JP2003066697A - 現像装置及びこの現像装置を備える画像形成装置 - Google Patents
現像装置及びこの現像装置を備える画像形成装置Info
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- JP2003066697A JP2003066697A JP2001255171A JP2001255171A JP2003066697A JP 2003066697 A JP2003066697 A JP 2003066697A JP 2001255171 A JP2001255171 A JP 2001255171A JP 2001255171 A JP2001255171 A JP 2001255171A JP 2003066697 A JP2003066697 A JP 2003066697A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製品の検査工程の簡略化、歩留まりの向上を
図りつつ、現像バイアス電圧のオーバーシュートやアン
ダーシュートを防止して現像バイアス電圧の安定化を図
り、カブリ画像等の画像弊害を防止し、１ｄｏｔ再現性
に優れた高精度画像を安定して供給することができる現
像装置及びこの現像装置を備える画像形成装置を提供す
る。 【解決手段】 現像バイアス電圧の交流成分の上限値を
降伏電圧とするツェナーダイオード９ｅが現像バイアス
電圧のもとで逆方向となるようにツェナーダイオード９
ｅの一端が現像トランス９ｄの二次側の上記一方若しく
は他方に接続され、他端が接地され、或いは、現像バイ
アス電圧の交流成分の下限値をバリスタ電圧とするバリ
スタ９ｆの一端が現像トランス９ｄの二次側の上記一方
若しくは他方に接続され、他端が接地されるよう構成す
る。
図りつつ、現像バイアス電圧のオーバーシュートやアン
ダーシュートを防止して現像バイアス電圧の安定化を図
り、カブリ画像等の画像弊害を防止し、１ｄｏｔ再現性
に優れた高精度画像を安定して供給することができる現
像装置及びこの現像装置を備える画像形成装置を提供す
る。 【解決手段】 現像バイアス電圧の交流成分の上限値を
降伏電圧とするツェナーダイオード９ｅが現像バイアス
電圧のもとで逆方向となるようにツェナーダイオード９
ｅの一端が現像トランス９ｄの二次側の上記一方若しく
は他方に接続され、他端が接地され、或いは、現像バイ
アス電圧の交流成分の下限値をバリスタ電圧とするバリ
スタ９ｆの一端が現像トランス９ｄの二次側の上記一方
若しくは他方に接続され、他端が接地されるよう構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真方式、静
電記録方式等を採用する画像形成装置に関するものであ
る。
電記録方式等を採用する画像形成装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】電子写真方式を採用する画像形成装置に
備えられた現像装置について、図４に基づき説明する。
備えられた現像装置について、図４に基づき説明する。
【０００３】かかる現像装置に用いられる現像方法とし
ては、例えば特開昭５８−３２３７５にて開示されてい
るようなジャンピング現像法が広く知られている。この
方法は、図４に示すように、現像剤担持体たる現像スリ
ーブ１０２と潜像担持体たる感光ドラム１０３との間に
一定の空隙を設け、バイアス印加手段たる現像バイアス
電源１０４によって現像スリーブ１０２に印加された電
圧を主な駆動力にして、現像スリーブ１０２上に担持さ
れた薄層の現像剤１０５を感光ドラム１０３上の静電潜
像に現像し、可視化するものである。
ては、例えば特開昭５８−３２３７５にて開示されてい
るようなジャンピング現像法が広く知られている。この
方法は、図４に示すように、現像剤担持体たる現像スリ
ーブ１０２と潜像担持体たる感光ドラム１０３との間に
一定の空隙を設け、バイアス印加手段たる現像バイアス
電源１０４によって現像スリーブ１０２に印加された電
圧を主な駆動力にして、現像スリーブ１０２上に担持さ
れた薄層の現像剤１０５を感光ドラム１０３上の静電潜
像に現像し、可視化するものである。
【０００４】このジャンピング現像法では、現像スリー
ブ１０２と感光ドラム１０３上の画像部及び非画像部と
の間において、現像剤１０５の転移と逆転移を発生させ
ることによってトナーを往復運動させるので、画像部の
エッジの鮮明さと、非画像部に近い中間調画像の再現性
が著しく向上する。
ブ１０２と感光ドラム１０３上の画像部及び非画像部と
の間において、現像剤１０５の転移と逆転移を発生させ
ることによってトナーを往復運動させるので、画像部の
エッジの鮮明さと、非画像部に近い中間調画像の再現性
が著しく向上する。
【０００５】図５に、ジャンピング現像法で用いられる
現像バイアス電圧の波形の一例を示す。
現像バイアス電圧の波形の一例を示す。
【０００６】図５に示されるように、現像バイアス電圧
には、現像剤を現像スリーブから感光ドラムに向かう方
向に付勢する電界を形成する第一のピーク値Ｖmaxが印
加される時間ｔ1と、感光ドラムから現像スリーブへ向
かう方向に付勢する電界を形成する第二のピーク値Ｖ
minが印加される時間ｔ2とからなる交流電圧Ｖppに直流
電圧Ｖdcをかけあわせた矩形波（図５（ａ）に示すよう
にｔ1=ｔ2）、若しくは、交流電圧の上下限値が一定
で、上限電圧と下限電圧の印加時間を任意に変更できる
方形波（デューティーバイアスともいう；図５（ｂ）に
示すようにｔ1≠ｔ2）が用いられることが多い。
には、現像剤を現像スリーブから感光ドラムに向かう方
向に付勢する電界を形成する第一のピーク値Ｖmaxが印
加される時間ｔ1と、感光ドラムから現像スリーブへ向
