JP6799166B2 - Ａｍｏｌｅｄ画素駆動回路および駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は表示技術分野に関し、特にＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路および駆動方法に関する。

有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ）表示装置は、自己発光が可能であり、駆動電圧が低く、発光効率が高く、応答時間が短く、解像度とコントラストが高く、視野角が１８０°に近く、使用可能な温度範囲が広く、フレキシブル表示や大面積のフルカラー表示を実現できるなどの多くの利点を有し、最も有望な表示装置として業界によって認められた。

ＯＬＥＤ表示装置は、駆動方式によってパッシブマトリクスＯＬＥＤ（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ＯＬＥＤ、ＰＭＯＬＥＤ）とアクティブマトリクスＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ＯＬＥＤ、ＡＭＯＬＥＤ）の２種、すなわち直接アドレッシングと薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）マトリクスアドレッシングの２種に分類することができる。ＡＭＯＬＥＤは、アレイ状に配列された画素を有し、アクティブ表示タイプであり、発光効率が高く、一般的に高解像度の大型表示装置として用いられる。

ＡＭＯＬＥＤは電流駆動デバイスであり、電流が有機発光ダイオードを流れるとき、有機発光ダイオードが発光し、且つ発光の明るさが有機発光ダイオード自体を流れる電流によって決まる。ほとんどの従来の集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ、ＩＣ）が電圧信号のみを伝送するため、ＡＭＯＬＥＤの画素駆動回路は電圧信号から電流信号への変換を行う必要がある。

従来のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路は、一般的に２Ｔ１Ｃであり、すなわち２つの薄膜トランジスタと１つのコンデンサからなる構造であり、図１に示すように、従来の２Ｔ１Ｃ画素駆動回路は、第１薄膜トランジスタＴ１０、第２薄膜トランジスタＴ２０、コンデンサＣ１０、および有機発光ダイオードＤ１０を備え、第１薄膜トランジスタＴ１０のゲートが第２薄膜トランジスタＴ２０のドレインに電気的に接続され、ドレインが電源正電圧ＯＶＤＤにアクセスし、ソースが有機発光ダイオードＤ１０のアノードに電気的に接続され、第２薄膜トランジスタＴ２０のゲートがゲート駆動信号Ｇａｔｅにアクセスし、ソースがデータ信号Ｄａｔａにアクセスし、ドレインが第１薄膜トランジスタＴ１０のゲートに電気的に接続され、コンデンサＣ１０の一端が第１薄膜トランジスタＴ１０のゲートに電気的に接続され、他端が第１薄膜トランジスタＴ１０のドレインに電気的に接続され、有機発光ダイオードＤ１０のアノードが第１薄膜トランジスタＴ１０のソースに電気的に接続され、カソードが電源負電圧ＯＶＳＳにアクセスする。該２Ｔ１ＣのＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路が作動するとき、有機発光ダイオードＤ１０を流れる電流が下記式を満たす。

Ｉ＝ｋ×（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）^２
式中、Ｉは有機発光ダイオードＤ１０を流れる電流、ｋは駆動薄膜トランジスタ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１０の特性に関連する定数係数、Ｖｇｓは駆動薄膜トランジスタ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１０のゲートとソースの電圧差、Ｖｔｈは駆動薄膜トランジスタ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１０の閾値電圧であり、以上からわかるように、有機発光ダイオードＤ１０を流れる電流は駆動薄膜トランジスタ閾値電圧に関連する。

パネルを製造するプロセスの不安定性などの原因のため、パネル内の各画素駆動回路における駆動薄膜トランジスタの閾値電圧に差別が発生し、長時間使用すると薄膜トランジスタの材料が老化して劣化し、その結果、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧がドリフトして、有機発光ダイオードを流れる電流が不安定になるという問題を引き起こし、パネル表示の不均一さが発生してしまう。従来の２Ｔ１Ｃ回路においては、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧ドリフトを調整により改善することができず、従って、新たな薄膜トランジスタまたは新たな信号を追加する方式で閾値電圧ドリフトによる影響を弱め、すなわちＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路に補償機能を持たせる必要がある。

本発明は、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧を効果的に補償し、有機発光ダイオードを流れる電流を安定化させ、有機発光ダイオードの発光の明るさの均一性を確保し、画面の表示効果を改善することができるＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路を提供することを目的とする。

本発明は、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧を効果的に補償し、閾値電圧ドリフトによって有機発光ダイオードを流れる電流が不安定になるという問題を解決し、有機発光ダイオードの発光の明るさを均一にして、画面の表示効果を改善することができるＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法を提供することをさらなる目的とする。

上記目的を達成させるために、本発明はＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路を提供し、前記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路は、第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、第６薄膜トランジスタ、コンデンサ、および有機発光ダイオードを備え、
前記第１薄膜トランジスタのゲートが第１ノードに電気的に接続され、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
前記第２薄膜トランジスタのゲートが第１走査信号にアクセスし、ソースが基準電圧に電気的に接続され、ドレインが第１ノードに電気的に接続され、
前記第３薄膜トランジスタのゲートが第２走査信号にアクセスし、ソースがデータ信号にアクセスし、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
前記第４薄膜トランジスタのゲートが第３走査信号にアクセスし、ソースが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
前記第５薄膜トランジスタのゲートが発光信号にアクセスし、ソースが電源正電圧にアクセスし、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
前記第６薄膜トランジスタのゲートが発光信号にアクセスし、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが有機発光ダイオードのアノードに電気的に接続され、
前記コンデンサの一端が第１ノードに電気的に接続され、他端がアースし、
前記有機発光ダイオードのアノードが第６薄膜トランジスタのドレインに電気的に接続され、カソードが電源負電圧にアクセスする。

