JP2021501368A - Ａｍｏｌｅｄ画素駆動回路及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路及びその駆動方法を提供し、上記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路及びその駆動方法は、６Ｔ１Ｃ構造の画素駆動回路を採用し、且つ特定の駆動タイミングとマッチングさせることで、薄膜トランジスタ（Ｔ６）を駆動する閾値電圧（Ｖｔｈ）を効果的に補正し、有機発光ダイオード（Ｄ）を流れる電流を安定させ、有機発光ダイオード（Ｄ）の発光輝度の均一性を確保し、画面の表示効果を改善することができるとともに、Ｎ型薄膜トランジスタとＰ型薄膜トランジスタとのマッチングによって、薄膜トランジスタ及び走査制御信号の数を減少させ、それによって画素駆動回路の構造を簡素化し、有効発光面積を増加させる。
Description
本発明は表示技術分野に関し、特にＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路及びその駆動方法に関する。
有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ）表示装置は自己発光で、駆動電圧が低く、発光効率が高く、応答時間が短く、解像度及びコントラストが高く、視野角が１８０°近くあり、使用温度範囲が広いため、フレキシブル表示及び大面積フルカラー表示を実現できる等の多くの利点を有し、業界では最も発展の潜在的余力のある表示装置と考えられている。
ＯＬＥＤ表示装置は、駆動方式に応じてパッシブマトリックス型ＯＬＥＤ（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ＯＬＥＤ、ＰＭＯＬＥＤ）及びアクティブマトリックス型ＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ＯＬＥＤ、ＡＭＯＬＥＤ）の２種類、すなわち、直接アドレッシング及び薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）マトリックスアドレッシングの２種類に大別できる。そのうち、ＡＭＯＬＥＤはアレイ式に配列された画素を有し、アクティブ表示タイプに属し、発光効率が高く、通常、高解像度の大型表示装置として用いられる。
ＡＭＯＬＥＤは電流駆動デバイスであり、電流が有機発光ダイオードを流れると、有機発光ダイオードが発光し、且つ発光輝度が有機発光ダイオード自体を流れる電流に応じて決められる。既存の集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ、ＩＣ）のほとんどは電圧信号だけを伝送するため、ＡＭＯＬＥＤの画素駆動回路は電圧信号を電流信号に変換するタスクを実行する必要がある。従来のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路は通常２Ｔ１Ｃであり、すなわち、２つの薄膜トランジスタに１つのコンデンサを追加した構造であり、電圧を電流に変換する。薄膜トランジスタを駆動する閾値電圧がドリフトするにつれて、有機発光ダイオードを流れる電流の変化が非常に大きく、その結果、有機発光ダイオードの発光が非常に不安定で、輝度が非常に不均一で、画面の表示効果に重大な悪影響を与えてしまう。上記課題を解決するには、各画素に補正回路を追加する必要があり、ここで補正とは、各画素中の全ての薄膜トランジスタを駆動する閾値電圧を補正して、有機発光ダイオードを流れる電流を閾値電圧とは無関係に変化するようにしなければならないことを意味する。
図１に示すように、７Ｔ２Ｃ構造のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路は、７個の薄膜トランジスタ及び２個のコンデンサを含み、それぞれ第１薄膜トランジスタＴ１０、第２薄膜トランジスタＴ２０、第３薄膜トランジスタＴ３０、第４薄膜トランジスタＴ４０、第５薄膜トランジスタＴ５０、第６薄膜トランジスタＴ６０、第７薄膜トランジスタＴ７０、第１コンデンサＣ１０、及び第２コンデンサＣ２０である。該画素駆動回路は、それぞれ第１走査制御信号Ｓ１０、第２走査制御信号Ｓ２０、第３走査制御信号Ｓ３０、及び第４走査制御信号Ｓ４０である４個の走査制御信号によって制御される必要がある。この回路の動作タイミング図は図２に示されるように、該回路の動作プロセスは第１段階１０、第２段階２０、及び第３段階３０を含み、第２段階２０では、前記第２走査制御信号Ｓ２０は高電位を供給した後、低電位を供給し、この時、前記第２走査制御信号Ｓ２０が低電位を供給する時に第１コンデンサＣ１の作用によって、第１コンデンサＣ１と第２コンデンサＣ２との接続点での電位が不安定になる。さらに該画素駆動回路は７個の薄膜トランジスタ及び２個のコンデンサが必要であり、構造が複雑で、画素の有効発光面積が比較的低く、走査制御信号の数が比較的多く、その結果、タイミングコントローラも比較的複雑である。
本発明の目的は、薄膜トランジスタを駆動する閾値電圧を効果的に補正し、有機発光ダイオードの発光輝度の均一性を確保し、画素駆動回路の構造を簡素化し、有効発光面積を増加させることができるＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路を提供することである。
本発明の目的はさらに、薄膜トランジスタを駆動する閾値電圧を効果的に補正し、有機発光ダイオードを流れる電流を安定させ、有機発光ダイオードの発光輝度の均一性を確保し、画面の表示効果を改善することができるＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法を提供することである。
上記目的を実現するために、本発明はＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路を提供し、第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、第６薄膜トランジスタ、コンデンサ、及び有機発光ダイオードを含み、
前記第１薄膜トランジスタは、ゲートが第２走査制御信号にアクセスし、ソースがデータ信号に電気的に接続され、ドレインが第１ノードに電気的に接続され、
前記第２薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
前記第３薄膜トランジスタは、ゲートが第１走査制御信号にアクセスし、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
前記第４薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが第３ノードに電気的に接続され、ドレインが有機発光ダイオードの陽極に電気的に接続され、
前記第５薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが基準電圧にアクセスし、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
前記第６薄膜トランジスタは、ゲートが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが電源高電圧にアクセスし、ソースが第３ノードに電気的に接続され、
前記コンデンサは、一端が第２ノードに電気的に接続され、他端が第３ノードに電気的に接続され、
前記有機発光ダイオードの陰極が電源低電圧にアクセスし、
前記第５薄膜トランジスタはＮ型薄膜トランジスタ及びＰ型薄膜トランジスタのうちの一方であり、前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ及び第６薄膜トランジスタはいずれもＮ型薄膜トランジスタ及びＰ型薄膜トランジスタのうちの第５薄膜トランジスタと異なるもう一方である。
前記第１薄膜トランジスタは、ゲートが第２走査制御信号にアクセスし、ソースがデータ信号に電気的に接続され、ドレインが第１ノードに電気的に接続され、
前記第２薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
前記第３薄膜トランジスタは、ゲートが第１走査制御信号にアクセスし、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
前記第４薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが第３ノードに電気的に接続され、ドレインが有機発光ダイオードの陽極に電気的に接続され、
前記第５薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが基準電圧にアクセスし、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
前記第６薄膜トランジスタは、ゲートが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが電源高電圧にアクセスし、ソースが第３ノードに電気的に接続され、
前記コンデンサは、一端が第２ノードに電気的に接続され、他端が第３ノードに電気的に接続され、
前記有機発光ダイオードの陰極が電源低電圧にアクセスし、
前記第５薄膜トランジスタはＮ型薄膜トランジスタ及びＰ型薄膜トランジスタのうちの一方であり、前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ及び第６薄膜トランジスタはいずれもＮ型薄膜トランジスタ及びＰ型薄膜トランジスタのうちの第５薄膜トランジスタと異なるもう一方である。
前記第１走査制御信号、第２走査制御信号、及び第３走査制御信号を互いに組み合わせ、順に１つのデータ電圧記憶段階、１つの閾値電圧補正段階、及び表示発光段階に対応付け、且つ前記有機発光ダイオードが１つのデータ電圧記憶段階及び１つの閾値電圧補正段階で発光しないように制御する。
前記データ電圧記憶段階では、前記第１走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位と異なる第２電位を供給し、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオンになり、前記第２薄膜トランジスタ及び第４薄膜トランジスタがオフになり、
閾値電圧補正段階では、前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給した後に第２電位を供給し、第３走査制御信号が第２電位を供給し、前記第５薄膜トランジスタオン、前記第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオフになり、前記第１薄膜トランジスタがオンになった後にオフになり、
表示発光段階では、前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第２電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオンになり、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオフになる。
閾値電圧補正段階では、前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給した後に第２電位を供給し、第３走査制御信号が第２電位を供給し、前記第５薄膜トランジスタオン、前記第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオフになり、前記第１薄膜トランジスタがオンになった後にオフになり、
表示発光段階では、前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第２電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオンになり、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオフになる。
前記第５薄膜トランジスタはＰ型薄膜トランジスタであり、前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ及び第６薄膜トランジスタはいずれもＮ型薄膜トランジスタである。
前記第１電位は高電位であり、前記第２電位は低電位である。
前記第５薄膜トランジスタはＮ型薄膜トランジスタであり、前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ及び第６薄膜トランジスタはいずれもＰ型薄膜トランジスタである。
前記第１電位は低電位であり、前記第２電位は高電位である。
前記第１走査制御信号、第２走査制御信号、及び第３走査制御信号はいずれも外部タイミングコントローラによって供給される。
前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、及び第６薄膜トランジスタはいずれも低温ポリシリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ、又はアモルファスシリコン薄膜トランジスタである。
本発明はさらに、上記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路に応用されるＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法を提供し、上記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路は、ステップＳ００１〜Ｓ００３を含み、
ステップＳ００１では、データ電圧記憶段階に入り、
前記第１走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位と異なる第２電位を供給し、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオンになり、前記第２薄膜トランジスタ及び第４薄膜トランジスタがオフになり、データ信号が第１ノードに書き込まれ、基準電圧が第２ノード及び第３ノードに書き込まれ、
ステップＳ００２では、閾値電圧補正段階に入り、
前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給した後に第２電位を供給し、第３走査制御信号が第２電位を供給し、前記第５薄膜トランジスタがオンになり、前記第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオフになり、前記第１薄膜トランジスタがオンになった後にオフになり、
前記第２走査制御信号が第１電位である時、第３ノードが第６薄膜トランジスタによって放電し、第３ノードの電位をＶｄａｔａ−Ｖｔｈに変更し、ここで、Ｖｄａｔａはデータ信号の電圧であり、Ｖｔｈは第６薄膜トランジスタの閾値電圧であり、
前記第２走査制御信号が第２電位である時、第１ノードの電圧がゼロになり、第２ノードの電圧が基準電圧に維持され、第３ノードの電圧がＶｄａｔａ−Ｖｔｈに維持され、
ステップＳ００３では、表示発光段階に入り、
前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第２電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオンになり、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオフになり、有機発光ダイオードが発光する。
ステップＳ００１では、データ電圧記憶段階に入り、
前記第１走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位と異なる第２電位を供給し、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオンになり、前記第２薄膜トランジスタ及び第４薄膜トランジスタがオフになり、データ信号が第１ノードに書き込まれ、基準電圧が第２ノード及び第３ノードに書き込まれ、
ステップＳ００２では、閾値電圧補正段階に入り、
前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給した後に第２電位を供給し、第３走査制御信号が第２電位を供給し、前記第５薄膜トランジスタがオンになり、前記第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオフになり、前記第１薄膜トランジスタがオンになった後にオフになり、
前記第２走査制御信号が第１電位である時、第３ノードが第６薄膜トランジスタによって放電し、第３ノードの電位をＶｄａｔａ−Ｖｔｈに変更し、ここで、Ｖｄａｔａはデータ信号の電圧であり、Ｖｔｈは第６薄膜トランジスタの閾値電圧であり、
前記第２走査制御信号が第２電位である時、第１ノードの電圧がゼロになり、第２ノードの電圧が基準電圧に維持され、第３ノードの電圧がＶｄａｔａ−Ｖｔｈに維持され、
ステップＳ００３では、表示発光段階に入り、
前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第２電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオンになり、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオフになり、有機発光ダイオードが発光する。
本発明はさらにＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路を提供し、第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、第６薄膜トランジスタ、コンデンサ、及び有機発光ダイオードを含み、
前記第１薄膜トランジスタは、ゲートが第２走査制御信号にアクセスし、ソースがデータ信号に電気的に接続され、ドレインが第１ノードに電気的に接続され、
前記第２薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
前記第３薄膜トランジスタは、ゲートが第１走査制御信号にアクセスし、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
前記第４薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが第３ノードに電気的に接続され、ドレインが有機発光ダイオードの陽極に電気的に接続され、
前記第５薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが基準電圧にアクセスし、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
前記第６薄膜トランジスタは、ゲートが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが電源高電圧にアクセスし、ソースが第３ノードに電気的に接続され、
前記コンデンサは、一端が第２ノードに電気的に接続され、他端が第３ノードに電気的に接続され、
前記有機発光ダイオードの陰極が電源低電圧にアクセスし、
前記第５薄膜トランジスタはＮ型薄膜トランジスタ及びＰ型薄膜トランジスタのうちの一方であり、前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ及び第６薄膜トランジスタはいずれもＮ型薄膜トランジスタ及びＰ型薄膜トランジスタのうちの第５薄膜トランジスタと異なるもう一方であり、
前記第１走査制御信号、第２走査制御信号、及び第３走査制御信号を互いに組み合わせ、順に１つのデータ電圧記憶段階、１つの閾値電圧補正段階、及び１つの表示発光段階に対応付け、且つ前記有機発光ダイオードが１つのデータ電圧記憶段階及び１つの閾値電圧補正段階で発光しないように制御し、
前記データ電圧記憶段階では、前記第１走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位と異なる第２電位を供給し、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオンになり、前記第２薄膜トランジスタ及び第４薄膜トランジスタがオフになり、
前記閾値電圧補正段階では、前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給した後に第２電位を供給し、第３走査制御信号が第２電位を供給し、前記第５薄膜トランジスタがオンになり、前記第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオフになり、前記第１薄膜トランジスタがオンになった後にオフになり、
前記表示発光段階では、前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第２電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオンになり、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオフになり、
前記第１走査制御信号、第２走査制御信号、及び第３走査制御信号はいずれも外部タイミングコントローラによって供給され、
前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、及び第６薄膜トランジスタはいずれも低温ポリシリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ、又はアモルファスシリコン薄膜トランジスタである。
前記第１薄膜トランジスタは、ゲートが第２走査制御信号にアクセスし、ソースがデータ信号に電気的に接続され、ドレインが第１ノードに電気的に接続され、
前記第２薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
前記第３薄膜トランジスタは、ゲートが第１走査制御信号にアクセスし、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
前記第４薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが第３ノードに電気的に接続され、ドレインが有機発光ダイオードの陽極に電気的に接続され、
前記第５薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが基準電圧にアクセスし、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
前記第６薄膜トランジスタは、ゲートが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが電源高電圧にアクセスし、ソースが第３ノードに電気的に接続され、
前記コンデンサは、一端が第２ノードに電気的に接続され、他端が第３ノードに電気的に接続され、
前記有機発光ダイオードの陰極が電源低電圧にアクセスし、
前記第５薄膜トランジスタはＮ型薄膜トランジスタ及びＰ型薄膜トランジスタのうちの一方であり、前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ及び第６薄膜トランジスタはいずれもＮ型薄膜トランジスタ及びＰ型薄膜トランジスタのうちの第５薄膜トランジスタと異なるもう一方であり、
前記第１走査制御信号、第２走査制御信号、及び第３走査制御信号を互いに組み合わせ、順に１つのデータ電圧記憶段階、１つの閾値電圧補正段階、及び１つの表示発光段階に対応付け、且つ前記有機発光ダイオードが１つのデータ電圧記憶段階及び１つの閾値電圧補正段階で発光しないように制御し、
前記データ電圧記憶段階では、前記第１走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位と異なる第２電位を供給し、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオンになり、前記第２薄膜トランジスタ及び第４薄膜トランジスタがオフになり、
前記閾値電圧補正段階では、前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給した後に第２電位を供給し、第３走査制御信号が第２電位を供給し、前記第５薄膜トランジスタがオンになり、前記第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオフになり、前記第１薄膜トランジスタがオンになった後にオフになり、
前記表示発光段階では、前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第２電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオンになり、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオフになり、
前記第１走査制御信号、第２走査制御信号、及び第３走査制御信号はいずれも外部タイミングコントローラによって供給され、
前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、及び第６薄膜トランジスタはいずれも低温ポリシリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ、又はアモルファスシリコン薄膜トランジスタである。
本発明の有益な効果は、以下のとおりである。本発明はＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路を提供し、上記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路は、６Ｔ１Ｃ構造の画素駆動回路を採用し、且つ特定の駆動タイミングとマッチングさせることで、薄膜トランジスタを駆動する閾値電圧を効果的に補正し、有機発光ダイオードを流れる電流を安定させ、有機発光ダイオードの発光輝度の均一性を確保し、画面の表示効果を改善することができるとともに、Ｎ型薄膜トランジスタとＰ型薄膜トランジスタとのマッチングによって、薄膜トランジスタ及び走査制御信号の数を減少させ、それによって画素駆動回路の構造を簡素化し、有効発光面積を増加させる。本発明はさらにＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法を提供し、上記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法は、薄膜トランジスタを駆動する閾値電圧を効果的に補正し、有機発光ダイオードを流れる電流を安定させ、有機発光ダイオードの発光輝度の均一性を確保し、画面の表示効果を改善することができる。
本発明の特徴及び技術内容をさらに理解できるように、以下の本発明についての詳細説明及び図面を参照することができるが、図面は単に参考及び説明するためのものであり、本発明を限定するためのものではない。
本発明が採用する技術的手段及びその効果をさらに説明するために、以下、本発明の好適実施例及びその図面を詳細に説明する。
図３に示すように、本発明はＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路を提供し、上記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路は、第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５、第６薄膜トランジスタＴ６、コンデンサＣ１、及び有機発光ダイオードＤを含み、
上記第１薄膜トランジスタＴ１は、ゲートが第２走査制御信号Ｓ２にアクセスし、ソースがデータ信号Ｄａｔａに電気的に接続され、ドレインが第１ノードＡに電気的に接続され、
上記第２薄膜トランジスタＴ２は、ゲートが第３走査制御信号Ｓ３にアクセスし、ソースが第１ノードＡに電気的に接続され、ドレインが第２ノードＢに電気的に接続され、
上記第３薄膜トランジスタＴ３は、ゲートが第１走査制御信号Ｓ１にアクセスし、ソースが第２ノードＢに電気的に接続され、ドレインが第３ノードＣに電気的に接続され、
上記第４薄膜トランジスタＴ４は、ゲートが第３走査制御信号Ｓ３にアクセスし、ソースが第３ノードＣに電気的に接続され、ドレインが機発光ダイオードＤの陽極に電気的に接続され、
上記第５薄膜トランジスタＴ５は、ゲートが第３走査制御信号Ｓ３にアクセスし、ソースが基準電圧Ｖｒｅｆにアクセスし、ドレインが第２ノードＢに電気的に接続され、
上記第６薄膜トランジスタＴ６は、ゲートが第１ノードＡに電気的に接続され、ドレインが電源高電圧ＯＶＤＤにアクセスし、ソースが第３ノードＣに電気的に接続され、
上記コンデンサＣ１は、一端が第２ノードＢに電気的に接続され、他端が第３ノードＣに電気的に接続され、
上記有機発光ダイオードＤの陰極が電源低電圧ＯＶＳＳにアクセスする。
上記第１薄膜トランジスタＴ１は、ゲートが第２走査制御信号Ｓ２にアクセスし、ソースがデータ信号Ｄａｔａに電気的に接続され、ドレインが第１ノードＡに電気的に接続され、
上記第２薄膜トランジスタＴ２は、ゲートが第３走査制御信号Ｓ３にアクセスし、ソースが第１ノードＡに電気的に接続され、ドレインが第２ノードＢに電気的に接続され、
上記第３薄膜トランジスタＴ３は、ゲートが第１走査制御信号Ｓ１にアクセスし、ソースが第２ノードＢに電気的に接続され、ドレインが第３ノードＣに電気的に接続され、
上記第４薄膜トランジスタＴ４は、ゲートが第３走査制御信号Ｓ３にアクセスし、ソースが第３ノードＣに電気的に接続され、ドレインが機発光ダイオードＤの陽極に電気的に接続され、
上記第５薄膜トランジスタＴ５は、ゲートが第３走査制御信号Ｓ３にアクセスし、ソースが基準電圧Ｖｒｅｆにアクセスし、ドレインが第２ノードＢに電気的に接続され、
上記第６薄膜トランジスタＴ６は、ゲートが第１ノードＡに電気的に接続され、ドレインが電源高電圧ＯＶＤＤにアクセスし、ソースが第３ノードＣに電気的に接続され、
上記コンデンサＣ１は、一端が第２ノードＢに電気的に接続され、他端が第３ノードＣに電気的に接続され、
上記有機発光ダイオードＤの陰極が電源低電圧ＯＶＳＳにアクセスする。
上記第５薄膜トランジスタＴ５はＮ型薄膜トランジスタ及びＰ型薄膜トランジスタのうちの一方であり、上記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ及び第６薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ６はいずれもＮ型薄膜トランジスタ及びＰ型薄膜トランジスタのうちの第５薄膜トランジスタＴ５と異なるもう一方である。
具体的には、図４に示すように、本発明のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路の動作プロセスは、上記第１走査制御信号Ｓ１、第２走査制御信号Ｓ２、及び第３走査制御信号Ｓ３を互いに組み合わせ、順に１つのデータ電圧記憶段階１、１つの閾値電圧補正段階２、及び表示発光段階３に対応付け、且つ上記有機発光ダイオードＤが１つのデータ電圧記憶段階１及び１つの閾値電圧補正段階２で発光しないように制御する。
図５に示すように、上記データ電圧記憶段階１では、上記第１走査制御信号Ｓ１が第１電位を供給し、上記第２走査制御信号Ｓ２が第１電位を供給し、第３走査制御信号Ｓ３が第１電位と異なる第２電位を供給し、上記第１薄膜トランジスタＴ１、第３薄膜トランジスタＴ３、及び第５薄膜トランジスタＴ５がオンになり、上記第２薄膜トランジスタＴ２及び第４薄膜トランジスタＴ４がオフになり、データ信号Ｄａｔａが第１ノードＡに書き込まれ、基準電圧Ｖｒｅｆが第２ノードＢ及び第３ノードＣに書き込まれ、第１ノードＡの電圧がデータ信号の電圧Ｖｄａｔａに等しく、第２ノードＢ及び第３ノードＣの電圧が基準電圧Ｖｒｅｆに等しい。
さらに、図６及び図７に示すように、閾値電圧補正段階２では、上記第１走査制御信号Ｓ１が第２電位を供給し、上記第２走査制御信号Ｓ２が第１電位を供給した後に第２電位を供給し、第３走査制御信号Ｓ３が第２電位を供給し、上記第５薄膜トランジスタＴ５がオンになり、上記第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、及び第４薄膜トランジスタＴ４がオフになり、上記第１薄膜トランジスタＴ１がオンになった後にオフになる。
具体的には、図６に示すように、上記第２走査制御信号Ｓ２が第１電位である時、第６薄膜トランジスタＴ６がカットオフになるまで、第３ノードＣが第６薄膜トランジスタＴ６によって放電し、第３ノードＣの電位をＶｄａｔａ−Ｖｔｈに変更し、コンデンサＣ１の電圧差がＶｒｅｆ−（Ｖｄａｔａ−Ｖｔｈ）である。ここで、Ｖｄａｔａはデータ信号Ｄａｔａの電圧であり、Ｖｔｈは第６薄膜トランジスタＴ６の閾値電圧であり、第１ノードＡの電圧はデータ信号の電圧Ｖｄａｔａに維持され、第２ノードＢの電圧は基準電圧Ｖｒｅｆに維持され、図７に示すように、上記第２走査制御信号Ｓ２が第２電位である時、第１ノードＡの電圧がゼロになり、コンデンサＣ１の電圧差が変化しないため、第２ノードＢの電圧は基準電圧Ｖｒｅｆに維持され、第３ノードＣの電圧はＶｄａｔａ−Ｖｔｈに維持される。
さらに、図８に示すように、表示発光段階３では、上記第１走査制御信号Ｓ１が第２電位を供給し、上記第２走査制御信号Ｓ２が第２電位を供給し、第３走査制御信号Ｓ３が第１電位を供給し、上記第２薄膜トランジスタＴ２、及び第４薄膜トランジスタＴ４がオンになり、上記第１薄膜トランジスタＴ１、第３薄膜トランジスタＴ３、及び第５薄膜トランジスタＴ５がオフになり、上記有機発光ダイオードＤが発光し、有機発光ダイオードＤを流れる電流ＩｏｌｅｄがＩｏｌｅｄ＝ｋ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）２＝ｋ（Ｖｒｅｆ−Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ−Ｖｔｈ）２＝ｋ（Ｖｒｅｆ−Ｖｄａｔａ）２に等しい。ここで、ｋは薄膜トランジスタ、すなわち第６薄膜トランジスタＴ６を駆動する構造パラメータであり、Ｖｇｓは第６薄膜トランジスタＴ６のゲートソース電圧差であり、同じ構造の薄膜トランジスタは、Ｋ値が相対的に安定するため、有機発光ダイオードＤの発光時、上記有機発光ダイオードＤを流れる電流が第６薄膜トランジスタＴ６の閾値電圧とは無関係であり、薄膜トランジスタを駆動する閾値電圧ドリフトによって、有機発光ダイオードを流れる電流が不安定であるという課題を解決し、有機発光ダイオードの発光輝度を均一にし、画面の表示効果を改善することができる。
好適には、本発明の第１実施例では、上記第５薄膜トランジスタＴ５はＰ型薄膜トランジスタであり、上記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ及び第６薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ６はいずれもＮ型薄膜トランジスタである。上記第１電位は高電位であり、上記第２電位は低電位である。
好適には、本発明の第２実施例では、上記第５薄膜トランジスタＴ５はＮ型薄膜トランジスタであり、上記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ及び第６薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ６はいずれもＰ型薄膜トランジスタである。上記第１電位は低電位であり、上記第２電位は高電位である。
具体的には、上記第１走査制御信号Ｓ１、第２走査制御信号Ｓ２、及び第３走査制御信号Ｓ３はいずれも外部タイミングコントローラによって供給される。
具体的には、上記第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５、及び第６薄膜トランジスタＴ６はいずれも低温ポリシリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ、又はアモルファスシリコン薄膜トランジスタである。
図９に示すように、本発明の上記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路に応用されるＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法は、以下のステップＳ００１〜Ｓ００３を含み、
ステップＳ００１では、図５に示すように、データ電圧記憶段階１に入り、
上記第１走査制御信号Ｓ１が第１電位を供給し、上記第２走査制御信号Ｓ２が第１電位を供給し、第３走査制御信号Ｓ３が第１電位と異なる第２電位を供給し、上記第１薄膜トランジスタＴ１、第３薄膜トランジスタＴ３、及び第５薄膜トランジスタＴ５がオンになり、上記第２薄膜トランジスタＴ２及び第４薄膜トランジスタＴ４がオフになり、データ信号Ｄａｔａが第１ノードＡに書き込まれ、基準電圧Ｖｒｅｆが第２ノードＢ及び第３ノードＣに書き込まれる。
ステップＳ００１では、図５に示すように、データ電圧記憶段階１に入り、
上記第１走査制御信号Ｓ１が第１電位を供給し、上記第２走査制御信号Ｓ２が第１電位を供給し、第３走査制御信号Ｓ３が第１電位と異なる第２電位を供給し、上記第１薄膜トランジスタＴ１、第３薄膜トランジスタＴ３、及び第５薄膜トランジスタＴ５がオンになり、上記第２薄膜トランジスタＴ２及び第４薄膜トランジスタＴ４がオフになり、データ信号Ｄａｔａが第１ノードＡに書き込まれ、基準電圧Ｖｒｅｆが第２ノードＢ及び第３ノードＣに書き込まれる。
具体的には、ステップＳ００１では、第１ノードＡの電圧がデータ信号の電圧Ｖｄａｔａに等しく、第２ノードＢ及び第３ノードＣの電圧が基準電圧Ｖｒｅｆに等しい。
ステップＳ００２では、図６〜７に示すように、閾値電圧補正段階２では、
上記第１走査制御信号Ｓ１が第２電位を供給し、上記第２走査制御信号Ｓ２が第１電位を供給した後に第２電位を供給し、第３走査制御信号Ｓ３が第２電位を供給し、上記第５薄膜トランジスタＴ５がオンになり、上記第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、及び第４薄膜トランジスタＴ４がオフになり、上記第１薄膜トランジスタＴ１がオンになった後にオフになる。
上記第１走査制御信号Ｓ１が第２電位を供給し、上記第２走査制御信号Ｓ２が第１電位を供給した後に第２電位を供給し、第３走査制御信号Ｓ３が第２電位を供給し、上記第５薄膜トランジスタＴ５がオンになり、上記第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、及び第４薄膜トランジスタＴ４がオフになり、上記第１薄膜トランジスタＴ１がオンになった後にオフになる。
具体的には、ステップＳ００２では、上記第２走査制御信号Ｓ２が第１電位である時、第６薄膜トランジスタＴ６がカットオフになるまで、第３ノードＣが第６薄膜トランジスタＴ６によって放電し、第３ノードＣの電位をＶｄａｔａ−Ｖｔｈに変更し、コンデンサＣ１の電圧差がＶｒｅｆ−（Ｖｄａｔａ−Ｖｔｈ）である。ここで、Ｖｄａｔａはデータ信号Ｄａｔａの電圧であり、Ｖｔｈは第６薄膜トランジスタＴ６の閾値電圧であり、第１ノードＡの電圧はデータ信号の電圧Ｖｄａｔａに維持され、第２ノードＢの電圧は基準電圧Ｖｒｅｆに維持される。
さらに、ステップＳ００２では、上記第２走査制御信号Ｓ２が第２電位である時、第１ノードＡの電圧がゼロになり、コンデンサＣ１の電圧差が変化しないため、第２ノードＢの電圧は基準電圧Ｖｒｅｆに維持され、第３ノードＣの電圧はＶｄａｔａ−Ｖｔｈに維持される。
ステップＳ００３では、図８に示すように、表示発光段階３に入り、
上記第１走査制御信号Ｓ１が第２電位を供給し、上記第２走査制御信号Ｓ２が第２電位を供給し、第３走査制御信号Ｓ３が第１電位を供給し、上記第２薄膜トランジスタＴ２、及び第４薄膜トランジスタＴ４がオンになり、上記第１薄膜トランジスタＴ１、第３薄膜トランジスタＴ３、及び第５薄膜トランジスタＴ５がオフになり、有機発光ダイオードＤが発光する。
上記第１走査制御信号Ｓ１が第２電位を供給し、上記第２走査制御信号Ｓ２が第２電位を供給し、第３走査制御信号Ｓ３が第１電位を供給し、上記第２薄膜トランジスタＴ２、及び第４薄膜トランジスタＴ４がオンになり、上記第１薄膜トランジスタＴ１、第３薄膜トランジスタＴ３、及び第５薄膜トランジスタＴ５がオフになり、有機発光ダイオードＤが発光する。
具体的には、上記ステップＳ００３では、有機発光ダイオードＤを流れる電流ＩｏｌｅｄがＩｏｌｅｄ＝ｋ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）２＝ｋ（Ｖｒｅｆ−Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ−Ｖｔｈ）２＝ｋ（Ｖｒｅｆ−Ｖｄａｔａ）２に等しい。ここで、ｋは薄膜トランジスタ、すなわち第６薄膜トランジスタＴ６を駆動する構造パラメータであり、Ｖｇｓは第６薄膜トランジスタＴ６のゲートソース電圧差であり、同じ構造の薄膜トランジスタは、Ｋ値が相対的に安定するため、有機発光ダイオードＤの発光時、上記有機発光ダイオードＤを流れる電流が第６薄膜トランジスタＴ６の閾値電圧とは無関係であり、薄膜トランジスタを駆動する閾値電圧ドリフトによって、有機発光ダイオードを流れる電流が不安定であるという課題を解決し、有機発光ダイオードの発光輝度を均一にし、画面の表示効果を改善することができる。
以上のように、本発明はＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路を提供し、上記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路は、６Ｔ１Ｃ構造の画素駆動回路を採用し、且つ特定の駆動タイミングとマッチングさせることで、薄膜トランジスタを駆動する閾値電圧を効果的に補正し、有機発光ダイオードを流れる電流を安定させ、有機発光ダイオードの発光輝度の均一性を確保し、画面の表示効果を改善することができるとともに、Ｎ型薄膜トランジスタとＰ型薄膜トランジスタとのマッチングによって、薄膜トランジスタ及び走査制御信号の数を減少させ、それによって画素駆動回路の構造を簡素化し、有効発光面積を増加させる。本発明はさらにＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法を提供し、上記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法は、薄膜トランジスタを駆動する閾値電圧を効果的に補正し、有機発光ダイオードを流れる電流を安定させ、有機発光ダイオードの発光輝度の均一性を確保し、画面の表示効果を改善することができる。
以上のように、当業者にとっては、本発明の技術案及び技術的概念に基づいてほかの対応する種々の変更や変形を行うことができ、これらの変更や変形はすべて本発明の請求の範囲の保護範囲に属する。
Ｔ１ 第１薄膜トランジスタ
Ｔ２ 第２薄膜トランジスタ
Ｔ３ 第３薄膜トランジスタ
Ｔ４ 第４薄膜トランジスタ
Ｔ５ 第５薄膜トランジスタ
Ｔ６ 第６薄膜トランジスタ
Ｃ１ コンデンサ
Ｄ 有機発光ダイオード
１ データ電圧記憶段階
２ 閾値電圧補正段階
３ 表示発光段階
Ｔ２ 第２薄膜トランジスタ
Ｔ３ 第３薄膜トランジスタ
Ｔ４ 第４薄膜トランジスタ
Ｔ５ 第５薄膜トランジスタ
Ｔ６ 第６薄膜トランジスタ
Ｃ１ コンデンサ
Ｄ 有機発光ダイオード
１ データ電圧記憶段階
２ 閾値電圧補正段階
３ 表示発光段階
Claims (15)
- ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路であって、第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、第６薄膜トランジスタ、コンデンサ、及び有機発光ダイオードを含み、
前記第１薄膜トランジスタは、ゲートが第２走査制御信号にアクセスし、ソースがデータ信号に電気的に接続され、ドレインが第１ノードに電気的に接続され、
前記第２薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
前記第３薄膜トランジスタは、ゲートが第１走査制御信号にアクセスし、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
前記第４薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが第３ノードに電気的に接続され、ドレインが有機発光ダイオードの陽極に電気的に接続され、
前記第５薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが基準電圧にアクセスし、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
前記第６薄膜トランジスタは、ゲートが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが電源高電圧にアクセスし、ソースが第３ノードに電気的に接続され、
前記コンデンサは、一端が第２ノードに電気的に接続され、他端が第３ノードに電気的に接続され、
前記有機発光ダイオードの陰極が電源低電圧にアクセスし、
前記第５薄膜トランジスタはＮ型薄膜トランジスタ及びＰ型薄膜トランジスタのうちの一方であり、前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ及び第６薄膜トランジスタはいずれもＮ型薄膜トランジスタ及びＰ型薄膜トランジスタのうちの第５薄膜トランジスタと異なるもう一方である、ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。 - 前記第１走査制御信号、第２走査制御信号、及び第３走査制御信号を互いに組み合わせ、順に１つのデータ電圧記憶段階、１つの閾値電圧補正段階、及び１つの表示発光段階に対応付け、且つ前記有機発光ダイオードが１つのデータ電圧記憶段階及び１つの閾値電圧補正段階で発光しないように制御する、請求項１に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。
- 前記データ電圧記憶段階では、前記第１走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位と異なる第２電位を供給し、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオンになり、前記第２薄膜トランジスタ及び第４薄膜トランジスタがオフになり、
前記閾値電圧補正段階では、前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給した後に第２電位を供給し、第３走査制御信号が第２電位を供給し、前記第５薄膜トランジスタがオンになり、前記第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオフになり、前記第１薄膜トランジスタがオンになった後にオフになり、
前記表示発光段階では、前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第２電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオンになり、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオフになる、請求項２に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。 - 前記第５薄膜トランジスタはＰ型薄膜トランジスタであり、前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ及び第６薄膜トランジスタはいずれもＮ型薄膜トランジスタである、請求項３に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。
- 前記第１電位は高電位であり、前記第２電位は低電位である、請求項４に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。
- 前記第５薄膜トランジスタはＮ型薄膜トランジスタであり、前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ及び第６薄膜トランジスタはいずれもＰ型薄膜トランジスタである、請求項３に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。
- 前記第１電位は低電位であり、前記第２電位は高電位である、請求項６に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。
- 前記第１走査制御信号、第２走査制御信号、及び第３走査制御信号はいずれも外部タイミングコントローラによって供給される、請求項１に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。
- 前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、及び第６薄膜トランジスタはいずれも低温ポリシリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ、又はアモルファスシリコン薄膜トランジスタである、請求項１に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。
- ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路に応用される請求項１に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法であって、前記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法は、以下のステップＳ００１〜Ｓ００３を含み、
ステップＳ００１では、データ電圧記憶段階に入り、
前記第１走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位と異なる第２電位を供給し、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオンになり、前記第２薄膜トランジスタ及び第４薄膜トランジスタがオフになり、データ信号が第１ノードに書き込まれ、基準電圧が第２ノード及び第３ノードに書き込まれ、
ステップＳ００２では、閾値電圧補正段階に入り、
前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給した後に第２電位を供給し、第３走査制御信号が第２電位を供給し、前記第５薄膜トランジスタがオンになり、前記第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオフになり、前記第１薄膜トランジスタがオンになった後にオフになり、
前記第２走査制御信号が第１電位である時、第３ノードが第６薄膜トランジスタによって放電し、第３ノードの電位をＶｄａｔａ−Ｖｔｈに変更し、ここで、Ｖｄａｔａはデータ信号の電圧であり、Ｖｔｈは第６薄膜トランジスタの閾値電圧であり、
前記第２走査制御信号が第２電位である時、第１ノードの電圧がゼロになり、第２ノードの電圧が基準電圧に維持され、第３ノードの電圧がＶｄａｔａ−Ｖｔｈに維持され、
ステップＳ００３では、表示発光段階に入り、
前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第２電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオンになり、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオフになり、有機発光ダイオードが発光する、ＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法。 - ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路であって、第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、第６薄膜トランジスタ、コンデンサ、及び有機発光ダイオードを含み、
前記第１薄膜トランジスタは、ゲートが第２走査制御信号にアクセスし、ソースがデータ信号に電気的に接続され、ドレインが第１ノードに電気的に接続され、
前記第２薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
前記第３薄膜トランジスタは、ゲートが第１走査制御信号にアクセスし、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
前記第４薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが第３ノードに電気的に接続され、ドレインが有機発光ダイオードの陽極に電気的に接続され、
前記第５薄膜トランジスタは、ゲートが第３走査制御信号にアクセスし、ソースが基準電圧にアクセスし、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
前記第６薄膜トランジスタは、ゲートが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが電源高電圧にアクセスし、ソースが第３ノードに電気的に接続され、
前記コンデンサは、一端が第２ノードに電気的に接続され、他端が第３ノードに電気的に接続され、
前記有機発光ダイオードの陰極が電源低電圧にアクセスし、
前記第５薄膜トランジスタはＮ型薄膜トランジスタ及びＰ型薄膜トランジスタのうちの一方であり、前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ及び第６薄膜トランジスタはいずれもＮ型薄膜トランジスタ及びＰ型薄膜トランジスタのうちの第５薄膜トランジスタと異なるもう一方であり、
前記第１走査制御信号、第２走査制御信号、及び第３走査制御信号を互いに組み合わせ、順に１つのデータ電圧記憶段階、１つの閾値電圧補正段階、及び１つの表示発光段階に対応付け、且つ前記有機発光ダイオードが１つのデータ電圧記憶段階及び１つの閾値電圧補正段階で発光しないように制御し、
前記データ電圧記憶段階では、前記第１走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位と異なる第２電位を供給し、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオンになり、前記第２薄膜トランジスタ及び第４薄膜トランジスタがオフになり、
前記閾値電圧補正段階では、前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第１電位を供給した後に第２電位を供給し、第３走査制御信号が第２電位を供給し、前記第５薄膜トランジスタがオンになり、前記第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオフになり、前記第１薄膜トランジスタがオンになった後にオフになり、
前記表示発光段階では、前記第１走査制御信号が第２電位を供給し、前記第２走査制御信号が第２電位を供給し、第３走査制御信号が第１電位を供給し、前記第２薄膜トランジスタ、及び第４薄膜トランジスタがオンになり、前記第１薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、及び第５薄膜トランジスタがオフになり、
前記第１走査制御信号、第２走査制御信号、及び第３走査制御信号はいずれも外部タイミングコントローラによって供給され、
前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、及び第６薄膜トランジスタはいずれも低温ポリシリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ、又はアモルファスシリコン薄膜トランジスタである、ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。 - 前記第５薄膜トランジスタはＰ型薄膜トランジスタであり、前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ及び第６薄膜トランジスタはいずれもＮ型薄膜トランジスタである、請求項１１に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。
- 前記第１電位は高電位であり、前記第２電位は低電位である、請求項１２に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。
- 前記第５薄膜トランジスタはＮ型薄膜トランジスタであり、前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ及び第６薄膜トランジスタはいずれもＰ型薄膜トランジスタである、請求項１１に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。
- 前記第１電位は低電位であり、前記第２電位は高電位である、請求項１４に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。
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