JP2021082830A - 光検出装置 - Google Patents
光検出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021082830A JP2021082830A JP2021016658A JP2021016658A JP2021082830A JP 2021082830 A JP2021082830 A JP 2021082830A JP 2021016658 A JP2021016658 A JP 2021016658A JP 2021016658 A JP2021016658 A JP 2021016658A JP 2021082830 A JP2021082830 A JP 2021082830A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- light
- light transmitting
- semiconductor element
- optical semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 236
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 176
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 133
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 43
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 313
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 19
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 9
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
[第1実施形態]
A>B/[2tan{sin−1(sin1°/n)}]…(1)
n=sinα/sinβ…(2)
D=T×tanβ×2…(3)
D=2×T×tan{(sin−1(sinα/n)}…(4)
D>B…(5)
T>B/[2tan{sin−1(sinα/n)}]…(6)
[第2実施形態]
[変形例]
Claims (11)
- 複数の受光部を有する光半導体素子と、
前記光半導体素子に直接的に又は光透過性の接着層のみを介して接合された光透過部と、を備え、
前記光透過部における前記光半導体素子とは反対側の表面には、屈折率が前記光透過部に向かって空気の屈折率から前記光透過部の屈折率に連続的に変化する凹凸構造を有する第1屈折率変化層が設けられており、
前記光半導体素子と前記第1屈折率変化層との間の距離をAとし、前記複数の受光部において隣り合う受光部の間の距離をBとし、前記空気の屈折率に対する前記光透過部の屈折率をnとすると、A>B/[2tan{sin−1(sin5°/n)}]が成立する、光検出装置。 - 前記光半導体素子において、前記複数の受光部は、半導体基板における前記光透過部側の表面に沿った部分に設けられており、
前記半導体基板における前記光透過部とは反対側の表面には、凹凸構造を有する第2屈折率変化層が設けられており、
前記第2屈折率変化層の前記凹凸構造の屈折率は、前記半導体基板に向かって、前記半導体基板とは反対側において前記第2屈折率変化層に接する領域の屈折率から前記半導体基板の屈折率に連続的に変化している、請求項1に記載の光検出装置。 - 前記半導体基板における前記光透過部とは反対側の前記表面には、前記第2屈折率変化層を覆う光吸収層が設けられており、
前記第2屈折率変化層の前記凹凸構造の屈折率は、前記半導体基板に向かって前記光吸収層の屈折率から前記半導体基板の屈折率に連続的に変化している、請求項2に記載の光検出装置。 - 前記光透過部は、前記光半導体素子に前記接着層のみを介して接合されており、
前記光透過部における前記光半導体素子側の表面には、屈折率が前記光透過部に向かって前記接着層の屈折率から前記光透過部の屈折率に連続的に変化する凹凸構造を有する第3屈折率変化層が設けられている、請求項2又は3に記載の光検出装置。 - 前記光半導体素子において、前記複数の受光部は、半導体基板における前記光透過部とは反対側の表面に沿った部分に設けられている、請求項1に記載の光検出装置。
- 前記半導体基板における前記光透過部とは反対側の表面には、光吸収層が設けられている、請求項5に記載の光検出装置。
- 前記光透過部は、前記光半導体素子に前記接着層のみを介して接合されており、
前記光透過部における前記光半導体素子側の表面には、屈折率が前記光透過部に向かって前記接着層の屈折率から前記光透過部の屈折率に連続的に変化する凹凸構造を有する第3屈折率変化層が設けられている、請求項5又は6に記載の光検出装置。 - 前記光透過部は、前記光半導体素子に前記接着層のみを介して接合されており、
前記半導体基板における前記光透過部側の表面には、屈折率が前記半導体基板に向かって前記接着層の屈折率から前記半導体基板の屈折率に連続的に変化する凹凸構造を有する第4屈折率変化層が設けられている、請求項5〜7のいずれか一項に記載の光検出装置。 - 前記光透過部は、ガラス基板である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の光検出装置。
- 前記第1屈折率変化層は、前記光透過部とは別体の層である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の光検出装置。
- 前記第1屈折率変化層は、前記光透過部と一体的に形成されている、請求項1〜9のいずれか一項に記載の光検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021016658A JP7413294B2 (ja) | 2019-08-23 | 2021-02-04 | 光検出装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019152775A JP6835920B2 (ja) | 2019-08-23 | 2019-08-23 | 光検出装置 |
JP2021016658A JP7413294B2 (ja) | 2019-08-23 | 2021-02-04 | 光検出装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019152775A Division JP6835920B2 (ja) | 2019-08-23 | 2019-08-23 | 光検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021082830A true JP2021082830A (ja) | 2021-05-27 |
JP7413294B2 JP7413294B2 (ja) | 2024-01-15 |
Family
ID=89534205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021016658A Active JP7413294B2 (ja) | 2019-08-23 | 2021-02-04 | 光検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7413294B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007201184A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
JP2012080065A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-04-19 | Sony Corp | 固体撮像素子、固体撮像装置、撮像機器、及び、偏光素子の製造方法 |
JP2013033864A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、および電子機器 |
JP2016001633A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
WO2017077792A1 (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-11 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 |
WO2019159710A1 (ja) * | 2018-02-16 | 2019-08-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサ装置および電子機器 |
-
2021
- 2021-02-04 JP JP2021016658A patent/JP7413294B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007201184A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
JP2012080065A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-04-19 | Sony Corp | 固体撮像素子、固体撮像装置、撮像機器、及び、偏光素子の製造方法 |
JP2013033864A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、および電子機器 |
JP2016001633A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
WO2017077792A1 (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-11 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 |
WO2019159710A1 (ja) * | 2018-02-16 | 2019-08-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサ装置および電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7413294B2 (ja) | 2024-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2021039547A1 (ja) | 光検出装置 | |
US20090302410A1 (en) | Photodiode array and production method thereof, and radiation detector | |
CN113838879B (zh) | 单光子雪崩二极管装置、图像感测装置及激光雷达系统 | |
TWI666480B (zh) | 光半導體裝置 | |
US7807954B2 (en) | Light receiving element with upper and side light receiving faces and an optical semiconductor module with the light receiving element and a light emitting element mounted on the same mounting unit | |
JP2011124450A (ja) | 半導体受光素子 | |
US20080075474A1 (en) | Light-receiving element and light-receiving device comprising the same | |
JP2021082830A (ja) | 光検出装置 | |
WO2004086504A1 (ja) | ホトダイオードアレイ及びその製造方法、並びに放射線検出器 | |
JP6707393B2 (ja) | 裏面入射型受光素子及び光受信モジュール | |
JP2022035262A (ja) | 光検出器、光検出システム、ライダー装置、及び車 | |
KR101762431B1 (ko) | 크로스톡 방지 구조를 가지는 실리콘 광전자 증배센서 | |
JP2003232861A (ja) | 放射線検出器 | |
JP2019047037A (ja) | 光検出器 | |
WO2023103314A1 (zh) | 探测单元、探测阵列、探测阵列母板、探测器和激光雷达 | |
JP6918398B1 (ja) | 端面入射型半導体受光素子 | |
JP2018129359A5 (ja) | ||
CN117542906A (zh) | 一种光敏元件及其制造方法、光敏探测器 | |
JP2804971B2 (ja) | 半導体光検波装置 | |
CN114078892A (zh) | 图像传感器的器件、光学相机的图像传感器和光学相机 | |
JP2004095660A (ja) | 受光素子及びエンコーダ | |
JPH09260713A (ja) | 半導体受光素子 | |
JP2000252511A (ja) | 半導体受光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220819 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230925 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7413294 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |