CN104409469B - 一种amoled触控显示装置及其制备方法、驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种AMOLED触控显示装置及其制备方法、驱动方法，涉及显示技术领域，能够解决外挂式触控屏造成显示面板厚度较厚的问题。所述AMOLED触控显示装置可以包括有机功能层，以及依次位于所述有机功能层表面的阴极、阴极保护层；还可以包括：位于所述阴极保护层表面的相互间隔设置，并呈矩阵形式排列的第一电极和第二电极；沿第一方向将相邻两个所述第一电极进行电连接的第一连接部；沿第二方向将相邻两个所述第二电极进行电连接的第二连接部；设置于所述第一连接部和第二连接部之间的第一绝缘层；其中，所述第一方向与所述第二方向交叉设置。

Description

一种AMOLED触控显示装置及其制备方法、驱动方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED触控显示装置及其制备方法、驱动方法。

背景技术

对于现有的显示装置而言，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。OLED按驱动方式可分为PMOLED(Passive Matrix Driving OLED，无源矩阵驱动有机发光二极管)和AMOLED(ActiveMatrix Driving OLED，有源矩阵驱动有机发光二极管)两种，由于AMOLED显示装置具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点而可望成为取代LCD(liquid crystal display,液晶显示器)的下一代新型平面显示器。

为了使得AMOLED显示装置具有直观、易操作等优点，现有技术中会在AMOLED显示装置的制作工艺中结合触控技术。例如，在AMOLED显示装置01的显示面板上贴合或组装外挂式触控屏02(Add On Touch Panel)，以达到触控显示的目的。具体的，上述外挂式触摸屏如图1所示，包括下基板10、依次位于下基板10表面的第一透明导电层11、绝缘物12、第二透明导电层13，以及位于第二透明导电层12表面的上基板14。当用户触摸上基板14的触点位置140时，第二通明导电层13发生形变，并与第一透明导电层11发生接触，经由等效电路传出相应的电信号，经过转换电路送到处理器，处理器通过运算得到上述触电位置的具体坐标，从而达到触控显示的目的。

然而采用上述制作工艺，虽然可以实现触控显示，但是会增加显示器显示面板的厚度，不利于显示面板超薄化的趋势。因此会降低用体验，降低产品的市场竞争能力。

发明内容

本发明的实施例提供一种AMOLED触控显示装置及其制备方法、驱动方法，能够解决外挂式触控屏造成显示面板厚度较厚的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的一方面，提供一种AMOLED触控显示装置，包括有机功能层，以及依次位于所述有机功能层表面的阴极、阴极保护层；还包括：

