JP2021091600A - ウィンドウ製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】洗浄ステップを最適化して圧縮応力特性及び衝撃強度が改善されたウィンドウ製造方法を提供する。【解決手段】本発明のウィンドウ製造方法は、第1圧縮応力値を有する初期ウィンドウを提供するステップと、初期ウィンドウを洗浄して第2圧縮応力値を有するウィンドウを提供する洗浄ステップと、を有し、洗浄ステップは、初期ウィンドウを酸洗する酸洗ステップと、酸洗された初期ウィンドウをアルカリ洗浄するアルカリ洗浄ステップと、を含み、第1圧縮応力値と第2圧縮応力値との差、酸洗ステップの温度及び時間に対して線形関係式を提示し、酸洗ステップの工程条件を制御してウィンドウの機械的物性を効果的に制御する方法を提示する。【選択図】図5

Description

本発明は、ウィンドウ製造方法に関し、より詳しくは、洗浄ステップを含むウィンドウ製造方法に関する。
電子装置は、ウィンドウ、筐体、及び電子素子を含む。電子装置は、表示素子、タッチ素子、又は検出素子などの電気的信号によって活性化される多様な素子を含む。
ウィンドウは、電子素子を保護し、ユーザに活性領域を提供する。それによって、ユーザはウィンドウを介して電子素子に入力を提供するか又は電子素子に生成された情報を受信する。また、電子素子はウィンドウを介して外部衝撃から安定的に保護される。
最近、電子素子のスリム化傾向によって、ウィンドウに対する軽量化及び薄型化も求められており、それによる構造的脆弱性を補完するために、優秀な強度及び表面耐久性を有するウィンドウ製造方法が研究されている。
韓国公開特許第10−2018−0055711号公報
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、洗浄ステップを最適化して圧縮応力特性及び衝撃強度が改善されたウィンドウ製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるウィンドウ製造方法は、第1圧縮応力値を有する初期ウィンドウを提供するステップと、前記初期ウィンドウを洗浄して第2圧縮応力値を有するウィンドウを提供する洗浄ステップと、を有し、前記洗浄ステップは、前記初期ウィンドウを酸洗する酸洗ステップと、前記酸洗された初期ウィンドウをアルカリ洗浄するアルカリ洗浄ステップと、を含み、前記第1圧縮応力値と前記第2圧縮応力値との差は、下記式1及び式2を満足する。
[式1]
ΔCS(MPa)=δ・t(min)+θ
[式2]
ΔCS(MPa)=α・T(℃)+β
前記式1において、0<δ≦10、−300≦θ<0であり、前記式2において、0<α≦10、0<β≦50であり、前記式1及び式2において、ΔCSは前記第1圧縮応力値と前記第2圧縮応力値との差の絶対値であり、Tは前記酸洗ステップの温度であり、tは前記酸洗ステップの保持時間である。
前記酸洗ステップの温度Tは、40℃以上70℃以下であり得る。
前記酸洗ステップの保持時間tは、1分(min)以上20分(min)以下であり得る。
前記第1圧縮応力値と前記第2圧縮応力値との差は、下記式3を満足し得る。
[式3]
ΔCS(MPa)=ν・T(℃)+ω・t(min)+γ
前記式3において、0<ν≦10、0<ω≦20、−150≦γ≦−50であり、ΔCS、T、及びtは、前記式1及び式2で定義した通りである。
前記第1圧縮応力値と前記第2圧縮応力値との差は、下記式3−1を満足し得る。
[式3−1]
ΔCS(MPa)=4T(℃)+2t(min)+γ
前記式3−1において、−150≦γ≦−50であり、ΔCS、T、及びtは、前記式1及び式2で定義した通りである。
前記第1圧縮応力値と前記第2圧縮応力値との差は、前記洗浄ステップにおける洗浄量に比例し、前記洗浄量は、前記初期ウィンドウの表面から除去される前記初期ウィンドウの単位面積当たりの除去量であり得る。
前記洗浄量は、下記式4及び式5を満足し得る。
[式4]
AB(mg/cm)= δ’・t(min)+θ’
[式5]
AB(mg/cm)= α’・T(℃)+β’
前記式4において、0<δ’≦5、−300≦θ’<0であり、前記式5において、0<α’≦0.05、0<β’≦0.5であり、前記式4及び式5において、LABは前記洗浄量であり、T及びtは前記式1及び式2で定義した通りである。
前記洗浄量は、下記式6を満足し得る。
[式6]
AB(mg/cm)= ν・T(℃)+ω・t(min)+γ’
前記式6において、0<ν’≦0.05、0<ω’≦0.1、−50≦γ’<0であり、LAB、T、及びtは、前記式4及び式5で定義した通りである。
前記洗浄量は、下記式6−1を満足し得る。
[式6−1]
AB(mg/cm)=0.01T(℃)+0.02t(min)+γ’
前記式6−1において、−50≦γ’<0であり、LAB、T、及びtは、前記式4及び式5で定義した通りである。
前記洗浄量は、前記酸洗ステップの第1洗浄量と前記アルカリ洗浄ステップの第2洗浄量との和であり、前記第1洗浄量は、前記洗浄量の全体重量を基準に30wt%以上40wt%以下であり、前記第2洗浄量は、前記洗浄量の全体重量を基準に60wt%以上70wt%以下であり得る。
前記初期ウィンドウを提供するステップは、ベースガラスを提供するステップと、前記提供されたベースガラスを強化するステップと、を含み、前記ベースガラスは、LAS(Lithium Alumino−Sillicate)系ガラス、又はNAS(Sodium Alumino−Silicate)系ガラスであり得る。
前記ベースガラスを強化するステップは、KNO及びNaNOのうちの少なくとも一つを含む強化溶融塩(toughening molten salt)で化学強化するステップであり得る。
前記ベースガラスを強化するステップは、350℃以上450℃以下の温度で行われ得る。
前記酸洗ステップは、硝酸(HNO)、硫酸(HSO)、及び塩酸(HCl)のうちの少なくとも一つを含む酸洗溶液を提供するステップであり得る。
前記アルカリ洗浄ステップは、水酸化ナトリウム(NaOH)及び水酸化カリウム(KOH)のうちの少なくとも一つを含むアルカリ洗浄溶液を提供するステップであり得る。
一実施形態によるウィンドウ製造方法は、化学強化処理された初期ウィンドウを提供するステップと、酸洗溶液で前記初期ウィンドウを洗浄して中間ウィンドウを提供する酸洗ステップと、アルカリ洗浄溶液で前記中間ウィンドウを洗浄してウィンドウを提供するアルカリ洗浄ステップと、を有し、前記初期ウィンドウの第1圧縮応力値と前記ウィンドウの第2圧縮応力値とは、下記式1及び式2の関係を満足する。
[式1]
ΔCS(MPa)=δ・t(min)+θ
[式2]
ΔCS(MPa)=α・T(℃)+β
前記式1において、0<δ≦10、−300≦θ<0、1≦t≦20であり、前記式2において、0<α≦10、0<β≦50、40≦T≦70であり、前記式1及び式2において、ΔCSは、前記第1圧縮応力値と前記第2圧縮応力値との差の絶対値である。
前記中間ウィンドウは、前記初期ウィンドウからアルカリ金属が溶出されて形成されたボイド(void)を含み得る。
前記中間ウィンドウは、アルカリ金属に対するシリコンの含量比が前記初期ウィンドウにおけるアルカリ金属に対するシリコンの含量比と実質的に同じ基本層と、前記基本層の表面に形成されて前記アルカリ金属イオンに対するシリコンの含量比が前記基本層よりも高い中間層と、を含み得る。
前記中間層における前記ボイドの割合は、前記基本層における前記ボイドの割合より高くあり得る。
前記初期ウィンドウの厚さは、500μm以上800μm以下であり、前記中間層の厚さは、0.2μm以上0.5μm以下であり得る。
前記ウィンドウは、前記中間ウィンドウの前記中間層が除去されて形成され得る。
前記第1圧縮応力値と前記第2圧縮応力値との差の絶対値は、洗浄量に比例し、前記洗浄量は、前記初期ウィンドウと前記ウィンドウとの重量差であり得る。
前記洗浄量は、下記式4及び式5を満足し得る。
[式4]
AB(mg/cm)= δ’・t(min)+θ’
[式5]
AB(mg/cm)= α’・T(℃)+β’
前記式4において、0<δ’≦5、−300≦θ’<0であり、前記式5において、0<α’≦0.05、0<β’≦0.5であり、前記式4及び式5において、LABは前記洗浄量であり、T及びtは前記式1及び式2で定義した通りである。
前記第1圧縮応力値と前記第2圧縮応力値との差は、下記式3−1を満足し得る。
[式3−1]
ΔCS(MPa)=4T(℃)+2t(min)+γ
前記式3−1において、−150≦γ≦−50であり、ΔCS、T、及びtは、前記式1及び式2で定義した通りである。
