JP2021160971A - 炭化珪素ウェハの製造方法、半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
第1実施形態にかかるSiCウェハの製造方法、半導体基板の製造方法およびSiC半導体装置の製造方法について説明する。
以上のようにして、図5に示すような所望の径を有するSiCウェハ83を取り出すことができる。その後、取り出したSiCウェハ83を対して、図6に示すようにSiCウェハ83の裏面にSiC支持基板90で貼り付けて半導体基板100を作成する裏面貼付工程を行う。ここではSiCウェハ83の裏面にSiC支持基板90を直接接合などによって裏面貼付工程を行っている。
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してSiCウェハ83の製造方法を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記第1、第2実施形態では、SiC単結晶インゴット80の上面側から円筒研削加工を行って、径の小さい円柱状部から形成し、徐々に、径の大きい円柱状部が形成されるようにしている。しかしながら、これは一例を挙げたものであり、SiC単結晶インゴット80の下面側から円筒研削加工を行って、径の大きい円柱状部から形成し、徐々に、径の小さい円柱状部が形成されるようにしても良い。
第3実施形態について説明する。本実施形態も、第1、第2実施形態に対してSiCウェハ83の製造方法を変更したものであり、その他については第1、第2実施形態と同様であるため、第1、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは第1実施形態のように研削工程とスライス工程を交互に行う際に本実施形態を適用する場合を例に挙げるが、第2実施形態のように研削工程で複数の異なる径の円柱状部を形成してからスライス工程を行う場合も同様に適用可能である。
上記第3実施形態では、レーザ照射後の剥離前にSiC単結晶インゴット80のうちSiCウェハ83を取り出す側の表面にSiC支持基板90を直接接合しているが、この順番を逆にしても良い。すなわち、剥離前にSiC単結晶インゴット80のうちSiCウェハ83を取り出す側の表面にSiC支持基板90を直接接合してから、レーザ照射を行ってレーザ痕を形成し、レーザ痕にて破断させることでSiCウェハ83を取り出すようにしても良い。
本開示は、上記した実施形態に準拠して記述されたが、当該実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
81 第1円柱状部
82 第2円筒状部
83 SiCウェハ
90 SiC支持基板
100 半導体基板
110 表面支持基板
Claims (9)
- 炭化珪素単結晶インゴット(80)をスライスして炭化珪素ウェハ(83)を製造する炭化珪素ウェハの製造方法であって、
上面および該上面よりも径が大きい下面を有する円錐台形状の前記炭化珪素単結晶インゴットを用意することと、
前記円錐台形状の前記炭化珪素単結晶インゴットに対して該炭化珪素単結晶インゴットの外縁部を研削加工にて除去し、前記上面から前記下面に向かうほど径が大きくなる複数段の径が異なる円柱状部(81、82)を形成することと、
前記円柱状部を前記炭化珪素ウェハにスライスすることと、を含む、炭化珪素ウェハの製造方法。 - 前記円柱状部を形成することと前記スライスすることとを交互に繰り返し行い、
前記複数段のうちの一部の前記円柱状部を形成することの後に、形成した前記円柱状部に対して前記スライスすることを行う、請求項1に記載の炭化珪素ウェハの製造方法。 - 前記円柱状部を形成することによって、前記炭化珪素単結晶インゴットの上面から下面に至るまで複数段の前記円柱状部を形成したのち、該複数段の前記円柱状部が一体のまま前記円柱状部に対して前記スライスすることを行う、請求項1に記載の炭化珪素ウェハの製造方法。
- 前記複数段の円柱状部を形成したのち、該複数段の前記円柱状部が一体のまま、該複数段の円柱状部の外周位置の同じ位置にノッチもしくはオリエンテーションフラットを形成することを含む、請求項3に記載の炭化珪素ウェハの製造方法。
- 前記円柱状部を形成することでは、複数段の前記円柱状部の段数を3段〜5段のいずれかにする、請求項1ないし4のいずれか1つに記載の炭化珪素ウェハの製造方法。
- 請求項1ないし5のいずれか1つに記載の炭化珪素ウェハの製造方法を用いる半導体基板(10)を製造する半導体基板の製造方法であって、
前記円柱状部を形成することの後に、前記スライスすることによって前記炭化珪素ウェハとして取り出す前記円柱状部の表面に炭化珪素支持基板(90)を貼り付けることと、
前記炭化珪素支持基板を貼り付けることの後に、前記炭化珪素支持基板にて支持した状態で前記スライスすることを行って前記炭化珪素ウェハを取り出すことと、を含む半導体基板の製造方法。 - 請求項1ないし5のいずれか1つに記載の炭化珪素ウェハの製造方法を用いる半導体基板(10)を製造する半導体基板の製造方法であって、
前記スライスすることは、前記円柱状部に対してレーザ照射を行ってレーザ痕を形成することと、前記レーザ痕において前記円柱状部を破断させることで前記炭化珪素ウェハを取り出すことと、を含み、
前記円柱状部を形成することの後、かつ、前記レーザ痕を形成することの前または後に、前記スライスすることによって前記炭化珪素ウェハとして取り出す前記円柱状部の表面に炭化珪素支持基板(90)を貼り付けることを行い、
前記炭化珪素支持基板を貼り付けることの後に、前記炭化珪素支持基板にて支持した状態で前記レーザ痕において前記円柱状部を破断させることで前記炭化珪素ウェハを取り出すことを行う、半導体基板の製造方法。 - 前記炭化珪素支持基板を貼り付けることは、前記複数段の円柱状部のうちのいずれの段の前記円柱状部を前記スライスすることによって前記炭化珪素ウェハを取り出す際にも、前記炭化珪素支持基板として同じ径のものを用いる、請求項6または7に記載の半導体基板の製造方法。
- 請求項8に記載の半導体基板の製造方法によって形成した前記半導体基板を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記炭化珪素支持基板に前記炭化珪素ウェハが支持された前記半導体基板を用意することと、
前記半導体基板に対して半導体プロセスを行って半導体素子を形成することと、を含み、
前記半導体素子を形成することでは、前記複数段の円柱状部のうちのいずれの段の前記円柱状部を前記スライスすることによって取り出された異径の前記炭化珪素ウェハに対しても、同一設備を用いた前記半導体プロセスを行う、半導体装置の製造方法。
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