前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、および第６薄膜トランジスタはいずれも低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ、またはアモルファスシリコン薄膜トランジスタである。

前記第１走査信号、第２走査信号、第３走査信号、および発光信号はいずれも外部シーケンスコントローラにより提供される。

前記第１走査信号、第２走査信号、第３走査信号、発光信号、およびデータ信号が組み合わせられて、順に初期化段階、閾値電圧検知段階、および駆動発光段階に対応する。

前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、および第６薄膜トランジスタはいずれもＮ型薄膜トランジスタであり、
前記初期化段階では、前記第１走査信号は高電位を提供し、前記第２走査信号は高電位を提供し、前記第３走査信号は低電位を提供し、前記発光信号は低電位を提供し、前記データ信号は初期化電位を提供し、
前記閾値電圧検知段階では、前記第１走査信号は低電位を提供し、前記第２走査信号は高電位を提供し、前記第３走査信号は高電位を提供し、前記発光信号は低電位を提供し、 前記データ信号は表示データ電位を提供し、
前記駆動発光段階では、前記第１、第２、および第３走査信号はいずれも低電位を提供し、前記発光信号は高電位を提供する。

本発明は、さらに、ＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法を提供し、前記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法は、
ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路を提供するステップ１と、
初期化段階に入るステップ２と、
閾値電圧検知段階に入るステップ３と、
駆動発光段階に入るステップ４とを含み、
ステップ１では、前記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路は、第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、第６薄膜トランジスタ、コンデンサ、および有機発光ダイオードを備え、
前記第１薄膜トランジスタのゲートが第１ノードに電気的に接続され、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
前記第２薄膜トランジスタのゲートが第１走査信号にアクセスし、ソースが基準電圧に電気的に接続され、ドレインが第１ノードに電気的に接続され、
前記第３薄膜トランジスタのゲートが第２走査信号にアクセスし、ソースがデータ信号にアクセスし、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
前記第４薄膜トランジスタのゲートが第３走査信号にアクセスし、ソースが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
前記第５薄膜トランジスタのゲートが発光信号にアクセスし、ソースが電源正電圧にアクセスし、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
前記第６薄膜トランジスタのゲートが発光信号にアクセスし、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが有機発光ダイオードのアノードに電気的に接続され、
前記コンデンサの一端が第１ノードに電気的に接続され、他端がアースし、
前記有機発光ダイオードのアノードが第６薄膜トランジスタのドレインに電気的に接続され、カソードが電源負電圧にアクセスし、
ステップ２では、前記第１走査信号は第２薄膜トランジスタがオンになるように制御し、前記第２走査信号は第３薄膜トランジスタがオンになるように制御し、前記第３走査信号は第４薄膜トランジスタがオフになるように制御し、前記発光信号は第５、および第６薄膜トランジスタがオフになるように制御し、前記データ信号は初期化電位を提供し、第１ノードは基準電圧を書き込み、第２ノードは初期化電位を書き込み、
ステップ３では、前記第１走査信号は第２薄膜トランジスタがオフになるように制御し、前記第２走査信号は第３薄膜トランジスタがオンになるように制御し、前記第３走査信号は第４薄膜トランジスタがオンになるように制御し、前記発光信号は第５、および第６薄膜トランジスタがオフになるように制御し、前記データ信号は表示データ電位を提供し、オンになった第４薄膜トランジスタが第１薄膜トランジスタのゲートとドレインに短絡接続され、第１ノードの電圧が表示データ電位と第１薄膜トランジスタの閾値電圧の合計に達し、第１ノードの電圧がコンデンサに記憶され、
ステップ４では、前記第１、第２、および第３走査信号はそれぞれ第２、第３、および第４薄膜トランジスタがオフになるように制御し、前記発光信号は第５、および第６薄膜トランジスタがオンになるように制御し、コンデンサの記憶作用により、第１ノードの電圧を表示データ電位と第１薄膜トランジスタの閾値電圧の合計に保持し、第３ノードは電源正電圧を書き込き、第１薄膜トランジスタがオンになり、有機発光ダイオードが発光し、且つ前記有機発光ダイオードを流れる電流は第１薄膜トランジスタの閾値電圧と無関係である。

前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、および第６薄膜トランジスタはいずれも低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ、またはアモルファスシリコン薄膜トランジスタである。

前記第１走査信号、第２走査信号、第３走査信号、および発光信号はいずれも外部シーケンスコントローラにより提供される。

前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、および第６薄膜トランジスタはいずれもＮ型薄膜トランジスタであり、
前記初期化段階では、前記第１走査信号は高電位を提供し、前記第２走査信号は高電位を提供し、前記第３走査信号は低電位を提供し、前記発光信号は低電位を提供し、前記データ信号は初期化電位を提供し、
前記閾値電圧検知段階では、前記第１走査信号は低電位を提供し、前記第２走査信号は高電位を提供し、前記第３走査信号は高電位を提供し、前記発光信号は低電位を提供し、前記データ信号は表示データ電位を提供し、
前記駆動発光段階では、前記第１、第２、および第３走査信号はいずれも低電位を提供し、前記発光信号は高電位を提供する。

本発明はさらに、ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路を提供し、前記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路は、第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、第６薄膜トランジスタ、コンデンサ、および有機発光ダイオードを備え、
前記第１薄膜トランジスタのゲートが第１ノードに電気的に接続され、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
前記第２薄膜トランジスタのゲートが第１走査信号にアクセスし、ソースが基準電圧に電気的に接続され、ドレインが第１ノードに電気的に接続され、
前記第３薄膜トランジスタのゲートが第２走査信号にアクセスし、ソースがデータ信号にアクセスし、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
前記第４薄膜トランジスタのゲートが第３走査信号にアクセスし、ソースが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
前記第５薄膜トランジスタのゲートが発光信号にアクセスし、ソースが電源正電圧にアクセスし、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
前記第６薄膜トランジスタのゲートが発光信号にアクセスし、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが有機発光ダイオードのアノードに電気的に接続され、
前記コンデンサの一端が第１ノードに電気的に接続され、他端がアースし、
前記有機発光ダイオードのアノードが第６薄膜トランジスタのドレインに電気的に接続され、カソードが電源負電圧にアクセスし、
前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、および第６薄膜トランジスタはいずれも低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ、またはアモルファスシリコン薄膜トランジスタであり、
前記第１走査信号、第２走査信号、第３走査信号、および発光信号はいずれも外部シーケンスコントローラにより提供される。

本発明の有益な効果は以下のとおりである。本発明に係るＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路は６Ｔ１Ｃ構造であり、初期化段階では、第２、および第３薄膜トランジスタがオンになり、第４、第５、および第６薄膜トランジスタがオフになるように制御し、第１薄膜トランジスタ、すなわち駆動薄膜トランジスタゲートに基準電圧を書き込ませ、ソースに初期化電位を書き込ませ、閾値電圧検知段階では、第３、および第４薄膜トランジスタがオンになり、第２、第５、および第６薄膜トランジスタがオフになるように制御し、第１薄膜トランジスタのゲートの電圧を表示データ電位と第１薄膜トランジスタの閾値電圧の合計まで上昇させてコンデンサに記憶し、駆動発光段階では、第５、および第６薄膜トランジスタがオンになり、第２、第３、および第４薄膜トランジスタがオフになるように制御し、コンデンサの記憶作用により、第１薄膜トランジスタのゲート電圧を表示データ電位と第１薄膜トランジスタの閾値電圧の合計に保持し、第１薄膜トランジスタがオンになり、有機発光ダイオードを発光させ、且つ有機発光ダイオードを流れる電流が第１薄膜トランジスタの閾値電圧と無関係であり、それによって、有機発光ダイオードの発光の明るさの均一性を確保し、画面の表示効果を改善することができる。本発明に係るＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法は、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧を効果的に補償し、閾値電圧ドリフトにより有機発光ダイオードを流れる電流が不安定になるという問題を解決し、有機発光ダイオードの発光の明るさを均一にし、画面の表示効果を改善することができる。

本発明の特徴および技術内容をさらに理解するために、以下の本発明に関する詳細な説明および図面を参照することができる。しかしながら、図面は参照および説明のために提供されるものに過ぎず、本発明を限定するものではない。

従来の２Ｔ１Ｃ構造のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路の回路図である。 本発明のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路の回路図である。 本発明のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路のシーケンス図である。 本発明のＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法のステップ２の模式図である。 本発明のＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法のステップ３の模式図である。 本発明のＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法のステップ４の模式図である。

本発明が用いる技術案およびその効果をさらに説明するために、以下、本発明の好適な実施例およびその図面を参照しながら詳細に説明する。

図２および図３に示すように、本発明は、第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５、第６薄膜トランジスタＴ６、コンデンサＣ１、および有機発光ダイオードＤ１を備える６Ｔ１Ｃ構造のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路を提供する。

前記第１薄膜トランジスタＴ１のゲートが第１ノードＧに電気的に接続され、ソースが第２ノードＳに電気的に接続され、ドレインが第３ノードＤに電気的に接続され、
前記第２薄膜トランジスタＴ２のゲートが第１走査信号Ｓｃａｎ１にアクセスし、ソースが基準電圧Ｖｒｅｆに電気的に接続され、ドレインが第１ノードＧに電気的に接続され、
前記第３薄膜トランジスタＴ３のゲートが第２走査信号Ｓｃａｎ２にアクセスし、ソースがデータ信号Ｄａｔａにアクセスし、ドレインが第２ノードＳに電気的に接続され、
前記第４薄膜トランジスタＴ４のゲートが第３走査信号Ｓｃａｎ３にアクセスし、ソースが第１ノードＧに電気的に接続され、ドレインが第３ノードＤに電気的に接続され、
前記第５薄膜トランジスタＴ５のゲートが発光信号ＥＭにアクセスし、ソースが電源正電圧ＯＶＤＤにアクセスし、ドレインが第３ノードＤに電気的に接続され、
前記第６薄膜トランジスタＴ６のゲートＥＭが発光信号にアクセスし、ソースが第２ノードＳに電気的に接続され、ドレインが有機発光ダイオードＤ１のアノードに電気的に接続され、
前記コンデンサＣ１の一端が第１ノードＧに電気的に接続され、他端がアースし、
前記有機発光ダイオードＤ１のアノードが第６薄膜トランジスタＴ６のドレインに電気的に接続され、カソードが電源負電圧ＯＶＳＳにアクセスする。