位于所述阴极保护层表面的多个相互间隔设置，并呈矩阵形式排列的第一电极和第二电极；

沿第一方向将相邻两个所述第一电极进行电连接的第一连接部；

沿第二方向将相邻两个所述第二电极进行电连接的第二连接部；

设置于所述第一连接部和所述第二连接部之间的第一绝缘层；

其中，所述第一方向与所述第二方向交叉设置。

本发明实施例的另一方面，提供一种AMOLED触控显示装置的制备方法，包括形成有机功能层的方法，以及在所述有机功能层表面依次形成阴极、阴极保护层的方法；还包括：

在位于所述阴极保护层的表面，通过构图工艺形成多个相互间隔设置，并呈矩阵形式排列的第一电极和第二电极的图案；

沿第一方向，通过构图工艺形成将相邻两个所述第一电极进行电连接的第一连接部的图案；

在所述第一连接部的图案表面形成第一绝缘层的图案；

沿第二方向，通过构图工艺形成将相邻两个所述第二电极进行电连接的第二连接部的图案；

其中，所述第一方向与所述第二方向交叉设置。

本发明实施例的又一方面，提供一种AMOLED触控显示装置的驱动方法，在所述AMOLED触控显示装置包括由薄膜晶体管构成的第三连接部的情况下，所述驱动方法还包括：

在触摸阶段，薄膜晶体管处于截止状态，将阴极与位于阴极保护层表面的第一电极或第二电极断开；

在发光阶段，发光控制线将发光信号输入至所述薄膜晶体管的栅极，所述薄膜晶体管处于导通状态，所述阴极与所述第一电极或所述第二电极导通。

本发明实施例提供一种AMOLED触控显示装置及其制备方法、驱动方法。其中，所述AMOLED触控显示装置可以包括有机功能层，以及依次位于所述有机功能层表面的阴极、阴极保护层；还可以包括：位于所述阴极保护层表面的相互间隔设置，并呈矩阵形式排列的第一电极和第二电极；沿第一方向将相邻两个所述第一电极进行电连接的第一连接部；沿第二方向将相邻两个所述第二电极进行电连接的第二连接部；设置于所述第一连接部和第二连接部之间的第一绝缘层；其中，所述第一方向与所述第二方向交叉设置。这样一来，通过第一连接部电连接的多个第一电极与通过第二连接部电连接的多个第二电极可以构成互电容。并且由于设置有第一绝缘层，因此能够避免通过第一电极和第二电极之间的信号产生串扰。具体的，在对第一电极加载触控驱动信号时，第二电极能够通过互电容耦合出感应电压信号，在此过程中，当用户接触显示屏时，人体电场就会作用于上述互电容上，使得该互电容的电容值发生变化，从而改变第二电极通过互电容耦合出的感应电压信号，进而可以根据该感应电压信号的而变化，确定出触点的位置，以实现触控显示。并且，本发明提供的AMOLED触控显示装置，是将触控结构整合在制作显示装置的过程中。从而能够在实现触控显示的同时，减小显示装置的厚度，适应显示面板超薄化的趋势，提升用户体验以及产品的市场竞争能力。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中提供的一种触控显示装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种AMOLED触控显示装置的结构示意图；

图3a为本发明实施例提供的一种触摸显示结构的俯视图；

图3b为本发明实施例提供的一种触摸显示结构的局部结构示意图；

图3c为本发明实施例提供的另一种触摸显示结构的俯视图；

图4为本发明实施例提供的一种AMOLED触控显示装置的显示驱动信号流程图；

图5为本发明实施例提供的另一种AMOLED触控显示装置的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的又一种触摸显示结构的俯视图；

图7为本发明实施例提供的一种AMOLED触控显示装置的制备方法流程图；

图8为本发明实施例提供的另一种AMOLED触控显示装置的制备方法流程图；

图9a-图9d为本发明实施例提供的多种掩膜版的结构示意图；

图10a-10b为本发明实施例提供的两种触摸显示结构的剖视图；

图11为发明实施例提供的又一种AMOLED触控显示装置的制备方法流程图；

图12为发明实施例提供的一种AMOLED触控显示装置的驱动方法流程图。

附图说明：

01-AMOLED显示装置；02-外挂式触控屏；03-触摸显示结构；10-下基板；11-第一透明导电层；12-绝缘物；13-第二透明导电层；14-上基板；140-触点位置；100-有机功能层；111-阴极；112-阴极保护层；113-阳极；120-栅极；121-栅绝缘层；122-衬底基板；200-第一电极；201-第二电极；300-第一连接部；301-第二连接部；302-第三连接部；400-第一绝缘层；401-第二绝缘层；500-第一掩膜版；501-连接部掩膜版；502-第二掩膜版；503-第三掩膜版；X-第一方向；Y-第二方向；α-第一方向X和第二方向Y的交叉角度；E(或E’)-遮光区域；F-透光区域。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种AMOLED触控显示装置，如图2所示，可以包括有机功能层100，以及依次位于有机功能层100表面的阴极111、阴极保护层112。还可以包括位于上述阴极保护层112表面的触摸显示结构03。该触摸显示结构03，如图3a所示(图2中的A向视图)可以包括：

位于阴极保护层112表面的多个相互间隔设置，并呈矩阵形式排列的第一电极200和第二电极201；

沿第一方向X将相邻两个第一电极200进行电连接的第一连接部300；

沿第二方向Y将相邻两个第二电极201进行电连接的第二连接部301；

设置于第一连接部200和第二连接部201之间的第一绝缘层400。为了提高绝缘效果，优选的，第一绝缘层400可以完全覆盖第一连接部200的图案。还可以如图3b所示，只在第一连接部300与第二连接部301的交叠区域设置上述第一绝缘层400。

其中，第一方向X与第二方向Y可以交叉设置。

具体的，第一电极200和第二电极201通过第一连接部300和第二连接部301电连接的立体视图如图3b所示。

需要说明的是，第一、本发明对第一方向X和第二方向Y的交叉角度α不作限定。优选的，第一方向X和第二方向Y的交叉角度α为90度。这样能够使得第一电极200和第二电极201的制作空间得到更好的利用，并且制作出的第一电极200和第二电极201图案的分布和排列更加均匀、整齐。避免了由于第一电极200和第二电极201的图案分布不均使得某些第一电极200和第二电极201的图案距离太近，从而造成分别通过第一电极200和第二电极201的信号之间产生干扰。以下实施例中，第一方向X是以平行于栅线的方向，第二方向Y是以平行于数据线的方向为例进行的说明。

第二、AMOLED触控显示装置01除了包括上述有机功能层100、阴极111和阴极保护层112以外，还可以包括薄膜晶体管TFT、与薄膜晶体管TFT的漏极电连接的阳极113。这里，由于有机材料功能层100材料的特殊性，在制作完上述显示结构后，还必须形成用于封装有机材料的封装层(图中未示出)。

第三，上述AMOLED触控显示装置01中的薄膜晶体管TFT是一种具有开关特性的半导体单元，例如可以是非晶硅型薄膜晶体管、或低温多晶硅型薄膜晶体管、或氧化物型薄膜晶体管、或有机物型薄膜晶体管等，在此不作限定。

所述薄膜晶体管TFT可以是顶栅型(如图2所示)，也可以是底栅型，在此不作限定。其中，顶栅、底栅是相对所述栅极120和栅绝缘层121的位置而定的，即：相对所述衬底基板122，当栅极120靠近所述衬底基板122，栅绝缘层121远离所述衬底基板122时，为底栅型薄膜晶体管；当栅极120远离衬底基板122，栅绝缘层121靠近所述衬底基板122时，为顶栅型薄膜晶体管。

第四、本发明对第一连接部300将相邻两个第一电极200进行电连接，或第二连接部301将相邻两个第二电极201进行电连接的方法不作限定。可以如图3a所示，第一连接部300与相邻两个第一电极200直接相连接；第二连接部301与相邻的两个第二电极201直接相连接。

或者，如图3c所示，可以将第一电极200与第一连接部300设置为一体结构；和/或，将第二电极201与第二连接部301设置为一体结构。这样一来，由于第一电极200与第一连接部300为一体结构，第二电极201与第二连接部301为一体结构，可以提高制作触控结构03的生产效率。

但是对于通过构图工艺，例如掩膜曝光工艺分别制作第一电极200、第一连接部300的图案或第二电极201、第二连接部301的图案的方法，其掩膜版的构图图案设计比较简单。生产成本较低。并且，由于电极(第一电极200或第二电极201)与连接部(第一连接部300或第二连接部301)分开制作，可以设置连接部的厚度小于电极的厚度。这样一来，即使在第一连接部300和第二连接部301之间制作有第一绝缘层400，可以尽可能的减小触摸显示结构03靠近用户一侧的表面薄膜层之间的段差，确保该表面的平坦度。

因此，本领域技术人员可以根据实际需要对上述两种制作方法进行选择。

又或者，第一连接部300可以包括分别设置于相邻两个第一电极200上的过孔，以及位于上述两个过孔表面的连接线(该方法在图中未示出)。第二连接部300的设置方式可以同上所述。

本发明实施例提供一种AMOLED触控显示装置，可以包括有机功能层，以及依次位于所述有机功能层表面的阴极、阴极保护层；还可以包括：位于所述阴极保护层表面的相互间隔设置，并呈矩阵形式排列的第一电极和第二电极；沿第一方向将相邻两个所述第一电极进行电连接的第一连接部；沿第二方向将相邻两个所述第二电极进行电连接的第二连接部；设置于所述第一连接部和第二连接部之间的第一绝缘层；其中，所述第一方向与所述第二方向交叉设置。这样一来，通过第一连接部电连接的多个第一电极与通过第二连接部电连接的多个第二电极可以构成互电容。并且由于设置有第一绝缘层，因此能够避免通过第一电极和第二电极之间的信号产生串扰。具体的，在对第一电极加载触控驱动信号时，第二电极能够通过互电容耦合出感应电压信号，在此过程中，当用户接触显示屏时，人体电场就会作用于上述互电容上，使得该互电容的电容值发生变化，从而改变第二电极通过互电容耦合出的感应电压信号，进而可以根据该感应电压信号的而变化，确定出触点的位置，以实现触控显示。并且，本发明提供的AMOLED触控显示装置，是将触控结构整合在制作显示装置的过程中。从而能够在实现触控显示的同时，减小显示装置的厚度，适应显示面板超薄化的趋势，提升用户体验以及产品的市场竞争能力。

由于AMOLED显示装置在工作过程中，通过向其像素电路中的各个晶体管输入控制信号，控制各个像素晶体管的启闭，以AMOLED显示装置在不同的工作阶段进行不同的操作。具体的，当像素电路中连接控制信号的晶体管均为P型晶体管为例进行说明。该像素电路时序控制图如图4所示，在T1阶段为复位阶段，该阶段中复位信号Reset输入低电平，因此该像素电路处于复位阶段，以对上一帧残留的显示信号进行清零。第二阶段T2为信号写入阶段，该阶段中栅极信号Gate为低电平，将数据信号Vdata输入像素电路的驱动晶体管的栅极。第三阶段T3为发光阶段，该阶段中发光控制线Em输入低电平。流过驱动晶体管的电流驱动OLED器件进行发光。

然而，在上述发光阶段T3中，由于阴极111自身具有一定的电阻，因此会导致驱动OLED器件进行发光的驱动电流小于预设值，因此会造成OLED器件的亮度值无法达到预设亮度值的问题。

因此，为了解决上述问题，本发明实施例提供的AMOLED触控显示装置，还可以包括第三连接部302，用于在所述AMOLED触控显示装置处于发光阶段的情况下，将所述阴极与所述第一电极或所述第二电极进行电连接。这样一来，相当于在上述发光阶段T3时，在阴极111上并联了一个电阻。从而能够降低该阴极111的电阻，进而可以对驱动OLED器件发光的电压进行补偿，以确保OLED器件最终的发光亮度与预设值相匹配。

具体的，上述第三连接部302可以是一控制开关，其一端与第一电极200或第二电极201相连接，另一端与阴极111相连接。在发光阶段T3时，人为将该控制开关闭合，以使得第一电极200或第二电极201能够与阴极111电连接。

或者，为了对上述第三连接部302进行自动控制，如图5所示，可以将第三连接部设置为一薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极连接发光控制线Em，第一极连接所述阴极111，第二极与所述第一电极200或第二电极201相连接。

需要说明的是，上述薄膜晶体管的第一极可以是源极，第二极可以是漏极；或者，第一极可以是漏极，第二极可以是源极。此外，当向该薄膜晶体管输入控制信号的发光控制线Em的时序如图4所示时，该薄膜晶体管为P型晶体管。当发光控制线Em的时序与图4中的时序相反时，该薄膜晶体管为N型晶体管。

这样一来，当AMOLED显示装置的像素电路处于发光阶段T3时，发光控制线Em输入发光控制信号，将薄膜晶体管打开，第一电极200或第二电极201能够与阴极111自动电连接。

进一步地，为了在发光阶段T3，更有效的降低阴极111的电阻，当第一电极200与第一连接部300为一体结构；和/或，当第二电极201与第二连接部301设置为一体结构时。第一电极200和第二电极201可以与阴极111同材料设置。需要说明的是，构成的阴极11的材料可以包括镁、银中的至少一种，还可以采用导电性能好，透光率高的石墨烯材料。

在此情况下，第一电极200和第二电极201的厚度范围可以包括100nm～150nm。当上述厚度小于100nm时，在制作第一电极200和第二电极201图案的过程中，不容易成膜。当上述厚度大于150nm，会造成触控显示装置的厚度较厚，不利于超薄化的趋势。

进一步地，为了对位于触控显示装置最上层的第二连接部301进行保护，防止第二连接部301遭到破坏，而导致信号无法输入第二电极201，如图6所示，在第二连接部301的表面设置有第二绝缘层401。其中，第二绝缘层401可以完全覆盖第二连接部301。

具体的，在制作过程中，第一绝缘层400或第二绝缘层401可以与阴极保护层112同材料设置。其中，该构成该阴极保护层112可以为介电常数范围为4.3F/m～3.8F/m的透明树脂材料。在此情况下，为了提高制作第一绝缘层400或第二绝缘层401图案是的成膜率，并满足超薄化显示装置的要求，一般将第一绝缘层400或第二绝缘层401的厚度设置为40nm～60nm。

本发明实施例提供一种AMOLED触控显示装置的制备方法，可以包括形成有机功能层100的方法，以及在有机功能层100表面依次形成阴极111、阴极保护层112的方法；如图7所示，还可以包括：

S101、在位于阴极保护层112的表面，通过构图工艺形成多个相互间隔设置，并呈矩阵形式排列的第一电极200和第二电极201的图案。

S102、沿第一方向X，通过构图工艺形成将相邻两个第一电极200进行电连接的第一连接部300的图案。

S103、在所述第一连接部300的图案表面形成第一绝缘层400的图案；其中，为了提高绝缘效果，优选的，第一绝缘层400可以完全覆盖第一连接部200的图案。还可以如图3b所示，只在第一连接部300与第二连接部301的交叠区域设置上述第一绝缘层400。

