JP2021061369A - インダクタ部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】絶縁層と磁性層の主面との密着性の低下を抑制できるインダクタ部品を提供する。【解決手段】インダクタ部品は、平面上を延びるインダクタ配線と、磁性粉７３を含有した有機樹脂７２からなりインダクタ配線を覆う磁性層２１と、絶縁性の非磁性粉８１を含有した有機樹脂８２からなり磁性層２１の主面２１ａを覆う非磁性体の絶縁層６１とを備えている。また、インダクタ部品は、磁性層２１と絶縁層６１との間に位置し、磁性粉７３、非磁性粉８１、及び有機樹脂９２を含む密着層９１を備えている。【選択図】図３
Description
本開示は、インダクタ部品に関する。
電子機器に搭載されるインダクタ部品には、例えば特許文献１に記載されているように、インダクタ配線と、磁性粉を含有した有機樹脂からなりインダクタ配線を挟み込む一対の磁性層と、磁性層の主面を覆う絶縁層とを有するものがある。特許文献１では、絶縁層の形成は磁性層の主面をリン酸塩で処理することによって行っており、無機膜が形成されている。
従来のような構成のインダクタ部品では、無機膜の絶縁層に代えて、ソルダーレジストのような有機樹脂が用いられることも多い。本願発明者等は、このような有機樹脂からなる絶縁層について、磁性層の主面との密着性が低下する場合があることを発見した。
本開示の目的は、絶縁層と磁性層の主面との密着性の低下を抑制できるインダクタ部品を提供することにある。
上記課題を解決するインダクタ部品は、平面上を延びるインダクタ配線と、磁性粉を含有した有機樹脂からなり前記インダクタ配線を覆う磁性層と、絶縁性の非磁性粉を含有した有機樹脂からなり前記磁性層の主面を覆う非磁性体の絶縁層と、前記磁性層と前記絶縁層との間に位置し、前記磁性粉、前記非磁性粉、及び有機樹脂を含む密着層とを備えた。
上記態様によれば、磁性層と絶縁層との間に設けられた密着層は、磁性層に含まれる磁性粉と絶縁層に含まれる非磁性粉との両方を含む。従って、密着層は、磁性層と密着しやすいとともに、絶縁層とも密着しやすい。このように、磁性層と絶縁層との間に、これら磁性層及び絶縁層と密着する密着層が介在することにより、絶縁層と磁性層の主面との密着性の低下を抑制できる。
なお、本明細書において「インダクタ配線」とは、電流が流れた場合に磁性層に磁束を発生させることによって、インダクタ部品にインダクタンスを付与させるものであって、その構造、形状、材料などに特に限定はない。
本開示の一態様によれば、絶縁層と磁性層の主面との密着性の低下を抑制できる。
以下、インダクタ部品の一実施形態について説明する。なお、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものと異なる場合がある。また、断面図ではハッチングを付しているが、理解を容易にするために、一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。
図１に示すインダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、テレビ、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載される表面実装型のインダクタ部品である。インダクタ部品１は、電子機器においてインピーダンスを発生させるものとして、インピーダンス整合、フィルタ、共振、平滑、整流、蓄電、変圧、分配、結合、変換などの機能を有する。
図１乃至図３に示すように、インダクタ部品１は、平面上を延びるインダクタ配線の一例であるスパイラル配線１１と、磁性粉７３を含有した有機樹脂７２からなりスパイラル配線１１を覆う磁性層２１，２２とを備えている。また、インダクタ部品１は、絶縁性の非磁性粉８１を含有した有機樹脂８２からなり磁性層２１，２２の主面２１ａ，２２ａを覆う非磁性体の絶縁層６１，６２を備えている。更に、インダクタ部品１は、磁性層２１，２２と絶縁層６１，６２との間に位置し、磁性粉７３、非磁性粉８１、及び有機樹脂９２を含む密着層９１を備えている。
なお、本明細書において「スパイラル配線」とは、平面（仮想平面を含む）上を延びる曲線（二次元曲線）の配線であって、当該曲線が描くターン数は１周を超えていても、１周未満であってもよく、また、異なる方向に巻回された複数の曲線を有する配線であってもよいし、一部直線部を有する配線であってもよい。また、インダクタ配線は、スパイラル配線に限られず、ミアンダ配線などの公知の様々な形状の配線を用いることもできる。
図１及び図２に示すように、本実施形態のインダクタ部品１は直方体状をなしている。なお、本明細書において、「直方体状」には、各面の一部又は全部に凹凸を有するものも含む。また、本明細書における「直方体状」では、各面とその反対側の面とが必ずしも完全に平行となっている必要はなく、多少の傾きがあってもよい（即ち、隣接する面は必ずしも直角をなさなくてもよい）。因みに、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角柱状、円錐台形状、多角錐台形状等であってもよい。
インダクタ部品１は、スパイラル配線１１と、磁性体２０と、絶縁体３１と、垂直配線４１，４２，４３と、外部端子５１，５２，５３と、絶縁層６１，６２とを有している。
スパイラル配線１１は、導電性材料からなり、平面上に巻回されている。スパイラル配線１１が巻回された平面Ｓ１に対する垂直方向を、図中のようにＺ方向とする。更に、図２における上下方向のうち、順Ｚ方向を上方向、逆Ｚ方向を下方向とする。そして、Ｚ方向は、インダクタ部品１の厚さ方向に該当する。なお、Ｚ方向は、変更例においても同様とする。スパイラル配線１１は、上側から見て、内周端１１ａから外周端１１ｂに向かって反時計方向に渦巻き状に形成されている。
スパイラル配線１１は、導電性材料からなり、平面上に巻回されている。スパイラル配線１１が巻回された平面Ｓ１に対する垂直方向を、図中のようにＺ方向とする。更に、図２における上下方向のうち、順Ｚ方向を上方向、逆Ｚ方向を下方向とする。そして、Ｚ方向は、インダクタ部品１の厚さ方向に該当する。なお、Ｚ方向は、変更例においても同様とする。スパイラル配線１１は、上側から見て、内周端１１ａから外周端１１ｂに向かって反時計方向に渦巻き状に形成されている。
スパイラル配線１１のターン数は、本実施形態では、２．５ターンである。スパイラル配線１１のターン数は、５ターン以下が好ましい。ターン数が５ターン以下であれば、インダクタ部品１に入力される５０ＭＨｚから１５０ＭＨｚといった高周波信号に対して近接効果の損失を小さくすることができる。一方、１ＭＨｚといった低周波信号がインダクタ部品１に入力される場合には、スパイラル配線１１のターン数は、２．５ターン以上が好ましい。スパイラル配線１１のターン数を多くすることで、インダクタ部品１のインダクタンスを高くしてインダクタ部品１において発生するリップル電流を小さくすることができる。
スパイラル配線１１の材料としては、例えば、Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）などの低抵抗な金属を用いることができる。好ましくは、スパイラル配線１１の材料として、ＣｕもしくはＣｕ化合物からなる導体を用いる。このようにすると、スパイラル配線１１にかかる製造コストを低減させるとともに、スパイラル配線１１における直流抵抗を低減させることができる。また、スパイラル配線１１は、ＳＡＰ（Semi Additive Process：セミアディティブ工法）によって形成される銅めっきよりなることが好ましい。このようにすると、低抵抗で且つ狭ピッチなスパイラル配線１１を安価に得ることができる。なお、スパイラル配線１１は、ＳＡＰ以外のめっき工法、スパッタリング法や蒸着法、塗布法などにより形成されるものであってもよい。
磁性体２０は、磁性材料からなる。磁性体２０は、第１磁性層２１と、第２磁性層２２と、内磁路部２３と、外磁路部２４とから構成されている。