第１薄膜トランジスタＴ１は駆動薄膜トランジスタであり、有機発光ダイオードＤ１を駆動して発光させる。

具体的には、前記第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５、および第６薄膜トランジスタＴ６はいずれも低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ、またはアモルファスシリコン薄膜トランジスタである。

具体的には、前記第１走査信号Ｓｃａｎ１、第２走査信号Ｓｃａｎ２、第３走査信号Ｓｃａｎ３、および発光信号ＥＭはいずれも外部シーケンスコントローラにより提供される。

具体的には、前記第１走査信号Ｓｃａｎ１、第２走査信号Ｓｃａｎ２、第３走査信号Ｓｃａｎ３、発光信号ＥＭ、およびデータ信号Ｄａｔａが組み合わせられて、順に初期化段階１、閾値電圧検知段階２、および駆動発光段階３に対応する。

図２および図３と組み合わせて、図４〜図６を参照すると、本発明のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路の作動過程は以下のとおりである。

前記初期化段階１では、前記第１走査信号Ｓｃａｎ１は第２薄膜トランジスタＴ２がオンになるように制御し、前記第２走査信号Ｓｃａｎ２は第３薄膜トランジスタＴ３がオンになるように制御し、前記第３走査信号Ｓｃａｎ３は第４薄膜トランジスタＴ４がオフになるように制御し、前記発光信号ＥＭは第５、および第６薄膜トランジスタＴ５、Ｔ６がオフになるように制御し、前記データ信号Ｄａｔａは初期化電位Ｖｉｎｉを提供し、第２ノードＳ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１のソースはオンになった第３薄膜トランジスタＴ３を介して初期化電位Ｖｉｎｉを書き込み、第１ノードＧ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１のゲートはオンになった第２薄膜トランジスタＴ２を介して基準電圧Ｖｒｅｆを書き込み、それによって、第１薄膜トランジスタＴ１のゲート、ソース電圧に対する初期化を完了し、
前記閾値電圧検知段階２では、前記第１走査信号Ｓｃａｎ１は第２薄膜トランジスタＴ２がオフになるように制御し、前記第２走査信号Ｓｃａｎ２は第３薄膜トランジスタＴ３がオンになるように制御し、前記第３走査信号Ｓｃａｎ３は第４薄膜トランジスタＴ４がオンになるように制御し、前記発光信号ＥＭは第５、および第６薄膜トランジスタＴ５、Ｔ６がオフになるように制御し、前記データ信号Ｄａｔａは表示データ電位Ｖｄａｔａを提供し、オンになった第４薄膜トランジスタＴ４が第１薄膜トランジスタＴ１のゲートとドレインに短絡接続され、電位が表示データ電位Ｖｄａｔａと第１薄膜トランジスタＴ１の閾値電圧の合計に達し、すなわちＶｇ＝Ｖｓ＋Ｖｔｈ＝Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ、（式中、Ｖｇは第１薄膜トランジスタＴ１のゲートの電圧、Ｖｓは第１薄膜トランジスタＴ１のソースの電圧、Ｖｄａｔａは表示データ電位、Ｖｔｈは第１薄膜トランジスタＴ１の閾値電圧である）になるまで、第１ノードＧ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１のゲートの電圧は第１薄膜トランジスタＴ１のソースを介して連続的に放電し、この際に、第１薄膜トランジスタＴ１のゲートの電圧がコンデンサＣ１に記憶され、
前記駆動発光段階３では、前記第１、第２、および第３走査信号Ｓｃａｎ１、Ｓｃａｎ２、Ｓｃａｎ３はそれぞれ第２、第３、および第４薄膜トランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４がオフになるように制御し、前記発光信号ＥＭは第５、および第６薄膜トランジスタＴ５、Ｔ６がオンになるように制御し、コンデンサＣ１の記憶作用により、第１ノードＧ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１のゲートの電圧を表示データ電位Ｖｄａｔａと第１薄膜トランジスタＴ１の閾値電圧の合計に保持し、第３ノードＤ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１のドレインはオンになった第５薄膜トランジスタＴ５を介して電源正電圧ＯＶＤＤを書き込き、第１薄膜トランジスタＴ１がオンになり、有機発光ダイオードＤ１が発光し、
さらに、有機発光ダイオードＤ１を流れる電流が下記式（１）を満たすことは既知である。

Ｉ＝ｋ×（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）^２ （１）
式中、Ｉは有機発光ダイオードＤ１を流れる電流、ｋは駆動薄膜トランジスタ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１の特性に関連する定数係数、Ｖｇｓは駆動薄膜トランジスタ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１のゲートとソースの電圧差、Ｖｔｈは駆動薄膜トランジスタ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１の閾値電圧である。
Ｖｇｓ＝Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ （２）
式（２）を式（１）に代入すると、
Ｉ＝ｋ×（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）^２
＝ｋ×（Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ−Ｖｓ−Ｖｔｈ）^２
＝ｋ×（Ｖｄａｔａ−Ｖｓ）^２になる。
以上から分かるように、第１薄膜トランジスタＴ１および有機発光ダイオードＤ１を流れる電流値が第１薄膜トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈと無関係であり、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧ドリフトを補償し、閾値電圧ドリフトにより有機発光ダイオードを流れる電流が不安定になるという問題を解決し、有機発光ダイオードの発光の明るさを均一にし、画面の表示効果を改善することができる。

さらに、本発明の好適な実施例において、前記第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５、および第６薄膜トランジスタＴ６はいずれもＮ型薄膜トランジスタであり、前記初期化段階１では、前記第１走査信号Ｓｃａｎ１は高電位を提供し、前記第２走査信号Ｓｃａｎ２は高電位を提供し、前記第３走査信号Ｓｃａｎ３は低電位を提供し、前記発光信号ＥＭは低電位を提供し、前記データ信号Ｄａｔａは初期化電位Ｖｉｎｉを提供し、前記閾値電圧検知段階２では、前記第１走査信号Ｓｃａｎ１は低電位を提供し、前記第２走査信号Ｓｃａｎ２は高電位を提供し、前記第３走査信号Ｓｃａｎ３は高電位を提供し、前記発光信号ＥＭは低電位を提供し、前記データ信号Ｄａｔａは表示データ電位Ｖｄａｔａを提供し、前記駆動発光段階３では、前記第１、第２、および第３走査信号Ｓｃａｎ１、Ｓｃａｎ２、Ｓｃａｎ３はいずれも低電位を提供し、前記発光信号ＥＭは高電位を提供する。

図２および図３を組み合わせて、図４〜図６を参照すると、上記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路に基づいて、本発明はさらに、ＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法を提供し、ＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法はステップ１〜ステップ４を含む。

ステップ１、ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路を提供する。
前記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路は、第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５、第６薄膜トランジスタＴ６、コンデンサＣ１、および有機発光ダイオードＤ１を備え、
前記第１薄膜トランジスタＴ１のゲートが第１ノードＧに電気的に接続され、ソースが第２ノードＳに電気的に接続され、ドレインが第３ノードＤに電気的に接続され、
前記第２薄膜トランジスタＴ２のゲートが第１走査信号Ｓｃａｎ１にアクセスし、ソースが基準電圧Ｖｒｅｆに電気的に接続され、ドレインが第１ノードＧに電気的に接続され、
前記第３薄膜トランジスタＴ３のゲートが第２走査信号Ｓｃａｎ２にアクセスし、ソースがデータ信号Ｄａｔａにアクセスし、ドレインが第２ノードＳに電気的に接続され、
前記第４薄膜トランジスタＴ４のゲートが第３走査信号Ｓｃａｎ３にアクセスし、ソースが第１ノードＧに電気的に接続され、ドレインが第３ノードＤに電気的に接続され、
前記第５薄膜トランジスタＴ５のゲートが発光信号ＥＭにアクセスし、ソースが電源正電圧ＯＶＤＤにアクセスし、ドレインが第３ノードＤに電気的に接続され、
前記第６薄膜トランジスタＴ６のゲートが発光信号ＥＭにアクセスし、ソースが第２ノードＳに電気的に接続され、ドレインが有機発光ダイオードＤ１のアノードに電気的に接続され、
前記コンデンサＣ１の一端が第１ノードＧに電気的に接続され、他端がアースし、
前記有機発光ダイオードＤ１のアノードが第６薄膜トランジスタＴ６のドレインに電気的に接続され、カソードが電源負電圧ＯＶＳＳにアクセスする。

第１薄膜トランジスタＴ１は駆動薄膜トランジスタであり、有機発光ダイオードＤ１を駆動して発光させる。

具体的には、前記第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５、および第６薄膜トランジスタＴ６はいずれも低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ、またはアモルファスシリコン薄膜トランジスタである。

具体的には、前記第１走査信号Ｓｃａｎ１、第２走査信号Ｓｃａｎ２、第３走査信号Ｓｃａｎ３、および発光信号ＥＭはいずれも外部シーケンスコントローラにより提供される。

ステップ２、初期化段階１に入る。
前記第１走査信号Ｓｃａｎ１は第２薄膜トランジスタＴ２がオンになるように制御し、前記第２走査信号Ｓｃａｎ２は第３薄膜トランジスタＴ３がオンになるように制御し、前記第３走査信号Ｓｃａｎ３は第４薄膜トランジスタＴ４がオフになるように制御し、前記発光信号ＥＭは第５、および第６薄膜トランジスタＴ５、Ｔ６がオフになるように制御し、前記データ信号Ｄａｔａは初期化電位Ｖｉｎｉを提供し、第２ノードＳ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１のソースはオンになった第３薄膜トランジスタＴ３を介して初期化電位Ｖｉｎｉを書き込み、第１ノードＧ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１のゲートはオンになった第２薄膜トランジスタＴ２を介して基準電圧Ｖｒｅｆを書き込み、それによって、第１薄膜トランジスタＴ１のゲート、ソース電圧に対する初期化を完了する。

ステップ３、閾値電圧検知段階２に入る。
前記第１走査信号Ｓｃａｎ１は第２薄膜トランジスタＴ２がオフになるように制御し、 前記第２走査信号Ｓｃａｎ２は第３薄膜トランジスタＴ３がオンになるように制御し、前記第３走査信号Ｓｃａｎ３は第４薄膜トランジスタＴ４がオンになるように制御し、前記発光信号ＥＭは第５、および第６薄膜トランジスタＴ５、Ｔ６がオフになるように制御し、前記データ信号Ｄａｔａは表示データ電位Ｖｄａｔａを提供し、オンになった第４薄膜トランジスタＴ４が第１薄膜トランジスタＴ１のゲートとドレインに短絡接続され、電位が表示データ電位Ｖｄａｔａと第１薄膜トランジスタＴ１の閾値電圧の合計に達し、すなわちＶｇ＝Ｖｓ＋Ｖｔｈ＝Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ（式中、Ｖｇは第１薄膜トランジスタＴ１のゲートの電圧、Ｖｓは第１薄膜トランジスタＴ１のソースの電圧、Ｖｄａｔａは表示データ電位、Ｖｔｈは第１薄膜トランジスタＴ１の閾値電圧である）になるまで、第１ノードＧ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１のゲートの電圧は第１薄膜トランジスタＴ１のソースを介して連続的に放電し、この際に、第１ノードＧ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１のゲートの電圧がコンデンサＣ１に記憶される。

ステップ４、駆動発光段階３に入る。
前記第１、第２、および第３走査信号Ｓｃａｎ１、Ｓｃａｎ２、Ｓｃａｎ３はそれぞれ第２、第３、および第４薄膜トランジスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４がオフになるように制御し、前記発光信号ＥＭは第５、および第６薄膜トランジスタＴ５、Ｔ６がオンになるように制御し、コンデンサＣ１の記憶作用により、第１ノードＧ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１のゲートの電圧を表示データ電位Ｖｄａｔａと第１薄膜トランジスタＴ１の閾値電圧の合計に保持し、第３ノードＤ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１のドレインはオンになった第５薄膜トランジスタＴ５を介して電源正電圧ＯＶＤＤを書き込き、第１薄膜トランジスタＴ１がオンになり、有機発光ダイオードＤ１が発光し、
さらに、有機発光ダイオードＤ１を流れる電流が下記式（１）を満たすことは既知である。

Ｉ＝ｋ×（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）^２ （１）
式中、Ｉは有機発光ダイオードＤ１を流れる電流、ｋは駆動薄膜トランジスタ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１の特性に関連する定数係数、Ｖｇｓは駆動薄膜トランジスタ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１のゲートとソースの電圧差、Ｖｔｈは駆動薄膜トランジスタ、すなわち第１薄膜トランジスタＴ１の閾値電圧である。
Ｖｇｓ＝Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ （２）
式（２）を式（１）に代入すると、
Ｉ＝ｋ×（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）^２
＝ｋ×（Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ−Ｖｓ−Ｖｔｈ）^２
＝ｋ×（Ｖｄａｔａ−Ｖｓ）^２になる。
以上から分かるように、第１薄膜トランジスタＴ１および有機発光ダイオードＤ１を流れる電流値が第１薄膜トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈと無関係であり、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧ドリフトを補償し、閾値電圧ドリフトにより有機発光ダイオードを流れる電流が不安定になるという問題を解決し、有機発光ダイオードの発光の明るさを均一にし、画面の表示効果を改善することができる。

さらに、本発明の好適な実施例において、前記第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５、および第６薄膜トランジスタＴ６はいずれもＮ型薄膜トランジスタであり、前記初期化段階１では、前記第１走査信号Ｓｃａｎ１は高電位を提供し、前記第２走査信号Ｓｃａｎ２は高電位を提供し、前記第３走査信号Ｓｃａｎ３は低電位を提供し、前記発光信号ＥＭは低電位を提供し、前記データ信号Ｄａｔａは初期化電位Ｖｉｎｉを提供し、前記閾値電圧検知段階２では、前記第１走査信号Ｓｃａｎ１は低電位を提供し、前記第２走査信号Ｓｃａｎ２は高電位を提供し、前記第３走査信号Ｓｃａｎ３は高電位を提供し、前記発光信号ＥＭは低電位を提供し、前記データ信号Ｄａｔａは表示データ電位Ｖｄａｔａを提供し、前記駆動発光段階３では、前記第１、第２、および第３走査信号Ｓｃａｎ１、Ｓｃａｎ２、Ｓｃａｎ３はいずれも低電位を提供し、前記発光信号ＥＭは高電位を提供する。