S104、沿第二方向Y，通过构图工艺形成将相邻两个第二电极201进行电连接的第二连接部301的图案。

其中，所述第一方向X与所述第二方向Y交叉设置。

需要说明的是，第一、在本发明中，构图工艺，可指包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。

其中，本发明实施例中的一次构图工艺，是以通过一次掩膜曝光工艺形成不同的曝光区域，然后对不同的曝光区域进行多次刻蚀、灰化等去除工艺最终得到预期图案为例进行的说明。

本发明实施例提供一种AMOLED触控显示装置的制备方法，可以包括形成有机功能层的方法，以及在有机功能层表面依次形成阴极、阴极保护层的方法；还可以包括：在位于阴极保护层的表面，通过构图工艺形成多个相互间隔设置，并呈矩阵形式排列的第一电极和第二电极的图案；沿第一方向，通过构图工艺形成将相邻两个第一电极进行电连接的第一连接部的图案；在所述第一连接部的图案表面形成第一绝缘层的图案；沿第二方向，通过构图工艺形成将相邻两个第二电极进行电连接的第二连接的图案。其中，所述第一方向X与所述第二方向Y交叉设置。这样一来，通过第一连接部电连接的多个第一电极与通过第二连接部电连接的多个第二电极可以构成互电容。并且由于设置有第一绝缘层，因此能够避免通过第一电极和第二电极之间的信号产生串扰。具体的，在对第一电极加载触控驱动信号时，第二电极能够通过互电容耦合出感应电压信号，在此过程中，当用户接触显示屏时，人体电场就会作用于上述互电容上，使得该互电容的电容值发生变化，从而改变第二电极通过互电容耦合出的感应电压信号，进而可以根据该感应电压信号的而变化，确定出触点的位置，以实现触控显示。并且，本发明提供的AMOLED触控显示装置，是将触控结构整合在制作显示装置的过程中。从而能够在实现触控显示的同时，减小显示装置的厚度，适应显示面板超薄化的趋势，提升用户体验以及产品的市场竞争能力。

需要说明的是，本发明对上述步骤S101至S104顺序并不限制。具体的通过以下实施例对上述方法进行详细的举例说明。

实施例一

上述步骤S101的方法，如图8所示，可以包括：

S201、在所述第一方向X上，采用如图9a所示的第一掩膜版500，通过一次构图工艺，如图10a所示，在阴极保护层112的表面形成第一电极200的图案。

其中，第一掩膜版500包括与第一电极200或第二电极201(图案)相匹配的遮光区域E，以及其它透光区域F。

具体的，在阴极保护层112的表面涂覆一层构成第一电极200的薄膜层，并在该薄膜层的表面涂覆光刻胶；然后，采用上述第一掩膜版500。通过掩膜曝光工艺，显影后在阴极保护层112的表面形成对应待形成的第一电极200图案的光刻胶保留区域，以及对应阴极保护层112表面其它区域的光刻胶去除区域；接下来，将光刻胶去除区域的薄膜层刻蚀掉；最后，将光刻胶保留区域的光刻胶剥离，最终形成第一电极层200的图案。

S202、在所述第二方向Y上，采用所述第一掩膜版500，通过一次构图工艺，如图10b所示，在阴极保护层112的表面形成第二电极201的图案。其中形成第二电极201的方法与形成第一电极200的方法相同。不同之处在于，在制作第二电极201时，需要将第一掩膜版500旋转一交叉角度α，并移动至对应待形成的第一电极200的图案位置处，以防止形成的第一电极200和第二电极201的图案重叠。其中，当交叉角度α为90度，并且第一电极200和第二电极201图案的形状为如图所示的正方形时，上述制作方法在制作第二电极201图案时，可以不用将第一掩膜版500进行旋转。直接移动至掩膜曝光位置即可。此外，由于在制作过程中采用同样的掩膜版，因此第一电极200和第二电极201的图案相同。

这样一来，采用可以采用一个掩膜版，通过两次构图工艺分别形成第一电极200和第二电极201的图案。由于掩膜版的价格较高，所以上述方法可以降低成本。

在此基础上，可以继续步骤S102至步骤S104，以完成如图10a或如图10b所示的，第一连接部300、第一绝缘层400以及第二连接部301的制作。其中，可以采用如图9b所示的连接部掩膜版501，通过掩膜曝光、显影、刻蚀工艺对第一连接部300和第二连接部301的图案进行制作，其中，在制作第二连接部301时，需要将连接部掩膜版501旋转一交叉角度α，并移动至掩膜曝光位置。遮光区域E’的形状与第一连接部300或第二连接部301的图案相匹配。此外，第一绝缘层400图案的制作方法同理，在此不再赘述。

