JP2021100062A - レーザ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体レーザ素子で生じる熱を効率良く放熱できるようにする。【解決手段】半導体レーザ素子４０の正電極４１及び負電極４２は、第１ブロック１０及び第２ブロック２０にそれぞれ接続される。第２ブロック２０には、複数のフィン部５０が設けられる。複数のフィン部５０は、板状に形成されて厚み方向に間隔をあけて配置される。【選択図】図３

Description

本発明は、レーザ装置に関するものである。

特許文献１には、第１の電極ブロックと、サブマウントと、絶縁層と、半導体レーザ素子と、バンプと、第２の電極ブロックとが積層された半導体レーザ装置が開示されている。

半導体レーザ素子は、正電極から負電極に向かって電流が流れると、発光面からレーザ光が出力される。電極ブロックは、主に銅で構成されており、半導体レーザ素子で生じた熱が電極ブロックから放熱される。

国際公開２０１６／１０３５３６号

ところで、半導体レーザ素子が高温になると、レーザ出力の低下などの性能劣化が起こるおそれがある。そのため、半導体レーザ素子で生じた熱を効率良く放熱して、半導体レーザ素子の性能をより安定化させたいという要望がある。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体レーザ素子で生じる熱を効率良く放熱できるようにすることにある。

本発明は、レーザ光を出射する半導体レーザ素子を備えたレーザ装置を対象とし、次のような解決手段を講じた。

すなわち、第１の発明は、前記半導体レーザ素子の第１電極に電気的に接続された第１ブロックと、
前記半導体レーザ素子における前記第１電極とは反対側の第２電極に電気的に接続された第２ブロックとを備え、
前記第１ブロック及び前記第２ブロックの少なくとも一方には、板状に形成され且つ厚み方向に間隔をあけて配置された複数のフィン部が設けられている。

第１の発明では、半導体レーザ素子の第１電極及び第２電極は、第１ブロック及び第２ブロックにそれぞれ接続される。第１ブロック及び第２ブロックの少なくとも一方には、複数のフィン部が設けられる。複数のフィン部は、板状に形成されて厚み方向に間隔をあけて配置される。

このように、第１ブロック及び第２ブロックの少なくとも一方に複数のフィン部を設けることで、ブロックの表面積を増やすことができる。これにより、半導体レーザ素子で生じる熱を、ブロックの複数のフィン部から効率良く放熱させることができる。

第２の発明は、第１の発明において、
前記複数のフィン部のうち少なくとも一部は、前記第２ブロックにおける前記半導体レーザ素子に対向する面の反対側から立設している。

第２の発明では、第２ブロックにおける半導体レーザ素子に対向する面の反対側から複数のフィン部を立設させている。
このように、発熱源である半導体レーザ素子の近くにフィン部を配置することで、半導体レーザ素子で生じる熱を効率良く放熱させることができる。

第３の発明は、第２の発明において、
前記複数のフィン部は、前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の出射方向に沿って延び、
前記複数のフィン部のうち、該フィン部の並び方向の略中央位置に配置された該フィン部の高さは、該並び方向の外側に配置された該フィン部の高さよりも高い。

第３の発明では、並び方向の略中央位置に配置されたフィン部の高さを、外側に配置されたフィン部よりも高くしている。

具体的に、半導体レーザ素子では、レーザ光の出射方向から見て中央位置に熱がこもり易くなっている。そこで、半導体レーザ素子の中央位置に対応したフィン部の高さを高くして、フィン部の表面積を大きくすることで、効率良く放熱させることができる。

第４の発明は、第１又は第２の発明において、
前記複数のフィン部は、第１フィン部と、該第１フィン部よりも高さの低い第２フィン部とを有し、
前記第１フィン部と前記第２フィン部とは、交互に配置されている。