前記のとおり、本発明のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路は、６Ｔ１Ｃ構造であり、初期化段階では、第２、および第３薄膜トランジスタがオンになり、第４、第５、および第６薄膜トランジスタがオフになるように制御し、第１薄膜トランジスタ、すなわち駆動薄膜トランジスタゲートに基準電圧を書き込ませ、ソースに初期化電位を書き込ませ、閾値電圧誘導段階では、第３、および第４薄膜トランジスタがオンになり、第２、第５、および第６薄膜トランジスタがオフになるように制御し、第１薄膜トランジスタのゲートの電圧を表示データ電位と第１薄膜トランジスタの閾値電圧の合計まで上昇させてコンデンサに記憶し、駆動発光段階では、第５、および第６薄膜トランジスタがオンになり、第２、第３、および第４薄膜トランジスタがオフになるように制御し、コンデンサの記憶作用により、第１薄膜トランジスタのゲートの電圧を表示データ電位と第１薄膜トランジスタの閾値電圧の合計に保持し、第１薄膜トランジスタがオンになり、有機発光ダイオードを発光させ、且つ有機発光ダイオードを流れる電流は第１薄膜トランジスタの閾値電圧と無関係であり、それによって、有機発光ダイオードの発光の明るさの均一性を確保し、画面の表示効果を改善することができる。本発明のＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法は、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧を効果的に補償し、閾値電圧ドリフトにより有機発光ダイオードを流れる電流が不安定になるという問題を解決し、有機発光ダイオードの発光の明るさを均一にし、画面の表示効果を改善することができる。

当業者であれば、以上の内容について本発明の技術案および技術発想に基づいて他の様々な変更および変形を行うことができ、すべてのこれらの変更および変形は本発明請求項の保護範囲に属する。

Ｔ１ １薄膜トランジスタ
Ｔ２ 第２薄膜トランジスタ
Ｔ３ 第３薄膜トランジスタ
Ｔ４ 第４薄膜トランジスタ
Ｔ５ 第５薄膜トランジスタ
Ｔ６ 第６薄膜トランジスタ
Ｃ１ コンデンサ
Ｄ 第３ノード
Ｄ１ 有機発光ダイオード
ＯＶＤＤ 電源正電圧

Claims (8)

1. ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路であって、第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、第６薄膜トランジスタ、コンデンサ、および有機発光ダイオードを含み、
   前記第１薄膜トランジスタのゲートが第１ノードに電気的に接続され、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
   前記第２薄膜トランジスタのゲートが第１走査信号にアクセスし、ソースが基準電圧に電気的に接続され、ドレインが第１ノードに電気的に接続され、
   前記第３薄膜トランジスタのゲートが第２走査信号にアクセスし、ソースがデータ信号にアクセスし、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
   前記第４薄膜トランジスタのゲートが第３走査信号にアクセスし、ソースが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
   前記第５薄膜トランジスタのゲートが発光信号にアクセスし、ソースが電源正電圧にアクセスし、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
   前記第６薄膜トランジスタのゲートが発光信号にアクセスし、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが有機発光ダイオードのアノードに電気的に接続され、
   前記コンデンサの一端が第１ノードに電気的に接続され、他端がアースし、
   前記有機発光ダイオードのアノードが第６薄膜トランジスタのドレインに電気的に接続され、カソードが電源負電圧にアクセスし、
   前記第１走査信号、第２走査信号、第３走査信号、発光信号、およびデータ信号が組み合わせられて、順に初期化段階、閾値電圧検知段階、および駆動発光段階に対応し、
   前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、および第６薄膜トランジスタはいずれもＮ型薄膜トランジスタであり、
   前記初期化段階では、前記第１走査信号は高電位を提供し、前記第２走査信号は高電位を提供し、前記第３走査信号は低電位を提供し、前記発光信号は低電位を提供し、前記データ信号は初期化電位を提供し、
   前記閾値電圧検知段階では、前記第１走査信号は低電位を提供し、前記第２走査信号は高電位を提供し、前記第３走査信号は高電位を提供し、前記発光信号は低電位を提供し、前記データ信号は表示データ電位を提供し、
   前記駆動発光段階では、前記第１、第２、および第３走査信号はいずれも低電位を提供し、前記発光信号は高電位を提供するＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。
2. 前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、および第６薄膜トランジスタはいずれも低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ、またはアモルファスシリコン薄膜トランジスタである請求項１に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。
3. 前記第１走査信号、第２走査信号、第３走査信号、および発光信号はいずれも外部シーケンスコントローラにより提供される請求項１に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。
4. ＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法であって、
   ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路を提供するステップ１と、
   初期化段階に入るステップ２と、
   閾値電圧検知段階に入るステップ３と、
   駆動発光段階に入るステップ４と、を含み
   ステップ１では、前記ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路は、第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、第６薄膜トランジスタ、コンデンサ、および有機発光ダイオードを備え、
   前記第１薄膜トランジスタのゲートが第１ノードに電気的に接続され、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
   前記第２薄膜トランジスタのゲートが第１走査信号にアクセスし、ソースが基準電圧に電気的に接続され、ドレインが第１ノードに電気的に接続され、
   前記第３薄膜トランジスタのゲートが第２走査信号にアクセスし、ソースがデータ信号にアクセスし、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
   前記第４薄膜トランジスタのゲートが第３走査信号にアクセスし、ソースが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
   前記第５薄膜トランジスタのゲートが発光信号にアクセスし、ソースが電源正電圧にアクセスし、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
   前記第６薄膜トランジスタのゲートが発光信号にアクセスし、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが有機発光ダイオードのアノードに電気的に接続され、
   前記コンデンサの一端が第１ノードに電気的に接続され、他端がアースし、
   前記有機発光ダイオードのアノードが第６薄膜トランジスタのドレインに電気的に接続され、カソードが電源負電圧にアクセスし、
   ステップ２では、前記第１走査信号は第２薄膜トランジスタがオンになるように制御し、前記第２走査信号は第３薄膜トランジスタがオンになるように制御し、前記第３走査信号は第４薄膜トランジスタがオフになるように制御し、前記発光信号は第５、および第６薄膜トランジスタがオフになるように制御し、前記データ信号は初期化電位を提供し、第１ノードは基準電圧を書き込み、第２ノードは初期化電位を書き込み、
   ステップ３では、前記第１走査信号は第２薄膜トランジスタがオフになるように制御し、前記第２走査信号は第３薄膜トランジスタがオンになるように制御し、前記第３走査信号は第４薄膜トランジスタがオンになるように制御し、前記発光信号は第５、および第６薄膜トランジスタがオフになるように制御し、前記データ信号は表示データ電位を提供し、オンになった第４薄膜トランジスタが第１薄膜トランジスタのゲートとドレインに短絡接続され、第１ノードの電圧が表示データ電位と第１薄膜トランジスタの閾値電圧の合計に達し、第１ノードの電圧がコンデンサに記憶され、
   ステップ４では、前記第１、第２、および第３走査信号はそれぞれ第２、第３、および第４薄膜トランジスタがオフになるように制御し、前記発光信号は第５、および第６薄膜トランジスタがオンになるように制御し、コンデンサの記憶作用により、第１ノードの電圧を表示データ電位と第１薄膜トランジスタの閾値電圧の合計に保持し、第３ノードは電源正電圧を書き込き、第１薄膜トランジスタがオンになり、有機発光ダイオードが発光し、且つ前記有機発光ダイオードを流れる電流が第１薄膜トランジスタの閾値電圧と無関係であるＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法。
5. 前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、および第６薄膜トランジスタはいずれも低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ、またはアモルファスシリコン薄膜トランジスタである請求項４に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法。
6. 前記第１走査信号、第２走査信号、第３走査信号、および発光信号はいずれも外部シーケンスコントローラにより提供される請求項４に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法。
7. 前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、および第６薄膜トランジスタはいずれもＮ型薄膜トランジスタであり、
   前記初期化段階では、前記第１走査信号は高電位を提供し、前記第２走査信号は高電位を提供し、前記第３走査信号は低電位を提供し、前記発光信号は低電位を提供し、前記データ信号は初期化電位を提供し、
   前記閾値電圧検知段階では、前記第１走査信号は低電位を提供し、前記第２走査信号は高電位を提供し、前記第３走査信号は高電位を提供し、前記発光信号は低電位を提供し、前記データ信号は表示データ電位を提供し、
   前記駆動発光段階では、前記第１、第２、および第３走査信号はいずれも低電位を提供し、前記発光信号は高電位を提供する請求項４に記載のＡＭＯＬＥＤ画素駆動方法。
8. ＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路であって、
   第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、第６薄膜トランジスタ、コンデンサ、および有機発光ダイオードを含み、
   前記第１薄膜トランジスタのゲートが第１ノードに電気的に接続され、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
   前記第２薄膜トランジスタのゲートが第１走査信号にアクセスし、ソースが基準電圧に電気的に接続され、ドレインが第１ノードに電気的に接続され、
   前記第３薄膜トランジスタのゲートが第２走査信号にアクセスし、ソースがデータ信号にアクセスし、ドレインが第２ノードに電気的に接続され、
   前記第４薄膜トランジスタのゲートが第３走査信号にアクセスし、ソースが第１ノードに電気的に接続され、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
   前記第５薄膜トランジスタのゲートが発光信号にアクセスし、ソースが電源正電圧にアクセスし、ドレインが第３ノードに電気的に接続され、
   前記第６薄膜トランジスタのゲートが発光信号にアクセスし、ソースが第２ノードに電気的に接続され、ドレインが有機発光ダイオードのアノードに電気的に接続され、
   前記コンデンサの一端が第１ノードに電気的に接続され、他端がアースし、
   前記有機発光ダイオードのアノードが第６薄膜トランジスタのドレインに電気的に接続され、カソードが電源負電圧にアクセスし、
   前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、および第６薄膜トランジスタはいずれも低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ、またはアモルファスシリコン薄膜トランジスタであり、
   前記第１走査信号、第２走査信号、第３走査信号、および発光信号はいずれも外部シーケンスコントローラにより提供され、
   前記第１走査信号、第２走査信号、第３走査信号、発光信号、およびデータ信号が組み合わせられて、順に初期化段階、閾値電圧検知段階、および駆動発光段階に対応し、
   前記第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、第３薄膜トランジスタ、第４薄膜トランジスタ、第５薄膜トランジスタ、および第６薄膜トランジスタはいずれもＮ型薄膜トランジスタであり、
   前記初期化段階では、前記第１走査信号は高電位を提供し、前記第２走査信号は高電位を提供し、前記第３走査信号は低電位を提供し、前記発光信号は低電位を提供し、前記データ信号は初期化電位を提供し、
   前記閾値電圧検知段階では、前記第１走査信号は低電位を提供し、前記第２走査信号は高電位を提供し、前記第３走査信号は高電位を提供し、前記発光信号は低電位を提供し、前記データ信号は表示データ電位を提供し、
   前記駆動発光段階では、前記第１、第２、および第３走査信号はいずれも低電位を提供し、前記発光信号は高電位を提供するＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路。

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