JP2021103799A - 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】新規発光デバイスを提供する。または、発光効率の良好な発光デバイスを提供する。または、寿命の良好な発光デバイスを提供する。または、駆動電圧の低い発光デバイスを提供する。【解決手段】ＥＬ層が、陽極側から順に第１の層と、第２の層と、第３の層と、発光層と、第４の層とを有し、前記第１の層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物とを有し、第４の層は第７の有機化合物を有し、前記第１の有機化合物は前記第２の有機化合物に対し電子受容性を示し、第２の有機化合物は、そのＨＯＭＯ準位が−５．７ｅＶ以上−５．２ｅＶ以下であり、前記第７の有機化合物の電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００である時の電子移動度が１×１０−７ｃｍ２／Ｖｓ以上５×１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以下である発光デバイスを提供する。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、発光素子、発光デバイス、ディスプレイモジュール、照明モジュール
、表示装置、発光装置、電子機器及び照明装置に関する。なお、本発明の一態様は、上記
の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法
、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン
、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するもので
ある。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、
半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、撮像
装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる
。

有機化合物を用いたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃ
ｅｎｃｅ）を利用する発光デバイス（有機ＥＬ素子）の実用化が進んでいる。これら発光
デバイスの基本的な構成は、一対の電極間に発光材料を含む有機化合物層（ＥＬ層）を挟
んだものである。この素子に電圧を印加して、キャリアを注入し、当該キャリアの再結合
エネルギーを利用することにより、発光材料からの発光を得ることができる。

このような発光デバイスは自発光型であるためディスプレイの画素として用いると、液晶
に比べて視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディ
スプレイ素子として好適である。また、このような発光デバイスを用いたディスプレイは
、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特
徴の一つである。

また、これらの発光デバイスは発光層を二次元に連続して形成することが可能であるため
、面状に発光を得ることができる。これは、白熱電球やＬＥＤに代表される点光源、ある
いは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源と
しての利用価値も高い。

このように発光デバイスを用いたディスプレイや照明装置はさまざまな電子機器に適用好
適であるが、より良好な効率、寿命を有する発光デバイスを求めて研究開発が進められて
いる。

特許文献１では正孔注入層に接する第１の正孔輸送層と、発光層との間に、第１の正孔注
入層のＨＯＭＯ準位とホスト材料のＨＯＭＯ準位の間のＨＯＭＯ準位を有する正孔輸送性
材料を設ける構成が開示されている。

発光デバイスの特性は、目覚ましく向上してきたが効率や耐久性をはじめ、あらゆる特性
に対する高度な要求に対応するには未だ不十分と言わざるを得ない。

国際公開第２０１１／０６５１３６号パンフレット

そこで、本発明の一態様では、新規発光デバイスを提供することを目的とする。または、
発光効率の良好な発光デバイスを提供することを目的とする。または、寿命の良好な発光
デバイスを提供することを目的とする。または、駆動電圧の低い発光デバイスを提供する
ことを目的とする。

または、本発明の他の一態様では、信頼性の高い発光装置、電子機器及び表示装置を各々
提供することを目的とする。または、本発明の他の一態様では、消費電力の小さい発光装
置、電子機器及び表示装置を各々提供することを目的とする。

本発明は上述の課題のうちいずれか一を解決すればよいものとする。

本発明の一態様は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に位置するＥＬ層とを有
し、前記ＥＬ層が発光層を有する発光デバイスにおいて、前記発光デバイスに一定の電流
を流した際に得られる発光の輝度変化で表される劣化曲線に極大値を有する発光デバイス
である。

または、本発明の他の一態様は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に位置する
ＥＬ層とを有する発光デバイスにおいて、前記ＥＬ層は、陽極側から順に第１の層と、第
２の層と、第３の層と、発光層と、第４の層を有し、前記第１の層は、前記陽極に接して
おり、前記第１の層は第１の有機化合物と第２の有機化合物を有し、前記第２の層は、第
３の有機化合物を有し、前記第３の層は、第４の有機化合物を有し、前記発光層は、第５
の有機化合物と第６の有機化合物を有し、前記第４の層は、第７の有機化合物を有し、前
記第１の有機化合物は前記第２の有機化合物に電子受容性を示す有機化合物であり、前記
第５の有機化合物は発光中心物質であり、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位は−５．
７ｅＶ以上−５．２ｅＶ以下であり、前記第７の有機化合物の電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平
方根が６００である時の電子移動度が１×１０^−７ｃｍ^２／Ｖｓ以上５×１０^−５ｃｍ^２
／Ｖｓ以下であり、前記発光デバイスに一定の電流を流した際に得られる発光の輝度変化
で表される劣化曲線に極大値を有する発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極の間に位置するＥ
Ｌ層とを有し、前記ＥＬ層は、陽極側から順に第１の層と、第２の層と、第３の層と、発
光層と、第４の層を有し、前記第１の層は、前記陽極に接しており、前記第１の層は、第
１の有機化合物と第２の有機化合物を有し、前記第２の層は、第３の有機化合物を有し、
前記第３の層は、第４の有機化合物を有し、前記発光層は、第５の有機化合物と第６の有
機化合物を有し、前記第４の層は、第７の有機化合物を有し、前記第１の有機化合物は前
記第２の有機化合物に電子受容性を示す有機化合物であり、前記第５の有機化合物は発光
中心物質であり、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位は−５．７ｅＶ以上−５．２ｅＶ
以下であり、前記第３の有機化合物と前記第２の有機化合物とのＨＯＭＯ準位の差は０．
２ｅＶ以下であり、前記第３の有機化合物のＨＯＭＯ準位は、前記第２の有機化合物のＨ
ＯＭＯ準位と同じまたは深く、前記第７の有機化合物の電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が
６００である時の電子移動度が１×１０^−７ｃｍ^２／Ｖｓ以上５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ
以下であり、前記発光デバイスに一定の電流を流した際に得られる発光の輝度変化で表さ
れる劣化曲線に極大値を有する発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成を有する発光デバイスにおいて、前記劣化曲線
が１００％を超える部分を有する発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極の間に位置するＥ
Ｌ層とを有し、前記ＥＬ層は、陽極側から順に第１の層と、第２の層と、第３の層と、発
光層と、第４の層を有し、前記第１の層は、前記陽極に接しており、前記第１の層は、第
１の有機化合物と第２の有機化合物を有し、前記第２の層は、第３の有機化合物を有し、
前記第３の層は、第４の有機化合物を有し、前記発光層は、第５の有機化合物と第６の有
機化合物を有し、前記第４の層は、第７の有機化合物を有し、前記第１の有機化合物は前
記第２の有機化合物に電子受容性を示す有機化合物であり、前記第５の有機化合物は発光
中心物質であり、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位は−５．７ｅＶ以上−５．２ｅＶ
以下であり、前記第３の有機化合物と前記第２の有機化合物とのＨＯＭＯ準位の差は０．
２ｅＶ以下であり、前記第３の有機化合物のＨＯＭＯ準位は、前記第２の有機化合物のＨ
ＯＭＯ準位と同じまたは深く、前記第７の有機化合物の電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が
６００である時の電子移動度が１×１０^−７ｃｍ^２／Ｖｓ以上５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ
以下である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極の間に位置するＥ
Ｌ層とを有し、前記ＥＬ層は、陽極側から順に第１の層と、第２の層と、第３の層と、発
光層と、第４の層を有し、前記第１の層は、前記陽極に接しており、前記第１の層は、第
１の有機化合物と第２の有機化合物を有し、前記第２の層は、第３の有機化合物を有し、
前記第３の層は、第４の有機化合物を有し、前記発光層は、第５の有機化合物と第６の有
機化合物を有し、前記第４の層は、第７の有機化合物を有し、前記第１の有機化合物は前
記第２の有機化合物に電子受容性を示す有機化合物であり、前記第５の有機化合物は発光
中心物質であり、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位は−５．７ｅＶ以上−５．２ｅＶ
以下であり、前記第３の有機化合物のＨＯＭＯ準位は、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ
準位と同じまたは深く、前記第３の有機化合物と前記第２の有機化合物とのＨＯＭＯ準位
の差は０．２ｅＶ以下であり、前記第６の有機化合物のＬＵＭＯ準位が、前記第７の有機
化合物のＬＵＭＯ準位よりも浅く、前記第７の有機化合物と、前記第６の有機化合物との
ＬＵＭＯ準位の差が０．１ｅＶ以上０．３ｅＶ以下である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極の間に位置するＥ
Ｌ層とを有し、前記ＥＬ層は、陽極側から順に第１の層と、第２の層と、第３の層と、発
光層と、第４の層を有し、前記第１の層は、前記陽極に接しており、前記第１の層は、第
１の有機化合物と第２の有機化合物を有し、前記第２の層は、第３の有機化合物を有し、
前記第３の層は、第４の有機化合物を有し、前記発光層は、第５の有機化合物と第６の有
機化合物を有し、前記第４の層は、第７の有機化合物を有し、前記第１の有機化合物は前
記第２の有機化合物に電子受容性を示す有機化合物であり、前記第５の有機化合物は発光
中心物質であり、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位は−５．７ｅＶ以上−５．２ｅＶ
以下であり、前記第３の有機化合物のＨＯＭＯ準位は、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ
準位と同じまたは深く、前記第３の有機化合物と前記第２の有機化合物とのＨＯＭＯ準位
の差は０．２ｅＶ以下であり、前記第７の有機化合物がπ電子不足型複素芳香族化合物で
ある発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極の間に位置するＥ
Ｌ層とを有し、前記ＥＬ層は、陽極側から順に第１の層と、第２の層と、第３の層と、発
光層と、第４の層を有し、前記第１の層は、前記陽極に接しており、前記第１の層は、第
１の有機化合物と第２の有機化合物を有し、前記第２の層は、第３の有機化合物を有し、
前記第３の層は、第４の有機化合物を有し、前記発光層は、第５の有機化合物と第６の有
機化合物を有し、前記第４の層は、第７の有機化合物を有し、前記第１の有機化合物は前
記第２の有機化合物に電子受容性を示す有機化合物であり、前記第２の有機化合物は、第
１の正孔輸送性骨格を有し、前記第３の有機化合物は、第２の正孔輸送性骨格を有し、前
記第４の有機化合物は、第３の正孔輸送性骨格を有し、前記第５の有機化合物は発光中心
物質であり、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位は−５．７ｅＶ以上−５．２ｅＶ以下
であり、前記第１の正孔輸送性骨格、前記第２の正孔輸送性骨格および前記第３の正孔輸
送性骨格は、各々独立に、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン
骨格およびアントラセン骨格のいずれか一であり、前記第７の有機化合物の電界強度［Ｖ
／ｃｍ］の平方根が６００である時の電子移動度が１×１０^−７ｃｍ^２／Ｖｓ以上５×１
０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以下である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極の間に位置するＥ
Ｌ層とを有し、前記ＥＬ層は、陽極側から順に第１の層と、第２の層と、第３の層と、発
光層と、第４の層を有し、前記第１の層は、前記陽極に接しており、前記第１の層は、第
１の有機化合物と第２の有機化合物を有し、前記第２の層は、第３の有機化合物を有し、
前記第３の層は、第４の有機化合物を有し、前記発光層は、第５の有機化合物と第６の有
機化合物を有し、前記第４の層は、第７の有機化合物を有し、前記第１の有機化合物は前
記第２の有機化合物に電子受容性を示す有機化合物であり、前記第２の有機化合物は、第
１の正孔輸送性骨格を有し、前記第３の有機化合物は、第２の正孔輸送性骨格を有し、前
記第４の有機化合物は、第３の正孔輸送性骨格を有し、前記第５の有機化合物は発光中心
物質であり、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位は−５．７ｅＶ以上−５．２ｅＶ以下
であり、前記第１の正孔輸送性骨格、前記第２の正孔輸送性骨格および前記第３の正孔輸
送性骨格は、各々独立に、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン
骨格およびアントラセン骨格のいずれか一であり、前記第６の有機化合物のＬＵＭＯ準位
が、前記第７の有機化合物のＬＵＭＯ準位よりも浅く、前記第７の有機化合物と、前記第
６の有機化合物とのＬＵＭＯ準位の差が０．１ｅＶ以上０．３ｅＶ以下である発光デバイ
スである。

または、本発明の他の一態様は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極の間に位置するＥ
Ｌ層とを有し、前記ＥＬ層は、陽極側から順に第１の層と、第２の層と、第３の層と、発
光層と、第４の層を有し、前記第１の層は、前記陽極に接しており、前記第１の層は、第
１の有機化合物と第２の有機化合物を有し、前記第２の層は、第３の有機化合物を有し、
前記第３の層は、第４の有機化合物を有し、前記発光層は、第５の有機化合物と第６の有
機化合物を有し、前記第４の層は、第７の有機化合物を有し、前記第１の有機化合物は前
記第２の有機化合物に電子受容性を示す有機化合物であり、前記第２の有機化合物は、第
１の正孔輸送性骨格を有し、前記第３の有機化合物は、第２の正孔輸送性骨格を有し、前
記第４の有機化合物は、第３の正孔輸送性骨格を有し、前記第５の有機化合物は発光中心
物質であり、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位は−５．７ｅＶ以上−５．２ｅＶ以下
であり、前記第１の正孔輸送性骨格、前記第２の正孔輸送性骨格および前記第３の正孔輸
送性骨格は、各々独立に、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン
骨格およびアントラセン骨格のいずれか一であり、前記第７の有機化合物がπ電子不足型
複素芳香族化合物である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記π電子不足型複素芳香族化合物
は、キノキサリン骨格、ベンゾイミダゾール骨格およびトリアジン骨格のいずれかである
発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第６の有機化合物が炭化水素の
みで構成される有機化合物であり、前記第６の有機化合物のＨＯＭＯ準位は、前記第４の
有機化合物のＨＯＭＯ準位よりも深く、前記第４の有機化合物と、前記第６の有機化合物
のＨＯＭＯ準位の差が０．２ｅＶ以上０．４ｅＶ以下である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第６の有機化合物がアントラセ
ン骨格と複素環骨格を有する有機化合物であり、前記第４の有機化合物と、前記第６の有
機化合物のＨＯＭＯ準位の差が０．２ｅＶ未満である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第６の有機化合物がアントラセ
ン骨格と複素環骨格を有する有機化合物であり、前記第４の有機化合物がナフタレン環に
２つのカルバゾール環が結合した有機化合物である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第６の有機化合物がアントラセ
ン骨格と複素環骨格を有する有機化合物であり、前記第４の有機化合物が３，３’−（ナ
フタレン−１，４−ジイル）ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）である発光デバ
イスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第６の有機化合物がアントラセ
ン骨格と複素環骨格を有する有機化合物であり、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位が
−５．４ｅＶ以上−５．７ｅＶ以下であり、前記第７の有機化合物の電界強度［Ｖ／ｃｍ
］の平方根が６００である時の電子移動度が、前記第６の有機化合物の電界強度［Ｖ／ｃ
ｍ］の平方根が６００である時の電子移動度よりも小さい発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第４の有機化合物のＨＯＭＯ準
位と、前記第３の有機化合物のＨＯＭＯ準位との差が０．２ｅＶ以下である発光デバイス
である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第４の有機化合物のＨＯＭＯ準
位が、前記第３の有機化合物のＨＯＭＯ準位よりも深い発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第２の有機化合物が、ジベンゾ
フラン骨格を有する有機化合物である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第７の有機化合物がキノキサリ
ン骨格を有する有機化合物である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第２の有機化合物と前記第３の
有機化合物とが同じ物質である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第５の有機化合物が青色蛍光材
料である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、センサ、操作ボタン、スピーカ、ま
たは、マイク
を有する電子機器である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、トランジスタ、または、基板を有す
る発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、筐体を有する照明装置である。

なお、本明細書中における発光装置とは、発光デバイスを用いた画像表示デバイスを含む
。また、発光デバイスにコネクター、例えば異方導電性フィルム又はＴＣＰ（Ｔａｐｅ
Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント
配線板が設けられたモジュール、又は発光デバイスにＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓ
ｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは、発光装置を有する場合
がある。さらに、照明器具等は、発光装置を有する場合がある。

本発明の一態様では、新規発光デバイスを提供することができる。または、寿命の良好な
発光デバイスを提供することができる。または、発光効率の良好な発光デバイスを提供す
ることができる。