かう方向に付勢する電界を形成する第二のピーク値Ｖ
minが印加される時間ｔ2とからなる交流電圧Ｖppに直流
電圧Ｖdcをかけあわせた矩形波（図５（ａ）に示すよう
にｔ1=ｔ2）、若しくは、交流電圧の上下限値が一定
で、上限電圧と下限電圧の印加時間を任意に変更できる
方形波（デューティーバイアスともいう；図５（ｂ）に
示すようにｔ1≠ｔ2）が用いられることが多い。
【０００７】尚、現像バイアス電圧の波形は、仮に、正
弦波、ノコギリ波、三角波等であっても現像するのだ
が、高画質な可視画像を形成するためには、小さなピー
ク間電圧で大きな電気的エネルギーを得ることができる
矩形波やデューティーバイアスが優れている。
弦波、ノコギリ波、三角波等であっても現像するのだ
が、高画質な可視画像を形成するためには、小さなピー
ク間電圧で大きな電気的エネルギーを得ることができる
矩形波やデューティーバイアスが優れている。
【０００８】これらの波形は、図６に示すように、先ず
ＡＣ成分をＣＰＵから出力された所定の現像周波数に設
定された矩形波、若しくは、所望の上限電圧の印加時
間、下限電圧の印加時間が決められた方形波として、昇
圧トランス等の変圧器で昇圧し、且つ、ＤＣ成分はＤＣ
出力部からＤＣ作製抵抗部で電圧降下を利用して作製さ
れて昇圧トランス部で重畳され、所定の現像バイアス電
圧に増幅されて現像バイアス接点（現像スリーブ又は感
光ドラム）に出力される。
ＡＣ成分をＣＰＵから出力された所定の現像周波数に設
定された矩形波、若しくは、所望の上限電圧の印加時
間、下限電圧の印加時間が決められた方形波として、昇
圧トランス等の変圧器で昇圧し、且つ、ＤＣ成分はＤＣ
出力部からＤＣ作製抵抗部で電圧降下を利用して作製さ
れて昇圧トランス部で重畳され、所定の現像バイアス電
圧に増幅されて現像バイアス接点（現像スリーブ又は感
光ドラム）に出力される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した方法で現像バ
イアス電圧の波形を作成すると、昇圧トランスでの波形
増幅において、上限値から下限値、或いは、下限値から
上限値にシフトする際、急激な電圧変化を伴うので、ど
うしても図７（Ａ）に示されるようなオーバーシュー
ト、図７（Ｂ）に示されるようなアンドーシュートが発
生する。これらの量は、昇圧トランスの種類等によって
変わってくる。
イアス電圧の波形を作成すると、昇圧トランスでの波形
増幅において、上限値から下限値、或いは、下限値から
上限値にシフトする際、急激な電圧変化を伴うので、ど
うしても図７（Ａ）に示されるようなオーバーシュー
ト、図７（Ｂ）に示されるようなアンドーシュートが発
生する。これらの量は、昇圧トランスの種類等によって
変わってくる。
【００１０】本発明者等の検討によれば、上述のオーバ
ーシュート量が多すぎると１ｄｏｔ再現性や反転カブリ
が悪化し、少なすぎると地カブリが悪化すること、又、
上述のアンダーシュート量が多すぎると地カブリが悪化
し、少なすぎると１ｄｏｔ再現性や反転カブリが悪化す
ることが分っている。
ーシュート量が多すぎると１ｄｏｔ再現性や反転カブリ
が悪化し、少なすぎると地カブリが悪化すること、又、
上述のアンダーシュート量が多すぎると地カブリが悪化
し、少なすぎると１ｄｏｔ再現性や反転カブリが悪化す
ることが分っている。
【００１１】これらを回避するためには、オーバーシュ
ートやアンダーシュートの量が、決まった範囲内にある
電源のみを採用するように管理すれば良いが、検査工程
の簡略化、又、製品の歩留まり向上の観点から、このよ
うな管理はされないことが望ましい。
ートやアンダーシュートの量が、決まった範囲内にある
電源のみを採用するように管理すれば良いが、検査工程
の簡略化、又、製品の歩留まり向上の観点から、このよ
うな管理はされないことが望ましい。
【００１２】そこで、本発明は、製品の検査工程の簡略
化、歩留まりの向上を図りつつ、現像バイアス電圧のオ
ーバーシュートやアンダーシュートを防止して現像バイ
アス電圧の安定化を図り、カブリ画像等の画像弊害を防
止し、１ｄｏｔ再現性に優れた高精度画像を安定して供
給することができる現像装置及びこの現像装置を備える
画像形成装置の提供を目的とする。
化、歩留まりの向上を図りつつ、現像バイアス電圧のオ
ーバーシュートやアンダーシュートを防止して現像バイ
アス電圧の安定化を図り、カブリ画像等の画像弊害を防
止し、１ｄｏｔ再現性に優れた高精度画像を安定して供
給することができる現像装置及びこの現像装置を備える
画像形成装置の提供を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本出願によれば、上記目
的は、潜像を担持する潜像担持体に近接して配設され現
像剤を担持する現像剤担持体と、矩形波を発生させる矩
形波発生手段から受けた矩形波をバイアスして得られた
電圧を現像バイアス電圧として上記潜像担持体と上記現
像剤担持体との間に印加するバイアス印加手段とを備
え、上記現像剤担持体上の現像剤が上記潜像担持体に付
与されることにより上記潜像を現像剤像として可視化す
る現像装置であって、バイアス印加手段は、現像バイア
ス電圧を変圧する変圧器を有し、該変圧器の一次側に上
記矩形波発生手段が直列に接続され、該変圧器の二次側
の一方が上記潜像担持体に他方が上記現像剤担持体に接
続されている現像装置において、バイアス印加手段は、
現像バイアス電圧の交流成分の上限値を降伏電圧とする
ツェナーダイオードが現像バイアス電圧のもとで逆方向
となるように該ツェナーダイオードの一端が変圧器の二
次側の上記一方若しくは他方に接続され、他端が接地さ
れているという第一の発明によって達成される。
的は、潜像を担持する潜像担持体に近接して配設され現
像剤を担持する現像剤担持体と、矩形波を発生させる矩
形波発生手段から受けた矩形波をバイアスして得られた
電圧を現像バイアス電圧として上記潜像担持体と上記現
像剤担持体との間に印加するバイアス印加手段とを備
え、上記現像剤担持体上の現像剤が上記潜像担持体に付
与されることにより上記潜像を現像剤像として可視化す
る現像装置であって、バイアス印加手段は、現像バイア
ス電圧を変圧する変圧器を有し、該変圧器の一次側に上
記矩形波発生手段が直列に接続され、該変圧器の二次側
の一方が上記潜像担持体に他方が上記現像剤担持体に接
続されている現像装置において、バイアス印加手段は、
現像バイアス電圧の交流成分の上限値を降伏電圧とする
ツェナーダイオードが現像バイアス電圧のもとで逆方向
となるように該ツェナーダイオードの一端が変圧器の二
次側の上記一方若しくは他方に接続され、他端が接地さ
れているという第一の発明によって達成される。
【００１４】又、本出願によれば、上記目的は、潜像を
担持する潜像担持体に近接して配設され現像剤を担持す
る現像剤担持体と、矩形波を発生させる矩形波発生手段
から受けた矩形波をバイアスして得られた電圧を現像バ
イアス電圧として上記潜像担持体と上記現像剤担持体と
の間に印加するバイアス印加手段とを備え、上記現像剤
担持体上の現像剤が上記潜像担持体に付与されることに
より上記潜像を現像剤像として可視化する現像装置であ
って、バイアス印加手段は、現像バイアス電圧を変圧す
る変圧器を有し、該変圧器の一次側に上記矩形波発生手
段が直列に接続され、該変圧器の二次側の一方が上記潜
像担持体に他方が上記現像剤担持体に接続されている現
像装置において、バイアス印加手段は、現像バイアス電
圧の交流成分の下限値をバリスタ電圧とするバリスタの
一端が変圧器の二次側の上記一方若しくは他方に接続さ
れ、他端が接地されているという第二の発明によっても
達成される。
担持する潜像担持体に近接して配設され現像剤を担持す
る現像剤担持体と、矩形波を発生させる矩形波発生手段
から受けた矩形波をバイアスして得られた電圧を現像バ
イアス電圧として上記潜像担持体と上記現像剤担持体と
の間に印加するバイアス印加手段とを備え、上記現像剤
担持体上の現像剤が上記潜像担持体に付与されることに
より上記潜像を現像剤像として可視化する現像装置であ
って、バイアス印加手段は、現像バイアス電圧を変圧す
る変圧器を有し、該変圧器の一次側に上記矩形波発生手
段が直列に接続され、該変圧器の二次側の一方が上記潜
像担持体に他方が上記現像剤担持体に接続されている現
像装置において、バイアス印加手段は、現像バイアス電
圧の交流成分の下限値をバリスタ電圧とするバリスタの
一端が変圧器の二次側の上記一方若しくは他方に接続さ
れ、他端が接地されているという第二の発明によっても
達成される。
【００１５】更に、本出願によれば、上記目的は、潜像
を担持する潜像担持体に近接して配設され現像剤を担持
する現像剤担持体と、矩形波を発生させる矩形波発生手
段から受けた矩形波をバイアスして得られた電圧を現像
バイアス電圧として上記潜像担持体と上記現像剤担持体
との間に印加するバイアス印加手段とを備え、上記現像
剤担持体上の現像剤が上記潜像担持体に付与されること
により上記潜像を現像剤像として可視化する現像装置で
あって、バイアス印加手段は、現像バイアス電圧を変圧
する変圧器を有し、該変圧器の一次側に上記矩形波発生
手段が直列に接続され、該変圧器の二次側の一方が上記
潜像担持体に他方が上記現像剤担持体に接続されている
現像装置において、バイアス印加手段は、現像バイアス
電圧の交流成分の上限値を降伏電圧とするツェナーダイ
オードが現像バイアス電圧のもとで逆方向となるように
該ツェナーダイオードの一端が変圧器の二次側の上記一
方若しくは他方に接続され、他端が接地され、且つ、現
像バイアス電圧の交流成分の下限値をバリスタ電圧とす
るバリスタの一端が変圧器の二次側の上記一方若しくは
他方に接続され、他端が接地されているという第三の発
明によっても達成される。
を担持する潜像担持体に近接して配設され現像剤を担持
する現像剤担持体と、矩形波を発生させる矩形波発生手
段から受けた矩形波をバイアスして得られた電圧を現像
バイアス電圧として上記潜像担持体と上記現像剤担持体
との間に印加するバイアス印加手段とを備え、上記現像
剤担持体上の現像剤が上記潜像担持体に付与されること
により上記潜像を現像剤像として可視化する現像装置で
あって、バイアス印加手段は、現像バイアス電圧を変圧
する変圧器を有し、該変圧器の一次側に上記矩形波発生
手段が直列に接続され、該変圧器の二次側の一方が上記
潜像担持体に他方が上記現像剤担持体に接続されている
現像装置において、バイアス印加手段は、現像バイアス
電圧の交流成分の上限値を降伏電圧とするツェナーダイ
オードが現像バイアス電圧のもとで逆方向となるように
該ツェナーダイオードの一端が変圧器の二次側の上記一
方若しくは他方に接続され、他端が接地され、且つ、現
像バイアス電圧の交流成分の下限値をバリスタ電圧とす
るバリスタの一端が変圧器の二次側の上記一方若しくは
他方に接続され、他端が接地されているという第三の発
明によっても達成される。
【００１６】又、本出願によれば、上記目的は、第一の
発明乃至第三の発明のいずれかにおいて、現像バイアス
電圧は、交流成分の上限電圧値と下限電圧値が一定で、
且つ、上限電圧値の印加時間と下限電圧値の印加時間と
が変更可能な方形波であるという第四の発明によっても
達成される。
発明乃至第三の発明のいずれかにおいて、現像バイアス
電圧は、交流成分の上限電圧値と下限電圧値が一定で、
且つ、上限電圧値の印加時間と下限電圧値の印加時間と
が変更可能な方形波であるという第四の発明によっても
達成される。
【００１７】更に、本出願によれば、上記目的は、一連
の画像形成プロセスによって形成された画像を記録剤に
記録する画像形成装置であって、第一の発明乃至第四の
発明のいずれかの現像装置を備えるという第五の発明に
よっても達成される。
の画像形成プロセスによって形成された画像を記録剤に
記録する画像形成装置であって、第一の発明乃至第四の
発明のいずれかの現像装置を備えるという第五の発明に
よっても達成される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に関し
て、添付図面に基づき説明する。
て、添付図面に基づき説明する。
【００１９】（第一の実施形態）先ず、本発明の第一の
実施形態について説明する。
実施形態について説明する。
【００２０】本実施形態の画像形成装置の一例を図１に
基づき説明する。
基づき説明する。
【００２１】本実施形態の画像形成装置は、潜像担持体
たる電子写真感光体である感光ドラム１、帯電装置２、
露光装置３、現像装置４、転写装置５、定着装置６、ク
リーニング装置７等を備えて構成されている。
たる電子写真感光体である感光ドラム１、帯電装置２、
露光装置３、現像装置４、転写装置５、定着装置６、ク
リーニング装置７等を備えて構成されている。
【００２２】感光ドラム１は、その母線を中心に一方向
に回転するようになっている。該感光ドラム１は、帯電
装置２によってその表面を一様に帯電された後、露光装
置３により静電潜像を形成される。
に回転するようになっている。該感光ドラム１は、帯電
装置２によってその表面を一様に帯電された後、露光装
置３により静電潜像を形成される。
【００２３】感光ドラム１上に形成された静電潜像は、
現像装置４により現像剤４ａを供給して現像剤像として
可視化する。
現像装置４により現像剤４ａを供給して現像剤像として
可視化する。
【００２４】感光ドラム１上の現像剤像は、転写装置５
により記録材８に転写される。
により記録材８に転写される。
【００２５】記録材８に転写された現像像は、記録材８
とともに定着装置６に搬送され熱若しくは圧力により定
着され記録画像となる。
とともに定着装置６に搬送され熱若しくは圧力により定
着され記録画像となる。
【００２６】一方、転写後に転写されず感光ドラム１上
に残った現像剤は、クリーニングブレード等のクリーニ
ング装置７により感光ドラム１上から除かれる。
に残った現像剤は、クリーニングブレード等のクリーニ
ング装置７により感光ドラム１上から除かれる。
【００２７】その後、感光ドラム１は、再び帯電装置に
よって帯電され、上述の工程を繰り返す。
よって帯電され、上述の工程を繰り返す。
【００２８】次に、上述した現像装置４について説明す
る。
る。
【００２９】現像剤担持体たる現像スリーブ４ｂ上に担
持された薄層の現像剤４ａは、バイアス印加手段たる現
像バイアス電源９によって現像スリーブ４ｂに印加され
た電圧を主な駆動力にして現像スリーブ４ｂと感光ドラ
ム１との間に設けられた一定の空隙の間を移動し、感光
ドラム１上の静電潜像の現像に供される。
持された薄層の現像剤４ａは、バイアス印加手段たる現
像バイアス電源９によって現像スリーブ４ｂに印加され
た電圧を主な駆動力にして現像スリーブ４ｂと感光ドラ
ム１との間に設けられた一定の空隙の間を移動し、感光
ドラム１上の静電潜像の現像に供される。
【００３０】図２に本実施形態における現像バイアス電
源９の概略図を示して現像バイアス電圧の作成過程を説
明する。本実施形態では、現像バイアス電圧の波形に矩
形波を用いた。
源９の概略図を示して現像バイアス電圧の作成過程を説
明する。本実施形態では、現像バイアス電圧の波形に矩
形波を用いた。
【００３１】図２（ａ）において、先ず、ＡＣ成分は、
矩形波発生手段たるＣＰＵ９ａであらかじめ決定された
出力電圧、周波数をもつ矩形波が出力され、これが変圧
器たる昇圧トランスである現像トランス９ｄに入力さ
れ、所定の値に増幅されて作製される。ＤＣ成分は、直
流成分出力９ｂに接続された抵抗であるＤＣ作製抵抗９
ｃに流れる電流の電圧降下により、所定の値で得られ
る。
矩形波発生手段たるＣＰＵ９ａであらかじめ決定された
出力電圧、周波数をもつ矩形波が出力され、これが変圧
器たる昇圧トランスである現像トランス９ｄに入力さ
れ、所定の値に増幅されて作製される。ＤＣ成分は、直
流成分出力９ｂに接続された抵抗であるＤＣ作製抵抗９
ｃに流れる電流の電圧降下により、所定の値で得られ
る。
【００３２】上述のような方法で作製されたＡＣ成分、
ＤＣ成分が重畳され、現像バイアス接点（現像スリーブ
４ｂ）へ出力される。尚、現像バイアス電圧の値は、現
像方式や現像剤、感光体の種類等によってことなるが、
本実施形態のようなジャンピング現像方式を用いる場合
は、０.５〜２ｋＶpp、０.５〜５ｋＨｚ、−２００〜−
６００Ｖdc程度のバイアス電圧が用いられることが多
い。
ＤＣ成分が重畳され、現像バイアス接点（現像スリーブ
４ｂ）へ出力される。尚、現像バイアス電圧の値は、現
像方式や現像剤、感光体の種類等によってことなるが、
本実施形態のようなジャンピング現像方式を用いる場合
は、０.５〜２ｋＶpp、０.５〜５ｋＨｚ、−２００〜−
６００Ｖdc程度のバイアス電圧が用いられることが多
い。
【００３３】このように、本実施形態では、現像バイア
ス電源９は、現像バイアス電圧の交流成分の上限値を降
伏電圧とするツェナーダイオード９ｅが現像バイアス電
圧のもとで逆方向となるようにツェナーダイオード９ｅ
の一端が昇圧トランスである現像トランス９ｄの二次側
の一方に接続され、他端が接地され、且つ、現像バイア
ス電圧の交流成分の下限値をバリスタ電圧とするバリス
タ９ｆの一端が現像トランス９ｄの二次側の上記一方に
接続され、他端が接地されている。
ス電源９は、現像バイアス電圧の交流成分の上限値を降
伏電圧とするツェナーダイオード９ｅが現像バイアス電
