JP2008176287A - 発光表示デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光表示デバイスは、複数の画素10を備える。画素10は、供給される電流で決まる輝度で発光する有機EL素子(OLED)と、データ線からの制御電圧に基づいてOLEDに電流を供給する駆動回路11とを備える。駆動回路11は、OLEDを駆動する駆動用トランジスタ(D−TFT)と、容量素子Cと、複数のスイッチ素子とを備える。D−TFTは、ソース端子がOLEDのアノード端子と接続される。容量素子Cと複数のスイッチ素子は、駆動回路11がOLEDへ電流を供給する時に、D−TFTのゲート端子とソース端子との電圧差を、駆動用トランジスタの電流設定期間におけるドレイン端子の電圧とデータ線から供給される制御電圧とから決定される電圧と、駆動用トランジスタのしきい値電圧とを加えた電圧とする。
【選択図】図1
Description
本発明の第一の実施形態における有機EL素子を用いた発光表示デバイス(以下、有機ELディスプレイ)の画素の構成を図1に示す。
また、βは、D−TFTの電流能力を示すパラメータであり、D−TFTの移動度、ゲート容量、サイズに依存する。
本発明の第二の実施形態における有機EL素子を用いた発光表示デバイスの画素の構成は、第一の実施形態と同じである。ただし、本実施形態において、電源線VSの電圧VS2は一定であり、D−TFTのしきい値電圧をVtとすれば、Vref―Vt>VS2を満たす。つまり、第一、第二、第三の走査線SL1、SL2、SL3の電圧信号SV1、SV2、SV3を除き、最も高い電圧が参照電圧線Vrの参照電圧Vrefとなる。さらに、電源線VSの電圧VS2は、OLEDに電流を供給する際、D−TFTが飽和領域で動作する電圧とする。
本発明の第三の実施形態における有機EL素子を用いた発光表示デバイスの画素の構成を図4に示す。第一の実施形態と同様の構成要素については、その説明を簡略又は省略する。
また、βは、D−TFTの電流能力を示すパラメータであり、D−TFTの移動度、ゲート容量、サイズに依存する。
本発明の第四の実施形態における有機EL素子を用いた発光表示デバイスの画素の構成を図6に示す。第一の実施形態と同様の構成要素については、その説明を簡略又は省略する。
また、βは、D−TFTの電流能力を示すパラメータであり、D−TFTの移動度、ゲート容量、サイズに依存する。
本発明の第五の実施形態における有機EL素子を用いた発光表示デバイスの画素の構成を図10に示す。
また、βは、D−TFTの電流能力を示すパラメータであり、D−TFTの移動度、ゲート容量、サイズに依存する。
本発明の第六の実施形態における有機EL素子を用いた発光表示デバイスの画素の構成は、第五の実施形態と同様に図10で示される。
また、βは、D−TFTの電流能力を示すパラメータであり、D−TFTの移動度、ゲート容量、サイズに依存する。
本発明の第七の実施形態における有機EL素子を用いた発光表示デバイスの画素の構成を図14に示す。第五の実施形態と同様の構成要素については、その説明を簡略又は省略する。
また、βは、D−TFTの電流能力を示すパラメータであり、D−TFTの移動度、ゲート容量、サイズに依存する。
本発明の第八の実施形態における有機EL素子を用いた発光表示デバイスの画素の構成を図16に示す。第五の実施形態と同様の構成要素については、その説明を簡略又は省略する。
また、βは、D−TFTの電流能力を示すパラメータであり、D−TFTの移動度、ゲート容量、サイズに依存する。
11 駆動回路
OLED 有機EL素子
D−TFT 駆動用トランジスタ(n型駆動TFT)
TFT1からTFT5 第一から第五のスイッチ素子(n型スイッチングTFT)
VS 電源線(第一の電源線)
GND GND線
SL(n) (n行目の)走査線(走査線が1種類の場合)
SL1 第一の走査線
SL2 第二の走査線
SL3 第三の走査線
DL(n) (n列目の)データ線
C 容量素子
Vr 参照電圧線
Vr 第二の電源線(第八の実施形態)
Claims (12)
- 複数の画素を備える発光表示デバイスであって、
前記画素は、アノード端子及びカソード端子を有し、かつ供給される電流で決まる輝度で発光する発光素子と、データ線から供給される制御電圧に基づいて前記発光素子に電流を供給する駆動回路と、を備え、
前記駆動回路は、前記発光素子を駆動し、かつゲート端子、ソース端子、及びドレイン端子を有する駆動用トランジスタと、容量素子と、複数のスイッチ素子と、を備え、
前記駆動用トランジスタは、前記ソース端子が直接あるいは前記スイッチ素子を経由して前記発光素子のアノード端子と接続され、
前記駆動回路が前記発光素子へ電流を供給する時に、
前記容量素子の一端は直接あるいは前記スイッチ素子を経由して前記駆動用トランジスタのゲート端子に接続され、前記容量素子の他の一端は直接あるいは前記スイッチ素子を経由して前記駆動用トランジスタのソース端子に接続され、
前記容量素子と前記複数のスイッチ素子は、
前記駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との電圧差を、
前記駆動用トランジスタの電流設定期間におけるドレイン端子の電圧と前記データ線から供給される制御電圧とから決定される電圧と、
前記駆動用トランジスタのしきい値電圧と、
を加えた電圧とすることを特徴とする発光表示デバイス。 - 前記容量素子は、一端が前記駆動用トランジスタのゲート端子と接続され、
前記複数のスイッチ素子は、
前記駆動用トランジスタのゲート端子とそのソース端子との間を導通又は非導通とする第一のスイッチ素子と、
前記駆動用トランジスタのソース端子と前記容量素子の他の一端との間を導通又は非導通とする第二のスイッチ素子と、
前記データ線と前記容量素子の他の一端との間を導通又は非導通とする第三のスイッチ素子と、を備えていることを特徴とする請求項1に記載の発光表示デバイス。 - 前記駆動用トランジスタの電流設定期間におけるドレイン端子の電圧と前記データ線から供給される制御電圧とから決定される電圧は、前記駆動用トランジスタの電流設定期間におけるドレイン端子の電圧から前記データ線より供給される制御電圧を減算した電圧であることを特徴とする請求項2に記載の発光表示デバイス。
- 前記駆動回路は、前記駆動用トランジスタのソース端子と参照電圧線との間又は前記駆動用トランジスタのソース端子とそのドレイン端子との間を導通又は非導通とする第四のスイッチをさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の発光表示デバイス。
- 前記駆動回路は、前記駆動用トランジスタのソース端子と前記発光素子の一端との間を導通又は非導通とする第五のスイッチ素子をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載の発光表示デバイス。
- 前記容量素子は、一端が前記駆動用トランジスタのソース端子と接続され、
前記複数のスイッチ素子は、
一端が前記駆動用トランジスタのゲート端子と接続され、他の一端が前記駆動用トランジスタのドレイン端子と接続される第一のスイッチ素子と、
一端が前記駆動用トランジスタのゲート端子と接続され、他の一端が前記容量素子の他の一端と接続されている第二のスイッチ素子と、
一端が第二のスイッチの他の一端と接続され、他の一端が前記データ線と接続されている第三のスイッチ素子と、を備えていることを特徴とする請求項1に記載の発光表示デバイス。 - 前記駆動用トランジスタの電流設定期間におけるドレイン端子の電圧と前記データ線から供給される制御電圧とから決定される電圧は、前記データ線より供給される制御電圧から前記駆動用トランジスタの電流設定期間におけるドレイン端子の電圧を減算した電圧であることを特徴とする請求項6に記載の発光表示デバイス。
- 一端が前記駆動用トランジスタのソース端子と接続され、他の一端が前記発光素子の一端と接続されている第四のスイッチ素子をさらに備えていることを特徴とする請求項6記載の発光表示デバイス。
- 一端が前記駆動用トランジスタのソース端子と接続され、他の一端が電源線と接続されている第五のスイッチ素子をさらに備えていることを特徴とする請求項6に記載の発光表示デバイス。
- 前記駆動用トランジスタのドレイン端子の電圧を変動する手段をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の発光表示デバイス。
- 前記発光素子が、有機EL素子であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の発光表示デバイス。
- 前記駆動回路内のn型薄膜トランジスタが、キャリア密度が1018(cm−3)以下である金属酸化物アモルファス半導体膜をn型薄膜トランジスタのチャネル層として用い、移動度が1(cm2/Vs)以上、かつ、オンオフ比が106以上であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の発光表示デバイス。
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