JP2021189343A5 - - Google Patents
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上記目的を達成するため、本発明の画像形成装置は、
回転可能な像担持体と、
前記像担持体と接触して帯電部を形成し、前記像担持体の表面を前記帯電部において帯電する帯電部材と、
前記像担持体を露光して前記像担持体の表面に静電潜像を形成する露光部と、
正規極性に帯電した現像剤を担持し、前記像担持体の表面に形成された前記静電潜像に現像剤を供給して前記像担持体の表面に現像剤像を形成する現像剤担持体と、
前記像担持体と接触してニップを形成し、前記ニップに搬送された記録材に前記現像剤像を転写する転写部材と、
帯電バイアスを前記帯電部材に印加する帯電バイアス印加部と、
現像バイアスを前記現像剤担持体に印加する現像バイアス印加部と、
転写バイアスを前記転写部材に印加する転写バイアス印加部と、
前記帯電バイアス印加部と前記現像バイアス印加部と前記転写バイアス印加部と、を制御する制御部と、
を備える画像形成装置であって、
前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第1の領域、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持されていない状態で前記ニップにおいて記録材と接触しない前記像担持体の領域を第2の領域とすると、
前記制御部は、前記ニップを通過した後に、第1の帯電バイアスが印加された前記帯電部において第1の表面電位が形成された前記第1の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に第1の現像バイアスを印加し、前記第1の帯電バイアスと同極性で前記第1の帯電バイアスよりも絶対値が小さい第2の帯電バイアスが印加された前記帯電部において第2の表面電位が形成された前記第2の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に前記第1の現像バイアスの絶対値よりも小さい第2の現像バイアスを印加するように制御することを特徴とする。
回転可能な像担持体と、
前記像担持体と接触して帯電部を形成し、前記像担持体の表面を前記帯電部において帯電する帯電部材と、
前記像担持体を露光して前記像担持体の表面に静電潜像を形成する露光部と、
正規極性に帯電した現像剤を担持し、前記像担持体の表面に形成された前記静電潜像に現像剤を供給して前記像担持体の表面に現像剤像を形成する現像剤担持体と、
前記像担持体と接触してニップを形成し、前記ニップに搬送された記録材に前記現像剤像を転写する転写部材と、
帯電バイアスを前記帯電部材に印加する帯電バイアス印加部と、
現像バイアスを前記現像剤担持体に印加する現像バイアス印加部と、
転写バイアスを前記転写部材に印加する転写バイアス印加部と、
前記帯電バイアス印加部と前記現像バイアス印加部と前記転写バイアス印加部と、を制御する制御部と、
を備える画像形成装置であって、
前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第1の領域、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持されていない状態で前記ニップにおいて記録材と接触しない前記像担持体の領域を第2の領域とすると、
前記制御部は、前記ニップを通過した後に、第1の帯電バイアスが印加された前記帯電部において第1の表面電位が形成された前記第1の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に第1の現像バイアスを印加し、前記第1の帯電バイアスと同極性で前記第1の帯電バイアスよりも絶対値が小さい第2の帯電バイアスが印加された前記帯電部において第2の表面電位が形成された前記第2の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に前記第1の現像バイアスの絶対値よりも小さい第2の現像バイアスを印加するように制御することを特徴とする。
上記目的を達成するため、本発明の画像形成装置は、
回転可能な像担持体と、
前記像担持体と接触して帯電部を形成し、前記像担持体の表面を前記帯電部において帯電する帯電部材と、
前記像担持体を露光して前記像担持体の表面に静電潜像を形成する露光部と、
正規極性に帯電した現像剤を担持し、現像部において前記像担持体の表面に形成された前記静電潜像に現像剤を供給して前記像担持体の表面に現像剤像を形成する現像剤担持体と、
前記像担持体と接触してニップを形成し、前記ニップに搬送された記録材に前記現像剤像を転写する転写部材と、
帯電バイアスを前記帯電部材に印加する帯電バイアス印加部と、
現像バイアスを前記現像剤担持体に印加する現像バイアス印加部と、
転写バイアスを前記転写部材に印加する転写バイアス印加部と、
前記帯電バイアス印加部と前記現像バイアス印加部と前記転写バイアス印加部と、を制御する制御部と、
を備える画像形成装置であって、
前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第1の領域、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持されていない状態で前記ニップにおいて記録材と接触しない前記像担持体の領域を第2の領域、前記ニップを前記第2の領域が通過した後で前記第1の領域が通過する前における第3の領域であって、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第3の領域、前記現像部において、前記像担持体に形成された表面電位と前記現像バイアスの間に形成される電位差をバックコントラストとすると、