圧のもとで逆方向となるようにツェナーダイオード９ｅ
の一端が昇圧トランスである現像トランス９ｄの二次側
の一方に接続され、他端が接地され、且つ、現像バイア
ス電圧の交流成分の下限値をバリスタ電圧とするバリス
タ９ｆの一端が現像トランス９ｄの二次側の上記一方に
接続され、他端が接地されている。
【００３４】よって、本実施形態においては、上記構成
をとることによって、図２（ｂ）に示されるように、現
像バイアス電圧の上限側のオーバーシュート部はツェナ
ーダイオード９ｅの特性によりカットされ、下限側のア
ンダーシュート部はバリスタ９ｆの特性によりカットで
き、現像バイアス電圧の波形は常に安定する。
をとることによって、図２（ｂ）に示されるように、現
像バイアス電圧の上限側のオーバーシュート部はツェナ
ーダイオード９ｅの特性によりカットされ、下限側のア
ンダーシュート部はバリスタ９ｆの特性によりカットで
き、現像バイアス電圧の波形は常に安定する。
【００３５】現像バイアス電圧は、現像剤の種類や感光
体の表面電位等によって適正な値に設定されるが、一般
的な現像バイアス電圧の上限値は０〜+３００Ｖ程度、
下限値は−６００〜−２０００Ｖ程度であるため、ツェ
ナーダイオードの降伏電圧は０〜+３００Ｖ程度、バリ
スタ電圧は−６００〜−２０００Ｖ程度のものを用いる
のが現実的である。
体の表面電位等によって適正な値に設定されるが、一般
的な現像バイアス電圧の上限値は０〜+３００Ｖ程度、
下限値は−６００〜−２０００Ｖ程度であるため、ツェ
ナーダイオードの降伏電圧は０〜+３００Ｖ程度、バリ
スタ電圧は−６００〜−２０００Ｖ程度のものを用いる
のが現実的である。
【００３６】これによって、昇圧トランスの個体差等に
よって発生していたオーバーシュート量、アンダーシュ
ート量を考慮することなく、製造されたすべての画像形
成装置が安定した現像バイアス電圧を出力することが可
能となるため、１ｄｏｔ再現性に優れ、且つ、カブリ等
の弊害のない高画質な画像を常にユーザに提供できる。
又、オーバーシュート量、アンダーシュート量の検査や
管理の必要がなくなり、検査工程簡略化、製品の歩留ま
り向上も大いに期待できる。
よって発生していたオーバーシュート量、アンダーシュ
ート量を考慮することなく、製造されたすべての画像形
成装置が安定した現像バイアス電圧を出力することが可
能となるため、１ｄｏｔ再現性に優れ、且つ、カブリ等
の弊害のない高画質な画像を常にユーザに提供できる。
又、オーバーシュート量、アンダーシュート量の検査や
管理の必要がなくなり、検査工程簡略化、製品の歩留ま
り向上も大いに期待できる。
【００３７】（第二の実施形態）次に、本発明の第二の
実施形態について説明する。尚、第一の実施形態と同様
の構成に関しては、同一符号を付し、その説明を省略す
る。
実施形態について説明する。尚、第一の実施形態と同様
の構成に関しては、同一符号を付し、その説明を省略す
る。
【００３８】本実施形態は、第一の実施形態の構成にお
いて、現像バイアス電圧の波形は、交流成分に直流成分
を重畳した方形波であり、その上限電圧値と下限電圧値
とが常時一定電圧値であり、且つ、上限電圧値の印加時
間と下限電圧値の印加時間とは自在に変化可能となって
いる。
いて、現像バイアス電圧の波形は、交流成分に直流成分
を重畳した方形波であり、その上限電圧値と下限電圧値
とが常時一定電圧値であり、且つ、上限電圧値の印加時
間と下限電圧値の印加時間とは自在に変化可能となって
いる。
【００３９】このような現像バイアス電圧の波形の作成
方法は、図２（ａ）のＣＰＵ９ａで、上限電圧と下限電
圧の印加時間の比率や、その周波数、出力電圧が決めら
れた波形を出力し、その後の工程は、第一の実施形態に
て説明した矩形波作成の工程と同じである。
方法は、図２（ａ）のＣＰＵ９ａで、上限電圧と下限電
圧の印加時間の比率や、その周波数、出力電圧が決めら
れた波形を出力し、その後の工程は、第一の実施形態に
て説明した矩形波作成の工程と同じである。
【００４０】本実施形態における現像バイアス電圧の波
形の大きな特徴は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、
上限電圧値の印加時間と下限電圧値の印加時間との比を
変えれば、現像バイアス電圧の上限値、下限値を変えな
くても現像バイアス電圧の直流成分が変更できる、即
ち、現像濃度の調整が可能となる点にある。
形の大きな特徴は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、
上限電圧値の印加時間と下限電圧値の印加時間との比を
変えれば、現像バイアス電圧の上限値、下限値を変えな
くても現像バイアス電圧の直流成分が変更できる、即
ち、現像濃度の調整が可能となる点にある。
【００４１】第一の実施形態で説明したように、ツェナ
ーダイオード９ｅとバリスタ９ｆの特性により、オーバ
ーシュート、アンダーシュートをカットすることができ
るので、第一の実施形態と同様に現像バイアス電圧の波
形は安定化する。又、本実施形態においても、現像バイ
アス電圧の上下限値を考慮して、ツェナーダイオードの
降伏電圧は０〜+３００Ｖ、バリスタ電圧は−６００〜
−２０００Ｖ程度のものを使用するのが一般的である。
ーダイオード９ｅとバリスタ９ｆの特性により、オーバ
ーシュート、アンダーシュートをカットすることができ
るので、第一の実施形態と同様に現像バイアス電圧の波
形は安定化する。又、本実施形態においても、現像バイ
アス電圧の上下限値を考慮して、ツェナーダイオードの
降伏電圧は０〜+３００Ｖ、バリスタ電圧は−６００〜
−２０００Ｖ程度のものを使用するのが一般的である。
【００４２】よって、上述したように、本実施形態によ
れば、安定した現像バイアス電圧の波形の作製、検査工