实施例二

上述步骤S101的方法，可以包括：

采用如图9c所示的，第二掩膜版502，通过一次构图工艺，在阴极保护层112的表面同时形成所述第一电极200和所述第二电极201的图案。其中，掩膜曝光工艺同上所述，不同之处在于，通过第二掩膜版502形成的光刻胶保留区域对应待形成的第一电极200和第二电极201的图案。

这样一来，通过一次构图工艺就可以同时完成第一电极200和第二电极201图案的制作，能够提高生产效率。然而，由于掩膜版上的遮光区域设计相对于实施例一而言较为复杂，因此，对掩膜版的设计精度要求较高。

实施例三

本发明实施例提供的AMOLED触控显示装置的制备方法，如图11所示，可以包括：

S301、在第一方向X上，采用如图9d所示的第三掩膜版503，通过一次构图工艺，在阴极保护层112的表面形成第一电极200图案以及与第一电极200为一体结构的第一连接部300的图案。

具体采用的掩膜曝光工艺同上所述，不同之处在于，采用第三掩膜版503曝光显影后，在阴极保护层112的表面形成的光刻胶保留区域对应待形成的第一电极200和第一连接部300的图案。

S302、在形成有上述图案的基板表面，通过一次构图工艺在第一连接部300的图案表面形成第一绝缘层400的图案。

S303、在第二方向Y上，采用上述第三掩膜版503，通过一次构图工艺，在阴极保护层112的表面形成第二电极201图案，以及位于所述第一绝缘层400图案表面的与所述第二电极201为一体结构的第二连接部301的图案。其中，形成第二电极201和第二连接部301的一体结构的方法与形成第一电极200和第一连接部300的一体结构的方法相同。不同之处在于，在制作第二电极201和第二连接部301的一体结构时，需要将第三掩膜版503旋转一交叉角度α，并移动至待形成的图案(第二电极201和第二连接部301的图案)位置处，以防止形成的第一电极200和第二电极201的图案重叠。此外，由于在上述制作过程中采用同样的掩膜版，因此第一电极200和第一连接部300的一体结构与第二电极201和第二连接部301的一体结构的图案相同。

进一步地，为了对位于触控显示装置最上层的第二连接部301进行保护，防止第二连接部301遭到破坏，而导致信号无法输入第二电极201，上述AMOLED触控显示装置的制备方法还可以包括：

在第二连接部301的表面，通过一次构图工艺形成第二绝缘层500的图案。具体采用的掩膜曝光、显影、刻蚀等工艺如上所述，此处不再赘述。

具体的，在制作过程中，第一绝缘层400或第二绝缘层401可以与阴极保护层112同材料设置。其中，该构成该阴极保护层112可以为介电常数范围为4.3F/m～3.8F/m的透明树脂材料。在此情况下，为了提高制作第一绝缘层400或第二绝缘层401图案是的成膜率，并满足超薄化显示装置的要求，一般将第一绝缘层400或第二绝缘层401的厚度设置为40nm～60nm。

此外，由于AMOLED显示装置在工作过程中，通过向其像素电路中的各个晶体管输入控制信号，控制各个像素晶体管的启闭，以AMOLED显示装置在不同的工作阶段进行不同的操作。具体的，当像素电路中连接控制信号的晶体管均为P型晶体管为例进行说明。该像素电路时序控制图如图4所示，在T1阶段为复位阶段，该阶段中复位信号Reset输入低电平，因此该像素电路处于复位阶段，以对上一帧残留的显示信号进行清零。第二阶段T2为信号写入阶段，该阶段中栅极信号Gate为低电平，将数据信号Vdata输入像素电路的驱动晶体管的栅极。第三阶段T3为发光阶段，该阶段中发光控制线Em输入低电平。流过驱动晶体管的电流驱动OLED器件进行发光。

然而，在上述发光阶段T3中，由于阴极111自身具有一定的电阻，因此会导致驱动OLED器件进行发光的驱动电流小于预设值，因此会造成OLED器件的亮度值无法达到预设亮度值的问题。

因此，为了解决上述问题，本发明提供以下实施例。

实施例四

上述AMOLED触控显示装置的制备方法，还可以包括：

设置用于在AMOLED触控显示装置处于发光阶段的情况下，将阴极111与第一电极200或第二电极201进行电连接的第三连接部302。这样一来，相当于在上述发光阶段T3时，在阴极111上并联了一个电阻。从而能够降低该阴极111的电阻，进而可以对驱动OLED器件发光的电压进行补偿，以确保OLED器件最终的发光亮度与预设值相匹配。

