JP2021189343A5 - - Google Patents

Description

上記目的を達成するため、本発明の画像形成装置は、
回転可能な像担持体と、
前記像担持体と接触して帯電部を形成し、前記像担持体の表面を前記帯電部において帯電する帯電部材と、
前記像担持体を露光して前記像担持体の表面に静電潜像を形成する露光部と、
正規極性に帯電した現像剤を担持し、前記像担持体の表面に形成された前記静電潜像に現像剤を供給して前記像担持体の表面に現像剤像を形成する現像剤担持体と、
前記像担持体と接触してニップを形成し、前記ニップに搬送された記録材に前記現像剤像を転写する転写部材と、
帯電バイアスを前記帯電部材に印加する帯電バイアス印加部と、
現像バイアスを前記現像剤担持体に印加する現像バイアス印加部と、
転写バイアスを前記転写部材に印加する転写バイアス印加部と、
前記帯電バイアス印加部と前記現像バイアス印加部と前記転写バイアス印加部と、を制御する制御部と、
を備える画像形成装置であって、
前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第１の領域、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持されていない状態で前記ニップにおいて記録材と接触しない前記像担持体の領域を第２の領域とすると、
前記制御部は、前記ニップを通過した後に、第１の帯電バイアスが印加された前記帯電部において第１の表面電位が形成された前記第１の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に第１の現像バイアスを印加し、前記第１の帯電バイアスと同極性で前記第１の帯電バイアスよりも絶対値が小さい第２の帯電バイアスが印加された前記帯電部において第２の表面電位が形成された前記第２の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に前記第１の現像バイアスの絶対値よりも小さい第２の現像バイアスを印加するように制御することを特徴とする。

上記目的を達成するため、本発明の画像形成装置は、
回転可能な像担持体と、
前記像担持体と接触して帯電部を形成し、前記像担持体の表面を前記帯電部において帯電する帯電部材と、
前記像担持体を露光して前記像担持体の表面に静電潜像を形成する露光部と、
正規極性に帯電した現像剤を担持し、現像部において前記像担持体の表面に形成された前記静電潜像に現像剤を供給して前記像担持体の表面に現像剤像を形成する現像剤担持体と、
前記像担持体と接触してニップを形成し、前記ニップに搬送された記録材に前記現像剤像を転写する転写部材と、
帯電バイアスを前記帯電部材に印加する帯電バイアス印加部と、
現像バイアスを前記現像剤担持体に印加する現像バイアス印加部と、
転写バイアスを前記転写部材に印加する転写バイアス印加部と、
前記帯電バイアス印加部と前記現像バイアス印加部と前記転写バイアス印加部と、を制御する制御部と、
を備える画像形成装置であって、
前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第１の領域、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持されていない状態で前記ニップにおいて記録材と接触しない前記像担持体の領域を第２の領域、前記ニップを前記第２の領域が通過した後で前記第１の領域が通過する前における第３の領域であって、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第３の領域、前記現像部において、前記像担持体に形成された表面電位と前記現像バイアスの間に形成される電位差をバックコントラストとすると、
前記制御部は、前記ニップを通過した後に、前記帯電部において第１の表面電位が形成された前記第１の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に第１の現像バイアスを印加し前記帯電部において第２の表面電位が形成された前記第２の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に前記第１の現像バイアスの絶対値よりも小さい第２の現像バイアスを印加するように制御し、
前記第２の領域が前記現像部を形成する場合における第２のバックコントラストは、前記第１の領域が前記現像部を形成する場合における第１のバックコントラストよりも大きくなるように制御し、
前記第１のバックコントラストは、前記帯電部において第３の表面電位が形成された前記第３の領域が前記現像部を形成する場合における第３のバックコントラストよりも大きくなるように制御することを特徴とする。

Claims (20)

1. 回転可能な像担持体と、
   前記像担持体と接触して帯電部を形成し、前記像担持体の表面を前記帯電部において帯電する帯電部材と、
   前記像担持体を露光して前記像担持体の表面に静電潜像を形成する露光部と、
   正規極性に帯電した現像剤を担持し、前記像担持体の表面に形成された前記静電潜像に現像剤を供給して前記像担持体の表面に現像剤像を形成する現像剤担持体と、
   前記像担持体と接触してニップを形成し、前記ニップに搬送された記録材に前記現像剤像を転写する転写部材と、
   帯電バイアスを前記帯電部材に印加する帯電バイアス印加部と、
   現像バイアスを前記現像剤担持体に印加する現像バイアス印加部と、
   転写バイアスを前記転写部材に印加する転写バイアス印加部と、
   前記帯電バイアス印加部と前記現像バイアス印加部と前記転写バイアス印加部と、を制御する制御部と、
   を備える画像形成装置であって、
   前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第１の領域、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持されていない状態で前記ニップにおいて記録材と接触しない前記像担持体の領域を第２の領域とすると、
   前記制御部は、前記ニップを通過した後に、第１の帯電バイアスが印加された前記帯電部において第１の表面電位が形成された前記第１の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に第１の現像バイアスを印加し、前記第１の帯電バイアスと同極性で前記第１の帯電バイアスよりも絶対値が小さい第２の帯電バイアスが印加された前記帯電部において第２の表面電位が形成された前記第２の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に前記第１の現像バイアスの絶対値よりも小さい第２の現像バイアスを印加するように制御することを特徴とする画像形成装置。
2. 前記第１の表面電位、前記第２の表面電位、前記第１の現像バイアス及び前記第２の現像バイアスのそれぞれの極性は、前記正規極性であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
3. 前記第１の表面電位の絶対値は、前記第２の表面電位の絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
4. 前記第１の表面電位を形成するための第１の帯電電位が前記帯電部材に形成され、
   前記第１の帯電電位と同極性であって、前記第２の表面電位を形成するための第２の帯電電位が前記帯電部材に形成され、
   前記第１の帯電電位の絶対値は、前記第２の帯電電位の絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の画像形成装置。
5. 前記帯電バイアス印加部が第１の帯電バイアスを前記帯電部材に印加することで前記第１の帯電電位が形成され、
   前記帯電バイアス印加部が前記第１の帯電バイアスと同極性の第２の帯電バイアスを前記帯電部材に印加することで前記第２の帯電電位が形成され、
   前記第１の帯電バイアスの絶対値は、前記第２の帯電バイアスの絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
6. 前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置しており前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第３の領域とすると、
   前記帯電部において第３の表面電位が形成された前記第３の領域が前記現像剤担持体と対向するときであって、前記第２の現像バイアスから前記第１の現像バイアスに切り替わるときに前記現像剤担持体に形成された現像電位がオーバーシュートし、
   前記オーバーシュートしたときの前記現像電位の絶対値は、前記現像剤担持体に前記第１の現像バイアスが印加されたときの前記現像電位の絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の画像形成装置。
7. 前記第３の表面電位の絶対値は、前記第１の表面電位の絶対値及び前記第２の表面電位の絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
8. 回転可能な像担持体と、
   前記像担持体と接触して帯電部を形成し、前記像担持体の表面を前記帯電部において帯電する帯電部材と、
   前記像担持体を露光して前記像担持体の表面に静電潜像を形成する露光部と、
   正規極性に帯電した現像剤を担持し、現像部において前記像担持体の表面に形成された前記静電潜像に現像剤を供給して前記像担持体の表面に現像剤像を形成する現像剤担持体と、
   前記像担持体と接触してニップを形成し、前記ニップに搬送された記録材に前記現像剤像を転写する転写部材と、
   帯電バイアスを前記帯電部材に印加する帯電バイアス印加部と、
   現像バイアスを前記現像剤担持体に印加する現像バイアス印加部と、
   転写バイアスを前記転写部材に印加する転写バイアス印加部と、
   前記帯電バイアス印加部と前記現像バイアス印加部と前記転写バイアス印加部と、を制御する制御部と、
   を備える画像形成装置であって、
   前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第１の領域、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持されていない状態で前記ニップにおいて記録材と接触しない前記像担持体の領域を第２の領域、前記ニップを前記第２の領域が通過した後で前記第１の領域が通過する前における第３の領域であって、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおい
   て記録材と接触する前記像担持体の領域を第３の領域、前記現像部において、前記像担持体に形成された表面電位と前記現像バイアスの間に形成される電位差をバックコントラストとすると、
   前記制御部は、前記ニップを通過した後に、前記帯電部において第１の表面電位が形成された前記第１の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に第１の現像バイアスを印加し前記帯電部において第２の表面電位が形成された前記第２の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に前記第１の現像バイアスの絶対値よりも小さい第２の現像バイアスを印加するように制御し、
   前記第２の領域が前記現像部を形成する場合における第２のバックコントラストは、前記第１の領域が前記現像部を形成する場合における第１のバックコントラストよりも大きくなるように制御し、
   前記第１のバックコントラストは、前記帯電部において第３の表面電位が形成された前記第３の領域が前記現像部を形成する場合における第３のバックコントラストよりも大きくなるように制御することを特徴とする画像形成装置。
9. 前記第１の表面電位、前記第２の表面電位、前記第３の表面電位、前記第１の現像バイアス及び前記第２の現像バイアスのそれぞれの極性は、前記正規極性であることを特徴とする請求項８に記載の画像形成装置。
10. 前記第１の表面電位の絶対値は、前記第２の表面電位の絶対値よりも大きく、
    前記第３の表面電位の絶対値は、前記第１の表面電位の絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項８又は９に記載の画像形成装置。
11. 前記現像剤担持体に前記第１の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第１の現像電位が形成され、
    前記現像剤担持体に前記第２の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第２の現像電位が形成され、
    前記第１の現像電位がオーバーシュートすることで前記現像剤担持体に第３の現像電位が形成され、
    前記制御部は、前記第３の表面電位と前記第３の現像電位との第３の電位差について、前記第３の領域の面積に対する前記第３の領域における前記現像剤の面積の比率が２％以下となるような前記第３の電位差が形成されるように前記帯電バイアス印加部及び前記現像バイアス印加部を制御することを特徴とする請求項６から１０の何れか一項に記載の画像形成装置。
12. 前記現像剤担持体に前記第１の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第１の現像電位が形成され、
    前記現像剤担持体に前記第２の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第２の現像電位が形成され、
    前記第１の現像電位がオーバーシュートすることで前記現像剤担持体に第３の現像電位が形成され、
    前記制御部は、前記第３の表面電位と前記第３の現像電位との第３の電位差について、前記第３の領域の面積に対する前記第３の領域における前記現像剤の面積の比率が画像品質として許容される範囲となるような前記第３の電位差が形成されるように前記帯電バイアス印加部及び前記現像バイアス印加部を制御することを特徴とする請求項６から１０の何れか一項に記載の画像形成装置。
13. 前記現像剤担持体に前記第１の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第１の現像電位が形成され、
    前記現像剤担持体に前記第２の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第
    ２の現像電位が形成され、
    前記制御部は、前記第１の表面電位と前記第１の現像電位との第１の電位差について、前記第１の領域の面積に対する前記第１の領域における前記現像剤の面積の比率が２％以下となるような前記第１の電位差が形成されるように前記帯電バイアス印加部及び前記現像バイアス印加部を制御することを特徴とする請求項１から１２の何れか一項に記載の画像形成装置。
14. 前記現像剤担持体に前記第１の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第１の現像電位が形成され、
    前記現像剤担持体に前記第２の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第２の現像電位が形成され、
    前記制御部は、前記第１の表面電位と前記第１の現像電位との第１の電位差について、前記第１の領域の面積に対する前記第１の領域における前記現像剤の面積の比率が画像品質として許容される範囲となるような前記第１の電位差が形成されるように前記帯電バイアス印加部及び前記現像バイアス印加部を制御することを特徴とする請求項１から１２の何れか一項に記載の画像形成装置。
15. 前記現像剤担持体に前記第２の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第２の現像電位が形成され、
    前記制御部は、前記第２の表面電位と前記第２の現像電位との第２の電位差について、前記第２の領域の面積に対する前記第２の領域における前記現像剤の面積の比率が２％以下となるような前記第２の電位差が形成されるように前記帯電バイアス印加部及び前記現像バイアス印加部を制御することを特徴とする請求項１から１４の何れか一項に記載の画像形成装置。
16. 前記現像剤担持体に前記第２の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第２の現像電位が形成され、
    前記制御部は、前記第２の表面電位と前記第２の現像電位との第２の電位差について、前記第２の領域の面積に対する前記第２の領域における前記現像剤の面積の比率が画像品質として許容される範囲となるような前記第２の電位差が形成されるように前記帯電バイアス印加部及び前記現像バイアス印加部を制御することを特徴とする請求項１から１４の何れか一項に記載の画像形成装置。
17. 前記現像剤担持体は、前記像担持体に対して非接触で配置されており、
    前記第１の現像バイアス及び前記第２の現像バイアスは、ＡＣバイアスであることを特徴とする請求項１から１６の何れか一項に記載の画像形成装置。
18. 前記現像剤担持体は、前記像担持体に対して接触して配置されており、
    前記第１の現像バイアス及び前記第２の現像バイアスは、同極性のＤＣバイアスであり、
    前記第１の現像バイアスの絶対値は、前記第２の現像バイアスの絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項１から１６の何れか一項に記載の画像形成装置。
19. 前記第２の現像バイアスは、前記像担持体の回転方向の下流側における前記第２の領域の先端が前記現像剤担持体と対向する位置に到達するタイミングから所定時間後に印加されることを特徴とする請求項１から１７の何れか一項に記載の画像形成装置。
20. 前記ニップを前記第２の領域が通過した後で前記第１の領域が通過する前における第３の領域であって、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第３の領域、と
    すると、
    前記帯電部において第３の表面電位が形成された前記第３の領域に印加される第３の帯電電圧は、前記第２の帯電バイアスと同極性で前記第２の帯電バイアスよりも絶対値が大きくなるように制御することを特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の画像形成装置。