JP2021197507A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 115
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 241
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
Description
図1は、本実施形態に係る太陽電池を裏面側からみた図であり、図2は、図1に示す太陽電池におけるII−II線断面図である。図1および図2に示す太陽電池1は、裏面電極型(バックコンタクト型、裏面接合型ともいう。)であってヘテロ接合型の太陽電池である。
次に、図3A〜図3Hを参照して、本実施形態に係る太陽電池の製造方法について説明する。図3Aは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における半導体層形成工程を示す図であり、図3Bは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層材料膜形成工程および金属電極層の下地層材料膜形成工程を示す図である。また、図3Cは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における酸化膜形成工程を示す図であり、図3Dは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト形成工程を示す図である。また、図3Eは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における酸化膜除去工程を示す図であり、図3Fは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における金属電極層のめっき層形成工程を示す図である。また、図3Gは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト除去工程を示す図であり、図3Hは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層形成工程および金属電極層の下地層形成工程を示す図である。図3A〜図3Hでは、半導体基板11の裏面側を示し、半導体基板11の表面側を省略する。
めっき溶液としては、特に限定されないが、硫酸銅めっき液等が挙げられる。
7 第1領域
7f フィンガー部
7b バスバー部
8 第2領域
8f フィンガー部
8b バスバー部
11 半導体基板
13,23,33 パッシベーション層
15 光学調整層
25 第1導電型半導体層
27 第1電極層
28 第1透明電極層
28Z 透明電極層材料膜
29 第1金属電極層
29l 下地層
29lZ 下地層材料膜
29lO 酸化膜
29u めっき層
35 第2導電型半導体層
37 第2電極層
38 第2透明電極層
39 第2金属電極層
39l 下地層
39u めっき層
40 レジスト
41 樹脂膜
Claims (2)
- 半導体基板と、前記半導体基板の一方主面側の一部である第1領域に順に積層された第1導電型半導体層および第1金属電極層と、前記半導体基板の前記一方主面側の他の一部である第2領域に順に積層された第2導電型半導体層および第2金属電極層とを備える裏面電極型の太陽電池の製造方法であって、
前記第1金属電極層および前記第2金属電極層の各々は、下地層とめっき層とを有し、
前記太陽電池の製造方法は、
前記半導体基板の前記一方主面側の前記第1導電型半導体層および前記第2導電型半導体層の上に、前記第1領域および前記第2領域に跨って一連の前記下地層の材料膜を形成する下地層材料膜形成工程と、
前記下地層の材料膜の表面を酸化させて酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記第1領域と前記第2領域との境界における前記下地層の材料膜および前記酸化膜の上にレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記酸化膜をめっき溶液に浸漬することによって、前記レジストから露出する、前記第1領域および前記第2領域における前記酸化膜の露出部分を除去する酸化膜除去工程と、
前記レジストをマスクとして利用するめっき法を用いて、前記第1領域および前記第2領域の各々における前記下地層の材料膜の上に、パターン化された前記めっき層を形成するめっき層形成工程と、
前記レジストを除去するレジスト除去工程と、
前記めっき層をマスクとして利用するエッチング法を用いて、前記下地層の材料膜をエッチングすることにより、前記第1領域および前記第2領域の各々に、パターン化された前記下地層を形成する下地層形成工程と、
を含み、
前記レジスト形成工程では、パターン印刷法を用いて、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料を印刷して硬化させて、パターン化された前記レジストを形成することにより、前記下地層および前記酸化膜の少なくとも一部に、前記樹脂材料が染み出してなる樹脂膜が配置され、
前記酸化膜除去工程では、前記酸化膜を除去することにより、前記樹脂膜を除去する、
太陽電池の製造方法。 - 前記酸化膜形成工程では、前記半導体基板を加熱することにより、前記下地層の材料膜を酸化させて前記酸化膜を形成する、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020104569A JP7436299B2 (ja) | 2020-06-17 | 2020-06-17 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020104569A JP7436299B2 (ja) | 2020-06-17 | 2020-06-17 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021197507A true JP2021197507A (ja) | 2021-12-27 |
JP7436299B2 JP7436299B2 (ja) | 2024-02-21 |
Family
ID=79196125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020104569A Active JP7436299B2 (ja) | 2020-06-17 | 2020-06-17 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7436299B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7453283B2 (ja) | 2022-06-21 | 2024-03-19 | ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド | 半導体基板、太陽電池及び太陽光発電モジュール |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7968462B1 (en) | 2007-11-08 | 2011-06-28 | Intermolecular, Inc. | Noble metal activation layer |
WO2012132854A1 (ja) | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
JP5879538B2 (ja) | 2011-03-25 | 2016-03-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
JP2013239476A (ja) | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュール |
CN104137269B (zh) | 2012-05-14 | 2016-12-28 | 三菱电机株式会社 | 光电变换装置及其制造方法、光电变换模块 |
JP6184263B2 (ja) | 2013-09-11 | 2017-08-23 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2019121627A (ja) | 2017-12-28 | 2019-07-22 | パナソニック株式会社 | 太陽電池セルの製造方法及び太陽電池セル |
US11233164B2 (en) | 2018-01-10 | 2022-01-25 | Panasonic Corporation | Solar cell, and method for manufacturing solar cell |
WO2020004396A1 (ja) | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 株式会社カネカ | パターン印刷用レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP2020053537A (ja) | 2018-09-26 | 2020-04-02 | パナソニック株式会社 | 太陽電池セル及び太陽電池セルの製造方法 |
-
2020
- 2020-06-17 JP JP2020104569A patent/JP7436299B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7453283B2 (ja) | 2022-06-21 | 2024-03-19 | ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド | 半導体基板、太陽電池及び太陽光発電モジュール |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP7436299B2 (ja) | 2024-02-21 |
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A621 | Written request for application examination |
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