JP7412468B2 - 発光デバイス、電子機器、発光装置及び照明装置 - Google Patents
発光デバイス、電子機器、発光装置及び照明装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7412468B2 JP7412468B2 JP2022031649A JP2022031649A JP7412468B2 JP 7412468 B2 JP7412468 B2 JP 7412468B2 JP 2022031649 A JP2022031649 A JP 2022031649A JP 2022031649 A JP2022031649 A JP 2022031649A JP 7412468 B2 JP7412468 B2 JP 7412468B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic compound
- layer
- emitting device
- light
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 391
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 156
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 108
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 90
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 74
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 23
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 20
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 claims description 17
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 14
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 150000002390 heteroarenes Chemical class 0.000 claims description 11
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 6
- HANMQAPWRSAITK-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=C(C2=CC=CC=C12)C=1C=CC=2N(C3=CC=CC=C3C=2C=1)C1=CC=CC=C1)C=1C=CC=2N(C3=CC=CC=C3C=2C=1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1(=CC=C(C2=CC=CC=C12)C=1C=CC=2N(C3=CC=CC=C3C=2C=1)C1=CC=CC=C1)C=1C=CC=2N(C3=CC=CC=C3C=2C=1)C1=CC=CC=C1 HANMQAPWRSAITK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 5
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 4
- UPWZWQGQRNPKTE-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylidenecyclopropane Chemical class C=C1C(=C)C1=C UPWZWQGQRNPKTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 claims description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 509
- 238000000034 method Methods 0.000 description 87
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 71
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 64
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 64
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 60
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 51
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 50
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 43
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 33
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 32
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 32
- 230000006870 function Effects 0.000 description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 26
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 24
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 24
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- -1 aromatic diamine compounds Chemical class 0.000 description 22
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 22
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 20
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 20
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 18
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 18
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 17
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XESMNQMWRSEIET-UHFFFAOYSA-N 2,9-dinaphthalen-2-yl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=C(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)N=C21 XESMNQMWRSEIET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 13
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 12
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 12
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 11
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 10
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002585 base Substances 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- MFWOWURWNZHYLA-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-dibenzothiophen-4-ylphenyl)phenyl]phenanthro[9,10-b]pyrazine Chemical compound C1=CC=C2C3=NC(C=4C=CC=C(C=4)C=4C=CC=C(C=4)C4=C5SC=6C(C5=CC=C4)=CC=CC=6)=CN=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 MFWOWURWNZHYLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 8
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 8
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- COIOYMYWGDAQPM-UHFFFAOYSA-N tris(2-methylphenyl)phosphane Chemical compound CC1=CC=CC=C1P(C=1C(=CC=CC=1)C)C1=CC=CC=C1C COIOYMYWGDAQPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VOZBMWWMIQGZGM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(9,10-dinaphthalen-2-ylanthracen-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC=C(C=2C=C3C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C3=CC=2)C=C1 VOZBMWWMIQGZGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IFFZVKXEHGJBIA-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-1-yl-10-(4-naphthalen-2-ylphenyl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC=C(C=C2)C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 IFFZVKXEHGJBIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 7
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 7
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical group C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 7
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 7
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 7
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 229910008449 SnF 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 229930184652 p-Terphenyl Natural products 0.000 description 5
- LXNAVEXFUKBNMK-UHFFFAOYSA-N palladium(II) acetate Substances [Pd].CC(O)=O.CC(O)=O LXNAVEXFUKBNMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 5
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 5
- AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxypent-3-en-2-one iridium Chemical compound [Ir].CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JFHIIYSJKXQYIJ-UHFFFAOYSA-N 7-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-7h-dibenzo[c,g]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(N2C3=C(C4=CC=CC=C4C=C3)C3=C4C=CC=CC4=CC=C32)C=C1 JFHIIYSJKXQYIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical class CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical class C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 4
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 4
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 4
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 4
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 4
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 4
- UKSZBOKPHAQOMP-SVLSSHOZSA-N (1e,4e)-1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one;palladium Chemical compound [Pd].C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 UKSZBOKPHAQOMP-SVLSSHOZSA-N 0.000 description 3
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical group C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 125000005331 diazinyl group Chemical group N1=NC(=CC=C1)* 0.000 description 3
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical group C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical class O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001894 space-charge-limited current method Methods 0.000 description 3
- VNFWTIYUKDMAOP-UHFFFAOYSA-N sphos Chemical group COC1=CC=CC(OC)=C1C1=CC=CC=C1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 VNFWTIYUKDMAOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- GWQSENYKCGJTRI-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-4-iodobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(I)C=C1 GWQSENYKCGJTRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZABORCXHTNWZRV-UHFFFAOYSA-N 10-[4-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl]phenoxazine Chemical compound O1C2=CC=CC=C2N(C2=CC=C(C=C2)C2=NC(=NC(=N2)C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C2)C2=C1C=CC=C2 ZABORCXHTNWZRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ASXSTQHYXCIZRV-UHFFFAOYSA-N 10-phenylspiro[acridine-9,10'-anthracene]-9'-one Chemical compound C12=CC=CC=C2C(=O)C2=CC=CC=C2C1(C1=CC=CC=C11)C2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 ASXSTQHYXCIZRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 11h-benzo[a]carbazole Chemical group C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1N2 MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RFPJVACMJSUJNI-UHFFFAOYSA-N 2-(1-chloro-4-phenylcyclohexa-2,4-dien-1-yl)naphthalene Chemical compound ClC1(CC=C(C=C1)c1ccccc1)c1ccc2ccccc2c1 RFPJVACMJSUJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGEVROQFKHXUQA-UHFFFAOYSA-N 71012-25-4 Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1N2 BGEVROQFKHXUQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OHHXJQALXCUYNH-UHFFFAOYSA-N [4-(9-phenylfluoren-9-yl)phenyl]boronic acid Chemical compound C1=CC(B(O)O)=CC=C1C1(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 OHHXJQALXCUYNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 2
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- YMWUJEATGCHHMB-DICFDUPASA-N dichloromethane-d2 Chemical compound [2H]C([2H])(Cl)Cl YMWUJEATGCHHMB-DICFDUPASA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- QMLPJDVGNRHGJQ-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl-(1-methyl-2,2-diphenylcyclopropyl)phosphane Chemical compound CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C1(C)CC1(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QMLPJDVGNRHGJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(iii) oxide Chemical compound O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- HFVIAGRBYDSJOQ-UHFFFAOYSA-N n-(4-carbazol-9-ylphenyl)-n-(2-phenylphenyl)-9,9'-spirobi[fluorene]-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C3=CC=CC=C3C2=CC=1)C1=CC=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 HFVIAGRBYDSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 125000001484 phenothiazinyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 2
- 125000001644 phenoxazinyl group Chemical group C1(=CC=CC=2OC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001296 phosphorescence spectrum Methods 0.000 description 2
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-M picolinate Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 2
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003457 sulfones Chemical group 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- FKHIFSZMMVMEQY-UHFFFAOYSA-N talc Chemical compound [Mg+2].[O-][Si]([O-])=O FKHIFSZMMVMEQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- ICQAKBYFBIWELX-UHFFFAOYSA-N (4-naphthalen-2-ylphenyl)boronic acid Chemical compound C1=CC(B(O)O)=CC=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 ICQAKBYFBIWELX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPEIJWZLPWNNOK-UHFFFAOYSA-N (4-phenylphenyl)boronic acid Chemical compound C1=CC(B(O)O)=CC=C1C1=CC=CC=C1 XPEIJWZLPWNNOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- XFDYBCQHRPMIGD-UHFFFAOYSA-N 1-N,6-N-bis(3-methylphenyl)-1-N,6-N-bis[3-(9-phenylfluoren-9-yl)phenyl]pyrene-1,6-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=C(C=CC=2)C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=C4C=CC(=C5C=CC(C3=C54)=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC=CC=2)=C1 XFDYBCQHRPMIGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPNLBJDLLBQZDZ-UHFFFAOYSA-N 1-N,6-N-diphenyl-1-N,6-N-bis[4-(9-phenylfluoren-9-yl)phenyl]pyrene-1,6-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=C3C=CC(=C4C=CC(C2=C43)=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C1(C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=C(C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC=CC=2)C=C1 IPNLBJDLLBQZDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- CYPVTICNYNXTQP-UHFFFAOYSA-N 10-[4-[4-(9,9-dimethylacridin-10-yl)phenyl]sulfonylphenyl]-9,9-dimethylacridine Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C)(C)C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(S(=O)(=O)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C(C)(C)C3=CC=CC=C32)C=C1 CYPVTICNYNXTQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAZCYXLGIFUKPS-UHFFFAOYSA-N 11-phenyl-12-[4-(11-phenylindolo[2,3-a]carbazol-12-yl)-6-(4-phenylphenyl)-1,3,5-triazin-2-yl]indolo[2,3-a]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2N=C(N=C(N=2)N2C3=C4N(C=5C=CC=CC=5)C5=CC=CC=C5C4=CC=C3C3=CC=CC=C32)N2C3=C4N(C=5C=CC=CC=5)C5=CC=CC=C5C4=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 WAZCYXLGIFUKPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical group C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVCKCEDKBVEEHL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6-pentachlorobenzyl alcohol Chemical compound OCC1=C(Cl)C(Cl)=C(Cl)C(Cl)=C1Cl RVCKCEDKBVEEHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYLCTWBSBBHPN-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]-6-pyridin-2-ylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=2C(=NC(=CC=2)C=2N=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 HQYLCTWBSBBHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZJOTDOLRQTPHC-UHFFFAOYSA-N 2-(4-carbazol-9-ylphenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)O1 IZJOTDOLRQTPHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYFMUGYMWJYDTP-UHFFFAOYSA-N 2-[2,3-bis[cyano-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)methylidene]cyclopropylidene]-2-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)acetonitrile Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1C(C#N)=C(C1=C(C#N)C=2C(=C(F)C(F)=C(F)C=2F)F)C1=C(C#N)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F PYFMUGYMWJYDTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUOSAXMWQSSMJW-UHFFFAOYSA-N 2-[2,6-bis[2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]pyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C=CC=2C=CC(=CC=2)N(C)C)O1 QUOSAXMWQSSMJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLXZUMSHKWCWPG-UHFFFAOYSA-N 2-[7-(dicyanomethylidene)-1,3,4,5,6,8,9,10-octafluoropyren-2-ylidene]propanedinitrile Chemical compound N#CC(C#N)=C1C(F)=C2C(F)=C(F)C3=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(C(F)=C4F)C3=C2C4=C1F LLXZUMSHKWCWPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONCCVJKFWKAZAE-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-9,9'-spirobi[fluorene] Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C21C1=CC=CC=C1C1=CC=C(Br)C=C12 ONCCVJKFWKAZAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWBPWBPGNQWFSJ-UHFFFAOYSA-N 2-phenylaniline Chemical group NC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 TWBPWBPGNQWFSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWHSOUPRKHXZPK-UHFFFAOYSA-N 3,6-bis(3,5-diphenylphenyl)-9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2C=C3C4=CC(=CC=C4N(C=4C=CC=CC=4)C3=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GWHSOUPRKHXZPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKAQNAJLIITRHR-UHFFFAOYSA-N 3-(3-dibenzothiophen-4-ylphenyl)phenanthro[9,10-b]pyrazine Chemical compound C1=CC=C2C3=NC(C=4C=CC=C(C=4)C4=C5SC=6C(C5=CC=C4)=CC=CC=6)=CN=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 MKAQNAJLIITRHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAJDLGKOJABKAN-UHFFFAOYSA-N 3-(4-naphthalen-1-ylphenyl)-9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(C=3C=CC(=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 WAJDLGKOJABKAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTZXDZQJFKXEGW-UHFFFAOYSA-N 3-(9,9-dimethylacridin-10-yl)xanthen-9-one Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C)(C)C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3OC2=C1 FTZXDZQJFKXEGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKTLHQFSIDFAJH-UHFFFAOYSA-N 3-(9h-carbazol-3-yl)-9-phenylcarbazole Chemical group C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(C=3C=C4C5=CC=CC=C5NC4=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 GKTLHQFSIDFAJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLDZJTIZVZFNCM-UHFFFAOYSA-J 3-[18-(2-carboxyethyl)-8,13-diethyl-3,7,12,17-tetramethylporphyrin-21,24-diid-2-yl]propanoic acid;dichlorotin(2+) Chemical compound [H+].[H+].[Cl-].[Cl-].[Sn+4].[N-]1C(C=C2C(=C(C)C(=CC=3C(=C(C)C(=C4)N=3)CC)[N-]2)CCC([O-])=O)=C(CCC([O-])=O)C(C)=C1C=C1C(C)=C(CC)C4=N1 LLDZJTIZVZFNCM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- PCUTZMWETFJZDZ-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]phenanthro[9,10-b]pyrazine Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(C=2C=CC=C(C=2)C=2N=C3C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C4C3=NC=2)=CC=C1 PCUTZMWETFJZDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3,5-bis(3-pyridin-3-ylphenyl)phenyl]phenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYYFFLQBMZRHNB-UHFFFAOYSA-N 3-[9-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)carbazol-3-yl]-9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=NC(N2C3=CC=C(C=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=C3C4=CC=CC=C4N(C=4C=CC=CC=4)C3=CC=2)=N1 KYYFFLQBMZRHNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVSJCRDHNCCXFC-UHFFFAOYSA-N 3-[9-[4-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl]carbazol-3-yl]-9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=NC(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=C(C=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=C3C4=CC=CC=C4N(C=4C=CC=CC=4)C3=CC=2)=N1 QVSJCRDHNCCXFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALEAISKRDWWJRK-UHFFFAOYSA-N 4,6-bis(3-dibenzothiophen-4-ylphenyl)pyrimidine Chemical compound C12=CC=CC=C2SC2=C1C=CC=C2C1=CC(C=2C=C(N=CN=2)C=2C=CC=C(C=2)C2=C3SC=4C(C3=CC=C2)=CC=CC=4)=CC=C1 ALEAISKRDWWJRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGVHCUNJUVMAKG-UHFFFAOYSA-N 4,6-bis(3-phenanthren-9-ylphenyl)pyrimidine Chemical compound C1=CC=C2C(C=3C=CC=C(C=3)C=3C=C(N=CN=3)C=3C=CC=C(C=3)C=3C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C4C=3)=CC3=CC=CC=C3C2=C1 DGVHCUNJUVMAKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- HGHBHXZNXIDZIZ-UHFFFAOYSA-N 4-n-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)-1-n,1-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 HGHBHXZNXIDZIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJVFZXJHZBXCJC-UHFFFAOYSA-N 4-n-[4-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)phenyl]-1-n,1-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 IJVFZXJHZBXCJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLNDKWAYVMOOFU-UHFFFAOYSA-N 4-n-[9,10-bis(2-phenylphenyl)anthracen-2-yl]-1-n,1-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLNDKWAYVMOOFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEJARLYXNFRVLK-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,3-triazole Chemical group C1C=NN=N1 AEJARLYXNFRVLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIYZNTXHGDXHQH-UHFFFAOYSA-N 5,12-diphenyl-6,11-bis(4-phenylphenyl)tetracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C3=C(C=4C=CC=CC=4)C4=CC=CC=C4C(C=4C=CC=CC=4)=C3C(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 KIYZNTXHGDXHQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYGSHIPXFUQBJO-UHFFFAOYSA-N 5-n,5-n,11-n,11-n-tetrakis(4-methylphenyl)tetracene-5,11-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C2=CC3=CC=CC=C3C(N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=C2C=C2C=CC=CC2=1)C1=CC=C(C)C=C1 TYGSHIPXFUQBJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTHBTUVMXUWUNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)phenyl]naphtho[2,1-b][1]benzofuran Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=C(C=C11)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=3OC4=CC=CC=C4C=3C3=CC=CC=C3C=2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 WTHBTUVMXUWUNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOOBIWAELCOCHK-BQYQJAHWSA-N 870075-87-9 Chemical compound O1C(C(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 UOOBIWAELCOCHK-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 1
- RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 9,10-anthraquinone Chemical group C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1 RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGFUVIXJVPZYTG-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethyl-n-[4-(9-phenylcarbazol-3-yl)phenyl]fluoren-2-amine Chemical compound C1=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=CC=C1NC(C=C1)=CC=C1C(C=C1C2=CC=CC=C22)=CC=C1N2C1=CC=CC=C1 CGFUVIXJVPZYTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUSBGJQBCNEPES-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethyl-n-phenyl-n-[4-(9-phenylcarbazol-3-yl)phenyl]fluoren-2-amine Chemical compound C1=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 QUSBGJQBCNEPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWBYEDXZPBXTFL-UHFFFAOYSA-N 9-(3-bromophenyl)-9-phenylfluorene Chemical compound BrC1=CC=CC(C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC=CC=2)=C1 LWBYEDXZPBXTFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOKRYIPMHLUQHU-UHFFFAOYSA-N 9-(4-bromophenyl)-9-phenylfluorene Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C1(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 OOKRYIPMHLUQHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSDKKRKTDZMKCH-UHFFFAOYSA-N 9-(4-bromophenyl)carbazole Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 XSDKKRKTDZMKCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMFWPCTUTSVMLQ-UHFFFAOYSA-N 9-N,9-N,21-N,21-N-tetrakis(4-methylphenyl)-4,15-diphenylheptacyclo[12.10.1.13,7.02,12.018,25.019,24.011,26]hexacosa-1,3,5,7,9,11(26),12,14,16,18(25),19(24),20,22-tridecaene-9,21-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3[C]4C5=C(C=6C=CC=CC=6)C=CC6=CC(=CC([C]56)=C4C=C4C(C=5C=CC=CC=5)=CC=C2C=34)N(C=2C=CC(C)=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 SMFWPCTUTSVMLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDHOGVHFPFGPIP-UHFFFAOYSA-N 9-[3-[5-(3-carbazol-9-ylphenyl)pyridin-3-yl]phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(C=2C=NC=C(C=2)C=2C=CC=C(C=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 VDHOGVHFPFGPIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHMSJRYEKYBHTN-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-10-[4-[4-(9-phenylfluoren-9-yl)phenyl]phenyl]anthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC=CC=2)C=C1 BHMSJRYEKYBHTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDCOSPFEMPUOFY-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-3-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=2C=C3C4=CC=CC=C4N(C=4C=CC=CC=4)C3=CC=2)C=C1 DDCOSPFEMPUOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQJUJGAVDBINPI-UHFFFAOYSA-N 9H-thioxanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3SC2=C1 PQJUJGAVDBINPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100025982 BMP/retinoic acid-inducible neural-specific protein 1 Human genes 0.000 description 1
- HKMTVMBEALTRRR-UHFFFAOYSA-N Benzo[a]fluorene Chemical group C1=CC=CC2=C3CC4=CC=CC=C4C3=CC=C21 HKMTVMBEALTRRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYNFGMXIAPFYDQ-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C(C=C1)N1C(=NN=C1C1=CC=C(C=C1)N1C2=CC=CC=C2N(C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C12)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1=CC=C(C=C1)N1C(=NN=C1C1=CC=C(C=C1)N1C2=CC=CC=C2N(C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C12)C1=CC=CC=C1 ZYNFGMXIAPFYDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZLZVPNMBKWFIT-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C(=NC(=CC=2)C=2N=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C(=NC(=CC=2)C=2N=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 SZLZVPNMBKWFIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGXBVAMMNYFGSZ-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=C1N(C1=CC=C(C2=C3SC4=C(C3=CC=C2)C=CC=C4)C=C1)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C1=CC=C(C2=C3SC4=C(C3=CC=C2)C=CC=C4)C=C1)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC=C1 WGXBVAMMNYFGSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000933342 Homo sapiens BMP/retinoic acid-inducible neural-specific protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 101000715194 Homo sapiens Cell cycle and apoptosis regulator protein 2 Proteins 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMUWJDCTOIKWNR-UHFFFAOYSA-N N-(4-naphthalen-1-ylphenyl)-N-[3-(6-phenyldibenzofuran-4-yl)phenyl]naphthalen-1-amine Chemical compound O1C2=C(C=CC=C2C2=CC=CC=C2)C2=C1C(=CC=C2)C1=CC=CC(=C1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC2=C1C=CC=C2)C1=C2C=CC=CC2=CC=C1 IMUWJDCTOIKWNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUMVABVDHWICAZ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl-N-[4-[4-[N-(9,9'-spirobi[fluorene]-2-yl)anilino]phenyl]phenyl]-9,9'-spirobi[fluorene]-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C3=CC=CC=C3C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4(C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)C4=CC=CC=C4C3=CC=2)C=C1 VUMVABVDHWICAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHXQIAWFIIMOKG-UHFFFAOYSA-N NClO Chemical compound NClO PHXQIAWFIIMOKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical group N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000543375 Sideroxylon Species 0.000 description 1
- 206010041067 Small cell lung cancer Diseases 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical class [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical class [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N Trichloro(2H)methane Chemical compound [2H]C(Cl)(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYWNGEYOXQESBM-UHFFFAOYSA-N [1]benzofuro[2,3-b]pyrazine Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3OC2=N1 HYWNGEYOXQESBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITOKSWHFPQBNSE-UHFFFAOYSA-N [1]benzofuro[3,2-d]pyrimidine Chemical group N1=CN=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 ITOKSWHFPQBNSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJHVGSLMZTVDRA-UHFFFAOYSA-N [1]benzothiolo[2,3-b]pyrazine Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3SC2=N1 BJHVGSLMZTVDRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OICJTSLHQGDCTQ-UHFFFAOYSA-N [1]benzothiolo[3,2-d]pyrimidine Chemical group N1=CN=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 OICJTSLHQGDCTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEEBMHFZRDUQFW-UHFFFAOYSA-L [Pt](Cl)Cl.C(C)C1=C(C=2C=C3C(=C(C(=CC=4C(=C(C(=CC5=C(C(=C(N5)C=C1N2)CC)CC)N4)CC)CC)N3)CC)CC)CC Chemical compound [Pt](Cl)Cl.C(C)C1=C(C=2C=C3C(=C(C(=CC=4C(=C(C(=CC5=C(C(=C(N5)C=C1N2)CC)CC)N4)CC)CC)N3)CC)CC)CC OEEBMHFZRDUQFW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FYNZMQVSXQQRNQ-UHFFFAOYSA-J [Sn](F)(F)(F)F.C(C)C1=C(C=2C=C3C(=C(C(=CC=4C(=C(C(=CC5=C(C(=C(N5)C=C1N2)CC)CC)N4)CC)CC)N3)CC)CC)CC Chemical compound [Sn](F)(F)(F)F.C(C)C1=C(C=2C=C3C(=C(C(=CC=4C(=C(C(=CC5=C(C(=C(N5)C=C1N2)CC)CC)N4)CC)CC)N3)CC)CC)CC FYNZMQVSXQQRNQ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000641 acridinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- FZEYVTFCMJSGMP-UHFFFAOYSA-N acridone Chemical group C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3NC2=C1 FZEYVTFCMJSGMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZSNNUDOANMGNX-UHFFFAOYSA-K aluminum;4-phenylphenolate Chemical compound [Al+3].C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 VZSNNUDOANMGNX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DMVOXQPQNTYEKQ-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=CC=C1 DMVOXQPQNTYEKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005578 chrysene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N coumarin 30 Chemical compound C1=CC=C2N(C)C(C=3C4=CC=C(C=C4OC(=O)C=3)N(CC)CC)=NC2=C1 JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical group O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- KZPXREABEBSAQM-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;nickel(2+) Chemical compound [Ni+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KZPXREABEBSAQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- XNKVIGSNRYAOQZ-UHFFFAOYSA-N dibenzofluorene Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C2=C1CC1=CC=CC=C12 XNKVIGSNRYAOQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKBTTXJHJNXCOQ-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran-4-amine Chemical compound O1C2=CC=CC=C2C2=C1C(N)=CC=C2 QKBTTXJHJNXCOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N eosin Chemical class [Na+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(Br)C(=O)C(Br)=C2OC2=C(Br)C(O)=C(Br)C=C21 YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNBHUCHAFZUEGJ-UHFFFAOYSA-N europium(3+) Chemical compound [Eu+3] LNBHUCHAFZUEGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADHNFLCTOCFIFV-UHFFFAOYSA-N europium(3+) 1,10-phenanthroline Chemical compound [Eu+3].c1cnc2c(c1)ccc1cccnc21 ADHNFLCTOCFIFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000002847 impedance measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001566 impedance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N indolo[3,2-c]carbazole Chemical group C1=CC=CC2=NC3=C4C5=CC=CC=C5N=C4C=CC3=C21 VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- COLNWNFTWHPORY-UHFFFAOYSA-M lithium;8-hydroxyquinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 COLNWNFTWHPORY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- BBNZOXKLBAWRSH-UHFFFAOYSA-N n,9-diphenyl-n-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 BBNZOXKLBAWRSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDZCNNKHPNYYSX-UHFFFAOYSA-N n,n,2-triphenylaniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LDZCNNKHPNYYSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCCYEOZLSGJEDF-UHFFFAOYSA-N n,n,9-triphenyl-10h-anthracen-9-amine Chemical compound C12=CC=CC=C2CC2=CC=CC=C2C1(C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NCCYEOZLSGJEDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTSAYWZCLNPTGP-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(4-dibenzofuran-4-ylphenyl)-4-(4-phenylphenyl)aniline Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=3OC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=3OC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)C=C1 VTSAYWZCLNPTGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGKFUGDYVSGRAA-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(4-phenylphenyl)-9,9'-spirobi[fluorene]-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4(C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)C4=CC=CC=C4C3=CC=2)C=C1 HGKFUGDYVSGRAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJNGJYRNDATJHR-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(4-phenylphenyl)-9,9'-spirobi[fluorene]-4-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C3=C(C4(C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)C4=CC=CC=C43)C=CC=2)C=C1 MJNGJYRNDATJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMHBCXMDEMSIHC-UHFFFAOYSA-N n-(2-phenylphenyl)-9,9'-spirobi[fluorene]-2-amine Chemical compound C=1C=C2C3=CC=CC=C3C3(C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C2=CC=1NC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 LMHBCXMDEMSIHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTFIECQCKYNJTN-UHFFFAOYSA-N n-(4-bromophenyl)-4-phenyl-n-(4-phenylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 BTFIECQCKYNJTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDSXVQDXXSPFHG-UHFFFAOYSA-N n-(4-bromophenyl)-4-phenylaniline Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1NC1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 RDSXVQDXXSPFHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWAGLGPZJUQQK-UHFFFAOYSA-N n-(4-carbazol-9-ylphenyl)-4-[2-[4-(n-(4-carbazol-9-ylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C1=CC=CC=C1 CRWAGLGPZJUQQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKQKUOFOSZLDGL-UHFFFAOYSA-N n-(4-carbazol-9-ylphenyl)-n-phenyl-9,10-bis(2-phenylphenyl)anthracen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 DKQKUOFOSZLDGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTIVHBWABAUOK-UHFFFAOYSA-N n-(4-naphthalen-1-ylphenyl)-n-[4-(9-phenylcarbazol-3-yl)phenyl]-9,9'-spirobi[fluorene]-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=3C=C4C5(C6=CC=CC=C6C6=CC=CC=C65)C5=CC=CC=C5C4=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 KJTIVHBWABAUOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNJGJDDJIBTBP-UHFFFAOYSA-N n-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)-n,9-diphenylcarbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 AJNJGJDDJIBTBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYRQYDOTDXVFCO-UHFFFAOYSA-N n-(9,9-dimethylfluoren-2-yl)-n-(2-phenylphenyl)-9,9'-spirobi[fluorene]-4-amine Chemical compound C1=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=CC=C1N(C=1C2=C(C3(C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C3=CC=CC=C32)C=CC=1)C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 NYRQYDOTDXVFCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVHDEFQSXAYURV-UHFFFAOYSA-N n-[4-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)phenyl]-n,9-diphenylcarbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=C3C(C=4C=CC=CC=4)=C4C=CC=CC4=C(C=4C=CC=CC=4)C3=CC=2)C=C1 RVHDEFQSXAYURV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUGSVDXBPQUXKX-UHFFFAOYSA-N n-[9,10-bis(2-phenylphenyl)anthracen-2-yl]-n,9-diphenylcarbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 KUGSVDXBPQUXKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- FPOBXNYAWLLCGZ-UHFFFAOYSA-N nickel(2+);1,2,3,4,5-pentamethylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Ni+2].CC=1C(C)=C(C)[C-](C)C=1C.CC=1C(C)=C(C)[C-](C)C=1C FPOBXNYAWLLCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical group [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N pentaporphyrin i Chemical compound N1C(C=C2NC(=CC3=NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 125000001791 phenazinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C12)* 0.000 description 1
- BZBAYMUKLAYQEO-UHFFFAOYSA-N phenylborane Chemical compound BC1=CC=CC=C1 BZBAYMUKLAYQEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005359 phenylpyridines Chemical class 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- HRGDZIGMBDGFTC-UHFFFAOYSA-N platinum(2+) Chemical compound [Pt+2] HRGDZIGMBDGFTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 150000002909 rare earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEEPANYCNGTZFQ-UHFFFAOYSA-N sulfadiazine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)NC1=NC=CC=N1 SEEPANYCNGTZFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- DKWSBNMUWZBREO-UHFFFAOYSA-N terbium Chemical compound [Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb] DKWSBNMUWZBREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 125000005579 tetracene group Chemical group 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- JIIYLLUYRFRKMG-UHFFFAOYSA-N tetrathianaphthacene Chemical compound C1=CC=CC2=C3SSC(C4=CC=CC=C44)=C3C3=C4SSC3=C21 JIIYLLUYRFRKMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002366 time-of-flight method Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004665 trialkylsilyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical group 0.000 description 1
- WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N trimethyl borate Chemical compound COB(OC)OC WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 125000001834 xanthenyl group Chemical group C1=CC=CC=2OC3=CC=CC=C3C(C12)* 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L zinc;quinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/10—Triplet emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
Description
、表示装置、発光装置、電子機器及び照明装置に関する。なお、本発明の一態様は、上記
の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法
、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン
、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関するもので
ある。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、
半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、撮像
装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる
。
ence)を利用する発光デバイス(有機EL素子)の実用化が進んでいる。これら発光
デバイスの基本的な構成は、一対の電極間に発光材料を含む有機化合物層(EL層)を挟
んだものである。この素子に電圧を印加して、キャリアを注入し、当該キャリアの再結合
エネルギーを利用することにより、発光材料からの発光を得ることができる。
に比べて視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディ
スプレイ素子として好適である。また、このような発光デバイスを用いたディスプレイは
、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特
徴の一つである。
、面状に発光を得ることができる。これは、白熱電球やLEDに代表される点光源、ある
いは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源と
しての利用価値も高い。
適であるが、より良好な効率、寿命を有する発光デバイスを求めて研究開発が進められて
いる。
入層のHOMO準位とホスト材料のHOMO準位の間のHOMO準位を有する正孔輸送性
材料を設ける構成が開示されている。
に対する高度な要求に対応するには未だ不十分と言わざるを得ない。
発光効率の良好な発光デバイスを提供することを目的とする。または、寿命の良好な発光
デバイスを提供することを目的とする。または、駆動電圧の低い発光デバイスを提供する
ことを目的とする。
提供することを目的とする。または、本発明の他の一態様では、消費電力の小さい発光装
置、電子機器及び表示装置を各々提供することを目的とする。
し、前記EL層が発光層を有する発光デバイスにおいて、前記発光デバイスに一定の電流
を流した際に得られる発光の輝度変化で表される劣化曲線に極大値を有する発光デバイス
である。
EL層とを有する発光デバイスにおいて、前記EL層は、陽極側から順に第1の層と、第
2の層と、第3の層と、発光層と、第4の層を有し、前記第1の層は、前記陽極に接して
おり、前記第1の層は第1の有機化合物と第2の有機化合物を有し、前記第2の層は、第
3の有機化合物を有し、前記第3の層は、第4の有機化合物を有し、前記発光層は、第5
の有機化合物と第6の有機化合物を有し、前記第4の層は、第7の有機化合物を有し、前
記第1の有機化合物は前記第2の有機化合物に電子受容性を示す有機化合物であり、前記
第5の有機化合物は発光中心物質であり、前記第2の有機化合物のHOMO準位は-5.
7eV以上-5.2eV以下であり、前記第7の有機化合物の電界強度[V/cm]の平
方根が600である時の電子移動度が1×10-7cm2/Vs以上5×10-5cm2
/Vs以下であり、前記発光デバイスに一定の電流を流した際に得られる発光の輝度変化
で表される劣化曲線に極大値を有する発光デバイスである。
L層とを有し、前記EL層は、陽極側から順に第1の層と、第2の層と、第3の層と、発
光層と、第4の層を有し、前記第1の層は、前記陽極に接しており、前記第1の層は、第
1の有機化合物と第2の有機化合物を有し、前記第2の層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の層は、第4の有機化合物を有し、前記発光層は、第5の有機化合物と第6の有
機化合物を有し、前記第4の層は、第7の有機化合物を有し、前記第1の有機化合物は前
記第2の有機化合物に電子受容性を示す有機化合物であり、前記第5の有機化合物は発光
中心物質であり、前記第2の有機化合物のHOMO準位は-5.7eV以上-5.2eV
以下であり、前記第3の有機化合物と前記第2の有機化合物とのHOMO準位の差は0.
2eV以下であり、前記第3の有機化合物のHOMO準位は、前記第2の有機化合物のH
OMO準位と同じまたは深く、前記第7の有機化合物の電界強度[V/cm]の平方根が
600である時の電子移動度が1×10-7cm2/Vs以上5×10-5cm2/Vs
以下であり、前記発光デバイスに一定の電流を流した際に得られる発光の輝度変化で表さ
れる劣化曲線に極大値を有する発光デバイスである。
が100%を超える部分を有する発光デバイスである。
L層とを有し、前記EL層は、陽極側から順に第1の層と、第2の層と、第3の層と、発
光層と、第4の層を有し、前記第1の層は、前記陽極に接しており、前記第1の層は、第
1の有機化合物と第2の有機化合物を有し、前記第2の層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の層は、第4の有機化合物を有し、前記発光層は、第5の有機化合物と第6の有
機化合物を有し、前記第4の層は、第7の有機化合物を有し、前記第1の有機化合物は前
記第2の有機化合物に電子受容性を示す有機化合物であり、前記第5の有機化合物は発光
中心物質であり、前記第2の有機化合物のHOMO準位は-5.7eV以上-5.2eV
以下であり、前記第3の有機化合物と前記第2の有機化合物とのHOMO準位の差は0.
2eV以下であり、前記第3の有機化合物のHOMO準位は、前記第2の有機化合物のH
OMO準位と同じまたは深く、前記第7の有機化合物の電界強度[V/cm]の平方根が
600である時の電子移動度が1×10-7cm2/Vs以上5×10-5cm2/Vs
以下である発光デバイスである。
L層とを有し、前記EL層は、陽極側から順に第1の層と、第2の層と、第3の層と、発
光層と、第4の層を有し、前記第1の層は、前記陽極に接しており、前記第1の層は、第
1の有機化合物と第2の有機化合物を有し、前記第2の層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の層は、第4の有機化合物を有し、前記発光層は、第5の有機化合物と第6の有
機化合物を有し、前記第4の層は、第7の有機化合物を有し、前記第1の有機化合物は前
記第2の有機化合物に電子受容性を示す有機化合物であり、前記第5の有機化合物は発光
中心物質であり、前記第2の有機化合物のHOMO準位は-5.7eV以上-5.2eV
以下であり、前記第3の有機化合物のHOMO準位は、前記第2の有機化合物のHOMO
準位と同じまたは深く、前記第3の有機化合物と前記第2の有機化合物とのHOMO準位
の差は0.2eV以下であり、前記第6の有機化合物のLUMO準位が、前記第7の有機
化合物のLUMO準位よりも浅く、前記第7の有機化合物と、前記第6の有機化合物との
LUMO準位の差が0.1eV以上0.3eV以下である発光デバイスである。
L層とを有し、前記EL層は、陽極側から順に第1の層と、第2の層と、第3の層と、発
光層と、第4の層を有し、前記第1の層は、前記陽極に接しており、前記第1の層は、第
1の有機化合物と第2の有機化合物を有し、前記第2の層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の層は、第4の有機化合物を有し、前記発光層は、第5の有機化合物と第6の有
機化合物を有し、前記第4の層は、第7の有機化合物を有し、前記第1の有機化合物は前
記第2の有機化合物に電子受容性を示す有機化合物であり、前記第5の有機化合物は発光
中心物質であり、前記第2の有機化合物のHOMO準位は-5.7eV以上-5.2eV
以下であり、前記第3の有機化合物のHOMO準位は、前記第2の有機化合物のHOMO
準位と同じまたは深く、前記第3の有機化合物と前記第2の有機化合物とのHOMO準位
の差は0.2eV以下であり、前記第7の有機化合物がπ電子不足型複素芳香族化合物で
ある発光デバイスである。
L層とを有し、前記EL層は、陽極側から順に第1の層と、第2の層と、第3の層と、発
光層と、第4の層を有し、前記第1の層は、前記陽極に接しており、前記第1の層は、第
1の有機化合物と第2の有機化合物を有し、前記第2の層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の層は、第4の有機化合物を有し、前記発光層は、第5の有機化合物と第6の有
機化合物を有し、前記第4の層は、第7の有機化合物を有し、前記第1の有機化合物は前
記第2の有機化合物に電子受容性を示す有機化合物であり、前記第2の有機化合物は、第
1の正孔輸送性骨格を有し、前記第3の有機化合物は、第2の正孔輸送性骨格を有し、前
記第4の有機化合物は、第3の正孔輸送性骨格を有し、前記第5の有機化合物は発光中心
物質であり、前記第2の有機化合物のHOMO準位は-5.7eV以上-5.2eV以下
であり、前記第1の正孔輸送性骨格、前記第2の正孔輸送性骨格および前記第3の正孔輸
送性骨格は、各々独立に、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン
骨格およびアントラセン骨格のいずれか一であり、前記第7の有機化合物の電界強度[V
/cm]の平方根が600である時の電子移動度が1×10-7cm2/Vs以上5×1
0-5cm2/Vs以下である発光デバイスである。
L層とを有し、前記EL層は、陽極側から順に第1の層と、第2の層と、第3の層と、発
光層と、第4の層を有し、前記第1の層は、前記陽極に接しており、前記第1の層は、第
1の有機化合物と第2の有機化合物を有し、前記第2の層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の層は、第4の有機化合物を有し、前記発光層は、第5の有機化合物と第6の有
機化合物を有し、前記第4の層は、第7の有機化合物を有し、前記第1の有機化合物は前
記第2の有機化合物に電子受容性を示す有機化合物であり、前記第2の有機化合物は、第
1の正孔輸送性骨格を有し、前記第3の有機化合物は、第2の正孔輸送性骨格を有し、前
記第4の有機化合物は、第3の正孔輸送性骨格を有し、前記第5の有機化合物は発光中心
物質であり、前記第2の有機化合物のHOMO準位は-5.7eV以上-5.2eV以下
であり、前記第1の正孔輸送性骨格、前記第2の正孔輸送性骨格および前記第3の正孔輸
送性骨格は、各々独立に、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン
骨格およびアントラセン骨格のいずれか一であり、前記第6の有機化合物のLUMO準位
が、前記第7の有機化合物のLUMO準位よりも浅く、前記第7の有機化合物と、前記第
6の有機化合物とのLUMO準位の差が0.1eV以上0.3eV以下である発光デバイ
スである。
L層とを有し、前記EL層は、陽極側から順に第1の層と、第2の層と、第3の層と、発
光層と、第4の層を有し、前記第1の層は、前記陽極に接しており、前記第1の層は、第
1の有機化合物と第2の有機化合物を有し、前記第2の層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の層は、第4の有機化合物を有し、前記発光層は、第5の有機化合物と第6の有
機化合物を有し、前記第4の層は、第7の有機化合物を有し、前記第1の有機化合物は前
記第2の有機化合物に電子受容性を示す有機化合物であり、前記第2の有機化合物は、第
1の正孔輸送性骨格を有し、前記第3の有機化合物は、第2の正孔輸送性骨格を有し、前
記第4の有機化合物は、第3の正孔輸送性骨格を有し、前記第5の有機化合物は発光中心
物質であり、前記第2の有機化合物のHOMO準位は-5.7eV以上-5.2eV以下
であり、前記第1の正孔輸送性骨格、前記第2の正孔輸送性骨格および前記第3の正孔輸
送性骨格は、各々独立に、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン
骨格およびアントラセン骨格のいずれか一であり、前記第7の有機化合物がπ電子不足型
複素芳香族化合物である発光デバイスである。
は、キノキサリン骨格、ベンゾイミダゾール骨格およびトリアジン骨格のいずれかである
発光デバイスである。
みで構成される有機化合物であり、前記第6の有機化合物のHOMO準位は、前記第4の
有機化合物のHOMO準位よりも深く、前記第4の有機化合物と、前記第6の有機化合物
のHOMO準位の差が0.2eV以上0.4eV以下である発光デバイスである。
ン骨格と複素環骨格を有する有機化合物であり、前記第4の有機化合物と、前記第6の有
機化合物のHOMO準位の差が0.2eV未満である発光デバイスである。
ン骨格と複素環骨格を有する有機化合物であり、前記第4の有機化合物がナフタレン環に
2つのカルバゾール環が結合した有機化合物である発光デバイスである。
ン骨格と複素環骨格を有する有機化合物であり、前記第4の有機化合物が3,3’-(ナ
フタレン-1,4-ジイル)ビス(9-フェニル-9H-カルバゾール)である発光デバ
イスである。
ン骨格と複素環骨格を有する有機化合物であり、前記第2の有機化合物のHOMO準位が
-5.4eV以上-5.7eV以下であり、前記第7の有機化合物の電界強度[V/cm
]の平方根が600である時の電子移動度が、前記第6の有機化合物の電界強度[V/c
m]の平方根が600である時の電子移動度よりも小さい発光デバイスである。
位と、前記第3の有機化合物のHOMO準位との差が0.2eV以下である発光デバイス
である。
位が、前記第3の有機化合物のHOMO準位よりも深い発光デバイスである。
フラン骨格を有する有機化合物である発光デバイスである。
ン骨格を有する有機化合物である発光デバイスである。
有機化合物とが同じ物質である発光デバイスである。
料である発光デバイスである。
たは、マイク
を有する電子機器である。
る発光装置である。
。また、発光デバイスにコネクター、例えば異方導電性フィルム又はTCP(Tape
Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント
配線板が設けられたモジュール、又は発光デバイスにCOG(Chip On Glas
s)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールは、発光装置を有する場合
がある。さらに、照明器具等は、発光装置を有する場合がある。
発光デバイスを提供することができる。または、発光効率の良好な発光デバイスを提供す
ることができる。
提供することができる。または、本発明の他の一態様では、消費電力の小さい発光装置、
電子機器及び表示装置を各々提供することができる。
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を
様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す
実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図1(A)に、本発明の一態様の発光デバイスを表す図を示す。本発明の一態様の発光デ
バイスは、陽極101と、陰極102、EL層103を有しており、当該EL層は、正孔
注入層111、正孔輸送層112、発光層113および電子輸送層114を有している。
れているが、発光デバイスの構成はこれに限られることはない。上述の構成を有していれ
ば、他の機能を有する層が含まれていても良い。
化合物は第2の有機化合物に対し、電子受容性を示す物質である。また、第2の有機化合
物はそのHOMO準位が-5.7eV以上-5.2eV以下の比較的深いHOMO準位を
有する物質である。第2の有機化合物が比較的深いHOMO準位を有することによって、
正孔輸送層112への正孔の注入が容易となる。
する有機化合物等を用いることができ、そのような物質の中から、上記第2の有機化合物
に対して電子受容性を示す物質を適宜選択すれば良い。このような有機化合物としては、
例えば、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン
(略称:F4-TCNQ)、クロラニル、2,3,6,7,10,11-ヘキサシアノ-
1,4,5,8,9,12-ヘキサアザトリフェニレン(略称:HAT-CN)、1,3
,4,5,7,8-ヘキサフルオロテトラシアノ-ナフトキノジメタン(略称:F6-T
CNNQ)、2-(7-ジシアノメチレン-1,3,4,5,6,8,9,10-オクタ
フルオロ-7H-ピレン-2-イリデン)マロノニトリル等を挙げることができる。特に
、HAT-CNのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化
合物が、熱的に安定であり好ましい。また、電子吸引基(特にフルオロ基のようなハロゲ
ン基やシアノ基)を有する[3]ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ま
しく、具体的にはα,α’,α’’-1,2,3-シクロプロパントリイリデントリス[
4-シアノ-2,3,5,6-テトラフルオロベンゼンアセトニトリル]、α,α’,α
’’-1,2,3-シクロプロパントリイリデントリス[2,6-ジクロロ-3,5-ジ
フルオロ-4-(トリフルオロメチル)ベンゼンアセトニトリル]、α,α’,α’’-
1,2,3-シクロプロパントリイリデントリス[2,3,4,5,6-ペンタフルオロ
ベンゼンアセトニトリル]などが挙げられる。
ル骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれ
かを有していることが好ましい。特に、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を
含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または9-
フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンであっ
ても良い。なお、これら第2の有機化合物が、N,N-ビス(4-ビフェニル)アミノ基
を有する物質であると、寿命の良好な発光デバイスを作製することができるため好ましい
。以上のような第2の有機化合物としては、具体的には、N-(4-ビフェニル)-6,
N-ジフェニルベンゾ[b]ナフト[1,2-d]フラン-8-アミン(略称:BnfA
BP)、N,N-ビス(4-ビフェニル)-6-フェニルベンゾ[b]ナフト[1,2-
d]フラン-8-アミン(略称:BBABnf)、4,4’-ビス(6-フェニルベンゾ
[b]ナフト[1,2-d]フラン-8-イル)-4’’-フェニルトリフェニルアミン
(略称:BnfBB1BP)、N,N-ビス(4-ビフェニル)ベンゾ[b]ナフト[1
,2-d]フラン-6-アミン(略称:BBABnf(6))、N,N-ビス(4-ビフ
ェニル)ベンゾ[b]ナフト[1,2-d]フラン-8-アミン(略称:BBABnf(
8))、N,N-ビス(4-ビフェニル)ベンゾ[b]ナフト[2,3-d]フラン-4
-アミン(略称:BBABnf(II)(4))、N,N-ビス[4-(ジベンゾフラン
-4-イル)フェニル]-4-アミノ-p-ターフェニル(略称:DBfBB1TP)、
N-[4-(ジベンゾチオフェン-4-イル)フェニル]-N-フェニル-4-ビフェニ
ルアミン(略称:ThBA1BP)、4-(2-ナフチル)-4’,4’’-ジフェニル
トリフェニルアミン(略称:BBAβNB)、4-[4-(2-ナフチル)フェニル]-
4’,4’’-ジフェニルトリフェニルアミン(略称:BBAβNBi)、4-(2;1
’-ビナフチル-6-イル)-4’,4’’-ジフェニルトリフェニルアミン(略称:B
BAαNβNB)、4,4’-ジフェニル-4’’-(7;1’-ビナフチル-2-イル
)トリフェニルアミン(略称:BBAαNβNB-03)、4,4’-ジフェニル-4’
’-(7-フェニル)ナフチル-2-イルトリフェニルアミン(略称:BBAPβNB-
03)、4-(6;2’-ビナフチル-2-イル)-4’,4’’-ジフェニルトリフェ
ニルアミン(略称:BBA(βN2)B)、4-(2;2’-ビナフチル-7-イル)-
4’,4’’-ジフェニルトリフェニルアミン(略称:BBA(βN2)B-03)、4
-(1;2’-ビナフチル-4-イル)-4’,4’’-ジフェニルトリフェニルアミン
(略称:BBAβNαNB)、4-(1;2’-ビナフチル-5-イル)-4’,4’’
-ジフェニルトリフェニルアミン(略称:BBAβNαNB-02)、4-(4-ビフェ
ニリル)-4’-(2-ナフチル)-4’’-フェニルトリフェニルアミン(略称:TP
BiAβNB)、4-(3-ビフェニリル)-4’-[4-(2-ナフチル)フェニル]
-4’’-フェニルトリフェニルアミン(略称:mTPBiAβNBi)、4-(4-ビ
フェニリル)-4’-[4-(2-ナフチル)フェニル]-4’’-フェニルトリフェニ
ルアミン(略称:TPBiAβNBi)、4-(1-ナフチル)-4’-フェニルトリフ
ェニルアミン(略称:αNBA1BP)、4,4’-ビス(1-ナフチル)トリフェニル
アミン(略称:αNBB1BP)、4,4’-ジフェニル-4’’-[4’-(カルバゾ
ール-9-イル)ビフェニル-4-イル]トリフェニルアミン(略称:YGTBi1BP
)、4’-[4-(3-フェニル-9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]トリス(
1,1’-ビフェニル-4-イル)アミン(略称:YGTBi1BP-02)、4-[4
’-(カルバゾール-9-イル)ビフェニル-4-イル]-4’-(2-ナフチル)-4
’’-フェニルトリフェニルアミン(略称:YGTBiβNB)、N-[4-(9-フェ
ニル-9H-カルバゾール-3-イル)フェニル]-N-[4-(1-ナフチル)フェニ
ル]-9,9’-スピロビ[9H-フルオレン]-2-アミン(略称:PCBNBSF)
、N,N-ビス([1,1’-ビフェニル]-4-イル)-9,9’-スピロビ[9H-
フルオレン]-2-アミン(略称:BBASF)、N,N-ビス([1,1’-ビフェニ
ル]-4-イル)-9,9’-スピロビ[9H-フルオレン]-4-アミン(略称:BB
ASF(4))、N-(1,1’-ビフェニル-2-イル)-N-(9,9-ジメチル-
9H-フルオレン-2-イル)-9,9’-スピロビ[9H-フルオレン]-4-アミン
(略称:oFBiSF)、N-(4-ビフェニル)-N-(9,9-ジメチル-9H-フ
ルオレン-2-イル)ジベンゾフラン-4-アミン(略称:FrBiF)、N-[4-(
1-ナフチル)フェニル]-N-[3-(6-フェニルジベンゾフラン-4-イル)フェ
ニル]-1-ナフチルアミン(略称:mPDBfBNBN)、4-フェニル-4’-(9
-フェニルフルオレン-9-イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)、4-フ
ェニル-3’-(9-フェニルフルオレン-9-イル)トリフェニルアミン(略称:mB
PAFLP)、4-フェニル-4’-[4-(9-フェニルフルオレン-9-イル)フェ
ニル]トリフェニルアミン(略称:BPAFLBi)、4-フェニル-4’-(9-フェ
ニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCBA1BP)、
4,4’-ジフェニル-4’’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリ
フェニルアミン(略称:PCBBi1BP)、4-(1-ナフチル)-4’-(9-フェ
ニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCBANB)、4
,4’-ジ(1-ナフチル)-4’’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル
)トリフェニルアミン(略称:PCBNBB)、N-フェニル-N-[4-(9-フェニ
ル-9H-カルバゾール-3-イル)フェニル]-9,9’-スピロビ[9H-フルオレ
ン]-2-アミン(略称:PCBASF)、N-(1,1’-ビフェニル-4-イル)-
9,9-ジメチル-N-[4-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)フェニ
ル]-9H-フルオレン-2-アミン(略称:PCBBiF)等を挙げることができる。
る。第1の正孔輸送層112-1は第2の正孔輸送層112-2よりも陽極101側に位
置するものとする。なお、第2の正孔輸送層112-2は電子ブロック層の機能を同時に
担う場合もある。
の有機化合物を有している。
好ましい。第3の有機化合物および第4の有機化合物は上記第2の有機化合物として用い
ることが可能な有機化合物を同様に用いることができる。
合物のHOMO準位の方が深く、その差が0.2eV以下になるように各々材料を選択す
ることが好ましい。なお、第2の有機化合物と第3の有機化合物は同じ物質であることが
さらに好ましい。また、第3の有機化合物のHOMO準位と、第4の有機化合物のHOM
O準位では、第4の有機化合物のHOMO準位の方が深いほうが好ましい。さらに、その
差が0.2eV以下になるように各々材料を選択するとよい。第2の有機化合物乃至第4
の有機化合物のHOMO準位が以上のような関係であることによって、各層にスムーズに
正孔が注入され、駆動電圧の上昇や発光層における正孔の過少状態を防ぐことができる。
ましい。当該正孔輸送性骨格としては、これら有機化合物のHOMO準位が浅くなりすぎ
ないカルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセ
ン骨格が好ましい。また、これら正孔輸送性骨格が隣り合う層同士の材料(例えば第2の
有機化合物と第3の有機化合物または第3の有機化合物と第4の有機化合物)で共通して
いると、正孔の注入がスムーズになるため好ましい。特にこれらの正孔輸送性骨格として
は、ジベンゾフラン骨格が好ましい。
3の有機化合物と第4の有機化合物)が同じ材料であるとより正孔の注入がスムーズとな
るため好ましい構成である。特に第2の有機化合物と第3の有機化合物が同じ材料である
構成が好ましい。
発光中心物質であり、第6の有機化合物は、第5の有機化合物を分散するためのホスト材
料である。
(TADF)を示す物質であっても、その他の発光材料であっても構わない。また、単層
であっても、異なる発光材料が含まれる複数の層からなっていても良い。なお、本発明の
一態様は、発光層113が蛍光発光を呈する層、特に、青色の蛍光発光を呈する層である
場合により好適に適用することができる。
下のようなものが挙げられる。また、これ以外の蛍光発光物質も用いることができる。
ジン(略称:PAP2BPy)、5,6-ビス[4’-(10-フェニル-9-アントリ
ル)ビフェニル-4-イル]-2,2’-ビピリジン(略称:PAPP2BPy)、N,
N’-ジフェニル-N,N’-ビス[4-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル
)フェニル]ピレン-1,6-ジアミン(略称:1,6FLPAPrn)、N,N’-ビ
ス(3-メチルフェニル)-N,N’-ビス[3-(9-フェニル-9H-フルオレン-
9-イル)フェニル]ピレン-1,6-ジアミン(略称:1,6mMemFLPAPrn
)、N,N’-ビス[4-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]-N,N’-ジ
フェニルスチルベン-4,4’-ジアミン(略称:YGA2S)、4-(9H-カルバゾ
ール-9-イル)-4’-(10-フェニル-9-アントリル)トリフェニルアミン(略
称:YGAPA)、4-(9H-カルバゾール-9-イル)-4’-(9,10-ジフェ
ニル-2-アントリル)トリフェニルアミン(略称:2YGAPPA)、N,9-ジフェ
ニル-N-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール
-3-アミン(略称:PCAPA)、ペリレン、2,5,8,11-テトラ(tert-
ブチル)ペリレン(略称:TBP)、4-(10-フェニル-9-アントリル)-4’-
(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCBA
PA)、N,N’’-(2-tert-ブチルアントラセン-9,10-ジイルジ-4,
1-フェニレン)ビス[N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン]
(略称:DPABPA)、N,9-ジフェニル-N-[4-(9,10-ジフェニル-2
-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:2PCAPPA)
、N-[4-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)フェニル]-N,N’,N’-
トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン(略称:2DPAPPA)、N,N,N’,
N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセ
ン-2,7,10,15-テトラアミン(略称:DBC1)、クマリン30、N-(9,
10-ジフェニル-2-アントリル)-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-
アミン(略称:2PCAPA)、N-[9,10-ビス(1,1’-ビフェニル-2-イ
ル)-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン(略称
:2PCABPhA)、N-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)-N,N’,N
’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン(略称:2DPAPA)、N-[9,1
0-ビス(1,1’-ビフェニル-2-イル)-2-アントリル]-N,N’,N’-ト
リフェニル-1,4-フェニレンジアミン(略称:2DPABPhA)、9,10-ビス
(1,1’-ビフェニル-2-イル)-N-[4-(9H-カルバゾール-9-イル)フ
ェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン(略称:2YGABPhA)、N,N
,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン(略称:DPhAPhA)、クマリン54
5T、N,N’-ジフェニルキナクリドン、(略称:DPQd)、ルブレン、5,12-
ビス(1,1’-ビフェニル-4-イル)-6,11-ジフェニルテトラセン(略称:B
PT)、2-(2-{2-[4-(ジメチルアミノ)フェニル]エテニル}-6-メチル
-4H-ピラン-4-イリデン)プロパンジニトリル(略称:DCM1)、2-{2-メ
チル-6-[2-(2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリ
ジン-9-イル)エテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル(略称
:DCM2)、N,N,N’,N’-テトラキス(4-メチルフェニル)テトラセン-5
,11-ジアミン(略称:p-mPhTD)、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N
’-テトラキス(4-メチルフェニル)アセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,
10-ジアミン(略称:p-mPhAFD)、2-{2-イソプロピル-6-[2-(1
,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[i
j]キノリジン-9-イル)エテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニト
リル(略称:DCJTI)、2-{2-tert-ブチル-6-[2-(1,1,7,7
-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジ
ン-9-イル)エテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル(略称:
DCJTB)、2-(2,6-ビス{2-[4-(ジメチルアミノ)フェニル]エテニル
}-4H-ピラン-4-イリデン)プロパンジニトリル(略称:BisDCM)、2-{
2,6-ビス[2-(8-メトキシ-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-
テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イル)エテニル]-4H-
ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル(略称:BisDCJTM)、N,N’-(
ピレン-1,6-ジイル)ビス[(6,N-ジフェニルベンゾ[b]ナフト[1,2-d
]フラン)-8-アミン](略称:1,6BnfAPrn-03)、3,10-ビス[N
-(9-フェニル-9H-カルバゾール-2-イル)-N-フェニルアミノ]ナフト[2
,3-b;6,7-b’]ビスベンゾフラン(略称:3,10PCA2Nbf(IV)-
02)、3,10-ビス[N-(ジベンゾフラン-3-イル)-N-フェニルアミノ]ナ
フト[2,3-b;6,7-b’]ビスベンゾフラン(略称:3,10FrA2Nbf(
IV)-02)などが挙げられる。特に、1,6FLPAPrnや1,6mMemFLP
APrn、1,6BnfAPrn-03のようなピレンジアミン化合物に代表される縮合
芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率や信頼性に優れているため
好ましい。
可能な材料としては、例えば以下のようなものが挙げられる。
-1,2,4-トリアゾール-3-イル-κN2]フェニル-κC}イリジウム(III
)(略称:Ir(mpptz-dmp)3)、トリス(5-メチル-3,4-ジフェニル
-4H-1,2,4-トリアゾラト)イリジウム(III)(略称:Ir(Mptz)3
)、トリス[4-(3-ビフェニル)-5-イソプロピル-3-フェニル-4H-1,2
,4-トリアゾラト]イリジウム(III)(略称:Ir(iPrptz-3b)3)の
ような4H-トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス[3-メチル
-1-(2-メチルフェニル)-5-フェニル-1H-1,2,4-トリアゾラト]イリ
ジウム(III)(略称:Ir(Mptz1-mp)3)、トリス(1-メチル-5-フ
ェニル-3-プロピル-1H-1,2,4-トリアゾラト)イリジウム(III)(略称
:Ir(Prptz1-Me)3)のような1H-トリアゾール骨格を有する有機金属イ
リジウム錯体や、fac-トリス[1-(2,6-ジイソプロピルフェニル)-2-フェ
ニル-1H-イミダゾール]イリジウム(III)(略称:Ir(iPrpmi)3)、
トリス[3-(2,6-ジメチルフェニル)-7-メチルイミダゾ[1,2-f]フェナ
ントリジナト]イリジウム(III)(略称:Ir(dmpimpt-Me)3)のよう
なイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ビス[2-(4’,6’-ジフ
ルオロフェニル)ピリジナト-N,C2’]イリジウム(III)テトラキス(1-ピラ
ゾリル)ボラート(略称:FIr6)、ビス[2-(4’,6’-ジフルオロフェニル)
ピリジナト-N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)、
ビス{2-[3’,5’-ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ピリジナト-N,C2
’}イリジウム(III)ピコリナート(略称:Ir(CF3ppy)2(pic))、
ビス[2-(4’,6’-ジフルオロフェニル)ピリジナト-N,C2’]イリジウム(
III)アセチルアセトナート(略称:FIr(acac))のような電子吸引基を有す
るフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。これら
は青色のりん光発光を示す化合物であり、440nmから520nmに発光のピークを有
する化合物である。
Ir(mppm)3)、トリス(4-t-ブチル-6-フェニルピリミジナト)イリジウ
ム(III)(略称:Ir(tBuppm)3)、(アセチルアセトナト)ビス(6-メ
チル-4-フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppm)2(
acac))、(アセチルアセトナト)ビス(6-tert-ブチル-4-フェニルピリ
ミジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(tBuppm)2(acac))、(ア
セチルアセトナト)ビス[6-(2-ノルボルニル)-4-フェニルピリミジナト]イリ
ジウム(III)(略称:[Ir(nbppm)2(acac)])、(アセチルアセト
ナト)ビス[5-メチル-6-(2-メチルフェニル)-4-フェニルピリミジナト]イ
リジウム(III)(略称:Ir(mpmppm)2(acac))、(アセチルアセト
ナト)ビス(4,6-ジフェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(d
ppm)2(acac))のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、
(アセチルアセトナト)ビス(3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナト)イリジウム
(III)(略称:Ir(mppr-Me)2(acac))、(アセチルアセトナト)
ビス(5-イソプロピル-3-メチル-2-フェニルピラジナト)イリジウム(III)
(略称:Ir(mppr-iPr)2(acac))のようなピラジン骨格を有する有機
金属イリジウム錯体や、トリス(2-フェニルピリジナト-N,C2’)イリジウム(I
II)(略称:Ir(ppy)3)、ビス(2-フェニルピリジナト-N,C2’)イリ
ジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(ppy)2acac)、ビス(ベ
ンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(bz
q)2(acac))、トリス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)(略称
:Ir(bzq)3)、トリス(2-フェニルキノリナト-N,C2’)イリジウム(I
II)(略称:Ir(pq)3)、ビス(2-フェニルキノリナト-N,C2’)イリジ
ウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(pq)2(acac))のようなピ
リジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、トリス(アセチルアセトナト)(モノ
フェナントロリン)テルビウム(III)(略称:Tb(acac)3(Phen))の
ような希土類金属錯体が挙げられる。これらは主に緑色のりん光発光を示す化合物であり
、500nm~600nmに発光のピークを有する。なお、ピリミジン骨格を有する有機
金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。
ナト]イリジウム(III)(略称:Ir(5mdppm)2(dibm))、ビス[4
,6-ビス(3-メチルフェニル)ピリミジナト](ジピバロイルメタナト)イリジウム
(III)(略称:Ir(5mdppm)2(dpm))、ビス[4,6-ジ(ナフタレ
ン-1-イル)ピリミジナト](ジピバロイルメタナト)イリジウム(III)(略称:
Ir(d1npm)2(dpm))のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム
錯体や、(アセチルアセトナト)ビス(2,3,5-トリフェニルピラジナト)イリジウ
ム(III)(略称:Ir(tppr)2(acac))、ビス(2,3,5-トリフェ
ニルピラジナト)(ジピバロイルメタナト)イリジウム(III)(略称:Ir(tpp
r)2(dpm))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3-ビス(4-フルオロフェニ
ル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(acac))
のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス(1-フェニルイソキ
ノリナト-N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(piq)3)、ビス(1-
フェニルイソキノリナト-N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略
称:Ir(piq)2acac)のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体
の他、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポル
フィリン白金(II)(略称:PtOEP)のような白金錯体や、トリス(1,3-ジフ
ェニル-1,3-プロパンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)
(略称:Eu(DBM)3(Phen))、トリス[1-(2-テノイル)-3,3,3
-トリフルオロアセトナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:
Eu(TTA)3(Phen))のような希土類金属錯体が挙げられる。これらは、赤色
のりん光発光を示す化合物であり、600nmから700nmに発光のピークを有する。
また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる
。
い。
誘導体等を用いることができる。またマグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、カドミウム
(Cd)、スズ(Sn)、白金(Pt)、インジウム(In)、もしくはパラジウム(P
d)等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例
えば、以下の構造式に示されるプロトポルフィリン-フッ化スズ錯体(SnF2(Pro
to IX))、メソポルフィリン-フッ化スズ錯体(SnF2(Meso IX))、
ヘマトポルフィリン-フッ化スズ錯体(SnF2(Hemato IX))、コプロポル
フィリンテトラメチルエステル-フッ化スズ錯体(SnF2(Copro III-4M
e))、オクタエチルポルフィリン-フッ化スズ錯体(SnF2(OEP))、エチオポ
ルフィリン-フッ化スズ錯体(SnF2(Etio I))、オクタエチルポルフィリン
-塩化白金錯体(PtCl2OEP)等も挙げられる。
ェニルインドロ[2,3-a]カルバゾール-11-イル)-1,3,5-トリアジン(
略称:PIC-TRZ)や、9-(4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-
イル)-9’-フェニル-9H,9’H-3,3’-ビカルバゾール(略称:PCCzT
zn)、2-{4-[3-(N-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)-9H-カ
ルバゾール-9-イル]フェニル}-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン(略
称:PCCzPTzn)、2-[4-(10H-フェノキサジン-10-イル)フェニル
]-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン(略称:PXZ-TRZ)、3-[4
-(5-フェニル-5,10-ジヒドロフェナジン-10-イル)フェニル]-4,5-
ジフェニル-1,2,4-トリアゾール(略称:PPZ-3TPT)、3-(9,9-ジ
メチル-9H-アクリジン-10-イル)-9H-キサンテン-9-オン(略称:ACR
XTN)、ビス[4-(9,9-ジメチル-9,10-ジヒドロアクリジン)フェニル]
スルホン(略称:DMAC-DPS)、10-フェニル-10H,10’H-スピロ[ア
クリジン-9,9’-アントラセン]-10’-オン(略称:ACRSA)、等のπ電子
過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環の一方または両方を有する複素環化合物も用
いることができる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳
香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が共に高く、好ましい。中でも、π電子不
足型複素芳香環を有する骨格のうち、ピリジン骨格、ジアジン骨格(ピリミジン骨格、ピ
ラジン骨格、ピリダジン骨格)、およびトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため好
ましい。特に、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピ
ラジン骨格、ベンゾチエノピラジン骨格は電子受容性が高く、信頼性が良好なため好まし
い。また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサ
ジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格は、安
定で信頼性が良好なため、当該骨格の少なくとも一を有することが好ましい。なお、フラ
ン骨格としてはジベンゾフラン骨格が、チオフェン骨格としてはジベンゾチオフェン骨格
が、それぞれ好ましい。また、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨
格、インドロカルバゾール骨格、ビカルバゾール骨格、3-(9-フェニル-9H-カル
バゾール-3-イル)-9H-カルバゾール骨格が特に好ましい。なお、π電子過剰型複
素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環の
電子供与性とπ電子不足型複素芳香環の電子受容性が共に強くなり、S1準位とT1準位
のエネルギー差が小さくなるため、熱活性化遅延蛍光を効率よく得られることから特に好
ましい。なお、π電子不足型複素芳香環の代わりに、シアノ基のような電子吸引基が結合
した芳香環を用いても良い。また、π電子過剰型骨格として、芳香族アミン骨格、フェナ
ジン骨格等を用いることができる。また、π電子不足型骨格として、キサンテン骨格、チ
オキサンテンジオキサイド骨格、オキサジアゾール骨格、トリアゾール骨格、イミダゾー
ル骨格、アントラキノン骨格、フェニルボランやボラントレン等の含ホウ素骨格、ベンゾ
ニトリルまたはシアノベンゼン等のニトリル基またはシアノ基を有する芳香環や複素芳香
環、ベンゾフェノン等のカルボニル骨格、ホスフィンオキシド骨格、スルホン骨格等を用
いることができる。このように、π電子不足型複素芳香環およびπ電子過剰型複素芳香環
の少なくとも一方の代わりにπ電子不足型骨格およびπ電子過剰型骨格を用いることがで
きる。
項励起エネルギーから一重項励起エネルギーへエネルギーを変換することができる機能を
有する材料である。そのため、三重項励起エネルギーをわずかな熱エネルギーによって一
重項励起エネルギーにアップコンバート(逆項間交差)が可能で、一重項励起状態を効率
よく生成することができる。また、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる
。
クスまたはExciplexともいう)は、S1準位とT1準位との差が極めて小さく、
三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なTADF材料とし
ての機能を有する。
クトルを用いればよい。TADF材料としては、その蛍光スペクトルの短波長側の裾にお
いて接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをS1準位とし、燐光スペクトルの短波
長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをT1準位とした際に、そ
のS1とT1の差が0.3eV以下であることが好ましく、0.2eV以下であることが
さらに好ましい。
材料のS1準位より高い方が好ましい。また、ホスト材料のT1準位はTADF材料のT
1準位より高いことが好ましい。
DF材料など様々なキャリア輸送材料を用いることができる。
ルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)、N,N’-ビス(3-メチルフェニル)-N,
N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン(略称:TPD)、
4,4’-ビス[N-(スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル)-N-フェニルア
ミノ]ビフェニル(略称:BSPB)、4-フェニル-4’-(9-フェニルフルオレン
-9-イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)、4-フェニル-3’-(9-
フェニルフルオレン-9-イル)トリフェニルアミン(略称:mBPAFLP)、4-フ
ェニル-4’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(
略称:PCBA1BP)、4,4’-ジフェニル-4’’-(9-フェニル-9H-カル
バゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCBBi1BP)、4-(1-ナフ
チル)-4’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(
略称:PCBANB)、4、4’-ジ(1-ナフチル)-4’’-(9-フェニル-9H
-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNBB)、9,9-ジメ
チル-N-フェニル-N-[4-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)フェ
ニル]フルオレン-2-アミン(略称:PCBAF)、N-フェニル-N-[4-(9-
フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)フェニル]-9,9’-スピロビ[9H-フ
ルオレン]-2-アミン(略称:PCBASF)などの芳香族アミン骨格を有する化合物
や、1,3-ビス(N-カルバゾリル)ベンゼン(略称:mCP)、4,4’-ジ(N-
カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、3,6-ビス(3,5-ジフェニルフェニ
ル)-9-フェニルカルバゾール(略称:CzTP)、3,3’-ビス(9-フェニル-
9H-カルバゾール)(略称:PCCP)などのカルバゾール骨格を有する化合物や、4
,4’,4’’-(ベンゼン-1,3,5-トリイル)トリ(ジベンゾチオフェン)(略
称:DBT3P-II)、2,8-ジフェニル-4-[4-(9-フェニル-9H-フル
オレン-9-イル)フェニル]ジベンゾチオフェン(略称:DBTFLP-III)、4
-[4-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)フェニル]-6-フェニルジベ
ンゾチオフェン(略称:DBTFLP-IV)などのチオフェン骨格を有する化合物や、
4,4’,4’’-(ベンゼン-1,3,5-トリイル)トリ(ジベンゾフラン)(略称
:DBF3P-II)、4-{3-[3-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル
)フェニル]フェニル}ジベンゾフラン(略称:mmDBFFLBi-II)などのフラ
ン骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物
やカルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、
駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。また、上記第2の有機化合物の例として挙げた
有機化合物も用いることができる。
ナト)ベリリウム(II)(略称:BeBq2)、ビス(2-メチル-8-キノリノラト
)(4-フェニルフェノラト)アルミニウム(III)(略称:BAlq)、ビス(8-
キノリノラト)亜鉛(II)(略称:Znq)、ビス[2-(2-ベンゾオキサゾリル)
フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnPBO)、ビス[2-(2-ベンゾチアゾリル)
フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnBTZ)などの金属錯体や、2-(4-ビフェニ
リル)-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール(略称
:PBD)、3-(4-ビフェニリル)-4-フェニル-5-(4-tert-ブチルフ
ェニル)-1,2,4-トリアゾール(略称:TAZ)、1,3-ビス[5-(p-te
rt-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン(略称:
OXD-7)、9-[4-(5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル)
フェニル]-9H-カルバゾール(略称:CO11)、2,2’,2’’-(1,3,5
-ベンゼントリイル)トリス(1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール)(略称:TP
BI)、2-[3-(ジベンゾチオフェン-4-イル)フェニル]-1-フェニル-1H
-ベンゾイミダゾール(略称:mDBTBIm-II)などのポリアゾール骨格を有する
複素環化合物や、2-[3-(ジベンゾチオフェン-4-イル)フェニル]ジベンゾ[f
,h]キノキサリン(略称:2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(ジベンゾチオ
フェン-4-イル)ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2
mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-カルバゾール-9-イル)ビフェニ
ル-3-イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mCzBPDBq)、4,6
-ビス[3-(フェナントレン-9-イル)フェニル]ピリミジン(略称:4,6mPn
P2Pm)、4,6-ビス[3-(4-ジベンゾチエニル)フェニル]ピリミジン(略称
:4,6mDBTP2Pm-II)などのジアジン骨格を有する複素環化合物や、3,5
-ビス[3-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]ピリジン(略称:35DCz
PPy)、1,3,5-トリ[3-(3-ピリジル)-フェニル]ベンゼン(略称:Tm
PyPB)などのピリジン骨格を有する複素環化合物が挙げられる。上述した中でも、ジ
アジン骨格を有する複素環化合物やピリジン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好
であり好ましい。特に、ジアジン(ピリミジンやピラジン)骨格を有する複素環化合物は
、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。
いることができる。TADF材料をホスト材料として用いると、TADF材料で生成した
三重項励起エネルギーが、逆項間交差によって一重項励起エネルギーに変換され、さらに
発光中心物質へエネルギー移動することで、発光素子の発光効率を高めることができる。
このとき、TADF材料がエネルギードナーとして機能し、発光中心物質がエネルギーア
クセプターとして機能する。
とき、高い発光効率を得るためには、TADF材料のS1準位は、蛍光発光物質のS1準
位より高いことが好ましい。また、TADF材料のT1準位は、蛍光発光物質のS1準位
より高いことが好ましい。したがって、TADF材料のT1準位は、蛍光発光物質のT1
準位より高いことが好ましい。
ADF材料を用いることが好ましい。そうすることで、TADF材料から蛍光発光物質へ
の励起エネルギーの移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため、好ましい。
成されるためには、TADF材料でキャリア再結合が生じることが好ましい。また、TA
DF材料で生成した三重項励起エネルギーが蛍光発光物質の三重項励起エネルギーに移動
しないことが好ましい。そのためには、蛍光発光物質は、蛍光発光物質が有する発光団(
発光の原因となる骨格)の周囲に保護基を有すると好ましい。該保護基としては、π結合
を有さない置換基が好ましく、飽和炭化水素が好ましく、具体的には炭素数3以上10以
下のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3以上10以下のシクロアルキル基、炭素
数3以上10以下のトリアルキルシリル基が挙げられ、保護基が複数あるとさらに好まし
い。π結合を有さない置換基は、キャリアを輸送する機能に乏しいため、キャリア輸送や
キャリア再結合に影響をほとんど与えずに、TADF材料と蛍光発光物質の発光団との距
離を遠ざけることができる。ここで、発光団とは、蛍光発光物質において発光の原因とな
る原子団(骨格)を指す。発光団は、π結合を有する骨格が好ましく、芳香環を含むこと
が好ましく、縮合芳香環または縮合複素芳香環を有すると好ましい。縮合芳香環または縮
合複素芳香環としては、フェナントレン骨格、スチルベン骨格、アクリドン骨格、フェノ
キサジン骨格、フェノチアジン骨格等が挙げられる。特にナフタレン骨格、アントラセン
骨格、フルオレン骨格、クリセン骨格、トリフェニレン骨格、テトラセン骨格、ピレン骨
格、ペリレン骨格、クマリン骨格、キナクリドン骨格、ナフトビスベンゾフラン骨格を有
する蛍光発光物質は蛍光量子収率が高いため好ましい。
を有する材料が好適である。アントラセン骨格を有する物質を蛍光発光物質のホスト材料
として用いると、発光効率、耐久性共に良好な発光層を実現することが可能である。ホス
ト材料として用いるアントラセン骨格を有する物質としては、ジフェニルアントラセン骨
格、特に9,10-ジフェニルアントラセン骨格を有する物質が化学的に安定であるため
好ましい。また、ホスト材料がカルバゾール骨格を有する場合、正孔の注入・輸送性が高
まるため好ましいが、カルバゾールにベンゼン環がさらに縮合したベンゾカルバゾール骨
格を含む場合、カルバゾールよりもHOMOが0.1eV程度浅くなり、正孔が入りやす
くなるためより好ましい。特に、ホスト材料がジベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カ
ルバゾールよりもHOMOが0.1eV程度浅くなり、正孔が入りやすくなる上に、正孔
輸送性にも優れ、耐熱性も高くなるため好適である。したがって、さらにホスト材料とし
て好ましいのは、9,10-ジフェニルアントラセン骨格およびカルバゾール骨格(ある
いはベンゾカルバゾール骨格やジベンゾカルバゾール骨格)を同時に有する物質である。
なお、上記の正孔注入・輸送性の観点から、カルバゾール骨格に換えて、ベンゾフルオレ
ン骨格やジベンゾフルオレン骨格を用いてもよい。このような物質の例としては、9-フ
ェニル-3-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾー
ル(略称:PCzPA)、3-[4-(1-ナフチル)-フェニル]-9-フェニル-9
H-カルバゾール(略称:PCPN)、9-[4-(10-フェニル-9-アントラセニ
ル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:CzPA)、7-[4-(10-フェニル
-9-アントリル)フェニル]-7H-ジベンゾ[c,g]カルバゾール(略称:cgD
BCzPA)、6-[3-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)フェニル]-ベン
ゾ[b]ナフト[1,2-d]フラン(略称:2mBnfPPA)、9-フェニル-10
-{4-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)ビフェニル-4’-イル}アン
トラセン(略称:FLPPA)、9-(1-ナフチル)-10-[4-(2-ナフチル)
フェニル]アントラセン(略称:αN-βNPAnth)等が挙げられる。特に、CzP
A、cgDBCzPA、2mBnfPPA、PCzPAは非常に良好な特性を示すため、
好ましい選択である。
用いる場合は、電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料とを混合することが
好ましい。電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料を混合することによって
、発光層113の輸送性を容易に調整することができ、再結合領域の制御も簡便に行うこ
とができる。正孔輸送性を有する材料と電子輸送性を有する材料の含有量の重量比は、正
孔輸送性を有する材料:電子輸送性を有する材料=1:19~19:1とすればよい。
発光物質は、発光中心材料として蛍光発光物質を用いる際に蛍光発光物質へ励起エネルギ
ーを供与するエネルギードナーとして用いることができる。
の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するよ
うな組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光が得
られるため好ましい。また、当該構成を用いることで駆動電圧も低下するため好ましい。
うすることで、三重項励起エネルギーを逆項間交差によって効率よく一重項励起エネルギ
ーへ変換することができる。
MO準位が電子輸送性を有する材料のHOMO準位以上であると好ましい。また、正孔輸
送性を有する材料のLUMO準位が電子輸送性を有する材料のLUMO準位以上であると
好ましい。なお、材料のLUMO準位およびHOMO準位は、サイクリックボルタンメト
リ(CV)測定によって測定される材料の電気化学特性(還元電位および酸化電位)から
導出することができる。
を有する材料の発光スペクトル、およびこれら材料を混合した混合膜の発光スペクトルを
比較し、混合膜の発光スペクトルが、各材料の発光スペクトルよりも長波長シフトする(
あるいは長波長側に新たなピークを持つ)現象を観測することにより確認することができ
る。あるいは、正孔輸送性を有する材料の過渡フォトルミネッセンス(PL)、電子輸送
性を有する材料の過渡PL、及びこれら材料を混合した混合膜の過渡PLを比較し、混合
膜の過渡PL寿命が、各材料の過渡PL寿命よりも長寿命成分を有する、あるいは遅延成
分の割合が大きくなるなどの過渡応答の違いを観測することにより、確認することができ
る。また、上述の過渡PLは過渡エレクトロルミネッセンス(EL)と読み替えても構わ
ない。すなわち、正孔輸送性を有する材料の過渡EL、電子輸送性を有する材料の過渡E
L及びこれらの混合膜の過渡ELを比較し、過渡応答の違いを観測することによっても、
励起錯体の形成を確認することができる。
る有機化合物である場合、第4の有機化合物のHOMO準位と第6の有機化合物のHOM
O準位では第6の有機化合物の方がHOMO準位が深く、その差が0.2eV以上0.4
eV以下であることが正孔の輸送性が障壁により適度に妨げられるため好ましい。
複素環骨格とを有する有機化合物である場合、第4の有機化合物と第6の有機化合物との
HOMO準位の差が0.2eV未満であることが正孔が注入障壁により妨げられることな
く注入されるため好ましい。この場合、特に第4の有機化合物がナフタレン環に2つのカ
ルバゾール環が結合した有機化合物であることが好ましく、代表的には3,3’-(ナフ
タレン-1,4-ジイル)ビス(9-フェニル-9H-カルバゾール)を挙げることがで
きる。
複素環骨格とを有する有機化合物である場合、第2の有機化合物のHOMO準位が-5.
4eV以上-5.7eV以下であることがより劣化が抑制されることから好ましい。
有する有機化合物であり、π電子不足型複素芳香族化合物であることが好ましい。なお、
特に、キノキサリン骨格、ベンゾイミダゾール骨格およびトリアジン骨格のいずれかの骨
格を有することが好ましい。電子輸送性を有する有機化合物としては、上記ホスト材料に
用いることが可能な電子輸送性を有する有機化合物、または上記蛍光発光物質のホスト材
料として用いることが可能な有機化合物として挙げたものを用いることができる。
cm2/Vs以下であることが好ましい。また、第6の有機化合物のLUMO準位と、第
7の有機化合物のLUMO準位を比較すると、第6の有機化合物のLUMO準位の方が浅
い方が好ましく、その差が0.1eV以上0.3eV以下であることがさらに好ましい。
さらに、第7の有機化合物の電界強度[V/cm]の平方根が600である時の電子移動
度が第6の有機化合物の電界強度[V/cm]の平方根が600である時の電子移動度よ
りも小さいことが好ましい。前者では電子輸送層における電子の輸送性を落とすことによ
り、後者ではLUMO準位の差によって発光層への電子の注入量を制御することにより、
発光層が電子過多の状態になることを防ぐことができる。
担が大きくなり、劣化が促進されてしまう。また、再結合できずに発光層を電子が通過し
てしまうことで発光効率も低下する。本発明の一態様では、このような状態になることを
防ぎ、寿命が長く発光効率の良好な発光デバイスを提供することができる。
によって得られた輝度の劣化曲線において、初期にわずかに100%から劣化した後、「
少し上がってからまた劣化する」という劣化挙動を示す。そのような挙動を示す本発明の
一態様の発光デバイス、すなわち、劣化曲線に極大値を有するような発光デバイスは非常
に寿命の良好な発光デバイスとなる。なおこのような劣化曲線の微分を取ると、その値が
0である部分が存在するため、換言すると、劣化曲線の微分に0となる部分が存在する本
発明の一態様の発光デバイスは非常に寿命が良好な発光デバイスとすることができる
とすることが可能である。
続いて、上述の発光デバイスの詳細な構造や材料の例について説明する。本発明の一態様
の発光デバイスは、上述のように陽極101と陰極102の一対の電極間に複数の層から
なるEL層103を有し、当該EL層103は陽極101側より、正孔注入層111、第
1の正孔輸送層112-1、第2の正孔輸送層112-2、発光層113および電子輸送
層114を含む。
層、電子輸送層、電子注入層、キャリアブロック層、励起子ブロック層、電荷発生層など
、様々な層構造を適用することができる。
物、およびこれらの混合物などを用いて形成することが好ましい。具体的には、例えば、
酸化インジウム-酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、ケイ素若し
くは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛、酸化
タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO)等が挙げられる。これ
らの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル-ゲル法な
どを応用して作製しても構わない。作製方法の例としては、酸化インジウム-酸化亜鉛は
、酸化インジウムに対し1~20wt%の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタ
リング法により形成する方法などがある。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有し
た酸化インジウム(IWZO)は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5
wt%、酸化亜鉛を0.1~1wt%含有したターゲットを用いてスパッタリング法によ
り形成することもできる。この他、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タン
グステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)
、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、または金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等
が挙げられる。グラフェンも用いることができる。なお、ここでは仕事関数が大きく、陽
極を形成する材料として代表的な物質を列挙したが、本発明の一態様では、正孔注入層1
11に、正孔輸送性を有する有機化合物と、当該有機化合物に対し電子受容性を示す物質
とを含む複合材料を用いるため、仕事関数に関わらず電極材料を選択することができる。
注入層111、第1の正孔輸送層112-1、第2の正孔輸送層112-2、発光層11
3、電子輸送層114に加えて電子注入層115を有する構成、及び図1(B)に示すよ
うに、正孔注入層111、第1の正孔輸送層112-1、第2の正孔輸送層112-2、
発光層113、電子輸送層114に加えて電荷発生層116を有する構成の2種類の構成
について説明する。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。
、発光層113および電子輸送層114に関しては、実施の形態1で詳述したため、繰り
返しとなる記載を省略する。実施の形態1の記載を参照されたい。
iF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)等のようなアルカリ
金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含む層を設けても良い。電子注入層11
5は、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそ
れらの化合物を含有させたものや、エレクトライドを用いてもよい。エレクトライドとし
ては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が
挙げられる。
16を設けても良い(図1(B))。電荷発生層116は、電位をかけることによって当
該層の陰極側に接する層に正孔を、陽極側に接する層に電子を注入することができる層の
ことである。電荷発生層116には、少なくともP型層117が含まれる。P型層117
は、上述の正孔注入層111を構成することができる材料として挙げた複合材料を用いて
形成することが好ましい。またP型層117は、複合材料を構成する材料として上述した
電子受容性を示す物質を含む膜と正孔輸送材料を含む膜とを積層して構成しても良い。P
型層117に電位をかけることによって、電子輸送層114に電子が、陰極である陰極1
02に正孔が注入され、発光デバイスが動作する。
層119のいずれか一又は両方がもうけられていることが好ましい。
19とP型層117との相互作用を防いで電子をスムーズに受け渡す機能を有する。電子
リレー層118に含まれる電子輸送性を有する物質のLUMO準位は、P型層117にお
ける電子受容性物質のLUMO準位と、電子輸送層114における電荷発生層116に接
する層に含まれる物質のLUMO準位との間であることが好ましい。電子リレー層118
に用いられる電子輸送性を有する物質におけるLUMO準位の具体的なエネルギー準位は
-5.0eV以上、好ましくは-5.0eV以上-3.0eV以下とするとよい。なお、
電子リレー層118に用いられる電子輸送性を有する物質としてはフタロシアニン系の材
料又は金属-酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
これらの化合物(アルカリ金属化合物(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リ
チウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン
化物、炭酸塩を含む)、または希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含
む))等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
形成される場合には、電子供与性物質として、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類
金属、およびこれらの化合物(アルカリ金属化合物(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン
化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化
物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、または希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物
、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタセン(略称:TTN)、ニッケロセン、デカ
メチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性を有する物
質としては、先に説明した電子輸送層114を構成する材料と同様の材料を用いて形成す
ることができる。
属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このよ
うな陰極材料の具体例としては、リチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属
、およびマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等の元素
周期表の第1族または第2族に属する元素、およびこれらを含む合金(MgAg、AlL
i)、ユウロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属およびこれらを含
む合金等が挙げられる。しかしながら、陰極102と電子輸送層との間に、電子注入層を
設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、ケイ素若しくは酸
化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ等様々な導電性材料を陰極102として用
いることができる。
これら導電性材料は、真空蒸着法やスパッタリング法などの乾式法、インクジェット法、
スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。また、ゾル-ゲル法を用いて湿式
法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。
ことができる。例えば、真空蒸着法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印
刷法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。
ない。しかし、発光領域と電極やキャリア注入層に用いられる金属とが近接することによ
って生じる消光が抑制されるように、陽極101および陰極102から離れた部位に正孔
と電子とが再結合する発光領域を設けた構成が好ましい。
領域に近いキャリア輸送層は、発光層で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制する
ため、そのバンドギャップが発光層を構成する発光材料もしくは、発光層に含まれる発光
材料が有するバンドギャップより大きいバンドギャップを有する物質で構成することが好
ましい。
子ともいう)の態様について、図1(C)を参照して説明する。この発光デバイスは、陽
極と陰極との間に、複数の発光ユニットを有する発光デバイスである。一つの発光ユニッ
トは、図1(A)で示したEL層103とほぼ同様な構成を有する。つまり、図1(C)
で示す発光デバイスは複数の発光ユニットを有する発光デバイスであり、図1(A)又は
図1(B)で示した発光デバイスは、1つの発光ユニットを有する発光デバイスであると
いうことができる。
第2の発光ユニット512が積層されており、第1の発光ユニット511と第2の発光ユ
ニット512との間には電荷発生層513が設けられている。陽極501と陰極502は
それぞれ図1(A)における陽極101と陰極102に相当し、図1(A)の説明で述べ
たものと同じものを適用することができる。また、第1の発光ユニット511と第2の発
光ユニット512は同じ構成であっても異なる構成であってもよい。
ットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入する機能を有する。すなわち、図
1(C)において、陽極の電位の方が陰極の電位よりも高くなるように電圧を印加した場
合、電荷発生層513は、第1の発光ユニット511に電子を注入し、第2の発光ユニッ
ト512に正孔を注入するものであればよい。
ことが好ましい。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送
性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。なお、発光ユニ
ットの陽極側の面が電荷発生層513に接している場合は、電荷発生層513が発光ユニ
ットの正孔注入層の役割も担うことができるため、発光ユニットは正孔注入層を設けなく
とも良い。
ァ層119が陽極側の発光ユニットにおける電子注入層の役割を担うため、陽極側の発光
ユニットには必ずしも電子注入層を形成する必要はない。
上の発光ユニットを積層した発光デバイスについても、同様に適用することが可能である
。本実施の形態に係る発光デバイスのように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷
発生層513で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度発光を可能
とし、さらに長寿命な素子を実現できる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光
装置を実現することができる。
して、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光ユニットを有する発光デ
バイスにおいて、第1の発光ユニットで赤と緑の発光色、第2の発光ユニットで青の発光
色を得ることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることも可能で
ある。また、3つの発光ユニットを有する発光デバイスにおいて、第1の発光ユニットで
青の発光色、第2の発光ユニットで緑から赤の範囲にスペクトルを有する発光色、第3の
発光ユニットで青の発光色を得ることで、青の発光ユニットにかかる負荷を分散し、より
寿命の良好な発光デバイスを得ることが可能となる。
電荷発生層などの各層や電極は、例えば、蒸着法(真空蒸着法を含む)、液滴吐出法(イ
ンクジェット法ともいう)、塗布法、グラビア印刷法等の方法を用いて形成することがで
きる。また、それらは低分子材料、中分子材料(オリゴマー、デンドリマーを含む)、ま
たは高分子材料を含んでも良い。
本実施の形態では、実施の形態1および実施の形態2に記載の発光デバイスを用いた発光
装置について説明する。
された発光装置について図2を用いて説明する。なお、図2(A)は、発光装置を示す上
面図、図2(B)は図2(A)をA-BおよびC-Dで切断した断面図である。この発光
装置は、発光デバイスの発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部(ソース
線駆動回路)601、画素部602、駆動回路部(ゲート線駆動回路)603を含んでい
る。また、604は封止基板、605はシール材であり、シール材605で囲まれた内側
は、空間607になっている。
される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリ
ントサーキット)609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等
を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配
線基板(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装
置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとす
る。
及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース線駆動回路601と
、画素部602中の一つの画素が示されている。
FRP(Fiber Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニル
フロライド)、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いて作製す
ればよい。
型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップ
ゲート型のトランジスタでもボトムゲート型トランジスタでもよい。トランジスタに用い
る半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化
ガリウム等を用いることができる。または、In-Ga-Zn系金属酸化物などの、イン
ジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域
を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジ
スタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
用いられるトランジスタなどの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい
。特にシリコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体を適用することが好ましい。シ
リコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ状
態における電流を低減できる。
しい。また、In-M-Zn系酸化物(MはAl、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、
La、CeまたはHf等の金属)で表記される酸化物を含む酸化物半導体であることがよ
り好ましい。
または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない酸
化物半導体膜を用いることが好ましい。
いトランジスタを実現できる。
介して容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトラ
ンジスタを画素に適用することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動
回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実
現できる。
酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機
絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、
CVD(Chemical Vapor Deposition)法(プラズマCVD法
、熱CVD法、MOCVD(Metal Organic CVD)法など)、ALD(
Atomic Layer Deposition)法、塗布法、印刷法等を用いて形成
できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。
る。また、駆動回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成
すれば良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示
すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる
。
レインに電気的に接続された陽極613とを含む複数の画素により形成されているが、こ
れに限定されず、3つ以上のFETと、容量素子とを組み合わせた画素部としてもよい。
光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成することができる。
たは下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料と
してポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径(0.
2μm~3μm)を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、
ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。
、陽極613に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例
えば、ITO膜、またはケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、2~20wt%の酸化
亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt
膜などの単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタ
ン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等を用いることができ
る。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトが
とれ、さらに陽極として機能させることができる。
等の種々の方法によって形成される。EL層616は、実施の形態1および実施の形態2
で説明したような構成を含んでいる。また、EL層616を構成する他の材料としては、
低分子化合物、または高分子化合物(オリゴマー、デンドリマーを含む)であっても良い
。
い材料(Al、Mg、Li、Ca、またはこれらの合金や化合物(MgAg、MgIn、
AlLi等)等)を用いることが好ましい。なお、EL層616で生じた光が陰極617
を透過させる場合には、陰極617として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜(I
TO、2~20wt%の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、ケイ素を含有したインジウム錫
酸化物、酸化亜鉛(ZnO)等)との積層を用いるのが良い。
。当該発光デバイスは実施の形態1および実施の形態2に記載の発光デバイスである。な
お、画素部は複数の発光デバイスが形成されてなっているが、本実施の形態における発光
装置では、実施の形態1および実施の形態2に記載の発光デバイスと、それ以外の構成を
有する発光デバイスの両方が含まれていても良い。
子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光デバ
イス618が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填されて
おり、不活性気体(窒素やアルゴン等)が充填される場合の他、シール材で充填される場
合もある。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥材を設けることで水分の影響による劣
化を抑制することができ、好ましい構成である。
、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、
封止基板604に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiber R
einforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエス
テルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
絶縁膜で形成すればよい。また、シール材605の露出した部分を覆うように、保護膜が
形成されていても良い。また、保護膜は、一対の基板の表面及び側面、封止層、絶縁層、
等の露出した側面を覆って設けることができる。
などの不純物が外部から内部に拡散することを効果的に抑制することができる。
またはポリマー等を用いることができ、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハ
フニウムシリケート、酸化ランタン、酸化珪素、チタン酸ストロンチウム、酸化タンタル
、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イットリウム
、酸化セリウム、酸化スカンジウム、酸化エルビウム、酸化バナジウムまたは酸化インジ
ウム等を含む材料や、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化珪素、窒化タンタル、窒
化チタン、窒化ニオブ、窒化モリブデン、窒化ジルコニウムまたは窒化ガリウム等を含む
材料、チタンおよびアルミニウムを含む窒化物、チタンおよびアルミニウムを含む酸化物
、アルミニウムおよび亜鉛を含む酸化物、マンガンおよび亜鉛を含む硫化物、セリウムお
よびストロンチウムを含む硫化物、エルビウムおよびアルミニウムを含む酸化物、イット
リウムおよびジルコニウムを含む酸化物等を含む材料を用いることができる。
好ましい。このような手法の一つに、原子層堆積(ALD:Atomic Layer
Deposition)法がある。ALD法を用いて形成することができる材料を、保護
膜に用いることが好ましい。ALD法を用いることで緻密な、クラックやピンホールなど
の欠陥が低減された、または均一な厚さを備える保護膜を形成することができる。また、
保護膜を形成する際に加工部材に与える損傷を、低減することができる。
チパネルの上面、側面及び裏面にまで均一で欠陥の少ない保護膜を形成することができる
。
された発光装置を得ることができる。
スを用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実
施の形態1および実施の形態2に記載の発光デバイスは寿命の長い発光デバイスであるた
め、信頼性の良好な発光装置とすることができる。また、実施の形態1および実施の形態
2に記載の発光デバイスを用いた発光装置は発光効率が良好なため、消費電力の小さい発
光装置とすることが可能である。
ことによってフルカラー化した発光装置の例を示す。図3(A)には基板1001、下地
絶縁膜1002、ゲート絶縁膜1003、ゲート電極1006、1007、1008、第
1の層間絶縁膜1020、第2の層間絶縁膜1021、周辺部1042、画素部1040
、駆動回路部1041、発光デバイスの陽極1024W、1024R、1024G、10
24B、隔壁1025、EL層1028、発光デバイスの陰極1029、封止基板103
1、シール材1032などが図示されている。
の着色層1034B)は透明な基材1033に設けている。また、ブラックマトリクス1
035をさらに設けても良い。着色層及びブラックマトリクスが設けられた透明な基材1
033は、位置合わせし、基板1001に固定する。なお、着色層、及びブラックマトリ
クス1035は、オーバーコート層1036で覆われている。また、図3(A)において
は、光が着色層を透過せずに外部へと出る発光層と、各色の着色層を透過して外部に光が
出る発光層とがあり、着色層を透過しない光は白、着色層を透過する光は赤、緑、青とな
ることから、4色の画素で映像を表現することができる。
層1034B)をゲート絶縁膜1003と第1の層間絶縁膜1020との間に形成する例
を示した。このように、着色層は基板1001と封止基板1031の間に設けられていて
も良い。
出す構造(ボトムエミッション型)の発光装置としたが、封止基板1031側に発光を取
り出す構造(トップエミッション型)の発光装置としても良い。トップエミッション型の
発光装置の断面図を図4に示す。この場合、基板1001は光を通さない基板を用いるこ
とができる。FETと発光デバイスの陽極とを接続する接続電極を作製するまでは、ボト
ムエミッション型の発光装置と同様に形成する。その後、第3の層間絶縁膜1037を電
極1022を覆って形成する。この絶縁膜は平坦化の役割を担っていても良い。第3の層
間絶縁膜1037は第2の層間絶縁膜と同様の材料の他、他の公知の材料を用いて形成す
ることができる。
あるが、陰極として形成しても構わない。また、図4のようなトップエミッション型の発
光装置である場合、陽極を反射電極とすることが好ましい。EL層1028の構成は、実
施の形態1および実施の形態2においてEL層103として説明したような構成とし、且
つ、白色の発光が得られるような素子構造とする。
色層1034G、青色の着色層1034B)を設けた封止基板1031で封止を行うこと
ができる。封止基板1031には画素と画素との間に位置するようにブラックマトリクス
1035を設けても良い。着色層(赤色の着色層1034R、緑色の着色層1034G、
青色の着色層1034B)やブラックマトリックスはオーバーコート層1036によって
覆われていても良い。なお封止基板1031は透光性を有する基板を用いることとする。
また、ここでは赤、緑、青、白の4色でフルカラー表示を行う例を示したが特に限定され
ず、赤、黄、緑、青の4色や赤、緑、青の3色でフルカラー表示を行ってもよい。
マイクロキャビティ構造を有する発光デバイスは、陽極を反射電極、陰極を半透過・半反
射電極とすることにより得られる。反射電極と半透過・半反射電極との間には少なくとも
EL層を有し、少なくとも発光領域となる発光層を有している。
%であり、かつその抵抗率が1×10-2Ωcm以下の膜であるとする。また、半透過・
半反射電極は、可視光の反射率が20%乃至80%、好ましくは40%乃至70%であり
、かつその抵抗率が1×10-2Ωcm以下の膜であるとする。
て反射され、共振する。
ることで反射電極と半透過・半反射電極の間の光学的距離を変えることができる。これに
より、反射電極と半透過・半反射電極との間において、共振する波長の光を強め、共振し
ない波長の光を減衰させることができる。
・半反射電極に直接入射する光(第1の入射光)と大きな干渉を起こすため、反射電極と
発光層の光学的距離を(2n-1)λ/4(ただし、nは1以上の自然数、λは増幅した
い発光の波長)に調節することが好ましい。当該光学的距離を調節することにより、第1
の反射光と第1の入射光との位相を合わせ発光層からの発光をより増幅させることができ
る。
層を有する構造であっても良く、例えば、上述のタンデム型発光デバイスの構成と組み合
わせて、一つの発光デバイスに電荷発生層を挟んで複数のEL層を設け、それぞれのEL
層に単数もしくは複数の発光層を形成する構成に適用してもよい。
可能となるため、低消費電力化を図ることができる。なお、赤、黄、緑、青の4色の副画
素で映像を表示する発光装置の場合、黄色発光による輝度向上効果のうえ、全副画素にお
いて各色の波長に合わせたマイクロキャビティ構造を適用できるため良好な特性の発光装
置とすることができる。
スを用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実
施の形態1および実施の形態2に記載の発光デバイスは寿命の長い発光デバイスであるた
め、信頼性の良好な発光装置とすることができる。また、実施の形態1および実施の形態
2に記載の発光デバイスを用いた発光装置は発光効率が良好なため、消費電力の小さい発
光装置とすることが可能である。
ブマトリクス型の発光装置について説明する。図5には本発明を適用して作製したパッシ
ブマトリクス型の発光装置を示す。なお、図5(A)は、発光装置を示す斜視図、図5(
B)は図5(A)をX-Yで切断した断面図である。図5において、基板951上には、
電極952と電極956との間にはEL層955が設けられている。電極952の端部は
絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層954が設けられてい
る。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間
隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層954の短辺方向の断面は、台
形状であり、底辺(絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接する辺
)の方が上辺(絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接しない辺)
よりも短い。このように、隔壁層954を設けることで、静電気等に起因した発光デバイ
スの不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、実施
の形態1および実施の形態2に記載の発光デバイスを用いており、信頼性の良好な発光装
置、又は消費電力の小さい発光装置とすることができる。
ぞれ制御することが可能であるため、画像の表現を行う表示装置として好適に利用できる
発光装置である。
本実施の形態では、実施の形態1および実施の形態2に記載の発光デバイスを照明装置と
して用いる例を図6を参照しながら説明する。図6(B)は照明装置の上面図、図6(A
)は図6(B)におけるe-f断面図である。
01が形成されている。陽極401は実施の形態2における陽極101に相当する。陽極
401側から発光を取り出す場合、陽極401は透光性を有する材料により形成する。
施の形態2におけるEL層103の構成、又は発光ユニット511、512及び電荷発生
層513を合わせた構成などに相当する。なお、これらの構成については当該記載を参照
されたい。
02に相当する。発光を陽極401側から取り出す場合、陰極404は反射率の高い材料
によって形成される。陰極404はパッド412と接続することによって、電圧が供給さ
れる。
で示す照明装置は有している。当該発光デバイスは発光効率の高い発光デバイスであるた
め、本実施の形態における照明装置は消費電力の小さい照明装置とすることができる。
材405、406を用いて固着し、封止することによって照明装置が完成する。シール材
405、406はどちらか一方でもかまわない。また、内側のシール材406(図6(B
)では図示せず)には乾燥剤を混ぜることもでき、これにより、水分を吸着することがで
き、信頼性の向上につながる。
ことによって、外部入力端子とすることができる。また、その上にコンバーターなどを搭
載したICチップ420などを設けても良い。
記載の発光デバイスを用いており、信頼性の良好な発光装置とすることができる。また、
消費電力の小さい発光装置とすることができる。
本実施の形態では、実施の形態1および実施の形態2に記載の発光デバイスをその一部に
含む電子機器の例について説明する。実施の形態1および実施の形態2に記載の発光デバ
イスは寿命が良好であり、信頼性の良好な発光デバイスである。その結果、本実施の形態
に記載の電子機器は、信頼性の良好な発光部を有する電子機器とすることが可能である。
はテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジ
タルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置とも
いう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機
などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を以下に示す。
1に表示部7103が組み込まれている。また、ここでは、スタンド7105により筐体
7101を支持した構成を示している。表示部7103により、映像を表示することが可
能であり、表示部7103は、実施の形態1および実施の形態2に記載の発光デバイスを
マトリクス状に配列して構成されている。
機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キー7109
により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示される映像を
操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作機7110
から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。
のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信
ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向(送信者
と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
ーボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む
。なお、このコンピュータは、実施の形態1および実施の形態2に記載の発光デバイスを
マトリクス状に配列して表示部7203に用いることにより作製される。図7(B1)の
コンピュータは、図7(B2)のような形態であっても良い。図7(B2)のコンピュー
タは、キーボード7204、ポインティングデバイス7206の代わりに第2の表示部7
210が設けられている。第2の表示部7210はタッチパネル式となっており、第2の
表示部7210に表示された入力用の表示を指や専用のペンで操作することによって入力
を行うことができる。また、第2の表示部7210は入力用表示だけでなく、その他の画
像を表示することも可能である。また表示部7203もタッチパネルであっても良い。二
つの画面がヒンジで接続されていることによって、収納や運搬をする際に画面を傷つける
、破損するなどのトラブルの発生も防止することができる。
た表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピーカ740
5、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機は、実施の形態1および実施の
形態2に記載の発光デバイスをマトリクス状に配列して作製された表示部7402を有し
ている。
ことができる構成とすることもできる。この場合、電話を掛ける、或いはメールを作成す
るなどの操作は、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示
モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部7402の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。
装置を設けることで、携帯端末の向き(縦か横か)を判断して、表示部7402の画面表
示を自動的に切り替えるようにすることができる。
ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
02に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光
源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
み合わせて用いることができる。
用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能であ
る。実施の形態1および実施の形態2に記載の発光デバイスを用いることにより信頼性の
高い電子機器を得ることができる。
数のカメラ5102、ブラシ5103、操作ボタン5104を有する。また図示されてい
ないが、掃除ロボット5100の下面には、タイヤ、吸い込み口等が備えられている。掃
除ロボット5100は、その他に赤外線センサ、超音波センサ、加速度センサ、ピエゾセ
ンサ、光センサ、ジャイロセンサなどの各種センサを備えている。また、掃除ロボット5
100は、無線による通信手段を備えている。
らゴミを吸引することができる。
段差などの障害物の有無を判断することができる。また、画像解析により、配線などブラ
シ5103に絡まりそうな物体を検知した場合は、ブラシ5103の回転を止めることが
できる。
ができる。掃除ロボット5100が走行した経路をディスプレイ5101に表示させても
よい。また、ディスプレイ5101をタッチパネルとし、操作ボタン5104をディスプ
レイ5101に設けてもよい。
できる。カメラ5102が撮影した画像は、携帯電子機器5140に表示させることがで
きる。そのため、掃除ロボット5100の持ち主は、外出先からでも、部屋の様子を知る
ことができる。また、ディスプレイ5101の表示をスマートフォンなどの携帯電子機器
5140で確認することもできる。
ロフォン2102、上部カメラ2103、スピーカ2104、ディスプレイ2105、下
部カメラ2106、障害物センサ2107および移動機構2108を備える。
、スピーカ2104は、音声を発する機能を有する。ロボット2100は、マイクロフォ
ン2102およびスピーカ2104を用いて、使用者とコミュニケーションをとることが
可能である。
使用者の望みの情報をディスプレイ2105に表示することが可能である。ディスプレイ
2105は、タッチパネルを搭載していてもよい。また、ディスプレイ2105は取り外
しのできる情報端末であっても良く、ロボット2100の定位置に設置することで、充電
およびデータの受け渡しを可能とする。
能を有する。また、障害物センサ2107は、移動機構2108を用いてロボット210
0が前進する際の進行方向における障害物の有無を察知することができる。ロボット21
00は、上部カメラ2103、下部カメラ2106および障害物センサ2107を用いて
、周囲の環境を認識し、安全に移動することが可能である。本発明の一態様の発光装置は
ディスプレイ2105に用いることができる。
、例えば、筐体5000、表示部5001、スピーカ5003、LEDランプ5004、
接続端子5006、センサ5007(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、
距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放
射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイ
クロフォン5008、第2の表示部5002、支持部5012、イヤホン5013等を有
する。
できる。
スタンドに用いた例である。図9に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002
を有し、光源2002としては、実施の形態3に記載の照明装置を用いても良い。
001として用いた例である。実施の形態1および実施の形態2に記載の発光デバイスは
信頼性の高い発光デバイスであるため、信頼性の良い照明装置とすることができる。また
、実施の形態1および実施の形態2に記載の発光デバイスは大面積化が可能であるため、
大面積の照明装置として用いることができる。また、実施の形態1および実施の形態2に
記載の発光デバイスは、薄型であるため、薄型化した照明装置として用いることが可能と
なる。
ッシュボードにも搭載することができる。図11に実施の形態1および実施の形態2に記
載の発光デバイスを自動車のフロントガラスやダッシュボードに用いる一態様を示す。表
示領域5200乃至表示領域5203は実施の形態1および実施の形態2に記載の発光デ
バイスを用いて設けられた表示領域である。
1および実施の形態2に記載の発光デバイスを搭載した表示装置である。実施の形態1お
よび実施の形態2に記載の発光デバイスは、陽極と陰極を透光性を有する電極で作製する
ことによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることが
できる。シースルー状態の表示であれば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、
視界の妨げになることなく設置することができる。なお、駆動のためのトランジスタなど
を設ける場合には、有機半導体材料による有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたト
ランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いると良い。
光デバイスを搭載した表示装置である。表示領域5202には、車体に設けられた撮像手
段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。
また、同様に、ダッシュボード部分に設けられた表示領域5203は車体によって遮られ
た視界を、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角
を補い、安全性を高めることができる。見えない部分を補完するように映像を映すことに
よって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。
状態、エアコンの設定などを表示することで様々な情報を提供することができる。表示は
使用者の好みに合わせて適宜その表示項目やレイアウトを変更することができる。なお、
これら情報は表示領域5200乃至表示領域5203にも設けることができる。また、表
示領域5200乃至表示領域5203は照明装置として用いることも可能である。
たみ可能な携帯情報端末5150は筐体5151、表示領域5152および屈曲部515
3を有している。図12(A)に展開した状態の携帯情報端末5150を示す。図12(
B)に折りたたんだ状態の携帯情報端末5150を示す。携帯情報端末5150は、大き
な表示領域5152を有するにも関わらず、折りたためばコンパクトで可搬性に優れる。
3は伸縮可能な部材と複数の支持部材とで構成されており、折りたたむ場合は、伸縮可能
な部材が伸び、屈曲部5153は2mm以上、好ましくは3mm以上の曲率半径を有して
折りたたまれる。
装置)であってもよい。本発明の一態様の発光装置を表示領域5152に用いることがで
きる。
(A)に展開した状態の携帯情報端末9310を示す。図13(B)に展開した状態又は
折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末9310を示す。
図13(C)に折りたたんだ状態の携帯情報端末9310を示す。携帯情報端末9310
は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域
により表示の一覧性に優れる。
ている。なお、表示パネル9311は、タッチセンサ(入力装置)を搭載したタッチパネ
ル(入出力装置)であってもよい。また、表示パネル9311は、ヒンジ9313を介し
て2つの筐体9315間を屈曲させることにより、携帯情報端末9310を展開した状態
から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一態様の発光装置を
表示パネル9311に用いることができる。
バイスである比較発光デバイス1および比較発光デバイス2について説明する。発光デバ
イス1乃至発光デバイス3、比較発光デバイス1および比較発光デバイス2で用いた有機
化合物の構造式を以下に示す。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極101を形成した。なお、その膜厚は70nmとし、電極面積は2
mm×2mmとした。
00℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度
放冷した。
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、陽極101上に、抵抗加熱を用いた蒸
着法により上記構造式(i)で表されるN-(1,1’-ビフェニル-4-イル)-9,
9-ジメチル-N-[4-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)フェニル]
-9H-フルオレン-2-アミン(略称:PCBBiF)と、ALD-MP001Q(分
析工房株式会社、材料シリアル番号:1S20170124)とを、重量比で1:0.1
(=PCBBiF:ALD-MP001Q)となるように、10nm共蒸着して正孔注入
層111を形成した。
nmとなるように蒸着した後、第2の正孔輸送層112-2として、上記構造式(ii)
で表されるN,N-ビス[4-(ジベンゾフラン-4-イル)フェニル]-4-アミノ-
p-ターフェニル(略称:DBfBB1TP)を10nmとなるように蒸着して正孔輸送
層112を形成した。なお、第2の正孔輸送層112-2は電子ブロック層としても機能
する。
)フェニル]-7H-ジベンゾ[c,g]カルバゾール(略称:cgDBCzPA)と、
上記構造式(iv)で表されるN,N’-(ピレン-1,6-ジイル)ビス[(6,N-
ジフェニルベンゾ[b]ナフト[1,2-d]フラン)-8-アミン](略称:1,6B
nfAPrn-03)とを、重量比1:0.03(=cgDBCzPA:1,6BnfA
Prn-03)となるように25nm共蒸着して発光層113を形成した。
ェン-4-イル)ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2m
DBTBPDBq-II)を膜厚15nmとなるように蒸着した後、上記構造式(vi)
で表される2,9-ビス(ナフタレン-2-イル)-4,7-ジフェニル-1,10-フ
ェナントロリン(略称:NBPhen)を膜厚10nmとなるように蒸着し、電子輸送層
114を形成した。
着して電子注入層115を形成し、続いてアルミニウムを200nmの膜厚となるように
蒸着することで陰極102を形成して本実施例の発光デバイス1を作製した。
発光デバイス2は、発光デバイス1におけるPCBBiFを上記構造式(vii)で表さ
れるN,N-ビス(4-ビフェニル)-6-フェニルベンゾ[b]ナフト[1,2-d]
フラン-8-アミン(略称:BBABnf)に変えた他は発光デバイス1と同様に作製し
た。
発光デバイス3は発光デバイス2におけるDBfBB1TPを上記構造式(viii)で
表される3,3’-(ナフタレン-1,4-ジイル)ビス(9-フェニル-9H-カルバ
ゾール)(略称:PCzN2)に変えた他は発光デバイス2と同様に作製した。
比較発光デバイス1は発光デバイス1の2mDBTBPDBq-IIをcgDBCzPA
に変えた他は発光デバイス1と同様に作製した。
比較発光デバイス2は、比較発光デバイス1におけるDBfBB1TPをPCzN2に変
えた他は比較発光デバイス1と同様に作製した。
子構造を以下の表にまとめる。
/cm]の平方根が600である時の電子移動度をまとめた表を以下に示す。
に曝されないようにガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、封
止時にUV処理、80℃にて1時間熱処理)を行った後、これら発光デバイスの初期特性
及び信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。
度-電流密度特性を図14に、電流効率-輝度特性を図15に、輝度-電圧特性を図16
に、電流-電圧特性を図17に、外部量子効率-輝度特性を図18に、発光スペクトルを
図19に示す。また、各発光デバイスの1000cd/m2付近における主要な特性を表
3に示す。
3はいずれも、特性の良好な青色発光デバイスであることがわかった。
20に示す。図20で示すように、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス1
は、300時間経過時点での輝度が初期輝度の86%以上、発光素子2および発光素子3
は90%以上を保っており、駆動時間の蓄積に伴う輝度低下が小さく、寿命の良好な発光
デバイスであることがわかった。
5cm2/Vsと高い材料であるcgDBCzPAを電子輸送層に用いた比較発光素子は
300時間経過時点での輝度が比較発光素子1で初期輝度の84%以下、比較発光素子2
で80%以下となっている。これら比較発光素子は、正孔注入、輸送層の正孔注入、輸送
能力と比較して、電子輸送層の電子移動度が高すぎることから発光層における発光領域が
狭くなってしまうために、劣化が促進されていると考えられる。
るため、第6の有機化合物と第7の有機化合物のLUMO準位に差が無い構成となってい
る。このため、より発光層113に電子が注入されやすい構成となっており、電子過多の
状態が形成されやすい構成となっている。
用いられた有機化合物であるPCBBiFのHOMO準位と第2の正孔輸送層に用いられ
たPCzN2のHOMO準位との差が0.36eVと、0.2eVよりも大きい構成とな
っている。このため、比較発光素子2は第1の正孔輸送層から第2の正孔輸送層への正孔
の注入が抑制され、さらに正孔と電子とのバランスが取り難くなることで、これら素子の
中では最も劣化の大きい発光素子となっている。また、他の発光素子と比較して比較発光
素子2は電流効率や外部量子効率も低くなっていることから、電子過多により再結合する
ことなく発光層を抜けてしまう電子も増加していると考えられる。
バイスである比較発光デバイス3について説明する。発光デバイス4乃至発光デバイス6
、比較発光デバイス3で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極101を形成した。なお、その膜厚は70nmとし、電極面積は2
mm×2mmとした。
00℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度
放冷した。
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、陽極101上に、抵抗加熱を用いた蒸
着法により上記構造式(i)で表されるN-(1,1’-ビフェニル-4-イル)-9,
9-ジメチル-N-[4-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)フェニル]
-9H-フルオレン-2-アミン(略称:PCBBiF)と、ALD-MP001Q(分
析工房株式会社、材料シリアル番号:1S20170124)とを、重量比で1:0.1
(=PCBBiF:ALD-MP001Q)となるように、10nm共蒸着して正孔注入
層111を形成した。
nmとなるように蒸着した後、第2の正孔輸送層112-2として、上記構造式(ii)
で表されるN,N-ビス[4-(ジベンゾフラン-4-イル)フェニル]-4-アミノ-
p-ターフェニル(略称:DBfBB1TP)を10nmとなるように蒸着して正孔輸送
層112を形成した。なお、第2の正孔輸送層112-2は電子ブロック層としても機能
する。
チル)フェニル]アントラセン(略称:αN-βNPAnth)と、上記構造式(iv)
で表されるN,N’-(ピレン-1,6-ジイル)ビス[(6,N-ジフェニルベンゾ[
b]ナフト[1,2-d]フラン)-8-アミン](略称:1,6BnfAPrn-03
)とを、重量比1:0.03(=αN-βNPAnth:1,6BnfAPrn-03)
となるように25nm共蒸着して発光層113を形成した。
ェン-4-イル)ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2m
DBTBPDBq-II)を膜厚15nmとなるように蒸着した後、上記構造式(vi)
で表される2,9-ビス(ナフタレン-2-イル)-4,7-ジフェニル-1,10-フ
ェナントロリン(略称:NBPhen)を膜厚10nmとなるように蒸着し、電子輸送層
114を形成した。
着して電子注入層115を形成し、続いてアルミニウムを200nmの膜厚となるように
蒸着することで陰極102を形成して本実施例の発光デバイス4を作製した。
発光デバイス5は、発光デバイス4におけるPCBBiFを上記構造式(vii)で表さ
れるN,N-ビス(4-ビフェニル)-6-フェニルベンゾ[b]ナフト[1,2-d]
フラン-8-アミン(略称:BBABnf)に変えた他は発光デバイス4と同様に作製し
た。
発光デバイス6は発光デバイス5におけるDBfBB1TPを上記構造式(viii)で
表される3,3’-(ナフタレン-1,4-ジイル)ビス(9-フェニル-9H-カルバ
ゾール)(略称:PCzN2)に変えた他は発光デバイス5と同様に作製した。
比較発光デバイス3は発光デバイス4の2mDBTBPDBq-IIをαN-βNPAn
thに変えた他は発光デバイス4と同様に作製した。
る。
V/cm]の平方根が600である時の電子移動度をまとめた表を以下に示す。
に曝されないようにガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、封
止時にUV処理、80℃にて1時間熱処理)を行った後、これら発光デバイスの初期特性
及び信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。
に、電流効率-輝度特性を図22に、輝度-電圧特性を図23に、電流-電圧特性を図2
4に、外部量子効率-輝度特性を図25に、発光スペクトルを図26に示す。また、各発
光デバイスの1000cd/m2付近における主要な特性を表6に示す。
6はいずれも、特性の良好な青色発光デバイスであることがわかった。
27に示す。図27で示すように、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス4
乃至発光デバイス6は、300時間経過時点でも初期輝度の94%程度を保っており、駆
動時間の蓄積に伴う輝度低下が小さく、寿命の良好な発光デバイスであることがわかった
。
相当するため、第6の有機化合物と第7の有機化合物のLUMO準位に差が無い構成とな
っている。このため、より発光層113に電子が注入されやすい構成となっており、電子
過多の状態が形成されやすく、劣化が促進されてしまっていると考えられる。
。発光デバイス7および発光デバイス8で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極101を形成した。なお、その膜厚は70nmとし、電極面積は2
mm×2mmとした。
00℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度
放冷した。
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、陽極101上に、抵抗加熱を用いた蒸
着法により上記構造式(vii)で表されるN,N-ビス(4-ビフェニル)-6-フェ
ニルベンゾ[b]ナフト[1,2-d]フラン-8-アミン(略称:BBABnf)と、
ALD-MP001Q(分析工房株式会社、材料シリアル番号:1S20170124)
とを、重量比で1:0.1(=BBABnf:ALD-MP001Q)となるように、1
0nm共蒸着して正孔注入層111を形成した。
nmとなるように蒸着した後、第2の正孔輸送層112-2として、上記構造式(ii)
で表されるN,N-ビス[4-(ジベンゾフラン-4-イル)フェニル]-4-アミノ-
p-ターフェニル(略称:DBfBB1TP)を10nmとなるように蒸着して正孔輸送
層112を形成した。なお、第2の正孔輸送層112-2は電子ブロック層としても機能
する。
)フェニル]-7H-ジベンゾ[c,g]カルバゾール(略称:cgDBCzPA)と、
上記構造式(x)で表される3,10-ビス[N-(9-フェニル-9H-カルバゾール
-2-イル)-N-フェニルアミノ]ナフト[2,3-b;6,7-b’]ビスベンゾフ
ラン(略称:3,10PCA2Nbf(IV)-02)とを、重量比1:0.015(=
cgDBCzPA:3,10PCA2Nbf(IV)-02)となるように25nm共蒸
着して発光層113を形成した。
ェン-4-イル)ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2m
DBTBPDBq-II)を膜厚15nmとなるように蒸着した後、上記構造式(vi)
で表される2,9-ビス(ナフタレン-2-イル)-4,7-ジフェニル-1,10-フ
ェナントロリン(略称:NBPhen)を膜厚10nmとなるように蒸着し、電子輸送層
114を形成した。
着して電子注入層115を形成し、続いてアルミニウムを200nmの膜厚となるように
蒸着することで陰極102を形成して本実施例の発光デバイス7を作製した。
発光デバイス8は、発光デバイス7におけるcgDBCzPAを上記構造式(ix)で表
される9-(1-ナフチル)-10-[4-(2-ナフチル)フェニル]アントラセン(
略称:αN-βNPAnth)に変えた他は発光デバイス7と同様に作製した。
V/cm]の平方根が600である時の電子移動度をまとめた表を以下に示す。
に曝されないようにガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、封
止時にUV処理、80℃にて1時間熱処理)を行った後、これら発光デバイスの初期特性
及び信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。
特性を図29に、輝度-電圧特性を図30に、電流-電圧特性を図31に、外部量子効率
-輝度特性を図32に、発光スペクトルを図33に示す。また、各発光デバイスの100
0cd/m2付近における主要な特性を表9に示す。
ス8はいずれも、特性の良好な青色発光デバイスであることがわかった。
34に示す。図34で示すように、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス7
および発光デバイス8は、どちらも300時間経過時点でも初期輝度の90%以上の輝度
を保っており、駆動時間の蓄積に伴う輝度低下が小さく、寿命の良好な発光デバイスであ
ることがわかった。
いた有機化合物の構造式を以下に示す。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極101を形成した。なお、その膜厚は70nmとし、電極面積は2
mm×2mmとした。
00℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度
放冷した。
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、陽極101上に、抵抗加熱を用いた蒸
着法により上記構造式(vii)で表されるN,N-ビス(4-ビフェニル)-6-フェ
ニルベンゾ[b]ナフト[1,2-d]フラン-8-アミン(略称:BBABnf)と、
ALD-MP001Q(分析工房株式会社、材料シリアル番号:1S20170124)
とを、重量比で1:0.1(=BBABnf:ALD-MP001Q)となるように、1
0nm共蒸着して正孔注入層111を形成した。
nmとなるように蒸着した後、第2の正孔輸送層112-2として、上記構造式(vii
i)で表される3,3’-(ナフタレン-1,4-ジイル)ビス(9-フェニル-9H-
カルバゾール)(略称:PCzN2)を10nmとなるように蒸着して正孔輸送層112
を形成した。なお、第2の正孔輸送層112-2は電子ブロック層としても機能する。
チル)フェニル]アントラセン(略称:αN-βNPAnth)と上記構造式(x)で表
される3,10-ビス[N-(9-フェニル-9H-カルバゾール-2-イル)-N-フ
ェニルアミノ]ナフト[2,3-b;6,7-b’]ビスベンゾフラン(略称:3,10
PCA2Nbf(IV)-02)とを、重量比1:0.015(=αN-βNPAnth
:3,10PCA2Nbf(IV)-02)となるように25nm共蒸着して発光層11
3を形成した。
ナフタレン-2-イル)-2-アントリル]フェニル}-1-フェニル-1H-ベンゾイ
ミダゾール(略称:ZADN)と上記構造式(xx)で表される8-ヒドロキシキノリナ
ト-リチウム(略称:Liq)とを重量比1:0.9(=ZADN:Liq)となるよう
に25nm共蒸着し、電子輸送層114を形成した。
15を形成し、続いてアルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着することで陰極
102を形成して本実施例の発光デバイス9を作製した。
V/cm]の平方根が600である時の電子移動度をまとめた表を以下に示す。
曝されないようにガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、封止
時にUV処理、80℃にて1時間熱処理)を行った後、発光デバイス9の初期特性及び信
頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。
-電圧特性を図37に、電流-電圧特性を図38に、外部量子効率-輝度特性を図39に
、発光スペクトルを図40に示す。また、発光デバイスの1000cd/m2付近におけ
る主要な特性を表12に示す。
な青色発光デバイスであることがわかった。
41に示す。図41で示すように、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス9
は、600時間経過時点でも初期輝度の90%付近の輝度を保っており、駆動時間の蓄積
に伴う輝度低下が特に小さく、非常に寿命の良好な発光デバイスであることがわかった。
ことがわかる。このような劣化の挙動をしていることにより、発光素子9は非常に寿命の
長い発光素子となっている。
で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極101を形成した。なお、その膜厚は70nmとし、電極面積は2
mm×2mmとした。
00℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度
放冷した。
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、陽極101上に、抵抗加熱を用いた蒸
着法により上記構造式(i)で表されるN-(1,1’-ビフェニル-4-イル)-9,
9-ジメチル-N-[4-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)フェニル]
-9H-フルオレン-2-アミン(略称:PCBBiF)と、ALD-MP001Q(分
析工房株式会社、材料シリアル番号:1S20170124)とを、重量比で1:0.1
(=PCBBiF:ALD-MP001Q)となるように、10nm共蒸着して正孔注入
層111を形成した。
nmとなるように蒸着した後、第2の正孔輸送層112-2として、上記構造式(ii)
で表されるN,N-ビス[4-(ジベンゾフラン-4-イル)フェニル]-4-アミノ-
p-ターフェニル(略称:DBfBB1TP)を10nmとなるように蒸着して正孔輸送
層112を形成した。なお、第2の正孔輸送層112-2は電子ブロック層としても機能
する。
チル)フェニル]アントラセン(略称:αN-βNPAnth)と、上記構造式(x)で
表される3,10-ビス[N-(9-フェニル-9H-カルバゾール-2-イル)-N-
フェニルアミノ]ナフト[2,3-b;6,7-b’]ビスベンゾフラン(略称:3,1
0PCA2Nbf(IV)-02)とを、重量比1:0.015(=αN-βNPAnt
h:3,10PCA2Nbf(IV)-02)となるように25nm共蒸着して発光層1
13を形成した。
ェン-4-イル)ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2m
DBTBPDBq-II)を膜厚15nmとなるように蒸着した後、上記構造式(vi)
で表される2,9-ビス(ナフタレン-2-イル)-4,7-ジフェニル-1,10-フ
ェナントロリン(略称:NBPhen)を膜厚10nmとなるように蒸着し、電子輸送層
114を形成した。
着して電子注入層115を形成し、続いてアルミニウムを200nmの膜厚となるように
蒸着することで陰極102を形成して本実施例の発光デバイス10を作製した。
/cm]の平方根が600である時の電子移動度をまとめた表を以下に示す。
曝されないようにガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、封止
時にUV処理、80℃にて1時間熱処理)を行った後、発光デバイス10の初期特性及び
信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。
度-電圧特性を図49に、電流-電圧特性を図50に、外部量子効率-輝度特性を図51
に、発光スペクトルを図52に示す。また、発光デバイスの1000cd/m2付近にお
ける主要な特性を表15に示す。
な青色発光デバイスであることがわかった。
53に示す。図53で示すように、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス1
0は、600時間経過時点での輝度が初期輝度の90%程度を保っており、駆動時間の蓄
積に伴う輝度低下が小さく、寿命の良好な発光デバイスであることがわかった。
で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極101を形成した。なお、その膜厚は70nmとし、電極面積は2
mm×2mmとした。
00℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度
放冷した。
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、陽極101上に、抵抗加熱を用いた蒸
着法により上記構造式(i)で表されるN-(1,1’-ビフェニル-4-イル)-9,
9-ジメチル-N-[4-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)フェニル]
-9H-フルオレン-2-アミン(略称:PCBBiF)と、ALD-MP001Q(分
析工房株式会社、材料シリアル番号:1S20170124)とを、重量比で1:0.1
(=PCBBiF:ALD-MP001Q)となるように、10nm共蒸着して正孔注入
層111を形成した。
nmとなるように蒸着した後、第2の正孔輸送層112-2として、上記構造式(ii)
で表されるN,N-ビス[4-(ジベンゾフラン-4-イル)フェニル]-4-アミノ-
p-ターフェニル(略称:DBfBB1TP)を10nmとなるように蒸着して正孔輸送
層112を形成した。なお、第2の正孔輸送層112-2は電子ブロック層としても機能
する。
)フェニル]-7H-ジベンゾ[c,g]カルバゾール(略称:cgDBCzPA)と、
上記構造式(x)で表される3,10-ビス[N-(9-フェニル-9H-カルバゾール
-2-イル)-N-フェニルアミノ]ナフト[2,3-b;6,7-b’]ビスベンゾフ
ラン(略称:3,10PCA2Nbf(IV)-02)とを、重量比1:0.015(=
cgDBCzPA:3,10PCA2Nbf(IV)-02)となるように25nm共蒸
着して発光層113を形成した。
ェン-4-イル)ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2m
DBTBPDBq-II)を膜厚15nmとなるように蒸着した後、上記構造式(vi)
で表される2,9-ビス(ナフタレン-2-イル)-4,7-ジフェニル-1,10-フ
ェナントロリン(略称:NBPhen)を膜厚10nmとなるように蒸着し、電子輸送層
114を形成した。
着して電子注入層115を形成し、続いてアルミニウムを200nmの膜厚となるように
蒸着することで陰極102を形成して本実施例の発光デバイス11を作製した。
/cm]の平方根が600である時の電子移動度をまとめた表を以下に示す。
曝されないようにガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、封止
時にUV処理、80℃にて1時間熱処理)を行った後、発光デバイス11の初期特性及び
信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。
度-電圧特性を図56に、電流-電圧特性を図57に、外部量子効率-輝度特性を図58
に、発光スペクトルを図59に示す。また、発光デバイスの1000cd/m2付近にお
ける主要な特性を表18に示す。
な青色発光デバイスであることがわかった。
60に示す。図60で示すように、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス1
1は、600時間経過時点での輝度が初期輝度の80%以上を保っており、駆動時間の蓄
積に伴う輝度低下が小さく、寿命の良好な発光デバイスであることがわかった。
で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極101を形成した。なお、その膜厚は70nmとし、電極面積は2
mm×2mmとした。
00℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度
放冷した。
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、陽極101上に、抵抗加熱を用いた蒸
着法により上記構造式(vii)で表されるN,N-ビス(4-ビフェニル)-6-フェ
ニルベンゾ[b]ナフト[1,2-d]フラン-8-アミン(略称:BBABnf)と、
ALD-MP001Q(分析工房株式会社、材料シリアル番号:1S20170124)
とを、重量比で1:0.1(=BBABnf:ALD-MP001Q)となるように、1
0nm共蒸着して正孔注入層111を形成した。
nmとなるように蒸着した後、第2の正孔輸送層112-2として、上記構造式(vii
i)で表される3,3’-(ナフタレン-1,4-ジイル)ビス(9-フェニル-9H-
カルバゾール)(略称:PCzN2)を10nmとなるように蒸着して正孔輸送層112
を形成した。なお、第2の正孔輸送層112-2は電子ブロック層としても機能する。
チル)フェニル]アントラセン(略称:αN-βNPAnth)と上記構造式(x)で表
される3,10-ビス[N-(9-フェニル-9H-カルバゾール-2-イル)-N-フ
ェニルアミノ]ナフト[2,3-b;6,7-b’]ビスベンゾフラン(略称:3,10
PCA2Nbf(IV)-02)とを、重量比1:0.015(=αN-βNPAnth
:3,10PCA2Nbf(IV)-02)となるように25nm共蒸着して発光層11
3を形成した。
ェン-4-イル)ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2m
DBTBPDBq-II)を膜厚15nmとなるように蒸着した後、上記構造式(vi)
で表される2,9-ビス(ナフタレン-2-イル)-4,7-ジフェニル-1,10-フ
ェナントロリン(略称:NBPhen)を膜厚10nmとなるように蒸着し、電子輸送層
114を形成した。
15を形成し、続いてアルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着することで陰極
102を形成して本実施例の発光デバイス12を作製した。
V/cm]の平方根が600である時の電子移動度をまとめた表を以下に示す。
曝されないようにガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、封止
時にUV処理、80℃にて1時間熱処理)を行った後、発光デバイス12の初期特性及び
信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。
度-電圧特性を図63に、電流-電圧特性を図64に、外部量子効率-輝度特性を図65
に、発光スペクトルを図66に示す。また、発光デバイスの1000cd/m2付近にお
ける主要な特性を表21に示す。
好な青色発光デバイスであることがわかった。
67に示す。図67で示すように、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス1
2は、600時間経過時点でも初期輝度の90%以上の輝度を保っており、駆動時間の蓄
積に伴う輝度低下が特に小さく、非常に寿命の良好な発光デバイスであることがわかった
。
る。発光デバイス13乃至発光デバイス20で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリン
グ法にて成膜し、陽極101を形成した。なお、その膜厚は70nmとし、電極面積は2
mm×2mmとした。
00℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度
放冷した。
空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、陽極101上に、抵抗加熱を用いた蒸
着法により上記構造式(xii)で表される4-(6;2’-ビナフチル-2-イル)-
4’,4’’-ジフェニルトリフェニルアミン(略称:BBA(βN2)B)と、ALD
-MP001Q(分析工房株式会社、材料シリアル番号:1S20170124)とを、
重量比で1:0.1(=BBA(βN2)B:ALD-MP001Q)となるように、1
0nm共蒸着して正孔注入層111を形成した。
を20nmとなるように蒸着した後、第2の正孔輸送層112-2として、上記構造式(
viii)で表される3,3’-(ナフタレン-1,4-ジイル)ビス(9-フェニル-
9H-カルバゾール)(略称:PCzN2)を10nmとなるように蒸着して正孔輸送層
112を形成した。なお、第2の正孔輸送層112-2は電子ブロック層としても機能す
る。
チル)フェニル]アントラセン(略称:αN-βNPAnth)と、上記構造式(x)で
表される3,10-ビス[N-(9-フェニル-9H-カルバゾール-2-イル)-N-
フェニルアミノ]ナフト[2,3-b;6,7-b’]ビスベンゾフラン(略称:3,1
0PCA2Nbf(IV)-02)とを、重量比1:0.015(=αN-βNPAnt
h:3,10PCA2Nbf(IV)-02)となるように25nm共蒸着して発光層1
13を形成した。
ェン-4-イル)ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2m
DBTBPDBq-II)を膜厚15nmとなるように蒸着した後、上記構造式(vi)
で表される2,9-ビス(ナフタレン-2-イル)-4,7-ジフェニル-1,10-フ
ェナントロリン(略称:NBPhen)を膜厚10nmとなるように蒸着し、電子輸送層
114を形成した。
着して電子注入層115を形成し、続いてアルミニウムを200nmの膜厚となるように
蒸着することで陰極102を形成して本実施例の発光デバイス13を作製した。
発光デバイス14は、発光デバイス13におけるBBA(βN2)Bを上記構造式(xi
ii)で表される4-(10-フェニル-9-アントリル)-4’-(9-フェニル-9
H-フルオレン-9-イル)トリフェニルアミン(略称:FLPAPA)に変えた他は発
光デバイス13と同様に作製した。
発光デバイス15は、発光デバイス13におけるBBA(βN2)Bを上記構造式(xi
v)で表されるN-(4-ビフェニル)-6,N-ジフェニルベンゾ[b]ナフト[1,
2-d]フラン-8-アミン(略称:BnfABP)に変えた他は発光デバイス13と同
様に作製した。
発光デバイス16は、発光デバイス13におけるBBA(βN2)Bを上記構造式(xv
)で表される4-[3-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)フェニル]-4
’,4’’-ジフェニルトリフェニルアミン(略称:mpBBAFLBi)に変えた他は
発光デバイス13と同様に作製した。
発光デバイス17は、発光デバイス13におけるBBA(βN2)Bを上記構造式(xv
i)で表されるN-[4-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]-N-(1,1
’-ビフェニル-2-イル)-9,9’-スピロビ[9H-フルオレン]-2-アミン(
略称:oYGBiSF)に変えた他は発光デバイス13と同様に作製した。
発光デバイス18は、発光デバイス13におけるBBA(βN2)Bを上記構造式(xv
ii)で表される4-(4-ビフェニリル)-4’-[4-(2-ナフチル)フェニル]
-4’’-フェニルトリフェニルアミン(略称:TPBiAβNBi)に変えた他は発光
デバイス13と同様に作製した。
発光デバイス19は、発光デバイス13におけるBBA(βN2)Bを上記構造式(xv
iii)で表される4,4’-ジフェニル-4’’-(7;1’-ビナフチル-2-イル
)トリフェニルアミン(略称:BBAαNβNB-03)に変えた他は発光デバイス13
と同様に作製した。
発光デバイス20は、発光デバイス13におけるBBA(βN2)Bを上記構造式(xi
x)で表される4-[4-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)フェニル]-
4’,4’’-ジフェニルトリフェニルアミン(略称:BBAFLBi)に変えた他は発
光デバイス13と同様に作製した。
/cm]の平方根が600である時の電子移動度をまとめた表を以下に示す。
に曝されないようにガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、封
止時にUV処理、80℃にて1時間熱処理)を行った後、これら発光デバイスの初期特性
及び信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。
度特性を図69に、輝度-電圧特性を図70に、電流-電圧特性を図71に、外部量子効
率-輝度特性を図72に、発光スペクトルを図73に示す。また、各発光デバイスの10
00cd/m2付近における主要な特性を表24に示す。なお、グラフ中凡例の数字は、
各発光デバイスの番号に対応している。
イス20はいずれも、特性の良好な青色発光デバイスであることがわかった。
74に示す。図74で示すように、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイス1
3乃至20はいずれも、300時間経過時点で初期輝度の90%以上、特に発光素子14
は95%以上の輝度を保っており、駆動時間の蓄積に伴う輝度低下が小さく、寿命の良好
な発光デバイスであることがわかった。
本参考例では、各実施例で用いた有機化合物のHOMO準位、LUMO準位および電子移
動度の算出方法について説明する。
することができる。
ル600Aまたは600C)を用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチ
ルホルムアミド(DMF)((株)アルドリッチ製、99.8%、カタログ番号;227
05-6)を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウム(n-B
u4NClO4)((株)東京化成製、カタログ番号;T0836)を100mmol/
Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶
解させて調製した。また、作用電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、PT
E白金電極)を、補助電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、VC-3用P
tカウンター電極(5cm))を、参照電極としてはAg/Ag+電極(ビー・エー・エ
ス(株)製、RE7非水溶媒系参照電極)をそれぞれ用いた。なお、測定は室温(20~
25℃)で行った。また、CV測定時のスキャン速度は、0.1V/secに統一し、参
照電極に対する酸化電位Ea[V]および還元電位Ec[V]を測定した。Eaは酸化-
還元波の中間電位とし、Ecは還元-酸化波の中間電位とした。ここで、本実施例で用い
る参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるこ
とが分かっているため、HOMO準位[eV]=-4.94-Ea、LUMO準位[eV
]=-4.94-Ecという式から、HOMO準位およびLUMO準位をそれぞれ求める
ことができる。
IS法)により測定することが可能である。
OF法)や空間電荷制限電流(Space-charge-limited curre
nt:SCLC)のI-V特性から求める方法(SCLC法)などが古くから知られてい
る。TOF法は実際の有機EL素子と比較してかなり厚い膜厚の試料が必要となる。SC
LC法ではキャリア移動度の電界強度依存性が得られないなどの欠点がある。IS法では
、測定に必要とする有機膜の膜厚が数百nm程度と薄いため、比較的少量のEL材料でも
成膜することが可能であり、実際のEL素子に近い膜厚で移動度を測定できることが特徴
であり、キャリア移動度の電界強度依存性も得ることができる。
その応答電流信号(I=I0exp[j(ωt+φ)])の電流振幅と入力信号との位相
差より、EL素子のインピーダンス(Z=V/I)を求める。高周波電圧から低周波電圧
まで変化させて素子に印加させれば、インピーダンスに寄与する様々な緩和時間を有する
成分を分離、測定することができる。
うにコンダクタンスGとサセプタンスBで表すことができる。
記式(2)および(3)を算出することができる。ここで、g(式(4))は微分コンダ
クタンスである。なお、式中Cは静電容量(キャパシタンス)、θはωtであり走行角、
ωは角周波数を表す。tは走行時間である。解析には電流の式、ポアソンの式、電流連続
の式を用い、拡散電流およびトラップ準位の存在を無視している。
スの周波数特性から移動度を算出する方法がωΔG法である。
ー素子とは、キャリアとして電子のみが流れるように設計された素子である。本明細書で
は、静電容量の周波数特性から移動度を算出する方法(-ΔB法)を説明する。用いた電
子オンリー素子の模式図を図42に示す。
陰極202との間に第1の層210と第2の層211と第3の層212を有する。電子移
動度を求めたい材料は第2の層211の材料として用いれば良い。今回はZADNとLi
qの1:1(重量比)の共蒸着膜についてその電子移動度を測定した例を挙げて説明する
。具体的な構成例は以下の表にまとめた。
度-電圧特性を図43に示す。
が70mV、周波数が1Hz~3MHzの条件で測定を行った。ここで得られたインピー
ダンスの逆数であるアドミタンス(前述の(1)式)からキャパシタンスを算出する。印
加電圧7.0Vにおける算出されたキャパシタンスCの周波数特性を図44に示す。
荷が微小交流電圧に完全には追従できず、電流に位相差が生じることにより得られる。こ
こで、膜中のキャリアの走行時間は、注入されたキャリアが対向電極に到達する時間Tで
定義され、以下の式(5)で表される。
C)に対応する。その最も低周波側のピーク周波数f’max(=ωmax/2π)と走
行時間Tとの間には、式(3)より、以下の式(6)の関係があることが導出される。
5に示す。図45より求まる最も低周波側のピーク周波数f’maxは、図中の矢印で示
した。
6)参照)、上記式(5)より、今回で言えば直流電圧7.0Vにおける電子移動度を求
めることができる。同様の測定を、直流電圧5.0V~9.0Vの範囲で行うことで、各
電圧(電界強度)での電子移動度が算出できるため、移動度の電界強度依存性も測定でき
る。
性を図46に、図から読み取った電界強度[V/cm]の平方根が600[V/cm]1
/2の時の電子移動度の値を表26にそれぞれ示す。
、Takayuki Okachi 他 ”Japanese Journal of
Applied Physics” Vol. 47, No. 12, 2008,
pp. 8965-8972を参照されたい。
本参考例では、実施例で用いた有機化合物の合成方法について説明する。
’,4’’-ジフェニルトリフェニルアミン(略称:mpBBAFLBi)の合成方法≫
mpBBAFLBiの構造式を以下に示す。
レン2.0g(5.0mmol)、2-{4-[ジ(4-ビフェニルイル)アミノ]フェ
ニル}-4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン2.6g(5.
0mmol)、トリ(オルト-トリル)ホスフィン30mg(0.10mmol)、炭酸
カリウム2.8g(20mmol)を加え、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にト
ルエン15mL、エタノール10mL、水10mLを加え、減圧下で攪拌する事で脱気し
た。この混合物に酢酸パラジウム(II)11mg(0.050mmol)を加え、窒素
気流下、80℃で2時間攪拌した。
、セライト・アルミナ・フロリジールを通して吸引濾過した。ろ液を濃縮して得られた固
体をトルエンで再結晶した所、目的物の白色固体を収量2.7g、収率74%で得た。上
記合成方法の合成スキームを以下に示す。
は、圧力3.5Pa、アルゴン流量5.0mL/minの条件で、白色固体を280℃で
加熱して行った。昇華精製後、淡黄色固体を2.3g、回収率88%で得た。
この結果から、mpBBAFLBiが得られたことが確認された。
1H NMR(DMSO,300MHz):δ=7.06-7.49(m、29H),7
.59-7.64(m,8H),7.90(d,J=7.8Hz,2H).
’’-フェニルトリフェニルアミン(略称:TPBiAβNBi)の合成方法≫
TPBiAβNBiの構造式を以下に示す。
ターフェニル)-4-4-アミンの合成>
2.4g(7.4mmol)のN-(4-ブロモフェニル)-4-ビフェニルアミンと、
1.5g(7.4mmol)の4-ビフェニルボロン酸と、47mg(0.15mmol
)のトリ(オルト-トリル)ホスフィンと、7mLの炭酸カリウム水溶液(2.0mol
/L)と、60mLのトルエンと、20mLのエタノールを、還流管を付けた200mL
三口フラスコに入れ、混合物の減圧脱気をした後、系内を窒素置換した。得られた混合物
に、16mg(74μmol)の酢酸パラジウム(II)を加えて3時間還流した。撹拌
後、析出した固体を吸引ろ過で回収し、得られた固体をトルエンとエタノールと水を用い
て洗浄したところ、目的物の灰色固体を2.94g、収率99%以上で得た。ステップ1
の合成スキームを以下に示す。
2.4g(10mmol)の1-クロロ-4-ヨードベンゼンと、2.5g(10mmo
l)の4-(2-ナフチル)フェニルボロン酸と、61mg(0.20mmol)のトリ
(オルト-トリル)ホスフィンと、20mLの炭酸カリウム水溶液(2.0mol/L)
、70mLのトルエン、30mLのエタノールを、還流管を付けた200mL三口フラス
コに入れ、溶媒の減圧脱気をしたあとに内部を窒素置換した。60℃に加熱した後、酢酸
パラジウム(II)22mg(0.10mmol)を加え、50℃で3時間撹拌すること
で反応させた。撹拌後、析出した固体を吸引ろ過で回収し、トルエン、水、エタノールを
用いて洗浄したところ、褐色固体を2.7g、収率86%で得た。ステップ2の合成スキ
ームを以下に示す。
れにより、上記合成ステップによって2-(4-クロロ-ビフェニル-4-イル)ナフタ
レンが得られたことがわかった。
1H NMR(ジクロロメタン-d2,500MHz):δ=8.13(s,1H),7
.96(d,J=9.5Hz,1H),7.94(d,J=9.5Hz,1H),7.8
9(d,J=7.0Hz,1H),7.85-7.81(m,3H),7.72(d,J
=8.0Hz,2H),7.64(d,J=8.5Hz,2H),7.55-7.49(
m,2H),7.46(d,J=8.0Hz,2H).
4’’-フェニルトリフェニルアミン(略称:TPBiAβNBi)の合成>
ステップ1で得られた2.94g(7.4mmol)のN-(1,1’-ビフェニル)-
4-イル-(1,1’:4’,1’’-ターフェニル)-4-4-アミンと、ステップ2
で得られた2.32g(7.4mmol)の2-(4-クロロ-ビフェニル-4-イル)
ナフタレンと、52mg(0.15mmol)のジ-tert-ブチル(1-メチル-2
,2-ジフェニルシクロプロピル)ホスフィン(商品名:cBRIDP(登録商標))と
、1.4g(15mmol)ナトリウム-tert-ブトキシドと、140mLのキシレ
ンを、還流管を付けた200mL三口フラスコに入れ、混合物の減圧脱気をした後、系内
を窒素置換した。得られた混合物に、43mg(74μmol)のビス(ジベンジリデン
アセトン)パラジウム(0)を加え、5時間還流した。撹拌後、析出した固体を吸引ろ過
で回収し、トルエン、水、エタノールを用いて洗浄したところ、灰色固体を3.8g得た
。ステップ3の合成スキームを以下に示す。
、アルゴンを15mL/minで流しながら、圧力3.8Pa、335℃で固体を15時
間加熱して行った。昇華精製後に目的物の淡黄色固体を2.8g、回収率74%で得た。
より、本合成例において、TPBiAβNBiが得られたことがわかった。
1H NMR(クロロホルム-d,500MHz):δ=8.10(d,J=1.5Hz
,1H),7.94(d,J=9.0Hz,1H),7.92(d,J=7.5Hz,1
H),7.88(d,J=7.5Hz,1H),7.82-7.80(m,3H),7.
73(d,J=8.5Hz,2H),7.68(s,4H),7.66(d,J=7.0
Hz,2H),7.62-7.58(m,6H),7.55(d,J=8.5Hz,2H
),7.52-7.43(m,6H),7.36(t,J=7.0Hz,1H),7.3
3(t,J=7.0Hz,1H),7.29-7.27(m,6H).
’,4’’-ジフェニルトリフェニルアミン(略称:BBAFLBi)の合成方法≫
BBAFLBiの構造式を以下に示す。
合成>
容量500mLの三口フラスコに、15.89g(40mmol)の9-(4-ブロモフ
ェニル)-9-フェニル-9H-フルオレンを入れたあと、減圧することで脱気し、フラ
スコ内を窒素置換した。この容器内に脱水テトラヒドロフラン(略称:THF)を200
mL加えた。この混合物を攪拌しながら約-78℃まで冷却したのち、1.59mol/
Lのn-ブチルリチウムヘキサン溶液30mL(48mmol)を滴下し、-40℃まで
昇温したのち1時間撹拌した。その後、脱水THFを50mL加えたあとで再び約-78
℃まで冷却したのち、トリメチルボラートを6.4mL(57mmol)滴下した。この
混合物を室温まで昇温したのち、16時間攪拌した。この溶液に水25mLと1規定の希
塩酸30mLを加えて攪拌した後で水層と有機層を分離し、得られた有機層を飽和重曹水
100mLで一回、飽和食塩水100mLで一回洗浄した。洗浄後、この溶液を硫酸マグ
ネシウムにて乾燥し、濃縮したのちにトルエンで再結晶を行い、白色固体を10.1g、
収率70%で得た。ステップ1の合成スキームを以下に示す。
容量200mLの三口フラスコに、2.53g(7mmol)の4-(9-フェニル-9
H-フルオレン-9-イル)フェニルボロン酸と、3.34g(7mmol)の4-ブロ
モ-4’,4’’-ジフェニルトリフェニルアミンと、2.90g(7mmol)の炭酸
カリウムと70mLのトルエンと12.5mLのエタノールと10.5mLの水を入れた
。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混
合物に15.7mg(0.07mmol)の酢酸パラジウム(II)と42.2mg(0
.07mmol)のトリス(o-トリル)ホスフィンを加え、窒素気流下、85℃で6時
間攪拌した。この混合物を室温まで放冷後、析出した固体をろ別したあと、得られた溶液
(ろ液)を水100mLで二回、飽和食塩水50mLで一回洗浄したのち、硫酸マグネシ
ウムにて水分を取り除いた。これと先程反応後に濾別した固体とあわせ、トルエンを30
0mL加えた上で加熱をして固体を溶解させたあと、セライト/アルミナ/フロリジール
/セライトで精製を行った。得られたろ液を濃縮したあと、エタノールを加えて再結晶を
行い、白色固体を4.54g、収率89%で得た。ステップ2の合成スキームを以下に示
す。
製は、圧力3.5Pa、アルゴン流量15mL/minの条件において、320℃で加熱
して行った。昇華精製後、BBAFLPの白色固体を2.73g、62%の回収率で得た
。
の結果から、本合成例において、BBAFLPが得られたことがわかった。1H NMR
(CDCl3,500MHz):δ=7.17-7.28(m,13H),δ=7.31
(dd,J=12.6Hz,7.4Hz,4H),δ=7.37(dd,J=7.5Hz
,1.1Hz,4H),δ=7.40-7.47(m,10H),δ=7.51(d,J
=8.6Hz,4H)δ=7.58(d,J=8.1Hz,4H)δ=7.78(d,J
=7.4Hz,2H).
-ビフェニル-2-イル)-9,9’-スピロビ[9H-フルオレン]-2-アミン(略
称:oYGBiSF)の合成方法≫
oYGBiSFの構造式を以下に示す。
フルオレン]-2-アミンの合成>
1.8g(10mmol)の2-アミノビフェニルと、4.1g(10mmol)の2-
ブロモ-9,9’-スピロビ[9H-フルオレン]と、0.34g(0.80mmol)
の2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,6’-ジメトキシビフェニル(略称:S-P
hos)と、2.0g(20mmol)のt-ブトキシナトリウムを、冷却管と3方コッ
クと擦り栓を取り付けた200mL3つ口フラスコへ入れ、系内を窒素置換し、52mL
のトルエンを加えた。この混合物を減圧脱気した後系内を窒素気流下とし、この混合物を
60℃に加熱撹拌した。系内が60℃になってから0.24g(0.40mmol)のビ
ス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)を加え、その後この混合物を80℃で2
時間半加熱撹拌した。加熱撹拌後、析出した固体を吸引ろ過により除去し、得られたろ液
を水で3回、次いで飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後
自然ろ過し、ろ液を濃縮したところ褐色固体を3.4g得た。得られた褐色固体をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー(移動相はヘキサン:トルエン=10:1から2:1まで
グラジエントをかけた)により精製したところ、目的物の白色固体を得た。得られた固体
をトルエン\ヘキサンで再結晶したところ、目的物の白色固体を3.7g、収率74%で
得た。ステップ1の合成スキームを以下に示す。
’-ビフェニル-2-イル)-9,9’-スピロビ[9H-フルオレン]-2-アミン(
略称:oYGBiSF)の合成>
ステップ1で得た2.7g(5.5mmol)のN-(1,1’-ビフェニル-2-イル
)-9,9’-スピロビ[9H-フルオレン]-2-アミンと、1.8g(5.5mmo
l)の9-(4-ブロモフェニル)-9H-カルバゾールと、0.18g(0.40mm
ol)の2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,6’-ジメトキシビフェニル(略称:
S-Phos)と、1.1g(11mmol)のt-ブトキシナトリウムを、冷却管と3
方コックと擦り栓を取り付けた200mL3つ口フラスコへ入れ、系内を窒素置換し、5
2mLのトルエンを加えた。この混合物を減圧脱気した後系内を窒素気流下とし、この混
合物へ0.13g(0.22mmol)のビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(
0)を加え、その後この混合物を80℃で加熱撹拌した。加熱撹拌後、析出した固体を吸
引ろ過により除去し、得られたろ液を水で3回、次いで飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫
酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後自然ろ過し、ろ液を濃縮したところ褐色固体を得た。
得られた褐色固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(移動相はヘキサン:トルエン
=10:1から2:1までグラジエントをかけた)により精製したところ、目的物の白色
固体を得た。得られた固体をトルエン\ヘキサンで再結晶したところ、目的物の白色固体
を3.2g、収率79%で得た。
2.9Pa、アルゴンを15mL/minで流しながら、白色固体3.2gを310℃で
15時間加熱して行った。昇華精製後、目的物の無色透明立方晶を2.9g、回収率91
%で得た。ステップ2の合成スキームを以下に示す。
例においてoYGBiSFが得られたことがわかった。
1H NMR(ジクロロメタン-d2,500MHz):δ=6.29(sd、J2=2
.0Hz、1H)、6.56(d、J=7.5Hz、1H)、6.67(d、J=7.5
Hz、2H)、6.86(dt、J1=9.0Hz、J2=2.0Hz、2H)、6.9
3(dd、J1=8.3Hz、J2=2.0Hz、1H)、7.00(td、J1=7.
5Hz、J2=1.0Hz、1H)、7.04-7.08(m、5H)、7.08-7.
11(m、2H)、7.14(td、J1=7.5Hz、J2=1.0Hz、2H)、7
.21-7.31(m、9H)、7.34(td、J1=7.0Hz、J2=1.5Hz
、2H)、7.38(td、J1=7.5Hz、J2=1.0Hz、2H)、7.59(
d、J=8.0Hz、1H)、7.70(d、J=8.0Hz、1H)、7.79(d、
J=8.0Hz、2H)、8.09(d、J=8.0Hz、2H)。
102 陰極
103 EL層
111 正孔注入層
112 正孔輸送層
112-1 第1の正孔輸送層
112-2 第2の正孔輸送層
113 発光層
114 電子輸送層
115 電子注入層
116 電荷発生層
117 P型層
118 電子リレー層
119 電子注入バッファ層
201 陽極
202 陰極
210 第1の層
211 第2の層
212 第3の層
400 基板
401 陽極
403 EL層
404 陰極
405 シール材
406 シール材
407 封止基板
412 パッド
420 ICチップ
501 陽極
502 陰極
511 第1の発光ユニット
512 第2の発光ユニット
513 電荷発生層
601 駆動回路部(ソース線駆動回路)
602 画素部
603 駆動回路部(ゲート線駆動回路)
604 封止基板
605 シール材
607 空間
608 配線
609 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
610 素子基板
611 スイッチング用FET
612 電流制御用FET
613 陽極
614 絶縁物
616 EL層
617 陰極
618 発光デバイス
951 基板
952 電極
953 絶縁層
954 隔壁層
955 EL層
956 電極
1001 基板
1002 下地絶縁膜
1003 ゲート絶縁膜
1006 ゲート電極
1007 ゲート電極
1008 ゲート電極
1020 第1の層間絶縁膜
1021 第2の層間絶縁膜
1022 電極
1024W 陽極
1024R 陽極
1024G 陽極
1024B 陽極
1025 隔壁
1028 EL層
1029 陰極
1031 封止基板
1032 シール材
1033 透明な基材
1034R 赤色の着色層
1034G 緑色の着色層
1034B 青色の着色層
1035 ブラックマトリクス
1036 オーバーコート層
1037 第3の層間絶縁膜
1040 画素部
1041 駆動回路部
1042 周辺部
2001 筐体
2002 光源
2100 ロボット
2110 演算装置
2101 照度センサ
2102 マイクロフォン
2103 上部カメラ
2104 スピーカ
2105 ディスプレイ
2106 下部カメラ
2107 障害物センサ
2108 移動機構
3001 照明装置
5000 筐体
5001 表示部
5002 第2の表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5012 支持部
5013 イヤホン
5100 掃除ロボット
5101 ディスプレイ
5102 カメラ
5103 ブラシ
5104 操作ボタン
5150 携帯情報端末
5151 筐体
5152 表示領域
5153 屈曲部
5120 ゴミ
5200 表示領域
5201 表示領域
5202 表示領域
5203 表示領域
7101 筐体
7103 表示部
7105 スタンド
7107 表示部
7109 操作キー
7110 リモコン操作機
7201 本体
7202 筐体
7203 表示部
7204 キーボード
7205 外部接続ポート
7206 ポインティングデバイス
7210 第2の表示部
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
9310 携帯情報端末
9311 表示パネル
9313 ヒンジ
9315 筐体
Claims (22)
- 陽極と、陰極との間に、前記陽極側から順に、第1の層と、第2の層と、第3の層と、発光層と、第4の層と、を有し、
前記第1の層は、前記陽極に接しており、
前記第1の層は、第1の有機化合物と第2の有機化合物を有し、
前記第2の層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の層は、第4の有機化合物を有し、
前記発光層は、第5の有機化合物と第6の有機化合物を有し、
前記第4の層は、第7の有機化合物を有し、
前記第1の有機化合物は、ハロゲン基を有する有機化合物であり、
前記第5の有機化合物は、発光物質であり、
前記第2の有機化合物のHOMO準位は、-5.7eV以上-5.2eV以下であり、
前記第3の有機化合物のHOMO準位は、前記第2の有機化合物のHOMO準位と同じまたは深く、
前記第3の有機化合物と前記第2の有機化合物とのHOMO準位の差は、0.2eV以下であり、
前記第7の有機化合物は、π電子不足型複素芳香族化合物であり、
前記第4の有機化合物のHOMO準位は、前記第3の有機化合物のHOMO準位よりも深い発光デバイス。 - 請求項1において、
前記ハロゲン基はフルオロ基である発光デバイス。 - 陽極と、陰極との間に、前記陽極側から順に、第1の層と、第2の層と、第3の層と、発光層と、第4の層と、を有し、
前記第1の層は、前記陽極に接しており、
前記第1の層は、第1の有機化合物と第2の有機化合物を有し、
前記第2の層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の層は、第4の有機化合物を有し、
前記発光層は、第5の有機化合物と第6の有機化合物を有し、
前記第4の層は、第7の有機化合物を有し、
前記第1の有機化合物は、複素原子を複数有する縮合芳香環にハロゲン基が結合している有機化合物であり、
前記第5の有機化合物は、発光物質であり、
前記第2の有機化合物のHOMO準位は、-5.7eV以上-5.2eV以下であり、
前記第3の有機化合物のHOMO準位は、前記第2の有機化合物のHOMO準位と同じまたは深く、
前記第3の有機化合物と前記第2の有機化合物とのHOMO準位の差は、0.2eV以下であり、
前記第7の有機化合物は、π電子不足型複素芳香族化合物であり、
前記第4の有機化合物のHOMO準位は、前記第3の有機化合物のHOMO準位よりも深い発光デバイス。 - 陽極と、陰極との間に、前記陽極側から順に、第1の層と、第2の層と、第3の層と、発光層と、第4の層と、を有し、
前記第1の層は、前記陽極に接しており、
前記第1の層は、第1の有機化合物と第2の有機化合物を有し、
前記第2の層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の層は、第4の有機化合物を有し、
前記発光層は、第5の有機化合物と第6の有機化合物を有し、
前記第4の層は、第7の有機化合物を有し、
前記第1の有機化合物は、電子吸引基を有する[3]ラジアレン誘導体であり、
前記第5の有機化合物は、発光物質であり、
前記第2の有機化合物のHOMO準位は、-5.7eV以上-5.2eV以下であり、
前記第3の有機化合物のHOMO準位は、前記第2の有機化合物のHOMO準位と同じまたは深く、
前記第3の有機化合物と前記第2の有機化合物とのHOMO準位の差は、0.2eV以下であり、
前記第7の有機化合物は、π電子不足型複素芳香族化合物であり、
前記第4の有機化合物のHOMO準位は、前記第3の有機化合物のHOMO準位よりも深い発光デバイス。 - 請求項4において、
前記電子吸引基はハロゲン基またはシアノ基である発光デバイス。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記第2の有機化合物と前記第3の有機化合物とは、同じ物質である発光デバイス。 - 陽極と、陰極との間に、前記陽極側から順に、第1の層と、第2の層と、第3の層と、発光層と、第4の層と、を有し、
前記第1の層は、前記陽極に接しており、
前記第1の層は、第1の有機化合物と第2の有機化合物を有し、
前記第2の層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の層は、第4の有機化合物を有し、
前記発光層は、第5の有機化合物と第6の有機化合物を有し、
前記第4の層は、第7の有機化合物を有し、
前記第1の有機化合物は、ハロゲン基を有する有機化合物であり、
前記第5の有機化合物は、発光物質であり、
前記第2の有機化合物のHOMO準位は、-5.7eV以上-5.2eV以下であり、
前記第7の有機化合物は、π電子不足型複素芳香族化合物であり、
前記第2の有機化合物と前記第3の有機化合物とは、同じ物質である発光デバイス。 - 請求項7において、
前記ハロゲン基はフルオロ基である発光デバイス。 - 陽極と、陰極との間に、前記陽極側から順に、第1の層と、第2の層と、第3の層と、発光層と、第4の層と、を有し、
前記第1の層は、前記陽極に接しており、
前記第1の層は、第1の有機化合物と第2の有機化合物を有し、
前記第2の層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の層は、第4の有機化合物を有し、
前記発光層は、第5の有機化合物と第6の有機化合物を有し、
前記第4の層は、第7の有機化合物を有し、
前記第1の有機化合物は、複素原子を複数有する縮合芳香環にハロゲン基が結合している有機化合物であり、
前記第5の有機化合物は、発光物質であり、
前記第2の有機化合物のHOMO準位は、-5.7eV以上-5.2eV以下であり、
前記第7の有機化合物は、π電子不足型複素芳香族化合物であり、
前記第2の有機化合物と前記第3の有機化合物とは、同じ物質である発光デバイス。 - 陽極と、陰極との間に、前記陽極側から順に、第1の層と、第2の層と、第3の層と、発光層と、第4の層と、を有し、
前記第1の層は、前記陽極に接しており、
前記第1の層は、第1の有機化合物と第2の有機化合物を有し、
前記第2の層は、第3の有機化合物を有し、
前記第3の層は、第4の有機化合物を有し、
前記発光層は、第5の有機化合物と第6の有機化合物を有し、
前記第4の層は、第7の有機化合物を有し、
前記第1の有機化合物は、電子吸引基を有する[3]ラジアレン誘導体であり、
前記第5の有機化合物は、発光物質であり、
前記第2の有機化合物のHOMO準位は、-5.7eV以上-5.2eV以下であり、
前記第7の有機化合物は、π電子不足型複素芳香族化合物であり、
前記第2の有機化合物と前記第3の有機化合物とは、同じ物質である発光デバイス。 - 請求項10において、
前記電子吸引基はハロゲン基またはシアノ基である発光デバイス。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか一項において、
前記π電子不足型複素芳香族化合物は、キノキサリン骨格、ベンゾイミダゾール骨格およびトリアジン骨格のいずれかを有する化合物である発光デバイス。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、
前記第6の有機化合物は、アントラセン骨格と複素環骨格を有する有機化合物であり、
前記第4の有機化合物と前記第6の有機化合物のHOMO準位の差は、0.2eV未満である発光デバイス。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、
前記第6の有機化合物は、アントラセン骨格と複素環骨格を有する有機化合物であり、
前記第4の有機化合物は、ナフタレン環に2つのカルバゾール環が結合した有機化合物である発光デバイス。 - 請求項14において、
前記第4の有機化合物は、3,3’-(ナフタレン-1,4-ジイル)ビス(9-フェニル-9H-カルバゾール)である発光デバイス。 - 請求項1乃至請求項15のいずれか一項において、
前記第7の有機化合物の電子移動度は、前記第6の有機化合物の電子移動度よりも小さい発光デバイス。 - 請求項1乃至請求項16のいずれか一項において、
前記第4の有機化合物のHOMO準位と前記第3の有機化合物のHOMO準位との差は、0.2eV以下である発光デバイス。 - 請求項1乃至請求項17のいずれか一項において、
前記第7の有機化合物は、キノキサリン骨格を有する有機化合物である発光デバイス。 - 請求項1乃至請求項18のいずれか一項において、
前記第5の有機化合物は、青色蛍光材料である発光デバイス。 - 請求項1乃至請求項19のいずれか一項に記載の発光デバイスと、センサ、操作ボタン、スピーカ、または、マイクと、を有する電子機器。
- 請求項1乃至請求項19のいずれか一項に記載の発光デバイスと、トランジスタ、または、基板と、を有する発光装置。
- 請求項1乃至請求項19のいずれか一項に記載の発光デバイスと、筐体と、を有する照明装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023219153A JP2024023913A (ja) | 2018-09-26 | 2023-12-26 | 発光デバイス |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018180795 | 2018-09-26 | ||
JP2018180795 | 2018-09-26 | ||
JP2018191552 | 2018-10-10 | ||
JP2018191552 | 2018-10-10 | ||
JP2018224074 | 2018-11-29 | ||
JP2018224074 | 2018-11-29 | ||
JP2021068275A JP7035249B2 (ja) | 2018-09-26 | 2021-04-14 | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021068275A Division JP7035249B2 (ja) | 2018-09-26 | 2021-04-14 | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023219153A Division JP2024023913A (ja) | 2018-09-26 | 2023-12-26 | 発光デバイス |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022066351A JP2022066351A (ja) | 2022-04-28 |
JP2022066351A5 JP2022066351A5 (ja) | 2022-10-04 |
JP7412468B2 true JP7412468B2 (ja) | 2024-01-12 |
Family
ID=69950372
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019176065A Active JP6870049B2 (ja) | 2018-09-26 | 2019-09-26 | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 |
JP2021068275A Active JP7035249B2 (ja) | 2018-09-26 | 2021-04-14 | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 |
JP2022031649A Active JP7412468B2 (ja) | 2018-09-26 | 2022-03-02 | 発光デバイス、電子機器、発光装置及び照明装置 |
JP2023219153A Pending JP2024023913A (ja) | 2018-09-26 | 2023-12-26 | 発光デバイス |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019176065A Active JP6870049B2 (ja) | 2018-09-26 | 2019-09-26 | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 |
JP2021068275A Active JP7035249B2 (ja) | 2018-09-26 | 2021-04-14 | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023219153A Pending JP2024023913A (ja) | 2018-09-26 | 2023-12-26 | 発光デバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210367177A1 (ja) |
JP (4) | JP6870049B2 (ja) |
KR (3) | KR102499281B1 (ja) |
CN (2) | CN113299841B (ja) |
DE (1) | DE112019004819B4 (ja) |
TW (3) | TWI827686B (ja) |
WO (1) | WO2020065471A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113227083A (zh) | 2018-11-30 | 2021-08-06 | 出光兴产株式会社 | 化合物、有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件和电子设备 |
WO2020241826A1 (ja) | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 出光興産株式会社 | 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器 |
TW202110778A (zh) | 2019-06-14 | 2021-03-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光器件、發光裝置、電子裝置及照明設備 |
KR20210084744A (ko) * | 2019-12-27 | 2021-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함한 장치 |
CN116018893A (zh) * | 2020-06-26 | 2023-04-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件、功能面板、发光装置、显示装置、电子设备、照明装置 |
DE112021001061T5 (de) * | 2021-02-24 | 2022-12-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Lichtemittierende einrichtung, verfahren zu ihrer herstellung und anzeigevorrichtung |
JP2024112326A (ja) * | 2021-04-26 | 2024-08-21 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器 |
WO2022238804A1 (ja) | 2021-05-13 | 2022-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光デバイス、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置 |
WO2023209494A1 (ja) * | 2022-04-29 | 2023-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、電子機器 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002151269A (ja) | 2000-08-28 | 2002-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2016100595A (ja) | 2014-11-18 | 2016-05-30 | 上海和輝光電有限公司Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited | 青色有機電界発光素子及びそれを備えるディスプレイ |
JP2018026552A (ja) | 2016-07-28 | 2018-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置 |
TW201832395A (zh) | 2017-06-30 | 2018-09-01 | 大陸商昆山國顯光電有限公司 | 有機電致發光元件及其製備方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130032785A1 (en) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Universal Display Corporation | Materials for organic light emitting diode |
JP2010225975A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機el素子 |
US8841655B2 (en) | 2009-11-27 | 2014-09-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence element, manufacturing method thereof, and organic electroluminescence display device |
JP2011139044A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
KR102358426B1 (ko) * | 2012-08-03 | 2022-02-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
KR102230139B1 (ko) * | 2013-05-17 | 2021-03-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 조명 장치, 발광 장치, 및 전자 기기 |
KR102543330B1 (ko) * | 2015-02-25 | 2023-06-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 표시 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
CN107431142B (zh) * | 2015-04-10 | 2021-02-02 | 保土谷化学工业株式会社 | 有机电致发光器件 |
KR20160140393A (ko) * | 2015-05-29 | 2016-12-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기 및 조명 장치 |
US10270041B2 (en) * | 2015-08-28 | 2019-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
US10930855B2 (en) * | 2015-12-17 | 2021-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, lighting system, and guidance system |
CN111018817B (zh) * | 2016-01-29 | 2022-11-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 |
US20170271610A1 (en) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
KR102044057B1 (ko) * | 2016-04-28 | 2019-11-12 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 |
JP7039188B2 (ja) * | 2016-06-24 | 2022-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 燐光発光層用ホスト材料、有機化合物、発光素子、発光装置、電子機器および照明装置 |
WO2018158659A1 (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機化合物、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
-
2019
- 2019-09-20 WO PCT/IB2019/057955 patent/WO2020065471A1/en active Application Filing
- 2019-09-20 US US16/977,663 patent/US20210367177A1/en active Pending
- 2019-09-20 CN CN202110361826.0A patent/CN113299841B/zh active Active
- 2019-09-20 KR KR1020217037887A patent/KR102499281B1/ko active IP Right Grant
- 2019-09-20 DE DE112019004819.8T patent/DE112019004819B4/de active Active
- 2019-09-20 KR KR1020237004615A patent/KR20230025940A/ko active IP Right Grant
- 2019-09-20 CN CN201980017382.XA patent/CN111819708A/zh active Pending
- 2019-09-20 KR KR1020207025903A patent/KR102330776B1/ko active IP Right Grant
- 2019-09-24 TW TW108134326A patent/TWI827686B/zh active
- 2019-09-24 TW TW112146326A patent/TW202430004A/zh unknown
- 2019-09-24 TW TW110112524A patent/TWI798674B/zh active
- 2019-09-26 JP JP2019176065A patent/JP6870049B2/ja active Active
-
2021
- 2021-04-14 JP JP2021068275A patent/JP7035249B2/ja active Active
-
2022
- 2022-03-02 JP JP2022031649A patent/JP7412468B2/ja active Active
-
2023
- 2023-12-26 JP JP2023219153A patent/JP2024023913A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002151269A (ja) | 2000-08-28 | 2002-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2016100595A (ja) | 2014-11-18 | 2016-05-30 | 上海和輝光電有限公司Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited | 青色有機電界発光素子及びそれを備えるディスプレイ |
JP2018026552A (ja) | 2016-07-28 | 2018-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置 |
TW201832395A (zh) | 2017-06-30 | 2018-09-01 | 大陸商昆山國顯光電有限公司 | 有機電致發光元件及其製備方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202131537A (zh) | 2021-08-16 |
TWI798674B (zh) | 2023-04-11 |
JP2021103799A (ja) | 2021-07-15 |
US20210367177A1 (en) | 2021-11-25 |
JP6870049B2 (ja) | 2021-05-12 |
KR20210143341A (ko) | 2021-11-26 |
JP2024023913A (ja) | 2024-02-21 |
JP2022066351A (ja) | 2022-04-28 |
DE112019004819B4 (de) | 2022-06-30 |
JP2020096171A (ja) | 2020-06-18 |
WO2020065471A1 (en) | 2020-04-02 |
CN111819708A (zh) | 2020-10-23 |
TW202030903A (zh) | 2020-08-16 |
KR20230025940A (ko) | 2023-02-23 |
CN113299841A (zh) | 2021-08-24 |
DE112019004819T5 (de) | 2021-06-02 |
KR20210043482A (ko) | 2021-04-21 |
TWI827686B (zh) | 2024-01-01 |
KR102499281B1 (ko) | 2023-02-13 |
KR102330776B1 (ko) | 2021-12-01 |
JP7035249B2 (ja) | 2022-03-14 |
TW202430004A (zh) | 2024-07-16 |
CN113299841B (zh) | 2022-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6808791B2 (ja) | 発光素子用材料および発光素子 | |
JP7412468B2 (ja) | 発光デバイス、電子機器、発光装置及び照明装置 | |
JP7369742B2 (ja) | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 | |
JP7438934B2 (ja) | 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置 | |
JP2024061839A (ja) | 発光デバイス、発光装置、電子機器及び照明装置 | |
JP2024028480A (ja) | 有機化合物および発光素子 | |
JP2023116600A (ja) | 発光装置 | |
JP2020205421A (ja) | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 | |
JP2020184613A (ja) | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 | |
KR102648001B1 (ko) | 다이벤조[c,g]카바졸 유도체, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 | |
WO2021186306A1 (ja) | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 | |
JP2021122042A (ja) | 発光デバイス、発光装置、電子機器、照明装置および化合物 | |
JP2020167411A (ja) | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 | |
WO2022238804A1 (ja) | 発光デバイス、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置 | |
JP2018206981A (ja) | 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置 | |
JP7282737B2 (ja) | 正孔輸送層用材料、発光素子、発光装置、電子機器および照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220926 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230516 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230517 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230713 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230901 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230919 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7412468 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |