JP2021097169A - ショットキーバリアダイオード - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の第1の実施形態によるショットキーバリアダイオード11の構成を示す模式的な平面図である。また、図2は、図1に示すA−A線に沿った略断面図である。
図9は、本発明の第2の実施形態によるショットキーバリアダイオード12の構成を示す模式的な平面図である。また、図10は、図9に示すB−B線に沿った略断面図である。
W1>W2
に設定されている。これは、電界が特に集中する外周トレンチ61の底部における絶縁破壊を防止するためである。つまり、外周トレンチ61の幅W1を拡大すると、外周トレンチ61を断面で見た場合に2つの角部C間の距離が大きくなるからである。その結果、外周トレンチ61の底部近傍における絶縁破壊が生じにくくなる。一方、外周トレンチ61の深さと中心トレンチ62の深さにおいては、互いに同じである。
図11は、本発明の第3の実施形態によるショットキーバリアダイオード13の構成を示す略断面図である。
図12は、本発明の第4の実施形態によるショットキーバリアダイオード14の構成を示す略断面図である。
図13は、本発明の第5の実施形態によるショットキーバリアダイオード15の構成を示す略断面図である。
図15は、本発明の第6の実施形態によるショットキーバリアダイオード16の構成を示す略断面図である。
図16は、本発明の第7の実施形態によるショットキーバリアダイオード17の構成を示す略断面図である。
図10に示したショットキーバリアダイオード12と同じ構造を有する実施例1のシミュレーションモデルを想定し、アノード電極40とカソード電極50の間に800Vの逆方向電圧を印加した場合の電界強度をシミュレーションした。半導体基板20のドーパント濃度については1×1018cm−3とし、ドリフト層30のドーパント濃度としては2×1016cm−3とした。ドリフト層30の厚みは7μmとした。また、外周トレンチ61の幅W1は10μm、中心トレンチ62の幅は2μmとし、深さはいずれも3μmとした。また、アノード電極40と接する部分におけるドリフト層30の幅、つまりメサ領域Mの幅は2μmとした。絶縁膜63は厚さ50nmのHfO2膜とした。また、保護膜70の材料についてはSiNを用いた。
図11に示したショットキーバリアダイオード13と同じ構造を有する実施例2のシミュレーションモデルを想定し、アノード電極40とカソード電極50の間に800Vの逆方向電圧を印加した場合の電界強度をシミュレーションした。実施例2のシミュレーションモデルは、保護膜70の一部72と金属部材41の境界が底面部Bに位置している以外、実施例1と同じパラメータを有している。
図12に示したショットキーバリアダイオード14と同じ構造を有する実施例3のシミュレーションモデルを想定し、アノード電極40とカソード電極50の間に800Vの逆方向電圧を印加した場合の電界強度をシミュレーションした。実施例3のシミュレーションモデルは、保護膜70の一部72と金属部材41の境界が内側の側壁部S2に位置している以外、実施例1と同じパラメータを有している。
20 半導体基板
21 半導体基板の上面
22 半導体基板の裏面
30 ドリフト層
31 ドリフト層の上面
40 アノード電極
41 金属部材
42 空洞
50 カソード電極
61 外周トレンチ
62 中心トレンチ
63 絶縁膜
70 保護膜
71 開口部
72 保護膜の一部
80 フィールド絶縁膜
B 底面部
C 角部
E0〜E2 エッジ
M メサ領域
R レジスト
S1,S2 側壁部
Claims (4)
- 酸化ガリウムからなる半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた酸化ガリウムからなるドリフト層と、
前記ドリフト層とショットキー接触するアノード電極と、
前記半導体基板とオーミック接触するカソード電極と、
前記ドリフト層に設けられたトレンチの内壁を覆う絶縁膜と、
前記アノード電極を覆う保護膜と、を備え、
前記保護膜の一部が前記トレンチ内に埋め込まれていることを特徴とするショットキーバリアダイオード。 - 前記トレンチは、リング状に形成されているとともに、前記保護膜の一部と、前記アノード電極と電気的に接続された金属部材によって埋め込まれていることを特徴とする請求項1に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記トレンチは平坦な側壁部を有し、前記保護膜と前記金属部材の境界は、前記側壁部に位置していることを特徴とする請求項2に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記トレンチは平坦な底面部を有し、前記保護膜と前記金属部材の境界は、前記底面部に位置していることを特徴とする請求項2に記載のショットキーバリアダイオード。
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