前記制御部は、前記ニップを通過した後に、前記帯電部において第1の表面電位が形成された前記第1の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に第1の現像バイアスを印加し前記帯電部において第2の表面電位が形成された前記第2の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に前記第1の現像バイアスの絶対値よりも小さい第2の現像バイアスを印加するように制御し、
前記第2の領域が前記現像部を形成する場合における第2のバックコントラストは、前記第1の領域が前記現像部を形成する場合における第1のバックコントラストよりも大きくなるように制御し、
前記第1のバックコントラストは、前記帯電部において第3の表面電位が形成された前記第3の領域が前記現像部を形成する場合における第3のバックコントラストよりも大きくなるように制御することを特徴とする。
回転可能な像担持体と、
前記像担持体と接触して帯電部を形成し、前記像担持体の表面を前記帯電部において帯電する帯電部材と、
前記像担持体を露光して前記像担持体の表面に静電潜像を形成する露光部と、
正規極性に帯電した現像剤を担持し、現像部において前記像担持体の表面に形成された前記静電潜像に現像剤を供給して前記像担持体の表面に現像剤像を形成する現像剤担持体と、
前記像担持体と接触してニップを形成し、前記ニップに搬送された記録材に前記現像剤像を転写する転写部材と、
帯電バイアスを前記帯電部材に印加する帯電バイアス印加部と、
現像バイアスを前記現像剤担持体に印加する現像バイアス印加部と、
転写バイアスを前記転写部材に印加する転写バイアス印加部と、
前記帯電バイアス印加部と前記現像バイアス印加部と前記転写バイアス印加部と、を制御する制御部と、
を備える画像形成装置であって、
前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第1の領域、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持されていない状態で前記ニップにおいて記録材と接触しない前記像担持体の領域を第2の領域、前記ニップを前記第2の領域が通過した後で前記第1の領域が通過する前における第3の領域であって、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第3の領域、前記現像部において、前記像担持体に形成された表面電位と前記現像バイアスの間に形成される電位差をバックコントラストとすると、
前記制御部は、前記ニップを通過した後に、前記帯電部において第1の表面電位が形成された前記第1の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に第1の現像バイアスを印加し前記帯電部において第2の表面電位が形成された前記第2の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に前記第1の現像バイアスの絶対値よりも小さい第2の現像バイアスを印加するように制御し、
前記第2の領域が前記現像部を形成する場合における第2のバックコントラストは、前記第1の領域が前記現像部を形成する場合における第1のバックコントラストよりも大きくなるように制御し、
前記第1のバックコントラストは、前記帯電部において第3の表面電位が形成された前記第3の領域が前記現像部を形成する場合における第3のバックコントラストよりも大きくなるように制御することを特徴とする。
Claims (20)
- 回転可能な像担持体と、
前記像担持体と接触して帯電部を形成し、前記像担持体の表面を前記帯電部において帯電する帯電部材と、
前記像担持体を露光して前記像担持体の表面に静電潜像を形成する露光部と、
正規極性に帯電した現像剤を担持し、前記像担持体の表面に形成された前記静電潜像に現像剤を供給して前記像担持体の表面に現像剤像を形成する現像剤担持体と、
前記像担持体と接触してニップを形成し、前記ニップに搬送された記録材に前記現像剤像を転写する転写部材と、
帯電バイアスを前記帯電部材に印加する帯電バイアス印加部と、
現像バイアスを前記現像剤担持体に印加する現像バイアス印加部と、
転写バイアスを前記転写部材に印加する転写バイアス印加部と、
前記帯電バイアス印加部と前記現像バイアス印加部と前記転写バイアス印加部と、を制御する制御部と、
を備える画像形成装置であって、
前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第1の領域、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持されていない状態で前記ニップにおいて記録材と接触しない前記像担持体の領域を第2の領域とすると、
前記制御部は、前記ニップを通過した後に、第1の帯電バイアスが印加された前記帯電部において第1の表面電位が形成された前記第1の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に第1の現像バイアスを印加し、前記第1の帯電バイアスと同極性で前記第1の帯電バイアスよりも絶対値が小さい第2の帯電バイアスが印加された前記帯電部において第2の表面電位が形成された前記第2の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に前記第1の現像バイアスの絶対値よりも小さい第2の現像バイアスを印加するように制御することを特徴とする画像形成装置。 - 前記第1の表面電位、前記第2の表面電位、前記第1の現像バイアス及び前記第2の現像バイアスのそれぞれの極性は、前記正規極性であることを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置。