具体的，上述第三连接部302可以是一控制开关，其一端与第一电极200或第二电极201相连接，另一端与阴极111相连接。在发光阶段T3时，人为将该控制开关闭合，以使得第一电极200或第二电极201能够与阴极111电连接。

或者，为了对上述第三连接部302进行自动控制，如图5所示，可以将第三连接部设置为一薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极连接发光控制线Em，第一极连接所述阴极111，第二极与所述第一电极200或第二电极201相连接。

需要说明的是，上述薄膜晶体管的第一极可以是源极，第二极可以是漏极；或者，第一极可以是漏极，第二极可以是源极。此外，当向该薄膜晶体管输入控制信号的发光控制线Em的时序如图4所示时，该薄膜晶体管为P型晶体管。当发光控制线Em的时序与图4中的时序相反时，该薄膜晶体管为N型晶体管。

这样一来，当AMOLED显示装置的像素电路处于发光阶段T3时，发光控制线Em输入发光控制信号，将薄膜晶体管打开，第一电极200或第二电极201能够与阴极111自动电连接。

进一步地，为了在发光阶段T3，更有效的降低阴极111的电阻，当第一电极200与第一连接部300为一体结构；和/或，当第二电极201与第二连接部301设置为一体结构时。第一电极200和第二电极201可以与阴极111同材料设置。需要说明的是，构成的阴极11的材料可以包括镁、银中的至少一种，还可以采用导电性能好，透光率高的石墨烯材料。

在此情况下，第一电极200和第二电极201的厚度范围可以包括100nm～150nm。当上述厚度小于100nm时，在制作第一电极200和第二电极201图案的过程中，不容易成膜。当上述厚度大于150nm，会造成触控显示装置的厚度较厚，不利于超薄化的趋势。

进一步地，为了在发光阶段T3，更有效的降低阴极111的电阻，当第一电极200与第一连接部300为一体结构；和/或，当第二电极201与第二连接部301设置为一体结构时。第一电极200和第二电极201可以与阴极111同材料设置。需要说明的是，构成的阴极11的材料可以包括镁、银中的至少一种，还可以采用导电性能好，透光率高的石墨烯材料。

本发明实施例提供一种AMOLED触控显示装置的驱动方法，在所述AMOLED触控显示装置包括由薄膜晶体管构成的第三连接部302的情况下，该驱动方法如图12所示，可以包括：

S401、在触摸阶段，薄膜晶体管处于截止状态，将阴极111与位于阴极保护层表面112的第一电极200或第二电极201断开。

需要说明的是，如图4所示，上述触摸阶段可以是指T1阶段(复位阶段)，该阶段中复位信号Reset输入低电平，因此该像素电路处于复位阶段，以对上一帧残留的显示信号进行清零。或者，可以是指第二阶段T2(信号写入阶段)，该阶段中栅极信号Gate为低电平，将数据信号Vdata输入像素电路的驱动晶体管的栅极。

S402、在发光阶段T3，发光控制线Em将发光信号输入至所述薄膜晶体管的栅极，所述薄膜晶体管处于导通状态，阴极111与位于阴极保护层112表面的第一电极200或第二电极201导通。

本发明实施例提供一种AMOLED触控显示装置的驱动方法，在所述AMOLED触控显示装置包括由薄膜晶体管构成的第三连接部的情况下，该驱动方法可以包括：在触摸阶段，薄膜晶体管处于截止状态，阴极与第一电极或第二电极断开；在发光阶段，所述薄膜晶体管处于导通状态，将阴极与第一电极或第二电极导通。这样一来，相当于在上述发光阶段T3时，在阴极111上并联了一个电阻。从而能够降低该阴极111的电阻，进而可以对驱动OLED器件发光的电压进行补偿，以确保OLED器件最终的发光亮度与预设值相匹配。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种AMOLED触控显示装置，包括有机功能层，以及依次位于所述有机功能层表面的阴极、阴极保护层；其特征在于，还包括：

位于所述阴极保护层表面的多个相互间隔设置，并呈矩阵形式排列的第一电极和第二电极；

沿第一方向将相邻两个所述第一电极进行电连接的第一连接部；

沿第二方向将相邻两个所述第二电极进行电连接的第二连接部；

设置于所述第一连接部和所述第二连接部之间的第一绝缘层；

其中，所述第一方向与所述第二方向交叉设置；

还包括：

用于在所述AMOLED触控显示装置处于发光阶段的情况下，将所述阴极与所述第一电极或所述第二电极进行电连接的第三连接部。

2.根据权利要求1所述的AMOLED触控显示装置，其特征在于，所述第三连接部包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极连接发光控制线，第一极连接所述阴极，第二极与所述第一电极或所述第二电极相连接。