程簡略化、製品歩留まり向上の効果が期待できる上に、
ライン幅や中間調画像濃度等の濃度補正が可能となるの
で、ユーザ各人が望む高精細画像を提供することが可能
となる。
れば、安定した現像バイアス電圧の波形の作製、検査工
程簡略化、製品歩留まり向上の効果が期待できる上に、
ライン幅や中間調画像濃度等の濃度補正が可能となるの
で、ユーザ各人が望む高精細画像を提供することが可能
となる。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本出願にかかる第
一の発明によれば、バイアス印加手段は、現像バイアス
電圧の交流成分の上限値を降伏電圧とするツェナーダイ
オードが現像バイアス電圧のもとで逆方向となるように
該ツェナーダイオードの一端が変圧器の二次側の上記一
方若しくは他方に接続され、他端が接地されているの
で、製品の検査工程の簡略化、歩留まりの向上を図りつ
つ、現像バイアス電圧のオーバーシュートやアンダーシ
ュートを防止して現像バイアス電圧の安定化を図り、カ
ブリ画像等の画像弊害を防止し、１ｄｏｔ再現性に優れ
た高精度画像を安定して供給することができる。
一の発明によれば、バイアス印加手段は、現像バイアス
電圧の交流成分の上限値を降伏電圧とするツェナーダイ
オードが現像バイアス電圧のもとで逆方向となるように
該ツェナーダイオードの一端が変圧器の二次側の上記一
方若しくは他方に接続され、他端が接地されているの
で、製品の検査工程の簡略化、歩留まりの向上を図りつ
つ、現像バイアス電圧のオーバーシュートやアンダーシ
ュートを防止して現像バイアス電圧の安定化を図り、カ
ブリ画像等の画像弊害を防止し、１ｄｏｔ再現性に優れ
た高精度画像を安定して供給することができる。
【００４４】又、本出願にかかる第二の発明によれば、
バイアス印加手段は、現像バイアス電圧の交流成分の下
限値をバリスタ電圧とするの一端が変圧器の二次側の上
記一方若しくは他方に接続され、他端が接地されている
ので、製品の検査工程の簡略化、歩留まりの向上を図り
つつ、現像バイアス電圧のオーバーシュートやアンダー
シュートを防止して現像バイアス電圧の安定化を図り、
カブリ画像等の画像弊害を防止し、１ｄｏｔ再現性に優
れた高精度画像を安定して供給することができる。
バイアス印加手段は、現像バイアス電圧の交流成分の下
限値をバリスタ電圧とするの一端が変圧器の二次側の上
記一方若しくは他方に接続され、他端が接地されている
ので、製品の検査工程の簡略化、歩留まりの向上を図り
つつ、現像バイアス電圧のオーバーシュートやアンダー
シュートを防止して現像バイアス電圧の安定化を図り、
カブリ画像等の画像弊害を防止し、１ｄｏｔ再現性に優
れた高精度画像を安定して供給することができる。
【００４５】更に、本出願にかかる第三の発明によれ
ば、バイアス印加手段は、現像バイアス電圧の交流成分
の上限値を降伏電圧とするツェナーダイオードが現像バ
イアス電圧のもとで逆方向となるように該ツェナーダイ
オードの一端が変圧器の二次側の上記一方若しくは他方
に接続され、他端が接地され、且つ、現像バイアス電圧
の交流成分の下限値をバリスタ電圧とするの一端が変圧
器の二次側の上記一方若しくは他方に接続され、他端が
接地されているので、製品の検査工程の簡略化、歩留ま
りの向上を図りつつ、現像バイアス電圧のオーバーシュ
ートやアンダーシュートを防止して現像バイアス電圧の
安定化を図り、カブリ画像等の画像弊害を防止し、１ｄ
ｏｔ再現性に優れた高精度画像を安定して供給すること
ができる。
ば、バイアス印加手段は、現像バイアス電圧の交流成分
の上限値を降伏電圧とするツェナーダイオードが現像バ
イアス電圧のもとで逆方向となるように該ツェナーダイ
オードの一端が変圧器の二次側の上記一方若しくは他方
に接続され、他端が接地され、且つ、現像バイアス電圧
の交流成分の下限値をバリスタ電圧とするの一端が変圧
器の二次側の上記一方若しくは他方に接続され、他端が
接地されているので、製品の検査工程の簡略化、歩留ま
りの向上を図りつつ、現像バイアス電圧のオーバーシュ
ートやアンダーシュートを防止して現像バイアス電圧の
安定化を図り、カブリ画像等の画像弊害を防止し、１ｄ
ｏｔ再現性に優れた高精度画像を安定して供給すること
ができる。
【００４６】又、本出願にかかる第四の発明によれば、
第一の発明乃至第三の発明のいずれかにおいて、現像バ
イアス電圧は、交流成分の上限電圧値と下限電圧値が一
定で、且つ、上限電圧値の印加時間と下限電圧値の印加
時間とが変更可能な方形波であるので、第一の発明乃至
第三の発明の効果に加え、現像バイアス電圧の直流成分
の電圧を変更することにより画像濃度の調整が可能とな
り、ユーザーの好みに応じた画像を高品質な状態で提供
できる。
第一の発明乃至第三の発明のいずれかにおいて、現像バ
イアス電圧は、交流成分の上限電圧値と下限電圧値が一
定で、且つ、上限電圧値の印加時間と下限電圧値の印加
時間とが変更可能な方形波であるので、第一の発明乃至
第三の発明の効果に加え、現像バイアス電圧の直流成分
の電圧を変更することにより画像濃度の調整が可能とな
り、ユーザーの好みに応じた画像を高品質な状態で提供
できる。
【００４７】更に、本出願にかかる第五の発明によれ
ば、画像形成装置が第一の発明乃至第四の発明のいずれ
かの現像装置を備えているので、製品の検査工程の簡略
化、歩留まりの向上を図りつつ、現像バイアス電圧のオ
ーバーシュートやアンダーシュートを防止して現像バイ
アス電圧の安定化を図り、カブリ画像等の画像弊害を防
止し、１ｄｏｔ再現性に優れた高精度画像を安定して供
給することができる。
ば、画像形成装置が第一の発明乃至第四の発明のいずれ
かの現像装置を備えているので、製品の検査工程の簡略
化、歩留まりの向上を図りつつ、現像バイアス電圧のオ
ーバーシュートやアンダーシュートを防止して現像バイ
アス電圧の安定化を図り、カブリ画像等の画像弊害を防
止し、１ｄｏｔ再現性に優れた高精度画像を安定して供
給することができる。
【図１】本発明の第一実施形態にかかる画像形成装置の
構成の一例を示す概略構成図である。
構成の一例を示す概略構成図である。
【図２】本発明の第一の実施形態におけるバイアス印加
手段と現像バイアス電圧の波形とを説明するための図で
ある。
手段と現像バイアス電圧の波形とを説明するための図で
ある。
【図３】本発明の第二の実施形態における現像バイアス
電圧の波形の一例を示す図である。
電圧の波形の一例を示す図である。
【図４】従来の現像装置の構成の一例を示す概略構成図
である。
である。
【図５】従来における現像バイアス電圧の波形の一例を
示す図である。
示す図である。
【図６】従来における現像バイアス電圧の作成過程の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図７】従来における現像バイアス電圧でオーバーシュ
ート、アンダーシュートが発生している様子の一例を示
す図である。
ート、アンダーシュートが発生している様子の一例を示
す図である。
１ 感光ドラム（潜像担持体）
４ 現像装置
４ａ 現像剤
４ｂ 現像スリーブ（現像剤担持体）
８ 記録材
９ 現像バイアス電源（バイアス印加手段）
９ａ ＣＰＵ（矩形波発生手段）
９ｄ 現像トランス（変圧器）
９ｅ ツェナーダイオード
９ｆ バリスタ
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H027 DA04 DE05 DE07 EA05 EA16
EC06 EC12 ED09 EE02 EF09
ZA01
2H073 AA03 BA04 BA06 BA09 BA13
BA41 CA14
2H077 AD36 BA07 DA24 DA43 DA57
DB08 EA16 GA03
Claims (5)
- 【請求項１】 潜像を担持する潜像担持体に近接して配
設され現像剤を担持する現像剤担持体と、矩形波を発生
させる矩形波発生手段から受けた矩形波をバイアスして
得られた電圧を現像バイアス電圧として上記潜像担持体
と上記現像剤担持体との間に印加するバイアス印加手段
とを備え、上記現像剤担持体上の現像剤が上記潜像担持
体に付与されることにより上記潜像を現像剤像として可
視化する現像装置であって、バイアス印加手段は、現像
バイアス電圧を変圧する変圧器を有し、該変圧器の一次
側に上記矩形波発生手段が直列に接続され、該変圧器の
二次側の一方が上記潜像担持体に他方が上記現像剤担持
体に接続されている現像装置において、バイアス印加手
段は、現像バイアス電圧の交流成分の上限値を降伏電圧
とするツェナーダイオードが現像バイアス電圧のもとで
逆方向となるように該ツェナーダイオードの一端が変圧
器の二次側の上記一方若しくは他方に接続され、他端が
接地されていることを特徴とする現像装置。 - 【請求項２】 潜像を担持する潜像担持体に近接して配
設され現像剤を担持する現像剤担持体と、矩形波を発生
させる矩形波発生手段から受けた矩形波をバイアスして
得られた電圧を現像バイアス電圧として上記潜像担持体
と上記現像剤担持体との間に印加するバイアス印加手段
とを備え、上記現像剤担持体上の現像剤が上記潜像担持
体に付与されることにより上記潜像を現像剤像として可
視化する現像装置であって、バイアス印加手段は、現像
バイアス電圧を変圧する変圧器を有し、該変圧器の一次
側に上記矩形波発生手段が直列に接続され、該変圧器の
二次側の一方が上記潜像担持体に他方が上記現像剤担持
体に接続されている現像装置において、バイアス印加手
段は、現像バイアス電圧の交流成分の下限値をバリスタ
電圧とするバリスタの一端が変圧器の二次側の上記一方
若しくは他方に接続され、他端が接地されていることを
特徴とする現像装置。 - 【請求項３】 潜像を担持する潜像担持体に近接して配
設され現像剤を担持する現像剤担持体と、矩形波を発生
させる矩形波発生手段から受けた矩形波をバイアスして
得られた電圧を現像バイアス電圧として上記潜像担持体
と上記現像剤担持体との間に印加するバイアス印加手段
とを備え、上記現像剤担持体上の現像剤が上記潜像担持
体に付与されることにより上記潜像を現像剤像として可
視化する現像装置であって、バイアス印加手段は、現像
バイアス電圧を変圧する変圧器を有し、該変圧器の一次
側に上記矩形波発生手段が直列に接続され、該変圧器の
二次側の一方が上記潜像担持体に他方が上記現像剤担持
体に接続されている現像装置において、バイアス印加手
段は、現像バイアス電圧の交流成分の上限値を降伏電圧
とするツェナーダイオードが現像バイアス電圧のもとで
逆方向となるように該ツェナーダイオードの一端が変圧
器の二次側の上記一方若しくは他方に接続され、他端が
接地され、且つ、現像バイアス電圧の交流成分の下限値
をバリスタ電圧とするバリスタの一端が変圧器の二次側
の上記一方若しくは他方に接続され、他端が接地されて
いることを特徴とする現像装置。 - 【請求項４】 現像バイアス電圧は、交流成分の上限電
圧値と下限電圧値が一定で、且つ、上限電圧値の印加時
間と下限電圧値の印加時間とが変更可能な方形波である
こととする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載
の現像装置。 - 【請求項５】 一連の画像形成プロセスによって形成さ
れた画像を記録剤に記録する画像形成装置であって、請
求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の現像装置を
備えることを特徴とする画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001255171A JP2003066697A (ja) | 2001-08-24 | 2001-08-24 | 現像装置及びこの現像装置を備える画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001255171A JP2003066697A (ja) | 2001-08-24 | 2001-08-24 | 現像装置及びこの現像装置を備える画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003066697A true JP2003066697A (ja) | 2003-03-05 |
Family
ID=19083194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001255171A Withdrawn JP2003066697A (ja) | 2001-08-24 | 2001-08-24 | 現像装置及びこの現像装置を備える画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003066697A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009205111A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Kyocera Mita Corp | 現像バイアス制御装置、現像装置および画像形成装置 |
| US7863961B2 (en) | 2004-09-30 | 2011-01-04 | Yazaki Corporation | Vehicle communication system |
| JP2011232450A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| JP2016001296A (ja) * | 2014-05-22 | 2016-01-07 | 株式会社リコー | 現像装置、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 |
| US9342030B1 (en) | 2014-10-23 | 2016-05-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Power supply apparatus for superimposing direct current voltage on alternating current voltage and outputting resulting voltage |
| US11644766B2 (en) * | 2020-06-01 | 2023-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus that controls voltages to reduce image fogging |
-
2001
- 2001-08-24 JP JP2001255171A patent/JP2003066697A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7863961B2 (en) | 2004-09-30 | 2011-01-04 | Yazaki Corporation | Vehicle communication system |
| JP2009205111A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Kyocera Mita Corp | 現像バイアス制御装置、現像装置および画像形成装置 |
| CN101520630B (zh) * | 2008-02-29 | 2011-05-11 | 京瓷美达株式会社 | 显影偏置控制装置和方法、显影装置以及图像形成装置 |
| US8032042B2 (en) | 2008-02-29 | 2011-10-04 | Kyocera Mita Corporation | Developing bias control device capable of properly controlling developing bias voltage |
| JP2011232450A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| JP2016001296A (ja) * | 2014-05-22 | 2016-01-07 | 株式会社リコー | 現像装置、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 |
| US9342030B1 (en) | 2014-10-23 | 2016-05-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Power supply apparatus for superimposing direct current voltage on alternating current voltage and outputting resulting voltage |
| US11644766B2 (en) * | 2020-06-01 | 2023-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus that controls voltages to reduce image fogging |
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