- 前記第1の表面電位の絶対値は、前記第2の表面電位の絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の画像形成装置。
- 前記第1の表面電位を形成するための第1の帯電電位が前記帯電部材に形成され、
前記第1の帯電電位と同極性であって、前記第2の表面電位を形成するための第2の帯電電位が前記帯電部材に形成され、
前記第1の帯電電位の絶対値は、前記第2の帯電電位の絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の画像形成装置。 - 前記帯電バイアス印加部が第1の帯電バイアスを前記帯電部材に印加することで前記第1の帯電電位が形成され、
前記帯電バイアス印加部が前記第1の帯電バイアスと同極性の第2の帯電バイアスを前記帯電部材に印加することで前記第2の帯電電位が形成され、
前記第1の帯電バイアスの絶対値は、前記第2の帯電バイアスの絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項4に記載の画像形成装置。 - 前記第1の領域と前記第2の領域との間に位置しており前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第3の領域とすると、
前記帯電部において第3の表面電位が形成された前記第3の領域が前記現像剤担持体と対向するときであって、前記第2の現像バイアスから前記第1の現像バイアスに切り替わるときに前記現像剤担持体に形成された現像電位がオーバーシュートし、
前記オーバーシュートしたときの前記現像電位の絶対値は、前記現像剤担持体に前記第1の現像バイアスが印加されたときの前記現像電位の絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載の画像形成装置。 - 前記第3の表面電位の絶対値は、前記第1の表面電位の絶対値及び前記第2の表面電位の絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項6に記載の画像形成装置。
- 回転可能な像担持体と、
前記像担持体と接触して帯電部を形成し、前記像担持体の表面を前記帯電部において帯電する帯電部材と、
前記像担持体を露光して前記像担持体の表面に静電潜像を形成する露光部と、
正規極性に帯電した現像剤を担持し、現像部において前記像担持体の表面に形成された前記静電潜像に現像剤を供給して前記像担持体の表面に現像剤像を形成する現像剤担持体と、
前記像担持体と接触してニップを形成し、前記ニップに搬送された記録材に前記現像剤像を転写する転写部材と、
帯電バイアスを前記帯電部材に印加する帯電バイアス印加部と、
現像バイアスを前記現像剤担持体に印加する現像バイアス印加部と、
転写バイアスを前記転写部材に印加する転写バイアス印加部と、
前記帯電バイアス印加部と前記現像バイアス印加部と前記転写バイアス印加部と、を制御する制御部と、
を備える画像形成装置であって、
前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第1の領域、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持されていない状態で前記ニップにおいて記録材と接触しない前記像担持体の領域を第2の領域、前記ニップを前記第2の領域が通過した後で前記第1の領域が通過する前における第3の領域であって、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおい
て記録材と接触する前記像担持体の領域を第3の領域、前記現像部において、前記像担持体に形成された表面電位と前記現像バイアスの間に形成される電位差をバックコントラストとすると、
前記制御部は、前記ニップを通過した後に、前記帯電部において第1の表面電位が形成された前記第1の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に第1の現像バイアスを印加し前記帯電部において第2の表面電位が形成された前記第2の領域が前記現像剤担持体と対向するときに前記現像剤担持体に前記第1の現像バイアスの絶対値よりも小さい第2の現像バイアスを印加するように制御し、
前記第2の領域が前記現像部を形成する場合における第2のバックコントラストは、前記第1の領域が前記現像部を形成する場合における第1のバックコントラストよりも大きくなるように制御し、
前記第1のバックコントラストは、前記帯電部において第3の表面電位が形成された前記第3の領域が前記現像部を形成する場合における第3のバックコントラストよりも大きくなるように制御することを特徴とする画像形成装置。 - 前記第1の表面電位、前記第2の表面電位、前記第3の表面電位、前記第1の現像バイアス及び前記第2の現像バイアスのそれぞれの極性は、前記正規極性であることを特徴とする請求項8に記載の画像形成装置。
- 前記第1の表面電位の絶対値は、前記第2の表面電位の絶対値よりも大きく、
前記第3の表面電位の絶対値は、前記第1の表面電位の絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項8又は9に記載の画像形成装置。 - 前記現像剤担持体に前記第1の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第1の現像電位が形成され、
前記現像剤担持体に前記第2の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第2の現像電位が形成され、
前記第1の現像電位がオーバーシュートすることで前記現像剤担持体に第3の現像電位が形成され、
前記制御部は、前記第3の表面電位と前記第3の現像電位との第3の電位差について、前記第3の領域の面積に対する前記第3の領域における前記現像剤の面積の比率が2%以下となるような前記第3の電位差が形成されるように前記帯電バイアス印加部及び前記現像バイアス印加部を制御することを特徴とする請求項6から10の何れか一項に記載の画像形成装置。 - 前記現像剤担持体に前記第1の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第1の現像電位が形成され、
前記現像剤担持体に前記第2の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第2の現像電位が形成され、
前記第1の現像電位がオーバーシュートすることで前記現像剤担持体に第3の現像電位が形成され、
前記制御部は、前記第3の表面電位と前記第3の現像電位との第3の電位差について、前記第3の領域の面積に対する前記第3の領域における前記現像剤の面積の比率が画像品質として許容される範囲となるような前記第3の電位差が形成されるように前記帯電バイアス印加部及び前記現像バイアス印加部を制御することを特徴とする請求項6から10の何れか一項に記載の画像形成装置。 - 前記現像剤担持体に前記第1の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第1の現像電位が形成され、
前記現像剤担持体に前記第2の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第
2の現像電位が形成され、
前記制御部は、前記第1の表面電位と前記第1の現像電位との第1の電位差について、前記第1の領域の面積に対する前記第1の領域における前記現像剤の面積の比率が2%以下となるような前記第1の電位差が形成されるように前記帯電バイアス印加部及び前記現像バイアス印加部を制御することを特徴とする請求項1から12の何れか一項に記載の画像形成装置。 - 前記現像剤担持体に前記第1の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第1の現像電位が形成され、
前記現像剤担持体に前記第2の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第2の現像電位が形成され、
前記制御部は、前記第1の表面電位と前記第1の現像電位との第1の電位差について、前記第1の領域の面積に対する前記第1の領域における前記現像剤の面積の比率が画像品質として許容される範囲となるような前記第1の電位差が形成されるように前記帯電バイアス印加部及び前記現像バイアス印加部を制御することを特徴とする請求項1から12の何れか一項に記載の画像形成装置。 - 前記現像剤担持体に前記第2の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第2の現像電位が形成され、
前記制御部は、前記第2の表面電位と前記第2の現像電位との第2の電位差について、前記第2の領域の面積に対する前記第2の領域における前記現像剤の面積の比率が2%以下となるような前記第2の電位差が形成されるように前記帯電バイアス印加部及び前記現像バイアス印加部を制御することを特徴とする請求項1から14の何れか一項に記載の画像形成装置。 - 前記現像剤担持体に前記第2の現像バイアスが印加されることで前記現像剤担持体に第2の現像電位が形成され、
前記制御部は、前記第2の表面電位と前記第2の現像電位との第2の電位差について、前記第2の領域の面積に対する前記第2の領域における前記現像剤の面積の比率が画像品質として許容される範囲となるような前記第2の電位差が形成されるように前記帯電バイアス印加部及び前記現像バイアス印加部を制御することを特徴とする請求項1から14の何れか一項に記載の画像形成装置。 - 前記現像剤担持体は、前記像担持体に対して非接触で配置されており、
前記第1の現像バイアス及び前記第2の現像バイアスは、ACバイアスであることを特徴とする請求項1から16の何れか一項に記載の画像形成装置。 - 前記現像剤担持体は、前記像担持体に対して接触して配置されており、
前記第1の現像バイアス及び前記第2の現像バイアスは、同極性のDCバイアスであり、
前記第1の現像バイアスの絶対値は、前記第2の現像バイアスの絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項1から16の何れか一項に記載の画像形成装置。 - 前記第2の現像バイアスは、前記像担持体の回転方向の下流側における前記第2の領域の先端が前記現像剤担持体と対向する位置に到達するタイミングから所定時間後に印加されることを特徴とする請求項1から17の何れか一項に記載の画像形成装置。
- 前記ニップを前記第2の領域が通過した後で前記第1の領域が通過する前における第3の領域であって、前記転写部材に前記転写バイアスが印加され記録材が前記ニップに挟持された状態で前記ニップにおいて記録材と接触する前記像担持体の領域を第3の領域、と
すると、
前記帯電部において第3の表面電位が形成された前記第3の領域に印加される第3の帯電電圧は、前記第2の帯電バイアスと同極性で前記第2の帯電バイアスよりも絶対値が大きくなるように制御することを特徴とする請求項1から7の何れか一項に記載の画像形成装置。
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