3.根据权利要求1-2任一项所述的AMOLED触控显示装置，其特征在于，

所述第一电极与所述第一连接部为一体结构；和/或，

所述第二电极与所述第二连接部为一体结构。

4.根据权利要求3所述的AMOLED触控显示装置，其特征在于，

所述第一电极和所述第二电极与所述阴极同材料设置。

5.根据权利要求4所述的AMOLED触控显示装置，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的厚度范围为100nm～150nm。

6.根据权利要求1所述的AMOLED触控显示装置，其特征在于，还包括设置于所述第二连接部表面的第二绝缘层。

7.根据权利要求1或6所述的AMOLED触控显示装置，其特征在于，

所述第一绝缘层或第二绝缘层与所述阴极保护层同材料设置。

8.根据权利要求7所述的AMOLED触控显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层的厚度范围为40nm～60nm；

所述第一绝缘层或所述第二绝缘层的介电常数范围为4.3F/m～3.8F/m。

9.一种AMOLED触控显示装置的制备方法，包括形成有机功能层的方法，以及在所述有机功能层表面依次形成阴极、阴极保护层的方法；其特征在于，还包括：

在位于所述阴极保护层的表面，通过构图工艺形成多个相互间隔设置，并呈矩阵形式排列的第一电极和第二电极的图案；

沿第一方向，通过构图工艺形成将相邻两个所述第一电极进行电连接的第一连接部的图案；

在所述第一连接部的图案表面形成第一绝缘层的图案；

沿第二方向，通过构图工艺形成将相邻两个所述第二电极进行电连接的第二连接部的图案；

其中，所述第一方向与所述第二方向交叉设置；

还包括：

设置用于在所述AMOLED触控显示装置处于发光阶段的情况下，将所述阴极与所述第一电极或所述第二电极进行电连接的第三连接部。

10.根据权利要求9所述的AMOLED触控显示装置的制备方法，所述第三连接部包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极连接发光控制线，第一极连接所述阴极，第二极与所述第一电极或所述第二电极相连接。

11.根据权利要求9所述的AMOLED触控显示装置的制备方法，其特征在于，

所述第一连接部和所述第二连接部与所述阴极同材料设置。

12.根据权利要求9所述的AMOLED触控显示装置的制备方法，其特征在于，所述在位于所述阴极保护层的表面，通过构图工艺形成相互间隔设置，并呈矩阵形式排列的第一电极和第二电极的图案的方法包括：

在所述第一方向上，采用第一掩膜版，通过一次构图工艺，在所述阴极保护层的表面形成所述第一电极的图案；

在所述第二方向上，采用所述第一掩膜版，通过一次构图工艺，在所述阴极保护层的表面形成所述第二电极的图案。

13.根据权利要求9所述的AMOLED触控显示装置的制备方法，其特征在于，所述在位于所述阴极保护层的表面，通过构图工艺形成相互间隔设置，并呈矩阵形式排列的第一电极和第二电极的图案的方法包括：

采用第二掩膜版，通过一次构图工艺，在所述阴极保护层的表面同时形成所述第一电极和所述第二电极的图案。

14.根据权利要求12所述的AMOLED触控显示装置的制备方法，其特征在于，包括：

在所述第一方向上，采用第三掩膜版，通过一次构图工艺，在所述阴极保护层的表面形成所述第一电极图案以及与所述第一电极为一体结构的所述第一连接部的图案；

在形成有上述图案的基板表面，通过一次构图工艺在所述第一连接部的图案表面形成所述第一绝缘层的图案；

在所述第二方向上，采用所述第三掩膜版，通过一次构图工艺，在所述阴极保护层的表面形成所述第二电极图案，以及位于所述第一绝缘层图案表面的与所述第二电极为一体结构的所述第二连接部的图案。

15.根据权利要求9-14任一项所述的AMOLED触控显示装置的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述第二连接部的表面，通过一次构图工艺形成第二绝缘层的图案。

16.一种AMOLED触控显示装置的驱动方法，其特征在于，在所述AMOLED触控显示装置包括由薄膜晶体管构成的第三连接部的情况下，所述驱动方法还包括：

在触摸阶段，薄膜晶体管处于截止状态，将阴极与位于阴极保护层表面的第一电极或第二电极断开；

在发光阶段，发光控制线将发光信号输入至所述薄膜晶体管的栅极，所述薄膜晶体管处于导通状态，所述阴极与所述第一电极或所述第二电极导通。