第４の発明では、第１フィン部と、第１フィン部よりも高さの低い第２フィン部とが交互に配置される。

これにより、隣接する第１フィン部の先端部同士の間隔を大きくして、第１フィン部の間に熱がこもるのを抑えることができる。

第５の発明は、第１乃至第４の発明のうち何れか１つにおいて、
前記複数のフィン部のうち少なくとも一部は、前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の出射方向に沿って張り出している。

第５の発明では、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の出射方向に沿って複数のフィン部を張り出させる。

これにより、複数のフィン部を、例えば、ブロックの厚み方向に間隔をあけてスリット状に切削することで、フィン部の表面積を確保しつつ、フィン部の枚数を削減して加工工数を減らすことができる。

第６の発明は、第１乃至第５の発明のうち何れか１つにおいて、
前記複数のフィン部のうち少なくとも一部は、前記第１ブロック又は前記第２ブロックに対して電気的に絶縁された状態で接続されるとともに、前記半導体レーザ素子に対向する面の反対側から立設している。

第６の発明では、複数のフィン部を、第１ブロック又は第２ブロックに対して電気的に絶縁させている。そして、半導体レーザ素子に対向する面の反対側から複数のフィン部を立設させている。

このように、第１ブロック又は第２ブロックとフィン部との絶縁性を確保することで、フィン部を冷却する冷却媒体として、空気ではなく水を使用することができる。そして、フィン部を水冷によって直接冷却することで、半導体レーザ素子の冷却効果を高めることができる。

本発明によれば、半導体レーザ素子で生じる熱を効率良く放熱することができる。

本実施形態１に係るレーザ装置の構成を示す斜視図である。 レーザ装置の構成を示す平面図である。 図２のＡ−Ａ矢視断面図である。 本実施形態２に係るレーザ装置の構成を示す正面断面図である。 本実施形態３に係るレーザ装置の構成を示す正面断面図である。 本実施形態４に係るレーザ装置の構成を示す正面断面図である。 本実施形態５に係るレーザ装置の構成を示す平面図である。 本実施形態６に係るレーザ装置の構成を示す平面図である。 レーザ装置の構成を示す側面図である。 本実施形態７に係るレーザ装置の構成を示す正面断面図である。 その他の実施形態に係るレーザ装置の構成を示す斜視図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物或いはその用途を制限することを意図するものではない。

《実施形態１》
図１〜図３に示すように、レーザ装置１は、第１ブロック１０と、第２ブロック２０と、絶縁層３０と、半導体レーザ素子４０と、バンプ４５とを有する。

第１ブロック１０は、導電性を有する。第１ブロック１０は、主に銅（Ｃｕ）で構成されている。第１ブロック１０では、銅製のブロックに対して、ニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）とが順番にメッキされている。

第１ブロック１０の上面におけるレーザ光の出射方向５（図１に矢印線で示す方向）の側の端部には、凹部１１が設けられている。凹部１１内には、半導体レーザ素子４０が設けられている。半導体レーザ素子４０から出射方向５にレーザ光が照射される構成である。

第１ブロック１０には、第１ネジ孔１２と、第２ネジ孔１３と、第１端子孔１４とが設けられている。第１ネジ孔１２及び第２ネジ孔１３には、雌ネジが形成されている。第１ネジ孔１２は、レーザ光の出射方向５と直交する方向に間隔をあけて２つ設けられている。２つの第１ネジ孔１２の間には、凹部１１が設けられている。

第２ネジ孔１３は、レーザ光の出射方向５と直交する方向に間隔をあけて２つ設けられている。第２ネジ孔１３は、第１ネジ孔１２に対してレーザ光の出射方向５とは反対側に設けられている。

第１端子孔１４は、第１ブロック１０におけるレーザ光の出射方向５とは反対側の端部に設けられている。つまり、第１端子孔１４は、第１ブロック１０における凹部１１とは反対側の端部側に設けられている。第１端子孔１４は、ネジ孔で構成されている。第１端子孔１４には、電源用の接続端子が接続される。

絶縁層３０は、絶縁性を有する。絶縁層３０は、ポリイミドやセラミックなどで構成されている。絶縁層３０は、第１ブロック１０の上面において凹部１１の周りを囲むように配置されている。

半導体レーザ素子４０は、下面が正電極４１（第１電極）であり、上面が負電極４２（第２電極）である。半導体レーザ素子４０は、正電極４１から負電極４２に向かって電流が流れると、発光面（図２で下面）からレーザ光が出力される。

半導体レーザ素子４０は、凹部１１内に配置されている。半導体レーザ素子４０の発光面は、第１ブロック１０の凹部１１の側面と一致している。半導体レーザ素子４０の正電極４１は、第１ブロック１０と電気的に接続されている。第１ブロック１０は、半導体レーザ素子４０の正電極４１と電気的に接続する電極ブロックとしての機能を有する。

バンプ４５は、導電性を有する。バンプ４５は、主に金（Ａｕ）で構成されている。バンプ４５は、半導体レーザ素子４０の負電極４２上に複数設けられている。

バンプ４５は、溶融によって先端が球状になった金ワイヤを負電極４２に接触させ、超音波を与えることで負電極４２に接合されている。バンプ４５は、半導体レーザ素子４０の負電極４２と電気的に接続されている。

第２ブロック２０は、導電性を有する。第２ブロック２０は、主に銅（Ｃｕ）で構成されている。第２ブロック２０では、銅製のブロックに対して、ニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）とが順番にメッキされている。

第２ブロック２０は、半導体レーザ素子４０及び絶縁層３０の上に設けられている。第２ブロック２０は、バンプ４５を介して半導体レーザ素子４０と電気的に接続されている。第２ブロック２０は、半導体レーザ素子４０の負電極４２と電気的に接続する電極ブロックとしての機能を有する。

第２ブロック２０は、第２ブロック２０の下面であって、半導体レーザ素子４０に向かい合う領域以外の領域において、絶縁層３０と接着されている。

第２ブロック２０には、第１貫通孔２２と、第２貫通孔２３と、第２端子孔２４とが設けられている。第１貫通孔２２は、第１ブロック１０の第１ネジ孔１２に対応した位置に設けられている。第１貫通孔２２は、第１ブロック１０と第２ブロック２０とを締結する導電性ネジ３５の頭部が入り込めるようにザグリ孔で形成されている。

第２貫通孔２３は、第１ブロック１０の第２ネジ孔１３に対応した位置に設けられている。

第２端子孔２４は、第２ブロック２０の中央部に設けられている。第２端子孔２４には、電源用の接続端子が接続される。

なお、凹部１１の深さ（高さ）は、半導体レーザ素子４０、バンプ４５、及び絶縁層３０のそれぞれの厚さを考慮して設定される。

第１ブロック１０と第２ブロック２０とは、導電性ネジ３５によって締結されている。導電性ネジ３５は、第２ブロック２０の第１貫通孔２２と、第１ブロック１０の第１ネジ孔１２とに差し込まれる。

導電性ネジ３５と第２ブロック２０との間には、絶縁部材３６が設けられている。これにより、第１ブロック１０と第２ブロック２０とが、電気的に接続されないようにしている。これにより、第１ブロック１０と第２ブロック２０とを、互いに電気的に絶縁された状態で締結することができる。

また、第１ブロック１０と第２ブロック２０とは、図示しない絶縁性ネジによって、互いに電気的に絶縁された状態で締結されている。絶縁性ネジは、第２ブロック２０の第２貫通孔２３と、第１ブロック１０の第２ネジ孔１３とに差し込まれる。

なお、絶縁性ネジの代わりに、導電性ネジ３５と絶縁部材３６を用いても構わない。また、導電性ネジ３５と絶縁部材３６の代わりに絶縁性ネジを用いても構わない。

このような構成のレーザ装置１では、半導体レーザ素子４０の正電極４１から負電極４２に向かって電流が流れると、半導体レーザ素子４０の側面の発光面からレーザ光の出射方向５にレーザ光が出力される。このとき、半導体レーザ素子４０で生じた熱は、第１ブロック１０及び第２ブロック２０へ伝わる。

ところで、半導体レーザ素子４０が高温になると、レーザ出力の低下などの性能劣化が起こるおそれがある。そのため、半導体レーザ素子４０で生じた熱を効率良く伝熱及び放熱して、半導体レーザ素子４０の性能をより安定化させたいという要望がある。

そこで、本実施形態のレーザ装置１では、半導体レーザ素子４０で生じる熱をより効率良く放熱できるような構造としている。

具体的に、第２ブロック２０には、複数のフィン部５０が設けられている。フィン部５０は、板状に形成されている。フィン部５０は、第２ブロック２０における半導体レーザ素子４０に対向する面の反対側（図３で上側）から立設している。

複数のフィン部５０は、半導体レーザ素子４０から出射されるレーザ光の出射方向（図３で紙面手前方向）に沿って延びている。複数のフィン部５０は、厚み方向（図３で左右方向）に間隔をあけて配置されている。複数のフィン部５０は、全て同じ高さに設定されている。

複数のフィン部５０は、例えば、冷間圧接によって第２ブロック２０に一体に設けられている。具体的に、第２ブロック２０の上面に溝部を設け、板状のフィン部５０を溝部内に立設させた状態とする。そして、常温で、フィン部５０と第２ブロック２０との接合面に圧力を加えることにより、金属を原子間接合させる。これにより、放熱性を劣化させることなく、第２ブロック２０にフィン部５０を一体に設けることができる。

なお、第２ブロック２０の上面をスリット状に切削することで、複数のフィン部５０を形成するようにしてもよい。

以上のように、本実施形態に係るレーザ装置１によれば、第２ブロック２０に複数のフィン部５０を設けることで、第２ブロック２０の表面積を増やすことができる。これにより、半導体レーザ素子４０で生じる熱を、第２ブロック２０の複数のフィン部５０から効率良く放熱させることができる。

また、発熱源である半導体レーザ素子４０の近くにフィン部５０を配置することで、半導体レーザ素子４０で生じる熱を効率良く放熱させることができる。

《実施形態２》
以下、前記実施形態１と同じ部分については同じ符号を付し、相違点についてのみ説明する。

図４に示すように、第２ブロック２０には、複数のフィン部５０が設けられている。フィン部５０は、板状に形成されている。フィン部５０は、第２ブロック２０における半導体レーザ素子４０に対向する面の反対側（図４で上側）から立設している。

複数のフィン部５０は、半導体レーザ素子４０から出射されるレーザ光の出射方向に沿って延びている。複数のフィン部５０は、厚み方向に間隔をあけて配置されている。複数のフィン部５０は、並び方向（図４で左右方向）の位置によってそれぞれ異なる高さに設定されている。

具体的に、複数のフィン部５０のうち、並び方向の略中央位置に配置されたフィン部５０の高さが最も高くなっている。また、複数のフィン部５０のうち、フィン部５０の並び方向の外側に配置されたフィン部５０の高さが最も低くなっている。そして、並び方向の外側から中央側に向かって、フィン部５０の高さが徐々に高くなっている。

ここで、半導体レーザ素子４０では、レーザ光の出射方向から見て中央位置に熱がこもり易くなっている。そこで、半導体レーザ素子４０の中央位置に対応したフィン部５０の高さを高くして、フィン部５０の表面積を大きくすることで、熱のこもりを抑制し、効率良く放熱させることができる。

《実施形態３》
図５に示すように、第２ブロック２０には、複数のフィン部５０が設けられている。フィン部５０は、板状に形成されている。フィン部５０は、第２ブロック２０における半導体レーザ素子４０に対向する面の反対側（図５で上側）から立設している。