または、本発明の他の一態様では、信頼性の高い発光装置、電子機器及び表示装置を各々
提供することができる。または、本発明の他の一態様では、消費電力の小さい発光装置、
電子機器及び表示装置を各々提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１は、発光デバイスの概略図である。 図２（Ａ）および図２（Ｂ）は、アクティブマトリクス型発光装置の概念図である。 図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、アクティブマトリクス型発光装置の概念図である。 図４は、アクティブマトリクス型発光装置の概念図である。 図５（Ａ）および図５（Ｂ）は、パッシブマトリクス型発光装置の概念図である。 図６（Ａ）および図６（Ｂ）は、照明装置を表す図である。 図７（Ａ）、図７（Ｂ１）、図７（Ｂ２）および図７（Ｃ）は、電子機器を表す図である。 図８（Ａ）、図８（Ｂ）および図８（Ｃ）は、電子機器を表す図である。 図９は、照明装置を表す図である。 図１０は、照明装置を表す図である。 図１１は、車載表示装置及び照明装置を表す図である。 図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）は、電子機器を表す図である。 図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）および図１３（Ｃ）は、電子機器を表す図である。 図１４は 発光デバイス１乃至発光デバイス３、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の輝度−電流密度特性である。 図１５は、発光デバイス１乃至発光デバイス３、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の電流効率−輝度特性である。 図１６は、発光デバイス１乃至発光デバイス３、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の輝度−電圧特性である。 図１７は、発光デバイス１乃至発光デバイス３、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の電流−電圧特性である。 図１８は、発光デバイス１乃至発光デバイス３、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の外部量子効率−輝度特性である。 図１９は、発光デバイス１乃至発光デバイス３、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の発光スペクトルである。 図２０は、発光デバイス１乃至発光デバイス３、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の規格化輝度−時間変化特性である。 図２１は、発光デバイス４乃至発光デバイス６および比較発光デバイス３の輝度−電流密度特性である。 図２２は、発光デバイス４乃至発光デバイス６および比較発光デバイス３の電流効率−輝度特性である。 図２３は、発光デバイス４乃至発光デバイス６および比較発光デバイス３の輝度−電圧特性である。 図２４は、発光デバイス４乃至発光デバイス６および比較発光デバイス３の電流−電圧特性である。 図２５は、発光デバイス４乃至発光デバイス６および比較発光デバイス３の外部量子効率−輝度特性である。 図２６は、発光デバイス４乃至発光デバイス６および比較発光デバイス３の発光スペクトルである。 図２７は、発光デバイス４乃至発光デバイス６および比較発光デバイス３の規格化輝度−時間変化特性である。 図２８は、発光デバイス７および発光デバイス８の輝度−電流密度特性である。 図２９は、発光デバイス７および発光デバイス８の電流効率−輝度特性である。 図３０は、発光デバイス７および発光デバイス８の輝度−電圧特性である。 図３１は、発光デバイス７および発光デバイス８の電流−電圧特性である。 図３２は、発光デバイス７および発光デバイス８の外部量子効率−輝度特性である。 図３３は、発光デバイス７および発光デバイス８の発光スペクトルである。 図３４は、発光デバイス７および発光デバイス８の規格化輝度−時間変化特性である。 図３５は、発光デバイス９の輝度−電流密度特性である。 図３６は、発光デバイス９の電流効率−輝度特性である。 図３７は、発光デバイス９の輝度−電圧特性である。 図３８は、発光デバイス９の電流−電圧特性である。 図３９は、発光デバイス９の外部量子効率−輝度特性である。 図４０は、発光デバイス９の発光スペクトルである。 図４１は、発光デバイス９の規格化輝度−時間変化特性である。 図４２は、電子オンリー素子の構造を示す図である。 図４３は、電子オンリー素子の電流密度−電圧特性である。 図４４は、直流電圧７．０ＶにおけるＺＡＤＮ：Ｌｉｑ（１：１）の算出されたキャパシタンスＣの周波数特性である。 図４５は、直流電圧７．０ＶにおけるＺＡＤＮ：Ｌｉｑ（１：１）の−ΔＢの周波数特性である。 図４６は、各有機化合物における電子移動度の電界強度依存特性である。 図４７は、発光デバイス１０の輝度−電流密度特性である。 図４８は、発光デバイス１０の電流効率−輝度特性である。 図４９は、発光デバイス１０の輝度−電圧特性である。 図５０は、発光デバイス１０の電流−電圧特性である。 図５１は、発光デバイス１０の外部量子効率−輝度特性である。 図５２は、発光デバイス１０の発光スペクトルである。 図５３は、発光デバイス１０の規格化輝度−時間変化特性である。 図５４は、発光デバイス１１の輝度−電流密度特性である。 図５５は、発光デバイス１１の電流効率−輝度特性である。 図５６は、発光デバイス１１の輝度−電圧特性である。 図５７は、発光デバイス１１の電流−電圧特性である。 図５８は、発光デバイス１１の外部量子効率−輝度特性である。 図５９は、発光デバイス１１の発光スペクトルである。 図６０は、発光デバイス１１の規格化輝度−時間変化特性である。 図６１は、発光デバイス１２の輝度−電流密度特性である。 図６２は、発光デバイス１２の電流効率−輝度特性である。 図６３は、発光デバイス１２の輝度−電圧特性である。 図６４は、発光デバイス１２の電流−電圧特性である。 図６５は、発光デバイス１２の外部量子効率−輝度特性である。 図６６は、発光デバイス１２の発光スペクトルである。 図６７は、発光デバイス１２の規格化輝度−時間変化特性である。 図６８は、発光デバイス１３乃至発光デバイス２０の輝度−電流密度特性である。 図６９は、発光デバイス１３乃至発光デバイス２０の電流効率−輝度特性である。 図７０は、発光デバイス１３乃至発光デバイス２０の輝度−電圧特性である。 図７１は、発光デバイス１３乃至発光デバイス２０の電流−電圧特性である。 図７２は、発光デバイス１３乃至発光デバイス２０の外部量子効率−輝度特性である。 図７３は、発光デバイス１３乃至発光デバイス２０の発光スペクトルである。 図７４は、発光デバイス１３乃至発光デバイス２０の規格化輝度−時間変化特性である。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の
説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を
様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す
実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
図１（Ａ）に、本発明の一態様の発光デバイスを表す図を示す。本発明の一態様の発光デ
バイスは、陽極１０１と、陰極１０２、ＥＬ層１０３を有しており、当該ＥＬ層は、正孔
注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３および電子輸送層１１４を有している。

なお、図１（Ａ）におけるＥＬ層１０３には、これらに加えて電子注入層１１５が図示さ
れているが、発光デバイスの構成はこれに限られることはない。上述の構成を有していれ
ば、他の機能を有する層が含まれていても良い。

正孔注入層１１１には、第１の有機化合物と第２の有機化合物とが含まれる。第１の有機
化合物は第２の有機化合物に対し、電子受容性を示す物質である。また、第２の有機化合
物はそのＨＯＭＯ準位が−５．７ｅＶ以上−５．２ｅＶ以下の比較的深いＨＯＭＯ準位を
有する物質である。第２の有機化合物が比較的深いＨＯＭＯ準位を有することによって、
正孔輸送層１１２への正孔の注入が容易となる。

第１の有機化合物は、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基やシアノ基）を有
する有機化合物等を用いることができ、そのような物質の中から、上記第２の有機化合物
に対して電子受容性を示す物質を適宜選択すれば良い。このような有機化合物としては、
例えば、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン
（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−
１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）、１，３
，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６−Ｔ
ＣＮＮＱ）、２−（７−ジシアノメチレン−１，３，４，５，６，８，９，１０−オクタ
フルオロ−７Ｈ−ピレン−２−イリデン）マロノニトリル等を挙げることができる。特に
、ＨＡＴ−ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化
合物が、熱的に安定であり好ましい。また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲ
ン基やシアノ基）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ま
しく、具体的にはα，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［
４−シアノ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α
’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，６−ジクロロ−３，５−ジ
フルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−
１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６−ペンタフルオロ
ベンゼンアセトニトリル］などが挙げられる。

第２の有機化合物は、正孔輸送性を有する有機化合物であることが好ましく、カルバゾー
ル骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれ
かを有していることが好ましい。特に、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を
含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９−
フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンであっ
ても良い。なお、これら第２の有機化合物が、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）アミノ基
を有する物質であると、寿命の良好な発光デバイスを作製することができるため好ましい
。以上のような第２の有機化合物としては、具体的には、Ｎ−（４−ビフェニル）−６，
Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢｎｆＡ
ＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）−６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−
ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’−ビス（６−フェニルベンゾ
［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン
（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１
，２−ｄ］フラン−６−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフ
ェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（
８））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３−ｄ］フラン−４
−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン
−４−イル）フェニル］−４−アミノ−ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、
Ｎ−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−Ｎ−フェニル−４−ビフェニ
ルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４−（２−ナフチル）−４’，４’’−ジフェニル
トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４−［４−（２−ナフチル）フェニル］−
４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４−（２；１
’−ビナフチル−６−イル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：Ｂ
ＢＡαＮβＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；１’−ビナフチル−２−イル
）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’
’−（７−フェニル）ナフチル−２−イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ−
０３）、４−（６；２’−ビナフチル−２−イル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェ
ニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４−（２；２’−ビナフチル−７−イル）−
４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ−０３）、４
−（１；２’−ビナフチル−４−イル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン
（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４−（１；２’−ビナフチル−５−イル）−４’，４’’
−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ−０２）、４−（４−ビフェ
ニリル）−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰ
ＢｉＡβＮＢ）、４−（３−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］
−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−（４−ビ
フェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニ
ルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−（１−ナフチル）−４’−フェニルトリフ
ェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ビス（１−ナフチル）トリフェニル
アミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−［４’−（カルバゾ
ール−９−イル）ビフェニル−４−イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ
）、４’−［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］トリス（
１，１’−ビフェニル−４−イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ−０２）、４−［４
’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］−４’−（２−ナフチル）−４
’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ−［４−（９−フェ
ニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニ
ル］−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）
、Ｎ，Ｎ−ビス（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−
フルオレン］−２−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（［１，１’−ビフェニ
ル］−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ＢＢ
ＡＳＦ（４））、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−
９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン
（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フ
ルオレン−２−イル）ジベンゾフラン−４−アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ−［４−（
１−ナフチル）フェニル］−Ｎ−［３−（６−フェニルジベンゾフラン−４−イル）フェ
ニル］−１−ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４−フェニル−４’−（９
−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フ
ェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢ
ＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−［４−（９−フェニルフルオレン−９−イル）フェ
ニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、４−フェニル−４’−（９−フェ
ニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、
４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリ
フェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェ
ニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４
，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル
）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニ
ル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレ
ン］−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−
９，９−ジメチル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニ
ル］−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）等を挙げることができる。

正孔輸送層１１２は、第１の正孔輸送層１１２−１と第２の正孔輸送層１１２−２を有す
る。第１の正孔輸送層１１２−１は第２の正孔輸送層１１２−２よりも陽極１０１側に位
置するものとする。なお、第２の正孔輸送層１１２−２は電子ブロック層の機能を同時に
担う場合もある。

第１の正孔輸送層１１２−１は第３の有機化合物を、第２の正孔輸送層１１２−２は第４
の有機化合物を有している。

第３の有機化合物および第４の有機化合物は正孔輸送性を有する有機化合物であることが
好ましい。第３の有機化合物および第４の有機化合物は上記第２の有機化合物として用い
ることが可能な有機化合物を同様に用いることができる。

第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位と第３の有機化合物のＨＯＭＯ準位では、第３の有機化
合物のＨＯＭＯ準位の方が深く、その差が０．２ｅＶ以下になるように各々材料を選択す
ることが好ましい。なお、第２の有機化合物と第３の有機化合物は同じ物質であることが
さらに好ましい。また、第３の有機化合物のＨＯＭＯ準位と、第４の有機化合物のＨＯＭ
Ｏ準位では、第４の有機化合物のＨＯＭＯ準位の方が深いほうが好ましい。さらに、その
差が０．２ｅＶ以下になるように各々材料を選択するとよい。第２の有機化合物乃至第４
の有機化合物のＨＯＭＯ準位が以上のような関係であることによって、各層にスムーズに
正孔が注入され、駆動電圧の上昇や発光層における正孔の過少状態を防ぐことができる。

なお、第２の有機化合物乃至第４の有機化合物は、各々正孔輸送性骨格を有することが好
ましい。当該正孔輸送性骨格としては、これら有機化合物のＨＯＭＯ準位が浅くなりすぎ
ないカルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセ
ン骨格が好ましい。また、これら正孔輸送性骨格が隣り合う層同士の材料（例えば第２の
有機化合物と第３の有機化合物または第３の有機化合物と第４の有機化合物）で共通して
いると、正孔の注入がスムーズになるため好ましい。特にこれらの正孔輸送性骨格として
は、ジベンゾフラン骨格が好ましい。

また、隣り合う層に含まれる材料（例えば第２の有機化合物と第３の有機化合物または第
３の有機化合物と第４の有機化合物）が同じ材料であるとより正孔の注入がスムーズとな
るため好ましい構成である。特に第２の有機化合物と第３の有機化合物が同じ材料である
構成が好ましい。

発光層１１３は第５の有機化合物と第６の有機化合物を有している。第５の有機化合物は
発光中心物質であり、第６の有機化合物は、第５の有機化合物を分散するためのホスト材
料である。

発光中心材料は蛍光発光物質であっても、りん光発光物質であっても、熱活性化遅延蛍光
（ＴＡＤＦ）を示す物質であっても、その他の発光材料であっても構わない。また、単層
であっても、異なる発光材料が含まれる複数の層からなっていても良い。なお、本発明の
一態様は、発光層１１３が蛍光発光を呈する層、特に、青色の蛍光発光を呈する層である
場合により好適に適用することができる。

発光層１１３において、蛍光発光物質として用いることが可能な材料としては、例えば以
下のようなものが挙げられる。また、これ以外の蛍光発光物質も用いることができる。

５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−２，２’−ビピリ
ジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６−ビス［４’−（１０−フェニル−９−アントリ
ル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル
）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−
９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ
）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾ
ール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略
称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェ
ニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェ
ニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール
−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−
ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−
（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ
ＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，
１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］
（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２
−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）
、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−
トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセ
ン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，
１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−
アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イ
ル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称
：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ
’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１
０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−ト
リフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス
（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フ
ェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ
，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４
５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−
ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：Ｂ
ＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル
−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メ
チル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリ
ジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称
：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５
，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ
’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，
１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１
，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉ
ｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニト
リル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７
−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジ
ン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：
ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル
｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛
２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−
テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−
ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、Ｎ，Ｎ’−（
ピレン−１，６−ジイル）ビス［（６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ
］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３）、３，１０−ビス［Ｎ
−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２
，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−
０２）、３，１０−ビス［Ｎ−（ジベンゾフラン−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナ
フト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（
ＩＶ）−０２）などが挙げられる。特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎや１，６ｍＭｅｍＦＬＰ
ＡＰｒｎ、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３のようなピレンジアミン化合物に代表される縮合
芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率や信頼性に優れているため
好ましい。

発光層１１３において、発光中心材料としてりん光発光物質を用いる場合、用いることが
可能な材料としては、例えば以下のようなものが挙げられる。

トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ
−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル
−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）_３
）、トリス［４−（３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２
，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）_３）の
ような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス［３−メチル
−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）_３）、トリス（１−メチル−５−フ
ェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）_３）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イ
リジウム錯体や、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェ
ニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）_３）、
トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナ
ントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）_３）のよう
なイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ビス［２−（４’，６’−ジフ
ルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラ
ゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）
ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、
ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２
’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、
ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（
ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のような電子吸引基を有す
るフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。これら
は青色のりん光発光を示す化合物であり、４４０ｎｍから５２０ｎｍに発光のピークを有
する化合物である。

また、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メ
チル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（
ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリ
ミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（ア
セチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピリミジナト］イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセト
ナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセト
ナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ
ｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、
（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム
（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）
ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機
金属イリジウム錯体や、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（Ｉ
ＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリ
ジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２ａｃａｃ）、ビス（ベ
ンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚ
ｑ）_２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（ｂｚｑ）_３）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（Ｉ
ＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジ
ウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））のようなピ
リジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノ
フェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ））の
ような希土類金属錯体が挙げられる。これらは主に緑色のりん光発光を示す化合物であり
、５００ｎｍ〜６００ｎｍに発光のピークを有する。なお、ピリミジン骨格を有する有機
金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。

また、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジ
ナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ））、ビス［４
，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム
（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ））、ビス［４，６−ジ（ナフタレ
ン−１−イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム
錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２，３，５−トリフェ
ニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐ
ｒ）_２（ｄｐｍ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニ
ル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））
のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（１−フェニルイソキ
ノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_３）、ビス（１−
フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略
称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２ａｃａｃ）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体
の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポル
フィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体や、トリス（１，３−ジフ
ェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）
（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３
−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。これらは、赤色
のりん光発光を示す化合物であり、６００ｎｍから７００ｎｍに発光のピークを有する。
また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる
。

また、以上で述べたりん光性化合物の他、公知のりん光性発光材料を選択し、用いてもよ
い。

ＴＡＤＦ材料としてはフラーレン及びその誘導体、アクリジン及びその誘導体、エオシン
誘導体等を用いることができる。またマグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム
（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐ
ｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例
えば、以下の構造式に示されるプロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｐｒｏ
ｔｏ ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、
ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポル
フィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ−４Ｍ
ｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（ＯＥＰ））、エチオポ
ルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエチルポルフィリン
−塩化白金錯体（ＰｔＣｌ_２ＯＥＰ）等も挙げられる。

また、以下の構造式に示される２−（ビフェニル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フ
ェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（
略称：ＰＩＣ−ＴＲＺ）や、９−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−
イル）−９’−フェニル−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴ
ｚｎ）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カ
ルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略
称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２−［４−（１０Ｈ−フェノキサジン−１０−イル）フェニル
］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＸＺ−ＴＲＺ）、３−［４
−（５−フェニル−５，１０−ジヒドロフェナジン−１０−イル）フェニル］−４，５−
ジフェニル−１，２，４−トリアゾール（略称：ＰＰＺ−３ＴＰＴ）、３−（９，９−ジ
メチル−９Ｈ−アクリジン−１０−イル）−９Ｈ−キサンテン−９−オン（略称：ＡＣＲ
ＸＴＮ）、ビス［４−（９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン）フェニル］
スルホン（略称：ＤＭＡＣ−ＤＰＳ）、１０−フェニル−１０Ｈ，１０’Ｈ−スピロ［ア
クリジン−９，９’−アントラセン］−１０’−オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、等のπ電子
過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環の一方または両方を有する複素環化合物も用
いることができる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳
香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が共に高く、好ましい。中でも、π電子不
足型複素芳香環を有する骨格のうち、ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピ
ラジン骨格、ピリダジン骨格）、およびトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため好
ましい。特に、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピ
ラジン骨格、ベンゾチエノピラジン骨格は電子受容性が高く、信頼性が良好なため好まし
い。また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサ
ジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格は、安
定で信頼性が良好なため、当該骨格の少なくとも一を有することが好ましい。なお、フラ
ン骨格としてはジベンゾフラン骨格が、チオフェン骨格としてはジベンゾチオフェン骨格
が、それぞれ好ましい。また、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨
格、インドロカルバゾール骨格、ビカルバゾール骨格、３−（９−フェニル−９Ｈ−カル
バゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール骨格が特に好ましい。なお、π電子過剰型複
素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環の
電子供与性とπ電子不足型複素芳香環の電子受容性が共に強くなり、Ｓ_１準位とＴ_１準位
のエネルギー差が小さくなるため、熱活性化遅延蛍光を効率よく得られることから特に好
ましい。なお、π電子不足型複素芳香環の代わりに、シアノ基のような電子吸引基が結合
した芳香環を用いても良い。また、π電子過剰型骨格として、芳香族アミン骨格、フェナ
ジン骨格等を用いることができる。また、π電子不足型骨格として、キサンテン骨格、チ
オキサンテンジオキサイド骨格、オキサジアゾール骨格、トリアゾール骨格、イミダゾー
ル骨格、アントラキノン骨格、フェニルボランやボラントレン等の含ホウ素骨格、ベンゾ
ニトリルまたはシアノベンゼン等のニトリル基またはシアノ基を有する芳香環や複素芳香
環、ベンゾフェノン等のカルボニル骨格、ホスフィンオキシド骨格、スルホン骨格等を用
いることができる。このように、π電子不足型複素芳香環およびπ電子過剰型複素芳香環
の少なくとも一方の代わりにπ電子不足型骨格およびπ電子過剰型骨格を用いることがで
きる。

なお、ＴＡＤＦ材料とは、Ｓ１準位とＴ１準位との差が小さく、逆項間交差によって三重
項励起エネルギーから一重項励起エネルギーへエネルギーを変換することができる機能を
有する材料である。そのため、三重項励起エネルギーをわずかな熱エネルギーによって一
重項励起エネルギーにアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態を効率
よく生成することができる。また、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる
。

また、２種類の物質で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレッ
クスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が極めて小さく、
三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料とし
ての機能を有する。

なお、Ｔ１準位の指標としては、低温（例えば７７Ｋから１０Ｋ）で観測される燐光スペ
クトルを用いればよい。ＴＡＤＦ材料としては、その蛍光スペクトルの短波長側の裾にお
いて接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳ１準位とし、燐光スペクトルの短波
長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＴ１準位とした際に、そ
のＳ１とＴ１の差が０．３ｅＶ以下であることが好ましく、０．２ｅＶ以下であることが
さらに好ましい。

また、ＴＡＤＦ材料を発光中心材料として用いる場合、ホスト材料のＳ１準位はＴＡＤＦ
材料のＳ１準位より高い方が好ましい。また、ホスト材料のＴ１準位はＴＡＤＦ材料のＴ
１準位より高いことが好ましい。

発光層のホスト材料としては、電子輸送性を有する材料や正孔輸送性を有する材料、ＴＡ
ＤＦ材料など様々なキャリア輸送材料を用いることができる。

正孔輸送性を有する材料としては、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニ
ルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，
Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、
４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルア
ミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン
−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−
フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フ
ェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（
略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カル
バゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフ
チル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（
略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４、４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ
−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメ
チル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェ
ニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−
フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フ
ルオレン］−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物
や、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−
カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニ
ル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’−ビス（９−フェニル−
９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）などのカルバゾール骨格を有する化合物や、４
，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略
称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フル
オレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４
−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベ
ンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物や、
４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称
：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル
）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラ
ン骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物
やカルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、
駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。また、上記第２の有機化合物の例として挙げた
有機化合物も用いることができる。

電子輸送性を有する材料としては、例えば、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリ
ナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト
）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−
キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）
フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）
フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体や、２−（４−ビフェニ
リル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称
：ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：
ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）
フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’−（１，３，５
−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰ
ＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ
−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）などのポリアゾール骨格を有する
複素環化合物や、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ
，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオ
フェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２
ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニ
ル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、４，６
−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎ
Ｐ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称
：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）などのジアジン骨格を有する複素環化合物や、３，５
−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚ
ＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）−フェニル］ベンゼン（略称：Ｔｍ
ＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素環化合物が挙げられる。上述した中でも、ジ
アジン骨格を有する複素環化合物やピリジン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好
であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジンやピラジン）骨格を有する複素環化合物は
、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。

ホスト材料として用いることが可能なＴＡＤＦ材料としては、先に挙げたものを同様に用
いることができる。ＴＡＤＦ材料をホスト材料として用いると、ＴＡＤＦ材料で生成した
三重項励起エネルギーが、逆項間交差によって一重項励起エネルギーに変換され、さらに
発光中心物質へエネルギー移動することで、発光素子の発光効率を高めることができる。
このとき、ＴＡＤＦ材料がエネルギードナーとして機能し、発光中心物質がエネルギーア
クセプターとして機能する。

これは、上記発光中心物質が蛍光発光物質である場合に、非常に有効である。また、この
とき、高い発光効率を得るためには、ＴＡＤＦ材料のＳ１準位は、蛍光発光物質のＳ１準
位より高いことが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位は、蛍光発光物質のＳ１準位
より高いことが好ましい。したがって、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位は、蛍光発光物質のＴ１
準位より高いことが好ましい。

また、蛍光発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈するＴ
ＡＤＦ材料を用いることが好ましい。そうすることで、ＴＡＤＦ材料から蛍光発光物質へ
の励起エネルギーの移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため、好ましい。

また、効率よく三重項励起エネルギーから逆項間交差によって一重項励起エネルギーが生
成されるためには、ＴＡＤＦ材料でキャリア再結合が生じることが好ましい。また、ＴＡ
ＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが蛍光発光物質の三重項励起エネルギーに移動
しないことが好ましい。そのためには、蛍光発光物質は、蛍光発光物質が有する発光団（
発光の原因となる骨格）の周囲に保護基を有すると好ましい。該保護基としては、π結合
を有さない置換基が好ましく、飽和炭化水素が好ましく、具体的には炭素数３以上１０以
下のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素
数３以上１０以下のトリアルキルシリル基が挙げられ、保護基が複数あるとさらに好まし
い。π結合を有さない置換基は、キャリアを輸送する機能に乏しいため、キャリア輸送や
キャリア再結合に影響をほとんど与えずに、ＴＡＤＦ材料と蛍光発光物質の発光団との距
離を遠ざけることができる。ここで、発光団とは、蛍光発光物質において発光の原因とな
る原子団（骨格）を指す。発光団は、π結合を有する骨格が好ましく、芳香環を含むこと
が好ましく、縮合芳香環または縮合複素芳香環を有すると好ましい。縮合芳香環または縮
合複素芳香環としては、フェナントレン骨格、スチルベン骨格、アクリドン骨格、フェノ
キサジン骨格、フェノチアジン骨格等が挙げられる。特にナフタレン骨格、アントラセン
骨格、フルオレン骨格、クリセン骨格、トリフェニレン骨格、テトラセン骨格、ピレン骨
格、ペリレン骨格、クマリン骨格、キナクリドン骨格、ナフトビスベンゾフラン骨格を有
する蛍光発光物質は蛍光量子収率が高いため好ましい。

蛍光発光物質を発光中心物質として用いる場合、ホスト材料としては、アントラセン骨格
を有する材料が好適である。アントラセン骨格を有する物質を蛍光発光物質のホスト材料
として用いると、発光効率、耐久性共に良好な発光層を実現することが可能である。ホス
ト材料として用いるアントラセン骨格を有する物質としては、ジフェニルアントラセン骨
格、特に９，１０−ジフェニルアントラセン骨格を有する物質が化学的に安定であるため
好ましい。また、ホスト材料がカルバゾール骨格を有する場合、正孔の注入・輸送性が高
まるため好ましいが、カルバゾールにベンゼン環がさらに縮合したベンゾカルバゾール骨
格を含む場合、カルバゾールよりもＨＯＭＯが０．１ｅＶ程度浅くなり、正孔が入りやす
くなるためより好ましい。特に、ホスト材料がジベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カ
ルバゾールよりもＨＯＭＯが０．１ｅＶ程度浅くなり、正孔が入りやすくなる上に、正孔
輸送性にも優れ、耐熱性も高くなるため好適である。したがって、さらにホスト材料とし
て好ましいのは、９，１０−ジフェニルアントラセン骨格およびカルバゾール骨格（ある
いはベンゾカルバゾール骨格やジベンゾカルバゾール骨格）を同時に有する物質である。
なお、上記の正孔注入・輸送性の観点から、カルバゾール骨格に換えて、ベンゾフルオレ
ン骨格やジベンゾフルオレン骨格を用いてもよい。このような物質の例としては、９−フ
ェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾー
ル（略称：ＰＣｚＰＡ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９
Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニ
ル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７−［４−（１０−フェニル
−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤ
ＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−ベン
ゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０
−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ビフェニル−４’−イル｝アン
トラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフチル）
フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）等が挙げられる。特に、ＣｚＰ
Ａ、ｃｇＤＢＣｚＰＡ、２ｍＢｎｆＰＰＡ、ＰＣｚＰＡは非常に良好な特性を示すため、
好ましい選択である。

なお、ホスト材料は複数種の物質を混合した材料であっても良く、混合したホスト材料を
用いる場合は、電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料とを混合することが
好ましい。電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料を混合することによって
、発光層１１３の輸送性を容易に調整することができ、再結合領域の制御も簡便に行うこ
とができる。正孔輸送性を有する材料と電子輸送性を有する材料の含有量の重量比は、正
孔輸送性を有する材料：電子輸送性を有する材料＝１：１９〜１９：１とすればよい。

なお、上記混合された材料の一部として、りん光発光物質を用いることができる。りん光
発光物質は、発光中心材料として蛍光発光物質を用いる際に蛍光発光物質へ励起エネルギ
ーを供与するエネルギードナーとして用いることができる。

また、これら混合された材料同士で励起錯体を形成しても良い。当該励起錯体は発光材料
の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するよ
うな組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光が得
られるため好ましい。また、当該構成を用いることで駆動電圧も低下するため好ましい。

なお、励起錯体を形成する材料の少なくとも一方は、りん光発光物質であってもよい。そ
うすることで、三重項励起エネルギーを逆項間交差によって効率よく一重項励起エネルギ
ーへ変換することができる。

効率よく励起錯体を形成する材料の組み合わせとしては、正孔輸送性を有する材料のＨＯ
ＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位以上であると好ましい。また、正孔輸
送性を有する材料のＬＵＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位以上であると
好ましい。なお、材料のＬＵＭＯ準位およびＨＯＭＯ準位は、サイクリックボルタンメト
リ（ＣＶ）測定によって測定される材料の電気化学特性（還元電位および酸化電位）から
導出することができる。

なお、励起錯体の形成は、例えば正孔輸送性を有する材料の発光スペクトル、電子輸送性
を有する材料の発光スペクトル、およびこれら材料を混合した混合膜の発光スペクトルを
比較し、混合膜の発光スペクトルが、各材料の発光スペクトルよりも長波長シフトする（
あるいは長波長側に新たなピークを持つ）現象を観測することにより確認することができ
る。あるいは、正孔輸送性を有する材料の過渡フォトルミネッセンス（ＰＬ）、電子輸送
性を有する材料の過渡ＰＬ、及びこれら材料を混合した混合膜の過渡ＰＬを比較し、混合
膜の過渡ＰＬ寿命が、各材料の過渡ＰＬ寿命よりも長寿命成分を有する、あるいは遅延成
分の割合が大きくなるなどの過渡応答の違いを観測することにより、確認することができ
る。また、上述の過渡ＰＬは過渡エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）と読み替えても構わ
ない。すなわち、正孔輸送性を有する材料の過渡ＥＬ、電子輸送性を有する材料の過渡Ｅ
Ｌ及びこれらの混合膜の過渡ＥＬを比較し、過渡応答の違いを観測することによっても、
励起錯体の形成を確認することができる。

ここで、第６の有機化合物が上記αＮ−βＮＰＡｎｔｈのような炭化水素のみで構成され
る有機化合物である場合、第４の有機化合物のＨＯＭＯ準位と第６の有機化合物のＨＯＭ
Ｏ準位では第６の有機化合物の方がＨＯＭＯ準位が深く、その差が０．２ｅＶ以上０．４
ｅＶ以下であることが正孔の輸送性が障壁により適度に妨げられるため好ましい。

また、第６の有機化合物が上記ｃｇＤＢＣｚＰＡやＣｚＰＡのようなアントラセン骨格と
複素環骨格とを有する有機化合物である場合、第４の有機化合物と第６の有機化合物との
ＨＯＭＯ準位の差が０．２ｅＶ未満であることが正孔が注入障壁により妨げられることな
く注入されるため好ましい。この場合、特に第４の有機化合物がナフタレン環に２つのカ
ルバゾール環が結合した有機化合物であることが好ましく、代表的には３，３’−（ナフ
タレン−１，４−ジイル）ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）を挙げることがで
きる。

また、第６の有機化合物が上記ｃｇＤＢＣｚＰＡやＣｚＰＡのようなアントラセン骨格と
複素環骨格とを有する有機化合物である場合、第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位が−５．
４ｅＶ以上−５．７ｅＶ以下であることがより劣化が抑制されることから好ましい。

電子輸送層１１４は、第７の有機化合物を有している。第７の有機化合物は電子輸送性を
有する有機化合物であり、π電子不足型複素芳香族化合物であることが好ましい。なお、
特に、キノキサリン骨格、ベンゾイミダゾール骨格およびトリアジン骨格のいずれかの骨
格を有することが好ましい。電子輸送性を有する有機化合物としては、上記ホスト材料に
用いることが可能な電子輸送性を有する有機化合物、または上記蛍光発光物質のホスト材
料として用いることが可能な有機化合物として挙げたものを用いることができる。

また、第７の有機化合物はその電子移動度が１×１０^−７ｃｍ^２／Ｖｓ以上５×１０^−５
ｃｍ^２／Ｖｓ以下であることが好ましい。また、第６の有機化合物のＬＵＭＯ準位と、第
７の有機化合物のＬＵＭＯ準位を比較すると、第６の有機化合物のＬＵＭＯ準位の方が浅
い方が好ましく、その差が０．１ｅＶ以上０．３ｅＶ以下であることがさらに好ましい。
さらに、第７の有機化合物の電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００である時の電子移動
度が第６の有機化合物の電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００である時の電子移動度よ
りも小さいことが好ましい。前者では電子輸送層における電子の輸送性を落とすことによ
り、後者ではＬＵＭＯ準位の差によって発光層への電子の注入量を制御することにより、
発光層が電子過多の状態になることを防ぐことができる。

発光層が電子過多の状態になると、発光領域が一部に限定されることにより当該部分の負
担が大きくなり、劣化が促進されてしまう。また、再結合できずに発光層を電子が通過し
てしまうことで発光効率も低下する。本発明の一態様では、このような状態になることを
防ぎ、寿命が長く発光効率の良好な発光デバイスを提供することができる。

なお、このような構成を有する発光デバイスでは、電流密度一定の条件における駆動試験
によって得られた輝度の劣化曲線において、初期にわずかに１００％から劣化した後、「
少し上がってからまた劣化する」という劣化挙動を示す。そのような挙動を示す本発明の
一態様の発光デバイス、すなわち、劣化曲線に極大値を有するような発光デバイスは非常
に寿命の良好な発光デバイスとなる。なおこのような劣化曲線の微分を取ると、その値が
０である部分が存在するため、換言すると、劣化曲線の微分に０となる部分が存在する本
発明の一態様の発光デバイスは非常に寿命が良好な発光デバイスとすることができる

以上のような構成を有する本発明の一態様の発光デバイスは、寿命の良好な発光デバイス
とすることが可能である。

（実施の形態２）
続いて、上述の発光デバイスの詳細な構造や材料の例について説明する。本発明の一態様
の発光デバイスは、上述のように陽極１０１と陰極１０２の一対の電極間に複数の層から
なるＥＬ層１０３を有し、当該ＥＬ層１０３は陽極１０１側より、正孔注入層１１１、第
１の正孔輸送層１１２−１、第２の正孔輸送層１１２−２、発光層１１３および電子輸送
層１１４を含む。

ＥＬ層１０３に含まれるそれ以外の層については特に限定はなく、正孔注入層、正孔輸送
層、電子輸送層、電子注入層、キャリアブロック層、励起子ブロック層、電荷発生層など
、様々な層構造を適用することができる。

陽極１０１は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合
物、およびこれらの混合物などを用いて形成することが好ましい。具体的には、例えば、
酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ケイ素若し
くは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化
タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これ
らの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル−ゲル法な
どを応用して作製しても構わない。作製方法の例としては、酸化インジウム−酸化亜鉛は
、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタ
リング法により形成する方法などがある。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有し
た酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５
ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法によ
り形成することもできる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タン
グステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）
、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等
が挙げられる。グラフェンも用いることができる。なお、ここでは仕事関数が大きく、陽
極を形成する材料として代表的な物質を列挙したが、本発明の一態様では、正孔注入層１
１１に、正孔輸送性を有する有機化合物と、当該有機化合物に対し電子受容性を示す物質
とを含む複合材料を用いるため、仕事関数に関わらず電極材料を選択することができる。

ＥＬ層１０３の積層構造については、本実施の形態では、図１（Ａ）に示すように、正孔
注入層１１１、第１の正孔輸送層１１２−１、第２の正孔輸送層１１２−２、発光層１１
３、電子輸送層１１４に加えて電子注入層１１５を有する構成、及び図１（Ｂ）に示すよ
うに、正孔注入層１１１、第１の正孔輸送層１１２−１、第２の正孔輸送層１１２−２、
発光層１１３、電子輸送層１１４に加えて電荷発生層１１６を有する構成の２種類の構成
について説明する。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。

正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２（正孔輸送層１１２−１、正孔輸送層１１２−２）
、発光層１１３および電子輸送層１１４に関しては、実施の形態１で詳述したため、繰り
返しとなる記載を省略する。実施の形態１の記載を参照されたい。

電子輸送層１１４と陰極１０２との間に、電子注入層１１５として、フッ化リチウム（Ｌ
ｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のようなアルカリ
金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含む層を設けても良い。電子注入層１１
５は、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそ
れらの化合物を含有させたものや、エレクトライドを用いてもよい。エレクトライドとし
ては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が
挙げられる。

また、電子注入層１１５の代わりに電子輸送層１１４と陰極１０２との間に電荷発生層１
１６を設けても良い（図１（Ｂ））。電荷発生層１１６は、電位をかけることによって当
該層の陰極側に接する層に正孔を、陽極側に接する層に電子を注入することができる層の
ことである。電荷発生層１１６には、少なくともＰ型層１１７が含まれる。Ｐ型層１１７
は、上述の正孔注入層１１１を構成することができる材料として挙げた複合材料を用いて
形成することが好ましい。またＰ型層１１７は、複合材料を構成する材料として上述した
電子受容性を示す物質を含む膜と正孔輸送材料を含む膜とを積層して構成しても良い。Ｐ
型層１１７に電位をかけることによって、電子輸送層１１４に電子が、陰極である陰極１
０２に正孔が注入され、発光デバイスが動作する。

なお、電荷発生層１１６はＰ型層１１７の他に電子リレー層１１８及び電子注入バッファ
層１１９のいずれか一又は両方がもうけられていることが好ましい。

電子リレー層１１８は少なくとも電子輸送性を有する物質を含み、電子注入バッファ層１
１９とＰ型層１１７との相互作用を防いで電子をスムーズに受け渡す機能を有する。電子
リレー層１１８に含まれる電子輸送性を有する物質のＬＵＭＯ準位は、Ｐ型層１１７にお
ける電子受容性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層１１４における電荷発生層１１６に接
する層に含まれる物質のＬＵＭＯ準位との間であることが好ましい。電子リレー層１１８
に用いられる電子輸送性を有する物質におけるＬＵＭＯ準位の具体的なエネルギー準位は
−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよい。なお、
電子リレー層１１８に用いられる電子輸送性を有する物質としてはフタロシアニン系の材
料又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

電子注入バッファ層１１９には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、および
これらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リ
チウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン
化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含
む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。

また、電子注入バッファ層１１９が、電子輸送性を有する物質と電子供与性物質を含んで
形成される場合には、電子供与性物質として、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類
金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン
化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化
物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物
、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカ
メチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性を有する物
質としては、先に説明した電子輸送層１１４を構成する材料と同様の材料を用いて形成す
ることができる。

陰極１０２を形成する物質としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金
属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このよ
うな陰極材料の具体例としては、リチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属
、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等の元素
周期表の第１族または第２族に属する元素、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬ
ｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含
む合金等が挙げられる。しかしながら、陰極１０２と電子輸送層との間に、電子注入層を
設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、ケイ素若しくは酸
化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を陰極１０２として用
いることができる。
これら導電性材料は、真空蒸着法やスパッタリング法などの乾式法、インクジェット法、
スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。また、ゾル−ゲル法を用いて湿式
法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。

また、ＥＬ層１０３の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いる
ことができる。例えば、真空蒸着法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印
刷法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。

また上述した各電極または各層を異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。

なお、陽極１０１と陰極１０２との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定され
ない。しかし、発光領域と電極やキャリア注入層に用いられる金属とが近接することによ
って生じる消光が抑制されるように、陽極１０１および陰極１０２から離れた部位に正孔
と電子とが再結合する発光領域を設けた構成が好ましい。

また、発光層１１３に接する正孔輸送層や電子輸送層、特に発光層１１３における再結合
領域に近いキャリア輸送層は、発光層で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制する
ため、そのバンドギャップが発光層を構成する発光材料もしくは、発光層に含まれる発光
材料が有するバンドギャップより大きいバンドギャップを有する物質で構成することが好
ましい。

続いて、複数の発光ユニットを積層した構成の発光デバイス（積層型素子、タンデム型素
子ともいう）の態様について、図１（Ｃ）を参照して説明する。この発光デバイスは、陽
極と陰極との間に、複数の発光ユニットを有する発光デバイスである。一つの発光ユニッ
トは、図１（Ａ）で示したＥＬ層１０３とほぼ同様な構成を有する。つまり、図１（Ｃ）
で示す発光デバイスは複数の発光ユニットを有する発光デバイスであり、図１（Ａ）又は
図１（Ｂ）で示した発光デバイスは、１つの発光ユニットを有する発光デバイスであると
いうことができる。

図１（Ｃ）において、陽極５０１と陰極５０２との間には、第１の発光ユニット５１１と
第２の発光ユニット５１２が積層されており、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユ
ニット５１２との間には電荷発生層５１３が設けられている。陽極５０１と陰極５０２は
それぞれ図１（Ａ）における陽極１０１と陰極１０２に相当し、図１（Ａ）の説明で述べ
たものと同じものを適用することができる。また、第１の発光ユニット５１１と第２の発
光ユニット５１２は同じ構成であっても異なる構成であってもよい。

電荷発生層５１３は、陽極５０１と陰極５０２に電圧を印加したときに、一方の発光ユニ
ットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入する機能を有する。すなわち、図
１（Ｃ）において、陽極の電位の方が陰極の電位よりも高くなるように電圧を印加した場
合、電荷発生層５１３は、第１の発光ユニット５１１に電子を注入し、第２の発光ユニッ
ト５１２に正孔を注入するものであればよい。

電荷発生層５１３は、図１（Ｂ）にて説明した電荷発生層１１６と同様の構成で形成する
ことが好ましい。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送
性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。なお、発光ユニ
ットの陽極側の面が電荷発生層５１３に接している場合は、電荷発生層５１３が発光ユニ
ットの正孔注入層の役割も担うことができるため、発光ユニットは正孔注入層を設けなく
とも良い。

また、電荷発生層５１３に電子注入バッファ層１１９を設ける場合、当該電子注入バッフ
ァ層１１９が陽極側の発光ユニットにおける電子注入層の役割を担うため、陽極側の発光
ユニットには必ずしも電子注入層を形成する必要はない。

図１（Ｃ）では、２つの発光ユニットを有する発光デバイスについて説明したが、３つ以
上の発光ユニットを積層した発光デバイスについても、同様に適用することが可能である
。本実施の形態に係る発光デバイスのように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷
発生層５１３で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度発光を可能
とし、さらに長寿命な素子を実現できる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光
装置を実現することができる。

また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光デバイス全体と
して、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つの発光ユニットを有する発光デ
バイスにおいて、第１の発光ユニットで赤と緑の発光色、第２の発光ユニットで青の発光
色を得ることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることも可能で
ある。また、３つの発光ユニットを有する発光デバイスにおいて、第１の発光ユニットで
青の発光色、第２の発光ユニットで緑から赤の範囲にスペクトルを有する発光色、第３の
発光ユニットで青の発光色を得ることで、青の発光ユニットにかかる負荷を分散し、より
寿命の良好な発光デバイスを得ることが可能となる。

また、上述のＥＬ層１０３や第１の発光ユニット５１１、第２の発光ユニット５１２及び
電荷発生層などの各層や電極は、例えば、蒸着法（真空蒸着法を含む）、液滴吐出法（イ
ンクジェット法ともいう）、塗布法、グラビア印刷法等の方法を用いて形成することがで
きる。また、それらは低分子材料、中分子材料（オリゴマー、デンドリマーを含む）、ま
たは高分子材料を含んでも良い。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いた発光
装置について説明する。

本実施の形態では、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いて作製
された発光装置について図２を用いて説明する。なお、図２（Ａ）は、発光装置を示す上
面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）をＡ−ＢおよびＣ−Ｄで切断した断面図である。この発光
装置は、発光デバイスの発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部（ソース
線駆動回路）６０１、画素部６０２、駆動回路部（ゲート線駆動回路）６０３を含んでい
る。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側
は、空間６０７になっている。

なお、引き回し配線６０８はソース線駆動回路６０１及びゲート線駆動回路６０３に入力
される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリ
ントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等
を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配
線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装
置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとす
る。

次に、断面構造について図２（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部
及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース線駆動回路６０１と
、画素部６０２中の一つの画素が示されている。

素子基板６１０はガラス、石英、有機樹脂、金属、合金、半導体などからなる基板の他、
ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニル
フロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いて作製す
ればよい。

画素や駆動回路に用いられるトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、逆スタガ
型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップ
ゲート型のトランジスタでもボトムゲート型トランジスタでもよい。トランジスタに用い
る半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化
ガリウム等を用いることができる。または、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などの、イン
ジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結
晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域
を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジ
スタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

ここで、上記画素や駆動回路に設けられるトランジスタの他、後述するタッチセンサ等に
用いられるトランジスタなどの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい
。特にシリコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体を適用することが好ましい。シ
リコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ状
態における電流を低減できる。

上記酸化物半導体は、少なくともインジウム（Ｉｎ）又は亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ま
しい。また、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、
Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含む酸化物半導体であることがよ
り好ましい。

特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面、
または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない酸
化物半導体膜を用いることが好ましい。

半導体層としてこのような材料を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の高
いトランジスタを実現できる。

また、上述の半導体層を有するトランジスタはその低いオフ電流により、トランジスタを
介して容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトラ
ンジスタを画素に適用することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動
回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実
現できる。

トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、
酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機
絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ法
、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（
Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形成
できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。

なお、ＦＥＴ６２３は駆動回路部６０１に形成されるトランジスタの一つを示すものであ
る。また、駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成
すれば良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示
すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる
。

また、画素部６０２はスイッチング用ＦＥＴ６１１と、電流制御用ＦＥＴ６１２とそのド
レインに電気的に接続された陽極６１３とを含む複数の画素により形成されているが、こ
れに限定されず、３つ以上のＦＥＴと、容量素子とを組み合わせた画素部としてもよい。

なお、陽極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感
光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成することができる。

また、後に形成するＥＬ層等の被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部ま
たは下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料と
してポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．
２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、
ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。

陽極６１３上には、ＥＬ層６１６、および陰極６１７がそれぞれ形成されている。ここで
、陽極６１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例
えば、ＩＴＯ膜、またはケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、２〜２０ｗｔ％の酸化
亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ
膜などの単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタ
ン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができ
る。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトが
とれ、さらに陽極として機能させることができる。

また、ＥＬ層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法
等の種々の方法によって形成される。ＥＬ層６１６は、実施の形態１および実施の形態２
で説明したような構成を含んでいる。また、ＥＬ層６１６を構成する他の材料としては、
低分子化合物、または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）であっても良い
。

さらに、ＥＬ層６１６上に形成された陰極６１７に用いる材料としては、仕事関数の小さ
い材料（Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金や化合物（ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、
ＡｌＬｉ等）等）を用いることが好ましい。なお、ＥＬ層６１６で生じた光が陰極６１７
を透過させる場合には、陰極６１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（Ｉ
ＴＯ、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、ケイ素を含有したインジウム錫
酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。

なお、陽極６１３、ＥＬ層６１６、陰極６１７でもって、発光デバイスが形成されている
。当該発光デバイスは実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスである。な
お、画素部は複数の発光デバイスが形成されてなっているが、本実施の形態における発光
装置では、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスと、それ以外の構成を
有する発光デバイスの両方が含まれていても良い。

さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素
子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光デバ
イス６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されて
おり、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材で充填される場
合もある。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥材を設けることで水分の影響による劣
化を抑制することができ、好ましい構成である。

なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また
、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、
封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ Ｒ
ｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエス
テルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

図２には示されていないが、陰極上に保護膜を設けても良い。保護膜は有機樹脂膜や無機
絶縁膜で形成すればよい。また、シール材６０５の露出した部分を覆うように、保護膜が
形成されていても良い。また、保護膜は、一対の基板の表面及び側面、封止層、絶縁層、
等の露出した側面を覆って設けることができる。

保護膜には、水などの不純物を透過しにくい材料を用いることができる。したがって、水
などの不純物が外部から内部に拡散することを効果的に抑制することができる。

保護膜を構成する材料としては、酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物、三元化合物、金属
またはポリマー等を用いることができ、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハ
フニウムシリケート、酸化ランタン、酸化珪素、チタン酸ストロンチウム、酸化タンタル
、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イットリウム
、酸化セリウム、酸化スカンジウム、酸化エルビウム、酸化バナジウムまたは酸化インジ
ウム等を含む材料や、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化珪素、窒化タンタル、窒
化チタン、窒化ニオブ、窒化モリブデン、窒化ジルコニウムまたは窒化ガリウム等を含む
材料、チタンおよびアルミニウムを含む窒化物、チタンおよびアルミニウムを含む酸化物
、アルミニウムおよび亜鉛を含む酸化物、マンガンおよび亜鉛を含む硫化物、セリウムお
よびストロンチウムを含む硫化物、エルビウムおよびアルミニウムを含む酸化物、イット
リウムおよびジルコニウムを含む酸化物等を含む材料を用いることができる。

保護膜は、段差被覆性（ステップカバレッジ）の良好な成膜方法を用いて形成することが
好ましい。このような手法の一つに、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法がある。ＡＬＤ法を用いて形成することができる材料を、保護
膜に用いることが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで緻密な、クラックやピンホールなど
の欠陥が低減された、または均一な厚さを備える保護膜を形成することができる。また、
保護膜を形成する際に加工部材に与える損傷を、低減することができる。

例えばＡＬＤ法を用いて保護膜を形成することで、複雑な凹凸形状を有する表面や、タッ
チパネルの上面、側面及び裏面にまで均一で欠陥の少ない保護膜を形成することができる
。

以上のようにして、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いて作製
された発光装置を得ることができる。

本実施の形態における発光装置は、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイ
スを用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実
施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスは寿命の長い発光デバイスであるた
め、信頼性の良好な発光装置とすることができる。また、実施の形態１および実施の形態
２に記載の発光デバイスを用いた発光装置は発光効率が良好なため、消費電力の小さい発
光装置とすることが可能である。

図３には白色発光を呈する発光デバイスを形成し、着色層（カラーフィルタ）等を設ける
ことによってフルカラー化した発光装置の例を示す。図３（Ａ）には基板１００１、下地
絶縁膜１００２、ゲート絶縁膜１００３、ゲート電極１００６、１００７、１００８、第
１の層間絶縁膜１０２０、第２の層間絶縁膜１０２１、周辺部１０４２、画素部１０４０
、駆動回路部１０４１、発光デバイスの陽極１０２４Ｗ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０
２４Ｂ、隔壁１０２５、ＥＬ層１０２８、発光デバイスの陰極１０２９、封止基板１０３
１、シール材１０３２などが図示されている。

また、図３（Ａ）では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色
の着色層１０３４Ｂ）は透明な基材１０３３に設けている。また、ブラックマトリクス１
０３５をさらに設けても良い。着色層及びブラックマトリクスが設けられた透明な基材１
０３３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、着色層、及びブラックマトリ
クス１０３５は、オーバーコート層１０３６で覆われている。また、図３（Ａ）において
は、光が着色層を透過せずに外部へと出る発光層と、各色の着色層を透過して外部に光が
出る発光層とがあり、着色層を透過しない光は白、着色層を透過する光は赤、緑、青とな
ることから、４色の画素で映像を表現することができる。

図３（Ｂ）では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色
層１０３４Ｂ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁膜１０２０との間に形成する例
を示した。このように、着色層は基板１００１と封止基板１０３１の間に設けられていて
も良い。

また、以上に説明した発光装置では、ＦＥＴが形成されている基板１００１側に光を取り
出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としたが、封止基板１０３１側に発光を取
り出す構造（トップエミッション型）の発光装置としても良い。トップエミッション型の
発光装置の断面図を図４に示す。この場合、基板１００１は光を通さない基板を用いるこ
とができる。ＦＥＴと発光デバイスの陽極とを接続する接続電極を作製するまでは、ボト
ムエミッション型の発光装置と同様に形成する。その後、第３の層間絶縁膜１０３７を電
極１０２２を覆って形成する。この絶縁膜は平坦化の役割を担っていても良い。第３の層
間絶縁膜１０３７は第２の層間絶縁膜と同様の材料の他、他の公知の材料を用いて形成す
ることができる。

発光デバイスの陽極１０２４Ｗ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂはここでは陽極で
あるが、陰極として形成しても構わない。また、図４のようなトップエミッション型の発
光装置である場合、陽極を反射電極とすることが好ましい。ＥＬ層１０２８の構成は、実
施の形態１および実施の形態２においてＥＬ層１０３として説明したような構成とし、且
つ、白色の発光が得られるような素子構造とする。

図４のようなトップエミッションの構造では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着
色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）を設けた封止基板１０３１で封止を行うこと
ができる。封止基板１０３１には画素と画素との間に位置するようにブラックマトリクス
１０３５を設けても良い。着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、
青色の着色層１０３４Ｂ）やブラックマトリックスはオーバーコート層１０３６によって
覆われていても良い。なお封止基板１０３１は透光性を有する基板を用いることとする。
また、ここでは赤、緑、青、白の４色でフルカラー表示を行う例を示したが特に限定され
ず、赤、黄、緑、青の４色や赤、緑、青の３色でフルカラー表示を行ってもよい。

トップエミッション型の発光装置では、マイクロキャビティ構造の適用が好適に行える。
マイクロキャビティ構造を有する発光デバイスは、陽極を反射電極、陰極を半透過・半反
射電極とすることにより得られる。反射電極と半透過・半反射電極との間には少なくとも
ＥＬ層を有し、少なくとも発光領域となる発光層を有している。

なお、反射電極は、可視光の反射率が４０％乃至１００％、好ましくは７０％乃至１００
％であり、かつその抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・
半反射電極は、可視光の反射率が２０％乃至８０％、好ましくは４０％乃至７０％であり
、かつその抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。

ＥＬ層に含まれる発光層から射出される発光は、反射電極と半透過・半反射電極とによっ
て反射され、共振する。

当該発光デバイスは、透明導電膜や上述の複合材料、キャリア輸送材料などの厚みを変え
ることで反射電極と半透過・半反射電極の間の光学的距離を変えることができる。これに
より、反射電極と半透過・半反射電極との間において、共振する波長の光を強め、共振し
ない波長の光を減衰させることができる。

なお、反射電極によって反射されて戻ってきた光（第１の反射光）は、発光層から半透過
・半反射電極に直接入射する光（第１の入射光）と大きな干渉を起こすため、反射電極と
発光層の光学的距離を（２ｎ−１）λ／４（ただし、ｎは１以上の自然数、λは増幅した
い発光の波長）に調節することが好ましい。当該光学的距離を調節することにより、第１
の反射光と第１の入射光との位相を合わせ発光層からの発光をより増幅させることができ
る。

なお、上記構成においては、ＥＬ層に複数の発光層を有する構造であっても、単一の発光
層を有する構造であっても良く、例えば、上述のタンデム型発光デバイスの構成と組み合
わせて、一つの発光デバイスに電荷発生層を挟んで複数のＥＬ層を設け、それぞれのＥＬ
層に単数もしくは複数の発光層を形成する構成に適用してもよい。

マイクロキャビティ構造を有することで、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが
可能となるため、低消費電力化を図ることができる。なお、赤、黄、緑、青の４色の副画
素で映像を表示する発光装置の場合、黄色発光による輝度向上効果のうえ、全副画素にお
いて各色の波長に合わせたマイクロキャビティ構造を適用できるため良好な特性の発光装
置とすることができる。

本実施の形態における発光装置は、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイ
スを用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実
施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスは寿命の長い発光デバイスであるた
め、信頼性の良好な発光装置とすることができる。また、実施の形態１および実施の形態
２に記載の発光デバイスを用いた発光装置は発光効率が良好なため、消費電力の小さい発
光装置とすることが可能である。

ここまでは、アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、以下からはパッシ
ブマトリクス型の発光装置について説明する。図５には本発明を適用して作製したパッシ
ブマトリクス型の発光装置を示す。なお、図５（Ａ）は、発光装置を示す斜視図、図５（
Ｂ）は図５（Ａ）をＸ−Ｙで切断した断面図である。図５において、基板９５１上には、
電極９５２と電極９５６との間にはＥＬ層９５５が設けられている。電極９５２の端部は
絶縁層９５３で覆われている。そして、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられてい
る。隔壁層９５４の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間
隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台
形状であり、底辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接する辺
）の方が上辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接しない辺）
よりも短い。このように、隔壁層９５４を設けることで、静電気等に起因した発光デバイ
スの不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、実施
の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いており、信頼性の良好な発光装
置、又は消費電力の小さい発光装置とすることができる。

以上、説明した発光装置は、マトリクス状に配置された多数の微小な発光デバイスをそれ
ぞれ制御することが可能であるため、画像の表現を行う表示装置として好適に利用できる
発光装置である。

また、本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを照明装置と
して用いる例を図６を参照しながら説明する。図６（Ｂ）は照明装置の上面図、図６（Ａ
）は図６（Ｂ）におけるｅ−ｆ断面図である。

本実施の形態における照明装置は、支持体である透光性を有する基板４００上に、陽極４
０１が形成されている。陽極４０１は実施の形態２における陽極１０１に相当する。陽極
４０１側から発光を取り出す場合、陽極４０１は透光性を有する材料により形成する。

陰極４０４に電圧を供給するためのパッド４１２が基板４００上に形成される。

陽極４０１上にはＥＬ層４０３が形成されている。ＥＬ層４０３は実施の形態１および実
施の形態２におけるＥＬ層１０３の構成、又は発光ユニット５１１、５１２及び電荷発生
層５１３を合わせた構成などに相当する。なお、これらの構成については当該記載を参照
されたい。

ＥＬ層４０３を覆って陰極４０４を形成する。陰極４０４は実施の形態２における陰極１
０２に相当する。発光を陽極４０１側から取り出す場合、陰極４０４は反射率の高い材料
によって形成される。陰極４０４はパッド４１２と接続することによって、電圧が供給さ
れる。

以上、陽極４０１、ＥＬ層４０３、及び陰極４０４を有する発光デバイスを本実施の形態
で示す照明装置は有している。当該発光デバイスは発光効率の高い発光デバイスであるた
め、本実施の形態における照明装置は消費電力の小さい照明装置とすることができる。

以上の構成を有する発光デバイスが形成された基板４００と、封止基板４０７とをシール
材４０５、４０６を用いて固着し、封止することによって照明装置が完成する。シール材
４０５、４０６はどちらか一方でもかまわない。また、内側のシール材４０６（図６（Ｂ
）では図示せず）には乾燥剤を混ぜることもでき、これにより、水分を吸着することがで
き、信頼性の向上につながる。

また、パッド４１２と陽極４０１の一部をシール材４０５、４０６の外に伸張して設ける
ことによって、外部入力端子とすることができる。また、その上にコンバーターなどを搭
載したＩＣチップ４２０などを設けても良い。

以上、本実施の形態に記載の照明装置は、ＥＬ素子に実施の形態１および実施の形態２に
記載の発光デバイスを用いており、信頼性の良好な発光装置とすることができる。また、
消費電力の小さい発光装置とすることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスをその一部に
含む電子機器の例について説明する。実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバ
イスは寿命が良好であり、信頼性の良好な発光デバイスである。その結果、本実施の形態
に記載の電子機器は、信頼性の良好な発光部を有する電子機器とすることが可能である。

上記発光デバイスを適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、また
はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジ
タルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置とも
いう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機
などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を以下に示す。

図７（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置は、筐体７１０
１に表示部７１０３が組み込まれている。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体
７１０１を支持した構成を示している。表示部７１０３により、映像を表示することが可
能であり、表示部７１０３は、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを
マトリクス状に配列して構成されている。

テレビジョン装置の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作
機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９
により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を
操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０
から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。

なお、テレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般
のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信
ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者
と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図７（Ｂ１）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キ
ーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む
。なお、このコンピュータは、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを
マトリクス状に配列して表示部７２０３に用いることにより作製される。図７（Ｂ１）の
コンピュータは、図７（Ｂ２）のような形態であっても良い。図７（Ｂ２）のコンピュー
タは、キーボード７２０４、ポインティングデバイス７２０６の代わりに第２の表示部７
２１０が設けられている。第２の表示部７２１０はタッチパネル式となっており、第２の
表示部７２１０に表示された入力用の表示を指や専用のペンで操作することによって入力
を行うことができる。また、第２の表示部７２１０は入力用表示だけでなく、その他の画
像を表示することも可能である。また表示部７２０３もタッチパネルであっても良い。二
つの画面がヒンジで接続されていることによって、収納や運搬をする際に画面を傷つける
、破損するなどのトラブルの発生も防止することができる。

図７（Ｃ）は、携帯端末の一例を示している。携帯電話機は、筐体７４０１に組み込まれ
た表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０
５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機は、実施の形態１および実施の
形態２に記載の発光デバイスをマトリクス状に配列して作製された表示部７４０２を有し
ている。

図７（Ｃ）に示す携帯端末は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力する
ことができる構成とすることもできる。この場合、電話を掛ける、或いはメールを作成す
るなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。

表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表
示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示
モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。

例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。

また、携帯端末内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出
装置を設けることで、携帯端末の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表
示を自動的に切り替えるようにすることができる。

また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作
ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。

また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示
部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。

表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４
０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光
源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。

なお、本実施の形態に示す構成は、実施の形態１乃至実施の形態４に示した構成を適宜組
み合わせて用いることができる。

以上の様に実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを備えた発光装置の適
用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能であ
る。実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いることにより信頼性の
高い電子機器を得ることができる。

図８（Ａ）は、掃除ロボットの一例を示す模式図である。

掃除ロボット５１００は、上面に配置されたディスプレイ５１０１、側面に配置された複
数のカメラ５１０２、ブラシ５１０３、操作ボタン５１０４を有する。また図示されてい
ないが、掃除ロボット５１００の下面には、タイヤ、吸い込み口等が備えられている。掃
除ロボット５１００は、その他に赤外線センサ、超音波センサ、加速度センサ、ピエゾセ
ンサ、光センサ、ジャイロセンサなどの各種センサを備えている。また、掃除ロボット５
１００は、無線による通信手段を備えている。

掃除ロボット５１００は自走し、ゴミ５１２０を検知し、下面に設けられた吸い込み口か
らゴミを吸引することができる。

また、掃除ロボット５１００はカメラ５１０２が撮影した画像を解析し、壁、家具または
段差などの障害物の有無を判断することができる。また、画像解析により、配線などブラ
シ５１０３に絡まりそうな物体を検知した場合は、ブラシ５１０３の回転を止めることが
できる。

ディスプレイ５１０１には、バッテリーの残量や、吸引したゴミの量などを表示すること
ができる。掃除ロボット５１００が走行した経路をディスプレイ５１０１に表示させても
よい。また、ディスプレイ５１０１をタッチパネルとし、操作ボタン５１０４をディスプ
レイ５１０１に設けてもよい。

掃除ロボット５１００は、スマートフォンなどの携帯電子機器５１４０と通信することが
できる。カメラ５１０２が撮影した画像は、携帯電子機器５１４０に表示させることがで
きる。そのため、掃除ロボット５１００の持ち主は、外出先からでも、部屋の様子を知る
ことができる。また、ディスプレイ５１０１の表示をスマートフォンなどの携帯電子機器
５１４０で確認することもできる。

本発明の一態様の発光装置はディスプレイ５１０１に用いることができる。

図８（Ｂ）に示すロボット２１００は、演算装置２１１０、照度センサ２１０１、マイク
ロフォン２１０２、上部カメラ２１０３、スピーカ２１０４、ディスプレイ２１０５、下
部カメラ２１０６、障害物センサ２１０７および移動機構２１０８を備える。

マイクロフォン２１０２は、使用者の話し声及び環境音等を検知する機能を有する。また
、スピーカ２１０４は、音声を発する機能を有する。ロボット２１００は、マイクロフォ
ン２１０２およびスピーカ２１０４を用いて、使用者とコミュニケーションをとることが
可能である。

ディスプレイ２１０５は、種々の情報の表示を行う機能を有する。ロボット２１００は、
使用者の望みの情報をディスプレイ２１０５に表示することが可能である。ディスプレイ
２１０５は、タッチパネルを搭載していてもよい。また、ディスプレイ２１０５は取り外
しのできる情報端末であっても良く、ロボット２１００の定位置に設置することで、充電
およびデータの受け渡しを可能とする。

上部カメラ２１０３および下部カメラ２１０６は、ロボット２１００の周囲を撮像する機
能を有する。また、障害物センサ２１０７は、移動機構２１０８を用いてロボット２１０
０が前進する際の進行方向における障害物の有無を察知することができる。ロボット２１
００は、上部カメラ２１０３、下部カメラ２１０６および障害物センサ２１０７を用いて
、周囲の環境を認識し、安全に移動することが可能である。本発明の一態様の発光装置は
ディスプレイ２１０５に用いることができる。

図８（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイの一例を表す図である。ゴーグル型ディスプレイは
、例えば、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、
接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、
距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放
射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイ
クロフォン５００８、第２の表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３等を有
する。

本発明の一態様の発光装置は表示部５００１および第２の表示部５００２に用いることが
できる。

図９は、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを、照明装置である電気
スタンドに用いた例である。図９に示す電気スタンドは、筐体２００１と、光源２００２
を有し、光源２００２としては、実施の形態３に記載の照明装置を用いても良い。

図１０は、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを、室内の照明装置３
００１として用いた例である。実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスは
信頼性の高い発光デバイスであるため、信頼性の良い照明装置とすることができる。また
、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスは大面積化が可能であるため、
大面積の照明装置として用いることができる。また、実施の形態１および実施の形態２に
記載の発光デバイスは、薄型であるため、薄型化した照明装置として用いることが可能と
なる。

実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスは、自動車のフロントガラスやダ
ッシュボードにも搭載することができる。図１１に実施の形態１および実施の形態２に記
載の発光デバイスを自動車のフロントガラスやダッシュボードに用いる一態様を示す。表
示領域５２００乃至表示領域５２０３は実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デ
バイスを用いて設けられた表示領域である。

表示領域５２００と表示領域５２０１は自動車のフロントガラスに設けられた実施の形態
１および実施の形態２に記載の発光デバイスを搭載した表示装置である。実施の形態１お
よび実施の形態２に記載の発光デバイスは、陽極と陰極を透光性を有する電極で作製する
ことによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることが
できる。シースルー状態の表示であれば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、
視界の妨げになることなく設置することができる。なお、駆動のためのトランジスタなど
を設ける場合には、有機半導体材料による有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたト
ランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いると良い。

表示領域５２０２はピラー部分に設けられた実施の形態１および実施の形態２に記載の発
光デバイスを搭載した表示装置である。表示領域５２０２には、車体に設けられた撮像手
段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。
また、同様に、ダッシュボード部分に設けられた表示領域５２０３は車体によって遮られ
た視界を、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角
を補い、安全性を高めることができる。見えない部分を補完するように映像を映すことに
よって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。

表示領域５２０３はまたナビゲーション情報、速度計や回転計、走行距離、燃料計、ギア
状態、エアコンの設定などを表示することで様々な情報を提供することができる。表示は
使用者の好みに合わせて適宜その表示項目やレイアウトを変更することができる。なお、
これら情報は表示領域５２００乃至表示領域５２０３にも設けることができる。また、表
示領域５２００乃至表示領域５２０３は照明装置として用いることも可能である。

また、図１２（Ａ）、（Ｂ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末５１５０を示す。折りた
たみ可能な携帯情報端末５１５０は筐体５１５１、表示領域５１５２および屈曲部５１５
３を有している。図１２（Ａ）に展開した状態の携帯情報端末５１５０を示す。図１２（
Ｂ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末５１５０を示す。携帯情報端末５１５０は、大き
な表示領域５１５２を有するにも関わらず、折りたためばコンパクトで可搬性に優れる。

表示領域５１５２は屈曲部５１５３により半分に折りたたむことができる。屈曲部５１５
３は伸縮可能な部材と複数の支持部材とで構成されており、折りたたむ場合は、伸縮可能
な部材が伸び、屈曲部５１５３は２ｍｍ以上、好ましくは３ｍｍ以上の曲率半径を有して
折りたたまれる。

なお、表示領域５１５２は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力
装置）であってもよい。本発明の一態様の発光装置を表示領域５１５２に用いることがで
きる。

また、図１３（Ａ）〜（Ｃ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末９３１０を示す。図１３
（Ａ）に展開した状態の携帯情報端末９３１０を示す。図１３（Ｂ）に展開した状態又は
折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末９３１０を示す。
図１３（Ｃ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０を示す。携帯情報端末９３１０
は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域
により表示の一覧性に優れる。

表示パネル９３１１はヒンジ９３１３によって連結された３つの筐体９３１５に支持され
ている。なお、表示パネル９３１１は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネ
ル（入出力装置）であってもよい。また、表示パネル９３１１は、ヒンジ９３１３を介し
て２つの筐体９３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末９３１０を展開した状態
から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一態様の発光装置を
表示パネル９３１１に用いることができる。

本実施例では、本発明の一態様の発光デバイス１乃至発光デバイス３と、比較例の発光デ
バイスである比較発光デバイス１および比較発光デバイス２について説明する。発光デバ
イス１乃至発光デバイス３、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２で用いた有機
化合物の構造式を以下に示す。

（発光デバイス１の作製方法）
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極１０１を形成した。なお、その膜厚は７０ｎｍとし、電極面積は２
ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２
００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度
放冷した。

次に、陽極１０１が形成された面が下方となるように、陽極１０１が形成された基板を真
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、陽極１０１上に、抵抗加熱を用いた蒸
着法により上記構造式（ｉ）で表されるＮ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９，
９−ジメチル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］
−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ（分
析工房株式会社、材料シリアル番号：１Ｓ２０１７０１２４）とを、重量比で１：０．１
（＝ＰＣＢＢｉＦ：ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ）となるように、１０ｎｍ共蒸着して正孔注入
層１１１を形成した。

次に、正孔注入層１１１上に、第１の正孔輸送層１１２−１として、ＰＣＢＢｉＦを２０
ｎｍとなるように蒸着した後、第２の正孔輸送層１１２−２として、上記構造式（ｉｉ）
で表されるＮ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−
ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）を１０ｎｍとなるように蒸着して正孔輸送
層１１２を形成した。なお、第２の正孔輸送層１１２−２は電子ブロック層としても機能
する。

続いて、上記構造式（ｉｉｉ）で表される７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル
）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）と、
上記構造式（ｉｖ）で表されるＮ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（６，Ｎ−
ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６Ｂ
ｎｆＡＰｒｎ−０３）とを、重量比１：０．０３（＝ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＢｎｆＡ
Ｐｒｎ−０３）となるように２５ｎｍ共蒸着して発光層１１３を形成した。

その後、発光層１１３上に、上記構造式（ｖ）で表される２−［３’−（ジベンゾチオフ
ェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍ
ＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）を膜厚１５ｎｍとなるように蒸着した後、上記構造式（ｖｉ）
で表される２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フ
ェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を膜厚１０ｎｍとなるように蒸着し、電子輸送層
１１４を形成した。

電子輸送層１１４を形成した後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍとなるように蒸
着して電子注入層１１５を形成し、続いてアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように
蒸着することで陰極１０２を形成して本実施例の発光デバイス１を作製した。

（発光デバイス２の作製方法）
発光デバイス２は、発光デバイス１におけるＰＣＢＢｉＦを上記構造式（ｖｉｉ）で表さ
れるＮ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）−６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］
フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）に変えた他は発光デバイス１と同様に作製し
た。

（発光デバイス３の作製方法）
発光デバイス３は発光デバイス２におけるＤＢｆＢＢ１ＴＰを上記構造式（ｖｉｉｉ）で
表される３，３’−（ナフタレン−１，４−ジイル）ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバ
ゾール）（略称：ＰＣｚＮ２）に変えた他は発光デバイス２と同様に作製した。

（比較発光デバイス１の作製方法）
比較発光デバイス１は発光デバイス１の２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩをｃｇＤＢＣｚＰＡ
に変えた他は発光デバイス１と同様に作製した。

（比較発光デバイス２の作製方法）
比較発光デバイス２は、比較発光デバイス１におけるＤＢｆＢＢ１ＴＰをＰＣｚＮ２に変
えた他は比較発光デバイス１と同様に作製した。

発光デバイス１乃至発光デバイス３、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の素
子構造を以下の表にまとめる。

また、本実施例で使用した有機化合物のＨＯＭＯ準位、ＬＵＭＯ準位および電界強度［Ｖ
／ｃｍ］の平方根が６００である時の電子移動度をまとめた表を以下に示す。

これら発光デバイスを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大気
に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封
止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、これら発光デバイスの初期特性
及び信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。

発光デバイス１乃至発光デバイス３、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の輝
度−電流密度特性を図１４に、電流効率−輝度特性を図１５に、輝度−電圧特性を図１６
に、電流−電圧特性を図１７に、外部量子効率−輝度特性を図１８に、発光スペクトルを
図１９に示す。また、各発光デバイスの１０００ｃｄ／ｍ^２付近における主要な特性を表
３に示す。

図１４乃至図１９及び表３より、本発明の一態様である発光デバイス１乃至発光デバイス
３はいずれも、特性の良好な青色発光デバイスであることがわかった。

また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動時間に対する輝度の変化を表すグラフを図
２０に示す。図２０で示すように、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス１
は、３００時間経過時点での輝度が初期輝度の８６％以上、発光素子２および発光素子３
は９０％以上を保っており、駆動時間の蓄積に伴う輝度低下が小さく、寿命の良好な発光
デバイスであることがわかった。

一方で、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００である時の電子移動度が７．７×１０^−
５ｃｍ^２／Ｖｓと高い材料であるｃｇＤＢＣｚＰＡを電子輸送層に用いた比較発光素子は
３００時間経過時点での輝度が比較発光素子１で初期輝度の８４％以下、比較発光素子２
で８０％以下となっている。これら比較発光素子は、正孔注入、輸送層の正孔注入、輸送
能力と比較して、電子輸送層の電子移動度が高すぎることから発光層における発光領域が
狭くなってしまうために、劣化が促進されていると考えられる。

また、比較発光素子はｃｇＤＢＣｚＰＡが第６の有機化合物と第７の有機化合物に相当す
るため、第６の有機化合物と第７の有機化合物のＬＵＭＯ準位に差が無い構成となってい
る。このため、より発光層１１３に電子が注入されやすい構成となっており、電子過多の
状態が形成されやすい構成となっている。

