JP2021194867A - ガスバリア性積層体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下に、本発明の第1実施形態について図面を参照して説明する。
樹脂基材11の材料としては、特に限定されるものではなく公知のものを使用することができる。例えばポリオレフィン系(ポリエチレン、ポリプロピレン等)、ポリエステル系(ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等)、ポリイミド系、ポリアミド系(ナイロン−6、ナイロン−66等)、ポリスチレン、エチレンビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリカーボネイト、ポリエーテルスルホン、アクリル、セルロース系(トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース等)などが挙げられるが特に限定されない。実際的には、用途や要求物性により適宜選定をすることが望ましく、電子部材、光学部材等の極端に水分を嫌う内容物を保護する包装には、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド類、ポリエーテルスルホンなどのそれ自体も高いガスバリア性を有する樹脂基材11を用いることが望ましいが、これらの例に限定されない。
透明酸化物膜層13は、ガスバリア性積層体全体にガスバリア性を付与するために設けられる、タングステン(W)を含む透明酸化物膜である。
透明酸化物膜層13の形成方法としては、金属酸化物膜を形成可能な慣用の成膜方法を利用することができる。成膜方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理気相成長法(Physical Vapor Deposition法、PVD法)または熱化学気相成長法、プラズマ化学気相成長法、原子層堆積法等の化学気相成長法(Chemical Vapor Deposition法、CVD法)が挙げられるが、高いガスバリア性を有する緻密な膜を容易に形成できることから、種々のスパッタリング法を用いることが好ましい。スパッタリング法の中でも、成膜速度を高速にし、さらに、成膜中の樹脂基材へのダメージを抑制できることからマグネトロンスパッタリング装置を用いることが好ましい。プラズマを発生させる電源の方式としては、電極に電圧を周期的に印加可能であるスパッタリング法を用いることが好ましい。さらに、電極に電圧を周期的に印加可能であり、電圧印加のオフタイムに、電圧印加とは正負の異なるパルスがかかる(パルス電圧を印加する)マグネトロンスパッタリング装置を用いたスパッタリング法、または、二つの電極が並列に位置し、各電極に正負交互に電圧を印加可能であり、その各々の電極が交互にカソード、アノードの役割を果たすマグネトロンスパッタリング装置を用いたスパッタリング法を用いることが好ましい。あるいは、回転する機構を有する円筒型の電極を備えたマグネトロンスパッタリング装置を用いたスパッタリング法を用いてもよい。また、これらのスパッタリング法により透明酸化物層を成膜する際には、成膜圧力を0.05Pa以上1.00Pa以下の範囲に設定することが好ましい。上述のスパッタリング法を用い、また、成膜圧力に設定することで、緻密性が高く、欠陥が少ない非晶質膜を得ることができる。
以下に、本発明の第2実施形態について説明する。
以下に、本発明の第3実施形態について説明する。
[樹脂基材の配置工程]
樹脂基材11として、厚さ50μmの二軸延伸PETフィルム(東レ株式会社製、品名「ルミラーT60」)を使用した。
樹脂基材11の片面上に、透明酸化物膜層13を、電極に電圧を周期的に印加可能であり、電圧印加のオフタイムに、電圧印加とは正負の異なるパルスがかかるマグネトロンスパッタリング装置を用いたスパッタリング法(方式Aとする)により成膜した。成膜条件としては、成膜圧力を0.35Pa、電力密度を3.3W/cm2とし、金属タングステン(W)ターゲットを用いた。電極への電力投入手段としては、DC電源を用いた。その際、周波数10kHz(オンタイム:95%、オフタイム:5%、オンタイムには負の電圧がかかり、オフタイムには正の電圧がかかる)のパルス電圧を電極へ加えた。ガスとしては、アルゴンガス、酸素ガスを用いた。このとき、ターゲット表面の状態が、酸化物モードとなり、透明酸化物膜が得られるように酸素ガスの流量を調整した。膜厚として100nmの透明酸化物膜層13を成膜することで、ガスバリア性積層体を得た。
[樹脂基材の配置工程]
実施例1と同様に、樹脂基材11として、厚さ50μmの二軸延伸PETフィルム(東レ株式会社製、品名「ルミラーT60」)を使用した。
アンダーコート層12用の溶液として、ヒドロキシエチルメタクリレート(HEMA)、メチルメタクリレート(MMA)をモノマーとして共重合させて得られたアクリルポリオール(重量平均分子量10×103)を主剤とし、HDIヌレート型のイソシアネート系硬化剤を主剤のヒドロキシ基量に対して1当量配合したメチルエチルケトン5%溶液を調製した。その後、樹脂基材11上に上記調製した溶液を塗工し、乾燥後の厚みが300nmのアンダーコート層12を積層した。
実施例1と同様のスパッタ条件として、アンダーコート層12上に膜厚100nmの透明酸化物膜層13を形成することで、ガスバリア性積層体を得た。
[樹脂基材の配置工程]
実施例1および実施例2と同様に、樹脂基材11として、厚さ50μmの二軸延伸PETフィルム(東レ株式会社製、品名「ルミラーT60」)を使用した。
実施例2と同様に、樹脂基材11の上に乾燥後の厚みが300nmのアンダーコート層12を積層した。
酸化タングステン(WO3)の焼結体ターゲットを用いたこと以外は実施例1および実施例2と同様のスパッタ条件として、アンダーコート層12上に膜厚100nmの透明酸化物膜層13を形成した。
オーバーコート層14用の溶液としてテトラエトキシシラン(TEOS)の加水分解溶液と、ポリビニルアルコール(PVA)の水溶液とを、乾燥後の固形分比が70:30となるように混合して固形分5質量%の溶液を調整した。その後、透明酸化物膜層13の上に、スピンコートを用いて上記調製した溶液を塗工し、乾燥後の厚みが300nmのオーバーコート層14を積層することで、ガスバリア性積層体を得た。
透明酸化物膜層13の成膜条件について、実施例1および2の成膜条件よりも酸素ガスの流量を少なく調整したこと以外は、実施例2と同様としてガスバリア性積層体を得た。
透明酸化物膜層13の成膜方法として、二つの電極が並列に位置し、各電極に正負交互に電圧を印加可能であり、その各々の電極が交互にカソード、アノードの役割を果たすマグネトロンスパッタリング装置を用いたスパッタリング法(方式Bとする)により成膜したこと以外は、実施例2と同様としてガスバリア性積層体を得た。このとき、二つの電極への電力投入手段としては、MF電源を用いた。その際、周波数40kHzの矩形電圧を、二つの並列に位置した電極に加えた。ガスとしては、アルゴンガス、酸素ガスを用いた。このとき、ターゲット表面の状態が、金属モードから酸化物モードに遷移する途中の状態である遷移状態となるように、プラズマの発光強度および放電の電圧値を検知することで酸素ガスの流量を制御した。成膜条件としては、成膜圧力を0.50Pa、電力密度を3.3W/cm2とした。ガスとしては、アルゴンガス、酸素ガスを用い、酸化膜が得られるように酸素ガスの流量を調整した。
透明酸化物膜層13の成膜方法として、回転する機構を有する円筒形の電極2本を並列に備え、各電極に正負交互に電圧を印加可能であり、その各々の電極が交互にカソード、アノードの役割を果たすマグネトロンスパッタリング装置を用いたスパッタリング法(方式Cとする)を用いたこと以外は、実施例2と同様としてガスバリア性積層体を得た。このとき、2つの電極への電力投入手段としては、MF電源を用いた。その際、周波数40kHzの矩形電圧を、二つの並列に位置した電極に加えた。ガスとしては、アルゴンガス、酸素ガスを用いた。このとき、ターゲット表面の状態が、金属モードから酸化物モードに遷移する途中の状態である遷移状態となるように、プラズマの発光強度および放電の電圧値を検知することで酸素ガスの流量を制御した。成膜条件としては、成膜圧力を0.30Pa、電力密度を3.3W/cm2とした。
タングステン(W)と珪素(Si)の合金ターゲット(原子組成比W:Si=90:10)を用いたこと以外は、実施例2と同様としてガスバリア性積層体を得た。
タングステン(W)とアルミニウム(Al)の合金ターゲット(原子組成比W:Al=50:50)を用いたこと以外は、実施例2と同様としてガスバリア性積層体を得た。
タングステン(W)と錫(Sn)の合金ターゲット(原子組成比W:Sn=80:20)を用いたこと以外は、実施例2と同様としてガスバリア性積層体を得た。
珪素(Si)と錫(Sn)の合金ターゲットを用いたこと以外は、実施例1と同様としてガスバリア性積層体を得た。
金属タングステン(W)ターゲットの表面が金属モードと酸化物モードの中間の状態となるように酸素ガスの流量を調整したこと以外は、実施例1と同様としてガスバリア性積層体を得た。
珪素(Si)ターゲットを用いたこと以外は、実施例2と同様としてガスバリア性積層体を得た。
珪素(Si)とタングステン(W)の合金ターゲット(原子組成比W:Si=25:75)を用いたこと以外は、実施例2と同様としてガスバリア性積層体を得た。
[ガスバリア性積層体の透明酸化物膜層の膜組成測定]
実施例1から実施例9、及び比較例1から比較例4で作製したガスバリア性積層体について、膜組成を、日本電子製のX線光電子分光装置(JPS−9010MX)を用いて測定した。その際、Arイオンエッチングにより還元の影響を避けるため、最表面の組成を分析した。
実施例1から実施例9、及び比較例1から比較例4で作製したガスバリア性積層体について、屈折率を、ジェー・エー・ウーラム社製のエリプソメーター(VUV−VASE)によって測定した。
実施例1から実施例9、及び比較例1から比較例4で作製したガスバリア性積層体について、JIS−K7129に準ずる方法を用いて、米国MOCON社製の水蒸気透過率計(AQUATRAN−ModelII)により、40℃90%RH(温度40℃、相対湿度90%)環境下での水蒸気透過率(g/m2・day)を測定した。ヘリウム透過率(cc/(m2・day・atm))については40℃、0RH%におけるJIS K 7126A法に準ずる差圧法を用いて、Technolox社製の圧力センサー式ガス測定装置(デルタパームDP−2MST)にて測定した。
12…アンダーコート層
13…透明酸化物膜層
14…オーバーコート層
Claims (12)
- 樹脂基材と、前記樹脂基材の片面もしくは両面に形成されたタングステン(W)を含む透明酸化物膜層とを備え、測定条件40℃、90%R.H.における水蒸気透過率が0.05g/(m2・day)以下である、ガスバリア性積層体。
- 前記透明酸化物膜層の表面における酸素(O)の原子数とタングステン(W)の原子数との比(O/W)が2.0以上3.0以下である、請求項1に記載のガスバリア性積層体。
- 前記透明酸化物膜層が非晶質である、請求項1または2に記載のガスバリア性積層体。
- 前記透明酸化物膜層がタングステン(W)以外に少なくとも1種類以上の金属元素(A)を含み、前記透明酸化物膜層のタングステン(W)の原子数と、タングステン(W)の原子数および金属元素(A)の合計の原子数との比(W/(W+A))が0.5以上1.0未満であり、酸素(O)の原子数と、タングステン(W)および金属元素(A)の合計の原子数との比(O/(W+A))が1.5以上3.0以下である、請求項1から3のいずれかに記載のガスバリア性積層体。
- 測定条件40℃、0%R.H.におけるヘリウム透過率が300cc/(m2・day・atm)以下である、請求項1から4のいずれかに記載のガスバリア性積層体。
- 前記透明酸化物膜層の波長550nmにおける屈折率nが1.5以上2.3以下であり、膜厚dと前記屈折率nとの積で表される光学膜厚ndが7nm以上1000nm以下である、請求項1から5のいずれかに記載のガスバリア性積層体。
- 前記樹脂基材と前記透明酸化物膜層との間にアンダーコート層をさらに有し、前記アンダーコート層は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂の少なくとも1つ以上から形成される、請求項1から6のいずれかに記載のガスバリア性積層体。
- 前記アンダーコート層は、有機酸基を有するアクリル樹脂を含む組成物の硬化物からなる層であり、前記組成物がポリイソシアネートをさらに含み、前記アクリル樹脂がアクリルポリオール樹脂である、請求項7に記載のガスバリア性積層体。
- 前記透明酸化物膜層の外側にオーバーコート層をさらに有し、前記オーバーコート層は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂の少なくとも1つ以上から形成される、請求項1から8のいずれかに記載のガスバリア性積層体。
- 前記オーバーコート層が、ヒドロキシ基を有する水溶性高分子と、アルコキシシラン及びその加水分解物からなる群から選ばれた少なくとも1種とを含有して形成されたものである、請求項9に記載のガスバリア性積層体。
- 前記オーバーコート層が、ガラス転移温度が20℃以上100℃以下であり、且つ水酸基を2個以上有するポリオールを含有する、熱可塑性樹脂を含有して形成されたものである、請求項9に記載のガスバリア性積層体。
- 請求項1から11のいずれかに記載のガスバリア性積層体の製造方法であって、マグネトロンスパッタリング装置を用いることにより前記透明酸化物膜層を成膜する工程を含む、ガスバリア性積層体の製造方法。
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