸屏上ITO的布线一般是双层，其主要原理是：利用人体电场，当使用者触摸时，表面行或列的交叉处感应单元的互电容（也称耦合电容）会有变化，根据上述变化最终可检测出触摸点的具体位置。

常见的双层ITO的结构是菱形结构，其双层ITO分别布设在玻璃基板的同侧面上，为了避免电极之间的互相导通，所以需要在玻璃基板上设置桥接点，这样就可将双层ITO布设在玻璃基板的同一侧面上。虽然上述方法实现了侦测触摸的动作，但由于采用菱形结构，难免会带来多指触控侦测不稳定、电源噪声干扰较大、画线效果不佳的问题，因此亟需加以改善，为广大用户提供一种感应更加灵敏的ITO的布线结构来解决以上问题。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种双层ITO的布线结构，能够改善传统电容式触控结构侦测不稳定的问题，提高了ITO层的感应能力。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种双层ITO布线结构，所述每层ITO上分别设有第一种触控电极和第二种触控电极，所述第一种触控电极的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称排列组成，且其中间形成第一空隙；所述第二种触控电极的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称封闭连接组成，且其中间形成第二空隙，所述第二种触控电极最边缘的矩形波波谷的宽度是所述矩形波波峰宽度的一半。

本发明的有益效果是：本发明采用矩形的双层ITO触控电极，使ITO层上电极的分布更加紧密，显著提高了ITO层的侦测灵敏度和线性度，有效降低了电源噪声干扰。

附图说明

图1是本发明双层ITO布线结构一较佳实施例的结构示意图；

图2是本发明所述第一种触控电极的结构示意图；

图3是本发明所述第二种触控电极的结构示意图；

附图中各部件的标记如下：1、ITO层，10、触控电极，11、第一种触控电极，111、第一空隙，12、第二种触控电极，121、第二空隙，122、金属导线，123、绝缘体。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

请参阅图1 ，本发明涉及一种双层ITO（铟锡氧化物）的布线结构，所述ITO层1由多个触控电极10组成，每层ITO上分别设有第一种触控电极11和第二种触控电极12。所述第一种触控电极11的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称排列组成，且其中间形成第一空隙111；所述第二种触控电极12的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称封闭连接组成，且其中间形成第二空隙121，所述第二种触控电极12最边缘的矩形波波谷a的宽度是所述矩形波波峰A宽度的一半。

所述两种触控电极10的布设方法是：所述第二种触控电极12依次顺序布设在至少两相邻的第一种触控电极11之间的空隙区域，即第一种触控电极的矩形波波峰A对应于第二种触控电极的矩形波波谷a，第一种触控电极的矩形波波谷a对应于第二种触控电极的矩形波波峰A。所述两相邻的第二种触控电极的矩形波波峰A横跨所述第一种触控电极中的第一空隙相互桥接。

请参阅图2，布设在第一层ITO上的第一种触控电极11为一连续结构，其形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称排列组成，且其中间形成第一空隙111，所述第一空隙111的宽度范围在0.15mm~0.3mm之间，多个所述第一种触控电极11互相平行且呈矩阵间隔排列。

所述图3中涉及的第二种触控电极12布设在第二层ITO上， “卅”字形结构为第二种触控电极12的一种典型结构。所述第二种触控电极12的矩形波形状与所述第一种触控电极11的矩形波形状相同，其形状为一封闭图形，所述第二空隙的宽度范围也在0.15mm~0.3mm之间，并且位于所述第二种触控电极12外围的矩形波波谷a的宽度是所述矩形波波峰A宽度的一半，从而使得多个第二种触控电极12可依次顺序布设在两相邻的第一种触控电极11之间的空隙区域。多个所述第二种触控电极12互相平行且呈矩阵式排列，使得整个布图更加紧凑，提高了所述ITO层1的侦测灵敏度和线性度。

所述第二种触控电极12的形状由含至少两个波峰A的矩形波组成，相对应的第一种触控电极11的形状至少含三个波峰A。当所述第二种触控电极12的形状由含偶数个波峰A的矩形波组成时，位于中间两个的矩形波波峰A边缘处设置有桥接点；当所述第二种触控电极12的形状由含奇数个波峰A的矩形波组成时，位于中间一个的矩形波波峰A边缘处设置有桥接点，从而使第二种触控电极12具有轴对称结构。所述两相邻的第二种触控电极12的矩形波波峰A通过一金属导线122相连接，所述金属导线122被一绝缘体123所包裹，以使所述第一空隙111与所述两桥接的第二种触控电极12之间形成电气绝缘。所述金属导线122和所述绝缘体123可根据不同的工艺需求选用相应的材料制成不同的形状，而不局限于此实施例的形状大小。

依据上述可知，本发明可将所述第一种触控电极11和所述第二种触控电极12布设在同一侧面内。相对于现有技术，本发明由于布设了两种触控电极10，导致所述ITO层1上电极的分布更加紧密，对于形成的触摸屏有较好的侦测灵敏度和线性度，并有效降低了电源噪声干扰。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims

1.一种双层ITO布线结构，所述每层ITO上分别设有第一种触控电极和第二种触控电极，其特征在于，所述第一种触控电极的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称排列组成，且其中间形成第一空隙；所述第二种触控电极的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称封闭连接组成，且其中间形成第二空隙，所述第二种触控电极最边缘的矩形波波谷的宽度是所述矩形波波峰宽度的一半。

2.根据权利要求1所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述第二种触控电极依次顺序布设在第一种触控电极的空隙区域。

3.根据权利要求1或2所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述两相邻的第二种触控电极的矩形波波峰相互桥接，且横跨所述第一种触控电极中的第一空隙。

4.根据权利要求3所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述两相邻的第二种触控电极的矩形波波峰通过一金属导线相桥接，桥接点位于所述第二种触控电极的矩形波波峰处，所述金属导线被一绝缘体包裹。

5.根据权利要求1所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述第一种触控电极的矩形波形状和所述第二种触控电极的矩形波形状相同。

6.根据权利要求1或5所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述第一空隙的宽度和所述第二空隙的宽度相同，范围在0.15mm~0.3mm之间。

7.根据权利要求1所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述第二种触控电极的矩形波至少包括两个波峰。

8.根据权利要求6所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述第一种触控电极的矩形波至少包括三个波峰。

9.根据权利要求1所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述第二种触控电极呈“卅”字形结构。

10.根据权利要求1所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述两种触控电极布设在同一侧面内。