さらに、比較発光素子２では電子輸送層の輸送性が高いことに加え、第１の正孔輸送層に
用いられた有機化合物であるＰＣＢＢｉＦのＨＯＭＯ準位と第２の正孔輸送層に用いられ
たＰＣｚＮ２のＨＯＭＯ準位との差が０．３６ｅＶと、０．２ｅＶよりも大きい構成とな
っている。このため、比較発光素子２は第１の正孔輸送層から第２の正孔輸送層への正孔
の注入が抑制され、さらに正孔と電子とのバランスが取り難くなることで、これら素子の
中では最も劣化の大きい発光素子となっている。また、他の発光素子と比較して比較発光
素子２は電流効率や外部量子効率も低くなっていることから、電子過多により再結合する
ことなく発光層を抜けてしまう電子も増加していると考えられる。

本実施例では、本発明の一態様の発光デバイス４乃至発光デバイス６と、比較例の発光デ
バイスである比較発光デバイス３について説明する。発光デバイス４乃至発光デバイス６
、比較発光デバイス３で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。

（発光デバイス４の作製方法）
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極１０１を形成した。なお、その膜厚は７０ｎｍとし、電極面積は２
ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２
００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度
放冷した。

次に、陽極１０１が形成された面が下方となるように、陽極１０１が形成された基板を真
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、陽極１０１上に、抵抗加熱を用いた蒸
着法により上記構造式（ｉ）で表されるＮ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９，
９−ジメチル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］
−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ（分
析工房株式会社、材料シリアル番号：１Ｓ２０１７０１２４）とを、重量比で１：０．１
（＝ＰＣＢＢｉＦ：ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ）となるように、１０ｎｍ共蒸着して正孔注入
層１１１を形成した。

次に、正孔注入層１１１上に、第１の正孔輸送層１１２−１として、ＰＣＢＢｉＦを２０
ｎｍとなるように蒸着した後、第２の正孔輸送層１１２−２として、上記構造式（ｉｉ）
で表されるＮ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−
ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）を１０ｎｍとなるように蒸着して正孔輸送
層１１２を形成した。なお、第２の正孔輸送層１１２−２は電子ブロック層としても機能
する。

続いて、上記構造式（ｉｘ）で表される９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフ
チル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）と、上記構造式（ｉｖ）
で表されるＮ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［
ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３
）とを、重量比１：０．０３（＝αＮ−βＮＰＡｎｔｈ：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３）
となるように２５ｎｍ共蒸着して発光層１１３を形成した。

その後、発光層１１３上に、上記構造式（ｖ）で表される２−［３’−（ジベンゾチオフ
ェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍ
ＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）を膜厚１５ｎｍとなるように蒸着した後、上記構造式（ｖｉ）
で表される２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フ
ェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を膜厚１０ｎｍとなるように蒸着し、電子輸送層
１１４を形成した。

電子輸送層１１４を形成した後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍとなるように蒸
着して電子注入層１１５を形成し、続いてアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように
蒸着することで陰極１０２を形成して本実施例の発光デバイス４を作製した。

（発光デバイス５の作製方法）
発光デバイス５は、発光デバイス４におけるＰＣＢＢｉＦを上記構造式（ｖｉｉ）で表さ
れるＮ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）−６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］
フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）に変えた他は発光デバイス４と同様に作製し
た。

（発光デバイス６の作製方法）
発光デバイス６は発光デバイス５におけるＤＢｆＢＢ１ＴＰを上記構造式（ｖｉｉｉ）で
表される３，３’−（ナフタレン−１，４−ジイル）ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバ
ゾール）（略称：ＰＣｚＮ２）に変えた他は発光デバイス５と同様に作製した。

（比較発光デバイス３の作製方法）
比較発光デバイス３は発光デバイス４の２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩをαＮ−βＮＰＡｎ
ｔｈに変えた他は発光デバイス４と同様に作製した。

発光デバイス４乃至発光デバイス６、比較発光デバイス３の素子構造を以下の表にまとめ
る。

ここで、本実施例で使用した有機化合物のＨＯＭＯ準位、ＬＵＭＯ準位および電界強度［
Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００である時の電子移動度をまとめた表を以下に示す。

これら発光デバイスを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大気
に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封
止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、これら発光デバイスの初期特性
及び信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。

発光デバイス４乃至発光デバイス６、比較発光デバイス３の輝度−電流密度特性を図２１
に、電流効率−輝度特性を図２２に、輝度−電圧特性を図２３に、電流−電圧特性を図２
４に、外部量子効率−輝度特性を図２５に、発光スペクトルを図２６に示す。また、各発
光デバイスの１０００ｃｄ／ｍ^２付近における主要な特性を表６に示す。

図２１乃至図２６及び表６より、本発明の一態様である発光デバイス４乃至発光デバイス
６はいずれも、特性の良好な青色発光デバイスであることがわかった。

また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動時間に対する輝度の変化を表すグラフを図
２７に示す。図２７で示すように、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス４
乃至発光デバイス６は、３００時間経過時点でも初期輝度の９４％程度を保っており、駆
動時間の蓄積に伴う輝度低下が小さく、寿命の良好な発光デバイスであることがわかった
。

比較発光素子３はαＮ−βＮＰＡｎｔｈが第６の有機化合物と第７の有機化合物の両方に
相当するため、第６の有機化合物と第７の有機化合物のＬＵＭＯ準位に差が無い構成とな
っている。このため、より発光層１１３に電子が注入されやすい構成となっており、電子
過多の状態が形成されやすく、劣化が促進されてしまっていると考えられる。

本実施例では、本発明の一態様の発光デバイス７および発光デバイス８について説明する
。発光デバイス７および発光デバイス８で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。

（発光デバイス７の作製方法）
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極１０１を形成した。なお、その膜厚は７０ｎｍとし、電極面積は２
ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２
００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度
放冷した。

次に、陽極１０１が形成された面が下方となるように、陽極１０１が形成された基板を真
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、陽極１０１上に、抵抗加熱を用いた蒸
着法により上記構造式（ｖｉｉ）で表されるＮ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）−６−フェ
ニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）と、
ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ（分析工房株式会社、材料シリアル番号：１Ｓ２０１７０１２４）
とを、重量比で１：０．１（＝ＢＢＡＢｎｆ：ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ）となるように、１
０ｎｍ共蒸着して正孔注入層１１１を形成した。

次に、正孔注入層１１１上に、第１の正孔輸送層１１２−１として、ＢＢＡＢｎｆを２０
ｎｍとなるように蒸着した後、第２の正孔輸送層１１２−２として、上記構造式（ｉｉ）
で表されるＮ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−
ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）を１０ｎｍとなるように蒸着して正孔輸送
層１１２を形成した。なお、第２の正孔輸送層１１２−２は電子ブロック層としても機能
する。

続いて、上記構造式（ｉｉｉ）で表される７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル
）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）と、
上記構造式（ｘ）で表される３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール
−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフ
ラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）とを、重量比１：０．０１５（＝
ｃｇＤＢＣｚＰＡ：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）となるように２５ｎｍ共蒸
着して発光層１１３を形成した。

その後、発光層１１３上に、上記構造式（ｖ）で表される２−［３’−（ジベンゾチオフ
ェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍ
ＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）を膜厚１５ｎｍとなるように蒸着した後、上記構造式（ｖｉ）
で表される２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フ
ェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を膜厚１０ｎｍとなるように蒸着し、電子輸送層
１１４を形成した。

電子輸送層１１４を形成した後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍとなるように蒸
着して電子注入層１１５を形成し、続いてアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように
蒸着することで陰極１０２を形成して本実施例の発光デバイス７を作製した。

（発光デバイス８の作製方法）
発光デバイス８は、発光デバイス７におけるｃｇＤＢＣｚＰＡを上記構造式（ｉｘ）で表
される９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（
略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）に変えた他は発光デバイス７と同様に作製した。

発光デバイス７および発光デバイス８の素子構造を以下の表にまとめる。

ここで、本実施例で使用した有機化合物のＨＯＭＯ準位、ＬＵＭＯ準位および電界強度［
Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００である時の電子移動度をまとめた表を以下に示す。

これら発光デバイスを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大気
に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封
止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、これら発光デバイスの初期特性
及び信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。

発光デバイス７および発光デバイス８の輝度−電流密度特性を図２８に、電流効率−輝度
特性を図２９に、輝度−電圧特性を図３０に、電流−電圧特性を図３１に、外部量子効率
−輝度特性を図３２に、発光スペクトルを図３３に示す。また、各発光デバイスの１００
０ｃｄ／ｍ^２付近における主要な特性を表９に示す。

図２８乃至図３３及び表９より、本発明の一態様である発光デバイス７および発光デバイ
ス８はいずれも、特性の良好な青色発光デバイスであることがわかった。

また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動時間に対する輝度の変化を表すグラフを図
３４に示す。図３４で示すように、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス７
および発光デバイス８は、どちらも３００時間経過時点でも初期輝度の９０％以上の輝度
を保っており、駆動時間の蓄積に伴う輝度低下が小さく、寿命の良好な発光デバイスであ
ることがわかった。

本実施例では、本発明の一態様の発光デバイス９について説明する。発光デバイス９で用
いた有機化合物の構造式を以下に示す。

（発光デバイス９の作製方法）
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極１０１を形成した。なお、その膜厚は７０ｎｍとし、電極面積は２
ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２
００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度
放冷した。

次に、陽極１０１が形成された面が下方となるように、陽極１０１が形成された基板を真
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、陽極１０１上に、抵抗加熱を用いた蒸
着法により上記構造式（ｖｉｉ）で表されるＮ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）−６−フェ
ニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）と、
ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ（分析工房株式会社、材料シリアル番号：１Ｓ２０１７０１２４）
とを、重量比で１：０．１（＝ＢＢＡＢｎｆ：ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ）となるように、１
０ｎｍ共蒸着して正孔注入層１１１を形成した。

次に、正孔注入層１１１上に、第１の正孔輸送層１１２−１として、ＢＢＡＢｎｆを２０
ｎｍとなるように蒸着した後、第２の正孔輸送層１１２−２として、上記構造式（ｖｉｉ
ｉ）で表される３，３’−（ナフタレン−１，４−ジイル）ビス（９−フェニル−９Ｈ−
カルバゾール）（略称：ＰＣｚＮ２）を１０ｎｍとなるように蒸着して正孔輸送層１１２
を形成した。なお、第２の正孔輸送層１１２−２は電子ブロック層としても機能する。

続いて、上記構造式（ｉｘ）で表される９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフ
チル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）と上記構造式（ｘ）で表
される３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０
ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）とを、重量比１：０．０１５（＝αＮ−βＮＰＡｎｔｈ
：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）となるように２５ｎｍ共蒸着して発光層１１
３を形成した。

その後、発光層１１３上に、上記構造式（ｘｉ）で表される２−｛４−［９，１０−ジ（
ナフタレン−２−イル）−２−アントリル］フェニル｝−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイ
ミダゾール（略称：ＺＡＤＮ）と上記構造式（ｘｘ）で表される８−ヒドロキシキノリナ
ト−リチウム（略称：Ｌｉｑ）とを重量比１：０．９（＝ＺＡＤＮ：Ｌｉｑ）となるよう
に２５ｎｍ共蒸着し、電子輸送層１１４を形成した。

電子輸送層１１４を形成した後、Ｌｉｑを膜厚１ｎｍとなるように蒸着して電子注入層１
１５を形成し、続いてアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで陰極
１０２を形成して本実施例の発光デバイス９を作製した。

発光デバイス９の素子構造を以下の表にまとめる。

ここで、本実施例で使用した有機化合物のＨＯＭＯ準位、ＬＵＭＯ準位および電界強度［
Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００である時の電子移動度をまとめた表を以下に示す。

この発光デバイスを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大気に
曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止
時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、発光デバイス９の初期特性及び信
頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。

発光デバイス９の輝度−電流密度特性を図３５に、電流効率−輝度特性を図３６に、輝度
−電圧特性を図３７に、電流−電圧特性を図３８に、外部量子効率−輝度特性を図３９に
、発光スペクトルを図４０に示す。また、発光デバイスの１０００ｃｄ／ｍ^２付近におけ
る主要な特性を表１２に示す。

図３５乃至図４０及び表１２より、本発明の一態様である発光デバイス９は、特性の良好
な青色発光デバイスであることがわかった。

また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動時間に対する輝度の変化を表すグラフを図
４１に示す。図４１で示すように、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス９
は、６００時間経過時点でも初期輝度の９０％付近の輝度を保っており、駆動時間の蓄積
に伴う輝度低下が特に小さく、非常に寿命の良好な発光デバイスであることがわかった。

なお、発光素子９の劣化曲線は、一度輝度低下を起こしてから輝度の上昇が起こっている
ことがわかる。このような劣化の挙動をしていることにより、発光素子９は非常に寿命の
長い発光素子となっている。

本実施例では、本発明の一態様の発光デバイス１０について説明する。発光デバイス１０
で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。

（発光デバイス１０の作製方法）
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極１０１を形成した。なお、その膜厚は７０ｎｍとし、電極面積は２
ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２
００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度
放冷した。

次に、陽極１０１が形成された面が下方となるように、陽極１０１が形成された基板を真
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、陽極１０１上に、抵抗加熱を用いた蒸
着法により上記構造式（ｉ）で表されるＮ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９，
９−ジメチル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］
−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ（分
析工房株式会社、材料シリアル番号：１Ｓ２０１７０１２４）とを、重量比で１：０．１
（＝ＰＣＢＢｉＦ：ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ）となるように、１０ｎｍ共蒸着して正孔注入
層１１１を形成した。

次に、正孔注入層１１１上に、第１の正孔輸送層１１２−１として、ＰＣＢＢｉＦを２０
ｎｍとなるように蒸着した後、第２の正孔輸送層１１２−２として、上記構造式（ｉｉ）
で表されるＮ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−
ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）を１０ｎｍとなるように蒸着して正孔輸送
層１１２を形成した。なお、第２の正孔輸送層１１２−２は電子ブロック層としても機能
する。

続いて、上記構造式（ｉｘ）で表される９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフ
チル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）と、上記構造式（ｘ）で
表される３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−
フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１
０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）とを、重量比１：０．０１５（＝αＮ−βＮＰＡｎｔ
ｈ：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）となるように２５ｎｍ共蒸着して発光層１
１３を形成した。

その後、発光層１１３上に、上記構造式（ｖ）で表される２−［３’−（ジベンゾチオフ
ェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍ
ＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）を膜厚１５ｎｍとなるように蒸着した後、上記構造式（ｖｉ）
で表される２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フ
ェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を膜厚１０ｎｍとなるように蒸着し、電子輸送層
１１４を形成した。

電子輸送層１１４を形成した後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍとなるように蒸
着して電子注入層１１５を形成し、続いてアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように
蒸着することで陰極１０２を形成して本実施例の発光デバイス１０を作製した。

発光デバイス１０の素子構造を以下の表にまとめる。

また、本実施例で使用した有機化合物のＨＯＭＯ準位、ＬＵＭＯ準位および電界強度［Ｖ
／ｃｍ］の平方根が６００である時の電子移動度をまとめた表を以下に示す。

この発光デバイスを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大気に
曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止
時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、発光デバイス１０の初期特性及び
信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。

発光デバイス１０の輝度−電流密度特性を図４７に、電流効率−輝度特性を図４８に、輝
度−電圧特性を図４９に、電流−電圧特性を図５０に、外部量子効率−輝度特性を図５１
に、発光スペクトルを図５２に示す。また、発光デバイスの１０００ｃｄ／ｍ^２付近にお
ける主要な特性を表１５に示す。

図４７乃至図５２及び表１５より、本発明の一態様である発光デバイス１０は特性の良好
な青色発光デバイスであることがわかった。

また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動時間に対する輝度の変化を表すグラフを図
５３に示す。図５３で示すように、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス１
０は、６００時間経過時点での輝度が初期輝度の９０％程度を保っており、駆動時間の蓄
積に伴う輝度低下が小さく、寿命の良好な発光デバイスであることがわかった。

本実施例では、本発明の一態様の発光デバイス１１について説明する。発光デバイス１１
で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。

（発光デバイス１１の作製方法）
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極１０１を形成した。なお、その膜厚は７０ｎｍとし、電極面積は２
ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２
００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度
放冷した。

次に、陽極１０１が形成された面が下方となるように、陽極１０１が形成された基板を真
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、陽極１０１上に、抵抗加熱を用いた蒸
着法により上記構造式（ｉ）で表されるＮ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９，
９−ジメチル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］
−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ（分
析工房株式会社、材料シリアル番号：１Ｓ２０１７０１２４）とを、重量比で１：０．１
（＝ＰＣＢＢｉＦ：ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ）となるように、１０ｎｍ共蒸着して正孔注入
層１１１を形成した。

次に、正孔注入層１１１上に、第１の正孔輸送層１１２−１として、ＰＣＢＢｉＦを２０
ｎｍとなるように蒸着した後、第２の正孔輸送層１１２−２として、上記構造式（ｉｉ）
で表されるＮ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−
ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）を１０ｎｍとなるように蒸着して正孔輸送
層１１２を形成した。なお、第２の正孔輸送層１１２−２は電子ブロック層としても機能
する。

続いて、上記構造式（ｉｉｉ）で表される７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル
）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）と、
上記構造式（ｘ）で表される３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール
−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフ
ラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）とを、重量比１：０．０１５（＝
ｃｇＤＢＣｚＰＡ：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）となるように２５ｎｍ共蒸
着して発光層１１３を形成した。

その後、発光層１１３上に、上記構造式（ｖ）で表される２−［３’−（ジベンゾチオフ
ェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍ
ＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）を膜厚１５ｎｍとなるように蒸着した後、上記構造式（ｖｉ）
で表される２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フ
ェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を膜厚１０ｎｍとなるように蒸着し、電子輸送層
１１４を形成した。

電子輸送層１１４を形成した後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍとなるように蒸
着して電子注入層１１５を形成し、続いてアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように
蒸着することで陰極１０２を形成して本実施例の発光デバイス１１を作製した。

発光デバイス１１の素子構造を以下の表にまとめる。

また、本実施例で使用した有機化合物のＨＯＭＯ準位、ＬＵＭＯ準位および電界強度［Ｖ
／ｃｍ］の平方根が６００である時の電子移動度をまとめた表を以下に示す。

この発光デバイスを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大気に
曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止
時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、発光デバイス１１の初期特性及び
信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。

発光デバイス１１の輝度−電流密度特性を図５４に、電流効率−輝度特性を図５５に、輝
度−電圧特性を図５６に、電流−電圧特性を図５７に、外部量子効率−輝度特性を図５８
に、発光スペクトルを図５９に示す。また、発光デバイスの１０００ｃｄ／ｍ^２付近にお
ける主要な特性を表１８に示す。

図５４乃至図５９及び表１８より、本発明の一態様である発光デバイス１１は特性の良好
な青色発光デバイスであることがわかった。

また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動時間に対する輝度の変化を表すグラフを図
６０に示す。図６０で示すように、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス１
１は、６００時間経過時点での輝度が初期輝度の８０％以上を保っており、駆動時間の蓄
積に伴う輝度低下が小さく、寿命の良好な発光デバイスであることがわかった。

本実施例では、本発明の一態様の発光デバイス１２について説明する。発光デバイス１２
で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。

（発光デバイス１２の作製方法）
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極１０１を形成した。なお、その膜厚は７０ｎｍとし、電極面積は２
ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２
００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度
放冷した。

次に、陽極１０１が形成された面が下方となるように、陽極１０１が形成された基板を真
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、陽極１０１上に、抵抗加熱を用いた蒸
着法により上記構造式（ｖｉｉ）で表されるＮ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）−６−フェ
ニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）と、
ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ（分析工房株式会社、材料シリアル番号：１Ｓ２０１７０１２４）
とを、重量比で１：０．１（＝ＢＢＡＢｎｆ：ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ）となるように、１
０ｎｍ共蒸着して正孔注入層１１１を形成した。

次に、正孔注入層１１１上に、第１の正孔輸送層１１２−１として、ＢＢＡＢｎｆを２０
ｎｍとなるように蒸着した後、第２の正孔輸送層１１２−２として、上記構造式（ｖｉｉ
ｉ）で表される３，３’−（ナフタレン−１，４−ジイル）ビス（９−フェニル−９Ｈ−
カルバゾール）（略称：ＰＣｚＮ２）を１０ｎｍとなるように蒸着して正孔輸送層１１２
を形成した。なお、第２の正孔輸送層１１２−２は電子ブロック層としても機能する。

続いて、上記構造式（ｉｘ）で表される９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフ
チル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）と上記構造式（ｘ）で表
される３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０
ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）とを、重量比１：０．０１５（＝αＮ−βＮＰＡｎｔｈ
：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）となるように２５ｎｍ共蒸着して発光層１１
３を形成した。

その後、発光層１１３上に、上記構造式（ｖ）で表される２−［３’−（ジベンゾチオフ
ェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍ
ＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）を膜厚１５ｎｍとなるように蒸着した後、上記構造式（ｖｉ）
で表される２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フ
ェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を膜厚１０ｎｍとなるように蒸着し、電子輸送層
１１４を形成した。

電子輸送層１１４を形成した後、ＬｉＦを膜厚１ｎｍとなるように蒸着して電子注入層１
１５を形成し、続いてアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで陰極
１０２を形成して本実施例の発光デバイス１２を作製した。

発光デバイス１２の素子構造を以下の表にまとめる。

ここで、本実施例で使用した有機化合物のＨＯＭＯ準位、ＬＵＭＯ準位および電界強度［
Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００である時の電子移動度をまとめた表を以下に示す。

この発光デバイスを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大気に
曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止
時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、発光デバイス１２の初期特性及び
信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。

発光デバイス１２の輝度−電流密度特性を図６１に、電流効率−輝度特性を図６２に、輝
度−電圧特性を図６３に、電流−電圧特性を図６４に、外部量子効率−輝度特性を図６５
に、発光スペクトルを図６６に示す。また、発光デバイスの１０００ｃｄ／ｍ^２付近にお
ける主要な特性を表２１に示す。

図６１乃至図６６及び表２１より、本発明の一態様である発光デバイス１２は、特性の良
好な青色発光デバイスであることがわかった。

また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動時間に対する輝度の変化を表すグラフを図
６７に示す。図６７で示すように、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス１
２は、６００時間経過時点でも初期輝度の９０％以上の輝度を保っており、駆動時間の蓄
積に伴う輝度低下が特に小さく、非常に寿命の良好な発光デバイスであることがわかった
。

本実施例では、本発明の一態様の発光デバイス１３乃至発光デバイス２０について説明す
る。発光デバイス１３乃至発光デバイス２０で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。

（発光デバイス１３の作製方法）
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極１０１を形成した。なお、その膜厚は７０ｎｍとし、電極面積は２
ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２
００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度
放冷した。

次に、陽極１０１が形成された面が下方となるように、陽極１０１が形成された基板を真
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、陽極１０１上に、抵抗加熱を用いた蒸
着法により上記構造式（ｘｉｉ）で表される４−（６；２’−ビナフチル−２−イル）−
４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）と、ＡＬＤ
−ＭＰ００１Ｑ（分析工房株式会社、材料シリアル番号：１Ｓ２０１７０１２４）とを、
重量比で１：０．１（＝ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ：ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ）となるように、１
０ｎｍ共蒸着して正孔注入層１１１を形成した。

次に、正孔注入層１１１上に、第１の正孔輸送層１１２−１として、ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ
を２０ｎｍとなるように蒸着した後、第２の正孔輸送層１１２−２として、上記構造式（
ｖｉｉｉ）で表される３，３’−（ナフタレン−１，４−ジイル）ビス（９−フェニル−
９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣｚＮ２）を１０ｎｍとなるように蒸着して正孔輸送層
１１２を形成した。なお、第２の正孔輸送層１１２−２は電子ブロック層としても機能す
る。

続いて、上記構造式（ｉｘ）で表される９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフ
チル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）と、上記構造式（ｘ）で
表される３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−
フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１
０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）とを、重量比１：０．０１５（＝αＮ−βＮＰＡｎｔ
ｈ：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）となるように２５ｎｍ共蒸着して発光層１
１３を形成した。

その後、発光層１１３上に、上記構造式（ｖ）で表される２−［３’−（ジベンゾチオフ
ェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍ
ＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）を膜厚１５ｎｍとなるように蒸着した後、上記構造式（ｖｉ）
で表される２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フ
ェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を膜厚１０ｎｍとなるように蒸着し、電子輸送層
１１４を形成した。

電子輸送層１１４を形成した後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍとなるように蒸
着して電子注入層１１５を形成し、続いてアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように
蒸着することで陰極１０２を形成して本実施例の発光デバイス１３を作製した。

（発光デバイス１４の作製方法）
発光デバイス１４は、発光デバイス１３におけるＢＢＡ（βＮ２）Ｂを上記構造式（ｘｉ
ｉｉ）で表される４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９
Ｈ−フルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＦＬＰＡＰＡ）に変えた他は発
光デバイス１３と同様に作製した。

（発光デバイス１５の作製方法）
発光デバイス１５は、発光デバイス１３におけるＢＢＡ（βＮ２）Ｂを上記構造式（ｘｉ
ｖ）で表されるＮ−（４−ビフェニル）−６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，
２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）に変えた他は発光デバイス１３と同
様に作製した。

（発光デバイス１６の作製方法）
発光デバイス１６は、発光デバイス１３におけるＢＢＡ（βＮ２）Ｂを上記構造式（ｘｖ
）で表される４−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−４
’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ｍｐＢＢＡＦＬＢｉ）に変えた他は
発光デバイス１３と同様に作製した。

（発光デバイス１７の作製方法）
発光デバイス１７は、発光デバイス１３におけるＢＢＡ（βＮ２）Ｂを上記構造式（ｘｖ
ｉ）で表されるＮ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−（１，１
’−ビフェニル−２−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（
略称：ｏＹＧＢｉＳＦ）に変えた他は発光デバイス１３と同様に作製した。

（発光デバイス１８の作製方法）
発光デバイス１８は、発光デバイス１３におけるＢＢＡ（βＮ２）Ｂを上記構造式（ｘｖ
ｉｉ）で表される４−（４−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］
−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）に変えた他は発光
デバイス１３と同様に作製した。

（発光デバイス１９の作製方法）
発光デバイス１９は、発光デバイス１３におけるＢＢＡ（βＮ２）Ｂを上記構造式（ｘｖ
ｉｉｉ）で表される４，４’−ジフェニル−４’’−（７；１’−ビナフチル−２−イル
）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ−０３）に変えた他は発光デバイス１３
と同様に作製した。

（発光デバイス２０の作製方法）
発光デバイス２０は、発光デバイス１３におけるＢＢＡ（βＮ２）Ｂを上記構造式（ｘｉ
ｘ）で表される４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−
４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＦＬＢｉ）に変えた他は発
光デバイス１３と同様に作製した。

発光デバイス１３乃至発光デバイス２０の素子構造を以下の表にまとめる。

また、本実施例で使用した有機化合物のＨＯＭＯ準位、ＬＵＭＯ準位および電界強度［Ｖ
／ｃｍ］の平方根が６００である時の電子移動度をまとめた表を以下に示す。

これら発光デバイスを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大気
に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封
止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、これら発光デバイスの初期特性
及び信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。

発光デバイス１３乃至発光デバイス２０の輝度−電流密度特性を図６８に、電流効率−輝
度特性を図６９に、輝度−電圧特性を図７０に、電流−電圧特性を図７１に、外部量子効
率−輝度特性を図７２に、発光スペクトルを図７３に示す。また、各発光デバイスの１０
００ｃｄ／ｍ^２付近における主要な特性を表２４に示す。なお、グラフ中凡例の数字は、
各発光デバイスの番号に対応している。

図６８乃至図７３及び表２４より、本発明の一態様である発光デバイス１３乃至発光デバ
イス２０はいずれも、特性の良好な青色発光デバイスであることがわかった。

また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動時間に対する輝度の変化を表すグラフを図
７４に示す。図７４で示すように、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス１
３乃至２０はいずれも、３００時間経過時点で初期輝度の９０％以上、特に発光素子１４
は９５％以上の輝度を保っており、駆動時間の蓄積に伴う輝度低下が小さく、寿命の良好
な発光デバイスであることがわかった。

＜参考例１＞
本参考例では、各実施例で用いた有機化合物のＨＯＭＯ準位、ＬＵＭＯ準位および電子移
動度の算出方法について説明する。

ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位はサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定を元に算出
することができる。

測定装置としては電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデ
ル６００Ａまたは６００Ｃ）を用いた。ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチ
ルホルムアミド（ＤＭＦ）（（株）アルドリッチ製、９９．８％、カタログ番号；２２７
０５−６）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂ
ｕ_４ＮＣｌＯ_４）（（株）東京化成製、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／
Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を２ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶
解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴ
Ｅ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐ
ｔカウンター電極（５ｃｍ））を、参照電極としてはＡｇ／Ａｇ^＋電極（ビー・エー・エ
ス（株）製、ＲＥ７非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。なお、測定は室温（２０〜
２５℃）で行った。また、ＣＶ測定時のスキャン速度は、０．１Ｖ／ｓｅｃに統一し、参
照電極に対する酸化電位Ｅａ［Ｖ］および還元電位Ｅｃ［Ｖ］を測定した。Ｅａは酸化−
還元波の中間電位とし、Ｅｃは還元−酸化波の中間電位とした。ここで、本実施例で用い
る参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、−４．９４［ｅＶ］であるこ
とが分かっているため、ＨＯＭＯ準位［ｅＶ］＝−４．９４−Ｅａ、ＬＵＭＯ準位［ｅＶ
］＝−４．９４−Ｅｃという式から、ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位をそれぞれ求める
ことができる。

電子移動度はインピーダンス分光法（Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：
ＩＳ法）により測定することが可能である。

ＥＬ材料のキャリア移動度の測定は、過渡光電流法（Ｔｉｍｅ−ｏｆ−ｆｌｉｇｈｔ：Ｔ
ＯＦ法）や空間電荷制限電流（Ｓｐａｃｅ−ｃｈａｒｇｅ−ｌｉｍｉｔｅｄ ｃｕｒｒｅ
ｎｔ：ＳＣＬＣ）のＩ−Ｖ特性から求める方法（ＳＣＬＣ法）などが古くから知られてい
る。ＴＯＦ法は実際の有機ＥＬ素子と比較してかなり厚い膜厚の試料が必要となる。ＳＣ
ＬＣ法ではキャリア移動度の電界強度依存性が得られないなどの欠点がある。ＩＳ法では
、測定に必要とする有機膜の膜厚が数百ｎｍ程度と薄いため、比較的少量のＥＬ材料でも
成膜することが可能であり、実際のＥＬ素子に近い膜厚で移動度を測定できることが特徴
であり、キャリア移動度の電界強度依存性も得ることができる。

ＩＳ法では、ＥＬ素子に微小正弦波電圧信号（Ｖ＝Ｖ_０［ｅｘｐ（ｊωｔ）］）を与え、
その応答電流信号（Ｉ＝Ｉ_０ｅｘｐ［ｊ（ωｔ＋φ）］）の電流振幅と入力信号との位相
差より、ＥＬ素子のインピーダンス（Ｚ＝Ｖ／Ｉ）を求める。高周波電圧から低周波電圧
まで変化させて素子に印加させれば、インピーダンスに寄与する様々な緩和時間を有する
成分を分離、測定することができる。

ここで、インピーダンスの逆数であるアドミタンスＹ（＝１／Ｚ）は、下記式（１）のよ
うにコンダクタンスＧとサセプタンスＢで表すことができる。

さらに、単一電荷注入（ｓｉｎｇｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ）モデルにより、それぞれ下
記式（２）および（３）を算出することができる。ここで、ｇ（式（４））は微分コンダ
クタンスである。なお、式中Ｃは静電容量（キャパシタンス）、θはωｔであり走行角、
ωは角周波数を表す。ｔは走行時間である。解析には電流の式、ポアソンの式、電流連続
の式を用い、拡散電流およびトラップ準位の存在を無視している。

静電容量の周波数特性から移動度を算出する方法が−ΔＢ法である。また、コンダクタン
スの周波数特性から移動度を算出する方法がωΔＧ法である。

実際には、まず、電子移動度を求めたい材料の電子オンリー素子を作製する。電子オンリ
ー素子とは、キャリアとして電子のみが流れるように設計された素子である。本明細書で
は、静電容量の周波数特性から移動度を算出する方法（−ΔＢ法）を説明する。用いた電
子オンリー素子の模式図を図４２に示す。

今回、測定用に作製した電子オンリー素子の構造は、図４２に示したように陽極２０１と
陰極２０２との間に第１の層２１０と第２の層２１１と第３の層２１２を有する。電子移
動度を求めたい材料は第２の層２１１の材料として用いれば良い。今回はＺＡＤＮとＬｉ
ｑの１：１（重量比）の共蒸着膜についてその電子移動度を測定した例を挙げて説明する
。具体的な構成例は以下の表にまとめた。

ＺＡＤＮとＬｉｑの共蒸着膜を第２の層２１１として作製した電子オンリー素子の電流密
度−電圧特性を図４３に示す。

インピーダンス測定は、５．０Ｖ〜９．０Ｖの範囲で直流電圧を印加しながら、交流電圧
が７０ｍＶ、周波数が１Ｈｚ〜３ＭＨｚの条件で測定を行った。ここで得られたインピー
ダンスの逆数であるアドミタンス（前述の（１）式）からキャパシタンスを算出する。印
加電圧７．０Ｖにおける算出されたキャパシタンスＣの周波数特性を図４４に示す。

キャパシタンスＣの周波数特性は、微小電圧信号により注入されたキャリアによる空間電
荷が微小交流電圧に完全には追従できず、電流に位相差が生じることにより得られる。こ
こで、膜中のキャリアの走行時間は、注入されたキャリアが対向電極に到達する時間Ｔで
定義され、以下の式（５）で表される。

負サセプタンス変化（−ΔＢ）は、静電容量変化−ΔＣに角周波数ωを乗じた値（−ωΔ
Ｃ）に対応する。その最も低周波側のピーク周波数ｆ’_ｍａｘ（＝ω_ｍａｘ／２π）と走
行時間Ｔとの間には、式（３）より、以下の式（６）の関係があることが導出される。

上記測定から算出した（すなわち直流電圧が７．０Ｖの時の）−ΔＢの周波数特性を図４
５に示す。図４５より求まる最も低周波側のピーク周波数ｆ’_ｍａｘは、図中の矢印で示
した。

以上の測定および解析から得られるｆ’_ｍａｘから、走行時間Ｔが求まるため（上記式（
６）参照）、上記式（５）より、今回で言えば直流電圧７．０Ｖにおける電子移動度を求
めることができる。同様の測定を、直流電圧５．０Ｖ〜９．０Ｖの範囲で行うことで、各
電圧（電界強度）での電子移動度が算出できるため、移動度の電界強度依存性も測定でき
る。

以上のような算出法により、各有機化合物の最終的に得られた電子移動度の電界強度依存
性を図４６に、図から読み取った電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００［Ｖ／ｃｍ］^１
／２の時の電子移動度の値を表２６にそれぞれ示す。

以上のように電子移動度を算出することが可能である。なお、詳しい測定方法に関しては
、Ｔａｋａｙｕｋｉ Ｏｋａｃｈｉ 他 ”Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ” Ｖｏｌ． ４７， Ｎｏ． １２， ２００８，
ｐｐ． ８９６５−８９７２を参照されたい。

＜参考例２＞
本参考例では、実施例で用いた有機化合物の合成方法について説明する。

≪合成例１：４−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−４
’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ｍｐＢＢＡＦＬＢｉ）の合成方法≫
ｍｐＢＢＡＦＬＢｉの構造式を以下に示す。

２００ｍＬの３口フラスコに９−（３−ブロモフェニル）−９−フェニル−９Ｈ−フルオ
レン２．０ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、２−｛４−［ジ（４−ビフェニルイル）アミノ］フェ
ニル｝−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン２．６ｇ（５．
０ｍｍｏｌ）、トリ（オルト−トリル）ホスフィン３０ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）、炭酸
カリウム２．８ｇ（２０ｍｍｏｌ）を加え、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にト
ルエン１５ｍＬ、エタノール１０ｍＬ、水１０ｍＬを加え、減圧下で攪拌する事で脱気し
た。この混合物に酢酸パラジウム（ＩＩ）１１ｍｇ（０．０５０ｍｍｏｌ）を加え、窒素
気流下、８０℃で２時間攪拌した。

撹拌後、この混合物を吸引濾過して固体を回収した。この固体を熱したトルエンに溶解し
、セライト・アルミナ・フロリジールを通して吸引濾過した。ろ液を濃縮して得られた固
体をトルエンで再結晶した所、目的物の白色固体を収量２．７ｇ、収率７４％で得た。上
記合成方法の合成スキームを以下に示す。

得られた白色固体２．６ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製
は、圧力３．５Ｐａ、アルゴン流量５．０ｍＬ／ｍｉｎの条件で、白色固体を２８０℃で
加熱して行った。昇華精製後、淡黄色固体を２．３ｇ、回収率８８％で得た。

得られた淡黄色固体の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ ＮＭＲ）による分析結果を以下に示す。
この結果から、ｍｐＢＢＡＦＬＢｉが得られたことが確認された。
^１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ，３００ＭＨｚ）：δ＝７．０６−７．４９（ｍ、２９Ｈ），７
．５９−７．６４（ｍ，８Ｈ），７．９０（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ）．

≪合成例２：４−（４−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４
’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）の合成方法≫
ＴＰＢｉＡβＮＢｉの構造式を以下に示す。

＜ステップ１：Ｎ−（１，１’−ビフェニル）−４−イル−（１，１’：４’，１’’−
ターフェニル）−４−４−アミンの合成＞
２．４ｇ（７．４ｍｍｏｌ）のＮ−（４−ブロモフェニル）−４−ビフェニルアミンと、
１．５ｇ（７．４ｍｍｏｌ）の４−ビフェニルボロン酸と、４７ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ
）のトリ（オルト−トリル）ホスフィンと、７ｍＬの炭酸カリウム水溶液（２．０ｍｏｌ
／Ｌ）と、６０ｍＬのトルエンと、２０ｍＬのエタノールを、還流管を付けた２００ｍＬ
三口フラスコに入れ、混合物の減圧脱気をした後、系内を窒素置換した。得られた混合物
に、１６ｍｇ（７４μｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を加えて３時間還流した。撹拌
後、析出した固体を吸引ろ過で回収し、得られた固体をトルエンとエタノールと水を用い
て洗浄したところ、目的物の灰色固体を２．９４ｇ、収率９９％以上で得た。ステップ１
の合成スキームを以下に示す。

＜ステップ２：２−（４−クロロ−ビフェニル−４−イル）ナフタレンの合成＞
２．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）の１−クロロ−４−ヨードベンゼンと、２．５ｇ（１０ｍｍｏ
ｌ）の４−（２−ナフチル）フェニルボロン酸と、６１ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ）のトリ
（オルト−トリル）ホスフィンと、２０ｍＬの炭酸カリウム水溶液（２．０ｍｏｌ／Ｌ）
、７０ｍＬのトルエン、３０ｍＬのエタノールを、還流管を付けた２００ｍＬ三口フラス
コに入れ、溶媒の減圧脱気をしたあとに内部を窒素置換した。６０℃に加熱した後、酢酸
パラジウム（ＩＩ）２２ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で３時間撹拌すること
で反応させた。撹拌後、析出した固体を吸引ろ過で回収し、トルエン、水、エタノールを
用いて洗浄したところ、褐色固体を２．７ｇ、収率８６％で得た。ステップ２の合成スキ
ームを以下に示す。

得られた褐色固体の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ ＮＭＲ）による分析結果を以下に示す。こ
れにより、上記合成ステップによって２−（４−クロロ−ビフェニル−４−イル）ナフタ
レンが得られたことがわかった。
^１Ｈ ＮＭＲ（ジクロロメタン−ｄ_２，５００ＭＨｚ）：δ＝８．１３（ｓ，１Ｈ），７
．９６（ｄ，Ｊ＝９．５Ｈｚ，１Ｈ），７．９４（ｄ，Ｊ＝９．５Ｈｚ，１Ｈ），７．８
９（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１Ｈ），７．８５−７．８１（ｍ，３Ｈ），７．７２（ｄ，Ｊ
＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），７．６４（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ），７．５５−７．４９（
ｍ，２Ｈ），７．４６（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ）．

＜ステップ３：４−（４−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−
４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）の合成＞
ステップ１で得られた２．９４ｇ（７．４ｍｍｏｌ）のＮ−（１，１’−ビフェニル）−
４−イル−（１，１’：４’，１’’−ターフェニル）−４−４−アミンと、ステップ２
で得られた２．３２ｇ（７．４ｍｍｏｌ）の２−（４−クロロ−ビフェニル−４−イル）
ナフタレンと、５２ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のジ−ｔｅｒｔ−ブチル（１−メチル−２
，２−ジフェニルシクロプロピル）ホスフィン（商品名：ｃＢＲＩＤＰ（登録商標））と
、１．４ｇ（１５ｍｍｏｌ）ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシドと、１４０ｍＬのキシレ
ンを、還流管を付けた２００ｍＬ三口フラスコに入れ、混合物の減圧脱気をした後、系内
を窒素置換した。得られた混合物に、４３ｍｇ（７４μｍｏｌ）のビス（ジベンジリデン
アセトン）パラジウム（０）を加え、５時間還流した。撹拌後、析出した固体を吸引ろ過
で回収し、トルエン、水、エタノールを用いて洗浄したところ、灰色固体を３．８ｇ得た
。ステップ３の合成スキームを以下に示す。

得られた３．８ｇの固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は
、アルゴンを１５ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、圧力３．８Ｐａ、３３５℃で固体を１５時
間加熱して行った。昇華精製後に目的物の淡黄色固体を２．８ｇ、回収率７４％で得た。

得られた固体の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ ＮＭＲ）による分析結果を以下に示す。これに
より、本合成例において、ＴＰＢｉＡβＮＢｉが得られたことがわかった。
^１Ｈ ＮＭＲ（クロロホルム−ｄ，５００ＭＨｚ）：δ＝８．１０（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ
，１Ｈ），７．９４（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，１Ｈ），７．９２（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１
Ｈ），７．８８（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ），７．８２−７．８０（ｍ，３Ｈ），７．
７３（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ），７．６８（ｓ，４Ｈ），７．６６（ｄ，Ｊ＝７．０
Ｈｚ，２Ｈ），７．６２−７．５８（ｍ，６Ｈ），７．５５（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ
），７．５２−７．４３（ｍ，６Ｈ），７．３６（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１Ｈ），７．３
３（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１Ｈ），７．２９−７．２７（ｍ，６Ｈ）．

≪合成例３：４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−４
’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＦＬＢｉ）の合成方法≫
ＢＢＡＦＬＢｉの構造式を以下に示す。

＜ステップ１：４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニルボロン酸の
合成＞
容量５００ｍＬの三口フラスコに、１５．８９ｇ（４０ｍｍｏｌ）の９−（４−ブロモフ
ェニル）−９−フェニル−９Ｈ−フルオレンを入れたあと、減圧することで脱気し、フラ
スコ内を窒素置換した。この容器内に脱水テトラヒドロフラン（略称：ＴＨＦ）を２００
ｍＬ加えた。この混合物を攪拌しながら約−７８℃まで冷却したのち、１．５９ｍｏｌ／
Ｌのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液３０ｍＬ（４８ｍｍｏｌ）を滴下し、−４０℃まで
昇温したのち１時間撹拌した。その後、脱水ＴＨＦを５０ｍＬ加えたあとで再び約−７８
℃まで冷却したのち、トリメチルボラートを６．４ｍＬ（５７ｍｍｏｌ）滴下した。この
混合物を室温まで昇温したのち、１６時間攪拌した。この溶液に水２５ｍＬと１規定の希
塩酸３０ｍＬを加えて攪拌した後で水層と有機層を分離し、得られた有機層を飽和重曹水
１００ｍＬで一回、飽和食塩水１００ｍＬで一回洗浄した。洗浄後、この溶液を硫酸マグ
ネシウムにて乾燥し、濃縮したのちにトルエンで再結晶を行い、白色固体を１０．１ｇ、
収率７０％で得た。ステップ１の合成スキームを以下に示す。

＜ステップ２：ＢＢＡＦＬＢｉの合成＞
容量２００ｍＬの三口フラスコに、２．５３ｇ（７ｍｍｏｌ）の４−（９−フェニル−９
Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニルボロン酸と、３．３４ｇ（７ｍｍｏｌ）の４−ブロ
モ−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミンと、２．９０ｇ（７ｍｍｏｌ）の炭酸
カリウムと７０ｍＬのトルエンと１２．５ｍＬのエタノールと１０．５ｍＬの水を入れた
。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混
合物に１５．７ｍｇ（０．０７ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）と４２．２ｍｇ（０
．０７ｍｍｏｌ）のトリス（ｏ−トリル）ホスフィンを加え、窒素気流下、８５℃で６時
間攪拌した。この混合物を室温まで放冷後、析出した固体をろ別したあと、得られた溶液
（ろ液）を水１００ｍＬで二回、飽和食塩水５０ｍＬで一回洗浄したのち、硫酸マグネシ
ウムにて水分を取り除いた。これと先程反応後に濾別した固体とあわせ、トルエンを３０
０ｍＬ加えた上で加熱をして固体を溶解させたあと、セライト／アルミナ／フロリジール
／セライトで精製を行った。得られたろ液を濃縮したあと、エタノールを加えて再結晶を
行い、白色固体を４．５４ｇ、収率８９％で得た。ステップ２の合成スキームを以下に示
す。

得られた白色固体４．３９ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精
製は、圧力３．５Ｐａ、アルゴン流量１５ｍＬ／ｍｉｎの条件において、３２０℃で加熱
して行った。昇華精製後、ＢＢＡＦＬＰの白色固体を２．７３ｇ、６２％の回収率で得た
。

得られた白色固体の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ ＮＭＲ）による分析結果を以下に示す。こ
の結果から、本合成例において、ＢＢＡＦＬＰが得られたことがわかった。^１Ｈ ＮＭＲ
（ＣＤＣｌ_３，５００ＭＨｚ）：δ＝７．１７−７．２８（ｍ，１３Ｈ），δ＝７．３１
（ｄｄ，Ｊ＝１２．６Ｈｚ，７．４Ｈｚ，４Ｈ），δ＝７．３７（ｄｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ
，１．１Ｈｚ，４Ｈ），δ＝７．４０−７．４７（ｍ，１０Ｈ），δ＝７．５１（ｄ，Ｊ
＝８．６Ｈｚ，４Ｈ）δ＝７．５８（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ）δ＝７．７８（ｄ，Ｊ
＝７．４Ｈｚ，２Ｈ）．

≪合成例４：Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−（１，１’
−ビフェニル−２−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略
称：ｏＹＧＢｉＳＦ）の合成方法≫
ｏＹＧＢｉＳＦの構造式を以下に示す。

＜ステップ１：Ｎ−（１，１’−ビフェニル−２−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−
フルオレン］−２−アミンの合成＞
１．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）の２−アミノビフェニルと、４．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）の２−
ブロモ−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］と、０．３４ｇ（０．８０ｍｍｏｌ）
の２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（略称：Ｓ−Ｐ
ｈｏｓ）と、２．０ｇ（２０ｍｍｏｌ）のｔ−ブトキシナトリウムを、冷却管と３方コッ
クと擦り栓を取り付けた２００ｍＬ３つ口フラスコへ入れ、系内を窒素置換し、５２ｍＬ
のトルエンを加えた。この混合物を減圧脱気した後系内を窒素気流下とし、この混合物を
６０℃に加熱撹拌した。系内が６０℃になってから０．２４ｇ（０．４０ｍｍｏｌ）のビ
ス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を加え、その後この混合物を８０℃で２
時間半加熱撹拌した。加熱撹拌後、析出した固体を吸引ろ過により除去し、得られたろ液
を水で３回、次いで飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後
自然ろ過し、ろ液を濃縮したところ褐色固体を３．４ｇ得た。得られた褐色固体をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（移動相はヘキサン：トルエン＝１０：１から２：１まで
グラジエントをかけた）により精製したところ、目的物の白色固体を得た。得られた固体
をトルエン＼ヘキサンで再結晶したところ、目的物の白色固体を３．７ｇ、収率７４％で
得た。ステップ１の合成スキームを以下に示す。

＜ステップ２：Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−（１，１
’−ビフェニル−２−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（
略称：ｏＹＧＢｉＳＦ）の合成＞
ステップ１で得た２．７ｇ（５．５ｍｍｏｌ）のＮ−（１，１’−ビフェニル−２−イル
）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミンと、１．８ｇ（５．５ｍｍｏ
ｌ）の９−（４−ブロモフェニル）−９Ｈ−カルバゾールと、０．１８ｇ（０．４０ｍｍ
ｏｌ）の２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（略称：
Ｓ−Ｐｈｏｓ）と、１．１ｇ（１１ｍｍｏｌ）のｔ−ブトキシナトリウムを、冷却管と３
方コックと擦り栓を取り付けた２００ｍＬ３つ口フラスコへ入れ、系内を窒素置換し、５
２ｍＬのトルエンを加えた。この混合物を減圧脱気した後系内を窒素気流下とし、この混
合物へ０．１３ｇ（０．２２ｍｍｏｌ）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（
０）を加え、その後この混合物を８０℃で加熱撹拌した。加熱撹拌後、析出した固体を吸
引ろ過により除去し、得られたろ液を水で３回、次いで飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫
酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後自然ろ過し、ろ液を濃縮したところ褐色固体を得た。
得られた褐色固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相はヘキサン：トルエン
＝１０：１から２：１までグラジエントをかけた）により精製したところ、目的物の白色
固体を得た。得られた固体をトルエン＼ヘキサンで再結晶したところ、目的物の白色固体
を３．２ｇ、収率７９％で得た。

得られた白色固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力
２．９Ｐａ、アルゴンを１５ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、白色固体３．２ｇを３１０℃で
１５時間加熱して行った。昇華精製後、目的物の無色透明立方晶を２．９ｇ、回収率９１
％で得た。ステップ２の合成スキームを以下に示す。

得られた固体の^１Ｈ−ＮＭＲ測定を行った。以下に測定結果を示す。これにより、本合成
例においてｏＹＧＢｉＳＦが得られたことがわかった。
^１Ｈ ＮＭＲ（ジクロロメタン−ｄ_２，５００ＭＨｚ）：δ＝６．２９（ｓｄ、Ｊ２＝２
．０Ｈｚ、１Ｈ）、６．５６（ｄ、Ｊ＝７．５Ｈｚ、１Ｈ）、６．６７（ｄ、Ｊ＝７．５
Ｈｚ、２Ｈ）、６．８６（ｄｔ、Ｊ１＝９．０Ｈｚ、Ｊ２＝２．０Ｈｚ、２Ｈ）、６．９
３（ｄｄ、Ｊ１＝８．３Ｈｚ、Ｊ２＝２．０Ｈｚ、１Ｈ）、７．００（ｔｄ、Ｊ１＝７．
５Ｈｚ、Ｊ２＝１．０Ｈｚ、１Ｈ）、７．０４−７．０８（ｍ、５Ｈ）、７．０８−７．
１１（ｍ、２Ｈ）、７．１４（ｔｄ、Ｊ１＝７．５Ｈｚ、Ｊ２＝１．０Ｈｚ、２Ｈ）、７
．２１−７．３１（ｍ、９Ｈ）、７．３４（ｔｄ、Ｊ１＝７．０Ｈｚ、Ｊ２＝１．５Ｈｚ
、２Ｈ）、７．３８（ｔｄ、Ｊ１＝７．５Ｈｚ、Ｊ２＝１．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．５９（
ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、１Ｈ）、７．７０（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、１Ｈ）、７．７９（ｄ、
Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、８．０９（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）。

１０１ 陽極
１０２ 陰極
１０３ ＥＬ層
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１２−１ 第１の正孔輸送層
１１２−２ 第２の正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１５ 電子注入層
１１６ 電荷発生層
１１７ Ｐ型層
１１８ 電子リレー層
１１９ 電子注入バッファ層
２０１ 陽極
２０２ 陰極
２１０ 第１の層
２１１ 第２の層
２１２ 第３の層
４００ 基板
４０１ 陽極
４０３ ＥＬ層
４０４ 陰極
４０５ シール材
４０６ シール材
４０７ 封止基板
４１２ パッド
４２０ ＩＣチップ
５０１ 陽極
５０２ 陰極
５１１ 第１の発光ユニット
５１２ 第２の発光ユニット
５１３ 電荷発生層
６０１ 駆動回路部（ソース線駆動回路）
６０２ 画素部
６０３ 駆動回路部（ゲート線駆動回路）
６０４ 封止基板
６０５ シール材
６０７ 空間
６０８ 配線
６０９ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
６１０ 素子基板
６１１ スイッチング用ＦＥＴ
６１２ 電流制御用ＦＥＴ
６１３ 陽極
６１４ 絶縁物
６１６ ＥＬ層
６１７ 陰極
６１８ 発光デバイス
９５１ 基板
９５２ 電極
９５３ 絶縁層
９５４ 隔壁層
９５５ ＥＬ層
９５６ 電極
１００１ 基板
１００２ 下地絶縁膜
１００３ ゲート絶縁膜
１００６ ゲート電極
１００７ ゲート電極
１００８ ゲート電極
１０２０ 第１の層間絶縁膜
１０２１ 第２の層間絶縁膜
１０２２ 電極
１０２４Ｗ 陽極
１０２４Ｒ 陽極
１０２４Ｇ 陽極
１０２４Ｂ 陽極
１０２５ 隔壁
１０２８ ＥＬ層
１０２９ 陰極
１０３１ 封止基板
１０３２ シール材
１０３３ 透明な基材
１０３４Ｒ 赤色の着色層
１０３４Ｇ 緑色の着色層
１０３４Ｂ 青色の着色層
１０３５ ブラックマトリクス
１０３６ オーバーコート層
１０３７ 第３の層間絶縁膜
１０４０ 画素部
１０４１ 駆動回路部
１０４２ 周辺部
２００１ 筐体
２００２ 光源
２１００ ロボット
２１１０ 演算装置
２１０１ 照度センサ
２１０２ マイクロフォン
２１０３ 上部カメラ
２１０４ スピーカ
２１０５ ディスプレイ
２１０６ 下部カメラ
２１０７ 障害物センサ
２１０８ 移動機構
３００１ 照明装置
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 第２の表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５０１２ 支持部
５０１３ イヤホン
５１００ 掃除ロボット
５１０１ ディスプレイ
５１０２ カメラ
５１０３ ブラシ
５１０４ 操作ボタン
５１５０ 携帯情報端末
５１５１ 筐体
５１５２ 表示領域
５１５３ 屈曲部
５１２０ ゴミ
５２００ 表示領域
５２０１ 表示領域
５２０２ 表示領域
５２０３ 表示領域
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７２１０ 第２の表示部
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
９３１０ 携帯情報端末
９３１１ 表示パネル
９３１３ ヒンジ
９３１５ 筐体

Claims (1)

1. 陽極と、
   陰極と、
   前記陽極と前記陰極との間に位置するＥＬ層とを有し、
   前記ＥＬ層が発光層を有する発光デバイスにおいて、
   前記発光デバイスに一定の電流を流した際に得られる発光の輝度変化で表される劣化曲線が極大値を有する発光デバイス。

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