本発明のウィンドウ製造方法によれば、酸洗ステップにおける工程温度と工程保持時間に対する圧縮応力値の変化量との関係を提示することで酸洗ステップを制御することができ、また、洗浄ステップの工程条件と洗浄量との関係式を提示することで最終的に求められるウィンドウの物性を考慮して洗浄ステップを容易に制御することができる。
一実施形態による電子装置の斜視図である。 図1に示す電子装置の分解斜視図である。 一実施形態によるウィンドウを示す斜視図である。 一実施形態によるウィンドウを示す断面図である。 一実施形態によるウィンドウ製造方法を簡略に示すフローチャートである。 一実施形態によるウィンドウ製造方法を簡略に示すフローチャートである。 一実施形態によるウィンドウ製造方法のステップを概略的に示す断面図である。 一実施形態によるウィンドウ製造方法のステップを概略的に示す断面図である。 一実施形態によるウィンドウ製造方法のステップを概略的に示す断面図である。 一実施形態によるウィンドウ製造方法のステップを概略的に示す断面図である。 一実施形態によるウィンドウ製造方法のステップを概略的に示す断面図である。 一実施形態によるウィンドウ製造方法のステップを概略的に示す断面図である。 一実施形態によるウィンドウ製造方法のステップを概略的に示す断面図である。 酸洗ステップにおける工程温度に対する洗浄量の変化を示すグラフである。 アルカリ洗浄ステップにおける工程温度に対する洗浄量の変化を示すグラフである。 洗浄量と圧縮応力値の変化量との関係を示すグラフである。 洗浄ステップ前後のウィンドウの強度を比較して示すグラフである。 洗浄ステップ前後のウィンドウの破損強度を比較して示すグラフである。 圧縮応力値の変化量に対するウィンドウの耐衝撃強度を示すグラフである。 酸洗温度のそれぞれにおける酸洗時間の増加に対する圧縮応力値の変化量を示すグラフである。 酸洗ステップにおける工程保持時間に対する圧縮応力値の変化量を示すグラフである。 特定の温度条件における酸洗ステップの工程保持時間に対する圧縮応力値の変化量の値を測定して示した結果とそれに対する関係式を示すグラフである。 酸洗ステップの工程温度の変化に対する圧縮応力値の値を測定して示した結果とそれに対する変化量の関係式を示すグラフである。 酸洗温度のそれぞれにおける酸洗時間の増加に対する洗浄量を示すグラフである。 特定の温度条件における酸洗ステップの工程保持時間に対する洗浄量の値を測定して示した結果とそれに対する関係式を示すグラフである。 酸洗ステップの工程温度の変化に対する洗浄量を測定して示した結果とそれに対する関係式を示すグラフである。
本発明は、多様な変更を加えることができ、多様な形態を有することができるため、特定の実施形態を図面に例示し、本明細書で詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物、又は代替物を含むものと理解すべきである。
本明細書において、ある構成要素(又は領域、層、部分など)が他の構成要素の「上にある」、「結合される」、又は「結合される」と言及する場合、それは他の構成要素の上に直接配置、連結、結合されるか、又はそれらの間に第3の構成要素が配置され得ることを意味する。
一方、本明細書において、「直接配置される」とは、層、膜、領域、板などの部分と他の部分の間に追加される層、膜、領域、板などがないことを意味する。例えば、「直接配置される」とは、2つの層又は2つの部材の間に接着部材などの追加の部材を使用せずに配置することを意味する。
同じ図面符号は同じ構成要素を指す。また、図面において、構成要素の厚さ、割合、及び寸法は、技術的内容の効果的な説明のために誇張される。
「及び/又は」は、関連する構成が定義する一つ以上の組み合わせを全て含む。
第1、第2などの用語は、多様な構成要素を説明するために使用されるが、構成要素は用語に限定されない。用語は一つの構造要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱せずに第1構成要素は第2構成要素と命名され、同様に第2構成要素も第1構成要素と命名され得る。単数の表現は、文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は、図面に示した構成の関連する関係を説明するために使用される。用語は相対的な概念であって、図面に示した方向を基準に説明する。本明細書において、「〜の上に配置される」とは、いずれか一つの部材の上部のみならず下部に配置される場合も示す。
異なるように定義されない限り、本明細書で使用する全ての用語(技術的及び科学的用語を含む)は、本発明の属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるようなものと同じ意味を有する。また、一般的に使用される辞書に定義されている用語のような用語は、関連技術の脈絡での意味と一致する意味を有するものと解釈すべきであり、理想的又は過度に形式的な意味に解釈されない限り、明示的にここで定義されるものに解釈される。
「含む」又は「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指すものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部分品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないと理解すべきである。
以下、本発明のウィンドウ製造方法を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、電子装置を示す斜視図である。図1は、一実施形態による電子装置の斜視図であり、ウィンドウ製造方法で製作されたウィンドウを含む電子装置の一実施例を示す図である。図2は、図1に示す電子装置の分解斜視図である。図3は、一実施形態によるウィンドウを示す斜視図である。図4は、一実施形態によるウィンドウを示す断面図である。
電子装置EAは、電気的信号によって活性化される装置である。電子装置EAは、多様な実施形態を含む。例えば、電子装置EAは、タブレット、ノートブック、コンピュータ、スマートテレビなどを含む。本実施形態において、電子装置EAはスマートフォンとして例示的に示される。
電子装置EAは、第1方向軸DR1及び第2方向軸DR2が定義する平面に平行する表示面ISから第3方向軸DR3の方向に映像IMを表示する。映像IMが表示される表示面ISは、電子装置EAの上部面(front surface)に対応し、ウィンドウCWの上部面FSに対応する。また、電子装置EAは、第1方向軸DR1及び第2方向DR2が定義する平面に垂直な方向である第3方向軸DR3の方向に所定の厚さを有する立体形状を有する。
一方、図1に示した実施形態の電子装置EAにおいて、表示面ISは表示領域DA及び表示領域DAに隣接する非表示領域NDAを含む。非表示領域NDAは表示領域DAを囲んで配置されるものとして示されているが、実施形態はこれに限らない。表示領域DAは、映像IMが提供される部分であって、電子パネルDPのアクティブ領域AAに対応する部分である。一方、映像IMは、動的な映像は勿論、静止画像も含む。図1において、映像IMの一例として日時及び天気のウィンドウが示されている。
本実施形態では、映像IMが表示される方向を基準に各部材の上部面(又は前面)及び下部面(又は背面)が定義される。上部面と下部面とは第3方向軸DR3を基準に互いに対向(opposing)し、上部面と下部面とのそれぞれの法線方向は第3方向軸DR3に平行する。一方、第1〜第3方向軸(DR1、DR2、DR3)が指示する方向は、相対的な概念であって、他の方向に変換されてもよい。以下、第1〜第3方向は第1〜第3方向軸(DR1、DR2、DR3)がそれぞれ指示する方向で同じ図面符号を参照する。
電子装置EAは、ウィンドウCW、電子パネルDP、及び筐体HAUを含む。図1及び図2に示した実施形態による電子装置EAにおいて、ウィンドウCWと筐体HAUとは結合されて電子装置EAの外観を構成する。
ウィンドウCWの上部面FSは、上述したように電子装置EAの上部面を定義する。ウィンドウCWの上部面FSは、透過領域TA及びベゼル領域BZAを含む。
透過領域TAは、光学的に透明な領域である。例えば、透過領域TAは、約90%以上の可視光線透過率を有する領域である。
ベゼル領域BZAは、透過領域TAに比べて相対的に光透過率が低い領域である。ベゼル領域BZAは、透過領域TAの形状を定義する。ベゼル領域BZAは、透過領域TAに隣接して透過領域TAを取り囲む。
ベゼル領域BZAは所定のカラーを有する。ベゼル領域BZAは、電子パネルDPの周変領域NAAをカバーし、周辺領域NAAが外部から視認されることを遮断する。一方、これは例示的な図示であって、本実施形態によるウィンドウCWにおいて、ベゼル領域BZAは省略され得る。
例えば、ウィンドウCWは強化処理された強化ガラス基板である。ウィンドウCWは、ガラスの光透過率を利用して透過領域TAを提供し、強化処理された表面を含んで外部の衝撃から電子パネルDPを安定的に保護する。
ウィンドウCWは本実施形態によるウィンドウ製造方法で製作される。本実施形態によるウィンドウ製造方法は、初期ウィンドウを提供するステップと、提供された初期ウィンドウを洗浄するステップとを含み、初期ウィンドウは化学強化処理されたガラス基板を含む。本実施形態のウィンドウ製造方法において、洗浄ステップは、順次に行われる酸洗ステップと、アルカリ洗浄ステップとを含む。本実施形態のウィンドウ製造方法において、洗浄ステップの工程条件と洗浄前後のウィンドウの圧縮応力値の変化量とは線形関係式を満足する。それによって、本実施形態によって提示される線形関係式を利用して最終的に求められるウィンドウの機械的物性を考慮した洗浄ステップの工程条件を導出することで、容易に洗浄工程を制御することができる。本実施形態のウィンドウ製造方法による詳細な説明は後述する。
電子パネルDPは、電気的信号によって活性化される。本実施形態において、電子パネルDPは活性化されて電子装置EAの表示面ISに映像IMを表示する。映像IMは透過領域TAを介してユーザに提供され、ユーザは映像IMを介して情報を受信する。但し、これは例示的な図示であって、電子パネルDPは活性化されて上部面に印加される外部入力を感知し得る。外部入力は、ユーザのタッチ、無体物の接触や隣接、圧力、光、又は熱を含むが、いずれか一つの実施形態に限らない。
表示パネルDPは、アクティブ領域AAと周辺領域NAAとを含む。アクティブ領域AAは、映像IMを提供する領域である。透過領域TAはアクティブ領域AAの少なくとも一部に重畳する。
周辺領域NAAはベゼル領域BZAによってカバーされる領域である。周辺領域NAAはアクティブ領域AAに隣接する。周辺領域NAAはアクティブ領域AAを取り囲む。周辺領域NAAにはアクティブ領域AAを駆動するための駆動回路や駆動配線などが配置される。
電子パネルDPは複数の画素PXを含む。画素PXは電気的信号に応答して光を表示する。画素PXが表示する光は映像IMを具現する。画素PXは表示素子を含む。例えば、表示素子は、有機発光素子、量子点発光素子、液晶キャパシタ、電気泳動素子、又は電気湿潤素子などである。
筐体HAUは電子パネルDPの下側に配置される。筐体HAUは相対的に高い剛性を有する物質を含む。例えば、筐体HAUは、ガラス、プラスチック、又はメタルからなる複数のフレーム及び/又はプレートを含む。筐体HAUは所定の収容空間を提供する。電子パネルDPは、収容空間内に収容されて外部の衝撃から保護される。
図3は、一実施形態によるウィンドウCW−aを示す斜視図である。図2に示した実施形態のウィンドウCWに比べて、図3に示した実施形態のウィンドウCW−aはベンディング軸BXを中心にベンディングされたベンディング部BAを含む。本実施形態において、ウィンドウCW−aは平坦部FA及びベンディング部BAを含む。
本実施形態において、ベンディング軸BXは第2方向軸DR2に沿って延長され、ウィンドウCW−aの下部面RS側に提供される。平坦部FAは、第1方向軸DR1及び第2方向軸DR2が定義する平面に平行する部分である。ベンディング部BAは、平坦部FAと隣り合って曲がった形状を有する曲面部分である。例えば、図3を参照すると、ベンディング部BAは、平坦部FAの両側に隣接する部分であって、平坦部FAから下側に折曲された部分である。但し、実施形態はこれに限らず、ベンディング部BAは、平坦部FAの一側にのみ隣接して配置されるか、又は平面上において平坦部FAの4つの側面共に隣接して配置され得る。
一方、本実施形態によるウィンドウ製造方法で製造されたウィンドウの形状は図2及び図3の図示に限らない。例えば、ウィンドウはフォールディング軸を中心にフォールディングされるか又はアンフィールディングされるフォールディングウィンドウである。即ち、後述するウィンドウの製造方法は、多様な形状を有するウィンドウの製作に使用される。
図4は、一実施形態によるウィンドウCWの断面図である。本実施形態によるウィンドウCWは、強化ガラス基板BS及びベゼル層BZを含む。強化ガラス基板BSは光学的に透明である。本明細書において、強化ガラス基板BSは、後述する本実施形態のウィンドウ製造方法によってベースガラスを強化するステップと、強化されたベースガラスを洗浄するステップとを行って提供されるものを称する。
強化ガラス基板BSの上部面FSは電子装置EAの外部に露出され、ウィンドウCWの上部面FSと電子装置EAの上部面を定義する。強化ガラス基板BSの下部面RSは第3方向軸DR3の方向で上部面FSに対向する。
ベゼル層BZは、強化ガラス基板BSの下部面RSに配置されてベゼル領域BZAを定義する。ベゼル層BZは、強化ガラス基板BSに比べて相対的に低い光透過率を有する。例えば、ベゼル層BZは所定のカラーを有する。それによって、ベゼル層BZは特定カラーの光のみを選択的に透過又は反射する。或いは、例えばベゼル層BZは入射する光を吸収する光遮断層である。ベゼル層BZの光透過率に応じてベゼル領域BZAのカラーが決定される。
ベゼル層BZは、強化ガラス基板BSの下部面RSにプリンティングや蒸着(deposition)を介して形成される。この際、ベゼル層BZは、強化ガラス基板BSの下部面RSに直接形成される。或いは、ベゼル層BZは、別途の粘着部材などを介して強化ガラス基板BSの下部面RSに結合される。この際、強化ガラス基板BSの下部面RSに粘着部材が接触する。
図5及び図6は、それぞれ一実施形態によるウィンドウ製造方法を簡略に示すフローチャートである。図7a〜図7gは、一実施形態によるウィンドウ製造方法のステップを概略的に示す断面図である。
本実施形態のウィンドウ製造方法は、初期ウィンドウを提供するステップS100と、提供された初期ウィンドウを洗浄するステップS300とを含む。また、洗浄ステップS300は、提供された初期ウィンドウを酸洗するステップS310と、酸洗された初期ウィンドウをアルカリ洗浄するステップS330とを含む。酸洗するステップS310及びアルカリ洗浄するステップS330は順次に行われる。
初期ウィンドウCW−Pは洗浄ステップS300を経てウィンドウCWに提供されるが、洗浄ステップS300を経ながら初期ウィンドウCW−Pの表面FS−Pの一部が除去され、それによってウィンドウCWにおける第2圧縮応力値は初期ウィンドウCW−Pの第1圧縮応力値に比べて減少する。一方、洗浄ステップS300で初期ウィンドウCW−Pの表面FS−Pの欠陥DFSが除去され、洗浄ステップS300以降のウィンドウCWの表面強度、耐衝撃性などの機械的物性は初期ウィンドウCWに比べて改善される。
本実施形態のウィンドウ製造方法において、初期ウィンドウを提供するステップS100は、ベースガラスを提供するステップS110と、提供されたベースガラスを強化処理するベースガラス強化ステップS130とを含む。
一実施形態のウィンドウ製造方法において、ベースガラスを提供するステップS110で提供されるベースガラスはフロート工法(float process)によって製造される。また、提供されるベースガラスは、ダウンドロー工法(down draw process)、又はフュージョン工法(fusion process)によって製造される。しかし、実施形態はこれに限らず、提供されるベースガラスは例示されていない多様な方法によって製造される。
ベースガラスを提供するステップS110で提供されるベースガラスは、使用用途を考慮して強化ステップS130の前に切断されて提供される。しかし、実施形態はこれに限らず、提供されるベースガラスは、最終的に適用される製品のサイズと一致しないサイズで提供され、後に本実施形態のウィンドウ製造工程の後に最終製品の適用サイズに切断されて加工される。
ベースガラスはフラット(flat)である。また、ベースガラスはベンディング(bending)される。例えば、最終的に適用される製品のサイズを考慮して裁断されて提供されるベースガラスは、中央部分を基準に膨らむか又は窪むようにベンディングされる。或いは、ベースガラスは、外郭部分にベンディングされた部分を含む。しかし、実施形態はこれに限らず、ベースガラスは多様な形状で提供される。
ベースガラスを提供するステップS100で提供されるベースガラスは、LAS系ガラス、又はNAS系ガラスである。例えば、ベースガラスは、SiO、Al、及びLiを含む。詳しくは、ベースガラスは、SiOを50wt%以上80wt%以下含み、Alを10wt%以上30wt%以下含み、Liを3wt%以上20wr%以下含む。また、一実施形態において、ベースガラスはSiO、Al、Li、及びNaOを含む。一方、ベースガラスは、SiO、Al、Li、及びNaO以外に、追加にP、KO、MgO、及びCaOのうちの少なくとも一つを更に含む。しかし、実施形態はこれに限らず、本実施形態で使用されるベースガラスとしては商用のガラスが制限なく使用される。
ベースガラス強化ステップS130は、ベースガラスに強化溶融塩を提供してベースガラスを化学強化処理するステップである。即ち、ベースガラス強化ステップS130は、強化溶融塩にベースガラスを浸漬し、イオン交換法でベースガラスの表面を強化するステップである。ベースガラスに提供される強化溶融塩は、1種又は2種以上のアルカリイオンを含む。
ベースガラス強化ステップS130は、ベースガラスの表面の相対的にイオン半径が小さいアルカリ金属イオンを、イオン半径がより大きいアルカリ金属イオンに交換して行われる。例えば、ベースガラス表面のLi又はNaなどのイオンをそれぞれ強化溶融塩から提供されるNa又はKイオンなどに交換して表面強化が行われる。ベースガラス強化ステップS130を経て製造されたウィンドウは、表面に圧縮応力領域を含む。圧縮応力領域は、ベースガラスの上部面及び下部面のうちの少なくとも一つの面に形成される。
ベースガラス強化ステップS130から提供される強化溶融塩は混合塩又は単一塩である。混合塩は、Li、Na、K、Rb、及びCsからなる群より選択される2種以上のイオンを含む溶融塩である。また、単一塩は、Li、Na、K、Rb、及びCsからなる群より選択されるいずれか一つのイオンを含む溶融塩である。例えば、一実施形態のウィンドウ製造方法の強化ステップは、混合塩としてKNO及びNaNOの溶融塩を含み、単一塩としてKNOの溶融塩を含む。
ベースガラス強化ステップS130は、350℃以上450℃以下の温度で行われる。しかし、実施形態はこれに限らず、強化ステップS130における工程温度は使用される強化溶融塩の種類に応じて調節される。
上述したベースガラス提供ステップS110から提供されるベースガラスは、ベースガラス強化ステップS130を行って初期ウィンドウCW−Pに提供される。
図7aは、初期ウィンドウ提供ステップを示す。また、図7bは、初期ウィンドウの一部分を示す断面図である。図7bは、図7aの「AA」領域を拡大して示す断面図である。
本実施形態によるウィンドウ製造方法において、初期ウィンドウCW−Pは強化ステップS130以降のガラス基板を示す。初期ウィンドウCW−Pは、所定の厚さtCWPを有する。強化ステップS130を経た初期ウィンドウCW−Pは、NaO又はKOなどのアルカリ金属酸化物を含む。本明細書では、容易な説明のためにアルカリ金属イオンINを円形(circles)で示している。
ベースガラス強化ステップS130で形成された初期ウィンドウCW−Pは、表面FS−Pに隣接して形成された圧縮応力層を含み、初期ウィンドウCW−Pは表面FS−Pに隣接する領域で第1圧縮応力値を示す。
一方、初期ウィンドウCW−Pは表面FS−Pに形成された複数の欠陥DFSを含む。初期ウィンドウCW−Pの欠陥DFSは、初期ウィンドウCW−Pの表面に形成された傷であるか又は表面FS−Pから凹んだ部分である。欠陥DFSは、初期ウィンドウCW−Pを形成する過程や、初期ウィンドウCW−Pを移動させる過程で外部との衝突又は外部環境との接触によって形成される。
また、初期ウィンドウCW−Pの表面FS−Pには異物SSが付いている可能性がある。異物SSは初期ウィンドウCW−Pとは異なる物質を含み、有機物及び/又は無機物を含む。異物SSは初期ウィンドウCW−Pを形成する過程や、初期ウィンドウCW−Pを移動させる過程などで付着されたものである。
表面FS−Pに形成された欠陥DFSの個数又は欠陥DFSの形状に応じて、初期ウィンドウCW−Pの表面FS−Pの粗さ(roughness)が異なり得る。一方、初期ウィンドウCW−Pの外部表面FS−Pに形成された欠陥DFSによって初期ウィンドウCW−Pの破損強度が低下する。即ち、欠陥DFSは初期ウィンドウCW−Pに外部衝撃などが加えられた際にクラック(crack)が発生するか又はクラックが容易に伝達される部分であり、それによって欠陥DFSは初期ウィンドウCW−Pの衝撃及び破損強度を低下させる虞がある。
断面上で欠陥DFSが形成された厚さtDFは、初期ウィンドウCW−Pの厚さtCWPに比べて微細に形成される。例えば、欠陥DFSが形成された厚さtDFは約0.2μm以上0.5μm以下である。一方、初期ウィンドウCW−Pの厚さtCWPは300μm以上である。例えば、初期ウィンドウCW−Pの厚さCWPは500μm以上800μm以下である。
提供された初期ウィンドウCW−Pは、洗浄ステップS300を経てウィンドウCWに提供される。洗浄ステップS300は、酸洗ステップS310及びアルカリ洗浄ステップS330を含む。図7c〜図7fには、容易な説明のために図7bのAA’領域に対応する領域を示している。図7c及び図7dは酸洗ステップS310に対応する断面図に該当し、図7e及び図7fはアルカリ洗浄ステップS330に対応する断面図に該当する。図7gは、酸洗ステップS310及びアルカリ洗浄ステップS330を経て提供されるウィンドウを示す断面図である。
図7c及び図7dを参照すると、酸洗ステップS310は初期ウィンドウCW−Pを酸性環境に提供するステップである。酸性環境は7未満の水素イオン濃度(hydrogen exponent、以下PH)指数を有する環境を意味し、酸性を有するのであれば液体、気体、又は固体などの多様な形態で提供される。
本実施形態のウィンドウ製造方法において、酸洗ステップS310は酸洗溶液WS1を初期ウィンドウCW−Pに提供して行われる。本発明の一実施形態による酸洗溶液WS1は、PH2以下の強酸である。例えば、酸洗溶液WS1は、硝酸(HNO)、硫酸(HSO)、及び塩酸(HCl)のうちの少なくともいずれか一つを含む。一方、酸洗溶液WS1のPH指数は常温では約2.5以下で測定される。
酸洗溶液WS1は、初期ウィンドウCW−Pと反応し、初期ウィンドウCW−Pに中間層L2を形成する。それによって、図7dに示したように、初期ウィンドウCW−Pは酸洗ステップS310を経て中間層L2及び基本層L1に区分される中間ウィンドウCW−Cに形成される。中間層L2は、基本層L1の上に配置され、外部に露出する表面層である。中間層L2は基本層L1の表面を取り囲んで形成される。
中間層L2は、酸洗溶液WS1との反応によって初期ウィンドウCW−Pのアルカリ金属イオンINのうちの少なくとも一部が除去された層である。この際、アルカリ金属イオンINが抜け出した位置にはボイドPOが定義される。また、アルカリ金属イオンINが抜け出した位置には酸洗溶液WS1から提供された水素イオンが配置される。それによって、酸洗ステップS310が行われた後の中間ウィンドウCW−Cの中間層L2は、基本層L1に比べて多孔性(porous)特性を示す。また、中間層L2の密度は基本層L1の密度よりも低い。
酸洗ステップS310でアルカリ金属イオンINが除去されることで、中間層L2におけるシリコン含量の割合は基本層L1におけるシリコン含量の割合よりも大きい。中間層L2におけるアルカリ金属イオンに対するシリコン含量比は、基本層L1内におけるアルカリ金属に対するシリコン含量比よりも大きく示される。即ち、中間層L2は基本層L1に比べてSi−rich層になる。
基本層L1内におけるアルカリ金属に対するシリコン含量比は、実質的に初期ウィンドウCW−P内におけるアルカリ金属イオンに対するシリコン含量比に対応する。従って、酸洗ステップS310では、表面FS−Pに隣接して欠陥DFSを含む中間層L2の密度のみを減少させ、欠陥DFSを含む部分が効果的に除去されるようにする。
中間層L2の厚さtL2は少なくとも図7bに示した欠陥DFSが形成された厚さtDFと同じであるか又はそれ以上に形成される。例えば、中間層L2の厚さtL2は約0.2μm以上0.5μm以下である。それによって、後にアルカリ洗浄ステップS330などを行って中間層L2を除去することで、欠陥DFSも安定的に除去される。
図7e〜図7gは、アルカリ洗浄ステップS330を経てウィンドウCWを製造するステップを示す。アルカリ洗浄ステップS330は、中間ウィンドウCW−Cを塩基性環境に提供するステップである。塩基性環境は7超過のPHを有する環境を意味し、塩基性を有するのであれば液体、気体、又は固体などの多様な形態で提供される。
本実施形態のウィンドウ製造方法において、アルカリ洗浄ステップS330はアルカリ洗浄溶液WS2を中間ウィンドウCW−Cに提供して行われる。本発明の一実施形態によるアルカリ洗浄溶液WS2は、PH13以上の強塩基である。例えば、アルカリ洗浄溶液WS2は水酸化ナトリウム(NaOH)又は水酸化カリウム(KOH)を含む。
アルカリ洗浄溶液WS2は、中間ウィンドウCW−Cと反応し、中間ウィンドウCW−Cから中間層L2が除去されるようにする。酸洗ステップS310で形成された中間層L2をアルカリ洗浄ステップS330で最終的に除去することで、表面FS−Pから欠陥DFSが除去されたウィンドウCWを形成することができる。即ち、初期ウィンドウCW−Pに存在していた欠陥DFSや異物SSは、中間層L2と共に基本層L1から除去される。
それによって、ウィンドウCWは欠陥DFSや異物SSが残存しない表面(上部面)FSを有する。ウィンドウCWの表面FSは、実質的に基本層L1の表面に対応する。ウィンドウCWの表面粗さは0.2nm以上3nm以下の範囲内である。ウィンドウCWの表面粗さは、初期ウィンドウCW−Pの表面粗さや中間ウィンドウCW−Cの表面粗さよりも低い。
酸洗ステップS310及びアルカリ洗浄ステップS330を経て、最終的に提供されるウィンドウCWは所定の厚さtCWを有する。本実施形態において、ウィンドウCWの厚さtCWは初期ウィンドウCW−Pの厚さtCWPよりも小さい。ウィンドウCWの厚さtCWは中間ウィンドウCW−Cにおいて基本層L1の厚さに対応する。
本実施形態のウィンドウ製造方法において、洗浄量は、初期ウィンドウCW−Pの表面FS−Pに隣接する部分であって洗浄ステップS330で除去される重量に相当する。洗浄量は単位面積当たりの除去量で測定され、本明細書において洗浄量の単位は「mg/cm」とする。
図8a及び図8bは、各洗浄ステップの工程温度に対する洗浄量を示すグラフである。図8aは酸洗ステップS310における洗浄量であり、図8bはアルカリ洗浄ステップS330における洗浄量を示す。図8bに示したアルカリ洗浄ステップS330の洗浄量は、同じ温度で酸洗ステップS310を行ってから順次にアルカリ洗浄ステップS330を行った際の洗浄量を示す。図8a及び図8bにおいて、洗浄ステップの工程保持時間は10分に固定して行っている。
図8a及び図8bにおいて、「y」は洗浄量に該当し、「x」は工程温度であり、「R」は決定係数(coefficient of determination)に該当する。図8a及び図8bを参照すると、各洗浄ステップにおける洗浄量は洗浄ステップの温度に比例して増加することが分かる。但し、洗浄量においては、酸洗ステップにおける洗浄量よりもアルカリ洗浄ステップにおける洗浄量が大きく示されることが分かる。
本実施形態のウィンドウ製造方法において、全体の洗浄量は酸洗ステップにおける第1洗浄量とアルカリ洗浄ステップにおける第2洗浄量の和で示される。本実施形態のウィンドウ製造方法の条件で洗浄された第1洗浄量は最終洗浄量の全体重量を基準に30wt%以上40wt%以下であり、第2洗浄量は最終洗浄量の全体重量を基準に60wt%以上70wt%以下に該当する。例えば、洗浄量全体の約1/3は酸洗ステップの洗浄量であり、洗浄量全体の約2/3はアルカリ洗浄ステップの洗浄量である。
本実施形態のウィンドウ製造方法によって最終的に提供されるウィンドウCWは表面FSに隣接する圧縮応力層を含み、ウィンドウCWは表面FSに隣接する領域で第2圧縮応力値を示す。
本実施形態のウィンドウ製造方法において、初期ウィンドウCW−Pの第1圧縮応力値と洗浄ステップを経たウィンドウCWの第2圧縮応力値との差は、下記式1及び式2を満足する。
[式1]
ΔCS(MPa)=δ・t(min)+θ
〔式2〕
ΔCS(MPa)=α・T(℃)+β
上記式1及び式2において、ΔCSは第1圧縮応力値と第2圧縮応力値との差の絶対値であり、Tは酸洗ステップの温度であり、tは酸洗ステップの保持時間である。ΔCSは{(第1圧縮応力値)−(第2圧縮応力値)}に該当する。
上記式1及び式2において、ΔCSの圧縮応力値の差の単位は「MPa」であり、関係式の変数である酸洗ステップの温度Tは「℃」単位で入力され、酸洗ステップの工程時間tは「min(分)」単位で入力される。
以下、本明細書に記載した関係式で使用されたΔCS(MPa)、T(℃)、及びt(min)に対しては、上述した式1及び式2で定義した内容と同じ内容が適用される。また、本明細書において、第1圧縮応力値と第2圧縮応力値との差の絶対値は第1圧縮応力値と第2圧縮応力値との差と同じ意味であり、これはまた圧縮応力値の変化量と同じ意味で使用される。即ち、第1圧縮応力値と第2圧縮応力値との差と圧縮応力値の変化量は同じくΔCSで示される。
上記式1は、酸洗ステップの工程保持時間tと圧縮応力値の変化量ΔCSとの関係を示す線形関係式である。上記式1において、0<δ≦10及び−300≦θ<0である。一方、式2は、酸洗ステップの工程温度Tと圧縮応力値の変化量ΔCSとの関係を示す線形関係式である。上記式2において、0<α≦10及び0<β≦50である。
一方、図9は、一実施形態のウィンドウ製造方法によって製作されるウィンドウにおける洗浄量とウィンドウの圧縮応力値との関係を示すグラフである。図9において、「ΔCS」は圧縮応力値の変化量であり、「LAB」は洗浄量であり、「R」は決定係数に該当する。圧縮応力値の変化量ΔCSは、図7a〜図7gを参照して説明した実施形態のウィンドウ製造方法において、初期ウィンドウCW−Pの表面FS−Pに隣接する領域の圧縮応力値とウィンドウCWの表面FSに隣接する領域の圧縮応力値との差に該当する。本発明の一実施形態によるウィンドウ製造方法で製造されたウィンドウにおいて、圧縮応力値の変化量ΔCSと洗浄量LABとは下記関係式を満足する。下記関係式Aにおいて、Gは応力減少係数であって、0<G≦1000である。Zは定数値であって、−50<Z≦50である。
[式A]
ΔCS=G・LAB+Z
図9では洗浄量と圧縮応力値の変化量との関係を測定して示しているが、関係式ΔCS=172.48・LAB+17.762が導出されることから、本実施形態によるウィンドウ製造方法によって製造されたウィンドウは上記式Aの関係を満足することが分かる。即ち、本実施形態のウィンドウ製造方法における圧縮応力の変化量は洗浄量に線形的に比例する。従って、本実施形態のウィンドウ製造方法の洗浄ステップにおける洗浄量を調節して、最終的にウィンドウの圧縮応力値を制御することができる。
一方、本実施形態のウィンドウ製造方法で製造されたウィンドウは改善された強度特性を示す。図10及び図11は、それぞれ洗浄ステップ前後のウィンドウの強度特性変化を測定して示すグラフである。
図10及び図11において、「洗浄前(ref)」は初期ウィンドウCWに対する結果であり、「洗浄後」は洗浄ステップS300まで行われたウィンドウCWに対する結果である。
図10はBOR強度を比較して示している。BOR強度は、BOR(Ball on Ring)テスト法で評価する。テスト対象である初期ウィンドウCW−P及びウィンドウCWを所定のサイズを有する円い環(直径が30mmでRが2.5mmの環であって、環の最外径は35mm、最内径は25mmである)の上に配置し、テスト対象である初期ウィンドウ及びウィンドウにそれぞれ直径10mmの球状のテストプローブ(test probe)を接触させ、荷重を加えながら初期ウィンドウ又はウィンドウが破損する際の強度を測定した。測定において、破損する際の強度をBOR強度Nで示した。
図10の結果を参照すると、洗浄前の平均BOR強度は383.5Nに相当し、洗浄後の平均BOR強度は、626.6Nで測定され、洗浄ステップを行うことでウィンドウの強度特性が改善されていることが分かる。図10の評価に使用したウィンドウは、65℃で10分間酸洗し、65℃で10分間アルカリ洗浄したものである。
一方、本実施形態のウィンドウ製造方法で製造されたウィンドウのBOR強度は500N以上である。例えば、本実施形態のウィンドウ製造方法で製造されたウィンドウのBOR強度は500N以上1000N以下である。
図11は、ドロップテスト(drop test)の結果を示している。図11の結果測定は、ウィンドウを含む電子装置の模型(mock−upサンプル)を利用して行われた。図11において、「洗浄前(ref)」は洗浄ステップを経ていない初期ウィンドウCW−Pを含む電子装置の模型に対する結果であり、「洗浄後」はウィンドウCWを含む電子装置の模型に対する結果である。図11の評価に使用したウィンドウCWは、65℃で10分間酸洗し、65℃で10分間アルカリ洗浄したものである。
ドロップテストは、花崗岩基板に電子装置の模型サンプルを落下させて破損可否を確認しながら行った。図11に示した測定値は、電子装置の模型サンプルが落下する際にウィンドウが破損された落下の高さを示している。落下高さは60cmを開始高さにして10cmずつ増加させた。
図11の結果を参照すると、洗浄前の平均落下高さは70cmで、洗浄後の平均落下高さは130cmであって、ドロップテストで測定された強度は洗浄工程を行ったウィンドウで約1.8倍改善されていることを確認した。即ち、本実施形態のウィンドウ製造方法は、酸洗ステップ及びアルカリ洗浄ステップを含む洗浄ステップを含むことで、改善された耐衝撃性を有するウィンドウを提供することを確認した。
図12は、圧縮応力値の変化量に対するウィンドウの耐衝撃強度を示すグラフである。図12において、BDT強度cmは耐衝撃性評価方法である鋼球落下試験(Ball Drop Test)の評価結果に該当する。鋼球落下試験は、150gの鋼球(steel ball)をウィンドウの上に落下させ、ウィンドウが破損する高さを測定して評価した。
図12の結果を参照すると、圧縮応力値の変化量ΔCSの増加によってBDT強度が改善されているが、圧縮応力値の変化量ΔCSが120よりも高ければBDT強度の増加程度が低いことが分かる。ΔCSが120以下であればΔCSの増加によってBDT値が略線形的に増加し、ΔCSが120よりも大きければ、ΔCS値が飽和(saturation)することが分かる。
即ち、本実施形態のウィンドウ製造方法において、洗浄ステップを行って圧縮応力値を変化させることでウィンドウのBDT強度を改善することができ、特にΔCSが120以下である場合、洗浄工程による耐衝撃性の改善程度が高いことが分かる。
上述したように、初期ウィンドウの第1圧縮応力値と洗浄ステップ以降のウィンドウの第2圧縮応力値との差ΔCSは、上記式1及び式2の関係を満足し、特に酸洗ステップの温度T及び酸洗ステップの工程保持時間tのそれぞれに線形的に比例し、それによって酸洗ステップの温度T及び時間tを最適化してウィンドウで求められている最終圧縮応力値を得ることができる。即ち、酸洗ステップの温度T及び時間tを最適化して、求められる耐衝撃性及び破損強度を有するウィンドウを製造することができる。
本実施形態のウィンドウ製造方法は、酸洗ステップ及びアルカリ洗浄ステップを含む洗浄ステップを行って、耐衝撃性及び破損強度が改善されたウィンドウを提供する。一方、本明細書で提示した圧縮応力値の変化量(第1圧縮応力値と第2圧縮応力値との差の絶対値)と、酸洗ステップの工程温度と工程時間との関係式を利用して、ウィンドウの最終圧縮応力値を予測することができる。また、本明細書で提示した圧縮応力値の変化量と酸洗ステップの工程温度と工程時間との関係式を利用して、最終的に提供されるウィンドウで求められる強度特性を得るための洗浄条件を提示して容易に制御することができる。
圧縮応力値の変化量であるΔCSは、上述したように式1及び式2の関係を満足し、圧縮応力値の変化量であるΔCSは酸洗ステップの温度T及び酸洗ステップの保持時間tのそれぞれに比例する。従って、本明細書で提示した上記式1及び式2の関係式を利用して、酸洗ステップの温度T又は酸洗ステップの保持時間tを調節することで圧縮応力値の変化量であるΔCSを制御することができる。
一方、圧縮応力値の変化量であるΔCSは、酸洗ステップの温度Tと酸洗ステップの保持時間tとの組み合わせに比例する。即ち、圧縮応力値の変化量であるΔCSは、酸洗ステップの温度T及び酸洗ステップの保持時間tをいずれも変数とする線形関係式で示される。
圧縮応力値の変化量であるΔCSと酸洗ステップの温度T及び酸洗ステップの保持時間tとは、下記式3の関係を満足する。
[式3]
ΔCS(MPa)=ν・T(℃)+ω・t(min)+γ
上記式3において、0<ν≦10、0<ω≦20、−150≦γ≦−50である。
例えば、第1圧縮応力値と第2圧縮応力値との差は、下記式3−1を満足する。
[式3−1]
ΔCS(MPa)=2T(℃)+4t(min)+γ
上記式3−1において、定数であるγは、−150≦γ≦−50である。
以下、図13〜図18は、本実施形態のウィンドウ製造方法における洗浄ステップの条件による第1圧縮応力値と第2圧縮応力値との差を示すグラフである。図13〜図18は、上述した洗浄ステップのうちの酸洗ステップの工程条件による圧縮応力値の差を示しており、酸洗溶液としては硫酸溶液が使用されている。しかし、以下で図13〜図18を参照して説明する本発明の一実施形態で提示される関係式は硫酸溶液を使用した場合に限らず、強酸溶液を酸洗溶液として使用した場合にも同じく適用される。
図13は、酸洗温度のそれぞれにおける酸洗時間の増加に対する圧縮応力値の変化量を示すグラフである。図13において、「実測値」は該当工程温度及び工程時間における圧縮応力値の変化量を測定して示したものであり、「計算値」は工程温度及び工程時間を下記式3−1aに入力して計算された値をグラフで示したものである。
[式3−1a]
ΔCS(MPa)=2T(℃)+4t(min)−108
図13において、酸洗温度条件はそれぞれ50℃、60℃、65℃に設定しており、工程時間は1分〜20分に設定して測定値及び計算値を示している。
図13を参照すると、酸洗温度条件50℃〜65℃、及び工程保持時間1分〜20分の条件で、本明細書で提示した上記式3−1aの関係式から計算された値は実測値と類似して示されることが分かる。即ち、本明細書で提示した第1圧縮応力値と第2圧縮応力値との差と、酸洗ステップの温度及び酸洗ステップの工程保持時間とに対する関係式は、実際の洗浄工程を予測するために使用され得る。
図5〜図7gを参照して説明した実施形態のウィンドウ製造方法において、酸洗ステップS310の工程温度Tは40℃以上70℃以下である。40℃未満の温度では酸洗溶液WS1と初期ウィンドウCW−Pとの反応性が低下し、洗浄工程が円滑に行われない。また、70℃よりも高い温度では酸洗溶液WS1に含まれる有機物が蒸気(fume)に気化する可能性があるため、洗浄工程の安定性が問題になり得る。なお、上記酸洗ステップS310において、工程保持時間tは1分(min)以上20分(min)以下である。
図14aは、酸洗ステップS310における工程保持時間tに対する圧縮応力値の変化量ΔCSを示すグラフである。図14aは、酸洗温度65℃における洗浄時間の経過に対する圧縮応力値の変化量を示している。図14aを参照すると、工程保持時間が増加することで圧縮応力値の変化量が増加することが確認される。
1分の洗浄時間は、最小限の洗浄が可能な最小洗浄時間に該当する。また、酸洗工程が20分を超過して保持された場合、洗浄時間の経過によるウィンドウの強度改善効果は増加しない。即ち、図14aを参照すると、20分までの洗浄時間の経過による圧縮応力値の変化量の増加に比べて、20分を超過した洗浄時間における圧縮応力値の変化量は大きくないため、工程の基材性を考慮するのであれば、20分以下の酸洗時間で酸洗工程を行うことが好ましい。
また、20分を超過して酸洗工程が行われると、ΔCS値は120MPa以上に増加するようになるが、これは上述した図12などの結果を考慮すると、ΔCS値の増加による耐衝撃強度の改善効果も微々たるものであるため、酸洗ステップの工程時間は1分以上20分以下の範囲が適切である。
図14bは、特定の温度条件における酸洗ステップの工程保持時間tに対する圧縮応力値の変化量ΔCSの値を測定して示した結果とそれに対する関係式を示すグラフである。図14bでは、酸洗ステップS310における工程温度Tがそれぞれ50℃、60℃、及び65℃に固定された状態で、酸洗工程時間tに対する圧縮応力値の差ΔCSを測定した値を示し、それによる関係式を導出して示している。酸洗工程時間tは1分〜20分に設定している。
図14bに示した測定値のグラフは、上述した式1の関係を満足する。即ち、図14aに示した測定結果から導出された酸洗ステップの工程保持時間と圧縮応力値の変化量とから、同じ工程温度条件における酸洗工程の保持時間と圧縮応力値の変化量とは線形関係式を有することが確認される。
例えば、工程温度50℃における工程保持時間tと圧縮応力値の変化量ΔCSとは、下記式1−aの関係を有する。下記式1−aは、上記式1において、δが2.4で、θが2.3である場合に該当する。
[式1−a]
ΔCS(MPa)=2.4t+2.3
また、工程温度60℃及び65℃における工程保持時間tと圧縮応力値の変化量ΔCSとは、それぞれ下記式1−b及び式1−cの関係を有する。
[式1−b]
ΔCS(MPa)=4.3t+15
[式1−c]
ΔCS(MPa)=5t+19
上記式1−bは、上記式1において、δが4.3で、θが15である場合に該当し、上記式1−cは、上記式1において、δが5で、θが19である場合に該当する。上記式1−a〜式1−cは、工程時間tが1分以上20分以下の範囲で満足する関係式である。
上述した式1及び式1−a〜1−cから、本実施形態のウィンドウ製造方法で製造されるウィンドウの圧縮応力値の変化量は、所定の温度で酸洗ステップの工程保持時間を調節して制御されることが確認される。即ち、圧縮応力値の変化量は、初期ウィンドウの第1圧縮応力値とウィンドウの第2圧縮応力値との差に該当するため、最終的に求められるウィンドウの圧縮応力値を考慮して、酸洗ステップの工程温度及び工程保持時間を制御して洗浄ステップを行うことができる。
図15は、一実施形態のウィンドウ製造方法における酸洗ステップS310の工程保持時間tを固定し、工程温度Tの変化に対する圧縮応力値の変化量ΔCSの値を測定して示した結果とそれに対する関係式を示すグラフである。図15では、酸洗ステップの工程保持時間tをそれぞれ10分及び20分に固定した状態で酸洗工程時間Tの変化に対する圧縮応力値の差を測定した値を示し、それによる関係式を導出して示している。図15に示した測定結果は、酸洗ステップの工程温度30℃〜70℃の範囲内で測定された結果である。
図15に示した測定値のグラフは、上述した式2の関係を満足する。図15に示した測定結果から導出された酸洗ステップの工程温度と圧縮応力値の変化量との測定値から、同じ工程保持時間における酸洗工程の温度と圧縮応力値の変化量とは線形関係式を有することが確認される。
例えば、工程保持時間10分における工程温度Tと圧縮応力値の変化量ΔCSとは、下記式2−aの関係を有する。
[式2−a]
ΔCS(MPa)=2T−66
また、工程保持時間20分における工程温度Tと圧縮応力値の変化量ΔCSとは、下記式2−bの関係を有する。
[式2−b]
ΔCS(MPa)=6.5T−295
上記式2−aは、上記式2において、αが2で、βが−66である場合に該当し、上記式2−bは、上記式2において、αが6.5で、βが−295である場合に該当する。上記式2−a及び式2−bは、工程温度が40℃以上70℃以下の範囲で満足する関係式である。
上述した式2、式2−a、及び式2−bから、本実施形態のウィンドウ製造方法で製造されるウィンドウの圧縮応力値の変化量は、所定の工程保持時間で酸洗ステップの工程温度を調節して制御し得ることが確認される。即ち、圧縮応力値の変化量は、初期ウィンドウの第1圧縮応力値とウィンドウの第2圧縮応力値との差に該当するため、最終的に求められるウィンドウの圧縮応力値を考慮して、酸洗ステップの工程温度及び工程保持時間を制御して洗浄ステップを行うことができる。
上述した図9で説明したように、本実施形態のウィンドウ製造方法で製作されたウィンドウにおいて、洗浄ステップの前後における圧縮応力値の差は、ウィンドウ洗浄ステップにおける洗浄量に比例する。図5〜図7gを参照して説明した実施形態のウィンドウ製造方法において、洗浄量は初期ウィンドウCW−Pの表面FS−Pの単位面積当たりの除去量である。例えば、一実施形態における洗浄量は中間ウィンドウCW−Cの中間層L2の除去量である。また、洗浄量は初期ウィンドウCW−PとウィンドウCWとの重量差に該当する。
本実施形態のウィンドウ製造方法において、洗浄量LABと酸洗ステップの工程条件とは、下記式4及び式5を満足する。
[式4]
AB(mg/cm)= δ’・t(min)+θ’
[式5]
AB(mg/cm)= α’・T(℃)+β’
上記式4及び式5において、LABは洗浄量であり、Tは酸洗ステップの温度であり、tは酸洗ステップの保持時間である。LABは初期ウィンドウCW−PからウィンドウCW−Pに加工される過程で除去された重量に該当する。上記式4及び式5において、洗浄量LABの単位は「mg/cm」であり、関係式の変数である酸洗ステップの温度Tは「℃」単位で入力され、酸洗ステップの工程時間tは「min(分)」単位で入力される。
以下、本明細書に記載した関係式で使用されたLAB(mg/cm)、T(℃)、及びt(min)に対しては、上述した式4及び式5で定義した内容と同じ内容が適用される。
上記式4は、酸洗ステップの工程保持時間tと洗浄量LABとの関係を示す線形関係式である。上記式4において、0<δ’≦5及び−300≦θ’<0である。一方、上記式5は、酸洗ステップの工程温度Tと洗浄量LABとの関係を示す線形関係式である。上記式5において、0<α’≦0.05及び0<β’≦0.5である。
洗浄量LABは、酸洗ステップの温度T及び酸洗ステップの保持時間tのそれぞれに比例する。従って、本明細書で提示した上記式4及び式5の関係式を利用して、酸洗ステップの温度T又は酸洗ステップの保持時間tを調節することで洗浄量LABを制御することができる。また、洗浄量LABと圧縮応力値の変化量ΔCSとの比例関係式を利用して、洗浄量LABを制御してウィンドウCWの表面圧縮応力値を変化させて、それによってウィンドウの衝撃強度を改善することができる。
一方、洗浄量LABは、酸洗ステップの温度Tと酸洗ステップの保持時間tとの組み合わせに比例する。即ち、洗浄量LABは、酸洗ステップの温度T及び酸洗ステップの保持時間tをいずれも変数とする線形関係式で示される。
洗浄量LABと酸洗ステップの温度T及び酸洗ステップの保持時間tとは、下記式6の関係を満足する。
[式6]
AB(mg/cm)= ν・T(℃)+ω・t(min)+γ’
上記式6において、0<ν’≦0.05、0<ω’≦0.1、−50≦γ’<0である。
例えば、洗浄量LABと酸洗ステップの温度T及び酸洗ステップの保持時間tとは、下記式6−1を満足する。
[式6−1]
AB(mg/cm)=0.01T(℃)+0.02t(min)+γ’
上記式6−1において、定数であるγ’は、−50≦γ<0である。
図16は、酸洗温度のそれぞれにおける酸洗時間の増加に対する洗浄量LABを示すグラフである。図16において、「実測値」は該当工程温度及び工程時間における洗浄量LABを測定して示したものであり、「計算値」は工程温度及び工程時間を下記式6−1aに入力して計算された値をグラフで示したものである。
[式6−1a]
AB(mg/cm)=0.01T(℃)+0.02t(min)−0.583
図16において、酸洗温度条件はそれぞれ50℃、60℃、65℃に設定しており、工程時時間は1分〜20分に設定して測定及び計算値を示した。
図16を参照すると、酸洗温度条件50℃〜65℃、及び工程保持時間1分〜20分の条件で、本明細書で提示した上記式6−1aの関係式で計算された値は実測値と類似して示されることが分かる。即ち、本明細書で提示した洗浄量と酸洗ステップの温度及び酸洗ステップの工程保持時間とに対する関係式は、実際の洗浄工程を予測するために使用され得る。
図17は、特定の温度条件における酸洗ステップの工程保持時間tに対する洗浄量LABの値を測定して示した結果とそれに対する関係式を示すグラフである。図17では、酸洗ステップS310における工程温度Tがそれぞれ50℃、60℃、及び65℃に固定された状態で酸洗工程時間tに対する洗浄量LABを測定した値を示し、それによる関係式を導出して示している。酸洗工程時間tは1分〜20分に設定している。
図17に示した測定値のグラフは、上述した式4の関係を満足する。即ち、図17に示した測定結果から導出された酸洗ステップの工程保持時間及び洗浄量から、同じ工程温度条件における酸洗工程の保持時間と洗浄量とは線形関係式を有することが確認される。
例えば、工程温度50℃における工程保持時間tと洗浄量LABとは、下記式4−aの関係を有する。下記式4−aは、上記式4において、δ’が0.01で、θ’が−0.005である場合に該当する。
[式4−a]
AB(mg/cm)=0.01t−0.005
また、工程温度60℃及び65℃における工程保持時間tと洗浄量LABとは、それぞれ下記式4−b及び式4−cの関係を有する。
[式4−b]
AB(mg/cm)=0.02t+0.05
[式4−c]
AB(mg/cm)=0.02t+0.1
上記式4−bは、上記式4において、δ’が0.02で、θ’が0.05である場合に該当し、上記式4−cは、上記式4において、δ’が0.02で、θ’が0.1である場合に該当する。上記式4−a〜式4−cは、工程時間tが1分以上20分以下の範囲で満足する関係式である。
上述した式4及び式4−a〜4−cから本実施形態のウィンドウ製造方法で製造されるウィンドウの洗浄量は、所定の温度で酸洗ステップの工程保持時間を調節して制御されることが確認される。即ち、洗浄量は、第1圧縮応力値とウィンドウの第2圧縮応力値との差である圧縮応力値の変化量に比例するため、最終的に求められるウィンドウの圧縮応力値を考慮して、酸洗ステップの工程温度及び工程保持時間を制御して洗浄ステップを行うことができる。
図18は、一実施形態のウィンドウ製造方法における酸洗ステップS310の工程保持時間tを固定し、工程温度Tの変化に対する洗浄量LABを測定して示した結果とそれに対する関係式を示すグラフである。図18では、酸洗ステップの工程保持時間tをそれぞれ10分と20分に固定した状態で酸洗工程時間Tの変化に対する洗浄量LABを測定した値を示し、それによる関係式を導出して示している。図18に示した測定結果は、酸洗ステップの工程温度30℃〜70℃の範囲内で測定された結果である。
図18に示した測定値のグラフは、上述した式5の関係を満足する。図18に示した測定結果から導出された酸洗ステップの工程温度及び洗浄量LAB値から、同じ工程保持時間における酸洗工程の温度と洗浄量LABとは線形関係式を有することが確認される。
例えば、工程保持時間10分における工程温度Tと洗浄量LABとは、下記式5−aの関係を有する。
[式5−a]
AB(mg/cm)=0.008T−0.245
また、工程保持時間20分における工程温度Tと洗浄量LABとは、下記式5−bの関係を有する。
[式5−b]
AB(mg/cm)=1.3T+0.37
上記式5−aは、上記式5においてα’が0.008で、β’が−0.245である場合に該当し、上記式5−bは、上記式5において、α’が1.3で、β’が0.37である場合に該当する。上記式5−a及び式5−bは、工程温度が40℃以上70℃以下の範囲で満足する関係式である。
上述した式5、式5−a、及び式5−bから本実施形態のウィンドウ製造方法で製造されるウィンドウの洗浄量は、所定の工程保持時間で酸洗ステップの温度を調節して制御されることが確認される。即ち、洗浄量は、第1圧縮応力値とウィンドウの第2圧縮応力値との差である圧縮応力値の変化量に比例するため、最終的に求められるウィンドウの圧縮応力値を考慮して、酸洗ステップの工程温度及び工程保持時間を制御して洗浄ステップを行うことができる。
本実施形態のウィンドウ製造方法は、順次に行われる酸洗ステップ及びアルカリ洗浄ステップを含むことで、改善された強度特性及び耐衝撃性を有するウィンドウを提供することができる。また、本実施形態は、洗浄ステップの工程温度及び工程保持時間と洗浄量との関係式、又は洗浄ステップの工程温度及び工程保持時間と圧縮応力値の変化量との関係式を取り入れて、優れた耐衝撃性及び機械的強度を有するウィンドウを提供するための洗浄工程を容易に制御することができる。
即ち、本実施形態のウィンドウ製造方法は、酸洗ステップを取り入れて酸洗ステップの温度及び工程保持時間に対する圧縮応力値の変化量に対する関係式を使用して、最終的にウィンドウで求められている物性を考慮して洗浄工程を体系的に管理することで、工程の経済性が改善される。
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
AA アクティブ領域
BA ベンディング部
BS 強化ガラス基板
BX ベンディング軸
BZ ベゼル層
BZA ベゼル領域
CW、CW−a ウィンドウ
CW−P 初期ウィンドウ
CW−C 中間ウィンドウ
DA 表示領域
DFS 欠陥
DP 電子パネル
EA 電子装置
FA 平坦部
FS ウィンドウの表面(上部面)
FS−P 初期ウィンドウの表面
HAU 筐体
IM 映像
IN アルカリ金属イオン
IS 表示面
NAA 周変領域
NDA 非表示領域
PO ボイド
PX 画素
RS 下部面
SS 異物
TA 透過領域
WS1 酸洗溶液
WS2 アルカリ洗浄溶液

Claims (15)

  1. 第1圧縮応力値を有する初期ウィンドウを提供するステップと、
    前記初期ウィンドウを洗浄して第2圧縮応力値を有するウィンドウを提供する洗浄ステップと、を有し、
    前記洗浄ステップは、
    前記初期ウィンドウを酸洗する酸洗ステップと、
    前記酸洗された初期ウィンドウをアルカリ洗浄するアルカリ洗浄ステップと、を含み、
    前記第1圧縮応力値と前記第2圧縮応力値との差は、下記式1及び式2を満足することを特徴とするウィンドウ製造方法。
    [式1]
    ΔCS(MPa)=δ・t(min)+θ
    [式2]
    ΔCS(MPa)=α・T(℃)+β
    前記式1において、0<δ≦10、−300≦θ<0であり、
    前記式2において、0<α≦10、0<β≦50であり、
    前記式1及び式2において、ΔCSは前記第1圧縮応力値と前記第2圧縮応力値との差の絶対値であり、Tは前記酸洗ステップの温度であり、tは前記酸洗ステップの保持時間である。
  2. 前記酸洗ステップの温度Tは、40℃以上70℃以下であることを特徴とする請求項1に記載のウィンドウ製造方法。
  3. 前記酸洗ステップの保持時間tは、1分(min)以上20分(min)以下であることを特徴とする請求項1に記載のウィンドウ製造方法。
  4. 前記第1圧縮応力値と前記第2圧縮応力値との差は、下記式3を満足することを特徴とする請求項1に記載のウィンドウ製造方法。
    [式3]
    ΔCS(MPa)=ν・T(℃)+ω・t(min)+γ
    前記式3において、0<ν≦10、0<ω≦20、−150≦γ≦−50であり、
    ΔCS、T、及びtは、前記式1及び式2で定義した通りである。
  5. 前記第1圧縮応力値と前記第2圧縮応力値との差は、下記式3−1を満足することを特徴とする請求項1に記載のウィンドウ製造方法。
    [式3−1]
    ΔCS(MPa)=4T(℃)+2t(min)+γ
    前記式3−1において、−150≦γ≦−50であり、
    ΔCS、T、及びtは、前記式1及び式2で定義した通りである。
  6. 前記第1圧縮応力値と前記第2圧縮応力値との差は、前記洗浄ステップにおける洗浄量に比例し、
    前記洗浄量は、前記初期ウィンドウの表面から除去される前記初期ウィンドウの単位面積当たりの除去量であることを特徴とする請求項1に記載のウィンドウ製造方法。
  7. 前記洗浄量は、下記式4及び式5を満足することを特徴とする請求項6に記載のウィンドウ製造方法。
    [式4]
    AB(mg/cm)=δ’・t(min)+θ’
    [式5]
    AB(mg/cm)=α’・T(℃)+β’
    前記式4において、0<δ’≦5、−300≦θ’<0であり、
    前記式5において、0<α’≦0.05、0<β’≦0.5であり、
    前記式4及び式5において、LABは前記洗浄量であり、T及びtは前記式1及び式2で定義した通りである。
  8. 前記洗浄量は、下記式6を満足することを特徴とする請求項7に記載のウィンドウ製造方法。
    [式6]
    AB(mg/cm)=ν・T(℃)+ω・t(min)+γ’
    前記式6において、0<ν’≦0.05、0<ω’≦0.1、−50≦γ’<0であり、
    AB、T、及びtは、前記式4及び式5で定義した通りである。
  9. 前記洗浄量は、下記式6−1を満足することを特徴とする請求項7に記載のウィンドウ製造方法。
    [式6−1]
    AB(mg/cm)=0.01T(℃)+0.02t(min)+γ’
    前記式6−1において、−50≦γ’<0であり、
    AB、T、及びtは、前記式4及び式5で定義した通りである。
  10. 前記洗浄量は、前記酸洗ステップの第1洗浄量と前記アルカリ洗浄ステップの第2洗浄量との和であり、
    前記第1洗浄量は、前記洗浄量の全体重量を基準に30wt%以上40wt%以下であり、
    前記第2洗浄量は、前記洗浄量の全体重量を基準に60wt%以上70wt%以下であることを特徴とする請求項6に記載のウィンドウ製造方法。
  11. 前記初期ウィンドウを提供するステップは、
    ベースガラスを提供するステップと、
    前記提供されたベースガラスを強化するステップと、を含み、
    前記ベースガラスは、LAS(Lithium Alumino−Sillicate)系ガラス、又はNAS(Sodium Alumino−Silicate)系ガラスであることを特徴とする請求項1に記載のウィンドウ製造方法。
  12. 前記ベースガラスを強化するステップは、KNO及びNaNOのうちの少なくとも一つを含む強化溶融塩(toughening molten salt)で化学強化するステップであることを特徴とする請求項11に記載のウィンドウ製造方法。
  13. 前記ベースガラスを強化するステップは、350℃以上450℃以下の温度で行われることを特徴とする請求項12に記載のウィンドウ製造方法。
  14. 前記酸洗ステップは、硝酸(HNO)、硫酸(HSO)、及び塩酸(HCl)のうちの少なくとも一つを含む酸洗溶液を提供するステップであることを特徴とする請求項1に記載のウィンドウ製造方法。
  15. 前記アルカリ洗浄ステップは、水酸化ナトリウム(NaOH)及び水酸化カリウム(KOH)のうちの少なくとも一つを含むアルカリ洗浄溶液を提供するステップであることを特徴とする請求項1に記載のウィンドウ製造方法。
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