JP2021185639A - パワーモジュール - Google Patents
パワーモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021185639A JP2021185639A JP2021150033A JP2021150033A JP2021185639A JP 2021185639 A JP2021185639 A JP 2021185639A JP 2021150033 A JP2021150033 A JP 2021150033A JP 2021150033 A JP2021150033 A JP 2021150033A JP 2021185639 A JP2021185639 A JP 2021185639A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base plate
- power module
- ceramic
- insulating substrate
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 95
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 81
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 36
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 11
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 5
- 238000010288 cold spraying Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
実施例及び比較例では、表1に示すベース板1〜11を用いた。各ベース板は、市販の材料を研削加工により所定形状に加工した後、無電解Niめっきを施したものを用いた。表中の各物性値を測定するために、研削加工により熱伝導率測定用試験体(直径11mm×厚さ3mm)、線熱膨張係数測定用試験体(直径3mm×長さ10mm)、弾性率測定用試験体(3mm×4mm×長さ40mm)を作製した。それぞれの試験片を用いて、25℃での熱伝導率をレーザーフラッシュ法(理学電機社製;LF/TCM−8510B)により、温度150℃から25℃における降温時の線熱膨張係数を熱膨張計(セイコー電子工業社製;TMA300)により、ヤング率を3点曲げ法(島津製作所社製;オートグラフAG−X)で測定した。また、放熱面の反り量については、3次元輪郭形状測定機(東京精密社製;コンターレコード1600D−22)を用いて測定した。さらに平面度については、透明な樹脂ブロックに締め付けトルク10Nでネジ止めした後、レーザー変位計(キーエンス社製;LT9010M)で放熱面の形状を測定して求めた。
実施例及び比較例では、図3(a)に示す3層構造のセラミックス絶縁基板4A、又は図3(b)に示す5層構造のセラミックス絶縁基板4Bである絶縁基板1〜12を用いた。各絶縁基板の詳細を下記及び表2に示す。
・絶縁基板1〜3(3層構造)では、Ag(90%)−Cu(10%)−TiH2(3.5%)ろう材を用いて、温度800℃で金属をセラミックス基材7に接合した後、エッチング法で金属回路を形成し、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板4(5層構造)は、絶縁基板1〜3と同様の手法で金属回路8a,9aを形成した後、溶射法(コールドスプレー法)で銅回路8b,9bを積層し、温度300℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板5(5層構造)では、絶縁基板1〜3と同様の手法で金属回路を形成した後、融点300℃の高温半田で回路金属を接合した後、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板6(3層構造)は、Al−Cuクラッド箔をろう材とし用い温度630℃で回路金属をセラミックス基材7に接合した後、エッチング法で金属回路を形成し、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板7(5層構造)は、絶縁基板6と同様の手法で金属回路を形成した後、溶射法(コールドスプレー法)で銅回路を積層し、温度300℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板8(3層構造)は、溶射法(コールドスプレー法)でアルミニウム回路を積層し、温度500℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板9〜11(5層構造)は、溶射法(コールドスプレー法)でアルミニウム回路を積層し、温度500℃でアニール処理を行った後、溶射法(コールドスプレー法)で銅回路を積層し、温度300℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板12(5層構造)は、絶縁基板9と同様の手法で金属回路を形成した後、アニール処理を実施せずに無電解Niめっきを施した。
・X線源:CuKα線(多層膜ミラーを使用した平行ビーム光学系)
・X線管の電圧および電流:40kVおよび40mA
・X線入射側スリット:発散スリットは1mm、縦制限スリットは10mm
・X線受光側スリット:散乱スリットおよび受光スリットは開放。平行スリットアナライザーは開口角度0.5°
・垂直発散制限ソーラースリット:X線入射側、受光側ともに開口角度5°
・検出器:シンチレーションカウンター
・測定範囲(2θ):134°〜139.5°
・測定ステップ幅:0.02°
・計数時間:測定ステップあたり5秒
・試料面法線と回折面法線のなす角ψ:sin2ψが0、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5となるように設定。なお、測定精度を上げる目的で±5°以内で搖動をかけることもある。
セラミックス絶縁基板として表2の絶縁基板9を用い、Si半導体素子及び電極を高温半田で絶縁基板11に接合した後、この絶縁基板4枚を表1のベース板3に共晶半田を用いて接合した。次に、Al線をSi半導体素子とセラミックス絶縁基板に超音波接合して配線した後、樹脂筐体をベース板に接着剤で接着した後、樹脂筐体内にシリコーンゲルを充填してパワーモジュールを作製した。得られたパワーモジュールの放熱面の形状を3次元輪郭測定装置で測定した結果、長さ10cmに対する反り量が24μmであった。
表3に示す絶縁基板とベース板を用いた以外は、実施例1と同様の手法でパワーモジュールを作製した。得られたパワーモジュールの評価結果を表3に示す。なお、反り量又は反り変化量の符号がマイナスである場合は、放熱面が凹状の反りを有していた又は凹状となる方向に反りの形状が変化したことを意味する。また、比較例8は、得られたパワーモジュールを樹脂ブロックに締め付けた際に、セラミックス基材の破損があり、電気特性に異常が発生した。
半導体素子としてSiC半導体素子を用いた以外は、実施例1と同様の手法でパワーモジュールを作製した。得られたパワーモジュールの放熱面の形状を3次元輪郭測定装置で測定した結果、長さ10cmに対する反り量が25μmであった。次に、このパワーモジュールを、6本のM6の取り付けボルトで130mm×140mm×50mmの透明樹脂ブロックに締め付け、トルク10Nで取り付けた。その後、レーザー変位計を用いて、樹脂ブロックの裏面よりパワーモジュールの放熱面のベース板の平面度を測定した結果、10μmであった。また、得られたパワーモジュールは、温度−40℃×30分と温度175℃×30分を1サイクルとする1000回のヒートサイクル試験を行った後、電気特性を評価した結果、初期特性を維持していることを確認した。
Claims (8)
- ベース板と、
前記ベース板上に接合され、セラミックス基材と前記セラミックス基材の両面のそれぞれに設けられた少なくとも一層の金属層とを有するセラミックス絶縁基板と、
前記セラミックス絶縁基板上に接合された半導体素子と、を備えるパワーモジュールであって、
前記ベース板の前記セラミックス絶縁基板と反対側の面が凸状の反りを有し、
前記金属層の最外層には、圧縮応力又は40MPa以下の引張応力が残留している、パワーモジュール。 - 前記セラミックス基材の両面のそれぞれに設けられた前記金属層の両方の最外層に前記圧縮応力が残留しているか、あるいは、前記セラミックス基材の両面のそれぞれに設けられた前記金属層の両方の最外層に前記引張応力が残留している、請求項1に記載のパワーモジュール。
- 前記セラミックス基材は、AlN、Si3N4又はAl2O3で形成された、厚み0.3〜1.5mmのセラミックス基材であり、
前記金属層は、Cu、Al、Mo、Cu及びMo含む合金、並びにCu及びWを含む合金からなる群より選ばれる少なくとも1種で形成された、厚み0.1〜2mmの金属層である、請求項1又は2に記載のパワーモジュール。 - 前記ベース板は、Al又はMgを含む金属と、SiC、Si3N4、Al2O3、SiO2及びAlNからなる群より選ばれる少なくとも1種とからなる金属基複合体、Cu及びMo若しくはCu及びWを含む合金、又は、Cu及びMo若しくはCu及びWで形成された多層金属板からなり、
前記ベース板の線熱膨張係数が5×10−6〜9×10−6/Kであり、熱伝導率が150W/mK以上である、請求項1〜3のいずれか一項に記載のパワーモジュール。 - 前記ベース板の前記セラミックス絶縁基板と反対側の面が、機械加工又は研削加工されている、請求項1〜4のいずれか一項に記載のパワーモジュール。
- 前記ベース板の前記セラミックス絶縁基板と反対側の面に放熱部品が取り付けられたときの当該面の平面度が30μm以下である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のパワーモジュール。
- 前記半導体素子が、Si、SiC及びGaNのいずれかで形成されている、請求項1〜6のいずれか一項に記載のパワーモジュール。
- 電車又は自動車の駆動インバータとして用いられる、請求項1〜7のいずれか一項に記載のパワーモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021150033A JP7405806B2 (ja) | 2017-08-04 | 2021-09-15 | パワーモジュール |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017151887A JP6946107B2 (ja) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | パワーモジュール |
JP2021150033A JP7405806B2 (ja) | 2017-08-04 | 2021-09-15 | パワーモジュール |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017151887A Division JP6946107B2 (ja) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | パワーモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021185639A true JP2021185639A (ja) | 2021-12-09 |
JP7405806B2 JP7405806B2 (ja) | 2023-12-26 |
Family
ID=65524420
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017151887A Active JP6946107B2 (ja) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | パワーモジュール |
JP2021150033A Active JP7405806B2 (ja) | 2017-08-04 | 2021-09-15 | パワーモジュール |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017151887A Active JP6946107B2 (ja) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | パワーモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6946107B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7257217B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-04-13 | デンカ株式会社 | ベース板 |
CN113767467A (zh) * | 2019-04-26 | 2021-12-07 | 电化株式会社 | 电子部件模块及氮化硅电路基板 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005145746A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックス回路基板一体型アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 |
JP2006145746A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン描画装置 |
WO2007080701A1 (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | アルミニウム-炭化珪素質複合体及びそれを用いた放熱部品 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06310822A (ja) * | 1993-04-20 | 1994-11-04 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックス基板及びその用途 |
JPH10247763A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-09-14 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板及びその製造方法 |
JP2005019875A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 放熱板、放熱モジュール、半導体実装モジュール、及び半導体装置 |
JP2005252159A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Ngk Insulators Ltd | 接合体の形状制御方法、接合体の製造方法、接合体、ヒートスプレッダモジュールの製造方法及びヒートスプレッダモジュール |
EP3057125B1 (en) * | 2013-10-10 | 2020-09-30 | Mitsubishi Materials Corporation | Substrate for heat sink-equipped power module, and production method for same |
JP6011552B2 (ja) * | 2014-01-08 | 2016-10-19 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法 |
-
2017
- 2017-08-04 JP JP2017151887A patent/JP6946107B2/ja active Active
-
2021
- 2021-09-15 JP JP2021150033A patent/JP7405806B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005145746A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックス回路基板一体型アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 |
JP2006145746A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン描画装置 |
WO2007080701A1 (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | アルミニウム-炭化珪素質複合体及びそれを用いた放熱部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019033129A (ja) | 2019-02-28 |
JP6946107B2 (ja) | 2021-10-06 |
JP7405806B2 (ja) | 2023-12-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4015023B2 (ja) | 電子回路用部材及びその製造方法並びに電子部品 | |
JP7144419B2 (ja) | パワーモジュール | |
EP3595001A1 (en) | Substrate for power module having heat sink | |
JP7027094B2 (ja) | 放熱部品付きパワーモジュール | |
JP4893095B2 (ja) | 回路基板およびこれを用いた半導体モジュール | |
JP4893096B2 (ja) | 回路基板およびこれを用いた半導体モジュール | |
JP2008041752A (ja) | 半導体モジュールおよび半導体モジュール用放熱板 | |
JP7405806B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP2019129208A (ja) | ヒートシンク付きパワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
JP7211949B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
JP5218621B2 (ja) | 回路基板およびこれを用いた半導体モジュール | |
JP5370460B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP7369508B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
JP7299672B2 (ja) | セラミックス回路基板及びその製造方法 | |
JP7027095B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
JP6565735B2 (ja) | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール並びにパワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP7063559B2 (ja) | ベース板及びパワーモジュール | |
JP7299671B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
JP7298988B2 (ja) | セラミックス回路基板及びその製造方法 | |
JP2004343035A (ja) | 放熱部品、回路基板および半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210915 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220714 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230808 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7405806 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |