JP2021141244A - 半導体装置の製造方法、及び、樹脂シート - Google Patents

Abstract

【課題】圧縮成型法により、樹脂組成物の硬化体で形成された硬化体層を備える半導体装置を製造する製造方法であって、硬化体層における凹凸の形成を抑制でき、且つ、樹脂組成物の流出による型の汚れを抑制できる製造方法を提供する。【解決手段】第一型と第二型とを備えた圧縮成型装置を用いて、半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法であって、この製造方法が、基板を用意する工程と、支持フィルムと樹脂組成物層とを備える樹脂シートを用意する工程と、第一型と第二型との間で基板及び樹脂シートを加圧する工程と、を含み、支持フィルムが、樹脂組成物層が形成された支持部分と、樹脂組成物層が形成されていない余白部分とを含み、厚さ方向から見て、余白部分が支持部分の全周にある、製造方法。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法、及び、その製造方法に用いうる樹脂シートに関する。

近年、スマートフォン、タブレットＰＣといった小型の高機能携帯端末の需要が増大している。こうした小型の高機能携帯端末に用いられる半導体装置のさらなる高機能化及び小型化が求められている。このような要求に応えるために、例えば、２個以上の半導体チップを内包するように封止したマルチチップパッケージ、並びに、複数個のマルチチップパッケージ同士を互いに接合することにより構成されるパッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）が注目されている。こうしたパッケージオンパッケージの構成としては、例えば、所定のパッケージ上に、さらに別のパッケージを搭載し、互いに電気的に接続する形態が挙げられる。

上述のようなパッケージを製造するにあたり、実装基板上に半導体チップを搭載する方法としては、いくつかの方法が提案されている。例えば、半導体チップの電極を実装基板側とは反対側に向けて、いわゆるフェイスアップ状態で実装基板に搭載し、半導体チップの電極と実装基板の電極とをボンディングワイヤで接続するワイヤボンディング実装が提案されている。また、例えば、半導体チップの電極を実装基板側に向けて、いわゆるフェイスダウン状態で搭載し、半導体チップの電極と実装基板の電極とを直接的に接続するフリップチップ実装が知られている。フリップチップ実装の場合には、通常、半導体チップ側の電極にバンプと称される突起電極を形成し、バンプと実装基板側の電極とを接合させる。

通常は、半導体チップが搭載された実装基板に、封止層を形成することによって、パッケージが得られる。封止層は、例えば、エポキシモールディングコンパウンド等の樹脂組成物を封止材として用いたトランスファーモールド法、封止材で形成された封止フィルムを圧着する真空熱プレス法、等の方法によって、前記樹脂組成物の硬化体を含む硬化体層として形成されうる。封止フィルムを用いる真空熱プレス法による封止工程は、特許文献１に開示されている。また、特許文献２記載のような技術も提案されている。

特開２０１４−２９９５８号公報 特開２０１９−２０７９５５号公報

硬化体層は、例えば、圧縮成型法（コンプレッションモールド法）によって形成されることがある。圧縮成型法では、一般に、成型用の型を用いて硬化体層を形成する。しかし、顆粒及びパウダー等の固形の樹脂組成物を使用する場合には、粉塵が生じ、装置及び製造環境に付着する可能性がある。また、特に大面積の実装基板を封止する場合には、型への樹脂組成物の供給に時間を要し、歩留まりが低下する傾向がある。さらに、固形の樹脂組成物を使用する場合には、硬化体層の膜厚の面内方向におけるバランスが劣る可能性がある。「面内方向」とは、別に断らない限り、厚さ方向に垂直な方向を表す。

また、圧縮成型法において液状の樹脂組成物を用いる場合には、形成される硬化体層にフローマークが生じ易い。さらに、液状の樹脂組成物は、通常、保存安定性が劣る。また、実装基板の形状によっては、樹脂組成物の充填性に劣ることがありうる。例えば、四角形の実装基板に液状の樹脂組成物を用いて圧縮成型法を行うと、充填性に劣ってしまうことがありうる。

これに対し、フィルム状の樹脂組成物を用いた圧縮成型法は、硬化体層の膜厚を面内方向において均一にすることができ、また、フローマークが生じ難い。そこで、本発明者は、フィルム状の樹脂組成物を用いた圧縮成型法について検討を行った。具体的には、支持フィルムと、この支持フィルムの片面全体に設けられた樹脂組成物層とを備える樹脂シートを用いて、圧縮成型法によって実装基板上に硬化体層を形成することを試みた。

しかしながら、前記の樹脂シートを用いた場合、下記のような課題が生じうることが判明した。
例えば、型のキャビティよりも小さい樹脂シートを用いた場合、圧縮成型後に得られる硬化体層に支持フィルムが食い込み、硬化体層の表面に凹凸が形成されうる。このような凹凸が形成された硬化体層を含む製品は出荷に適さないので、前記の凹凸は、歩留まりの低下の原因となりうる。また、硬化体層に支持フィルムが食い込むと、支持フィルムの剥離が難しくなる。

例えば、型のキャビティよりも大きい樹脂シートを用いた場合、硬化体層への支持フィルムの食い込みは抑制できる。しかし、樹脂組成物層の一部が型の外部に流出したり型に付着したりして、装置を汚すことがありうる。

例えば、型のキャビティと同じ大きさの樹脂シートを用いた場合でも、樹脂組成物の流出による装置の汚れが生じることがある。また、型の汚れが生じない場合であっても、通常は硬化体層への支持フィルムの食い込みが生じるので、硬化体層の表面に凹凸が形成されうる。

前記の課題は、実装基板以外の基板を用いた製造方法においても、同様に生じることがあった。

本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたものであって、支持フィルム及び樹脂組成物層を備える樹脂シートを用いた圧縮成型法により、樹脂組成物の硬化体で形成された硬化体層を備える半導体装置を製造する製造方法であって、硬化体層における凹凸の形成を抑制でき、且つ、樹脂組成物の流出による型の汚れを抑制できる製造方法；並びに、当該製造方法に用いうる樹脂シート；を提供することを目的とする。

本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した。その結果、本発明者は、支持フィルムに、樹脂組成物層が形成されず且つ型閉じがなされた場合にキャビティからはみ出ることができる余白部分を設けることにより、前記の課題を解決できることを見い出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記のものを含む。

〔１〕 基板を支持できる第一型と、前記第一型に対向して設けられた第二型とを備え、前記第一型及び前記第二型の少なくとも一方にキャビティが形成された圧縮成型装置を用いて、半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法であって、
前記製造方法が、
前記基板を用意する工程と、
支持フィルムと、前記支持フィルム上に熱硬化性の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層と、を備える樹脂シートを用意する工程と、
前記樹脂組成物層を前記キャビティ内に収めて、前記第一型と前記第二型との間で、前記基板及び前記樹脂シートを加圧する工程と、を含み、
前記支持フィルムが、前記樹脂組成物層が形成された支持部分と、前記樹脂組成物層が形成されていない余白部分とを含み、
厚さ方向から見て、前記余白部分が、前記支持部分の全周にある、半導体装置の製造方法。
〔２〕 前記基板及び前記樹脂シートを加圧する工程において、前記キャビティの全周で、前記支持フィルムの前記余白部分が前記キャビティからはみ出る、〔１〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔３〕 １２０℃における前記支持フィルムの弾性率Ｅ_０が、６．０ＧＰａ以下である、〔１〕又は〔２〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔４〕 前記樹脂組成物層が、前記基板及び前記樹脂シートを加圧する工程において前記樹脂組成物層が加圧されたときに、前記キャビティ内を満たせる容量を有する、〔１〕〜〔３〕のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
〔５〕 １２０℃における前記樹脂組成物の溶融粘度η_０が、３００ポイズ以上、２００００ポイズ以下である、〔１〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
〔６〕 前記樹脂組成物層の厚さが、１０μｍ以上、５００μｍ以下である、〔１〕〜〔５〕のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
〔７〕 支持フィルムと、前記支持フィルム上に熱硬化性の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層と、を備え、
前記支持フィルムが、前記樹脂組成物層が形成された支持部分と、前記樹脂組成物層が形成されていない余白部分とを含み、
厚さ方向から見て、前記余白部分が、前記支持部分の全周にあり、
１２０℃における前記支持フィルムの弾性率Ｅ_０が、６．０ＧＰａ以下である、樹脂シート。
〔８〕 １２０℃における前記樹脂組成物の溶融粘度η_０が、３００ポイズ以上、２００００ポイズ以下である、〔７〕に記載の樹脂シート。
〔９〕 前記樹脂組成物の１２０℃における溶融粘度η_０と、前記支持フィルムの前記弾性率Ｅ_０との積（η_０×Ｅ_０）が、２０．０×１０^３［ポイズ・ＧＰａ］以下である、〔７〕又は〔８〕に記載の樹脂シート。
〔１０〕 前記支持フィルムの厚さｔと、前記支持フィルムの前記弾性率Ｅ_０との積（ｔ×Ｅ_０）が、３００［μｍ・ＧＰａ］以下である、〔７〕〜〔９〕のいずれか一項に記載の樹脂シート。
〔１１〕 前記樹脂組成物の１２０℃における溶融粘度η_０と、前記支持フィルムの厚さｔと、前記支持フィルムの前記弾性率Ｅ_０との積（η_０×ｔ×Ｅ_０）が、１０．０×１０^５［μｍ・ポイズ・ＧＰａ］以下である、〔７〕〜〔１０〕のいずれか一項に記載の樹脂シート。

本発明によれば、硬化体層における凹凸の形成を抑制でき、且つ、樹脂組成物の流出による型の汚れを抑制できる、圧縮成型法を用いた半導体装置の製造方法；並びに、当該製造方法に用いうる樹脂シート；を提供できる。

図１は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置を模式的に示す断面図である。 図２は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置に、基板を設置した様子を模式的に示す断面図である。 図３は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用意される樹脂シートを厚さ方向から見た様子を模式的に示す平面図である。 図４は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用意される樹脂シートを、厚さ方向に平行な平面で切った断面を模式的に示す断面図である。 図５は、一例に係る長尺の樹脂シートの製造装置を模式的に示す斜視図である。 図６は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置に、樹脂シートを設置した様子を模式的に示す断面図である。 図７は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置を用いて、圧縮成型を行っている様子を模式的に示す断面図である。 図８は、本発明の第一実施形態に係る製造方法で製造できる複層体を模式的に示す断面図である。 図９は、余白部分が無く且つキャビティより小さい支持フィルムを備えた樹脂シートを用いて圧縮成型を行うときの圧縮成型装置を模式的に示す断面図である。 図１０は、本発明の第二実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置に、基板及び樹脂シートを設置した様子を模式的に示す断面図である。 図１１は、本発明の第二実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置を用いて、圧縮成型を行っている様子を模式的に示す断面図である。 図１２は、本発明の第三実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置に、基板及び樹脂シートを設置した様子を模式的に示す断面図である。 図１３は、本発明の第三実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置を用いて、圧縮成型を行っている様子を模式的に示す断面図である。

以下、実施形態及び例示物を示して、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に挙げる実施形態及び例示物に限定されるものでは無く、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

［１．第一実施形態］
図１は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置１００を模式的に示す断面図である。
図１に示すように、本発明の第一実施形態に係る製造方法で用いる圧縮成型装置１００は、第一型１１０と第二型１２０とを備える。これらの第一型１１０及び第二型１２０は、互いに接近することで型閉じがなされ、また、互いに離れることによって型開きがなされるように設けられている。本実施形態では、第一型１１０及び第二型の厚さ方向が鉛直方向と平行になるように、第一型１１０を上方、第二型１２０を下方に設けた例を示して説明する。

第一型１１０は、基板２００を支持できるように設けられている。第一型１１０は、基板２００を固定できる固定機構（図示せず。）を備えていてもよい。固定機構としては、例えば、基板２００を吸着して固定できる吸着部、基板２００を係止して固定できる係止部、などが挙げられる。ただし、粘着テープ等の固定部材（図示せず。）を用いて第一型１１０に基板２００を固定してもよいので、第一型１１０は、固定機構を有していなくてもよい。

第二型１２０は、第一型１１０に対向して設けられている。そして、第一型１１０及び第二型１２０の少なくとも一方には、成型用の凹みとしてのキャビティ１３０が形成されている。通常は、図１に示すように、第二型１２０の第一型１１０に対向する側に、キャビティ１３０が形成される。このキャビティ１３０は、型閉じがなされた場合に、圧縮成型用の空間を形成できるように形成されている。本実施形態で示す例においては、キャビティ１３０は、第一型１１０に支持された基板２００の表面２００Ｄと第二型１２０との間に、キャビティ１３０に対応する空間が形成され、この空間内で樹脂シート（図１では図示せず。）の樹脂組成物層を圧縮成型できるように形成されている。

前記の第一型１１０及び第二型１２０は、キャビティ１３０内を加圧できるように設けられている。本実施形態では、前記の加圧を実現するため、第二型１２０が、底部ブロック１２１と、この底部ブロック１２１の周囲を囲うように環状に設けられた側部ブロック１２２とを備える例を示して説明する。底部ブロック１２１は、キャビティ１３０の底部を形成する。また、側部ブロック１２２は、キャビティ１３０の側壁部を形成する。そして、底部ブロック１２１は、側部ブロック１２２に対して相対的に、移動可能に設けられている。よって、この例において、第二型１２０は、底部ブロック１２１が図中上方に押圧されることで、キャビティ１３０内を加圧できるように設けられている。ただし、キャビティ１３０内を加圧する方法は、ここに示す例に限定されない。

さらに、第一型１１０及び第二型１２０は、基板２００及び樹脂シートの貼り付きを抑制するために、図示しないリリースフィルムを備えていてもよい。また、第一型１１０及び第二型１２０は、キャビティ１３０内を加熱するため、図示しないヒーター等の温度調整装置を備えていてもよい。さらに、第一型１１０及び第二型１２０には、気体が流通しうる図示しないエアベント路がキャビティ１３０に連通するように形成されていてもよく、このエアベント路には減圧装置（図示せず。）が接続されていてもよい。

本発明の第一実施形態に係る製造方法では、前記の圧縮成型装置１００を用いて、半導体装置を製造する。この製造方法は、
基板２００を用意する工程（Ｉ）と、
支持フィルムと、この支持フィルム上に熱硬化性の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層と、を備える樹脂シート（図１では図示せず。）を用意する工程（ＩＩ）と、
樹脂組成物層をキャビティ１３０内に収めて、第一型１１０と第二型１２０との間で、基板２００及び樹脂シートを加圧する工程（ＩＩＩ）と、を含む。

［１．１．基板を用意する工程（Ｉ）］
本発明の第一実施形態に係る製造方法は、基板を用意する工程（Ｉ）を含む。基板としては、例えば、シリコンウェハー；ガラスウェハー；ガラス基板；銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）等の金属基板；ＦＲ−４基板等のガラスエポキシ基板；ポリエステル基板；ポリイミド基板；ＢＴレジン基板；熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板；等が挙げられる。また、基板は、半導体チップを剥離可能に仮固定することができる仮固定フィルムを備えていてもよい。さらに、仮固定フィルム自体を基板として用いてもよい。仮固定フィルムの市販品としては、例えば、日東電工社製「リヴァアルファ」が挙げられる。また、基板は、当該基板の一部として表面に銅箔等の金属層を有していてもよい。例えば、両方の表面に剥離可能な第一金属層及び第二金属層を有する基板を用いてもよい。このような基板を用いる場合、通常、回路配線として機能できる配線層としての導体層が、第二金属層の第一金属層とは反対側の面に形成される。このような金属層を有する基板としては、例えば、三井金属鉱業社製のキャリア銅箔付極薄銅箔「Ｍｉｃｒｏ Ｔｈｉｎ」が挙げられる。

また、基板は、その一方又は両方の表面に形成された導体層を備えていてもよい。導体層に含まれる導体材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む材料が挙げられる。導体材料としては、単金属を用いてもよく、合金を用いてもよい。合金としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性の観点から、単金属としてのクロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅；及び、合金としてのニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金；が好ましい。その中でも、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属；及び、ニッケル・クロム合金；がより好ましく、銅の単金属が特に好ましい。また、導体層は、例えば配線層として機能させるために、パターン加工されていてもよい。

さらに、基板は、一側又は両側に実装された電子部品を備えていてもよい。電子部品としては、例えば、コンデンサ、インダクタ、抵抗等の受動部品；半導体チップ等の能動部品；が挙げられる。

基板の面内方向の寸法は、キャビティの面内方向の寸法より小さくてもよく、大きくてもよく、同じでもよい。よって、基板の幅は、通常、キャビティの幅より小さくてもよく、大きくてもよく、同じでもよい。また、基板の面積は、キャビティの開口面積よりも小さくてもよく、大きくてもよく、同じでもよい。基板の面積とは、別に断らない限り、基板を厚さ方向から見た場合の面積を表す。また、キャビティの開口面積とは、別に断らない限り、キャビティを厚さ方向から見た場合の開口部（図１の符号１３０Ｕで示す部分）の面積を表す。例えば、キャビティより小さい基板は、キャビティ内に収まることができるので、当該基板自体を硬化体層に埋め込むことができる。また、例えば、キャビティより大きい基板は、当該基板がキャビティに蓋をできるので、当該基板上に硬化体層を形成できる。

図２は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置１００に、基板２００を設置した様子を模式的に示す断面図である。図２に示すように、用意された基板２００は、第一型１１０に設置される。本実施形態では、図２に示したように、キャビティ１３０に蓋をできる程度に大きな基板２００を用いた例を示して説明する。

［１．２．樹脂シートを用意する工程（ＩＩ）］
図３は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用意される樹脂シート３００を厚さ方向から見た様子を模式的に示す平面図である。また、図４は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用意される樹脂シート３００を、厚さ方向に平行な平面で切った断面を模式的に示す断面図である。

本発明の第一実施形態に係る製造方法は、図３及び図４に示す樹脂シート３００を用意する工程（ＩＩ）を含む。樹脂シート３００は、支持フィルム３１０と、この支持フィルム３１０上に熱硬化性の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層３２０と、を備える。

樹脂組成物層３２０は、支持フィルム３１０の片面３１０Ｕ上に、部分的に形成されている。樹脂組成物層３２０が形成された支持フィルム３１０の部分を、「支持部分」３１１と呼ぶことがある。また、樹脂組成物層３２０が形成されていない支持フィルム３１０の部分を、「余白部分」３１２と呼ぶことがある。よって、支持フィルム３１０は、支持部分３１１と余白部分３１２とを含む。そして、支持フィルム３１０は、厚さ方向から見て、余白部分３１２を、支持部分３１１の全周に有する。よって、支持部分３１１の全周は、余白部分３１２によって囲まれている。

樹脂組成物層３２０は、当該樹脂組成物層３２０の全体をキャビティ１３０内に収めることができるように、小さく形成されている。よって、当該樹脂組成物層３２０が形成された支持フィルム３１０の支持部分３１１も、当該支持部分３１１の全体をキャビティ１３０内に収めることができるように、小さく形成されている。キャビティ１３０内に樹脂組成物層３２０を収めることができることにより、型閉じがなされた場合に、樹脂組成物のキャビティ１３０の外部への流出を抑制できる。よって、樹脂組成物による第一型１１０及び第二型１２０の汚れを抑制できる。

他方、支持フィルム３１０の余白部分３１２は、当該余白部分３１２の少なくとも一部がキャビティ１３０からはみ出ることができるように、大きく形成されている。好ましくは、余白部分３１２は、型閉じがなされた場合にキャビティ１３０の全周で余白部分３１２がはみ出ることができるように形成される。前記のキャビティ１３０の全周とは、厚さ方向から見た全周を表す。支持フィルム３１０の余白部分３１２がキャビティ１３０からはみ出ることにより、支持フィルム３１０の端部３１０Ｅが樹脂組成物層３２０に食い込むことを抑制できる。したがって、硬化体層（図３及び図４では図示せず。）における凹凸の形成を抑制できる。

以下、樹脂組成物層３２０の寸法について説明する。別に断らない限り、以下に説明する樹脂組成物層３２０の寸法は、工程（ＩＩＩ）での加圧より前の樹脂組成物層３２０の寸法を表す。樹脂組成物層３２０の面内方向の寸法は、当該樹脂組成物層３２０の全体をキャビティ１３０内に収めることができるようにする観点から、キャビティ１３０の面内方向の寸法よりも小さくなるように形成されている。よって、樹脂組成物層３２０の幅Ｗ_３２０は、通常、キャビティ１３０の幅Ｗ_１３０（図１参照）よりも小さい。

キャビティ１３０の幅Ｗ_１３０に対する樹脂組成物層３２０の幅Ｗ_３２０の比（Ｗ_３２０／Ｗ_１３０）は、好ましくは０．９９以下、より好ましくは０．９８以下、特に好ましくは０．９７以下である。比（Ｗ_３２０／Ｗ_１３０）が前記範囲にある場合、樹脂組成物のキャビティ１３０の外部への流出を効果的に抑制できる。比（Ｗ_３２０／Ｗ_１３０）の下限は特段の制限は無いが、キャビティ１３０の隅々にまで樹脂組成物を効果的に充填する観点では、好ましくは０．８０以上、より好ましくは０．８５以上、特に好ましくは０．９０以上である。

また、樹脂組成物層３２０の幅Ｗ_３２０とキャビティ１３０の幅Ｗ_１３０との差（Ｗ_１３０−Ｗ_３２０）は、好ましくは１ｍｍ以上、より好ましくは２ｍｍ以上、特に好ましくは５ｍｍ以上である。差（Ｗ_１３０−Ｗ_３２０）が前記範囲にある場合、樹脂組成物のキャビティ１３０の外部への流出を効果的に抑制できる。差（Ｗ_１３０−Ｗ_３２０）の上限は特段の制限は無いが、キャビティ１３０の隅々にまで樹脂組成物を効果的に充填する観点では、好ましくは５０ｍｍ以下、より好ましくは３０ｍｍ以下、更に好ましくは２０ｍｍ以下である。

さらに、樹脂組成物層３２０の面積は、当該樹脂組成物層３２０の全体をキャビティ１３０内に収めることができるようにする観点から、キャビティ１３０の開口面積よりも小さくなるように形成されている。樹脂組成物層３２０の面積とは、別に断らない限り、樹脂組成物層３２０を厚さ方向から見た場合の面積を表す。キャビティ１３０の開口面積１００％に対する樹脂組成物層３２０の面積は、好ましくは９９％以下、より好ましくは９８％以下、特に好ましくは９６％以下である。樹脂組成物層３２０の面積が前記範囲にある場合、樹脂組成物のキャビティ１３０の外部への流出を効果的に抑制できる。樹脂組成物層３２０の面積の下限は、特段の制限は無いが、キャビティ１３０の隅々にまで樹脂組成物を効果的に充填する観点では、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上、特に好ましは８０％以上である。

前記のように、樹脂組成物層３２０は、全周を余白部分３１２に囲まれた支持フィルム３１０の支持部分３１１上に形成されているから、樹脂組成物層３２０の面内方向の寸法は、支持フィルム３１０の面内方向の寸法より小さい。よって、樹脂組成物層３２０の幅Ｗ_３２０は、通常、支持フィルム３１０の幅Ｗ_３１０よりも小さい。

支持フィルム３１０の幅Ｗ_３１０に対する樹脂組成物層３２０の幅Ｗ_３２０の比（Ｗ_３２０／Ｗ_３１０）は、好ましくは０．９９以下、より好ましくは０．９５以下、特に好ましくは０．９０以下である。比（Ｗ_３２０／Ｗ_３１０）が前記範囲にある場合、通常は、支持フィルム３１０が十分に大きい余白部分３１２を有することができるので、硬化体層における凹凸の形成を効果的に抑制できる。比（Ｗ_３２０／Ｗ_３１０）の下限は特段の制限は無いが、支持フィルム３１０の余白部分３１２が過剰に広くなることを抑制してコストを抑制する観点では、好ましくは０．３０以上、より好ましくは０．４０以上、特に好ましくは０．５０以上である。

また、支持フィルム３１０の幅Ｗ_３１０と樹脂組成物層３２０の幅Ｗ_３２０との差（Ｗ_３１０−Ｗ_３２０）は、好ましくは１０ｍｍ以上、より好ましくは２０ｍｍ以上、特に好ましくは３０ｍｍ以上である。差（Ｗ_３１０−Ｗ_３２０）が前記範囲にある場合、通常は、支持フィルム３１０が十分に大きい余白部分３１２を有することができるので、硬化体層における凹凸の形成を効果的に抑制できる。差（Ｗ_３１０−Ｗ_３２０）の上限は特段の制限は無いが、支持フィルム３１０の余白部分３１２が過剰に広くなることを抑制してコストを抑制する観点では、好ましくは５００ｍｍ以下、より好ましくは３００ｍｍ以下、特に好ましくは２００ｍｍ以下である。

さらに、樹脂組成物層３２０は、支持フィルム３１０上に部分的に形成されているから、樹脂組成物層３２０の面積は、支持フィルム３１０の面積より小さい。支持フィルム３１０の面積とは、別に断らない限り、支持フィルム３１０を厚さ方向から見た場合の面積を表す。支持フィルム３１０の面積１００％に対する樹脂組成物層３２０の面積は、好ましくは９５％以下、より好ましくは９０％以下、特に好ましくは８０％以下である。樹脂組成物層３２０の面積が前記範囲にある場合、通常は、支持フィルム３１０が十分に大きい余白部分３１２を有することができるので、硬化体層における凹凸の形成を効果的に抑制できる。樹脂組成物層３２０の面積の下限は特段の制限は無いが、支持フィルム３１０の余白部分３１２が過剰に広くなることを抑制してコストを抑制する観点では、好ましくは２０％以上、より好ましくは３０％以上、特に好ましくは４０％以上である。

樹脂組成物層３２０の面内方向の寸法は、基板２００の面内方向の寸法より小さくてもよく、大きくてもよく、同じでもよい。よって、樹脂組成物層３２０の幅Ｗ_３２０は、通常、基板２００の幅Ｗ_２００（図２参照）より小さくてもよく、大きくてもよく、同じでもよい。圧縮成型法においては、加圧によって樹脂組成物層３２０が広げられて、基板２００の表面２００Ｄに硬化体層が形成されることが多いので、加圧される前の樹脂組成物層３２０の幅Ｗ_３２０は、通常、基板２００の幅Ｗ_２００よりも小さい。この場合、大面積の硬化体層を形成して歩留まりを向上させる観点では、基板２００の幅Ｗ_２００に対する樹脂組成物層３２０の幅Ｗ_３２０の比（Ｗ_３２０／Ｗ_２００）は、好ましくは０．５０以上、より好ましくは０．７０以上、特に好ましくは０．８０以上である。また、同様の観点から、基板２００の幅Ｗ_２００と樹脂組成物層３２０の幅Ｗ_３２０との差（Ｗ_２００−Ｗ_３２０）は、好ましくは１００ｍｍ以下、より好ましくは８０ｍｍ以下、特に好ましくは５０ｍｍ以下である。

さらに、樹脂組成物層３２０の面積は、基板２００の面積より小さくてもよく、大きくてもよく、同じでもよい。圧縮成型法においては、加圧によって樹脂組成物層３２０が広げられて、基板２００の表面２００Ｄに硬化体層が形成されることが多いので、加圧される前の樹脂組成物層３２０の面積は、通常、基板２００の面積よりも小さい。この場合、大面積の硬化体層を形成して歩留まりを向上させる観点では、基板２００の面積１００％に対する樹脂組成物層３２０の面積は、好ましくは５０％以上、より好ましくは６０％以上、特に好ましくは７０％以上である。

樹脂組成物層３２０は、工程（ＩＩＩ）において樹脂組成物層３２０が加圧されたときに、キャビティ１３０内を満たせる容量を有することが好ましい。よって、工程（ＩＩＩ）において加圧された場合に、キャビティ１３０内に収められた支持フィルム３１０の一部と樹脂組成物層３２０の全体とによって、当該キャビティ１３０内を隙間なく満たすことができるように、樹脂組成物層３２０の容量が設定されることが好ましい。このような容量を有する樹脂組成物層３２０は、キャビティ１３０内を隙間なく満たすことができる。例えば、本実施形態のように第一型１１０に支持された基板２００と第二型１２０との間にキャビティ１３０が圧縮成型用の空間を形成する場合には、工程（ＩＩＩ）において加圧された支持フィルム３１０の一部と樹脂組成物層３２０の全体とが、前記のキャビティ１３０が形成する空間を隙間なく満たすことができる。よって、樹脂組成物層３２０が硬化して形成される硬化体層において、未充填部及びボイドの発生を抑制できる。

樹脂組成物層３２０の厚さは、製造される半導体装置に応じて適切に設定しうる。例えば、樹脂組成物層３２０が薄い場合、薄い硬化体層を容易に形成できるので、半導体装置の薄型化を容易に実現できる。また、例えば、樹脂組成物層３２０が厚い場合、厚い硬化体層を容易に形成できるので、基板２００が備えうる厚い部品を硬化体層が容易に封止できる。ただし、硬化体層における凹凸の形成の抑制、及び、樹脂組成物の流出による第一型１１０及び第二型１２０の汚れの抑制といった利点を効果的に得る観点では、樹脂組成物層３２０の厚さは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上、特に好ましくは３０μｍ以上であり、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは４５０μｍ以下、特に好ましくは４００μｍ以下である。

また、樹脂組成物層３２０の厚さは、均一であることが好ましい。樹脂組成物層３２０が均一な厚さを有する場合、キャビティ１３０内の全体にバランス良く圧力を加えることができるので、キャビティ１３０の端部において支持フィルム３１０に充分な圧力が加えることができる。よって、支持フィルム３１０がキャビティ１３０の内面に滑らかに追従できるので、加圧後の支持フィルム３１０におけるシワの発生を抑制できる。厚さの均一さは、厚さの最大値と最小値との差で表すことができる。具体的な範囲を示すと、樹脂組成物層３２０の厚さの最大値と最小値との差は、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは７μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下である。

樹脂組成物層３２０に含まれる樹脂組成物は、工程（ＩＩＩ）における圧縮成型時の温度条件下において、特定の範囲の溶融粘度η_Ｃを有することが好ましい。具体的には、前記の溶融粘度η_Ｃは、好ましくは３００ポイズ以上、より好ましくは５００ポイズ以上、特に好ましくは１０００ポイズ以上であり、好ましくは２００００ポイズ以下、より好ましくは１００００ポイズ以下、特に好ましくは５０００ポイズ以下である。樹脂組成物の溶融粘度η_Ｃが前記範囲の下限値以上である場合、樹脂組成物の流動性が過剰に高くなることを抑制できる。よって、キャビティ１３０からの樹脂組成物の流出を効果的に抑制できる。また、樹脂組成物の溶融粘度η_Ｃが前記範囲の上限値以下である場合、加えられた圧力を樹脂組成物がキャビティ１３０内の隅々にまで効率的に伝えることができる。よって、キャビティ１３０の端部において支持フィルム３１０に充分な圧力が加えられるので、支持フィルム３１０がキャビティ１３０の内面に滑らかに追従できる。したがって、加圧後の支持フィルム３１０におけるシワの発生を抑制できる。

樹脂組成物の溶融粘度は、動的粘弾性法により測定しうる。具体的な測定条件は、実施例において説明する条件を採用しうる。

樹脂組成物層３２０に含まれる樹脂組成物は、１２０℃において、特定の範囲の溶融粘度η_０を有することが好ましい。具体的には、前記の溶融粘度η_０は、樹脂組成物の前記溶融粘度η_Ｃと同じ範囲にあることが好ましい。一般に、工程（ＩＩＩ）における圧縮成型時の温度条件は、１２０℃又はそれに近い温度に設定されうる。よって、１２０℃における溶融粘度η_０が前記特定の範囲にある樹脂組成物は、通常、工程（ＩＩＩ）における圧縮成型時に適切な溶融粘度η_Ｃを示すことができる。よって、１２０℃において、樹脂組成物が前記の溶融粘度η_Ｃと同じ範囲の溶融粘度η_０を有する場合には、溶融粘度η_Ｃの好ましい範囲の利点として説明したのと同様の利点を得ることができる。

支持フィルム３１０の面内方向の寸法は、支持フィルム３１０の余白部分３１２の少なくとも一部がキャビティ１３０からはみ出ることができるようにする観点から、キャビティ１３０の面内方向の寸法よりも大きくなるように形成されている。よって、支持フィルム３１０の幅Ｗ_３１０は、通常、キャビティ１３０の幅Ｗ_１３０（図１参照）よりも大きい。

キャビティ１３０の幅Ｗ_１３０に対する支持フィルム３１０の幅Ｗ_３１０の比（Ｗ_３１０／Ｗ_１３０）は、好ましくは１．０２以上、より好ましくは１．０５以上、特に好ましくは１．１０以上である。比（Ｗ_３１０／Ｗ_１３０）が前記範囲にある場合、通常は、支持フィルム３１０の端部３１０Ｅがキャビティ１３０の外にある状態を安定して維持しながら、工程（ＩＩＩ）での圧縮成型を行うことができる。よって、硬化体層における凹凸の形成を効果的に抑制できる。比（Ｗ_３１０／Ｗ_１３０）の上限は特段の制限は無いが、支持フィルム３１０の余白部分３１２が過剰に広くなることを抑制してコストを抑制する観点では、好ましくは２．００以下、より好ましくは１．８０以下、特に好ましくは１．５０以下である。

また、支持フィルム３１０の幅Ｗ_３１０とキャビティ１３０の幅Ｗ_１３０との差（Ｗ_３１０−Ｗ_１３０）は、好ましくは５ｍｍ以上、より好ましくは１０ｍｍ以上、特に好ましくは２０ｍｍ以上である。差（Ｗ_３１０−Ｗ_１３０）が前記範囲にある場合、通常は、支持フィルム３１０の端部３１０Ｅがキャビティ１３０の外にある状態を安定して維持しながら、工程（ＩＩＩ）での圧縮成型を行うことができる。よって、硬化体層における凹凸の形成を効果的に抑制できる。差（Ｗ_３１０−Ｗ_１３０）の上限は特段の制限は無いが、支持フィルム３１０の余白部分３１２が過剰に広くなることを抑制してコストを抑制する観点では、好ましくは３００ｍｍ以下、より好ましくは２００ｍｍ以下、特に好ましくは１５０ｍｍ以下である。

さらに、支持フィルム３１０の面積は、支持フィルム３１０の余白部分３１２の少なくとも一部がキャビティ１３０からはみ出ることができるようにする観点から、キャビティ１３０の開口面積よりも大きくなるように形成されている。キャビティ１３０の開口面積１００％に対する支持フィルム３１０の面積は、好ましくは１０５％以上、より好ましくは１１０％以上、特に好ましくは１１５％以上である。支持フィルム３１０の面積が前記範囲にある場合、通常は、硬化体層における凹凸の形成を効果的に抑制できる。支持フィルム３１０の面積の上限は特段の制限は無いが、支持フィルム３１０の余白部分３１２が過剰に広くなることを抑制してコストを抑制する観点では、好ましくは３００％以下、より好ましくは２５０％以下、特に好ましくは２００％以下である。

支持フィルム３１０の面内方向の寸法は、基板２００がキャビティ１３０内に収められる程度に小さい場合には、当該基板２００の面内方向の寸法よりも大きい。また、支持フィルム３１０の面内方向の寸法は、本実施形態で示す例のように基板２００がキャビティ１３０に蓋をできる程度に大きい場合には、当該基板２００の面内方向の寸法より小さくてもよく、大きくてもよく、同じでもよい。よって、支持フィルム３１０の幅Ｗ_３１０は、通常、基板２００の幅Ｗ_２００より小さくてもよく、大きくてもよく、同じでもよい。

中でも、支持フィルム３１０の剥離の容易にする観点では、支持フィルム３１０の幅Ｗ_３１０は、基板２００の幅Ｗ_２００より大きいことが好ましい。この場合、基板２００の幅Ｗ_２００に対する支持フィルムの幅Ｗ_３１０の比（Ｗ_３１０／Ｗ_２００）は、好ましくは１．０１以上、より好ましくは１．０３以上、特に好ましくは１．０５以上である。上限に特に制限は無く、例えば１．５０以下でありうる。また、支持フィルム３１０の幅Ｗ_３１０と基板２００の幅Ｗ_２００との差（Ｗ_３１０−Ｗ_２００）は、好ましくは２ｍｍ以上、より好ましくは５ｍｍ以上、特に好ましくは１０ｍｍ以上である。上限に制限は無く、例えば、２００ｍｍ以下でありうる。

また、基板２００がキャビティ１３０に蓋をできる程度に大きい場合、支持フィルム３１０の面積は、基板２００の面積より大きいことが好ましい。この場合、基板２００の面積１００％に対する支持フィルム３１０の面積は、好ましくは１０１％以上、より好ましくは１０３％以上、特に好ましくは１０５％以上である。上限に制限は無く、例えば、２００％以下でありうる。

支持フィルム３１０の支持部分３１１は、樹脂組成物層３２０が形成された部分であるので、当該支持部分３１１の面内方向の寸法及び面積は、上述した樹脂組成物層３２０と同じでありうる。

支持フィルム３１０の余白部分３１２の面内方向の寸法は、当該余白部分３１２の少なくとも一部がキャビティ１３０からはみ出ることができるように、大きく形成されていることが好ましい。

なかでも、余白部分３１２の幅Ｗ_３１２は、キャビティ１３０の幅Ｗ_１３０と樹脂組成物層３２０の幅Ｗ_３２０との差（Ｗ_１３０−Ｗ_３２０）１００％に対して、好ましくは６０％以上、より好ましくは１００％以上、更に好ましくは２００％以上、特に好ましくは３００％以上である。余白部分３１２の幅Ｗ_３１２が前記範囲にある場合、通常は、支持フィルム３１０の余白部分３１２がキャビティ１３０から十分に大きくはみ出ることができるので、支持フィルム３１０の端部３１０Ｅがキャビティ１３０の外にある状態を安定して維持しながら、工程（ＩＩＩ）での圧縮成型を行うことができる。よって、硬化体層における凹凸の形成を効果的に抑制できる。余白部分３１２の幅Ｗ_３１２の上限は特段の制限は無いが、余白部分３１２が過剰に広くなることを抑制してコストを抑制する観点では、好ましくは１０００％以下、より好ましくは９００％以下、特に好ましくは８００％以下である。

また、余白部分３１２の幅Ｗ_３１２は、好ましくは１０ｍｍ以上、より好ましくは１５ｍｍ以上、特に好ましくは２０ｍｍ以上である。余白部分３１２の幅Ｗ_３１２が前記範囲にある場合、硬化体層における凹凸の形成を効果的に抑制できる。余白部分３１２の幅Ｗ_３１２の上限は特段の制限は無く、例えば、２００ｍｍ以下、１５０ｍｍ以下、１００ｍｍ以下などでありうる。

さらに、余白部分３１２の幅Ｗ_３１２と樹脂組成物層３２０の幅Ｗ_３２０との比（Ｗ_３２０／Ｗ_３１２）は、好ましくは２．０以上、より好ましくは３．０以上、特に好ましくは４．０以上である。比（Ｗ_３２０／Ｗ_３１２）が前記範囲にある場合、樹脂シート３００のハンドリング性を良好にできる。比（Ｗ_３２０／Ｗ_３１２）の上限は特段の制限は無いが、例えば、５０．０以下でありうる。

支持フィルム３１０の厚さｔは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、特に好ましくは２０μｍ以上であり、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下、特に好ましくは６０μｍ以下である。また、支持フィルムの厚さは、均一であることが好ましい。

支持フィルム３１０は、工程（ＩＩＩ）における圧縮成型時の温度条件下において、特定の範囲の弾性率Ｅ_Ｃを有することが好ましい。具体的には、前記の弾性率Ｅ_Ｃは、好ましくは６．０ＧＰａ以下、より好ましくは５．０ＧＰａ以下、更に好ましくは４．０ＧＰａ以下、特に好ましくは１．０ＧＰａ以下である。支持フィルム３１０が前記範囲の弾性率Ｅ_Ｃを有する場合、圧縮成型時に支持フィルム３１０がキャビティ１３０の内面に滑らかに追従できるので、加圧後の支持フィルム３１０におけるシワの発生を抑制できる。支持フィルム３１０の弾性率Ｅ_Ｃの下限は特段の制限は無く、例えば０．１ＧＰａ以上でありうる。

支持フィルム３１０は、１２０℃において、特定の範囲の弾性率Ｅ_０を有することが好ましい。具体的には、前記の弾性率Ｅ_０は、支持フィルム３１０の前記弾性率Ｅ_Ｃと同じ範囲にあることが好ましい。一般に、工程（ＩＩＩ）における圧縮成型時の温度条件は、１２０℃又はそれに近い温度に設定されうる。よって、１２０℃における弾性率Ｅ_０が前記特定の範囲にある支持フィルム３１０は、通常、工程（ＩＩＩ）における圧縮成型時に適切な弾性率Ｅ_Ｃを示すことができる。よって、１２０℃において、支持フィルム３１０が前記の弾性率Ｅ_Ｃと同じ範囲の弾性率Ｅ_０を有する場合には、弾性率Ｅ_Ｃの好ましい範囲の利点として説明したのと同様の利点を得ることができる。

支持フィルム３１０の弾性率は、動的粘弾性測定（ＤＭＡ）によって貯蔵弾性率として測定できる。

支持フィルム３１０の厚さｔと、支持フィルム３１０の前記弾性率Ｅ_Ｃとの積（ｔ×Ｅ_Ｃ）は、好ましくは３００［μｍ・ＧＰａ］以下、より好ましくは２００［μｍ・ＧＰａ］以下、特に好ましくは１００［μｍ・ＧＰａ］以下である。前記の積（ｔ×Ｅ_Ｃ）が前記範囲にある場合、圧縮成型時に支持フィルム３１０がキャビティ１３０の内面に滑らかに追従できるので、加圧後の支持フィルム３１０におけるシワの発生を抑制できる。前記の積（ｔ×Ｅ_Ｃ）の下限は特段の制限は無く、例えば１０［μｍ・ＧＰａ］以上でありうる。

支持フィルム３１０の厚さｔと、支持フィルム３１０の前記弾性率Ｅ_０との積（ｔ×Ｅ_０）は、前記の厚さｔと弾性率Ｅ_Ｃとの積（ｔ×Ｅ_Ｃ）と同じ範囲にあることが好ましい。この場合、前記の積（ｔ×Ｅ_Ｃ）の好ましい範囲の利点として説明したのと同様の利点を得ることができる。

樹脂組成物層３２０に含まれる樹脂組成物の前記の溶融粘度η_Ｃと、支持フィルム３１０の前記弾性率Ｅ_Ｃとの積（η_Ｃ×Ｅ_Ｃ）は、好ましくは２０．０×１０^３［ポイズ・ＧＰａ］以下、より好ましくは１５．０×１０^３［ポイズ・ＧＰａ］以下、特に好ましくは１０．０×１０^３［ポイズ・ＧＰａ］以下である。前記の積（η_Ｃ×Ｅ_Ｃ）が前記範囲にある場合、圧縮成型時に支持フィルム３１０がキャビティ１３０の内面に滑らかに追従できるので、加圧後の支持フィルム３１０におけるシワの発生を抑制できる。前記の積（η_Ｃ×Ｅ_Ｃ）の下限は特段の制限は無く、例えば０．１×１０^３［ポイズ・ＧＰａ］以上でありうる。

樹脂組成物層３２０に含まれる樹脂組成物の溶融粘度η_０と、支持フィルム３１０の前記弾性率Ｅ_０との積（η_０×Ｅ_０）は、前記の溶融粘度η_Ｃと弾性率Ｅ_Ｃとの積（η_Ｃ×Ｅ_Ｃ）と同じ範囲にあることが好ましい。この場合、前記の積（η_Ｃ×Ｅ_Ｃ）の好ましい範囲の利点として説明したのと同様の利点を得ることができる。

樹脂組成物層３２０に含まれる樹脂組成物の前記溶融粘度η_Ｃと、支持フィルム３１０の厚さｔと、支持フィルム３１０の前記弾性率Ｅ_Ｃとの積（η_Ｃ×ｔ×Ｅ_Ｃ）は、好ましくは１０．０×１０^５［μｍ・ポイズ・ＧＰａ］以下、より好ましくは７．０×１０^５［μｍ・ポイズ・ＧＰａ］以下、特に好ましくは５．０×１０^５［μｍ・ポイズ・ＧＰａ］以下である。前記の積（η_Ｃ×ｔ×Ｅ_Ｃ）が前記範囲にある場合、圧縮成型時に支持フィルム３１０がキャビティ１３０の内面に滑らかに追従できるので、加圧後の支持フィルム３１０におけるシワの発生を抑制できる。前記の積（η_Ｃ×ｔ×Ｅ_Ｃ）の下限は特段の制限は無く、例えば０．１×１０^５［μｍ・ポイズ・ＧＰａ］以上でありうる。

樹脂組成物層３２０に含まれる樹脂組成物の溶融粘度η_０と、支持フィルム３１０の厚さｔと、支持フィルム３１０の前記弾性率Ｅ_０との積（η_０×ｔ×Ｅ_０）は、前記の溶融粘度η_Ｃと厚さｔと弾性率Ｅ_Ｃとの積（η_Ｃ×ｔ×Ｅ_Ｃ）と同じ範囲にあることが好ましい。この場合、前記の積（η_Ｃ×ｔ×Ｅ_Ｃ）の好ましい範囲の利点として説明したのと同様の利点を得ることができる。

上述した樹脂シート３００の製造方法は、特段の制限は無い。例えば、樹脂シート３００は、樹脂組成物を支持フィルム３１０上に塗布することを含む方法により、製造できる。また、例えば、樹脂シート３００は、樹脂組成物及び溶剤を含む樹脂ワニスを支持フィルム３１０上に塗布することを含む方法により、製造してもよい。樹脂ワニスを用いた場合、通常は、塗布後に樹脂ワニスを乾燥させて、樹脂組成物層３２０を形成する。さらに、製造効率の向上の観点から、樹脂シート３００は、長尺の支持フィルムを用いて製造することが好ましい。「長尺」のフィルムとは、幅に対して通常１０倍以上の長さを有するフィルムを表し、好ましくはロール状に巻き取ることが可能な程度に長いフィルムを表す。以下、この好ましい樹脂シート３００の製造方法を説明する。

ここで例示する樹脂シート３００の製造方法は、長尺の支持フィルムを用意する工程と、当該支持フィルム上に間欠的に樹脂ワニスを塗布する工程と、塗布された樹脂ワニスを乾燥して長尺の樹脂シートを得る工程と、長尺の樹脂シートを切断して、上述した樹脂シート３００を得る工程と、を含む。

図５は、一例に係る長尺の樹脂シート４００の製造装置４１０を模式的に示す斜視図である。図５に示すように、ここで示す例に係る長尺の樹脂シート４００の製造方法は、長尺の支持フィルム４２０を用意する工程を含む。通常、長尺の支持フィルム４２０は、ロール状で用意される。

用意された長尺の支持フィルム４２０は、長手方向に搬送されて、塗布装置４３０へと供給される。塗布装置４３０は、支持フィルム４２０上に、間欠的に樹脂ワニス４４０を塗布する。塗布装置４３０としては、支持フィルム４２０の支持部分４２１に選択的に塗布可能な装置を用いることができる。例えば、ロッドコーター、リップコーター、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター等を用いうる。

樹脂ワニス４４０が樹脂組成物と組み合わせて含みうる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル溶剤；セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール溶剤；トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素溶剤；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶剤；等の有機溶剤が挙げられる。溶剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

樹脂ワニス４４０を塗布された後、支持フィルム４２０は、更に下流へと搬送され、乾燥装置４５０へと供給される。乾燥装置４５０では、樹脂ワニス４４０を乾燥させて、溶剤等の揮発成分を除去する。乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の方法により実施しうる。乾燥は、樹脂組成物層３２０中の溶剤の含有量が、通常１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように行うことが好ましい。樹脂ワニスに含まれる溶剤の沸点によっても異なりうるが、例えば、３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニス４４０を用いる場合、乾燥温度５０℃〜１５０℃、乾燥時間３分〜１０分としてもよい。

前記の乾燥により、長尺の支持フィルム４２０と、この支持フィルム４２０上に形成された樹脂組成物層３２０とを備える長尺の樹脂シート４００が得られる。この樹脂シート４００では、支持フィルム４２０の支持部分４２１には樹脂組成物層３２０が形成されているが、それ以外の余白部分４２２には樹脂組成物層３２０が形成されていない。よって、この長尺の樹脂シート４００を切断することにより、上述した樹脂シート３００を得ることができる。

樹脂シート３００の製造方法は、更に任意の工程を含んでいてもよい。例えば、樹脂シート３００の製造方法は、樹脂組成物層３２０を保護する保護フィルム（図示せず）を設ける工程を含んでいてもよい。保護フィルムを備える樹脂シート３００は、厚さ方向において、支持フィルム３１０、樹脂組成物層３２０及び保護フィルムをこの順に備えうる。保護フィルムによれば、樹脂組成物層３２０へのゴミの付着及びキズ付きを抑制することができる。保護フィルムを備える樹脂シート３００は、通常、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。

図６は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置１００に、樹脂シート３００を設置した様子を模式的に示す断面図である。図６に示すように、用意された樹脂シート３００は、樹脂組成物層３２０がキャビティ１３０に収まるように、第二型１２０に設置される。この際、樹脂シート３００は、厚さ方向において樹脂組成物層３２０及び支持フィルム３１０が基板２００側からこの順に並ぶように設置される。本実施形態では、図６に示したように、第一型１１０に基板２００を設置した後で第二型１２０に樹脂シート３００を設置した例を示したが、第一型１１０に基板２００を設置する前に第二型１２０に樹脂シート３００を設置しても構わない。

［１．３．圧縮成型工程（ＩＩＩ）］
図７は、本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置１００を用いて、圧縮成型を行っている様子を模式的に示す断面図である。
本発明の第一実施形態に係る製造方法は、上述した工程（Ｉ）及び工程（ＩＩ）の後で、図７に示すように、樹脂組成物層３２０をキャビティ１３０内に収めて、第一型１１０と第二型１２０との間で、基板２００及び樹脂シート３００を加圧する工程（ＩＩＩ）を含む。この工程（ＩＩＩ）により、樹脂組成物層３２０を圧縮成型して、樹脂組成物の硬化体で形成された硬化体層３３０を得ることができる。

詳細には、工程（ＩＩＩ）では、第一型１１０及び第二型１２０を型閉じする。型閉じすることにより、第一型１１０と第二型１２０との間に基板２００及び樹脂シート３００が配置される。この際、樹脂シート３００が備える支持フィルム３１０の余白部分３１２の一部又は全部は、キャビティ１３０の全周で、キャビティ１３０からはみ出る。また、キャビティ１３０内には、基板２００と支持フィルム３１０とに囲まれた閉空間が形成される。樹脂組成物層３２０は、その全体が、前記の閉空間内に収められる。このように樹脂組成物層３２０がキャビティ１３０内の閉空間に収められた状態で、第二型１２０の底部ブロック１２１を押し込むことにより、基板２００及び樹脂シート３００を加圧する。加圧により、樹脂組成物層３２０が基板２００に接合させられるとともに、樹脂組成物層３２０が圧縮成型される。

前記の加圧により、樹脂組成物層３２０は、前記閉空間の全体に充填される。この際、支持フィルム３１０の余白部分３１２は、第二型１２０及び基板２００に密着している。よって、第二型１２０及び基板２００の間の間隙１４０は支持フィルム３１０の余白部分３１２によって塞がれるので、樹脂組成物層３２０に含まれる樹脂組成物は、閉空間の外へと流出しない。したがって、樹脂組成物による第一型１１０及び第二型１２０の汚れを抑制できる。

通常、前記のように樹脂組成物層３２０が閉空間に充填された状態で、加熱を行う。加熱により、樹脂組成物層３２０が硬化されて、樹脂組成物の硬化体を含む硬化体層３３０が形成される。加圧された状態では、支持フィルム３１０がキャビティ１３０の内面に密着できるので、前記の閉空間は、キャビティ１３０の相似形状を有しうる。よって、キャビティ１３０の形状を高い精度で写し取った硬化体層３３０を形成することができる。

この際、支持フィルム３１０の余白部分３１２がキャビティ１３０からはみ出ているので、支持フィルム３１０の端部３１０Ｅが樹脂組成物層３２０に食い込むことを抑制できる。したがって、硬化体層３３０における凹凸の形成を抑制できる。

上述した圧縮成型の条件は、樹脂組成物の組成により異なり、良好な硬化体層３３０が得られるように適切な条件を採用できる。
例えば、成型時の型の温度は、樹脂組成物が優れた圧縮成型性を発揮できる温度が好ましく、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、特に好ましくは１２０℃以上であり、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１７０℃以下、特に好ましくは１５０℃以下である。
また、例えば、成型時に加える圧力は、好ましくは１ＭＰａ以上、より好ましくは３ＭＰａ以上、特に好ましくは５ＭＰａ以上であり、好ましくは５０ＭＰａ以下、より好ましくは３０ＭＰａ以下、特に好ましくは２０ＭＰａ以下である。
さらに、例えば、キュアタイムは、好ましくは１分以上、より好ましくは２分以上、特に好ましくは５分以上であり、好ましくは６０分以下、より好ましくは３０分以下、特に好ましくは２０分以下である。

［１．４．任意の工程］
本発明の第一実施形態に係る製造方法は、上述した工程（Ｉ）、工程（ＩＩ）及び工程（ＩＩＩ）に組み合わせて、任意の工程を含みうる。
通常、本実施形態に係る製造方法は、工程（ＩＩＩ）の後で、型開きする工程を含む。このように型開きすることにより、基板２００、硬化体層３３０及び支持フィルム３１０を圧縮成型装置１００から取り外すことができる。このように取り外すことにより、基板２００、硬化体層３３０及び支持フィルム３１０を厚さ方向においてこの順に備える成型体を得ることができる。

前記の成型体を半導体装置として用いてもよいが、通常、製造すべき半導体装置には支持フィルム３１０は不要である。そこで、本実施形態に係る製造方法は、支持フィルム３１０を剥離する工程を含んでいてもよい。本実施形態に係る製造方法では、圧縮成型時に支持フィルム３１０の端部３１０Ｅが樹脂組成物層３２０に食い込むことを抑制できる。したがって、硬化体層３３０と支持フィルム３１０とを容易に離すことができるので、支持フィルム３１０の剥離を容易に行うことができる。

図８は、本発明の第一実施形態に係る製造方法で製造できる複層体３４０を模式的に示す断面図である。図８に示すように、第一実施形態に係る製造方法によれば、基板２００と、この基板２００上に樹脂組成物の硬化体によって形成された硬化体層３３０とを備える複層体３４０を得ることができる。このような複層体３４０を、半導体装置として得てもよい。例えば、硬化体層３３０側に半導体チップ（図示せず）を備える実装基板を基板２００として用いた場合には、その実装基板としての基板２００と、この基板２００が備える半導体チップを封止する封止層としての硬化体層３３０とを備える複層体３４０を、半導体装置としての半導体チップパッケージとして得ることができる。

また、上述した複層体３４０には、更に配線層、絶縁層、ソルダーレジスト層、半導体チップ等の任意の要素を設けてもよい。よって、本実施形態に係る製造方法は、それら任意の要素を設ける工程を含んでいてもよい。

さらに、本実施形態に係る製造方法は、複層体３４０から基板２００を剥離する工程を含んでいてもよい。この場合、硬化体層３３０を備えるが基板２００を備えない半導体装置を得ることができる。例えば、基板２００として、半導体チップを剥離可能に仮固定することができる仮固定フィルムを用いた場合に、基板２００を備えない半導体装置を得ることができる。

さらに、本実施形態に係る製造方法は、任意の要素を含みうる複層体３４０又は硬化体層３３０を個片化するダイシング工程を含んでいてもよい。

また、本実施形態に係る製造方法は、型開きの後で、得られた硬化体層３３０の熱硬化を更に進行させる工程を含んでいてもよい。具体的には、型開きの後で、硬化体層３３０を更に加熱する工程を行ってもよい。

上述した製造方法において、各工程を行う順は、所望の半導体装置が得られる範囲で制限は無い。また、複数の工程を同時に行ってもよい。

［１．５．本実施形態に係る製造方法の主な利点］
第一実施形態に係る製造方法によれば、硬化体層３３０における凹凸の形成を抑制できる。また、こうして得られた硬化体層３３０からは、通常、支持フィルム３１０の剥離が容易である。以下、これらの利点について、別の製造方法と対比させて説明する。

図９は、余白部分が無く且つキャビティ１３０より小さい支持フィルム９１０を備えた樹脂シート９２０を用いて圧縮成型を行うときの圧縮成型装置９３０を模式的に示す断面図である。この図９において、上述した第一実施形態で説明したのと同じ部位には、図１〜図８と同じ符号を付して説明する。

図９に示すように、余白部分が無く且つキャビティ１３０より小さい支持フィルム９１０を備えた樹脂シート９２０を用いて圧縮成型を行う場合を仮定する。この場合、支持フィルム９１０の全体がキャビティ１３０内に収められる。よって、支持フィルム９１０の端部９１０Ｅが樹脂組成物層３２０に食い込む。そうすると、支持フィルム９１０の端部９１０Ｅが食い込んだ樹脂組成物層３２０の部分９４０には、前記の食い込みによる凹凸が形成される。また、このように端部９１０Ｅの組み込みが生じると、支持フィルム９１０を剥離することが困難になる。このような課題は、余白部分が無く且つキャビティ１３０と同じ大きさの支持フィルム（図示せず）を用いた方法でも、同様に生じうる。

これに対し、第一実施形態に係る製造方法では、図７に示すように、支持フィルム３１０の端部３１０Ｅがキャビティ１３０の外にあるので、当該端部３１０Ｅの樹脂組成物層３２０への食い込みが抑制される。したがって、図８に示すように、硬化体層３３０における凹凸の形成を抑制できる。また、このように支持フィルム３１０の端部３１０Ｅの樹脂組成物層３２０への食い込みが抑制されるので、通常は、支持フィルム３１０の剥離を容易に行うことができる。

さらに、第一実施形態に係る製造方法によれば、樹脂組成物の流出による第一型１１０及び第二型１２０の汚れを抑制できる。以下、この利点について、別の製造方法と対比させて説明する。

余白部分が無く且つキャビティより大きい支持フィルムを備えた樹脂シートを用いて圧縮成型を行う場合を仮定する。この場合、樹脂組成物層の一部がキャビティの外にはみ出る。よって、そのはみ出た樹脂組成物層が第一型及び第二型に接触することにより、第一型及び第二型に樹脂組成物が付着し、汚れが生じる。このような課題は、余白部分が無く且つキャビティと同じ大きさの支持フィルム（図示せず）を用いた方法でも、同様に生じうる。

これに対し、第一実施形態に係る製造方法では、図７に示すように、キャビティ１３０の外にある支持フィルム３１０の余白部分３１２には樹脂組成物層３２０が設けられていない。よって、第一型１１０及び第二型１２０に樹脂組成物層３２０が接触しないので、樹脂組成物の付着による汚れを抑制できる。

また、第一実施形態に係る製造方法で適切な条件を採用した場合には、支持フィルム３１０がキャビティ１３０の内面に滑らかに追従できる。よって、支持フィルム３１０でのシワの発生を抑制できる。したがって、当該シワが硬化体層３３０に転写されて硬化体層３３０に意図しない変形部が形成されることを抑制できる。

［２．第二実施形態］
第一実施形態では、第一型１１０に基板２００を設置し、第二型１２０に樹脂シート３００を設置した後で、圧縮成型を実施した例を用いて半導体装置の製造方法を説明した。しかし、基板２００及び樹脂シート３００の設置態様は第一実施形態に限定されない。例えば、第一型１１０及び第二型１２０の一方に基板２００及び樹脂シート３００の両方を設置して、圧縮成型を実施してもよい。以下、その方法を、第二実施形態を示して説明する。

図１０は、本発明の第二実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置５００に、基板２００及び樹脂シート３００を設置した様子を模式的に示す断面図である。第二実施形態においては、第一実施形態で説明したのと同じ部位には、第一実施形態と同じ符号を付して説明する。

図１０に示すように、本発明の第二実施形態に係る製造方法で用いる圧縮成型装置５００は、第一型１１０が下方、第二型１２０が上方に設けられていること以外は、第一実施形態で説明した圧縮成型装置１００と同じに設けられている。よって、圧縮成型装置５００は、基板２００を支持できる第一型１１０と、第一型１１０に対向して設けられた第二型１２０とを、第一型１１０及び第二型１２０の厚さ方向が鉛直方向と平行になるように備える。

本発明の第二実施形態に係る製造方法では、前記の圧縮成型装置５００を用いて、半導体装置を製造する。この製造方法は、第一実施形態と同じく、
基板２００を用意する工程（Ｉ）と、
樹脂シート３００を用意する工程（ＩＩ）と、
樹脂組成物層３２０をキャビティ１３０内に収めて、第一型１１０と第二型１２０との間で、基板２００及び樹脂シート３００を加圧する工程（ＩＩＩ）と、を含む。

工程（Ｉ）で用意される基板２００は、第一実施形態で説明したものと同じである。第二実施形態では、用意した基板２００を、図１０に示すように第一型１１０に設置する。

工程（ＩＩ）で用意される樹脂シート３００は、第一実施形態で説明したものと同じである。第二実施形態では、図１０に示すように、用意した樹脂シート３００を、型閉じがなされた場合に樹脂組成物層３２０がキャビティ１３０に収まるように、基板２００上に設置する。この際、樹脂シート３００は、厚さ方向において樹脂組成物層３２０及び支持フィルム３１０が基板２００側からこの順に並ぶように設置される。樹脂シート３００は、第一型１１０に基板２００を設置した後で当該基板２００上に設置してもよく、第一型１１０に基板２００を設置する前に基板２００上に設置してもよい。

図１１は、本発明の第二実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置５００を用いて、圧縮成型を行っている様子を模式的に示す断面図である。
本発明の第二実施形態に係る製造方法は、上述した工程（Ｉ）及び工程（ＩＩ）の後で、図１１に示すように、樹脂組成物層３２０をキャビティ１３０内に収めて、第一型１１０と第二型１２０との間で、基板２００及び樹脂シート３００を加圧する工程（ＩＩＩ）を含む。この工程（ＩＩＩ）は、第一実施形態と同じく行いうる。よって、具体的には、工程（ＩＩＩ）では、第一型１１０及び第二型１２０が型閉じされ、樹脂組成物層３２０の全体が、基板２００と樹脂シート３００の支持フィルム３１０とに囲まれたキャビティ１３０内の閉空間に収められる。そして、この状態で、基板２００及び樹脂シート３００が加圧されて、樹脂組成物層３２０が基板２００に接合されるとともに、樹脂組成物層３２０が圧縮成型される。したがって、必要に応じて加熱して樹脂組成物層３２０を硬化させることにより、硬化体層３３０を得ることができる。

その後、通常は、型開きがなされて、基板２００、硬化体層３３０及び支持フィルム３１０を圧縮成型装置５００から取り外す。そして、必要に応じて支持フィルム３１０が剥離されて、第一実施形態と同じく、基板２００及び硬化体層３３０を備える複層体３４０を得ることができる。

上述した第二実施形態に係る製造方法によれば、第一実施形態に係る製造方法と同じ利点を得ることができる。

第二実施形態に係る製造方法は、第一実施形態に係る製造方法と同じく、任意の工程を含んでいてもよい。

［３．変形例］
本発明の半導体装置の製造方法は、上述した実施形態から更に変更して実施してもよい。例えば、基板を収納できるキャビティが形成された型を備える圧縮成型装置を用いて、半導体装置の製造を行ってもよい。以下、その方法の例を、図面を参照して説明する。

図１２は、本発明の第三実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置６００に、基板２００及び樹脂シート３００を設置した様子を模式的に示す断面図である。第三実施形態においては、第一実施形態で説明したのと同じ部位には、第一実施形態と同じ符号を付して説明する。

図１２に示すように、本発明の第三実施形態に係る製造方法で用いる圧縮成型装置６００は、基板２００を支持する第一型６１０にキャビティ６３０が設けられていること、及び、キャビティ６３０が基板２００を収納できるように形成されていること以外は、第一実施形態で説明した圧縮成型装置１００と同じに設けられている。

本実施形態で示す例においては、キャビティ６３０は、基板２００及び樹脂シート３００の樹脂組成物層３２０を収納できるように大きく形成されている。よって、この圧縮成型装置６００では、第一型６１０と第二型６２０との間に、キャビティ６３０に対応する空間が形成され、この空間内で樹脂組成物層３２０を圧縮成型できる。

また、キャビティ６３０内を加圧できるようにする観点から、第一型６１０は、底部ブロック６１１と、この底部ブロック６１１の周囲を囲うように環状に設けられた側部ブロック６１２とを備える。底部ブロック６１１は、側部ブロック６１２に対して相対的に、移動可能に設けられている。よって、この例において、第一型６１０は、底部ブロック６１１が図中上方に押圧されることで、キャビティ６３０内を加圧できるように設けられている。

本発明の第三実施形態に係る製造方法では、前記の圧縮成型装置６００を用いて、半導体装置を製造する。この製造方法は、第一実施形態と同じく、
基板２００を用意する工程（Ｉ）と、
樹脂シート３００を用意する工程（ＩＩ）と、
樹脂組成物層３２０をキャビティ６３０内に収めて、第一型６１０と第二型６２０との間で、基板２００及び樹脂シート３００を加圧する工程（ＩＩＩ）と、を含む。

工程（Ｉ）で用意される基板２００は、第一実施形態で説明したものと同じである。第三実施形態では、用意した基板２００を、図１２に示すように第一型６１０のキャビティ６３０内に設置する。

工程（ＩＩ）で用意される樹脂シート３００は、第一実施形態で説明したものと同じである。第三実施形態では、図１２に示すように、用意した樹脂シート３００を、型閉じがなされた場合に樹脂組成物層３２０がキャビティ６３０に収まるように、基板２００上に設置する。樹脂シート３００は、厚さ方向において樹脂組成物層３２０及び支持フィルム３１０が基板２００側からこの順に並ぶように設置される。樹脂シート３００は、第一型６１０に基板２００を設置した後で当該基板２００上に設置してもよく、第一型６１０に基板２００を設置する前に第二基板２００上に設置してもよい。

図１３は、本発明の第三実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる圧縮成型装置６００を用いて、圧縮成型を行っている様子を模式的に示す断面図である。
本発明の第三実施形態に係る製造方法は、上述した工程（Ｉ）及び工程（ＩＩ）の後で、図１３に示すように、樹脂組成物層３２０をキャビティ６３０内に収めて、第一型６１０と第二型６２０との間で、基板２００及び樹脂シート３００を加圧する工程（ＩＩＩ）を含む。この工程（ＩＩＩ）は、第一実施形態と同じく行いうる。よって、具体的には、工程（ＩＩＩ）では、第一型６１０及び第二型６２０が型閉じされ、樹脂組成物層３２０の全体が、第一型６１０、基板２００、及び、樹脂シート３００の支持フィルム３１０に囲まれたキャビティ６３０内の閉空間に収められる。そして、この状態で、基板２００及び樹脂シート３００が加圧されて、樹脂組成物層３２０が基板２００に接合されるとともに、樹脂組成物層３２０が圧縮成型される。したがって、必要に応じて加熱して樹脂組成物層３２０を硬化させることにより、硬化体層３３０を得ることができる。

その後、通常は、型開きがなされて、基板２００、硬化体層３３０及び支持フィルム３１０を圧縮成型装置６００から取り外す。そして、必要に応じて支持フィルム３１０が剥離されて、第一実施形態と同じく、基板２００及び硬化体層３３０を備える複層体を得ることができる。

上述した第三実施形態に係る製造方法によれば、第一実施形態に係る製造方法と同じ利点を得ることができる。

第三実施形態に係る製造方法は、第一実施形態に係る製造方法と同じく、任意の工程を含んでいてもよい。

［４．樹脂組成物の組成］
樹脂組成物の組成は、当該樹脂組成物が熱硬化性を有する範囲であれば、特段の制限は無い。

熱硬化性を発揮できるようにする観点から、樹脂組成物は、通常、熱硬化性樹脂を含む。熱硬化性樹脂の例としては、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ビニルベンジル樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、高い封止能力を有する硬化体層を得易いことから、エポキシ樹脂が好ましい。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

樹脂組成物は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。全てのエポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。

エポキシ樹脂には、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。）と、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）とがある。樹脂組成物は、エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂を含んでいてもよく、固体状エポキシ樹脂を含んでいてもよく、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて含んでいてもよい。

液状エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましい。

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂等の脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂がより好ましい。

液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ−４０３２」、「ＨＰ−４０３２Ｄ」、「ＨＰ−４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、「８２５」、「エピコート８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ８０７」、「１７５０」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「ＣＥＬド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「ＰＢ−３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン型エポキシ樹脂）、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ３９５０Ｌ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

固体状エポキシ樹脂としては、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。

固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。

固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ−４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ−７２００」、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、好ましくは１：０．０１〜１：２０、より好ましくは１：０．０５〜１：１０、特に好ましくは１：０．１〜１：１である。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比が前記の範囲にある場合、通常は、適度な粘着性が得られる。また、通常は、十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する。さらに、通常は、十分な破断強度を有する硬化体を得ることができる。

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ〜５０００ｇ／ｅｑ、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ〜３０００ｇ／ｅｑ、さらに好ましくは８０ｇ／ｅｑ〜２０００ｇ／ｅｑ、さらにより好ましくは１１０ｇ／ｅｑ〜１０００ｇ／ｅｑである。エポキシ当量がこの範囲とある場合、樹脂組成物の硬化体の架橋密度を高めることができる。エポキシ当量は、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。このエポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができる。

エポキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。

エポキシ樹脂の量は、良好な機械強度及び絶縁信頼性を示す硬化体層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、特に好ましくは１０質量％以下である。なお、本明細書において、樹脂組成物中の各成分の量は、別途明示のない限り、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたときの値を表す。

エポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度及び絶縁信頼性を示す硬化体層を得る観点から、樹脂組成物中の樹脂成分１００質量％に対して、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは１５質量％以上、さらに好ましくは２０質量％以上であり、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４０質量％以下、特に好ましくは３０質量％以下である。「樹脂成分」とは、樹脂組成物に含まれる不揮発成分のうち、無機充填材を除いた成分をいう。

樹脂組成物がエポキシ樹脂を含む場合、その樹脂組成物は、硬化剤を含むことが好ましい。硬化剤は、エポキシ樹脂と反応して、樹脂組成物を硬化させる機能を有する。硬化剤としては、例えば、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤、アミン系硬化剤などが挙げられる。中でも、高い封止性能を有する硬化体層を得易いことから、活性エステル系硬化剤及びフェノール系硬化剤が好ましく、フェノール系硬化剤が特に好ましい。また、硬化剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

活性エステル系硬化剤としては、１分子中に１個以上の活性エステル基を有する化合物を用いることができる。中でも、活性エステル系硬化剤としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましい。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。

カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。

フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。

活性エステル系硬化剤の好ましい具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤、ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系硬化剤、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系硬化剤が挙げられる。中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造単位を表す。

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）；ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤として「ＥＸＢ−９４１６−７０ＢＫ」、「ＥＸＢ−８１５０−６５Ｔ」、「ＥＸＢ−８１００Ｌ−６５Ｔ」、「ＥＸＢ−８１５０Ｌ−６５Ｔ」（ＤＩＣ社製）；フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）；等が挙げられる。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するものが好ましい。また、硬化体層と導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、「ＭＥＨ−８０００Ｈ」；日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」；新日鉄住金化学社製の「ＳＮ−１７０」、「ＳＮ−１８０」、「ＳＮ−１９０」、「ＳＮ−４７５」、「ＳＮ−４８５」、「ＳＮ−４９５」、「ＳＮ−４９５Ｖ」、「ＳＮ−３７５」、「ＳＮ−３９５」；ＤＩＣ社製の「ＴＤ−２０９０」、「ＴＤ−２０９０−６０Ｍ」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」、「ＨＰＣ−９５００」、「ＫＡ−１１６０」、「ＫＡ−１１６３」、「ＫＡ−１１６５」；群栄化学社製の「ＧＤＰ−６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ−６１１５Ｈ」、「ＥＬＰＣ７５」等が挙げられる。

酸無水物系硬化剤としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有する硬化剤が挙げられる。酸無水物系硬化剤の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’−４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−Ｃ］フラン−１，３−ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。

酸無水物系硬化剤の市販品としては、新日本理化社製の「ＭＨ−７００」等が挙げられる。

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、ＪＦＥケミカル社製の「ＪＢＺ−ＯＤ１００」（ベンゾオキサジン環当量２１８ｇ／ｅｑ．）、「ＪＢＺ−ＯＰ１００Ｄ」（ベンゾオキサジン環当量２１８ｇ／ｅｑ．）、「ＯＤＡ−ＢＯＺ」（ベンゾオキサジン環当量２１８ｇ／ｅｑ．）；四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」（ベンゾオキサジン環当量２１７ｇ／ｅｑ．）、「Ｆ−ａ」（ベンゾオキサジン環当量２１７ｇ／ｅｑ．）；昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」（ベンゾオキサジン環当量４３２ｇ／ｅｑ．）等が挙げられる。

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル、等の２官能シアネート樹脂；フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂；これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマー；などが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＵＬＬ−９５０Ｓ」（多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製のカルボジライト（登録商標）Ｖ−０３（カルボジイミド基当量：２１６ｇ／ｅｑ．）、Ｖ−０５（カルボジイミド基当量：２６２ｇ／ｅｑ．）、Ｖ−０７（カルボジイミド基当量：２００ｇ／ｅｑ．）；Ｖ−０９（カルボジイミド基当量：２００ｇ／ｅｑ．）；ラインケミー社製のスタバクゾール（登録商標）Ｐ（カルボジイミド基当量：３０２ｇ／ｅｑ．）が挙げられる。

アミン系硬化剤としては、１分子内中に１個以上のアミノ基を有する硬化剤が挙げられ、例えば、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられ、中でも、本発明の所望の効果を奏する観点から、芳香族アミン類が好ましい。アミン系硬化剤は、第１級アミン又は第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。アミン系硬化剤の具体例としては、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルアニリン）、ジフェニルジアミノスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、ｍ−フェニレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジヒドロキシベンジジン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、３，３−ジメチル−５，５−ジエチル−４，４−ジフェニルメタンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、等が挙げられる。アミン系硬化剤は市販品を用いてもよく、例えば、日本化薬社製の「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ−２００Ｓ」、「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ−１００」、「カヤハードＡ−Ａ」、「カヤハードＡ−Ｂ」、「カヤハードＡ−Ｓ」、三菱ケミカル社製の「エピキュアＷ」等が挙げられる。

エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．０１〜１：１０の範囲が好ましく、１：０．０５〜１：５がより好ましく、１：０．１〜１：３がさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の固形分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と硬化剤との量比を斯かる範囲とすることにより、樹脂組成物の硬化体の耐熱性がより向上する。

硬化剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは２質量％以上であり、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは８質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下である。

樹脂組成物は、必要に応じて、無機充填材を含んでいてもよい。無機充填材の材料としては、無機化合物を用いうる。無機充填材の材料の例としては、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカ、アルミナが好適であり、シリカが特に好適である。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。また、シリカとしては、球状シリカが好ましい。無機充填材は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

無機充填材の市販品としては、例えば、デンカ社製の「ＵＦＰ−３０」；新日鉄住金マテリアルズ社製の「ＳＰ６０−０５」、「ＳＰ５０７−０５」；アドマテックス社製の「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ−ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」；トクヤマ社製の「シルフィルＮＳＳ−３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−５Ｎ」；アドマテックス社製の「ＳＣ２５００ＳＱ」、「ＳＯ−Ｃ４」、「ＳＯ−Ｃ２」、「ＳＯ−Ｃ１」；などが挙げられる。

無機充填材の比表面積としては、好ましくは１ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは２ｍ^２／ｇ以上、特に好ましくは３ｍ^２／ｇ以上である。上限に特段の制限は無いが、好ましくは６０ｍ^２／ｇ以下、５０ｍ^２／ｇ以下又は４０ｍ^２／ｇ以下である。比表面積は、ＢＥＴ全自動比表面積測定装置（マウンテック社製Ｍａｃｓｏｒｂ ＨＭ−１２１０）を使用して、試料表面に窒素ガスを吸着させ、ＢＥＴ多点法を用いて測定しうる。

無機充填材の平均粒径は、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、特に好ましくは０．１μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以下である。

無機充填材の平均粒径は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、無機充填材の粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材１００ｍｇ、メチルエチルケトン１０ｇをバイアル瓶に秤取り、超音波にて１０分間分散させたものを使用することができる。測定サンプルを、レーザー回折式粒径分布測定装置を使用して、使用光源波長を青色及び赤色とし、フローセル方式で無機充填材の体積基準の粒径分布を測定し、得られた粒径分布からメディアン径として平均粒径を算出できる。レーザー回折式粒径分布測定装置としては、例えば堀場製作所社製「ＬＡ−９６０」等が挙げられる。

無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤としては、例えば、ビニルシラン系カップリング剤、（メタ）アクリル系カップリング剤、フッ素含有シランカップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等が挙げられる。表面処理剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を任意に組み合わせて用いてもよい。

表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ１００３」（ビニルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５０３」（３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−７１０３」（３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン）等が挙げられる。

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の分散性向上の観点から、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、無機充填材１００質量部は、０．２質量部〜５質量部の表面処理剤で表面処理されていることが好ましく、０．２質量部〜３質量部で表面処理されていることが好ましく、０．３質量部〜２質量部で表面処理されていることが好ましい。

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ^２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ^２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ^２以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度及びシート形態での溶融粘度の上昇を抑制する観点から、１ｍｇ／ｍ^２以下が好ましく、０．８ｍｇ／ｍ^２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ^２以下が更に好ましい。

無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等を使用することができる。

無機充填材の含有量（体積％）は、樹脂組成物の硬化体の誘電正接を低くする観点から、樹脂組成物中の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは３０体積％以上、より好ましくは４０体積％以上、さらに好ましくは５０体積％以上である。また、好ましくは８０体積％以下、より好ましくは７０体積％以下、さらに好ましくは６０体積％以下である。

無機充填材の含有量（質量％）は、樹脂組成物の硬化体の誘電正接を低くする観点から、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは６５質量％以上であり、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８５質量％以下、さらに好ましくは８０質量％以下である。

樹脂組成物は、必要に応じて、エラストマーを含んでいてもよい。エラストマーを含む樹脂組成物を用いる場合、硬化体層の反りを効果的に抑制できる。エラストマーは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

エラストマーとしては、分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する樹脂が好ましい。中でも、ポリブタジエン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、またはポリカーボネート構造から選択される１種または２種以上の構造を有する樹脂がより好ましい。更には、ポリブタジエン構造、及びポリアルキレンオキシ構造から選択される１以上の構造を有する樹脂が更に好ましく、ポリブタジエン構造を有する樹脂が特に好ましい。「（メタ）アクリレート」とは、メタクリレート及びアクリレート並びにそれらの組み合わせを包含する用語である。これらの構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。

エラストマーは、硬化体層の反りを低下させる観点から、高分子量であることが好ましい。エラストマーの数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１,０００以上、より好ましくは１５００以上、さらに好ましくは３０００以上、５０００以上である。上限は、好ましくは１,０００,０００以下、より好ましくは９００,０００以下である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。

エラストマーは、エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させて剥離強度を高めるという観点から、エポキシ樹脂と反応し得る官能基を有することが好ましい。エポキシ樹脂と反応し得る官能基には、加熱によって現れる官能基が包含される。

好適な一実施形態において、エポキシ樹脂と反応し得る官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群から選択される１種以上の官能基である。中でも、当該官能基としては、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基が好ましく、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基がより好ましく、フェノール性水酸基が特に好ましい。ただし、官能基としてエポキシ基を含む場合、数平均分子量（Ｍｎ）は、５,０００以上であることが好ましい。

エラストマーの好適な実施形態は、ポリブタジエン構造を含有する樹脂であり、ポリブタジエン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。なお、ポリブタジエン構造は、一部又は全てが水素添加されていてもよい。ポリブタジエン構造を含有する樹脂をポリブタジエン樹脂という。

ポリブタジエン樹脂の具体例としては、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＧＱ−１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ−１０００」、「Ｇ−２０００」、「Ｇ−３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ−１０００」、「ＧＩ−２０００」、「ＧＩ−３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ−０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）等が挙げられる。一実施形態として、ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号に記載のポリイミド）、フェノール性水酸基含有ブタジエン等が挙げられる。該ポリイミド樹脂のブタジエン構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。

エラストマーの好適な実施形態は、ポリ（メタ）アクリレート構造を含有する樹脂である。ポリ（メタ）アクリレート構造を含有する樹脂をポリ（メタ）アクリル樹脂という。ポリ（メタ）アクリル樹脂としては、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン、根上工業社製の「ＭＥ−２０００」、「Ｗ−１１６．３」、「Ｗ−１９７Ｃ」、「ＫＧ−２５」、「ＫＧ−３０００」等が挙げられる。

エラストマーの好適な実施形態は、ポリカーボネート構造を含有する樹脂である。ポリカーボネート構造を含有する樹脂をポリカーボネート樹脂という。ポリカーボネート樹脂としては、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ−１０９０」、「Ｃ−２０９０」、「Ｃ−３０９０」（ポリカーボネートジオール）等が挙げられる。またヒドロキシル基末端ポリカーボネート、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミドを使用することもできる。該ポリイミド樹脂のカーボネート構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、国際公開第２０１６／１２９５４１号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。

また、エラストマーの他の実施形態としては、シロキサン構造を含有する樹脂である。シロキサン構造を含有する樹脂をシロキサン樹脂という。シロキサン樹脂としては、例えば、信越シリコーン社製の「ＳＭＰ−２００６」、「ＳＭＰ−２００３ＰＧＭＥＡ」、「ＳＭＰ−５００５ＰＧＭＥＡ」、アミン基末端ポリシロキサンおよび四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（国際公開第２０１０／０５３１８５号、特開２００２−１２６６７号公報及び特開２０００−３１９３８６号公報等）等が挙げられる。

エラストマーの他の実施形態としては、アルキレン構造、アルキレンオキシ構造を含有する樹脂である。アルキレン構造を含有する樹脂をアルキレン樹脂といい、アルキレンオキシ構造を含有する樹脂をアルキレンオキシ樹脂という。ポリアルキレンオキシ構造は、炭素原子数２〜１５のポリアルキレンオキシ構造が好ましく、炭素原子数３〜１０のポリアルキレンオキシ構造がより好ましく、炭素原子数５〜６のポリアルキレンオキシ構造がさらに好ましい。アルキレン樹脂、アルキレンオキシ樹脂の具体例としては、旭化成せんい社製の「ＰＴＸＧ−１０００」、「ＰＴＸＧ−１８００」等が挙げられる。

エラストマーの他の実施形態としては、イソプレン構造を含有する樹脂である。イソプレン構造を含有する樹脂をイソプレン樹脂という。イソプレン樹脂の具体例としては、クラレ社製の「ＫＬ−６１０」、「ＫＬ６１３」等が挙げられる。

エラストマーの他の実施形態としては、イソブチレン構造を含有する樹脂である。イソブチレン構造を含有する樹脂をイソブチレン樹脂という。イソブチレン樹脂の具体例としては、カネカ社製の「ＳＩＢＳＴＡＲ−０７３Ｔ」（スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体）、「ＳＩＢＳＴＡＲ−０４２Ｄ」（スチレン−イソブチレンジブロック共重合体）等が挙げられる。

エラストマーの量は、溶融粘度が低い樹脂組成物を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上であり、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。また、エラストマーの量が前記範囲にある場合、通常は、誘電正接及び導体層に対しての密着性に優れ、反りを抑制可能な硬化体層が得られる。

エラストマーの量は、溶融粘度が低い樹脂組成物を得る観点から、樹脂組成物中の樹脂成分１００質量％に対して、好ましくは２０質量％以上、より好ましくは３０質量％以上、さらに好ましくは４０質量％以上であり、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは６０質量％以下、さらに好ましくは５０質量％以下である。また、エラストマーの量が前記範囲にある場合、通常は、誘電正接及び導体層に対しての密着性に優れ、反りを抑制可能な硬化体層が得られる。

樹脂組成物は、必要に応じて、硬化促進剤を含んでいてもよい。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。硬化促進剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）]−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００−Ｈ５０」、四国化成工業社製の「１Ｂ２ＰＺ」（１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）、等が挙げられる。

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。

硬化促進剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは０．００５質量％以上、さらに好ましくは０．０１質量％以上であり、好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．３質量％以下、さらに好ましくは０．１質量％以下である。

樹脂組成物は、上述した成分以外に、更に任意の成分を含んでいてもよい。任意の成分としては、例えば、熱可塑性樹脂；難燃剤；ゴム粒子等の有機充填材；有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物；増粘剤；消泡剤；レベリング剤；密着性付与剤；顔料等の着色剤；特開２０１９−０４４１２８号公報に記載のマレイミド化合物；等が挙げられる。任意の成分は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

樹脂組成物は、溶剤を含んでいてもよいが、その量は少ないことが好ましい。樹脂組成物に含まれる溶剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、更に好ましくは０．０１質量％以下である。中でも、樹脂組成物は、溶剤を含まないことが特に好ましい。

［５．支持フィルムの組成］
支持フィルムとしては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム及び金属箔が好ましい。

支持フィルムとしてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリルポリマー、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリスチレン等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

支持フィルムとして金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

支持フィルムは、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理、帯電防止処理を施してあってもよい。

支持フィルムとしては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持フィルムを使用してもよい。離型層付き支持フィルムの離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持フィルムは、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」、東レ社製の「ルミラーＴ６０」、帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。

［６．半導体装置の用途］
上述した製造方法によれば、硬化体層を含む半導体装置を製造できる。このように硬化体層を含む半導体装置としては、例えば、プリント配線板、半導体チップパッケージ、マルチチップパッケージ、パッケージオンパッケージ、ウェハレベルパッケージ、パネルレベルパッケージ、システムインパッケージ等が挙げられる。これらの半導体装置において、硬化体層は、例えば、絶縁層又は封止層として機能できる。

こうして製造された半導体装置は、例えば、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等）、及び、乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）などの用途に好適に用いうる。

以下、本発明について、実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものでは無い。以下の説明において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示の無い限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。また、以下に説明する操作は、別途明示の無い限り、常温常圧の環境で行った。

［樹脂組成物層の溶融粘度の測定方法］
後述する実施例及び比較例で用いた樹脂組成物の溶融粘度は、動的粘弾性測定装置（ユー・ビー・エム社製「Ｒｈｅｏｓｏｌ−Ｇ３０００」）を使用して測定した。具体的には、試料である樹脂組成物１ｇについて、直径１８ｍｍの円形のパラレルプレートを使用して、開始温度６０℃から２００℃まで昇温速度５℃／分にて昇温し、測定温度間隔２．５℃、振動数１Ｈｚ、ひずみ５ｄｅｇの条件にて溶融粘度を測定した。こうして得られた測定結果から、後述する圧縮成型時の温度（１２０℃）での溶融粘度を読み取った。

［支持フィルムの弾性率の測定方法］
後述する実施例及び比較例で用いた支持フィルムの弾性率は、ＤＭＡにより貯蔵弾性率として測定した。測定は、後述する圧縮成型時の温度（１２０℃）で行った。

［製造例１：エラストマーＡの製造］
反応容器に、２官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン（日本曹達社製「Ｇ−３０００」、数平均分子量＝３０００、ヒドロキシ基当量＝１８００ｇ／ｅｑ．）６９ｇと、芳香族炭化水素系混合溶剤（出光石油化学社製「イプゾール１５０」）４０ｇと、ジブチル錫ラウレート０．００５ｇとを入れ、混合して均一に溶解させた。均一になったところで６０℃に昇温し、更に撹拌しながらイソホロンジイソシアネート（エボニックデグサジャパン社製「ＩＰＤＩ」、イソシアネート基当量＝１１３ｇ／ｅｑ．）８ｇを添加し、約３時間反応を行った。

次いで反応物に、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ−１１６０」、水酸基当量＝１１７ｇ／ｅｑ．）２３ｇと、エチルジグリコールアセテート（ダイセル社製）６０ｇとを添加し、攪拌しながら１５０℃まで昇温し、約１０時間反応を行った。ＦＴ−ＩＲによって２２５０ｃｍ^−１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピークの消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温した。そして、反応物を１００メッシュの濾布で濾過して、ブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有するエラストマー（フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂：不揮発成分５０質量％）を得た。エラストマーＡの数平均分子量は５９００、ガラス転移温度は−７℃であった。

［製造例２：樹脂ワニスの製造］
ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００」、エポキシ当量２７６ｇ／ｅｑ．）１部、ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品、エポキシ当量１６９ｇ／ｅｑ．）５部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、比表面積５．８ｍ^２／ｇ、アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」）６５部、エラストマーＡを２０部、マレイミド化合物（デザイナーモレキュールズ社製「ＢＭＩ−６８９」）４部、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ−１１６０」、フェノール性水酸基当量：１１７ｇ／ｅｑ）３部、硬化促進剤（四国化成工業社製、「１Ｂ２ＰＺ」）０．０５部、及びメチルエチルケトン１５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。

前記の樹脂ワニスの一部を秤取し、乾燥して、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物について、後述する圧縮成型時の温度１２０℃での溶融粘度η_Ｃを測定したところ、４０００ポイズであった。

［実施例１］
（基板の用意）
幅３２ｃｍ、長さ３２ｃｍのＦＲ−４基板を用意した。

（樹脂シートの製造）
ポリエチレンテレフタレートフィルムと、このポリエチレンテレフタレートフィルムの表面に設けられた離型層とを備えた長尺の支持フィルム（リンテック社製「ＡＬ５」、弾性率４．６ＧＰａ、厚さ３８μｍ、幅４０ｃｍ）を用意した。この支持フィルムの片面の複数の正方形のエリア（幅２９ｃｍ、長さ２９ｃｍ、面積８４１ｃｍ^２）に、製造例２で製造した樹脂ワニスをアプリケーターを用いて間欠的に塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で乾燥して、均一な厚さ（３００μｍ）を有する樹脂組成物層を形成した。厚さ方向から見て、各樹脂組成物層の全周には、樹脂組成物層の無い余白エリアが形成されていた。その後、支持フィルムを縦４０ｃｍ、幅４０ｃｍ（面積１６００ｃｍ^２）の正方形にカットして、樹脂シートを得た。前記のカットは、得られる樹脂シートを厚さ方向から見て、支持フィルムの中央に樹脂組成物層が位置するように行った。よって、支持フィルムの余白部分の幅は、樹脂組成物層のいずれの位置でも５．５ｃｍであった。

（圧縮成型）
図１に示すように、金型としての第一型１１０及び第二型１２０を備える圧縮成型装置１００を用意した。第二型１２０の第一型１１０に対向する側には、正方形の開口部（縦３０ｃｍ、横３０ｃｍ、開口面積９００ｃｍ^２）を有するキャビティ１３０が形成されていた。図６に示すように、第一型１１０にＦＲ−４基板２００を設置し、第二型１２０に、樹脂シート３００を設置した。その後、第一型１１０及び第二型１２０を型閉じし、キャビティ１３０内を加圧して、圧縮成型を実施した。前記の圧縮成型は、金型温度１２０℃、圧力７ＭＰａ、キュアタイム５分の条件で行った。

圧縮成型後、型開きして、ＦＲ−４基板、樹脂組成物の硬化体で形成された硬化体層、及び、支持フィルムをこの順に備える成型体を得た。

［実施例２］
樹脂組成物層が形成された長尺の支持フィルムのカットを、カット後に得られる正方形の支持フィルムのサイズが縦３７．５ｃｍ、幅３７．５ｃｍ（面積１４０６ｃｍ^２）となるように行った。以上の事項以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂シートの製造、及び、圧縮成型による成型体の製造を行った。

［実施例３］
長尺の支持フィルムの種類を、ポリスチレン系フィルム（クラボウ社製「オイディス ＣＡ−Ｆ１０」、弾性率３．１ＧＰａ、厚さ５０μｍ）に変更した。また、樹脂組成物層が形成された長尺の支持フィルムのカットを、カット後に得られる正方形の支持フィルムのサイズが縦３３ｃｍ、幅３３ｃｍ（面積１０８９ｃｍ^２）となるように行った。以上の事項以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂シートの製造、及び、圧縮成型による成型体の製造を行った。

［実施例４］
長尺の支持フィルムの種類を、フッ素樹脂フィルム（ＡＧＣ社製「アフレックス５０ＭＷ」、弾性率０．８ＧＰａ、厚さ５０μｍ）に変更した。また、支持フィルム上に形成される樹脂組成物層の厚みを、５００μｍに変更した。さらに、樹脂組成物層が形成された長尺の支持フィルムのカットを、カット後に得られる正方形の支持フィルムのサイズが縦３７．５ｃｍ、幅３７．５ｃｍ（面積１４０６ｃｍ^２）となるように行った。以上の事項以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂シートの製造、及び、圧縮成型による成型体の製造を行った。

［実施例５］
長尺の支持フィルムの種類を、ポリエチレンナフタレートフィルム（帝人社製「テオネックス」、弾性率６．１ＧＰａ、厚さ５０μｍ）に変更した。また、支持フィルム上に形成される樹脂組成物層の厚みを、１００μｍに変更した。さらに、樹脂組成物層が形成された長尺の支持フィルムのカットを、カット後に得られる正方形の支持フィルムのサイズが縦３７．５ｃｍ、幅３７．５ｃｍ（面積１４０６ｃｍ^２）となるように行った。以上の事項以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂シートの製造、及び、圧縮成型による成型体の製造を行った。

［比較例１］
支持フィルム上に形成される樹脂組成物層の厚みを、１５０μｍに変更した。また、樹脂組成物層が形成された長尺の支持フィルムのカットを、カット後に得られる正方形の支持フィルムのサイズが樹脂組成物層と同じ（縦２９ｃｍ、幅２９ｃｍ、面積８４１ｃｍ^２）となるように行った。こうして得られた樹脂フィルムが備える支持フィルムには、余白部分は無かった。以上の事項以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂シートの製造、及び、圧縮成型による成型体の製造を行った。

［評価］
＜硬化体層の凹凸の評価＞
実施例及び比較例で得られた成型体（即ち、ＦＲ−４基板、樹脂組成物の硬化体で形成された硬化体層、及び、支持フィルムをこの順に備える成型体）から、支持フィルムを剥がした。その後、硬化体層の表面を観察して、支持フィルムが食い込むことにより形成された凹凸の有無を調べた。凹凸がない場合は「良」と判定し、凹凸がある場合は「不良」と判定した。

＜金型の汚れの評価＞
圧縮成型後、金型を観察して、樹脂組成物の付着の有無を調べた。樹脂組成物の付着がない場合は「良」と判定し、樹脂組成物の付着がある場合は「不良」と判定した。

＜コンプレッションモールド性評価＞
実施例及び比較例で得られた成型体（即ち、ＦＲ−４基板、樹脂組成物の硬化体で形成された硬化体層、及び、支持フィルムをこの順に備える成型体）を、支持フィルムを剥離する前に観察した。金型の加工エリア内で支持フィルムにシワが無い場合は「良」と判定した。支持フィルムにシワがあり、且つ、硬化体層の表面に前記のシワに由来する跡がわずかに発生するものを「可」と判定した。

［結果］
前記の実施例及び比較例の結果を、下記の表に示す。

１００ 圧縮成型装置
１１０ 第一型
１２０ 第二型
１２１ 底部ブロック
１２２ 側部ブロック
１３０ キャビティ
１３０Ｕ キャビティの開口部
１４０ 第二型及び基板の間の間隙
２００ 基板
２００Ｄ 基板の表面
３００ 樹脂シート
３１０ 支持フィルム
３１０Ｕ 支持フィルムの片面
３１０Ｅ 支持フィルムの端部
３１１ 支持部分
３１２ 余白部分
３２０ 樹脂組成物層
３３０ 硬化体層
３４０ 複層体
４００ 長尺の樹脂シート
４１０ 樹脂シートの製造装置
４２０ 長尺の支持フィルム
４２１ 長尺の支持フィルムの支持部分
４２２ 長尺の支持フィルムの余白部分
４３０ 塗布装置
４４０ 樹脂ワニス
４５０ 乾燥装置
５００ 圧縮成型装置
６００ 圧縮成型装置
６１０ 第一型
６１１ 底部ブロック
６１２ 側部ブロック
６２０ 第二型
６３０ キャビティ
Ｗ_１３０ キャビティの幅
Ｗ_２００ 基板の幅
Ｗ_３１０ 支持フィルムの幅
Ｗ_３１２ 余白部分の幅
Ｗ_３２０ 樹脂組成物層の幅

Claims (11)

1. 基板を支持できる第一型と、前記第一型に対向して設けられた第二型とを備え、前記第一型及び前記第二型の少なくとも一方にキャビティが形成された圧縮成型装置を用いて、半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法であって、
   前記製造方法が、
   前記基板を用意する工程と、
   支持フィルムと、前記支持フィルム上に熱硬化性の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層と、を備える樹脂シートを用意する工程と、
   前記樹脂組成物層を前記キャビティ内に収めて、前記第一型と前記第二型との間で、前記基板及び前記樹脂シートを加圧する工程と、を含み、
   前記支持フィルムが、前記樹脂組成物層が形成された支持部分と、前記樹脂組成物層が形成されていない余白部分とを含み、
   厚さ方向から見て、前記余白部分が、前記支持部分の全周にある、半導体装置の製造方法。
2. 前記基板及び前記樹脂シートを加圧する工程において、前記キャビティの全周で、前記支持フィルムの前記余白部分が前記キャビティからはみ出る、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. １２０℃における前記支持フィルムの弾性率Ｅ_０が、６．０ＧＰａ以下である、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記樹脂組成物層が、前記基板及び前記樹脂シートを加圧する工程において前記樹脂組成物層が加圧されたときに、前記キャビティ内を満たせる容量を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
5. １２０℃における前記樹脂組成物の溶融粘度η_０が、３００ポイズ以上、２００００ポイズ以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記樹脂組成物層の厚さが、１０μｍ以上、５００μｍ以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
7. 支持フィルムと、前記支持フィルム上に熱硬化性の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層と、を備え、
   前記支持フィルムが、前記樹脂組成物層が形成された支持部分と、前記樹脂組成物層が形成されていない余白部分とを含み、
   厚さ方向から見て、前記余白部分が、前記支持部分の全周にあり、
   １２０℃における前記支持フィルムの弾性率Ｅ_０が、６．０ＧＰａ以下である、樹脂シート。
8. １２０℃における前記樹脂組成物の溶融粘度η_０が、３００ポイズ以上、２００００ポイズ以下である、請求項７に記載の樹脂シート。
9. 前記樹脂組成物の１２０℃における溶融粘度η_０と、前記支持フィルムの前記弾性率Ｅ_０との積（η_０×Ｅ_０）が、２０．０×１０^３［ポイズ・ＧＰａ］以下である、請求項７又は８に記載の樹脂シート。
10. 前記支持フィルムの厚さｔと、前記支持フィルムの前記弾性率Ｅ_０との積（ｔ×Ｅ_０）が、３００［μｍ・ＧＰａ］以下である、請求項７〜９のいずれか一項に記載の樹脂シート。
11. 前記樹脂組成物の１２０℃における溶融粘度η_０と、前記支持フィルムの厚さｔと、前記支持フィルムの前記弾性率Ｅ_０との積（η_０×ｔ×Ｅ_０）が、１０．０×１０^５［μｍ・ポイズ・ＧＰａ］以下である、請求項７〜１０のいずれか一項に記載の樹脂シート。

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