複数のフィン部５０は、半導体レーザ素子４０から出射されるレーザ光の出射方向に沿って延びている。複数のフィン部５０は、厚み方向に間隔をあけて配置されている。複数のフィン部５０は、並び方向（図５で左右方向）の位置によってそれぞれ異なる高さに設定されている。

具体的に、図５に示す例では、複数のフィン部５０が、並び方向で３つ（左、中央、右）のグループに区分けされている。そして、複数のフィン部５０のうち、中央のグループに位置するフィン部５０の高さが最も高くなっている。中央のグループに位置するフィン部５０は、全て同じ高さに設定されている。

また、複数のフィン部５０のうち、左右のグループに位置するフィン部５０の高さが最も低くなっている。左右のグループに位置するフィン部５０は、全て同じ高さに設定されている。

このように、半導体レーザ素子４０の中央位置に対応したフィン部５０の高さを高くして、熱がこもり易い領域のフィン部５０の表面積を大きくすることで、効率良く放熱させることができる。

《実施形態４》
図６に示すように、第２ブロック２０には、複数のフィン部５０が設けられている。フィン部５０は、板状に形成されている。フィン部５０は、第２ブロック２０における半導体レーザ素子４０に対向する面の反対側（図６で上側）から立設している。

複数のフィン部５０は、半導体レーザ素子４０から出射されるレーザ光の出射方向に沿って延びている。複数のフィン部５０は、厚み方向に間隔をあけて配置されている。複数のフィン部５０は、並び方向（図６で左右方向）の位置によってそれぞれ異なる高さに設定されている。

具体的に、複数のフィン部５０は、第１フィン部５０ａと、第２フィン部５０ｂとを有する。第２フィン部５０ｂは、第１フィン部５０ａよりも高さが低くなっている。そして、第１フィン部５０ａと第２フィン部５０ｂとが、並び方向に間隔をあけて交互に配置されている。

これにより、隣接する第１フィン部５０ａの先端部同士の間隔を大きくして、第１フィン部５０ａの間に熱がこもるのを抑えることができる。

《実施形態５》
図７に示すように、第２ブロック２０には、複数のフィン部５０が設けられている。複数のフィン部５０は、半導体レーザ素子４０から出射されるレーザ光の出射方向に沿って延びている。複数のフィン部５０は、厚み方向（図７で左右方向）に間隔をあけて配置されている。複数のフィン部５０は、第２ブロック２０の上面をスリット状に切削することで形成されている。

複数のフィン部５０は、第１貫通孔２２、第２貫通孔２３、及び第２端子孔２４の開口位置の周辺を避けるように形成されている。これにより、第２ブロック２０における孔部周辺の剛性を確保するようにしている。

第１ブロック１０には、複数のフィン部５０が設けられている。複数のフィン部５０は、レーザ光の出射方向の一端部及び他端部にそれぞれ形成されている。

具体的に、第１ブロック１０におけるレーザ光の出射方向の一端部（図７で下端部）には、左右方向に間隔をあけて複数のフィン部５０が設けられている。複数のフィン部５０は、第１ブロック１０の一端部をスリット状に切削することで形成されている。

第１ブロック１０におけるレーザ光の出射方向の他端部（図７で上端部）には、左右方向に間隔をあけて複数のフィン部５０が設けられている。複数のフィン部５０は、第１ブロック１０の他端部をスリット状に切削することで形成されている。複数のフィン部５０は、第１端子孔１４の開口位置の周辺を避けるように形成されている。これにより、第２ブロック２０における孔部周辺の剛性を確保するようにしている。

このように、第１ブロック１０及び第２ブロック２０の両方に複数のフィン部５０を設け、フィン部５０の表面積を大きくすることで、効率良く放熱させることができる。

《実施形態６》
図８及び図９に示すように、第２ブロック２０には、複数のフィン部５０が設けられている。複数のフィン部５０は、半導体レーザ素子４０から出射されるレーザ光の出射方向に沿って張り出している。

具体的に、第２ブロック２０における図９で左側の端部には、左方向に張り出すフィン部５０が、上下方向に間隔をあけて複数設けられている。複数のフィン部５０は、第２ブロック２０の端部をスリット状に切削することで形成されている。

第１ブロック１０には、複数のフィン部５０が設けられている。複数のフィン部５０は、半導体レーザ素子４０から出射されるレーザ光の出射方向５に沿って前後に張り出している。

具体的に、第１ブロック１０における図９で左側の端部には、左方向（出射方向５の後部）に張り出すフィン部５０が、上下方向に間隔をあけて複数設けられている。また、第１ブロック１０における図９で右側の端部には、右方向（出射方向５の前部）に張り出すフィン部５０が、上下方向に間隔をあけて複数設けられている。複数のフィン部５０は、第２ブロック２０の端部をスリット状に切削することで形成されている。

このように、第１ブロック１０及び第２ブロック２０の両方に複数のフィン部５０を設け、フィン部５０の表面積を大きくすることで、効率良く放熱させることができる。

また、複数のフィン部５０を、第１ブロック１０及び第２ブロック２０の厚み方向に間隔をあけてスリット状に切削することで、フィン部５０の表面積を確保しつつ、フィン部の枚数を削減して加工工数を減らすことができる。

なお、複数のフィン部５０を、冷間圧接によって第１ブロック１０及び第２ブロック２０に一体に設けるようにしてもよい。

複数のフィン部５０は、第１ブロック１０及び第２ブロック２０とそれぞれ一体構造とすることで、効率的な放熱構造をよりコンパクトに形成することができる。

なお、第１ブロック１０及び第２ブロック２０の少なくとも一方に形成する複数のフィン部５０は、それぞれのブロックの一部をなして導電性を有する構成としたが、この形態に限定するものではない。例えば、放熱性を確保できるのであれば、第１ブロック１０及び第２ブロック２０とそれぞれ一体構造ではなく、別体として複数のフィン部５０が形成され、第１ブロック１０及び第２ブロック２０に組み付けられるものであっても良い。

《実施形態７》
図１０に示すように、レーザ装置１は、第１ブロック１０と、第２ブロック２０と、第１絶縁層３１と、半導体レーザ素子４０と、バンプ４５と、第２絶縁層３２と、第３ブロック６０とを有する。

第１ブロック１０の上面には、凹部１１が設けられている。凹部１１内には、半導体レーザ素子４０が設けられている。第１ブロック１０の上面における凹部１１の周囲には、第１絶縁層３１が配置されている。

第２ブロック２０は、半導体レーザ素子４０及び第１絶縁層３１の上に設けられている。第２ブロック２０は、バンプ４５を介して半導体レーザ素子４０と電気的に接続されている。第１ブロック１０と第２ブロック２０とは、導電性ネジ３５によって締結されている。

第１ブロック１０の下方には、第３ブロック６０が配置されている。第１ブロック１０と第３ブロック６０との間には、第２絶縁層３２が配置されている。これにより、第１ブロック１０と第３ブロック６０とが、電気的に接続されないようにしている。第１ブロック１０と第３ブロック６０とは、図示しない絶縁性ネジによって、互いに電気的に絶縁された状態で締結されている。

第３ブロック６０の内部には、内部通路６１が設けられている。内部通路６１には、冷却・温度制御装置であるチラーユニット（図示省略）から冷媒が供給される。図１０に示す例では、内部通路６１は、レーザ光の出射方向（図１０で紙面手前方向）に沿って延びている。内部通路６１には、チラーユニットからの冷却水６５が流通している。

第３ブロック６０の内部には、複数のフィン部５０が設けられている。フィン部５０は、半導体レーザ素子４０に対向する面の反対側（図１０で内部通路６１の天井面側）から内部通路６１内において下方に立設している。フィン部５０は、内部通路６１を流れる冷却水６５によって冷却される。

なお、内部通路６１内にフィン部５０を形成する際には、第３ブロック６０を図示しない分割面で分割して内部通路６１を開放させた後、第３ブロック６０をスリット状に切削加工すればよい。また、内部通路６１を開放させた後、内部通路６１内に複数のフィン部５０を金属間接合させてもよい。

このように、第１ブロック１０と第３ブロック６０との間に第２絶縁層３２を配置して絶縁性を確保することで、フィン部５０の冷却方式として、空気を冷却媒体とした空冷方式だけではなく、水を冷却媒体とした水冷方式にも対応可能となる。そして、フィン部５０を水冷にて直接冷却することより、さらに冷却効果を高めることができる。

なお、図１０では、複数のフィン部５０は、第３ブロック６０における内部通路６１の天井面をスリット状に切削することで形成しているが、この形態に限定するものではない。例えば、冷却媒体としての水が循環するフィン部５０及び内部通路６１を第３ブロック６０とは別体に構成して、フィン部５０自体及び内部通路６１を絶縁性材料で形成するようにしてもよい。

《その他の実施形態》
前記実施形態については、以下のような構成としてもよい。

本実施形態では、第１ブロック１０におけるレーザ光の出射方向５の側の端部を、発光面よりも前方に張り出させた構成とすることで、放熱面積を大きくしているが、この形態に限定するものではない。

例えば、図１１に示すように、第１ブロック１０におけるレーザ光の出射方向５の側の端部を、発光面と略面一にした構成としてもよい。これにより、半導体レーザ素子４０から出射されて発光面から放射状に拡がるレーザ光が、第１ブロック１０の形状によって、遮光されるのを抑えることができる。

以上説明したように、本発明は、半導体レーザ素子で生じる熱を効率良く放熱することができるという実用性の高い効果が得られることから、きわめて有用で産業上の利用可能性は高い。

１ レーザ装置
１０ 第１ブロック
２０ 第２ブロック
４０ 半導体レーザ素子
４１ 正電極（第１電極）
４２ 負電極（第２電極）
５０ フィン部
５０ａ 第１フィン部
５０ｂ 第２フィン部

Claims (6)

1. レーザ光を出射する半導体レーザ素子を備えたレーザ装置であって、
   前記半導体レーザ素子の第１電極に電気的に接続された第１ブロックと、
   前記半導体レーザ素子における前記第１電極とは反対側の第２電極に電気的に接続された第２ブロックとを備え、
   前記第１ブロック及び前記第２ブロックの少なくとも一方には、板状に形成され且つ厚み方向に間隔をあけて配置された複数のフィン部が設けられているレーザ装置。
2. 請求項１において、
   前記複数のフィン部のうち少なくとも一部は、前記第２ブロックにおける前記半導体レーザ素子に対向する面の反対側から立設しているレーザ装置。
3. 請求項２において、
   前記複数のフィン部は、前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の出射方向に沿って延び、
   前記複数のフィン部のうち、該フィン部の並び方向の略中央位置に配置された該フィン部の高さは、該並び方向の外側に配置された該フィン部の高さよりも高いレーザ装置。
4. 請求項１又は２において、
   前記複数のフィン部は、第１フィン部と、該第１フィン部よりも高さの低い第２フィン部とを有し、
   前記第１フィン部と前記第２フィン部とは、交互に配置されているレーザ装置。
5. 請求項１乃至４のうち何れか１つにおいて、
   前記複数のフィン部のうち少なくとも一部は、前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の出射方向に沿って張り出しているレーザ装置。
6. 請求項１乃至５のうち何れか１つにおいて、
   前記複数のフィン部のうち少なくとも一部は、前記第１ブロック又は前記第２ブロックに対して電気的に絶縁された状態で接続されるとともに、前記半導体レーザ素子に対向する面の反対側から立設しているレーザ装置。

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