第１磁性層２１及び第２磁性層２２は、Ｚ方向の両側からスパイラル配線１１を挟む位置にある。具体的には、第１磁性層２１はスパイラル配線１１の下側に位置してスパイラル配線１１を下側から覆うとともに、第２磁性層２２はスパイラル配線１１の上側に位置してスパイラル配線１１を上側から覆っている。即ち、スパイラル配線１１は、第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に挟まれている。内磁路部２３は、スパイラル配線１１の内側に配置されている。即ち、内磁路部２３は、磁性体２０において、スパイラル配線１１の内側で第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に挟まれた部分である。外磁路部２４は、スパイラル配線１１の外側に配置されている。即ち、外磁路部２４は、磁性体２０において、スパイラル配線１１の外側で第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に挟まれた部分である。そして、内磁路部２３及び外磁路部２４は、第１磁性層２１及び第２磁性層２２に接続されている。このように、磁性体２０は、スパイラル配線１１に対して閉磁路を形成している。なお、図２に示すように、第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３及び外磁路部２４は、一体化していてもよく、互いの境界は明確でなくてもよい。
第１磁性層２１及び第２磁性層２２は、Ｚ方向の両側からスパイラル配線１１を挟む位置にある。具体的には、第１磁性層２１はスパイラル配線１１の下側に位置してスパイラル配線１１を下側から覆うとともに、第２磁性層２２はスパイラル配線１１の上側に位置してスパイラル配線１１を上側から覆っている。即ち、スパイラル配線１１は、第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に挟まれている。内磁路部２３は、スパイラル配線１１の内側に配置されている。即ち、内磁路部２３は、磁性体２０において、スパイラル配線１１の内側で第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に挟まれた部分である。外磁路部２４は、スパイラル配線１１の外側に配置されている。即ち、外磁路部２４は、磁性体２０において、スパイラル配線１１の外側で第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に挟まれた部分である。そして、内磁路部２３及び外磁路部２４は、第１磁性層２１及び第２磁性層２２に接続されている。このように、磁性体２０は、スパイラル配線１１に対して閉磁路を形成している。なお、図２に示すように、第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３及び外磁路部２４は、一体化していてもよく、互いの境界は明確でなくてもよい。
図２及び図３に示すように、磁性体２０、即ち、第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３及び外磁路部２４は、それぞれ、磁性粉７３を含有した有機樹脂７２からなる。また、本実施形態の有機樹脂７２は、非磁性粉７４を更に含有している。但し、有機樹脂７２は、必ずしも非磁性粉７４を含有しなくてもよい。
第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３及び外磁路部２４に含まれる有機樹脂７２は、エポキシ系樹脂及びアクリル系樹脂の少なくとも一方の樹脂を含むことが好ましい。但し、第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３及び外磁路部２４に含まれる有機樹脂７２は、必ずしもエポキシ系樹脂及びアクリル系樹脂の少なくとも一方の樹脂を含まなくてもよい。
磁性粉７３の材料としては、例えば、Ｆｅ（鉄）を含有する磁性の金属を用いることができる。Ｆｅは、単体で磁性粉７３に含有されてもよいし、Ｆｅを含む合金として磁性粉７３に含有されてもよい。Ｆｅを含有する磁性粉７３の材料としては、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ（ケイ素）−Ｃｒ（クロム）合金などのＦｅ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ（コバルト）系合金、ＮｉＦｅ（パーマロイ）などのＦｅ系合金、又は、それらのアモルファス合金を用いることができる。本実施形態では、磁性粉７３は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金の粉体である。
また、第１磁性層２１及び第２磁性層２２における磁性粉７３の充填率は、５０ｖｏｌ％以上、９０ｖｏｌ％以下であることが好ましい。内磁路部２３及び外磁路部２４においても同様に、磁性粉７３の充填率は、５０ｖｏｌ％以上、９０ｖｏｌ％以下であることが好ましい。但し、第１磁性層２１及び第２磁性層２２における磁性粉７３の充填率、並びに、内磁路部２３及び外磁路部２４における磁性粉７３の充填率は、必ずしも５０ｖｏｌ％以上、９０ｖｏｌ％以下でなくてもよい。なお、上記の充填率は、第１磁性層２１や第２磁性層２２、内磁路部２３、外磁路部２４の全体の体積を分母としたときの磁性粉７３の体積の割合である。例えば、第１磁性層２１における磁性粉７３の充填率は、第１磁性層２１の全体の体積を分母としたときの、第１磁性層２１に含まれる磁性粉７３の体積の割合である。
上記磁性粉７３の充填率は、計測対称となる各層（即ち、第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３又は外磁路部２４）の断面をＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査型電子顕微鏡）で撮影し、撮影した画像において磁性粉７３を観察して計測する。具体的には、各層のバルク領域（できれば中心に近い方が好ましい）における５箇所の断面について、ＳＥＭにて１万倍の倍率で取得した画像から磁性粉７３の平均面積率を測定する。そして、測定した磁性粉７３の平均面積率を磁性粉７３の充填率とする。
非磁性粉７４の材料としては、ＳｉＯ２（二酸化ケイ素（シリカ））を用いることができる。なお、磁性体２０に含まれる非磁性粉７４の材料としては、ＳｉＯ２に限らず、例えば、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）や窒化ホウ素（ＢＮ）を用いることもできる。
本実施形態のインダクタ部品１では、第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３及び外磁路部２４は、何れも同じ材料からなるが、異なる材料からなるものであってもよい。
図１及び図２に示すように、絶縁体３１は、電気絶縁性を有する部材であって、第１磁性層２１と第２磁性層２２との間で、磁性体２０とスパイラル配線１１との間に配置されている。本実施形態では、絶縁体３１は、第１磁性層２１とスパイラル配線１１との間、第２磁性層２２とスパイラル配線１１との間、内磁路部２３とスパイラル配線１１との間、外磁路部２４とスパイラル配線１１との間にそれぞれ配置されている。そして、絶縁体３１は、上側、下側、横側からスパイラル配線１１に接するとともに、スパイラル配線１１の表面を覆っている。絶縁体３１は、スパイラル配線１１の配線間の絶縁性を確保する。また、絶縁体３１には、下側（Ｚ方向）から第１磁性層２１が接するとともに、上側（逆Ｚ方向）から第２磁性層２２が接している。そして、絶縁体３１の表面は、磁性体２０によって覆われている。なお、図２に示すように、絶縁体３１は磁性体２０から一部が露出していてもよいし、絶縁体３１の全体が磁性体２０に覆われていてもよい。
絶縁体３１は、非磁性の絶縁性材料からなる。本実施形態では、絶縁体３１は、無機粉体を含有した有機樹脂からなる絶縁性樹脂にて形成されている。なお、図１では、磁性体２０及び絶縁体３１を透明にした図で示しているが、磁性体２０及び絶縁体３１は、透明、半透明、不透明の何れであってもよい。また、磁性体２０及び絶縁体３１は、有色であってもよい。
絶縁体３１の材料としては、例えば、ＳｉＯ２の粉体を含有した有機樹脂を用いることができる。但し、絶縁体３１は、必ずしもＳｉＯ２の粉体を含まなくてもよい。また、絶縁体３１に含まれる樹脂は、絶縁性の樹脂であればよいが、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂及び液晶ポリマー系樹脂のうちの少なくとも１つの樹脂を含むことが好ましい。
垂直配線４１〜４３は、導電性材料からなる。各垂直配線４１〜４３は、スパイラル配線１１から磁性体２０の表面まで、磁性体２０における磁性層２１，２２の積層方向に磁性体２０を貫通している。なお、磁性体２０の表面は、磁性体２０におけるインダクタ部品１の外側を向く面である。
第１垂直配線４１及び第２垂直配線４２は、スパイラル配線１１からＺ方向に延在されるとともに、第２磁性層２２を貫通している。第１垂直配線４１は、スパイラル配線１１の内周端１１ａの上面から上側に延在されて絶縁体３１をＺ方向に貫通する第１ビア導体４１ａと、第１ビア導体４１ａから上側に延在されて第２磁性層２２をＺ方向に貫通する第１柱状配線４１ｂとを含む。第２垂直配線４２は、スパイラル配線１１の外周端１１ｂの上面から上側に延在されて絶縁体３１をＺ方向に貫通する第２ビア導体４２ａと、第２ビア導体４２ａから上側に延在されて第２磁性層２２をＺ方向に貫通する第２柱状配線４２ｂとを含む。
第３垂直配線４３は、スパイラル配線１１から逆Ｚ方向に延在されるとともに、第１磁性層２１を貫通している。第３垂直配線４３は、スパイラル配線１１の外周端１１ｂの下面から下側に延在されて絶縁体３１を逆Ｚ方向に貫通する第３ビア導体４３ａと、第３ビア導体４３ａから下側に延在されて第１磁性層２１を逆Ｚ方向に貫通する第３柱状配線４３ｂとを含む。第２垂直配線４２と第３垂直配線４３とは、スパイラル配線１１を挟んだＺ方向の両側にそれぞれ位置している。
垂直配線４１〜４３（ビア導体４１ａ〜４３ａ及び柱状配線４１ｂ〜４３ｂ）の材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの低抵抗な金属を用いることができる。好ましくは、垂直配線４１〜４３の材料として、ＣｕもしくはＣｕ化合物からなる導体を用いる。このようにすると、垂直配線４１〜４３にかかる製造コストを低減させるとともに、垂直配線４１〜４３における直流抵抗を低減させることができる。また、垂直配線４１〜４３は、ＳＡＰによって形成される銅めっきよりなることが好ましい。このようにすると、低抵抗な垂直配線４１〜４３を安価に得ることができる。なお、垂直配線４１〜４３は、ＳＡＰ以外のめっき工法、スパッタリング法や蒸着法、塗布法などにより形成されるものであってもよい。
外部端子５１〜５３は、導電性材料からなる。外部端子５１〜５３は、磁性層２１，２２の主面２１ａ，２２ａに形成されている。外部端子５１〜５３は、磁性層２１，２２の主面２１ａ，２２ａから露出する垂直配線４１〜４３の端面上に配置されている。
なお、「主面」は、Ｚ方向においてインダクタ部品１の外側を向く面であって、各磁性層２１，２２における積層方向の端面である。具体的には、第１磁性層２１の主面２１ａは、第１磁性層２１の下面であり、第２磁性層２２の主面２２ａは、第２磁性層２２の上面である。なお、内磁路部２３や外磁路部２４を含む複数の磁性層が積層された構造において、磁性層間の界面については「主面」でないものとする。
また、垂直配線４１〜４３が磁性層２１，２２の主面２１ａ，２２ａから露出する場合の「露出」は、インダクタ部品１の外部への完全な露出に限られるものではなく、磁性体２０からの露出であればよい。即ち、この「露出」には、垂直配線４１〜４３が磁性体２０から別の部材へ露出する場合も含む。従って、例えば、垂直配線４１〜４３における磁性体２０から露出した部分が、絶縁被膜（例えば、絶縁層６１，６２）や電極（例えば、外部端子５１〜５３）などの別の部材に覆われていてもよい。
第１外部端子５１は、第２磁性層２２の主面２２ａに設けられるとともに、主面２２ａから露出した第１垂直配線４１の端面（即ち、第１柱状配線４１ｂの上端面）を覆っている。第２外部端子５２は、第２磁性層２２の主面２２ａに設けられるとともに、主面２２ａから露出した第２垂直配線４２の端面（即ち、第２柱状配線４２ｂの上端面）を覆っている。第３外部端子５３は、第１磁性層２１の主面２１ａに設けられるとともに、主面２１ａから露出した第３垂直配線４３の端面（即ち、第３柱状配線４３ｂの下端面）を覆っている。第２外部端子５２と第３外部端子５３とは、スパイラル配線１１を挟んだＺ方向の両側にそれぞれ位置している。
外部端子５１〜５３の材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの低抵抗な金属を用いることができる。好ましくは、外部端子５１〜５３の材料として、ＣｕもしくはＣｕ化合物からなる導体を用いる。このようにすると、外部端子５１〜５３にかかる製造コストを低減させるとともに、外部端子５１〜５３における直流抵抗を低減させることができる。なお、スパイラル配線１１、垂直配線４１〜４３、外部端子５１〜５３の材料を、Ｃｕを主体とした導体とすることにより、スパイラル配線１１と垂直配線４１〜４３との間、及び、垂直配線４１〜４３と外部端子５１〜５３との間の接合力や導電性を向上させることができる。また、外部端子５１〜５３は、無電解めっきによって形成される銅であることが好ましい。このようにすると、外部端子５１〜５３を容易に薄く形成することができる。なお、外部端子５１〜５３は、無電解めっき以外のめっき工法、スパッタリング法や蒸着法、塗布法などにより形成されるものであってもよい。
各外部端子５１〜５３は、防錆処理が施されていることが好ましい。ここで、防錆処理とは、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ、Ｓｎ（錫）などで表面側に被膜を形成することである。これにより、はんだによる銅喰われや、錆び、イオンマイグレーションなどを抑制することができるため、インダクタ部品１の実装信頼性を高めることができる。
なお、垂直配線４１〜４３及び外部端子５１〜５３は、第１磁性層２１のみ、もしくは第２磁性層２２のみに形成してもよい。また、第１磁性層２１の主面２１ａもしくは第２磁性層２２の主面２２ａに、スパイラル配線１１と電気的に接続されていない外部端子としてのダミー端子を設けてもよい。ダミー端子は導電性であるため、熱伝導率が高い。従って、インダクタ部品１における放熱性を向上させることができるため、インダクタ部品１の信頼性を高める（高環境耐性を得る）ことができる。
図２に示すように、第１絶縁層６１は、第１磁性層２１の主面２１ａを覆っている。また、第２絶縁層６２は、第２磁性層２２の主面２２ａを覆っている。因みに、図１では、絶縁層６１，６２の図示を省略している。第１絶縁層６１は、主面２１ａにおいて第３外部端子５３を除く領域を覆うとともに、第３外部端子５３の下端面を露出させている。第２絶縁層６２は、主面２２ａにおいて第１外部端子５１及び第２外部端子５２を除く領域を覆うとともに、第１外部端子５１の上端面及び第２外部端子５２の上端面を露出させている。
また、本実施形態のインダクタ部品１では、外部端子５１，５２の表面は、第２磁性層２２の主面２２ａよりもＺ方向の外側に位置するとともに、外部端子５３の表面は、第１磁性層２１の主面２１ａよりも逆Ｚ方向の外側に位置する。そのため、外部端子５１，５２の表面は、第２磁性層２２の主面２２ａと同一平面上にないとともに、外部端子５３の表面は、第１磁性層２１の主面２１ａと同一平面上にない。本実施形態では、外部端子５１，５２の表面は、第２絶縁層６２の表面６２ｄ（上面）よりもＺ方向の外側に位置するとともに、外部端子５３の表面は、第１絶縁層６１の表面６１ｄ（下面）よりも逆Ｚ方向の外側に位置する。そして、第１磁性層２１の主面２１ａと外部端子５３の表面との位置関係、並びに、第２磁性層２２の主面２２ａと外部端子５１，５２の表面との位置関係を独立に設定することができるため、外部端子５１〜５３の厚さの自由度を高めることができる。また、インダクタ部品１における外部端子５１〜５３の表面の高さ位置を調整することが可能であるため、例えば、インダクタ部品１が基板に埋め込まれた場合に、外部端子５１〜５３の表面の高さ位置を他の埋め込み部品の外部端子の高さ位置に合わせることが可能となる。従って、このようなインダクタ部品１を用いることにより、基板のビア形成時のレーザの焦点合わせ工程を合理化することができるため、インダクタ部品１を搭載した基板の製造効率を向上させることができる。
また、図１及び図２に示すように、本実施形態のインダクタ部品１は、Ｚ方向から見て、垂直配線４１〜４３の端面（柱状配線４１ｂ〜４３ｂの端面）を覆う外部端子５１〜５３の面積は、垂直配線４１〜４３の面積よりも大きい。従って、実装時の接合面積が大きくなるため、インダクタ部品１の実装信頼性を向上させることができる。また、基板に実装する時に基板配線とインダクタ部品１との接合位置について、アライメントマージンを確保することができるため、これによっても実装信頼性を向上させることができる。また、柱状配線４１ｂ〜４３ｂの体積にかかわらず実装信頼性を向上させることができるため、Ｚ方向から見た柱状配線４１ｂ〜４３ｂの断面積を小さくすることにより、第１磁性層２１もしくは第２磁性層２２の体積の減少を抑制して、インダクタ部品１の特性低下を抑制することができる。
図２及び図５に示すように、外部端子５１，５２は、第２絶縁層６２の表面６２ｄの少なくとも一部を被覆している。また、外部端子５３は、第１絶縁層６１の表面６１ｄの少なくとも一部を被覆している。なお、絶縁層６１，６２の表面６１ｄ，６２ｄは、Ｚ方向においてインダクタ部品１の外側を向く外表面である。
本実施形態では、第２絶縁層６２には、第１垂直配線４１の上端面に対応する位置に、第１垂直配線４１の上端面よりも大きい開口部６２ａが形成されるとともに、第２垂直配線４２の上端面に対応する位置に、第２垂直配線４２の上端面よりも大きい開口部６２ｂが形成されている。そして、第１外部端子５１は開口部６２ａを埋めるように、第２外部端子５２は開口部６２ｂを埋めるように設けられている。また、第１外部端子５１及び第２外部端子５２の表面は、第２絶縁層６２の表面６２ｄよりもＺ方向の外側に位置している。更に、第１外部端子５１において第２絶縁層６２の表面６２ｄよりもＺ方向の外側に位置する部分は、開口部６２ａよりも外形が大きいとともに、当該表面６２ｄにおける開口部６２ａの外周部分を被覆している。同様に、第２外部端子５２において第２絶縁層６２の表面６２ｄよりもＺ方向の外側に位置する部分は、開口部６２ｂよりも外形が大きいとともに、当該表面６２ｄにおける開口部６２ｂの外周部分を被覆している。そして、外部端子５１，５２における第２絶縁層６２の表面６２ｄよりもＺ方向の外側に位置する部分は、第２磁性層２２との間に第２絶縁層６２を挟んでいる。また、第１絶縁層６１には、第３垂直配線４３の下端面に対応する位置に、第１垂直配線４１の下端面よりも大きい開口部６１ｃが形成されている。そして、第３外部端子５３は、開口部６１ｃを埋めるように設けられるとともに、第３外部端子５３の表面は、第１絶縁層６１の表面６１ｄよりも逆Ｚ方向の外側に位置している。更に、第３外部端子５３において第１絶縁層６１の表面６１ｄよりも逆Ｚ方向の外側に位置する部分は、開口部６１ｃよりも外形が大きいとともに、当該表面６１ｄにおける開口部６１ｃの外周部分を被覆している。そして、外部端子５３における第１絶縁層６１の表面６１ｄよりも逆Ｚ方向の外側に位置する部分は、第１磁性層２１との間に第１絶縁層６１を挟んでいる。
なお、本実施形態では、外部端子５１，５２は、第２絶縁層６２の表面６２ｄにおける開口部６２ａ，６２ｂの外周部分を全周に亘って被覆しているが、部分的に被覆していてもよい。同様に、外部端子５３は、第１絶縁層６１の表面６１ｄにおける開口部６１ｃの外周部分を全周に亘って被覆しているが、部分的に被覆していてもよい。また、外部端子５１〜５３は、必ずしも絶縁層６１，６２の表面６１ｄ，６２ｄを被覆していなくてもよい。
図２及び図３に示すように、インダクタ部品１の厚さをＴとすると、絶縁層６１，６２の各々の厚さＢは、Ｔ／１００以上、Ｔ／２０以下であることが好ましい。インダクタ部品１の厚さＴが、例えば１４０〜７００μｍである場合、各絶縁層６１，６２の厚さＢは、例えば７μｍとすることが好ましい。但し、インダクタ部品１の厚さＴはこれに限らない。
第１絶縁層６１は、第１磁性層２１の主面２１ａを覆う非磁性体である。また、第２絶縁層６２は、第２磁性層２２の主面２２ａを覆う非磁性体である。なお、非磁性体は、磁性粉を含有しないものである。絶縁層６１，６２は、絶縁性の非磁性粉８１を含有した有機樹脂８２からなるとともに、同有機樹脂８２は、磁性粉を含有していない。有機樹脂８２としては、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂及びポリイミド系樹脂などの絶縁性を有する有機樹脂を用いることができる。そして、絶縁層６１，６２は、非磁性粉８１を含有した有機樹脂８２からなる感光性レジストやソルダーレジストで形成されている。
絶縁層６１，６２に含まれる非磁性粉８１は、１種類であってもよいが、複数種類あることが好ましい。また、複数種類ある非磁性粉８１のうち、少なくとも１種類の非磁性粉は、Ｓｉ（ケイ素）とＯ（酸素）とを含むことが好ましい。また、複数種類ある非磁性粉８１のうち、少なくとも１種類の非磁性粉は、Ｂａ（バリウム）とＳ（硫黄）とを含むことが好ましい。但し、非磁性粉８１は、必ずしもＳｉとＯとを含まなくてもよい。また、非磁性粉８１は、必ずしもＢａとＳとを含まなくてもよい。
本実施形態では、非磁性粉８１は、非磁性粉８１ａと非磁性粉８１ｂとの２種類ある。但し、非磁性粉８１は、２種類に限らず、３種類以上あってもよい。非磁性粉８１ａは、ＳｉＯ２よりなるとともに、球形状である。但し、非磁性粉８１ａは、必ずしも球形状でなくてもよい。非磁性粉８１ｂは、ＢａＳＯ４（硫酸バリウム）よりなる。また、非磁性粉８１ｂは、粉砕フィラーであり、非球形状である。本明細書において、「非球形状」には、一部が欠損した球形状や、滑らかな表面のみで構成されずに尖った部分を有する形状を含む。なお、非磁性粉８１ｂは、必ずしも非球形状でなくてもよい。
また、本実施形態では、複数種類ある非磁性粉８１のうち２種類の非磁性粉８１ａ，８１ｂは、互いに１．５倍以上の寸法差がある。具体的には、ＳｉＯ２よりなる非磁性粉８１ａは、ＢａＳＯ４よりなる非磁性粉８１ｂの１．５倍以上の寸法を有する。図３では、非磁性粉８１ｂを大きく図示しているため、図３に図示した非磁性粉８１ａと非磁性粉８１ｂとは、実際の寸法関係とは異なる大きさで図示している。因みに、寸法差は、例えば、非磁性粉の外形の最大寸法を比較して得ることができる。また、寸法差は、長手方向の寸法、短手方向の寸法、直径等、何れか測定可能なものを用いて得ることも可能である。なお、複数種類ある非磁性粉８１のうち２種類の非磁性粉８１ａ，８１ｂは、互いに１．５倍未満の寸法差であってもよい。
図２乃至図４に示すように、第１磁性層２１と同第１磁性層２１の主面２１ａを覆う第１絶縁層６１との間、第２磁性層２２と同第２磁性層２２の主面２２ａを覆う第２絶縁層６２との間には、それぞれ密着層９１が設けられている。図３には、第１磁性層２１と第１絶縁層６１との間の密着層９１を示している。図３のような拡大図は省略するが、第２磁性層２２と第２絶縁層６２との間にも同様の密着層９１が存在する。第１磁性層２１と第１絶縁層６１との間に位置する密着層９１は、第１磁性層２１の下面（主面２１ａ）と第１絶縁層６１の上面とに密着している。第２磁性層２２と第２絶縁層６２との間に位置する密着層９１は、第２磁性層２２の上面（主面２２ａ）と第２絶縁層６２の下面とに密着している。
密着層９１は、磁性粉７３と、非磁性粉８１と、有機樹脂９２とを含む。有機樹脂９２は、第１磁性層２１及び第２磁性層２２に含まれる有機樹脂７２と、絶縁層６１，６２に含まれる有機樹脂８２とを含んでいる。密着層９１に含まれる磁性粉７３は、第１磁性層２１及び第２磁性層２２に含まれる磁性粉７３と同じものである。また、密着層９１に含まれる非磁性粉８１は、絶縁層６１，６２に含まれる非磁性粉８１と同じものである。
従って、本実施形態では、密着層９１に含まれる磁性粉７３は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金の粉体である。また、密着層９１に含まれる非磁性粉８１は、非磁性粉８１ａと非磁性粉８１ｂとの２種類ある。そして、非磁性粉８１ａは、ＳｉＯ２よりなるとともに、球形状である。更に、非磁性粉８１ｂは、ＢａＳＯ４よりなるとともに、粉砕フィラーであり、非球形状である。また、本実施形態では、密着層９１に含まれる複数種類ある非磁性粉８１のうち２種類の非磁性粉８１ａ，８１ｂは、互いに１．５倍以上の寸法差がある。具体的には、ＳｉＯ２よりなる非磁性粉８１ａは、ＢａＳＯ４よりなる非磁性粉８１ｂの１．５倍以上の寸法を有する。
また、密着層９１に含まれる磁性粉７３の少なくとも１つは、非球形状（例えば、一部が欠損した球状（半球状など））であることが好ましい。但し、密着層９１に含まれる磁性粉７３に、非球形状をなすものが必ずしも含まれなくてもよい。
第１磁性層２１と第１絶縁層６１との間に設けられた密着層９１における磁性粉７３の充填率は、逆Ｚ方向（即ち、インダクタ部品１の厚さ方向）に沿って第１磁性層２１側から第１絶縁層６１側に向かうにつれて減少する。同様に、第２磁性層２２と第２絶縁層６２との間に設けられた密着層９１における磁性粉７３の充填率は、Ｚ方向に沿って第２磁性層２２側から第２絶縁層６２側に向かうにつれて減少する。また、各密着層９１において、密着層９１の全体における磁性粉７３の充填率は、１ｖｏｌ％以上、６０ｖｏｌ％以下であることが好ましい。
図３に示すように、密着層９１の厚さＴ１は、０．１μｍ以上、５μｍ以下であることが好ましい。但し、密着層９１の厚さＴ１は、０．１μｍ未満、もしくは５μｍよりも大きくてもよい。また、密着層９１の厚さＴ１は、各絶縁層６１，６２の厚さＢの１／１０以上、１／３以下であることが好ましい。例えば、第１絶縁層６１の厚さＢが例えば７μｍである場合、第１磁性層２１と第１絶縁層６１との間に位置する密着層９１の厚さＴ１は、例えば１．１３μｍとすることが好ましい。第２磁性層２２と第２絶縁層６２との間に位置する密着層９１についても同様である。なお、密着層９１の厚さＴ１は、各絶縁層６１，６２の厚さＢの１／１０未満、もしくは１／３より大きくてもよい。
ここで、密着層９１は、第１磁性層２１もしくは第２磁性層２２に含まれる磁性粉比率を１とした場合に、第１磁性層２１と第１絶縁層６１との間、及び第２磁性層２２と第２絶縁層６２との間の各々で磁性粉比率が０．３以上、０．８以下になっている範囲である。
図６及び図７に示すように、第１磁性層２１の主面２１ａと垂直な方向（図２においてＺ方向と同じ方向）にＥＤＸ分析（Energy dispersive X-ray spectrometry：エネルギー分散型Ｘ線分析）を行うことにより、第１磁性層２１と第１絶縁層６１との間に位置する密着層９１の範囲を確認した。ＥＤＸ分析は、インダクタ部品１における第１磁性層２１と第１絶縁層６１との両方が存在する範囲において、主面２１ａと平行な一方向に沿った複数箇所で実施した。具体的には、インダクタ部品１において約１μｍの間隔となる２０箇所（１９μｍ程度のエリア）で、主面２１ａと垂直な方向にそれぞれ組成の線分析を実施して、組成の線分析データを２０個取得した。そして、図６に示すように、２０個の線分析データの平均値をプロットした。なお、第１磁性層２１に含まれる磁性粉７３は、本実施形態ではＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金の粉体であるため、Ｆｅに着目してプロットした。また、第１絶縁層６１に含まれる非磁性粉８１については、絶縁層６１，６２のみに含まれるＢａ成分（非磁性粉８１ｂのＢａＳＯ４のＢａ成分）に着目してプロットした。更に、図７に示すように、第１磁性層２１に含まれる磁性粉比率（平均値）を１とした組成分布データを取得した。そして、この組成分布データから、第１磁性層２１と第１絶縁層６１との間で磁性粉比率が０．３以上、０．８以下になっている範囲、即ち、第１磁性層２１と第１絶縁層６１との間に位置する密着層９１の範囲を得た。これにより、インダクタ部品１には、厚さＢが７±２μｍの第１絶縁層６１と隣り合って、厚さＴ１が１．１２６μｍの密着層９１が存在することが確認できた。また、密着層９１の厚さＴ１は、第１絶縁層６１の厚さＢの１／（６．２）であった。また、図７に示すグラフを参照すると、密着層９１に、非磁性粉８１（具体的には非磁性粉８１ｂ）に含まれるＢａ成分が含まれていることが確認できる。
第２磁性層２２と第２絶縁層６２との間に位置する密着層９１についても、同様の方法で確認することができる。
なお、図６に示すグラフは、第１絶縁層６１、密着層９１、及び第１磁性層２１における厚さ方向の位置と、当該各層（第１絶縁層６１、密着層９１又は第１磁性層２１）中のＦｅ成分の充填率（ｗｔ％）及びＢａ成分の充填率（ｗｔ％）との関係を示している。図６及び図７を参照すると、密着層９１においては、磁性粉７３に含まれるＦｅ成分の充填率、即ち磁性粉７３の充填率は、第１磁性層２１側から第１絶縁層６１側に向かうにつれて徐々に減少していることが確認できる。
なお、図６に示すグラフは、第１絶縁層６１、密着層９１、及び第１磁性層２１における厚さ方向の位置と、当該各層（第１絶縁層６１、密着層９１又は第１磁性層２１）中のＦｅ成分の充填率（ｗｔ％）及びＢａ成分の充填率（ｗｔ％）との関係を示している。図６及び図７を参照すると、密着層９１においては、磁性粉７３に含まれるＦｅ成分の充填率、即ち磁性粉７３の充填率は、第１磁性層２１側から第１絶縁層６１側に向かうにつれて徐々に減少していることが確認できる。
図２及び図３に示すように、密着層９１と第１磁性層２１との境界部分には、密着層９１と第１磁性層２１との両方に跨る磁性粉７３が存在する。この磁性粉７３によって得られるアンカー効果により、密着層９１と第１磁性層２１の主面２１ａとの密着性が向上されている。また、第１絶縁層６１と密着層９１との境界部分には、第１絶縁層６１と密着層９１との両方に跨る非磁性粉８１が存在する。この非磁性粉８１によって得られるアンカー効果により、第１絶縁層６１と密着層９１との密着性が向上されている。そして、第１磁性層２１の主面２１ａと第１絶縁層６１とは、密着層９１を介して密着する。
同様に、密着層９１と第２磁性層２２との境界部分には、密着層９１と第２磁性層２２との両方に跨る磁性粉７３が存在する。この磁性粉７３によって得られるアンカー効果により、密着層９１と第２磁性層２２の主面２２ａとの密着性が向上されている。また、第２絶縁層６２と密着層９１との境界部分には、第２絶縁層６２と密着層９１との両方に跨る非磁性粉８１が存在する。この非磁性粉８１によって得られるアンカー効果により、第２絶縁層６２と密着層９１との密着性が向上されている。そして、第２磁性層２２の主面２２ａと第２絶縁層６２とは、密着層９１を介して密着する。
上記のように構成された本実施形態のインダクタ部品１のチップサイズは、例えば、１．３ｍｍ×１．６ｍｍである。但し、インダクタ部品１のチップサイズは、これに限らず、適宜変更してもよい。
また、本実施形態のインダクタ部品１は、基板の表面上に実装される表面実装型の部品であるが、その他に、基板に設けられた孔に埋め込まれて実装される埋込型の部品であってもよい。また、インダクタ部品１は、半導体パッケージなどのＩＣ（集積回路）パッケージ内に実装される３次元接続用の部品として用いることもできる。例えば、インダクタ部品１は、ＩＣパッケージに含まれるサブストレートの表面上に実装されたり、同サブストレートに設けられた孔に埋め込まれて実装されたりすることが可能である。
なお、本実施形態では、第１磁性層２１側にも外部端子５３を設けているが、第１磁性層２１側に外部端子５３を設けない場合には、第１絶縁層６１を省略してもよい。
（製造方法）
次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。
（製造方法）
次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。
図８に示すように、ダミーコア基板１００を準備する。ダミーコア基板１００は、絶縁基板１０１と、絶縁基板１０１の両面に設けられたベース金属層１０２とを有する。本実施形態では、絶縁基板１０１はガラスエポキシ基板であり、ベース金属層１０２はＣｕ箔である。ダミーコア基板１００の厚さはインダクタ部品１の厚さに影響しないため、ダミーコア基板１００には、加工上の反りなどの理由から適宜取り扱いやすい厚さのものを用いればよい。
次に、図９に示すように、ベース金属層１０２の面上にダミー金属層１１１を接着する。本実施形態では、ダミー金属層１１１はＣｕ箔である。ダミー金属層１１１は、ベース金属層１０２の円滑面に接着されるため、ダミー金属層１１１とベース金属層１０２との接着力を弱くすることができる。従って、後工程において、ダミーコア基板１００をダミー金属層１１１から容易に剥がすことができる。ダミーコア基板１００のベース金属層１０２とダミー金属層１１１とを接着する接着剤は、低粘着剤であることが好ましい。また、ベース金属層１０２とダミー金属層１１１との接着力を弱くするために、ベース金属層１０２とダミー金属層１１１との接着面を光沢面とすることが好ましい。
次に、図１０に示すように、ダミー金属層１１１上に絶縁体１１２を積層する。絶縁体１１２は、真空ラミネータやプレス機などにより、ダミー金属層１１１に熱圧着された後に熱硬化される。
次に、図１１に示すように、レーザ加工などにより絶縁体１１２に開口部１１２ａを形成する。
その後、図１２に示すように、絶縁体１１２上にダミー銅１１３ａとスパイラル配線１１３ｂとを形成する。詳しくは、絶縁体１１２上に無電解めっきやスパッタリング、蒸着などによりＳＡＰのための給電膜（図示略）を形成する。給電膜の形成後、給電膜上に感光性のレジストを塗布や貼り付けにより形成する。そして、フォトリソグラフィによって配線パターンとなる箇所に感光性レジストの開口部を形成する。その後、ダミー銅１１３ａ及びスパイラル配線１１３ｂに相当するメタル配線を感光性レジスト層の開口部に形成する。メタル配線の形成後、感光性レジストを薬液により剥離除去した後に、給電膜をエッチングにより除去する。その後、このメタル配線を給電部として、追加の銅電解めっきを施すことにより、狭スペースなスパイラル配線１１３ｂを得る。また、開口部１１２ａには、ＳＡＰによりＣｕが充填される。
その後、図１２に示すように、絶縁体１１２上にダミー銅１１３ａとスパイラル配線１１３ｂとを形成する。詳しくは、絶縁体１１２上に無電解めっきやスパッタリング、蒸着などによりＳＡＰのための給電膜（図示略）を形成する。給電膜の形成後、給電膜上に感光性のレジストを塗布や貼り付けにより形成する。そして、フォトリソグラフィによって配線パターンとなる箇所に感光性レジストの開口部を形成する。その後、ダミー銅１１３ａ及びスパイラル配線１１３ｂに相当するメタル配線を感光性レジスト層の開口部に形成する。メタル配線の形成後、感光性レジストを薬液により剥離除去した後に、給電膜をエッチングにより除去する。その後、このメタル配線を給電部として、追加の銅電解めっきを施すことにより、狭スペースなスパイラル配線１１３ｂを得る。また、開口部１１２ａには、ＳＡＰによりＣｕが充填される。
次に、図１３に示すように、ダミー銅１１３ａ及びスパイラル配線１１３ｂを絶縁体１１４で覆う。絶縁体１１４は、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着された後に熱硬化される。
次に、図１４に示すように、レーザ加工などにより絶縁体１１４に開口部１１４ａを形成する。
その後、図１５に示すように、ダミーコア基板１００をダミー金属層１１１から剥がす。
その後、図１５に示すように、ダミーコア基板１００をダミー金属層１１１から剥がす。
そして、図１６に示すように、ダミー金属層１１１をエッチングなどにより取り除く。また、ダミー銅１１３ａをエッチングなどにより取り除く。これにより、内磁路部２３に対応する孔部１１５ａ及び外磁路部２４に対応する孔部１１５ｂが形成される。
その後、図１７に示すように、レーザ加工などにより絶縁体１１２，１１４に開口部１１４ｂを形成する。
そして、図１８に示すように、ＳＡＰにより、開口部１１４ｂにＣｕを充填してビア導体１１６ａを形成した後に、絶縁体１１２，１１４上に柱状配線１１６ｂを形成する。
そして、図１８に示すように、ＳＡＰにより、開口部１１４ｂにＣｕを充填してビア導体１１６ａを形成した後に、絶縁体１１２，１１４上に柱状配線１１６ｂを形成する。
次に、図１９に示すように、スパイラル配線１１３ｂ、絶縁体１１２，１１４及び柱状配線１１６ｂを磁性体１１７で覆うことにより、インダクタ基板１３０を形成する。磁性体１１７は、磁性粉７３及び非磁性粉７４を含有した有機樹脂７２、即ち磁性材料１１８からなるものである（図３参照）。磁性材料１１８（磁性体１１７）は、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着された後に熱硬化される。この時、磁性材料１１８は、孔部１１５ａ，１１５ｂにも充填される。
次に、図２０に示すように、インダクタ基板１３０の上下の磁性材料１１８を研削工法により薄層化する。この時、磁性材料１１８を研削することにより柱状配線１１６ｂの一部を露出させることで、磁性材料１１８の同一平面上に柱状配線１１６ｂの露出部が形成される。なお、インダクタンス値が得られるのに十分な厚さになるまで磁性材料１１８を研削することで、インダクタ部品１の薄型化を図ることができる。
次に、図２１に示すように、印刷工法により磁性体１１７の表面（上面及び下面）に絶縁層１１９を形成する。絶縁層１１９は、絶縁性の非磁性粉８１を含有した有機樹脂８２からなるとともに、同有機樹脂８２は、磁性粉を含有していない。このため、磁性体１１７の表面には、磁性粉を含有しない非磁性体の絶縁層１１９が形成される。そして、磁性体１１７の表面に絶縁層１１９を形成するときに、同時に、絶縁層１１９と磁性体１１７との間に密着層９１を形成する。またこの時、磁性体１１７と密着層９１との境界部分に、磁性体１１７と密着層９１との両方に跨る磁性粉７３を設ける。更に、絶縁層１１９と密着層９１との境界部分に、絶縁層１１９と密着層９１との両方に跨る非磁性粉８１を設ける。因みに、図２１では、磁性粉７３及び非磁性粉８１の図示を省略している。
なお、密着層９１の形成方法としては、具体的には、例えば、磁性体１１７の表面に溶剤を塗布した後に、絶縁層１１９を塗布又はラミネートなどで形成する。これにより、溶剤が磁性体１１７及び絶縁層１１９を溶解・混合させ、両者の間に密着層９１を形成することができる。なお、密着層９１の形成方法はこの方法に限られない。磁性体１１７の表面に、例えばシランカップリング剤などの表面改質剤を塗布することで、磁性体１１７及び絶縁層１１９中の磁性粉７３及び非磁性粉８１を磁性体１１７と絶縁層１１９との間に誘導・固定して密着層９１を形成してもよい。
磁性体１１７の表面に形成された絶縁層１１９は開口部１１９ａを有する。この開口部１１９ａは、外部端子１２１が形成される部分である。本実施形態では、印刷工法を用いて開口部１１９ａを有する絶縁層１１９を形成したが、フォトリソグラフィ法によって開口部１１９ａを形成してもよい。
次に、図２２に示すように、外部端子１２１を形成する。外部端子１２１は、無電解めっきや、電解めっきなどにより、ＣｕやＮｉ、Ａｕ、Ｓｎなどの金属膜として形成される。
その後、図２３に示すように、破断線Ｌにてダイシングにより個片化することで、図２に示すインダクタ部品１を得る。なお、図２３に示すスパイラル配線１１３ｂは、図２に示すスパイラル配線１１に該当する。また、図２２に示す絶縁体１１２，１１４は、図２に示す絶縁体３１に該当する。また、図２３に示す磁性体１１７は、図２に示す磁性体２０、即ち第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３及び外磁路部２４に該当する。また、図２３に示す３つのビア導体１１６ａは、図２に示すビア導体４１ａ〜４３ａに該当するとともに、図２３に示す３つの柱状配線１１６ｂは、図２に示す柱状配線４１ｂ〜４３ｂに該当する。また、図２３に示す３つの外部端子１２１は、図２に示す外部端子５１〜５３に該当する。更に、図２３に示す２つの絶縁層１１９は、図２に示す絶縁層６１，６２に該当する。
上記したように、本実施形態のインダクタ部品１においては、スパイラル配線１１は、従来のようにプリント基板に形成されるものではない。従って、スパイラル配線が形成されるプリント基板を備えない分、インダクタ部品１の薄型化に有利である。なお、従来のようにプリント基板にスパイラル配線が形成される構成の場合には、基板を省略することが困難である。
図１２以降、図示を省略したが、ダミーコア基板１００の両面にインダクタ基板１３０を形成してもよい。このようにすると、生産性を高めることができる。
本実施形態の作用及び効果について説明する。
本実施形態の作用及び効果について説明する。
（１）インダクタ部品１は、平面上を延びるスパイラル配線１１と、磁性粉７３を含有した有機樹脂７２からなりスパイラル配線１１を覆う磁性層２１，２２と、絶縁性の非磁性粉８１を含有した有機樹脂８２からなり磁性層２１，２２の主面２１ａ，２２ａを覆う非磁性体の絶縁層６１，６２とを備えている。また、インダクタ部品１は、第１磁性層２１と第１絶縁層６１との間、及び第２磁性層２２と第２絶縁層６２との間に位置し、磁性粉７３、非磁性粉８１、及び有機樹脂９２を含む密着層９１を備えている。
第１磁性層２１と第１磁性層２１の主面２１ａを覆う第１絶縁層６１との間に設けられた密着層９１は、第１磁性層２１に含まれる磁性粉７３と第１絶縁層６１に含まれる非磁性粉８１との両方を含む。従って、当該密着層９１は、第１磁性層２１と密着しやすいとともに、第１絶縁層６１とも密着しやすい。このように、第１磁性層２１と同第１磁性層２１の主面２１ａを覆う第１絶縁層６１との間に、これら第１磁性層２１及び第１絶縁層６１と密着する密着層９１が介在することにより、第１絶縁層６１と第１磁性層２１の主面２１ａとの密着性の低下を抑制できる。同様に、第２磁性層２２と同第２磁性層２２の主面２２ａを覆う第２絶縁層６２との間に設けられた密着層９１は、第２磁性層２２に含まれる磁性粉７３と第２絶縁層６２に含まれる非磁性粉８１との両方を含む。従って、当該密着層９１は、第２磁性層２２と密着しやすいとともに、第２絶縁層６２とも密着しやすい。このように、第２磁性層２２と同第２磁性層２２の主面２２ａを覆う第２絶縁層６２との間に、これら第２磁性層２２及び第２絶縁層６２と密着する密着層９１が介在することにより、第２絶縁層６２と第２磁性層２２の主面２２ａとの密着性の低下を抑制できる。
（２）第１磁性層２１及び第２磁性層２２における磁性粉７３の充填率は、５０ｖｏｌ％以上、９０ｖｏｌ％以下である。従って、第１磁性層２１及び第２磁性層２２における磁性粉７３の充填率が、５０ｖｏｌ％以上、９０ｖｏｌ％以下であるインダクタ部品１において、第１絶縁層６１と第１磁性層２１の主面２１ａとの密着性の低下、及び第２絶縁層６２と第２磁性層２２の主面２２ａとの密着性の低下を抑制できる。
（３）密着層９１における磁性粉７３の充填率は、第１磁性層２１側から第１絶縁層６１側に向かうにつれて減少する。そのため、第１磁性層２１と第１絶縁層６１との間に位置する密着層９１は、第１磁性層２１側の部分では、より第１磁性層２１に近い組成であり、第１絶縁層６１側の部分では、より第１絶縁層６１に近い組成である。従って、密着層９１は、第１磁性層２１及び第１絶縁層６１のそれぞれとより密着しやすくなる。また、密着層９１は、第１磁性層２１側から第１絶縁層６１側に向かって磁性粉比率が徐々に変化するため、第１磁性層２１の主面２１ａと同主面２１ａを覆う第１絶縁層６１との間に生じる応力を緩和することができる。その結果、第１絶縁層６１と第１磁性層２１の主面２１ａとの密着性の低下をより抑制できる。
同様に、密着層９１における磁性粉７３の充填率は、第２磁性層２２側から第２絶縁層６２側に向かうにつれて減少する。そのため、第２磁性層２２と第２絶縁層６２との間に位置する密着層９１は、第２磁性層２２側の部分では、より第２磁性層２２に近い組成であり、第２絶縁層６２側の部分では、より第２絶縁層６２に近い組成である。従って、密着層９１は、第２磁性層２２及び第２絶縁層６２のそれぞれとより密着しやすくなる。また、密着層９１は、第２磁性層２２側から第２絶縁層６２側に向かって磁性粉比率が徐々に変化するため、第２磁性層２２の主面２２ａと同主面２２ａを覆う第２絶縁層６２との間に生じる応力を緩和することができる。その結果、第２絶縁層６２と第２磁性層２２の主面２２ａとの密着性の低下をより抑制できる。
（４）密着層９１の厚さＴ１は、絶縁層６１，６２の厚さＢの１／１０以上、１／３以下である。従って、密着層９１は各絶縁層６１，６２よりも薄いため、密着層９１によってインダクタ部品１が厚くなることを抑制しつつ、第１絶縁層６１と第１磁性層２１の主面２１ａとの密着性の低下、及び第２絶縁層６２と第２磁性層２２の主面２２ａとの密着性の低下を抑制できる。
（５）密着層９１に含まれる磁性粉７３の少なくとも１つは、非球形状である。そのため、非球形状である磁性粉７３によって、アンカー効果を得られやすい。従って、第１絶縁層６１と第１磁性層２１の主面２１ａとの密着性の低下、及び第２絶縁層６２と第２磁性層２２の主面２２ａとの密着性の低下を更に抑制できる。
（６）非磁性粉８１は複数種類ある。異なる種類の非磁性粉（本実施形態では、非磁性粉８１ａと非磁性粉８１ｂとの２種類の非磁性粉）を含むことにより、密着層９１は、種類の異なる応力に耐えることができるようになる。従って、第１絶縁層６１と第１磁性層２１の主面２１ａとの密着性の低下、及び第２絶縁層６２と第２磁性層２２の主面２２ａとの密着性の低下を一層抑制できる。
（７）複数種類ある非磁性粉８１のうち少なくとも２種類の非磁性粉８１ａ，８１ｂは、互いに１．５倍以上の寸法差がある。１．５倍以上の寸法差がある非磁性粉８１ａと非磁性粉８１ｂとが混在した形で密着層９１に含まれることにより、密着層９１の強度が高くなる。従って、密着層９１によって、第１絶縁層６１と第１磁性層２１の主面２１ａとの密着性の低下、及び第２絶縁層６２と第２磁性層２２の主面２２ａとの密着性の低下をより一層抑制できる。
（８）複数種類ある非磁性粉８１のうち少なくとも１種類の非磁性粉は、ＳｉとＯとを含む。本実施形態では、２種類ある非磁性粉８１のうち１種類の非磁性粉８１ａは、ＳｉとＯとを含むＳｉＯ２である。ＳｉとＯとを含む非磁性粉８１ａは、安価に入手しやすいため、インダクタ部品１の製造コストを低減させることができるとともに、量産性に優れたインダクタ部品１を得ることができる。
（９）複数種類ある非磁性粉８１のうち少なくとも１種類の非磁性粉は、ＢａとＳとを含む。本実施形態では、２種類ある非磁性粉８１のうち１種類の非磁性粉８１ｂは、ＢａとＳとを含むＢａＳＯ４である。ＢａとＳとを含む非磁性粉８１ｂは、安価に入手しやすいため、インダクタ部品１の製造コストを低減させることができるとともに、量産性に優れたインダクタ部品１を得ることができる。
（１０）複数種類ある非磁性粉８１のうち少なくとも１種類の非磁性粉は、非球形状である。本実施形態では、２種類ある非磁性粉８１のうち１種類の非磁性粉８１ｂが非球形状である。非球形状の非磁性粉８１ｂ（例えば、粉砕フィラー）は、有機樹脂９２に対して突き刺さりやすい（即ち抜け難い）。そのため、第１絶縁層６１が剥がれる方向の応力が生じた場合に、第１磁性層２１と第１絶縁層６１との間に位置する密着層９１に含まれる非球形状の非磁性粉８１ｂによって、第１絶縁層６１が第１磁性層２１から剥がれることが抑制される。同様に、第２絶縁層６２が剥がれる方向の応力が生じた場合に、第２磁性層２２と第２絶縁層６２との間に位置する密着層９１に含まれる非球形状の非磁性粉８１ｂによって、第２絶縁層６２が第２磁性層２２から剥がれることが抑制される。従って、第１絶縁層６１と第１磁性層２１の主面２１ａとの密着性の低下、及び第２絶縁層６２と第２磁性層２２の主面２２ａとの密着性の低下を更に一層抑制できる。
（１１）インダクタ部品１は、磁性層２１，２２の主面２１ａ，２２ａに設けられた外部端子５１〜５３を備えている。外部端子５１〜５３は、絶縁層６１，６２の表面６１ｄ，６２ｄの少なくとも一部を被覆している。そのため、第２磁性層２２の主面２２ａを覆う第２絶縁層６２が、外部端子５１，５２によって第２磁性層２２側に押さえつけられる。従って、第２絶縁層６２において表面６２ｄが外部端子５１，５２に被覆された部分では、主面２２ａから離れる方向への移動が外部端子５１，５２によって阻止される。同様に、第１磁性層２１の主面２１ａを覆う第１絶縁層６１が、外部端子５３によって第１磁性層２１側に押さえつけられる。従って、第１絶縁層６１において表面６１ｄが外部端子５３に被覆された部分では、主面２１ａから離れる方向への移動が外部端子５３によって阻止される。よって、第１絶縁層６１と第１磁性層２１の主面２１ａとの密着性の低下、及び第２絶縁層６２と第２磁性層２２の主面２２ａとの密着性の低下を更に一層抑制できる。
（１２）インダクタ部品１の厚さをＴとすると、絶縁層６１，６２の厚さＢは、Ｔ／１００以上、Ｔ／２０以下である。各絶縁層６１，６２の厚さＢがＴ／１００以上であると、インダクタ部品１の強度を大きくできる。一方、各絶縁層６１，６２の厚さＢがＴ／２０よりも厚いと、インダクタ部品１において、非磁性体である絶縁層６１のボリューム（割合）が大きくなるため、インダクタンスが低下してしまう。そこで、各絶縁層６１，６２の厚さをＴ／２０以下とすることにより、インダクタンスの低下を抑制できる。従って、強度が大きくなるとともに、インダクタンスの低下が抑制され、更に、第１絶縁層６１と第１磁性層２１の主面２１ａとの密着性の低下、及び第２絶縁層６２と第２磁性層２２の主面２２ａとの密着性の低下が抑制されたインダクタ部品１を提供できる。
（１３）密着層９１の全体における磁性粉７３の充填率は、１ｖｏｌ％以上、６０ｖｏｌ％以下である。密着層９１において磁性粉７３の充填量を増やし過ぎると、非磁性粉８１が入る場所が少なくなってしまう。即ち、第１磁性層２１と第１絶縁層６１との間に位置する密着層９１において、第１絶縁層６１と第１磁性層２１の主面２１ａとの密着性の向上に貢献する非磁性粉８１が入り込む場所が少なくなってしまう。同様に、第２磁性層２２と第２絶縁層６２との間に位置する密着層９１において、第２絶縁層６２と第２磁性層２２の主面２２ａとの密着性の向上に貢献する非磁性粉８１が入り込む場所が少なくなってしまう。すると、第１絶縁層６１と第１磁性層２１の主面２１ａとの密着性、及び第２絶縁層６２と第２磁性層２２の主面２２ａとの密着性を確保し難くなる可能性がある。一方、密着層９１において磁性粉７３の充填量を減らし過ぎると、有機樹脂９２の比率が高くなってしまうため、第１絶縁層６１と第１磁性層２１の主面２１ａとの密着性、及び第２絶縁層６２と第２磁性層２２の主面２２ａとの密着性を確保し難くなる可能性がある。そこで、密着層９１の全体における磁性粉７３の充填率を、１ｖｏｌ％以上、６０ｖｏｌ％以下とすることにより、第１絶縁層６１と第１磁性層２１の主面２１ａとの密着性、及び第２絶縁層６２と第２磁性層２２の主面２２ａとの密着性を確保しやすくなる。
＜変更例＞
本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。本実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。本実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・上記実施形態では、インダクタ部品１は、スパイラル配線１１を１つのみ備えた構成である。しかしながら、インダクタ部品１は、複数のスパイラル配線１１を備えてもよい。具体的には、インダクタ部品は、同一平面上に複数のスパイラル配線を有するものであってもよい。例えば、上記実施形態のインダクタ部品１において、同一平面上に複数のスパイラル配線１１を設けてもよい。また、インダクタ部品は、積層された複数のスパイラル配線を一対の磁性層の間に有するものであってもよい。例えば、上記実施形態のインダクタ部品１において、積層された複数のスパイラル配線１１を第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に挟み込む構成としてもよい。また、積層された複数のスパイラル配線を一対の磁性層の間に有するインダクタ部品において、更に、同一平面上に複数のスパイラル配線を有する構成としてもよい。
・上記実施形態では、磁性体２０は、第１磁性層２１及び第２磁性層２２の２つの磁性層を有する。しかしながら、磁性体２０は、磁性粉を含有した有機樹脂からなりスパイラル配線１１を覆う磁性層を３つ以上備えた構成であってもよい。
・上記実施形態において、第１磁性層２１及び第２磁性層２２を構成する有機樹脂７２は、フェライト粉を更に含有してもよい。内磁路部２３及び外磁路部２４を構成する有機樹脂７２もフェライト粉を更に含有してもよい。このようにすると、第１磁性層２１及び第２磁性層２２がフェライト粉を更に含むことにより、インダクタンスを高くできる。
・絶縁体３１の形状、垂直配線４１〜４３の形状、外部端子５１〜５３の形状は、上記実施形態の形状に限らず、適宜変更してもよい。例えば、絶縁体３１は、スパイラル配線１１の表面を部分的に被覆する形状であってもよい。また、垂直配線及び外部端子の数も、上記実施形態の数に限らず、適宜変更してもよい。
・上記実施形態のインダクタ部品１において、磁性層２１，２２、絶縁体３１及び絶縁層６１，６２は、体積抵抗率が１ＭΩ・ｃｍ以上であることが好ましい。このようにすると、インダクタ部品１の電流漏れを低減できる。特に、絶縁体３１及び絶縁層６１，６２は、体積抵抗率が１ＴΩ・ｃｍ以上であることが好ましい。この場合、絶縁体３１及び絶縁層６１，６２は、例えばソルダーレジストやポリイミドで構成される。
１…インダクタ部品、１１…インダクタ配線の一例としてのスパイラル配線、２１，２２…磁性層、２１ａ，２２ａ…主面、５１〜５３…外部端子、７２…有機樹脂、７３…磁性粉、６１，６２…絶縁層、６１ｄ，６２ｄ…表面、８２…有機樹脂、８１，８１ａ，８１ｂ…非磁性粉、９１…密着層、９２…有機樹脂、Ｂ…絶縁層の厚さ、Ｓ１…平面、Ｔ…インダクタ部品の厚さ、Ｔ１…密着層の厚さ。
Claims (12)
- 平面上を延びるインダクタ配線と、
磁性粉を含有した有機樹脂からなり前記インダクタ配線を覆う磁性層と、
絶縁性の非磁性粉を含有した有機樹脂からなり前記磁性層の主面を覆う非磁性体の絶縁層と、
前記磁性層と前記絶縁層との間に位置し、前記磁性粉、前記非磁性粉、及び有機樹脂を含む密着層と
を備えたインダクタ部品。 - 前記磁性層における前記磁性粉の充填率は、５０ｖｏｌ％以上、９０ｖｏｌ％以下である請求項１に記載のインダクタ部品。
- 前記密着層における前記磁性粉の充填率は、前記磁性層側から前記絶縁層側に向かうにつれて減少する請求項１又は請求項２に記載のインダクタ部品。
- 前記密着層の厚さは、前記絶縁層の厚さの１／１０以上、１／３以下である請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
- 前記密着層に含まれる前記磁性粉の少なくとも１つは、非球形状である請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載のインダクタ部品。
- 前記非磁性粉は複数種類ある請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載のインダクタ部品。
- 複数種類ある前記非磁性粉のうち少なくとも２種類の非磁性粉は、互いに１．５倍以上の寸法差がある請求項６に記載のインダクタ部品。
- 複数種類ある前記非磁性粉のうち少なくとも１種類の非磁性粉は、ＳｉとＯとを含む請求項６又は請求項７に記載のインダクタ部品。
- 複数種類ある前記非磁性粉のうち少なくとも１種類の非磁性粉は、ＢａとＳとを含む請求項６乃至請求項８の何れか１項に記載のインダクタ部品。
- 複数種類ある前記非磁性粉のうち少なくとも１種類の非磁性粉は、非球形状である請求項６乃至請求項９の何れか１項に記載のインダクタ部品。
- 前記磁性層の前記主面に設けられた外部端子を備え、
前記外部端子は、前記絶縁層の表面の少なくとも一部を被覆している請求項１乃至請求項１０の何れか１項に記載のインダクタ部品。 - 前記インダクタ部品の厚さをＴとすると、
前記絶縁層の厚さは、Ｔ／１００以上、Ｔ／２０以下である請求項１乃至請求項１１の何れか１項に記載のインダクタ部品。
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